JPH0792304A - 光学薄膜およびその製造方法 - Google Patents
光学薄膜およびその製造方法Info
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- JPH0792304A JPH0792304A JP5261545A JP26154593A JPH0792304A JP H0792304 A JPH0792304 A JP H0792304A JP 5261545 A JP5261545 A JP 5261545A JP 26154593 A JP26154593 A JP 26154593A JP H0792304 A JPH0792304 A JP H0792304A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング法により形成することがで
き、充分な光学特性を有する光学薄膜を得る。 【構成】 光学薄膜を製造するにあたり、フッ化アルミ
ニウムと酸化物との混合物によりターゲットを構成し、
このターゲットをスパッタリングすることにより光学薄
膜を形成する。ＡｌＦ3 は、ＭｇＦ2 よりも結合エネル
ギーが高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパ
ッタリング法により成膜しても成膜条件によっては比較
的可視光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。ま
た、ＡｌＦ3 に酸化物を混合したターゲットをスパッタ
リングすることにより、フッ素の解離がさらに抑制さ
れ、吸収の極めて少ない膜を容易に得ることが可能とな
る。
き、充分な光学特性を有する光学薄膜を得る。 【構成】 光学薄膜を製造するにあたり、フッ化アルミ
ニウムと酸化物との混合物によりターゲットを構成し、
このターゲットをスパッタリングすることにより光学薄
膜を形成する。ＡｌＦ3 は、ＭｇＦ2 よりも結合エネル
ギーが高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパ
ッタリング法により成膜しても成膜条件によっては比較
的可視光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。ま
た、ＡｌＦ3 に酸化物を混合したターゲットをスパッタ
リングすることにより、フッ素の解離がさらに抑制さ
れ、吸収の極めて少ない膜を容易に得ることが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学部品に用いられる
反射防止膜やハーフミラー等の光学薄膜およびその製造
方法に関する。
反射防止膜やハーフミラー等の光学薄膜およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板を加熱することなく優れた膜
の密着性が得られることや、自動化の容易さといった利
点から、スパッタリング法による光学薄膜形成の技術が
検討されている。しかし、真空蒸着法の場合に低屈折率
材料として最も一般的に用いられているＭｇＦ2 は、ス
パッタリングを行うことによりフッ素が解離し、可視光
の吸収が生じるため、使用することができない。そのた
め、ＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 と他の物質との混合物が
検討されている。例えば、特開平２−９６７０１号公報
には、低屈折率材料にＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 とアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合物、またはＳｉＯ2 を主成分とす
る物質を用い、高屈折率材料にＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
ＺｒＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 もしくは
Ｙｂ2 Ｏ3 またはこれらの混合物を用いて、透明基板上
に前記高屈折率材料と前記低屈折率材料をスパッタリン
グにより交互に積層し、反射防止膜を得る技術が開示さ
れている。
の密着性が得られることや、自動化の容易さといった利
点から、スパッタリング法による光学薄膜形成の技術が
検討されている。しかし、真空蒸着法の場合に低屈折率
材料として最も一般的に用いられているＭｇＦ2 は、ス
パッタリングを行うことによりフッ素が解離し、可視光
の吸収が生じるため、使用することができない。そのた
め、ＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 と他の物質との混合物が
検討されている。例えば、特開平２−９６７０１号公報
には、低屈折率材料にＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 とアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合物、またはＳｉＯ2 を主成分とす
る物質を用い、高屈折率材料にＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
ＺｒＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 もしくは
Ｙｂ2 Ｏ3 またはこれらの混合物を用いて、透明基板上
に前記高屈折率材料と前記低屈折率材料をスパッタリン
グにより交互に積層し、反射防止膜を得る技術が開示さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳｉＯ2 の屈
折率は１．４６程度であり、ＭｇＦ2 と比較して高いた
め、反射防止膜に用いる場合、単層のみで充分な反射防
止膜を得られない。そのため、２層以上の膜構成としな
ければ実用的な反射防止膜を得られず、さらに、得られ
た反射防止効果も充分とは言えない。また、偏光ビーム
スプリッターやエッヂフィルター等を構成する場合に
は、高屈折率材料と低屈折率材料との屈折率差が大きい
方が望ましいが、低屈折率材料としてＳｉＯ2 を使うと
充分な特性を得られなかったり、層数が増えてコストア
ップにつながる等の問題が生じる。
折率は１．４６程度であり、ＭｇＦ2 と比較して高いた
め、反射防止膜に用いる場合、単層のみで充分な反射防
止膜を得られない。そのため、２層以上の膜構成としな
ければ実用的な反射防止膜を得られず、さらに、得られ
た反射防止効果も充分とは言えない。また、偏光ビーム
スプリッターやエッヂフィルター等を構成する場合に
は、高屈折率材料と低屈折率材料との屈折率差が大きい
方が望ましいが、低屈折率材料としてＳｉＯ2 を使うと
充分な特性を得られなかったり、層数が増えてコストア
ップにつながる等の問題が生じる。
【０００４】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、スパッタリング法により形成することが
でき、充分な光学特性を有する光学薄膜およびその製造
方法を提供することを目的とする。
されたもので、スパッタリング法により形成することが
でき、充分な光学特性を有する光学薄膜およびその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光学薄膜を製造するにあたり、フッ化ア
ルミニウムと酸化物との混合物によりターゲットを構成
し、このターゲットをスパッタリングすることにより光
学薄膜を形成することとした。また、上記記載の製造方
法により成膜した層を、少なくとも１層含んで光学薄膜
を構成した。
に、本発明は、光学薄膜を製造するにあたり、フッ化ア
ルミニウムと酸化物との混合物によりターゲットを構成
し、このターゲットをスパッタリングすることにより光
学薄膜を形成することとした。また、上記記載の製造方
法により成膜した層を、少なくとも１層含んで光学薄膜
を構成した。
【０００６】
【作用】ＡｌＦ3 は、ＭｇＦ2 よりも結合エネルギーが
高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパッタリ
ング法により成膜しても成膜条件によっては比較的可視
光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。また、Ａ
ｌＦ3 に酸化物を混合したターゲットをスパッタリング
することにより、フッ素の解離がさらに抑制され、吸収
の極めて少ない膜を容易に得ることが可能となる。
高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパッタリ
ング法により成膜しても成膜条件によっては比較的可視
光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。また、Ａ
ｌＦ3 に酸化物を混合したターゲットをスパッタリング
することにより、フッ素の解離がさらに抑制され、吸収
の極めて少ない膜を容易に得ることが可能となる。
【０００７】前記酸化物としては、Ｐ2 Ｏ5 、Ｈｆ
Ｏ2 、ＭｏＯ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 、ＷＯ3 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 等、特に
制限はないが、屈折率の点からはＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 等が好ましい。また、混
合物の割合は、１重量％以上あれば著しい効果が認めら
れるが、特に制限するものではない。一方、酸化物を加
えることにより一般的に屈折率は上昇してしまうため、
必要以上に混合するのは光学特性の点からあまり望まし
いことではない。なお、ターゲット中の混合物がＡｌや
Ｆと化学的に結合した状態となっていても良いし、単な
る混合状態でも良い。
Ｏ2 、ＭｏＯ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 、ＷＯ3 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 等、特に
制限はないが、屈折率の点からはＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 等が好ましい。また、混
合物の割合は、１重量％以上あれば著しい効果が認めら
れるが、特に制限するものではない。一方、酸化物を加
えることにより一般的に屈折率は上昇してしまうため、
必要以上に混合するのは光学特性の点からあまり望まし
いことではない。なお、ターゲット中の混合物がＡｌや
Ｆと化学的に結合した状態となっていても良いし、単な
る混合状態でも良い。
【０００８】以上のような方法により形成した光学薄膜
の屈折率は、混合物の添加量や成膜条件にもよるが、お
およそ１．３６から１．４３程度と比較的低い。したが
って、単層のみでも充分な反射防止膜を得ることがで
き、また偏光ビームスプリッターやエッヂフィルター等
を構成する場合にも少ない層数で充分な特性を得ること
ができる。
の屈折率は、混合物の添加量や成膜条件にもよるが、お
およそ１．３６から１．４３程度と比較的低い。したが
って、単層のみでも充分な反射防止膜を得ることがで
き、また偏光ビームスプリッターやエッヂフィルター等
を構成する場合にも少ない層数で充分な特性を得ること
ができる。
【０００９】
【実施例１】アクリル樹脂基板（ＰＭＭＡ）を真空槽に
セットし、７×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が１．
５ＰａのＡｒガスと、分圧が１ＰａのＯ2 ガスを真空槽
に導入した。基板加熱は行わず、ターゲットは、ＡｌＦ
3 とＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ粉砕した後、８：２（重量％
比）の割合で混合し焼結したものを低屈折率材料として
使用し、高屈折率材料としてＷＯ3 を使用した。それぞ
れ１００Ｗの高周波マグネトロンスパッタリング法にて
表１の膜厚で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得
た。
セットし、７×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が１．
５ＰａのＡｒガスと、分圧が１ＰａのＯ2 ガスを真空槽
に導入した。基板加熱は行わず、ターゲットは、ＡｌＦ
3 とＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ粉砕した後、８：２（重量％
比）の割合で混合し焼結したものを低屈折率材料として
使用し、高屈折率材料としてＷＯ3 を使用した。それぞ
れ１００Ｗの高周波マグネトロンスパッタリング法にて
表１の膜厚で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得
た。
【００１０】
【表１】
【００１１】本実施例による反射防止膜の分光特性を図
１に示す。本実施例の反射防止膜は可視域（４００〜７
００ｎｍ）で優れた反射防止効果が得られ、また可視光
の吸収は全く見られなかった。本実施例によれば、ター
ゲットとしてＡｌＦ3 とＡｌ2 Ｏ3 を混合したものを用
いたため、フッ素の解離を抑えることができ、フッ素ガ
スを混合しなくとも吸収のない膜を容易に得ることがで
きた。なお、ＡｌＦ3 と混合する酸化物として、ＨｆＯ
2 、ＭｏＯ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＷＯ3 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 等を用いて
も同様の効果が得られた。
１に示す。本実施例の反射防止膜は可視域（４００〜７
００ｎｍ）で優れた反射防止効果が得られ、また可視光
の吸収は全く見られなかった。本実施例によれば、ター
ゲットとしてＡｌＦ3 とＡｌ2 Ｏ3 を混合したものを用
いたため、フッ素の解離を抑えることができ、フッ素ガ
スを混合しなくとも吸収のない膜を容易に得ることがで
きた。なお、ＡｌＦ3 と混合する酸化物として、ＨｆＯ
2 、ＭｏＯ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＷＯ3 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 等を用いて
も同様の効果が得られた。
【００１２】
【実施例２】ポリカーボネイト樹脂基板（ＰＣ）を真空
槽にセットし、５×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が
０．２ＰａのＮｅガスを真空槽に導入した。ターゲット
は、ＡｌＦ3 とＳｉＯ2 をそれぞれ粉砕した後、９：１
（重量％比）の割合で混合し焼結したものを低屈折率材
料として使用し、高屈折率材料としてＺｒＯ2 を使用し
た。それぞれ１００Ｗの高周波スパッタリング法にて表
２の膜厚で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得た。
槽にセットし、５×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が
０．２ＰａのＮｅガスを真空槽に導入した。ターゲット
は、ＡｌＦ3 とＳｉＯ2 をそれぞれ粉砕した後、９：１
（重量％比）の割合で混合し焼結したものを低屈折率材
料として使用し、高屈折率材料としてＺｒＯ2 を使用し
た。それぞれ１００Ｗの高周波スパッタリング法にて表
２の膜厚で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得た。
【００１３】
【表２】
【００１４】本実施例により、図２に示すような充分な
分光特性を有する反射防止膜を得ることができた。本実
施例によれば、ターゲットとしてＡｌＦ3 とＳｉＯ2 と
を混合したものを用いたため、実施例１と同様に吸収の
ない膜を容易に得ることができた。また、混合物の屈折
率が実施例１よりも低いため、わずかながらより低い屈
折率を得ることができた。
分光特性を有する反射防止膜を得ることができた。本実
施例によれば、ターゲットとしてＡｌＦ3 とＳｉＯ2 と
を混合したものを用いたため、実施例１と同様に吸収の
ない膜を容易に得ることができた。また、混合物の屈折
率が実施例１よりも低いため、わずかながらより低い屈
折率を得ることができた。
【００１５】［比較例１］ポリカーボネイト樹脂基板
（ＰＣ）上に低屈折率材料にはＳｉＯ2 、高屈折率材料
にはＺｒＯ2 のターゲットを用いてそれぞれ１００Ｗの
高周波スパッタリング法にて表３の膜厚で成膜を行い、
本比較例の反射防止膜を得た。
（ＰＣ）上に低屈折率材料にはＳｉＯ2 、高屈折率材料
にはＺｒＯ2 のターゲットを用いてそれぞれ１００Ｗの
高周波スパッタリング法にて表３の膜厚で成膜を行い、
本比較例の反射防止膜を得た。
【００１６】
【表３】
【００１７】本比較例による反射防止膜の分光特性を図
３に示す。本比較例においては、上記実施例と同様に可
視域での吸収は見られないものの、反射率が高めであ
り、充分な反射防止効果が得られているとは言い難い。
３に示す。本比較例においては、上記実施例と同様に可
視域での吸収は見られないものの、反射率が高めであ
り、充分な反射防止効果が得られているとは言い難い。
【００１８】
【実施例３】ＳＦ系ガラス基板を真空槽にセットし、２
×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が０．４ＰａのＡｒ
ガスと、０．３ＰａのＯ2 ガス、０．１ＰａのＣＦ4 ガ
スを真空槽に導入した。基板加熱は行わず、ターゲット
は、ＡｌＦ3 とＩｎ2 Ｏ3 をそれぞれ粉砕した後、９
５：５（重量％比）の割合で混合し焼結したものを使用
した。１００Ｗの直流スパッタリング法にて表４の膜厚
で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得た。
×１０-3Ｐａまで排気した後、分圧が０．４ＰａのＡｒ
ガスと、０．３ＰａのＯ2 ガス、０．１ＰａのＣＦ4 ガ
スを真空槽に導入した。基板加熱は行わず、ターゲット
は、ＡｌＦ3 とＩｎ2 Ｏ3 をそれぞれ粉砕した後、９
５：５（重量％比）の割合で混合し焼結したものを使用
した。１００Ｗの直流スパッタリング法にて表４の膜厚
で成膜を行い、本実施例の反射防止膜を得た。
【００１９】
【表４】
【００２０】本実施例による反射防止膜の分光特性を図
４に示す。本実施例の反射防止膜も単層で充分な反射防
止効果が得られた。また、吸収は全く見られなかった。
また、本実施例では、ターゲットとしてＡｌＦ3 に導電
性のあるＩｎ2 Ｏ3 を混合したものを用いたため、膜に
帯電防止機能を付加することができた。
４に示す。本実施例の反射防止膜も単層で充分な反射防
止効果が得られた。また、吸収は全く見られなかった。
また、本実施例では、ターゲットとしてＡｌＦ3 に導電
性のあるＩｎ2 Ｏ3 を混合したものを用いたため、膜に
帯電防止機能を付加することができた。
【００２１】
【実施例４】アモルファスポリオレフィン樹脂製の三角
形プリズムを真空槽にセットし、１×１０-3Ｐａまで排
気した後、分圧が０．５ＰａのＡｒガスを真空槽に導入
した。低屈折率層は、ＡｌＦ3 にＢ2 Ｏ3 を２重量％添
加したものをターゲットとして高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により形成した。また、高屈折率層は、Ｔ
ｉＯ2 をターゲットとして同じく高周波マグネトロンス
パッタリング法により形成した。これをもう１つのアモ
ルファスポリオレフィン樹脂製の三角形プリズムとＵＶ
硬化型接着剤により接合し、キューブ型の偏光ビームス
プリッターを製作した。
形プリズムを真空槽にセットし、１×１０-3Ｐａまで排
気した後、分圧が０．５ＰａのＡｒガスを真空槽に導入
した。低屈折率層は、ＡｌＦ3 にＢ2 Ｏ3 を２重量％添
加したものをターゲットとして高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により形成した。また、高屈折率層は、Ｔ
ｉＯ2 をターゲットとして同じく高周波マグネトロンス
パッタリング法により形成した。これをもう１つのアモ
ルファスポリオレフィン樹脂製の三角形プリズムとＵＶ
硬化型接着剤により接合し、キューブ型の偏光ビームス
プリッターを製作した。
【００２２】本実施例による偏光比が９：１のビームス
プリッターの膜構成を表５に、分光特性を図５に示す。
プリッターの膜構成を表５に、分光特性を図５に示す。
【００２３】
【表５】
【００２４】本実施例では、わずか１１層で図５に示す
ように充分な分光特性を有する偏光ビームスプリッター
を得ることができた。
ように充分な分光特性を有する偏光ビームスプリッター
を得ることができた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明の光学薄膜および
その製造方法によれば、基板を加熱せずに充分な密着性
を確保することができ、自動化が容易であるなどの利点
を持つスパッタリング法により、可視光の吸収の少ない
低屈折率の光学薄膜を容易に得ることができる。
その製造方法によれば、基板を加熱せずに充分な密着性
を確保することができ、自動化が容易であるなどの利点
を持つスパッタリング法により、可視光の吸収の少ない
低屈折率の光学薄膜を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の反射防止膜の分光特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図２】本発明の実施例２の反射防止膜の分光特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】比較例１の反射防止膜の分光特性を示すグラフ
である。
である。
【図４】本発明の実施例３の反射防止膜の分光特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の実施例４の光学薄膜の分光特性を示す
グラフである。
グラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【作用】Ａ１Ｆ３は、ＭｇＦ２よりも結合エネルギーが
高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパッタリ
ング法により成膜しても成膜条件によっては比較的可視
光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。特に、Ａ
１Ｆ３に酸化物を混合したターゲットをスパッタリング
することにより、フッ素の解離がさらに抑制され、吸収
の極めて少ない膜を容易に得ることが可能となる。
高く、かつフッ素が解離しにくいことから、スパッタリ
ング法により成膜しても成膜条件によっては比較的可視
光の吸収の少ない膜を得ることが可能である。特に、Ａ
１Ｆ３に酸化物を混合したターゲットをスパッタリング
することにより、フッ素の解離がさらに抑制され、吸収
の極めて少ない膜を容易に得ることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【実施例４】アモルファスポリオレフィン樹脂製の三角
形プリズムを真空槽にセットし、１×１０−３Ｐａまで
排気した後、分圧が０．５ＰａのＡｒガスを真空槽に導
入した。低屈折率層は、Ａ１Ｆ３にＹ２Ｏ３ を２重量％
添加したものをターゲットとして高周波マグネトロンス
パッタリング法により形成した。また、高屈折率層は、
ＴｉＯ２をターゲットとして同じく高周波マグネトロン
スパッタリング法により形成した。これをもう１つのア
モルファスポリオレフィン樹脂製の三角形プリズムとＵ
Ｖ硬化型接着剤により接合し、キューブ型の偏光ビーム
スプリッターを製作した。
形プリズムを真空槽にセットし、１×１０−３Ｐａまで
排気した後、分圧が０．５ＰａのＡｒガスを真空槽に導
入した。低屈折率層は、Ａ１Ｆ３にＹ２Ｏ３ を２重量％
添加したものをターゲットとして高周波マグネトロンス
パッタリング法により形成した。また、高屈折率層は、
ＴｉＯ２をターゲットとして同じく高周波マグネトロン
スパッタリング法により形成した。これをもう１つのア
モルファスポリオレフィン樹脂製の三角形プリズムとＵ
Ｖ硬化型接着剤により接合し、キューブ型の偏光ビーム
スプリッターを製作した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川俣 健 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 新田 佳樹 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 秋元 文二 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 徳田 一成 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 フッ化アルミニウムと酸化物との混合物
によりターゲットを構成し、このターゲットをスパッタ
リングすることにより光学薄膜を形成することを特徴と
する光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法により成膜した
層を、少なくとも１層含むことを特徴とする光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261545A JPH0792304A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261545A JPH0792304A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792304A true JPH0792304A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17363391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5261545A Withdrawn JPH0792304A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115181944A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-10-14 | 北京航空航天大学 | 金属掺杂含氟氧化铝基靶材、透明高亲水薄膜及制备方法 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP5261545A patent/JPH0792304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115181944A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-10-14 | 北京航空航天大学 | 金属掺杂含氟氧化铝基靶材、透明高亲水薄膜及制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |