JPH0794015A - 導電体製造用組成物 - Google Patents
導電体製造用組成物Info
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- JPH0794015A JPH0794015A JP5209820A JP20982093A JPH0794015A JP H0794015 A JPH0794015 A JP H0794015A JP 5209820 A JP5209820 A JP 5209820A JP 20982093 A JP20982093 A JP 20982093A JP H0794015 A JPH0794015 A JP H0794015A
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Landscapes
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 緻密質で高電気電導特性の焼結体を製造でき
る導電体製造用の組成物を提供する。 【構成】 酸化インジウムと、酸化錫又は酸化ゲルマニ
ウと、酸化アルミニウムとから成るか、または酸化イン
ジウムと、酸化錫又は酸化ゲルマニウムと、酸化ガリウ
ムとから成る。
る導電体製造用の組成物を提供する。 【構成】 酸化インジウムと、酸化錫又は酸化ゲルマニ
ウと、酸化アルミニウムとから成るか、または酸化イン
ジウムと、酸化錫又は酸化ゲルマニウムと、酸化ガリウ
ムとから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス多層基板
の導体回路として一体焼結が可能な酸化物系の導電体製
造用の組成物に関するものである。
の導体回路として一体焼結が可能な酸化物系の導電体製
造用の組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス多層基板は、一般的にはア
ルミナグリーンシートにタングステン、モリブデンなど
の高融点導体ペーストを印刷し、その後積層圧着して１
５００〜１６００℃の温度で焼成することにより得られ
る。また、近年では高価なタングステン、モリブデンな
どのかわりに銅やニッケルのペーストを使用せんとして
基板の低温焼成化技術の開発も進められている。いづれ
にしても、導体回路となる金属ペーストの酸化を回避す
るために還元焼成法を採用したり、焼成温度の低い基板
材料を開発する必要がある。
ルミナグリーンシートにタングステン、モリブデンなど
の高融点導体ペーストを印刷し、その後積層圧着して１
５００〜１６００℃の温度で焼成することにより得られ
る。また、近年では高価なタングステン、モリブデンな
どのかわりに銅やニッケルのペーストを使用せんとして
基板の低温焼成化技術の開発も進められている。いづれ
にしても、導体回路となる金属ペーストの酸化を回避す
るために還元焼成法を採用したり、焼成温度の低い基板
材料を開発する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来のアルミ
ナ基板の焼成温度とマッチした酸化物系の導電体材料を
見出だすことは、従来の製造工程を何ら変更することな
く大気雰囲気下で一体焼結が可能な多層基板を得ること
ができることになる。本発明者らが鋭意検討を重ねた結
果、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に導電性を付与する
ためには酸化錫（ＳｎＯ２）又は酸化ゲルマニウム（Ｇ
ｅＯ２）を添加すること、更に高密度化を達成するのに
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は酸化ガリウム（Ｇ
ａ２Ｏ３）を添加することが効果的であることを見出
し、この発明を完成した。
ナ基板の焼成温度とマッチした酸化物系の導電体材料を
見出だすことは、従来の製造工程を何ら変更することな
く大気雰囲気下で一体焼結が可能な多層基板を得ること
ができることになる。本発明者らが鋭意検討を重ねた結
果、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に導電性を付与する
ためには酸化錫（ＳｎＯ２）又は酸化ゲルマニウム（Ｇ
ｅＯ２）を添加すること、更に高密度化を達成するのに
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は酸化ガリウム（Ｇ
ａ２Ｏ３）を添加することが効果的であることを見出
し、この発明を完成した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】酸化インジウムのみから
成る焼結体は、緻密化は十分に達せられるが電気伝導特
性は劣る。従来より広く市場に提供されている酸化錫を
ドープした酸化インジウム焼結体は、優れた電気伝導特
性を有しているけれども、多孔質で緻密化が十分に達せ
られていない。酸化ゲルマニウムをドープした酸化イン
ジウム焼結体の場合も同様の特性を備えている。
成る焼結体は、緻密化は十分に達せられるが電気伝導特
性は劣る。従来より広く市場に提供されている酸化錫を
ドープした酸化インジウム焼結体は、優れた電気伝導特
性を有しているけれども、多孔質で緻密化が十分に達せ
られていない。酸化ゲルマニウムをドープした酸化イン
ジウム焼結体の場合も同様の特性を備えている。
【０００５】本発明者らは、酸化インジウムに酸化アル
ミニウム又は酸化ガリウムを添加することによって、酸
化インジウム焼結体の緻密化を著しく改善できることを
見出した。しかしながら、酸化アルミニウム又は酸化ガ
リウムのみを添加するだけでは、電気伝導特性を維持す
ることができない。従って、酸化錫又は酸化ゲルマニウ
ムと併用して添加する必要がある。
ミニウム又は酸化ガリウムを添加することによって、酸
化インジウム焼結体の緻密化を著しく改善できることを
見出した。しかしながら、酸化アルミニウム又は酸化ガ
リウムのみを添加するだけでは、電気伝導特性を維持す
ることができない。従って、酸化錫又は酸化ゲルマニウ
ムと併用して添加する必要がある。
【０００６】
【作用】酸化インジウムに導電性を付与するために必要
な酸化錫又は酸化ゲルマニウムの添加量は、電気伝導特
性維持の観点から酸化インジウムに対し１〜３０ｍｏｌ
％の範囲内であることが好ましく、５〜２０ｍｏｌ％の
範囲内であることがより好ましい。
な酸化錫又は酸化ゲルマニウムの添加量は、電気伝導特
性維持の観点から酸化インジウムに対し１〜３０ｍｏｌ
％の範囲内であることが好ましく、５〜２０ｍｏｌ％の
範囲内であることがより好ましい。
【０００７】緻密化のために必要な酸化アルミニウムあ
るいは酸化ガリウムは，酸化アルミニウムの場合、酸化
インジウムに対し１〜２００ｍｏｌ％、好ましくは１〜
８０ｍｏｌ％である。また酸化ガリウムの場合、１〜３
０ｍｏｌ％、好ましくは５〜１５ｍｏｌ％である。
るいは酸化ガリウムは，酸化アルミニウムの場合、酸化
インジウムに対し１〜２００ｍｏｌ％、好ましくは１〜
８０ｍｏｌ％である。また酸化ガリウムの場合、１〜３
０ｍｏｌ％、好ましくは５〜１５ｍｏｌ％である。
【０００８】本発明の酸化インジウム系焼結体は、前述
の出発原料を混合、常温圧縮して得られる成形体を大気
焼成することにより焼結特性に優れ気孔率の極めて低い
緻密な焼結体を得ることができる。焼成温度は１２５０
〜１６００℃、好ましくは１３００〜１５００℃であ
る。
の出発原料を混合、常温圧縮して得られる成形体を大気
焼成することにより焼結特性に優れ気孔率の極めて低い
緻密な焼結体を得ることができる。焼成温度は１２５０
〜１６００℃、好ましくは１３００〜１５００℃であ
る。
【０００９】
実施例１〜４、比較例１〜５ １表の組成物の構成に従い、適宜試薬を秤量しメノウ乳
鉢で十分に混合し、径２０ｍｍの金型成形機により２５
０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で予備成形し、１ｔｏｎ／ｃｍ２
の圧力でＣＩＰ成形を行って焼結試験用成形体を得た。
この成形体を大気炉で１４００℃の温度下で２時間保持
することで本発明の酸化インジウム系導電性焼結体を得
た。アルキメデス法による密度測定及び気孔率の算出、
四探針法による電気抵抗の測定を行ったところ、電気伝
導特性を維持でき、しかも緻密な導電性焼結体を得るこ
とができた。なお、１表には上記と同様にした本発明例
以外の比較例を併せ示した。
鉢で十分に混合し、径２０ｍｍの金型成形機により２５
０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で予備成形し、１ｔｏｎ／ｃｍ２
の圧力でＣＩＰ成形を行って焼結試験用成形体を得た。
この成形体を大気炉で１４００℃の温度下で２時間保持
することで本発明の酸化インジウム系導電性焼結体を得
た。アルキメデス法による密度測定及び気孔率の算出、
四探針法による電気抵抗の測定を行ったところ、電気伝
導特性を維持でき、しかも緻密な導電性焼結体を得るこ
とができた。なお、１表には上記と同様にした本発明例
以外の比較例を併せ示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】本発明の酸化物系導電体組成物はこれを
焼結すると緻密質で高電気伝導特性を有する焼結体が得
られるので、この組成物を公知の方法によりペースト化
し、アルミナグリーンシートなどのセラミックスグリー
ンシートに印刷して導体回路を形成し、その後積層圧着
して大気雰囲気下で一体焼結することによりセラミック
ス多層基板を得ることができる。また高温条件下にさら
される電気接点材料を作るのに用いることができる。
焼結すると緻密質で高電気伝導特性を有する焼結体が得
られるので、この組成物を公知の方法によりペースト化
し、アルミナグリーンシートなどのセラミックスグリー
ンシートに印刷して導体回路を形成し、その後積層圧着
して大気雰囲気下で一体焼結することによりセラミック
ス多層基板を得ることができる。また高温条件下にさら
される電気接点材料を作るのに用いることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化インジウムと、酸化錫又は酸化ゲル
マニウムと、酸化アルミニウムとから成る導電体製造用
組成物。 - 【請求項２】 酸化インジウムと、酸化錫又は酸化ゲル
マニウムと、酸化ガリウムとから成る導電体製造用組成
物。 - 【請求項３】 酸化インジウムに対し、酸化錫又は酸化
ゲルマニウムが１〜３０ｍｏｌ％、酸化アルミニウムが
１〜２００ｍｏｌ％である請求項１記載の導電体製造用
組成物。 - 【請求項４】 酸化インジウムに対し、酸化錫又は酸化
ゲルマニウムが１〜３０ｍｏｌ％、酸化ガリウムが１〜
３０ｍｏｌ％である請求項２記載の導電体製造用組成
物。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれか一項記
載の導電体製造用組成物を１３００〜１５００℃で焼結
して成る導電性焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209820A JPH0794015A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 導電体製造用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209820A JPH0794015A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 導電体製造用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794015A true JPH0794015A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16579161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5209820A Pending JPH0794015A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 導電体製造用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794015A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029512A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation et film electro-conducteur transparent |
| JP2009510747A (ja) * | 2005-09-28 | 2009-03-12 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | 金属表面構造物を発生させる方法およびそのための装置 |
| US8999208B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-04-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In-Ga-Sn oxide sinter, target, oxide semiconductor film, and semiconductor element |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5209820A patent/JPH0794015A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029512A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation et film electro-conducteur transparent |
| JP2009510747A (ja) * | 2005-09-28 | 2009-03-12 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | 金属表面構造物を発生させる方法およびそのための装置 |
| US8999208B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-04-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In-Ga-Sn oxide sinter, target, oxide semiconductor film, and semiconductor element |
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