JPH0792654A - マスク修正装置およびマスクの修正方法 - Google Patents
マスク修正装置およびマスクの修正方法Info
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- JPH0792654A JPH0792654A JP23345693A JP23345693A JPH0792654A JP H0792654 A JPH0792654 A JP H0792654A JP 23345693 A JP23345693 A JP 23345693A JP 23345693 A JP23345693 A JP 23345693A JP H0792654 A JPH0792654 A JP H0792654A
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- mask
- slit
- shaped
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、光の回折による影響を抑え、欠
陥部の高精度な修正ができるマスク修正装置等を提供す
ることを目的とする。 【構成】 内辺部に沿って、透過光の位相を１／２波長
だけ変える位相板１２を有した２枚のＬ形遮光板１０，
１０を組み合わせて、可変形スリット１４を形成する。
一対のＬ形遮光板１０，１０に光を照射すると、この光
は可変形スリット１４中を通過するとともに、一部の光
は位相板１２を透過する。また、この場合、Ｌ形遮光板
１０の位相板１２側に回り込む回折光が生じる。ところ
が、位相板１２の透過光は位相が１／２波長だけずれて
いるため、この透過光と回折光とがエネルギー的に相殺
される。したがって、回折光の無い状態での欠陥部Ｋの
修正が可能となる。
陥部の高精度な修正ができるマスク修正装置等を提供す
ることを目的とする。 【構成】 内辺部に沿って、透過光の位相を１／２波長
だけ変える位相板１２を有した２枚のＬ形遮光板１０，
１０を組み合わせて、可変形スリット１４を形成する。
一対のＬ形遮光板１０，１０に光を照射すると、この光
は可変形スリット１４中を通過するとともに、一部の光
は位相板１２を透過する。また、この場合、Ｌ形遮光板
１０の位相板１２側に回り込む回折光が生じる。ところ
が、位相板１２の透過光は位相が１／２波長だけずれて
いるため、この透過光と回折光とがエネルギー的に相殺
される。したがって、回折光の無い状態での欠陥部Ｋの
修正が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程で用
いられるマスクのパターン上に発生する欠陥を除去し
て、マスクの修正を行なうマスク修正装置およびその修
正方法に関するものである。
いられるマスクのパターン上に発生する欠陥を除去し
て、マスクの修正を行なうマスク修正装置およびその修
正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は特開昭６０-１３２３２５号公報
に示された従来のマスク修正装置の基本的構成を示す図
である。図において、１はマスクＭのパターン上の欠陥
部Ｋを除去するレーザ光Ｌの光源（例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ）、２はレーザ光Ｌを平行光とするコリメータレ
ンズ、３はレーザ光ＬをマスクＭの欠陥部Ｋの形状に合
わせて所定の矩形形状に整形する可変長方形スリット、
４は整形されたレーザ光ＬをマスクＭの欠陥部Ｋに集光
する対物レンズである。
に示された従来のマスク修正装置の基本的構成を示す図
である。図において、１はマスクＭのパターン上の欠陥
部Ｋを除去するレーザ光Ｌの光源（例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ）、２はレーザ光Ｌを平行光とするコリメータレ
ンズ、３はレーザ光ＬをマスクＭの欠陥部Ｋの形状に合
わせて所定の矩形形状に整形する可変長方形スリット、
４は整形されたレーザ光ＬをマスクＭの欠陥部Ｋに集光
する対物レンズである。
【０００３】図５はマスクの欠陥部周りの拡大図であ
る。この場合、マスクＭは、例えば合成石英板上にＬＳ
Ｉ用のマスクパターンＰをクロム薄膜で形成したもので
あり、欠陥部Ｋは、マスクＭの形成中に、マスクパター
ンＰの光透過領域中に飛び出した余分なクロム薄膜であ
る。
る。この場合、マスクＭは、例えば合成石英板上にＬＳ
Ｉ用のマスクパターンＰをクロム薄膜で形成したもので
あり、欠陥部Ｋは、マスクＭの形成中に、マスクパター
ンＰの光透過領域中に飛び出した余分なクロム薄膜であ
る。
【０００４】つぎに、このマスク修正装置の動作につい
て説明する。光源１から出射されたレーザ光Ｌはコリメ
ータレンズ２により平行光とされた後、可変長方形スリ
ット３を通過して、所定の矩形形状に整形される。そし
て、このレーザ光Ｌは対物レンズ４によりマスクＭ上に
集光照射されて、マスクＭの欠陥部Ｋ上に可変長方形ス
リット３のスリット像を形成する。このため、マスクＭ
上の欠陥部Ｋはレーザ光Ｌが集光されたこのスリット像
により加熱されて蒸発し、除去される。
て説明する。光源１から出射されたレーザ光Ｌはコリメ
ータレンズ２により平行光とされた後、可変長方形スリ
ット３を通過して、所定の矩形形状に整形される。そし
て、このレーザ光Ｌは対物レンズ４によりマスクＭ上に
集光照射されて、マスクＭの欠陥部Ｋ上に可変長方形ス
リット３のスリット像を形成する。このため、マスクＭ
上の欠陥部Ｋはレーザ光Ｌが集光されたこのスリット像
により加熱されて蒸発し、除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記マスク修正装置で
は、レーザ光Ｌとして、高分解能化を図るため、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの第２高調波（波長０．５３μm ）が用い
られている。一方、可変長方形スリット３のスリット像
のコーナー部は、光の回折により、レーザ光Ｌの波長程
度の大きさの曲率半径を有した丸みを有することとな
る。したがって、１μm 程度の欠陥部Ｋの修正をする場
合、スリット像のサイズも１μm 程度の大きさとなるた
め、光の回折の影響により、所望のスリット像を形成す
ることが困難となり、修正精度の低下を招く。
は、レーザ光Ｌとして、高分解能化を図るため、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの第２高調波（波長０．５３μm ）が用い
られている。一方、可変長方形スリット３のスリット像
のコーナー部は、光の回折により、レーザ光Ｌの波長程
度の大きさの曲率半径を有した丸みを有することとな
る。したがって、１μm 程度の欠陥部Ｋの修正をする場
合、スリット像のサイズも１μm 程度の大きさとなるた
め、光の回折の影響により、所望のスリット像を形成す
ることが困難となり、修正精度の低下を招く。
【０００６】特に、図５で示されるような、マスクパタ
ーンＰのコーナー部の欠陥部Ｋの修正はスリット像のコ
ーナーの丸みによって困難となり、修正後のマスクパタ
ーンＰの寸法が設計値から大きくずれることとなる。マ
スクパターンＰの寸法のずれは最終的に製造されるデバ
イス（製品）の信頼性に大きな影響を及ぼす。したがっ
て、マスクＭの修正精度はプロセス全体の精度を決めて
しまうこととなるため、できるだけ高精度であることが
望まれる。
ーンＰのコーナー部の欠陥部Ｋの修正はスリット像のコ
ーナーの丸みによって困難となり、修正後のマスクパタ
ーンＰの寸法が設計値から大きくずれることとなる。マ
スクパターンＰの寸法のずれは最終的に製造されるデバ
イス（製品）の信頼性に大きな影響を及ぼす。したがっ
て、マスクＭの修正精度はプロセス全体の精度を決めて
しまうこととなるため、できるだけ高精度であることが
望まれる。
【０００７】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、光の回折による影響を抑え、欠陥
部の高精度な修正ができるマスク修正装置およびマスク
の修正方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、光の回折による影響を抑え、欠陥
部の高精度な修正ができるマスク修正装置およびマスク
の修正方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明
は、修正用のスリットを通過した光をマスクのパターン
上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除去するマス
ク修正装置において、前記修正用のスリットが、透過光
の位相を１／２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って
有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成される可変
形スリットであることである。
は、修正用のスリットを通過した光をマスクのパターン
上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除去するマス
ク修正装置において、前記修正用のスリットが、透過光
の位相を１／２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って
有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成される可変
形スリットであることである。
【０００９】この発明の第２の発明は、修正用のスリッ
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置におい
て、前記修正用のスリットが、角部の内方にＬ形の小開
口部を有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成され
る可変形スリットであることである。
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置におい
て、前記修正用のスリットが、角部の内方にＬ形の小開
口部を有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成され
る可変形スリットであることである。
【００１０】この発明の第３の発明は、修正用のスリッ
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置におい
て、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／２波
長だけ変える位相板を内辺部に沿って有し、かつ、角部
の内方にＬ形の小開口部を有した２枚のＬ形遮光板を組
み合わせて形成される可変形スリットであることであ
る。
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置におい
て、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／２波
長だけ変える位相板を内辺部に沿って有し、かつ、角部
の内方にＬ形の小開口部を有した２枚のＬ形遮光板を組
み合わせて形成される可変形スリットであることであ
る。
【００１１】この発明の第４の発明は、修正用のスリッ
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスクの修正方法におい
て、透過光の位相を１／２波長だけ変える位相板を内辺
部に沿って有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成
される修正用の可変形スリットを用いて、前記光を整形
するようにしたことである。
トを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に集光照
射して、この欠陥部を除去するマスクの修正方法におい
て、透過光の位相を１／２波長だけ変える位相板を内辺
部に沿って有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成
される修正用の可変形スリットを用いて、前記光を整形
するようにしたことである。
【００１２】
【作用】この発明の第１の発明では、可変形スリット側
に照射された光は、その一部が、可変形スリットの端部
からＬ形遮光板の位相板裏側に移動する回折光となると
ともに、その一部が位相板を透過して、位相が１／２波
長だけ変えられた透過光になる。一般に光はｓｉｎカー
ブ等で表わされる波動と考えることができるので、位相
が１／２波長だけ異なるこの透過光と回折光とは、互い
に、エネルギーが打ち消される。したがって、このマス
ク修正装置では、回折光の影響が無くなり、マスク上
に、例えばレーザ光による可変形スリットのスリット像
を正確に集光照射できるようになり、このマスクのパタ
ーン上の欠陥部を精度よく除去できるようになる。
に照射された光は、その一部が、可変形スリットの端部
からＬ形遮光板の位相板裏側に移動する回折光となると
ともに、その一部が位相板を透過して、位相が１／２波
長だけ変えられた透過光になる。一般に光はｓｉｎカー
ブ等で表わされる波動と考えることができるので、位相
が１／２波長だけ異なるこの透過光と回折光とは、互い
に、エネルギーが打ち消される。したがって、このマス
ク修正装置では、回折光の影響が無くなり、マスク上
に、例えばレーザ光による可変形スリットのスリット像
を正確に集光照射できるようになり、このマスクのパタ
ーン上の欠陥部を精度よく除去できるようになる。
【００１３】この発明の第２の発明では、可変形スリッ
ト側に照射された光により、第１の発明の場合と同様
に、Ｌ形遮光板の位相板裏側に移動する回折光が生じる
が、この場合、Ｌ形遮光板の小開口部を通過した光によ
りこの回折光が弱められる。したがって、このマスク修
正装置でも、回折光の影響を弱めることができ、マスク
のパターン上の欠陥部を精度よく除去できる。
ト側に照射された光により、第１の発明の場合と同様
に、Ｌ形遮光板の位相板裏側に移動する回折光が生じる
が、この場合、Ｌ形遮光板の小開口部を通過した光によ
りこの回折光が弱められる。したがって、このマスク修
正装置でも、回折光の影響を弱めることができ、マスク
のパターン上の欠陥部を精度よく除去できる。
【００１４】この発明の第３および第４の発明は、第１
の発明と第２の発明の要部を組み合わせた場合であり、
第１および第２の発明より以上に、マスクのパターン上
の欠陥部を精度よく除去できる。
の発明と第２の発明の要部を組み合わせた場合であり、
第１および第２の発明より以上に、マスクのパターン上
の欠陥部を精度よく除去できる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の第１乃至第４の発明の一実施例に
係るマスク修正装置の２枚のＬ形遮光板の平面図、図２
は２枚のＬ形遮光板を組み合わせて修正用スリットを形
成しているところを示す図である。
る。図１はこの発明の第１乃至第４の発明の一実施例に
係るマスク修正装置の２枚のＬ形遮光板の平面図、図２
は２枚のＬ形遮光板を組み合わせて修正用スリットを形
成しているところを示す図である。
【００１６】図において、１０は修正用のスリットを形
成するためのＬ形遮光板である。このＬ形遮光板１０は
完全に光を通さないＬ形の遮光部１１の内面側に、透過
した光の位相を１／２波長（例えばπ）だけ変化させる
細長いＬ形の位相板１２を有したものである。この位相
板１２は光透過性の大きいガラス系（例えば、溶融石
英）またはセラミック系（例えば、炭化シリコン）等の
材料から構成されている。１３はＬ形遮光板１０の内側
の角部の近傍に形成され、内辺側がこの角部と同一角度
にカッティングされているＬ形の小開口部である。な
お、この実施例の場合、小開口部１３は位相板１２の角
部の外端に沿って形成されている。１４は２枚のＬ形遮
光板１０の内面側どうしを対向させるように組み合わせ
て形成される可変形スリットとしての矩形状開口部であ
る。なお、他の構成は図４で示したマスク修正装置と同
一である。
成するためのＬ形遮光板である。このＬ形遮光板１０は
完全に光を通さないＬ形の遮光部１１の内面側に、透過
した光の位相を１／２波長（例えばπ）だけ変化させる
細長いＬ形の位相板１２を有したものである。この位相
板１２は光透過性の大きいガラス系（例えば、溶融石
英）またはセラミック系（例えば、炭化シリコン）等の
材料から構成されている。１３はＬ形遮光板１０の内側
の角部の近傍に形成され、内辺側がこの角部と同一角度
にカッティングされているＬ形の小開口部である。な
お、この実施例の場合、小開口部１３は位相板１２の角
部の外端に沿って形成されている。１４は２枚のＬ形遮
光板１０の内面側どうしを対向させるように組み合わせ
て形成される可変形スリットとしての矩形状開口部であ
る。なお、他の構成は図４で示したマスク修正装置と同
一である。
【００１７】つぎにこのマスク修正装置の動作について
説明する。まず、一対のＬ形遮光板１０，１０を組み合
わせて、修正用スリットとなる所定寸法の開口部１４を
形成し、この開口部１４の像（以下これをスリット像と
いう）が、マスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部Ｋを
適正に覆うようにする。つぎに光源１からコリメータレ
ンズ２を介して一対のＬ形遮光板１０，１０側にレーザ
光Ｌを照射する。このレーザ光ＬはＬ形遮光板１０，１
０の開口部１４を通って矩形状に整形された後、対物レ
ンズ４により集光されて、マスクＭの欠陥部Ｋ上に開口
部１４のスリット像を形成する。
説明する。まず、一対のＬ形遮光板１０，１０を組み合
わせて、修正用スリットとなる所定寸法の開口部１４を
形成し、この開口部１４の像（以下これをスリット像と
いう）が、マスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部Ｋを
適正に覆うようにする。つぎに光源１からコリメータレ
ンズ２を介して一対のＬ形遮光板１０，１０側にレーザ
光Ｌを照射する。このレーザ光ＬはＬ形遮光板１０，１
０の開口部１４を通って矩形状に整形された後、対物レ
ンズ４により集光されて、マスクＭの欠陥部Ｋ上に開口
部１４のスリット像を形成する。
【００１８】この場合、開口部１４を通ったレーザ光Ｌ
は、平行な状態で対物レンズ４側に進むとともに、開口
部１４の端部から位相板１２側に回折した回折光も対物
レンズ４側に進むこととなる。このため、この回折光の
影響でスリット像の輪郭がぼやけ、特にスリット像の角
部はレーザ光Ｌの波長（０．５３μm ）程度の大きさの
曲率半径で丸みを帯びてしまう。
は、平行な状態で対物レンズ４側に進むとともに、開口
部１４の端部から位相板１２側に回折した回折光も対物
レンズ４側に進むこととなる。このため、この回折光の
影響でスリット像の輪郭がぼやけ、特にスリット像の角
部はレーザ光Ｌの波長（０．５３μm ）程度の大きさの
曲率半径で丸みを帯びてしまう。
【００１９】一方、開口部１４を形成するＬ形遮光板１
０の内側には位相板１２が取り付けられており、Ｌ形遮
光板１０に当ったレーザ光Ｌは、位相板１２中をも透過
する。そして、位相板１２中を透過した透過光は、開口
部１４の端部から位相板１２側に回折した回折光ととも
に対物レンズ４側に移動する。この場合位相板１２中を
透過した透過光の位相は１／２波長だけずれるが、位相
板１２側に回折した回折光には位相のずれは生じない。
ところが、光は一般にｓｉｎカーブ等で示される波動と
して捉えることができるため、位相が１／２波長だけず
れた透過光と、位相のずれのない回折光とが合流するこ
とにより、この２つの光は打ち消し合ってしまう。
０の内側には位相板１２が取り付けられており、Ｌ形遮
光板１０に当ったレーザ光Ｌは、位相板１２中をも透過
する。そして、位相板１２中を透過した透過光は、開口
部１４の端部から位相板１２側に回折した回折光ととも
に対物レンズ４側に移動する。この場合位相板１２中を
透過した透過光の位相は１／２波長だけずれるが、位相
板１２側に回折した回折光には位相のずれは生じない。
ところが、光は一般にｓｉｎカーブ等で示される波動と
して捉えることができるため、位相が１／２波長だけず
れた透過光と、位相のずれのない回折光とが合流するこ
とにより、この２つの光は打ち消し合ってしまう。
【００２０】すなわち、位相板１２を透過したレーザ光
Ｌが、位相板１２側に回折したレーザ光Ｌと干渉して、
互いにエネルギーを打ち消し合い、実質的に２つのレー
ザ光Ｌは存在しない状態となる。したがって、このマス
ク修正装置の開口部１４には、回折光による影響が無く
なり、そのスリット像の輪郭は明確となる。このため、
このマスク修正装置では、マスクＭのマスクパターンＰ
上の欠陥部Ｋをこの開口部１４のスリット像により正確
に除去できるようになり、マスクＭの精度の高い修正が
可能となる。
Ｌが、位相板１２側に回折したレーザ光Ｌと干渉して、
互いにエネルギーを打ち消し合い、実質的に２つのレー
ザ光Ｌは存在しない状態となる。したがって、このマス
ク修正装置の開口部１４には、回折光による影響が無く
なり、そのスリット像の輪郭は明確となる。このため、
このマスク修正装置では、マスクＭのマスクパターンＰ
上の欠陥部Ｋをこの開口部１４のスリット像により正確
に除去できるようになり、マスクＭの精度の高い修正が
可能となる。
【００２１】また、Ｌ形遮光板１０，１０に照射された
レーザ光Ｌの一部は開口部１４の角部近傍に設けられた
小開口部１３を通って対物レンズ４側に進む。この小開
口部１３を通ったレーザ光Ｌは開口部１４の角部周りの
回折光を弱める働きがあるため、この小開口部１３によ
っても、スリット像の角部の輪郭は明確となる。したが
って、このマスク修正装置では、この小開口部１３の作
用によっても、マスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部
Ｋを、この開口部１４のスリット像により正確に除去で
きるようになる。この場合、小開口部１３の形状は、図
３で示されるように、内辺側がＬ形遮光板１０の角部と
同一形状であればよく、外辺側は円形状をしていてもよ
い。
レーザ光Ｌの一部は開口部１４の角部近傍に設けられた
小開口部１３を通って対物レンズ４側に進む。この小開
口部１３を通ったレーザ光Ｌは開口部１４の角部周りの
回折光を弱める働きがあるため、この小開口部１３によ
っても、スリット像の角部の輪郭は明確となる。したが
って、このマスク修正装置では、この小開口部１３の作
用によっても、マスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部
Ｋを、この開口部１４のスリット像により正確に除去で
きるようになる。この場合、小開口部１３の形状は、図
３で示されるように、内辺側がＬ形遮光板１０の角部と
同一形状であればよく、外辺側は円形状をしていてもよ
い。
【００２２】なお、この実施例では、Ｌ形遮光板１０を
用いて矩形状の開口部１４を形成するようにしたが、こ
の開口部１４の形状はマスクＭのマスクパターンＰの形
状によって種々に変えてもよい。すなわち、マスクＭの
マスクパターンＰの角部が直角でなく、例えば鋭角状に
形成されている場合、角部が鋭角のＬ形遮光板１０を用
いて、平行四辺形の開口部１４を形成し、この開口部１
４を使用してマスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部Ｋ
を除去するようにしてもよい。この場合においても、Ｌ
形遮光板１０はその内端側に位相板１２を有しており、
その角部近傍に小開口部１３を有しているものとする。
また、この実施例では、残留欠陥の修正について説明し
ているが、白欠陥の修正に適用しても同様の効果を奏す
る。
用いて矩形状の開口部１４を形成するようにしたが、こ
の開口部１４の形状はマスクＭのマスクパターンＰの形
状によって種々に変えてもよい。すなわち、マスクＭの
マスクパターンＰの角部が直角でなく、例えば鋭角状に
形成されている場合、角部が鋭角のＬ形遮光板１０を用
いて、平行四辺形の開口部１４を形成し、この開口部１
４を使用してマスクＭのマスクパターンＰ上の欠陥部Ｋ
を除去するようにしてもよい。この場合においても、Ｌ
形遮光板１０はその内端側に位相板１２を有しており、
その角部近傍に小開口部１３を有しているものとする。
また、この実施例では、残留欠陥の修正について説明し
ているが、白欠陥の修正に適用しても同様の効果を奏す
る。
【００２３】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２４】この発明の第１の発明によれば、修正用の
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／
２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って有した２枚の
Ｌ形遮光板を組み合わせて形成される可変形スリットで
あるので、この可変形スリットにより、光の回折による
影響を抑えることができ、マスク上の欠陥部の高精度な
修正ができる。
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／
２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って有した２枚の
Ｌ形遮光板を組み合わせて形成される可変形スリットで
あるので、この可変形スリットにより、光の回折による
影響を抑えることができ、マスク上の欠陥部の高精度な
修正ができる。
【００２５】この発明の第２の発明によれば、修正用の
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、角部の内方にＬ形の
小開口部を有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成
される可変形スリットであるので、この可変形スリット
により、光の回折による影響を抑えることができ、マス
ク上の欠陥部の高精度な修正ができる。
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、角部の内方にＬ形の
小開口部を有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成
される可変形スリットであるので、この可変形スリット
により、光の回折による影響を抑えることができ、マス
ク上の欠陥部の高精度な修正ができる。
【００２６】この発明の第３の発明によれば、修正用の
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／
２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って有し、かつ、
角部の内方にＬ形の小開口部を有した２枚のＬ形遮光板
を組み合わせて形成される可変形スリットであるので、
この可変形スリットにより、光の回折による影響を抑え
ることができ、マスク上の欠陥部の高精度な修正ができ
る。
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスク修正装置に
おいて、前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／
２波長だけ変える位相板を内辺部に沿って有し、かつ、
角部の内方にＬ形の小開口部を有した２枚のＬ形遮光板
を組み合わせて形成される可変形スリットであるので、
この可変形スリットにより、光の回折による影響を抑え
ることができ、マスク上の欠陥部の高精度な修正ができ
る。
【００２７】この発明の第４の発明によれば、修正用の
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスクの修正方法
において、透過光の位相を１／２波長だけ変える位相板
を内辺部に沿って有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせ
て形成される修正用の可変形スリットを用いて、前記光
を整形するようにしているので、光の回折による影響を
抑えて、マスク上の欠陥部の高精度な修正ができる。
スリットを通過した光をマスクのパターン上の欠陥部に
集光照射して、この欠陥部を除去するマスクの修正方法
において、透過光の位相を１／２波長だけ変える位相板
を内辺部に沿って有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせ
て形成される修正用の可変形スリットを用いて、前記光
を整形するようにしているので、光の回折による影響を
抑えて、マスク上の欠陥部の高精度な修正ができる。
【図１】この発明の一実施例に係るマスク修正装置の２
枚のＬ形遮光板の平面図である。
枚のＬ形遮光板の平面図である。
【図２】図１の２枚のＬ形遮光板を組み合わせて修正用
スリットを形成しているところを示す図である。
スリットを形成しているところを示す図である。
【図３】この発明の他の実施例に係るマスク修正装置の
Ｌ形遮光板の平面図である。
Ｌ形遮光板の平面図である。
【図４】従来のマスク修正装置の基本的構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】マスクの欠陥部周りの拡大図である。
１０ Ｌ形遮光板 １２ 位相板 １３ 小開口部 １４ 開口部（可変形スリット）
Claims (4)
- 【請求項１】 修正用のスリットを通過した光をマスク
のパターン上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除
去するマスク修正装置において、 前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／２波長だ
け変える位相板を内辺部に沿って有した２枚のＬ形遮光
板を組み合わせて形成される可変形スリットであること
を特徴とするマスク修正装置。 - 【請求項２】 修正用のスリットを通過した光をマスク
のパターン上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除
去するマスク修正装置において、 前記修正用のスリットが、角部の内方にＬ形の小開口部
を有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成される可
変形スリットであることを特徴とするマスク修正装置。 - 【請求項３】 修正用のスリットを通過した光をマスク
のパターン上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除
去するマスク修正装置において、 前記修正用のスリットが、透過光の位相を１／２波長だ
け変える位相板を内辺部に沿って有し、かつ、角部の内
方にＬ形の小開口部を有した２枚のＬ形遮光板を組み合
わせて形成される可変形スリットであることを特徴とす
るマスク修正装置。 - 【請求項４】 修正用のスリットを通過した光をマスク
のパターン上の欠陥部に集光照射して、この欠陥部を除
去するマスクの修正方法において、 透過光の位相を１／２波長だけ変える位相板を内辺部に
沿って有した２枚のＬ形遮光板を組み合わせて形成され
る修正用の可変形スリットを用いて、前記光を整形する
ようにしたことを特徴とするマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23345693A JPH0792654A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | マスク修正装置およびマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23345693A JPH0792654A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | マスク修正装置およびマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792654A true JPH0792654A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16955324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23345693A Pending JPH0792654A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | マスク修正装置およびマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514224A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | サイマー・インコーポレーテッド | ラインビームとして整形されたレーザー光を生成するためのシステム及び方法 |
| CN106597814A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-04-26 | 深圳市大川光电设备有限公司 | 多功能曝光平台 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23345693A patent/JPH0792654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514224A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | サイマー・インコーポレーテッド | ラインビームとして整形されたレーザー光を生成するためのシステム及び方法 |
| CN106597814A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-04-26 | 深圳市大川光电设备有限公司 | 多功能曝光平台 |
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