JPH0794289A - 放電灯点灯装置 - Google Patents
放電灯点灯装置Info
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- JPH0794289A JPH0794289A JP23651393A JP23651393A JPH0794289A JP H0794289 A JPH0794289 A JP H0794289A JP 23651393 A JP23651393 A JP 23651393A JP 23651393 A JP23651393 A JP 23651393A JP H0794289 A JPH0794289 A JP H0794289A
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高圧パルスのばらつきを低減することができる
放電灯点灯装置を提供する。 【構成】安定器ＣＨと、高圧パルス発生用コンデンサＣ
1 と、パルストランスＰＴ1 の２次側にランプＬａを直
列に接続してなる負荷回路と、充電抵抗Ｒ1 および充放
電用コンデンサＣ2 を直列に接続してなり高圧パルス発
生用コンデンサＣ 1 に並列に接続された充放電回路と、
パルストランスＰＴ1 の１次側およびパルス駆動用電圧
応答素子Ｓ1 並びにパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 をオ
フにする分圧用コンデンサＣ3 を直列に接続してなるパ
ルス駆動回路と、充放電用コンデンサＣ2 への充電量を
制御する制御用電圧応答素子Ｓ3 とを備えている。
放電灯点灯装置を提供する。 【構成】安定器ＣＨと、高圧パルス発生用コンデンサＣ
1 と、パルストランスＰＴ1 の２次側にランプＬａを直
列に接続してなる負荷回路と、充電抵抗Ｒ1 および充放
電用コンデンサＣ2 を直列に接続してなり高圧パルス発
生用コンデンサＣ 1 に並列に接続された充放電回路と、
パルストランスＰＴ1 の１次側およびパルス駆動用電圧
応答素子Ｓ1 並びにパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 をオ
フにする分圧用コンデンサＣ3 を直列に接続してなるパ
ルス駆動回路と、充放電用コンデンサＣ2 への充電量を
制御する制御用電圧応答素子Ｓ3 とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＨＩＤランプなどに
適用される放電灯点灯装置に関するものである。
適用される放電灯点灯装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７に一般的な高圧放電灯の放電灯点灯
装置の構成図を示す。すなわち、この放電灯点灯装置
は、限流要素を有する安定器ＣＨと、この安定器ＣＨの
出力側に接続された高圧パルス発生用コンデンサＣ
1 と、イグナイタＩＮと、ランプＬａとを有し、電源Ｖ
S を投入すると安定器ＣＨの出力端ａ−ｂ間には所定の
矩形波電圧（正弦波でもよい）が発生し、イグナイタＩ
Ｎはこの出力をうけて数ｋＶ〜十数ｋＶの高圧パルス電
圧を発生して、高圧パルス発生用コンデンサＣ1 を介し
てランプＬａに印加し、ランプＬａを始動し点灯させ
る。ランプＬａが点灯しはじめると安定器ＣＨの限流作
用により、ランプＬａを安定に点灯維持させることがで
きる。なお、ランプＬａの点灯後、出力端ａ−ｂ間は略
ランプ電圧程度まで低下する。
装置の構成図を示す。すなわち、この放電灯点灯装置
は、限流要素を有する安定器ＣＨと、この安定器ＣＨの
出力側に接続された高圧パルス発生用コンデンサＣ
1 と、イグナイタＩＮと、ランプＬａとを有し、電源Ｖ
S を投入すると安定器ＣＨの出力端ａ−ｂ間には所定の
矩形波電圧（正弦波でもよい）が発生し、イグナイタＩ
Ｎはこの出力をうけて数ｋＶ〜十数ｋＶの高圧パルス電
圧を発生して、高圧パルス発生用コンデンサＣ1 を介し
てランプＬａに印加し、ランプＬａを始動し点灯させ
る。ランプＬａが点灯しはじめると安定器ＣＨの限流作
用により、ランプＬａを安定に点灯維持させることがで
きる。なお、ランプＬａの点灯後、出力端ａ−ｂ間は略
ランプ電圧程度まで低下する。
【０００３】図８に第１の従来例のイグナイタの具体回
路の一例を示す。すなわち、パルストランスＰＴ1 の２
次側にランプＬａを直列に接続してなり高圧パルス発生
用コンデンサＣ1 に並列に接続された負荷回路と、充電
抵抗Ｒ1 および充放電用コンデンサＣ2 を直列に接続し
てなり高圧パルス発生用コンデンサＣ1 に並列に接続さ
れた充放電回路と、パルストランスＰＴ1 の１次側およ
び半サイクルごとにオン可能なスイッチング素子すなわ
ち充放電用コンデンサＣ2 の充電電圧によりオンとなる
たとえばＳＳＳを用いたパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
並びにパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 をオフにする分圧
用コンデンサＣ3 を直列に接続してなり充放電用コンデ
ンサＣ2 に並列に接続されたパルス駆動回路とを備えて
いる。
路の一例を示す。すなわち、パルストランスＰＴ1 の２
次側にランプＬａを直列に接続してなり高圧パルス発生
用コンデンサＣ1 に並列に接続された負荷回路と、充電
抵抗Ｒ1 および充放電用コンデンサＣ2 を直列に接続し
てなり高圧パルス発生用コンデンサＣ1 に並列に接続さ
れた充放電回路と、パルストランスＰＴ1 の１次側およ
び半サイクルごとにオン可能なスイッチング素子すなわ
ち充放電用コンデンサＣ2 の充電電圧によりオンとなる
たとえばＳＳＳを用いたパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
並びにパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 をオフにする分圧
用コンデンサＣ3 を直列に接続してなり充放電用コンデ
ンサＣ2 に並列に接続されたパルス駆動回路とを備えて
いる。
【０００４】図９にその各部のタイムチャートを示す。
同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla: ランプ電圧) およ
びパルス電圧を示し、同図（ｂ）は充放電用コンデンサ
Ｃ2の電圧ＶC2、同図（ｃ）は分圧用コンデンサＣ3 の
電圧ＶC3、同図（ｄ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。以下にこの回路の動作説明を行う。
高圧パルス発生用コンデンサＣ1 には図９（ａ）のよう
に矩形波の入力電圧Ｖabが印加され、充放電用コンデン
サＣ2 はその入力電圧Ｖabにより充電抵抗Ｒ1 を介して
図９（ｂ）のように充電される。ここで充放電用コンデ
ンサＣ2 の充電電圧ＶC2が、図９（ｄ）に示すように時
点ｔでパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 に加わる電圧ＶS1
がブレークオーバー電圧ＶB0 1 に達するとパルス駆動用
電圧応答素子Ｓ1 がＯＮとなり、充放電用コンデンサＣ
2 に蓄えられた電荷は分圧用コンデンサＣ3 、パルスト
ランスＰＴ1 の１次巻線およびパルス駆動用電圧応答素
子Ｓ1 を介して放電され、この放電電流によりパルスト
ランスＰＴ1 の２次側に図９（ａ）に示すパルス電圧が
誘起され高圧パルス用コンデンサＣ1 を介してランプＬ
ａに印加しランプＬａを始動するとともに、図９
（ｂ），（ｃ）に示すように充放電用コンデンサＣ2 と
分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧が等しくなると電流が
停止しパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 はＯＦＦとなる。
続いて再び充放電用コンデンサＣ2 は図９（ｂ）のよう
に充電抵抗Ｒ1 を介して充電されはじめるが、ここでパ
ルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のブレークオーバー電圧Ｖ
B01 がＶ1 ＞ＶB01 ＞（２／３）Ｖ1 の関係にあった場
合、ＶS1はＶS1＝ＶC2−ＶC3でＶB01 まで上昇しないの
でＯＮとならず、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のＯＮ
回数は半サイクルあたり１回のみということになる。但
し、矩形波反転後はＶS1＞ＶB01 になるためＯＮとな
る。
同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla: ランプ電圧) およ
びパルス電圧を示し、同図（ｂ）は充放電用コンデンサ
Ｃ2の電圧ＶC2、同図（ｃ）は分圧用コンデンサＣ3 の
電圧ＶC3、同図（ｄ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。以下にこの回路の動作説明を行う。
高圧パルス発生用コンデンサＣ1 には図９（ａ）のよう
に矩形波の入力電圧Ｖabが印加され、充放電用コンデン
サＣ2 はその入力電圧Ｖabにより充電抵抗Ｒ1 を介して
図９（ｂ）のように充電される。ここで充放電用コンデ
ンサＣ2 の充電電圧ＶC2が、図９（ｄ）に示すように時
点ｔでパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 に加わる電圧ＶS1
がブレークオーバー電圧ＶB0 1 に達するとパルス駆動用
電圧応答素子Ｓ1 がＯＮとなり、充放電用コンデンサＣ
2 に蓄えられた電荷は分圧用コンデンサＣ3 、パルスト
ランスＰＴ1 の１次巻線およびパルス駆動用電圧応答素
子Ｓ1 を介して放電され、この放電電流によりパルスト
ランスＰＴ1 の２次側に図９（ａ）に示すパルス電圧が
誘起され高圧パルス用コンデンサＣ1 を介してランプＬ
ａに印加しランプＬａを始動するとともに、図９
（ｂ），（ｃ）に示すように充放電用コンデンサＣ2 と
分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧が等しくなると電流が
停止しパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 はＯＦＦとなる。
続いて再び充放電用コンデンサＣ2 は図９（ｂ）のよう
に充電抵抗Ｒ1 を介して充電されはじめるが、ここでパ
ルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のブレークオーバー電圧Ｖ
B01 がＶ1 ＞ＶB01 ＞（２／３）Ｖ1 の関係にあった場
合、ＶS1はＶS1＝ＶC2−ＶC3でＶB01 まで上昇しないの
でＯＮとならず、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のＯＮ
回数は半サイクルあたり１回のみということになる。但
し、矩形波反転後はＶS1＞ＶB01 になるためＯＮとな
る。
【０００５】以上述べたものは、一般的な技術である
が、次に述べるようにＶB01 ＜（２／３）Ｖ1 ｛特にＶ
B01 ＜＜（２／３）Ｖ1 ｝の場合は電圧応答素子Ｓ1 は
半サイクルあたり何回もＯＮすることになる。図１０に
第２の従来例のイグナイタの具体回路の一例を示す。す
なわち、この回路は、半サイクルごとにオン可能なスイ
ッチング素子として双方向性サイリスタＳ1 を用い、そ
のゲート回路を抵抗Ｒ2 およびコンデンサＣ4 を直列に
接続してなり高圧パルス発生用コンデンサＣ1 に並列に
接続された充電回路と、コンデンサＣ4 の抵抗接続側と
双方向性サイリスタＳ1 のゲートとの間に接続されてコ
ンデンサＣ4 の充電電圧によりオンとなるたとえばＳＢ
Ｓを用いたゲート用電圧応答素子Ｓ2 とにより構成して
いる。
が、次に述べるようにＶB01 ＜（２／３）Ｖ1 ｛特にＶ
B01 ＜＜（２／３）Ｖ1 ｝の場合は電圧応答素子Ｓ1 は
半サイクルあたり何回もＯＮすることになる。図１０に
第２の従来例のイグナイタの具体回路の一例を示す。す
なわち、この回路は、半サイクルごとにオン可能なスイ
ッチング素子として双方向性サイリスタＳ1 を用い、そ
のゲート回路を抵抗Ｒ2 およびコンデンサＣ4 を直列に
接続してなり高圧パルス発生用コンデンサＣ1 に並列に
接続された充電回路と、コンデンサＣ4 の抵抗接続側と
双方向性サイリスタＳ1 のゲートとの間に接続されてコ
ンデンサＣ4 の充電電圧によりオンとなるたとえばＳＢ
Ｓを用いたゲート用電圧応答素子Ｓ2 とにより構成して
いる。
【０００６】図１１にその各部のタイムチャートを示
す。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla: ランプ電圧)
およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）はコンデンサＣ4
の電圧ＶC4、同図（ｃ）は充放電用コンデンサＣ2 の電
圧ＶC2、同図（ｄ）は分圧用コンデンサＣ3 の電圧
ＶC3、同図（ｅ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 の電
圧Ｖ S1を示す。
す。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla: ランプ電圧)
およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）はコンデンサＣ4
の電圧ＶC4、同図（ｃ）は充放電用コンデンサＣ2 の電
圧ＶC2、同図（ｄ）は分圧用コンデンサＣ3 の電圧
ＶC3、同図（ｅ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 の電
圧Ｖ S1を示す。
【０００７】以下にこの回路の動作説明を行う。すなわ
ち、充放電用コンデンサＣ2 およびコンデンサＣ4 はそ
れぞれ充電抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 を介して充電される。ここで
充電用コンデンサＣ4 の充電電圧ＶC4が図１１（ｂ）の
ようにゲート用電圧応答素子Ｓ2 のブレークオーバー電
圧ＶB02 に達するとコンデンサＣ4 に充電された電荷は
ゲート用電圧応答素子Ｓ2 および双方向性サイリスタＳ
1 のゲートを介して放電し、図１１（ｅ）に示すように
双方向性サイリスタＳ1 をＯＮにする。このとき図１１
（ｃ）のように充放電用コンデンサＣ2 に充電されてい
た電荷が分圧用コンデンサＣ3 ，パルストランスＰＴ1
の１次巻線および双方向性サイリスタＳ 1 を介して放電
され、図１１（ｄ）のように充放電用コンデンサＣ2 と
分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧が等しくなると双方向
性サイリスタＳ1 はＯＦＦとなる。この充放電用コンデ
ンサＣ2 が放電した際にパルストランスＰＴ1 の２次巻
線には巻数比に応じた高圧パルス電圧が発生し、この高
圧パルス電圧は高圧パルス発生用コンデンサＣ1 を介し
てランプＬａに印加され、ランプＬａを始動させる。一
方、コンデンサＣ4 は再び充電され、ゲート用電圧応答
素子Ｓ2 はオンとなり双方向性サイリスタＳ1 がオンと
なるが、このとき分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧は半
サイクルでの双方向性サイリスタＳ1 のＯＮ回数が多い
ほど高くなることになる。また双方向性サイリスタＳ1
がＯＮとなった際にパルストランスＰＴ1 の１次側に発
生する電圧は図１１（ｅ）に示す双方向性サイリスタＳ
1 の電圧ＶS1であり、ＶS1＝ＶC2−ＶC3であるので、矩
形波の反転後の１発目のパルスが最も高い値をとること
になる。
ち、充放電用コンデンサＣ2 およびコンデンサＣ4 はそ
れぞれ充電抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 を介して充電される。ここで
充電用コンデンサＣ4 の充電電圧ＶC4が図１１（ｂ）の
ようにゲート用電圧応答素子Ｓ2 のブレークオーバー電
圧ＶB02 に達するとコンデンサＣ4 に充電された電荷は
ゲート用電圧応答素子Ｓ2 および双方向性サイリスタＳ
1 のゲートを介して放電し、図１１（ｅ）に示すように
双方向性サイリスタＳ1 をＯＮにする。このとき図１１
（ｃ）のように充放電用コンデンサＣ2 に充電されてい
た電荷が分圧用コンデンサＣ3 ，パルストランスＰＴ1
の１次巻線および双方向性サイリスタＳ 1 を介して放電
され、図１１（ｄ）のように充放電用コンデンサＣ2 と
分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧が等しくなると双方向
性サイリスタＳ1 はＯＦＦとなる。この充放電用コンデ
ンサＣ2 が放電した際にパルストランスＰＴ1 の２次巻
線には巻数比に応じた高圧パルス電圧が発生し、この高
圧パルス電圧は高圧パルス発生用コンデンサＣ1 を介し
てランプＬａに印加され、ランプＬａを始動させる。一
方、コンデンサＣ4 は再び充電され、ゲート用電圧応答
素子Ｓ2 はオンとなり双方向性サイリスタＳ1 がオンと
なるが、このとき分圧用コンデンサＣ3 の充電電圧は半
サイクルでの双方向性サイリスタＳ1 のＯＮ回数が多い
ほど高くなることになる。また双方向性サイリスタＳ1
がＯＮとなった際にパルストランスＰＴ1 の１次側に発
生する電圧は図１１（ｅ）に示す双方向性サイリスタＳ
1 の電圧ＶS1であり、ＶS1＝ＶC2−ＶC3であるので、矩
形波の反転後の１発目のパルスが最も高い値をとること
になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】第１の従来例は、充電
抵抗Ｒ1 、充放電用コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサ
Ｃ3 、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のＶB01 などのば
らつきにより、充電速度がばらつき、パルスの発生位相
がばらついたり、半サイクルあたりのＯＮ回数がばらつ
いて、たとえばイグナイタＩＮに入力する入力電圧Ｖab
が正弦波などの場合には最もランプＬａが始動しやすい
領域（Ｖabが正弦波電圧のピーク付近のとき) で発生し
ないので、ランプＬａが始動しにくくなるといった問題
が起こってくる。
抵抗Ｒ1 、充放電用コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサ
Ｃ3 、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のＶB01 などのば
らつきにより、充電速度がばらつき、パルスの発生位相
がばらついたり、半サイクルあたりのＯＮ回数がばらつ
いて、たとえばイグナイタＩＮに入力する入力電圧Ｖab
が正弦波などの場合には最もランプＬａが始動しやすい
領域（Ｖabが正弦波電圧のピーク付近のとき) で発生し
ないので、ランプＬａが始動しにくくなるといった問題
が起こってくる。
【０００９】第２の従来例においても、前記した第１の
従来例のばらつきのほか、抵抗Ｒ2、コンデンサＣ4 お
よびゲート用電圧応答素子Ｓ2 のゲート回路の部品ばら
つきにより、半サイクルあたりの電圧応答素子Ｓ1 のＯ
Ｎ回数がばらつき、高圧パルス電圧のピーク値がばらつ
くことになる。その他、安定器ＣＨの出力電圧すなわち
入力電圧Ｖabの電圧および周波数がばらつくと、これに
よってもパルスがばらつき、これらの種々の要因により
ランプＬａに印加される高圧パルス電圧はかなりのばら
つき幅をもつことになる。またパルス電圧がばらつく
と、ゲート回路に余分な絶縁・耐圧構造を設けなければ
ならなくなり、安定器ＣＨや器具の大型化を招くことに
なる。
従来例のばらつきのほか、抵抗Ｒ2、コンデンサＣ4 お
よびゲート用電圧応答素子Ｓ2 のゲート回路の部品ばら
つきにより、半サイクルあたりの電圧応答素子Ｓ1 のＯ
Ｎ回数がばらつき、高圧パルス電圧のピーク値がばらつ
くことになる。その他、安定器ＣＨの出力電圧すなわち
入力電圧Ｖabの電圧および周波数がばらつくと、これに
よってもパルスがばらつき、これらの種々の要因により
ランプＬａに印加される高圧パルス電圧はかなりのばら
つき幅をもつことになる。またパルス電圧がばらつく
と、ゲート回路に余分な絶縁・耐圧構造を設けなければ
ならなくなり、安定器ＣＨや器具の大型化を招くことに
なる。
【００１０】またパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 が半サ
イクルあたり何回もＯＮするなどパルス発生回数が多い
場合、回路の抵抗やコンデンサ等の発熱が問題となり、
素子にストレスを与えるといった問題も起こることにな
る。したがって、この発明の目的は、高圧パルスのばら
つきを低減することができる放電灯点灯装置を提供する
ことである。
イクルあたり何回もＯＮするなどパルス発生回数が多い
場合、回路の抵抗やコンデンサ等の発熱が問題となり、
素子にストレスを与えるといった問題も起こることにな
る。したがって、この発明の目的は、高圧パルスのばら
つきを低減することができる放電灯点灯装置を提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の放電灯点灯装
置は、限流要素を有する安定器と、この安定器の出力側
に接続された高圧パルス発生用コンデンサと、パルスト
ランスの２次側にランプを直列に接続してなり前記高圧
パルス発生用コンデンサに並列に接続された負荷回路
と、充電抵抗および充放電用コンデンサを直列に接続し
てなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列に接続さ
れた充放電回路と、前記パルストランスの１次側および
半サイクルごとにオン可能なスイッチング素子並びに前
記スイッチング素子をオフにする分圧用コンデンサを直
列に接続してなり前記充放電用コンデンサに並列に接続
されたパルス駆動回路と、半サイクルあたりの前記充放
電用コンデンサへの充電量を制御する制御手段とを備え
たものである。
置は、限流要素を有する安定器と、この安定器の出力側
に接続された高圧パルス発生用コンデンサと、パルスト
ランスの２次側にランプを直列に接続してなり前記高圧
パルス発生用コンデンサに並列に接続された負荷回路
と、充電抵抗および充放電用コンデンサを直列に接続し
てなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列に接続さ
れた充放電回路と、前記パルストランスの１次側および
半サイクルごとにオン可能なスイッチング素子並びに前
記スイッチング素子をオフにする分圧用コンデンサを直
列に接続してなり前記充放電用コンデンサに並列に接続
されたパルス駆動回路と、半サイクルあたりの前記充放
電用コンデンサへの充電量を制御する制御手段とを備え
たものである。
【００１２】請求項２の放電灯点灯装置は、請求項１に
おいて、前記スイッチング素子は前記充放電用コンデン
サの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧応答素
子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列に挿入
されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御する制
御用電圧応答素子としている。請求項３の放電灯点灯装
置は、請求項１において、前記スイッチング素子はゲー
ト信号によりオンとなる双方向性サイリスタであり、こ
の双方向性サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデ
ンサを直列に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデ
ンサに並列に接続された充電回路と、前記コンデンサの
抵抗接続側と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に
接続されて前記コンデンサの充電電圧によりオンとなる
ゲート用電圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充
放電回路に直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの
充電電圧を制御する制御用電圧応答素子としている。
おいて、前記スイッチング素子は前記充放電用コンデン
サの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧応答素
子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列に挿入
されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御する制
御用電圧応答素子としている。請求項３の放電灯点灯装
置は、請求項１において、前記スイッチング素子はゲー
ト信号によりオンとなる双方向性サイリスタであり、こ
の双方向性サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデ
ンサを直列に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデ
ンサに並列に接続された充電回路と、前記コンデンサの
抵抗接続側と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に
接続されて前記コンデンサの充電電圧によりオンとなる
ゲート用電圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充
放電回路に直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの
充電電圧を制御する制御用電圧応答素子としている。
【００１３】請求項４の放電灯点灯装置は、請求項１に
おいて、前記スイッチング素子はゲート信号によりオン
となる双方向性サイリスタであり、この双方向性サイリ
スタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列に接続
してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続された
充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記双方向
性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コンデン
サの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答素子か
らなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿入され
て前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電圧応答
素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分圧用コ
ンデンサからなるものである。
おいて、前記スイッチング素子はゲート信号によりオン
となる双方向性サイリスタであり、この双方向性サイリ
スタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列に接続
してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続された
充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記双方向
性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コンデン
サの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答素子か
らなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿入され
て前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電圧応答
素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分圧用コ
ンデンサからなるものである。
【００１４】
【作用】請求項１の放電灯点灯装置によれば、安定器の
出力電圧が高圧パルス発生用コンデンサを介して充放電
回路に印加され、充放電用コンデンサが充電されるとと
もにスイッチング素子の半サイクルごとのオンによりパ
ルストランスの１次側に電流が流れ、その２次側にパル
スが発生し、高圧パルス発生用コンデンサを介してラン
プＬａに高圧パルスが印加され、ランプＬａが始動す
る。
出力電圧が高圧パルス発生用コンデンサを介して充放電
回路に印加され、充放電用コンデンサが充電されるとと
もにスイッチング素子の半サイクルごとのオンによりパ
ルストランスの１次側に電流が流れ、その２次側にパル
スが発生し、高圧パルス発生用コンデンサを介してラン
プＬａに高圧パルスが印加され、ランプＬａが始動す
る。
【００１５】この場合、半サイクルあたりの充放電用コ
ンデンサへの充電量を制御する制御手段を設けているた
め、充放電用コンデンサの充電電圧を安定化でき、スイ
ッチング素子のオンによる放電量が一定にできるので、
パルストランスの２次側に発生する高圧パルスの位相お
よび回数等が安定化し、充放電回路の素子等のばらつき
による高圧パルスのばらつきを抑制することができる。
ンデンサへの充電量を制御する制御手段を設けているた
め、充放電用コンデンサの充電電圧を安定化でき、スイ
ッチング素子のオンによる放電量が一定にできるので、
パルストランスの２次側に発生する高圧パルスの位相お
よび回数等が安定化し、充放電回路の素子等のばらつき
による高圧パルスのばらつきを抑制することができる。
【００１６】請求項２の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子は前記充放電用コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧
応答素子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列
に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御
する制御用電圧応答素子としているため、半サイクルあ
たりのパルス発生回数を規制できるとともに、充放電回
路内のコンデンサの充電量を規制できるので、請求項１
と同様にランプに印加されるパルス電圧のばらつきを低
減できる。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子の
ブレークオーバ電圧をランプ電圧より高くすることによ
り、充放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電
用コンデンサでのロスを防止することができる。
項１において、前記スイッチング素子は前記充放電用コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧
応答素子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列
に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御
する制御用電圧応答素子としているため、半サイクルあ
たりのパルス発生回数を規制できるとともに、充放電回
路内のコンデンサの充電量を規制できるので、請求項１
と同様にランプに印加されるパルス電圧のばらつきを低
減できる。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子の
ブレークオーバ電圧をランプ電圧より高くすることによ
り、充放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電
用コンデンサでのロスを防止することができる。
【００１７】請求項３の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列
に接続された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側
と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて
前記コンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電
圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充放電回路に
直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を
制御する制御用電圧応答素子としているため、請求項２
と同作用があるほか、ゲート回路のゲート信号を制御す
るものと比較して構成が簡単になる。
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列
に接続された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側
と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて
前記コンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電
圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充放電回路に
直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を
制御する制御用電圧応答素子としているため、請求項２
と同作用があるほか、ゲート回路のゲート信号を制御す
るものと比較して構成が簡単になる。
【００１８】請求項４の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続
された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記
双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答
素子からなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿
入されて前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電
圧応答素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分
圧用コンデンサからなるため、ゲート用電圧応答素子が
オンとなり双方向性サイリスタのオンとなる回数を規制
できるので、素子等がばらついても半サイクルにおける
充放電用コンデンサの充電量を規制でき、したがって高
圧パルスのばらつきを抑制することができる。
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続
された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記
双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答
素子からなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿
入されて前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電
圧応答素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分
圧用コンデンサからなるため、ゲート用電圧応答素子が
オンとなり双方向性サイリスタのオンとなる回数を規制
できるので、素子等がばらついても半サイクルにおける
充放電用コンデンサの充電量を規制でき、したがって高
圧パルスのばらつきを抑制することができる。
【００１９】
【実施例】この発明の第１の実施例を図１および図２に
より説明する。すなわち、この放電灯点灯装置は、半サ
イクルあたりの充放電用コンデンサＣ2 への充電量を制
御する制御手段として、図８および図９に示す第１の従
来例において充電抵抗Ｒ1および充放電用コンデンサＣ
2 と直列に、たとえばＳＳＳのような制御用電圧応答素
子Ｓ3 を挿入することにより、充放電用コンデンサＣ2
への充電動作を矩形波反転時のみ行なうように規制した
ところが特徴である。
より説明する。すなわち、この放電灯点灯装置は、半サ
イクルあたりの充放電用コンデンサＣ2 への充電量を制
御する制御手段として、図８および図９に示す第１の従
来例において充電抵抗Ｒ1および充放電用コンデンサＣ
2 と直列に、たとえばＳＳＳのような制御用電圧応答素
子Ｓ3 を挿入することにより、充放電用コンデンサＣ2
への充電動作を矩形波反転時のみ行なうように規制した
ところが特徴である。
【００２０】この回路の動作を図２のタイムチャートを
用いて説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla:
ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）は充
放電用コンデンサＣ2 の電圧ＶC2、同図（ｃ）は分圧用
コンデンサＣ3 の電圧ＶC3、同図（ｄ）は制御用電圧応
答素子Ｓ3 の電圧ＶS3、同図（ｅ）はパルス駆動用電圧
応答素子Ｓ1 の電圧ＶS1を示す。
用いて説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla:
ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）は充
放電用コンデンサＣ2 の電圧ＶC2、同図（ｃ）は分圧用
コンデンサＣ3 の電圧ＶC3、同図（ｄ）は制御用電圧応
答素子Ｓ3 の電圧ＶS3、同図（ｅ）はパルス駆動用電圧
応答素子Ｓ1 の電圧ＶS1を示す。
【００２１】すなわち、矩形波反転時、パルス駆動用電
圧応答素子Ｓ1 の両端電圧ＶS1は充放電用コンデンサＣ
2 と分圧用コンデンサＣ3 に蓄えられた電荷による電位
差であり、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のブレークオ
ーバー電圧ＶB01 より高いので、パルス駆動用電圧応答
素子Ｓ1 はＯＮとなる。パルス駆動用電圧応答素子Ｓ 1
がＯＮになると、充放電用コンデンサＣ2 は放電し、充
放電用コンデンサＶC2および分圧用コンデンサＶC3が、
図２（ｂ），（ｃ）のようにＶC2＝ＶC3となったところ
でパルス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 はＯＦＦとなる。
圧応答素子Ｓ1 の両端電圧ＶS1は充放電用コンデンサＣ
2 と分圧用コンデンサＣ3 に蓄えられた電荷による電位
差であり、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のブレークオ
ーバー電圧ＶB01 より高いので、パルス駆動用電圧応答
素子Ｓ1 はＯＮとなる。パルス駆動用電圧応答素子Ｓ 1
がＯＮになると、充放電用コンデンサＣ2 は放電し、充
放電用コンデンサＶC2および分圧用コンデンサＶC3が、
図２（ｂ），（ｃ）のようにＶC2＝ＶC3となったところ
でパルス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 はＯＦＦとなる。
【００２２】充放電用コンデンサＣ2 の放電後、第１の
従来例では図９（ｂ）のように再び充電抵抗Ｒ1 を介し
て充放電用コンデンサＣ2 が充電され始めたが、この実
施例では充放電用コンデンサＣ2 が電荷（ＶC2）をもっ
ているため電圧応答性素子Ｓ 3 に加わる電圧ＶS3は図２
（ｄ）のようにＶ3 （Ｖ3 ＝Ｖ1 −Ｖ2 ）だけであり、
このＶ3 が制御用電圧応答性素子Ｓ3 のブレークオーバ
ー電圧ＶB01 より低ければ制御用電圧応答性素子Ｓ3 は
ＯＮとならない。
従来例では図９（ｂ）のように再び充電抵抗Ｒ1 を介し
て充放電用コンデンサＣ2 が充電され始めたが、この実
施例では充放電用コンデンサＣ2 が電荷（ＶC2）をもっ
ているため電圧応答性素子Ｓ 3 に加わる電圧ＶS3は図２
（ｄ）のようにＶ3 （Ｖ3 ＝Ｖ1 −Ｖ2 ）だけであり、
このＶ3 が制御用電圧応答性素子Ｓ3 のブレークオーバ
ー電圧ＶB01 より低ければ制御用電圧応答性素子Ｓ3 は
ＯＮとならない。
【００２３】このように、充放電用コンデンサＣ2 が充
電されないので、パルス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 に加
わる電圧ＶS1は矩形波が反転するまで０Ｖであり、パル
ス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 も半サイクルに１度しかＯ
Ｎにならないことになる。よって従来のようなパルス発
生回数、パルス発生位相のばらつきがなくなることにな
る。
電されないので、パルス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 に加
わる電圧ＶS1は矩形波が反転するまで０Ｖであり、パル
ス駆動用電圧応答性素子Ｓ1 も半サイクルに１度しかＯ
Ｎにならないことになる。よって従来のようなパルス発
生回数、パルス発生位相のばらつきがなくなることにな
る。
【００２４】また制御用電圧応答素子Ｓ3 のブレークオ
ーバ電圧ＶBO3 がランプＬａのランプ電圧Ｖｌａよりも
高いため、ランプ点灯時は制御用電圧応答素子Ｓ3 はオ
ンとならず、従来のような充電抵抗Ｒ1 および充放電用
コンデンサＣ2 でのロスがない。この実施例によれば、
半サイクルあたりの充放電用コンデンサＣ2 への充電量
を制御する制御手段である制御用電圧応答素子Ｓ3 を設
けているため、半サイクルあたりのパルス発生回数を規
制できるとともに、充放電回路内のコンデンサの充電量
を規制できるので、充放電用コンデンサＣ2 の充電電圧
を安定化でき、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のオンに
よる放電量を一定にできるので、パルストランスＰＴ1
の２次側に発生する高圧パルスの位相および回数等が安
定化し、ランプに印加されるパルス電圧の充放電回路の
素子等のばらつきによるばらつきを抑制することができ
る。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子のブレー
クオーバ電圧をランプ電圧より高くすることにより、充
放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電用コン
デンサでのロスを防止することができる。
ーバ電圧ＶBO3 がランプＬａのランプ電圧Ｖｌａよりも
高いため、ランプ点灯時は制御用電圧応答素子Ｓ3 はオ
ンとならず、従来のような充電抵抗Ｒ1 および充放電用
コンデンサＣ2 でのロスがない。この実施例によれば、
半サイクルあたりの充放電用コンデンサＣ2 への充電量
を制御する制御手段である制御用電圧応答素子Ｓ3 を設
けているため、半サイクルあたりのパルス発生回数を規
制できるとともに、充放電回路内のコンデンサの充電量
を規制できるので、充放電用コンデンサＣ2 の充電電圧
を安定化でき、パルス駆動用電圧応答素子Ｓ1 のオンに
よる放電量を一定にできるので、パルストランスＰＴ1
の２次側に発生する高圧パルスの位相および回数等が安
定化し、ランプに印加されるパルス電圧の充放電回路の
素子等のばらつきによるばらつきを抑制することができ
る。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子のブレー
クオーバ電圧をランプ電圧より高くすることにより、充
放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電用コン
デンサでのロスを防止することができる。
【００２５】この発明の第２の実施例を図３および図４
に示す。すなわち、この放電灯点灯装置は、図１０に示
す第２の従来例２において充電抵抗Ｒ1 および充放電用
コンデンサＣ2 と直列にたとえばＳＳＳのような制御用
電圧応答素子Ｓ3 を挿入することにより、充放電用コン
デンサＣ2 への充電動作を矩形波反転時のみ行なうよう
に規制したところが特徴である。
に示す。すなわち、この放電灯点灯装置は、図１０に示
す第２の従来例２において充電抵抗Ｒ1 および充放電用
コンデンサＣ2 と直列にたとえばＳＳＳのような制御用
電圧応答素子Ｓ3 を挿入することにより、充放電用コン
デンサＣ2 への充電動作を矩形波反転時のみ行なうよう
に規制したところが特徴である。
【００２６】この回路の動作を図９のタイムチャートを
用いて説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla:
ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）はコ
ンデンサＣ4 の電圧ＶC4、同図（ｃ）は充放電用コンデ
ンサＣ2 の電圧ＶC2、同図（ｄ）は分圧用コンデンサＣ
3 の電圧ＶC3、同図（ｅ）は制御用電圧応答素子Ｓ3の
電圧ＶS3、同図（ｆ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。
用いて説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒Ｖla:
ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図（ｂ）はコ
ンデンサＣ4 の電圧ＶC4、同図（ｃ）は充放電用コンデ
ンサＣ2 の電圧ＶC2、同図（ｄ）は分圧用コンデンサＣ
3 の電圧ＶC3、同図（ｅ）は制御用電圧応答素子Ｓ3の
電圧ＶS3、同図（ｆ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。
【００２７】まず双方向性サイリスタＳ1 のゲートをゲ
ートする抵抗Ｒ2 およびコンデンサＣ4 ならびにゲート
用電圧応答素子Ｓ2 の動作は従来例と全く同じである。
次に制御用電圧応答素子Ｓ3 、充電抵抗Ｒ1 、充放電用
コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサＣ3 、パルストラン
スＰＴ1 の１次側、双方向性サイリスタＳ1 によるパル
ス駆動回路について説明する。矩形波反転時の制御用電
圧応答素子Ｓ3 の両端電圧ＶS3は充放電用コンデンサＣ
2 に蓄えられた電圧と入力電圧Ｖabとの和であり、制御
用電圧応答素子Ｓ3 のブレークダウン電圧ＶBDより高い
ので電圧応答素子Ｓ3 はＯＮとなる。制御用電圧応答素
子Ｓ3 がＯＮになると充放電用コンデンサＣ2 は充電抵
抗Ｒ1 を介して充電され、制御用電圧応答素子Ｓ3 に流
れる電流が保持電流ＩH 以下になると制御用電圧応答素
子Ｓ3 はＯＦＦする。ここで双方向性サイリスタＳ1 の
ＯＮにより充放電用コンデンサＣ2 が放電を開始しＶC2
＝ＶC3で双方向性サイリスタＳ1 がＯＦＦになると、第
２の従来例では再び充電抵抗Ｒ1 を介して充放電用コン
デンサＣ2 が充電され始めたが、この実施例では充放電
用コンデンサＣ2 が電荷をもっているため制御用電圧応
答素子Ｓ3 に加わる電圧ＶS3は図４（ｅ）のようにＶ5
（Ｖ5 ＝Ｖ1 −Ｖ4 ）だけであり、このＶ5が制御用電
圧応答素子Ｓ3 のブレークオーバ電圧ＶB04 より低けれ
ば電圧応答素子Ｓ3 はＯＮにならないことになる。この
ことにより、半サイクルに双方向性サイリスタＳ1 が何
回ゲートされようとも、Ｃ2 は充放電動作を１回しか行
なわないため矩形波反転前に充放電用コンデンサＣ2 お
よび分圧用コンデンサＣ3 に蓄えられている電荷はばら
つきにくく発生するパルス電圧もばらつきが低減される
ことになる。
ートする抵抗Ｒ2 およびコンデンサＣ4 ならびにゲート
用電圧応答素子Ｓ2 の動作は従来例と全く同じである。
次に制御用電圧応答素子Ｓ3 、充電抵抗Ｒ1 、充放電用
コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサＣ3 、パルストラン
スＰＴ1 の１次側、双方向性サイリスタＳ1 によるパル
ス駆動回路について説明する。矩形波反転時の制御用電
圧応答素子Ｓ3 の両端電圧ＶS3は充放電用コンデンサＣ
2 に蓄えられた電圧と入力電圧Ｖabとの和であり、制御
用電圧応答素子Ｓ3 のブレークダウン電圧ＶBDより高い
ので電圧応答素子Ｓ3 はＯＮとなる。制御用電圧応答素
子Ｓ3 がＯＮになると充放電用コンデンサＣ2 は充電抵
抗Ｒ1 を介して充電され、制御用電圧応答素子Ｓ3 に流
れる電流が保持電流ＩH 以下になると制御用電圧応答素
子Ｓ3 はＯＦＦする。ここで双方向性サイリスタＳ1 の
ＯＮにより充放電用コンデンサＣ2 が放電を開始しＶC2
＝ＶC3で双方向性サイリスタＳ1 がＯＦＦになると、第
２の従来例では再び充電抵抗Ｒ1 を介して充放電用コン
デンサＣ2 が充電され始めたが、この実施例では充放電
用コンデンサＣ2 が電荷をもっているため制御用電圧応
答素子Ｓ3 に加わる電圧ＶS3は図４（ｅ）のようにＶ5
（Ｖ5 ＝Ｖ1 −Ｖ4 ）だけであり、このＶ5が制御用電
圧応答素子Ｓ3 のブレークオーバ電圧ＶB04 より低けれ
ば電圧応答素子Ｓ3 はＯＮにならないことになる。この
ことにより、半サイクルに双方向性サイリスタＳ1 が何
回ゲートされようとも、Ｃ2 は充放電動作を１回しか行
なわないため矩形波反転前に充放電用コンデンサＣ2 お
よび分圧用コンデンサＣ3 に蓄えられている電荷はばら
つきにくく発生するパルス電圧もばらつきが低減される
ことになる。
【００２８】このようにこの実施例は、半サイクルにお
けるパルス発生回数を規制することにより、パルス電圧
のばらつきを低減させることができる。またランプの点
灯等のランプ電圧Ｖlaより電圧応答素子Ｓ3 のブレーク
オーバ電圧ＶB04 を高く設定することにより、ランプ点
灯時の双方向性サイリスタＳ1 はＯＦＦとなり、従来の
ように点灯中の充電抵抗Ｒ1 およびコンデンサＣ2 によ
る電力消費をなくすることができる。
けるパルス発生回数を規制することにより、パルス電圧
のばらつきを低減させることができる。またランプの点
灯等のランプ電圧Ｖlaより電圧応答素子Ｓ3 のブレーク
オーバ電圧ＶB04 を高く設定することにより、ランプ点
灯時の双方向性サイリスタＳ1 はＯＦＦとなり、従来の
ように点灯中の充電抵抗Ｒ1 およびコンデンサＣ2 によ
る電力消費をなくすることができる。
【００２９】この実施例の説明では半サイクルにおける
パルス発生回数を１回に規制する場合について述べた
が、制御用電圧応答素子Ｓ3 のブレークオーバ電圧Ｖ
B04 の選定によりＯＮ回数を２回、３回と変えることも
可能である。またパルス発生回数を規制する手段とし
て、スイッチＳ1 にトライアックなどのゲート回路を有
する素子を用いてそのゲート回路に外部から制御信号を
与えることが可能であるが、この場合部品点数の増加、
大型化、制御回路の複雑化などが問題として現れること
になる。
パルス発生回数を１回に規制する場合について述べた
が、制御用電圧応答素子Ｓ3 のブレークオーバ電圧Ｖ
B04 の選定によりＯＮ回数を２回、３回と変えることも
可能である。またパルス発生回数を規制する手段とし
て、スイッチＳ1 にトライアックなどのゲート回路を有
する素子を用いてそのゲート回路に外部から制御信号を
与えることが可能であるが、この場合部品点数の増加、
大型化、制御回路の複雑化などが問題として現れること
になる。
【００３０】この発明の第３の実施例を図５および図６
に示す。すなわち、この放電灯点灯装置は、第２の従来
例のゲート回路の充電回路の抵抗Ｒ1 およびコンデンサ
Ｃ4からなる充電回路に直列に制御用電圧応答素子Ｓ4
を挿入するとともに、ゲート用電圧応答素子Ｓ2 に直列
に分圧用コンデンサＣ5 を接続したことにより、ゲート
用電圧応答素子Ｓ2 のＯＮ動作を矩形波反転後のみ行な
うように規制し、これこによって充放電用コンデンサＣ
2 の充電量を規制したところが特徴である。
に示す。すなわち、この放電灯点灯装置は、第２の従来
例のゲート回路の充電回路の抵抗Ｒ1 およびコンデンサ
Ｃ4からなる充電回路に直列に制御用電圧応答素子Ｓ4
を挿入するとともに、ゲート用電圧応答素子Ｓ2 に直列
に分圧用コンデンサＣ5 を接続したことにより、ゲート
用電圧応答素子Ｓ2 のＯＮ動作を矩形波反転後のみ行な
うように規制し、これこによって充放電用コンデンサＣ
2 の充電量を規制したところが特徴である。
【００３１】この回路の動作を図６のタイムチャートを
用いて簡単に説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒
Ｖla: ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図
（ｂ）はコンデンサＣ4 の電圧ＶC4、同図（ｃ）は分圧
用コンデンサＣ5 の電圧ＶC5、同図（ｄ）は制御用電圧
応答素子Ｓ4 の電圧ＶS4、図（ｅ）はゲート用電圧応答
素子Ｓ2 の電圧ＶS2、同図（ｆ）は充放電用コンデンサ
Ｃ2 の電圧ＶC2、同図（ｇ）は分圧用コンデンサＣ3 の
電圧ＶC3、同図（ｈ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。
用いて簡単に説明する。同図（ａ）は入力電圧Ｖab（≒
Ｖla: ランプ電圧) およびパルス電圧を示し、同図
（ｂ）はコンデンサＣ4 の電圧ＶC4、同図（ｃ）は分圧
用コンデンサＣ5 の電圧ＶC5、同図（ｄ）は制御用電圧
応答素子Ｓ4 の電圧ＶS4、図（ｅ）はゲート用電圧応答
素子Ｓ2 の電圧ＶS2、同図（ｆ）は充放電用コンデンサ
Ｃ2 の電圧ＶC2、同図（ｇ）は分圧用コンデンサＣ3 の
電圧ＶC3、同図（ｈ）はパルス駆動用電圧応答素子Ｓ1
の電圧ＶS1を示す。
【００３２】まず双方向性サイリスタＳ1 のゲートをゲ
ートするゲート回路の制御用電圧応答素子Ｓ4 、抵抗Ｒ
2 、コンデンサＣ4 、分圧用コンデンサＣ5 、ゲート用
電圧応答素子Ｓ2 による動作について説明する。矩形波
反転時のゲート用電圧応答素子Ｓ2 の両端電圧ＶS2は図
６（ｅ）のようにコンデンサＣ4 と分圧用コンデンサＣ
5 に蓄えられた電荷の差であり、ゲート用電圧応答素子
Ｓ2 のブレークオーバー電圧ＶB02 より高いのでゲート
用電圧応答素子Ｓ2 はＯＮとなる。ゲート用電圧応答素
子Ｓ2 がＯＮになるとコンデンサＣ4 は分圧用コンデン
サＣ5 およびゲート用電圧応答素子Ｓ2 を介して放電さ
れ、コンデンサＣ4 と分圧用コンデンサＣ5 の充電電圧
が等しくなると、ゲート用電圧応答素子Ｓ2 はＯＦＦに
なる。コンデンサＣ4 の放電が完了したのち、第２の従
来例では再び抵抗Ｒ2 を介してコンデンサＣ4 が充電さ
れ始めたが、この実施例ではコンデンサＣ4 が電荷をも
っているため制御用電圧応答素子Ｓ4 に加わる電圧ＶS4
は図６（ｄ）のようにＶ8（Ｖ8 ＝Ｖ1 −Ｖ7 ）だけで
あり、このＶ8 が制御用電圧応答素子Ｓ4 のブレークオ
ーバ電圧ＶB05 より低ければ制御用電圧応答素子Ｓ4 は
ＯＮにならない。このことにより、ゲート制御用電圧応
答素子Ｓ2 は半サイクルに１度しかＯＮしないため従来
例のように部品ばらつき等により、パルスの発生回数が
ばらついてパルス電圧がばらつくといった課題が解決さ
れることになる。
ートするゲート回路の制御用電圧応答素子Ｓ4 、抵抗Ｒ
2 、コンデンサＣ4 、分圧用コンデンサＣ5 、ゲート用
電圧応答素子Ｓ2 による動作について説明する。矩形波
反転時のゲート用電圧応答素子Ｓ2 の両端電圧ＶS2は図
６（ｅ）のようにコンデンサＣ4 と分圧用コンデンサＣ
5 に蓄えられた電荷の差であり、ゲート用電圧応答素子
Ｓ2 のブレークオーバー電圧ＶB02 より高いのでゲート
用電圧応答素子Ｓ2 はＯＮとなる。ゲート用電圧応答素
子Ｓ2 がＯＮになるとコンデンサＣ4 は分圧用コンデン
サＣ5 およびゲート用電圧応答素子Ｓ2 を介して放電さ
れ、コンデンサＣ4 と分圧用コンデンサＣ5 の充電電圧
が等しくなると、ゲート用電圧応答素子Ｓ2 はＯＦＦに
なる。コンデンサＣ4 の放電が完了したのち、第２の従
来例では再び抵抗Ｒ2 を介してコンデンサＣ4 が充電さ
れ始めたが、この実施例ではコンデンサＣ4 が電荷をも
っているため制御用電圧応答素子Ｓ4 に加わる電圧ＶS4
は図６（ｄ）のようにＶ8（Ｖ8 ＝Ｖ1 −Ｖ7 ）だけで
あり、このＶ8 が制御用電圧応答素子Ｓ4 のブレークオ
ーバ電圧ＶB05 より低ければ制御用電圧応答素子Ｓ4 は
ＯＮにならない。このことにより、ゲート制御用電圧応
答素子Ｓ2 は半サイクルに１度しかＯＮしないため従来
例のように部品ばらつき等により、パルスの発生回数が
ばらついてパルス電圧がばらつくといった課題が解決さ
れることになる。
【００３３】一方、上述のようなゲート回路の動作によ
り、充放電用コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサＣ3 お
よび双方向性サイリスタＳ1 の充放電動作は前記したよ
うになる。この実施例においては矩形波反転前のコンデ
ンサＣ3 の充電電圧が規制されているので、パルスの発
生位相が安定することになる。またこの実施例も、第２
の実施例と同様に電圧応答素子Ｓ4 のブレークオーバ電
圧ＶB05 の選定により、ＯＮ回数を２回、３回とかえる
ことも可能である。
り、充放電用コンデンサＣ2 、分圧用コンデンサＣ3 お
よび双方向性サイリスタＳ1 の充放電動作は前記したよ
うになる。この実施例においては矩形波反転前のコンデ
ンサＣ3 の充電電圧が規制されているので、パルスの発
生位相が安定することになる。またこの実施例も、第２
の実施例と同様に電圧応答素子Ｓ4 のブレークオーバ電
圧ＶB05 の選定により、ＯＮ回数を２回、３回とかえる
ことも可能である。
【００３４】なお、前記各実施例において、入力電圧Ｖ
abを矩形波としているが、入力電圧Ｖabは正弦波でもよ
い。
abを矩形波としているが、入力電圧Ｖabは正弦波でもよ
い。
【００３５】
【発明の効果】請求項１の放電灯点灯装置によれば、半
サイクルあたりの充放電用コンデンサへの充電量を制御
する制御手段を設けているため、充放電用コンデンサの
充電電圧を安定化でき、スイッチング素子のオンによる
放電量が一定にできるので、パルストランスの２次側に
発生する高圧パルスの位相および回数等が安定化し、充
放電回路の素子等のばらつきによる高圧パルスのばらつ
きを抑制することができるという効果がある。
サイクルあたりの充放電用コンデンサへの充電量を制御
する制御手段を設けているため、充放電用コンデンサの
充電電圧を安定化でき、スイッチング素子のオンによる
放電量が一定にできるので、パルストランスの２次側に
発生する高圧パルスの位相および回数等が安定化し、充
放電回路の素子等のばらつきによる高圧パルスのばらつ
きを抑制することができるという効果がある。
【００３６】請求項２の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子は前記充放電用コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧
応答素子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列
に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御
する制御用電圧応答素子としているため、半サイクルあ
たりのパルス発生回数を規制できるとともに、充放電回
路内のコンデンサの充電量を規制できるので、請求項１
と同様にランプに印加されるパルス電圧のばらつきを低
減できる。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子の
ブレークオーバ電圧をランプ電圧より高くすることによ
り、充放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電
用コンデンサでのロスを防止することができる。
項１において、前記スイッチング素子は前記充放電用コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧
応答素子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列
に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御
する制御用電圧応答素子としているため、半サイクルあ
たりのパルス発生回数を規制できるとともに、充放電回
路内のコンデンサの充電量を規制できるので、請求項１
と同様にランプに印加されるパルス電圧のばらつきを低
減できる。しかもランプ点灯時に制御用電圧応答素子の
ブレークオーバ電圧をランプ電圧より高くすることによ
り、充放電回路の動作がないので充電抵抗および充放電
用コンデンサでのロスを防止することができる。
【００３７】請求項３の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列
に接続された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側
と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて
前記コンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電
圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充放電回路に
直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を
制御する制御用電圧応答素子としているため、請求項２
と同効果があるほか、ゲート回路のゲート信号を制御す
るものと比較して構成が簡単になる。
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列
に接続された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側
と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて
前記コンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電
圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充放電回路に
直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を
制御する制御用電圧応答素子としているため、請求項２
と同効果があるほか、ゲート回路のゲート信号を制御す
るものと比較して構成が簡単になる。
【００３８】請求項４の放電灯点灯装置によれば、請求
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続
された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記
双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答
素子からなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿
入されて前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電
圧応答素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分
圧用コンデンサからなるため、ゲート用電圧応答素子が
オンとなり双方向性サイリスタのオンとなる回数を規制
できるので、素子等がばらついても半サイクルにおける
充放電用コンデンサの充電量を規制でき、したがって高
圧パルスのばらつきを抑制することができる。
項１において、前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続
された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記
双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答
素子からなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿
入されて前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電
圧応答素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分
圧用コンデンサからなるため、ゲート用電圧応答素子が
オンとなり双方向性サイリスタのオンとなる回数を規制
できるので、素子等がばらついても半サイクルにおける
充放電用コンデンサの充電量を規制でき、したがって高
圧パルスのばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例の要部回路図である。
【図２】そのタイムチャートである。
【図３】第２の実施例の要部回路図である。
【図４】そのタイムチャートである。
【図５】第３の実施例の要部回路図である。
【図６】そのタイムチャートである。
【図７】放電灯点灯装置のブロック図である。
【図８】第１の従来例の要部回路図である。
【図９】そのタイムチャートである。
【図１０】第２の従来例の要部回路である。
【図１１】そのタイムチャートである。
Ｃ1 高圧パルス発生用コンテンサ Ｃ2 充放電用コンデンサ Ｃ3 分圧用コンデンサ Ｒ1 充電抵抗 Ｓ1 スイッチング素子であるパルス駆動用電圧応答
素子 Ｓ3 制御手段である制御用電圧応答性素子 Ｌａ ランプ ＣＨ 安定器 ＰＴ1 パルストランス
素子 Ｓ3 制御手段である制御用電圧応答性素子 Ｌａ ランプ ＣＨ 安定器 ＰＴ1 パルストランス
Claims (4)
- 【請求項１】 限流要素を有する安定器と、この安定器
の出力側に接続された高圧パルス発生用コンデンサと、
パルストランスの２次側にランプを直列に接続してなり
前記高圧パルス発生用コンデンサに並列に接続された負
荷回路と、充電抵抗および充放電用コンデンサを直列に
接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列に
接続された充放電回路と、前記パルストランスの１次側
および半サイクルごとにオン可能なスイッチング素子並
びに前記スイッチング素子をオフにする分圧用コンデン
サを直列に接続してなり前記充放電用コンデンサに並列
に接続されたパルス駆動回路と、半サイクルあたりの前
記充放電用コンデンサへの充電量を制御する制御手段と
を備えた放電灯点灯装置。 - 【請求項２】 前記スイッチング素子は前記充放電用コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるパルス駆動用電圧
応答素子であり、前記制御手段は前記充放電回路に直列
に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を制御
する制御用電圧応答素子である請求項１記載の放電灯点
灯装置。 - 【請求項３】 前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用コンデンサに並列
に接続された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側
と前記双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて
前記コンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電
圧応答素子からなり、前記制御手段は前記充放電回路に
直列に挿入されて前記充放電用コンデンサの充電電圧を
制御する制御用電圧応答素子である請求項１記載の放電
灯点灯装置。 - 【請求項４】 前記スイッチング素子はゲート信号によ
りオンとなる双方向性サイリスタであり、この双方向性
サイリスタのゲート回路は抵抗およびコンデンサを直列
に接続してなり前記高圧パルス発生用回路に並列に接続
された充電回路と、前記コンデンサの抵抗接続側と前記
双方向性サイリスタのゲートとの間に接続されて前記コ
ンデンサの充電電圧によりオンとなるゲート用電圧応答
素子からなり、前記制御手段は前記充電回路に直列に挿
入されて前記コンデンサの充電電圧を制御する制御用電
圧応答素子と前記ゲート用電圧応答素子をオフにする分
圧用コンデンサからなる請求項１記載の放電灯点灯装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23651393A JPH0794289A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 放電灯点灯装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23651393A JPH0794289A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 放電灯点灯装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794289A true JPH0794289A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17001824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23651393A Pending JPH0794289A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 放電灯点灯装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794289A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018559A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置及びこれを備えた照明器具 |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP23651393A patent/JPH0794289A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018559A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置及びこれを備えた照明器具 |
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