JPH0794455A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH0794455A JPH0794455A JP23826393A JP23826393A JPH0794455A JP H0794455 A JPH0794455 A JP H0794455A JP 23826393 A JP23826393 A JP 23826393A JP 23826393 A JP23826393 A JP 23826393A JP H0794455 A JPH0794455 A JP H0794455A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 砥粒液として塩酸水溶液、過硫酸アンモニウ
ム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化ア
ンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモ
ニウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水
素とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いる配
線の形成方法。 【効果】 研磨速度比Ｒを１より大きくすることがで
き、研磨の際の絶縁膜１１のストッパ効果を強めること
ができ、研磨が絶縁膜１１の表面に到達すると、研磨の
進行を停止させることができ、その結果、配線としての
金属膜１２ａの厚さの制御を確実に行なうことができ
る。またこれらの水溶液はいずれも研磨装置の構成材料
に対する腐食性が弱いため、これらの水溶液を用いるこ
とにより、研磨装置の実用化を容易にすることができ
る。
ム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化ア
ンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモ
ニウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水
素とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いる配
線の形成方法。 【効果】 研磨速度比Ｒを１より大きくすることがで
き、研磨の際の絶縁膜１１のストッパ効果を強めること
ができ、研磨が絶縁膜１１の表面に到達すると、研磨の
進行を停止させることができ、その結果、配線としての
金属膜１２ａの厚さの制御を確実に行なうことができ
る。またこれらの水溶液はいずれも研磨装置の構成材料
に対する腐食性が弱いため、これらの水溶液を用いるこ
とにより、研磨装置の実用化を容易にすることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線の形成方法に関し、
より詳細には研磨による半導体装置における配線の形成
方法に関する。
より詳細には研磨による半導体装置における配線の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来の配線を形成する工程を示
した模式的断面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成
し、この絶縁膜の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）
は研磨により絶縁膜表面まで金属膜を除去した状態、
（ｃ）は研磨をさらに続行した状態を示している。従来
の配線の形成方法は、まずスパッタリング（sputterin
g) により略平坦形状を有する基板（図示せず）上にＳ
ｉＯ2 等の絶縁膜２１を形成する。絶縁膜２１の厚さｔ
a は配線となる金属膜２２ａの厚さｔb と金属膜２２ａ
下方に位置する絶縁膜２１ａの厚さｔc との和に等しく
なるように設定（ｔa ＝ｔb ＋ｔc ）する。次にフォト
リソグラフィ技術を用い、絶縁膜２１上の所定箇所にパ
ターニング処理を施し、溝２１ｂを形成する。この後、
絶縁膜２１上にＡｌまたはＡｌ合金等からなる金属膜２
２を形成する（ａ）。次に絶縁膜表面２１ｃ上にある金
属膜２２を研磨により除去し、全体的に平坦化するとと
もに絶縁膜２１の溝２１ｂに配線としての金属膜２２ａ
を埋め込み形成する。この研磨には、砥粒としてＡｌ2
Ｏ3 粒子等、また砥粒液として硫酸水溶液、硝酸水溶
液、酢酸水溶液等が挙げられている。これらの砥粒液を
用いた場合、絶縁膜２１の研磨速度よりＡｌまたはＡｌ
合金からなる金属膜２２の研磨速度が速くなり、研磨終
了時における配線となる金属膜２２ａの厚さが容易に制
御される（ｂ）（特開昭６２−１０２５４３号公報）。
した模式的断面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成
し、この絶縁膜の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）
は研磨により絶縁膜表面まで金属膜を除去した状態、
（ｃ）は研磨をさらに続行した状態を示している。従来
の配線の形成方法は、まずスパッタリング（sputterin
g) により略平坦形状を有する基板（図示せず）上にＳ
ｉＯ2 等の絶縁膜２１を形成する。絶縁膜２１の厚さｔ
a は配線となる金属膜２２ａの厚さｔb と金属膜２２ａ
下方に位置する絶縁膜２１ａの厚さｔc との和に等しく
なるように設定（ｔa ＝ｔb ＋ｔc ）する。次にフォト
リソグラフィ技術を用い、絶縁膜２１上の所定箇所にパ
ターニング処理を施し、溝２１ｂを形成する。この後、
絶縁膜２１上にＡｌまたはＡｌ合金等からなる金属膜２
２を形成する（ａ）。次に絶縁膜表面２１ｃ上にある金
属膜２２を研磨により除去し、全体的に平坦化するとと
もに絶縁膜２１の溝２１ｂに配線としての金属膜２２ａ
を埋め込み形成する。この研磨には、砥粒としてＡｌ2
Ｏ3 粒子等、また砥粒液として硫酸水溶液、硝酸水溶
液、酢酸水溶液等が挙げられている。これらの砥粒液を
用いた場合、絶縁膜２１の研磨速度よりＡｌまたはＡｌ
合金からなる金属膜２２の研磨速度が速くなり、研磨終
了時における配線となる金属膜２２ａの厚さが容易に制
御される（ｂ）（特開昭６２−１０２５４３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＳＩの微細
化、高集積化にともない、配線の断線やショートを防止
する必要性がますます高まり、そのため金属膜２２の配
線材料としてエレクトロマイグレーション耐性の小さい
Ａｌに代わり、エレクトロマイグレーション耐性の大き
い銅（Ｃｕ）が注目されている。
化、高集積化にともない、配線の断線やショートを防止
する必要性がますます高まり、そのため金属膜２２の配
線材料としてエレクトロマイグレーション耐性の小さい
Ａｌに代わり、エレクトロマイグレーション耐性の大き
い銅（Ｃｕ）が注目されている。
【０００４】上記した配線の形成方法において、砥粒液
に硫酸水溶液、酢酸水溶液を用い、銅を含む金属膜２２
と絶縁膜２１とを研磨する場合、金属膜２２の絶縁膜２
１に対する研磨速度比Ｒが小さい。そのため図１３
（ｃ）に示したように、絶縁膜表面２１ｃまで研磨が到
達した後、さらに金属膜２２ａと絶縁膜２１とが研磨さ
れ易く、研磨終了時における配線となる金属膜２２ａの
厚さｔb を制御することが難しく、したがってエレクト
ロマイグレーション耐性の大きい銅を含む金属膜配線を
確実に形成することが難しいという課題があった。
に硫酸水溶液、酢酸水溶液を用い、銅を含む金属膜２２
と絶縁膜２１とを研磨する場合、金属膜２２の絶縁膜２
１に対する研磨速度比Ｒが小さい。そのため図１３
（ｃ）に示したように、絶縁膜表面２１ｃまで研磨が到
達した後、さらに金属膜２２ａと絶縁膜２１とが研磨さ
れ易く、研磨終了時における配線となる金属膜２２ａの
厚さｔb を制御することが難しく、したがってエレクト
ロマイグレーション耐性の大きい銅を含む金属膜配線を
確実に形成することが難しいという課題があった。
【０００５】また上記した配線の形成方法において、砥
粒液に硝酸水溶液を用いた場合、金属膜２２の絶縁膜２
１に対する研磨速度比Ｒは大きくとれるが、研磨装置を
構成する金属部材（特にステンレス鋼）に腐食が発生
し、実用化を図ることが難しいという課題があった。
粒液に硝酸水溶液を用いた場合、金属膜２２の絶縁膜２
１に対する研磨速度比Ｒは大きくとれるが、研磨装置を
構成する金属部材（特にステンレス鋼）に腐食が発生
し、実用化を図ることが難しいという課題があった。
【０００６】また上記した配線の形成方法において、砥
粒にＡｌ2 Ｏ3 を用いる場合、Ａｌに比べて銅が軟質で
あるため、銅を含む金属膜２２ａ表面に傷が付き易く、
配線の特性に悪影響を及ぼすという課題があった。
粒にＡｌ2 Ｏ3 を用いる場合、Ａｌに比べて銅が軟質で
あるため、銅を含む金属膜２２ａ表面に傷が付き易く、
配線の特性に悪影響を及ぼすという課題があった。
【０００７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、研磨終了時における金属膜の膜厚を容易に制
御することができ、金属膜の表面を平滑にすることがで
きるとともに、配線の形成に用いられる装置の腐食を防
止することができる配線の形成方法を提供することを目
的としている。
のであり、研磨終了時における金属膜の膜厚を容易に制
御することができ、金属膜の表面を平滑にすることがで
きるとともに、配線の形成に用いられる装置の腐食を防
止することができる配線の形成方法を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る配線の形成方法は、凸凹を有する絶縁膜
上に銅を含有する金属膜を形成した後、砥粒及び砥粒液
を用いて研磨により平坦化する配線の形成方法におい
て、前記砥粒液として塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム
水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アン
モニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニ
ウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素
とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いること
を特徴としている（１）。
に本発明に係る配線の形成方法は、凸凹を有する絶縁膜
上に銅を含有する金属膜を形成した後、砥粒及び砥粒液
を用いて研磨により平坦化する配線の形成方法におい
て、前記砥粒液として塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム
水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アン
モニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニ
ウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素
とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いること
を特徴としている（１）。
【０００９】また本発明に係る配線の形成方法は、凸凹
を有する絶縁膜上に銅を含有する金属膜を形成した後、
砥粒及び砥粒液を用いて研磨により平坦化する配線の形
成方法において、前記砥粒として平均粒径が０．１μｍ
以下のＳｉＯ2 粒子を用いることを特徴としている
（２）。
を有する絶縁膜上に銅を含有する金属膜を形成した後、
砥粒及び砥粒液を用いて研磨により平坦化する配線の形
成方法において、前記砥粒として平均粒径が０．１μｍ
以下のＳｉＯ2 粒子を用いることを特徴としている
（２）。
【００１０】
【作用】本発明者は、塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム
水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アン
モニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニ
ウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素
とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を砥粒液とし
て用いて研磨する場合、銅を含む金属膜を研磨する際の
研磨速度ＲK と絶縁膜としてのＳｉＯ2 を研磨する際の
研磨速度ＲZ との比ＲK ／ＲZ （以下、ＲK ／ＲZ を研
磨速度比Ｒと記す）が１より大きくなることを突き止め
た。砥粒及び砥粒液を用いた研磨の場合、研磨面は局所
的に高温、高圧になり、また活性面が露出した状態にな
っており、砥粒液との化学反応及び機械的エッチングと
が相乗的に作用し、研磨速度比Ｒが高められることとな
る。そして該研磨速度比Ｒが１より大きく（例えば５程
度以上に）なる程、研磨の際の前記絶縁膜のストッパ作
用が強まり、研磨が前記絶縁膜の表面に到達すると、研
磨の進行を停止させ得ることとなる。
水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アン
モニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニ
ウムとを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素
とを含む水溶液または前記水溶液の混合液を砥粒液とし
て用いて研磨する場合、銅を含む金属膜を研磨する際の
研磨速度ＲK と絶縁膜としてのＳｉＯ2 を研磨する際の
研磨速度ＲZ との比ＲK ／ＲZ （以下、ＲK ／ＲZ を研
磨速度比Ｒと記す）が１より大きくなることを突き止め
た。砥粒及び砥粒液を用いた研磨の場合、研磨面は局所
的に高温、高圧になり、また活性面が露出した状態にな
っており、砥粒液との化学反応及び機械的エッチングと
が相乗的に作用し、研磨速度比Ｒが高められることとな
る。そして該研磨速度比Ｒが１より大きく（例えば５程
度以上に）なる程、研磨の際の前記絶縁膜のストッパ作
用が強まり、研磨が前記絶縁膜の表面に到達すると、研
磨の進行を停止させ得ることとなる。
【００１１】本発明に係る配線の形成方法（１）によれ
ば、砥粒液として塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム水溶
液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アンモニ
ウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニウム
とを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素とを
含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いるので、研
磨速度比Ｒを１より大きくし得ることとなり、研磨の際
の絶縁膜のストッパ作用が強められ、研磨が前記絶縁膜
の表面に到達すると、研磨の進行が抑制されることとな
り、その結果、配線としての金属膜厚の制御を確実に行
ない得ることとなる。また、これらの水溶液はいずれも
研磨装置の構成材料に対する腐食性が弱いため、これら
の水溶液を用いることにより、研磨装置の実用化が容易
となる。
ば、砥粒液として塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム水溶
液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶液、水酸化アンモニ
ウム水溶液、塩化銅アンモニウムと水酸化アンモニウム
とを含む水溶液、水酸化アンモニウムと過酸化水素とを
含む水溶液または前記水溶液の混合液を用いるので、研
磨速度比Ｒを１より大きくし得ることとなり、研磨の際
の絶縁膜のストッパ作用が強められ、研磨が前記絶縁膜
の表面に到達すると、研磨の進行が抑制されることとな
り、その結果、配線としての金属膜厚の制御を確実に行
ない得ることとなる。また、これらの水溶液はいずれも
研磨装置の構成材料に対する腐食性が弱いため、これら
の水溶液を用いることにより、研磨装置の実用化が容易
となる。
【００１２】また本発明に係る配線の形成方法（２）に
よれば、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下のＳｉＯ
2 粒子を用いており、Ａｌ2 Ｏ3 粒子に比べてＳｉＯ2
粒子は硬度が低く、かつ細粒のため、銅を含む比較的軟
質の金属膜表面に傷がつき難く、研磨により配線の特性
が損われることがない。
よれば、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下のＳｉＯ
2 粒子を用いており、Ａｌ2 Ｏ3 粒子に比べてＳｉＯ2
粒子は硬度が低く、かつ細粒のため、銅を含む比較的軟
質の金属膜表面に傷がつき難く、研磨により配線の特性
が損われることがない。
【００１３】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る配線の形成方
法の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に
係る配線の形成方法の実施例を工程順に示した模式的断
面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成し、この絶縁膜
の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）は研磨により絶
縁膜表面まで金属膜を除去した状態を示している。半導
体装置における配線を形成するには、まずＬＰ−ＣＶＤ
（Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 法によ
り、略平坦形状を有する基板（図示せず）上にＳｉＯ2
等の絶縁膜１１を形成する。次にフォトリソグラフィ技
術を用い、絶縁膜１１上の所定箇所にパターニング処理
を施し、溝１１ｂを形成する。この後ＥＣＲスパッタ法
により、絶縁膜１１上に銅を含む金属膜１２を形成する
（ａ）。次に絶縁膜表面１１ｃ上にある金属膜１２を研
磨により除去し、全体的に平坦化するとともに、絶縁膜
１１の溝１１ｂに配線としての金属膜１２ａを埋め込み
形成する。この研磨の際、砥粒液として塩酸水溶液、過
硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水
溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウム
と水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化アンモニ
ウムと過酸化水素とを含む水溶液またはこれらの水溶液
の混合液を使用する（ｂ）。
法の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に
係る配線の形成方法の実施例を工程順に示した模式的断
面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成し、この絶縁膜
の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）は研磨により絶
縁膜表面まで金属膜を除去した状態を示している。半導
体装置における配線を形成するには、まずＬＰ−ＣＶＤ
（Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 法によ
り、略平坦形状を有する基板（図示せず）上にＳｉＯ2
等の絶縁膜１１を形成する。次にフォトリソグラフィ技
術を用い、絶縁膜１１上の所定箇所にパターニング処理
を施し、溝１１ｂを形成する。この後ＥＣＲスパッタ法
により、絶縁膜１１上に銅を含む金属膜１２を形成する
（ａ）。次に絶縁膜表面１１ｃ上にある金属膜１２を研
磨により除去し、全体的に平坦化するとともに、絶縁膜
１１の溝１１ｂに配線としての金属膜１２ａを埋め込み
形成する。この研磨の際、砥粒液として塩酸水溶液、過
硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水
溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウム
と水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化アンモニ
ウムと過酸化水素とを含む水溶液またはこれらの水溶液
の混合液を使用する（ｂ）。
【００１４】以下に、砥粒に平均粒径が約０．１μｍの
ＳｉＯ2 粒子を用い、金属膜１２におけるＡｌと銅との
組成を変え、絶縁膜１１としてのＳｉＯ2 膜に対する金
属膜１２の研磨速度比Ｒに関し、下記の表１に示した砥
粒液ごとに調査した結果について説明する。なお比較例
１として砥粒液にｐＨ２．２の硫酸水溶液、比較例２と
してｐＨ２．２の硝酸水溶液、比較例３としてｐＨ２．
２の酢酸水溶液を用いてそれぞれ研磨した場合について
併せて説明する。
ＳｉＯ2 粒子を用い、金属膜１２におけるＡｌと銅との
組成を変え、絶縁膜１１としてのＳｉＯ2 膜に対する金
属膜１２の研磨速度比Ｒに関し、下記の表１に示した砥
粒液ごとに調査した結果について説明する。なお比較例
１として砥粒液にｐＨ２．２の硫酸水溶液、比較例２と
してｐＨ２．２の硝酸水溶液、比較例３としてｐＨ２．
２の酢酸水溶液を用いてそれぞれ研磨した場合について
併せて説明する。
【００１５】
【表１】
【００１６】図１０、図１２は比較例１、比較例３の砥
粒液を用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。図１０、図１２から明らか
なように比較例１のｐＨ２．２の硫酸水溶液、比較例３
のｐＨ２．２の酢酸水溶液を用いた場合、研磨速度比Ｒ
は略１程度であり、銅を含有する金属膜１２による配線
の形成には不適当である。
粒液を用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。図１０、図１２から明らか
なように比較例１のｐＨ２．２の硫酸水溶液、比較例３
のｐＨ２．２の酢酸水溶液を用いた場合、研磨速度比Ｒ
は略１程度であり、銅を含有する金属膜１２による配線
の形成には不適当である。
【００１７】また図１１は比較例２の砥粒液を用いた場
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。図１１から明らかなように比較例２のｐＨ
２．２の硝酸水溶液を用いた場合、研磨速度比Ｒは略１
０〜８程度である。しかし、比較例２の砥粒液は研磨装
置の構成材料を腐食するため、研磨による配線の形成に
は不適当である。
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。図１１から明らかなように比較例２のｐＨ
２．２の硝酸水溶液を用いた場合、研磨速度比Ｒは略１
０〜８程度である。しかし、比較例２の砥粒液は研磨装
置の構成材料を腐食するため、研磨による配線の形成に
は不適当である。
【００１８】一方、図２は実施例１の砥粒液を用いた場
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。図２から明らかなように、砥粒液として塩
酸３％水溶液を用いた場合、金属膜１２における銅の含
有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略２０から徐々
に低下するが、銅の含有量が略４０％以上になると、研
磨速度比Ｒは略一定（Ｒ≒１０）になる。
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。図２から明らかなように、砥粒液として塩
酸３％水溶液を用いた場合、金属膜１２における銅の含
有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略２０から徐々
に低下するが、銅の含有量が略４０％以上になると、研
磨速度比Ｒは略一定（Ｒ≒１０）になる。
【００１９】この結果から明らかなように、実施例１に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを２
０〜１０にすることができ、研磨の際の絶縁膜１１のス
トッパ効果を強めることができ、研磨が絶縁膜の表面に
到達すると、研磨の進行を停止させることができ、その
結果、配線としての金属膜１２ａの厚さの制御を確実に
行なうことができる。また、塩酸３％水溶液は研磨装置
の構成材料に対する腐食性が弱いため、砥粒液として実
用的である。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを２
０〜１０にすることができ、研磨の際の絶縁膜１１のス
トッパ効果を強めることができ、研磨が絶縁膜の表面に
到達すると、研磨の進行を停止させることができ、その
結果、配線としての金属膜１２ａの厚さの制御を確実に
行なうことができる。また、塩酸３％水溶液は研磨装置
の構成材料に対する腐食性が弱いため、砥粒液として実
用的である。
【００２０】なお実施例１の場合は砥粒液に塩酸３％水
溶液を用いたが、この濃度に限定されるものではなく、
別の濃度の塩酸水溶液も使用可能である。
溶液を用いたが、この濃度に限定されるものではなく、
別の濃度の塩酸水溶液も使用可能である。
【００２１】また図３は実施例２の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図３から明らかなように、砥粒液として過硫
酸アンモニウム５％水溶液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
５から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは一定（Ｒ≒１４）になる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図３から明らかなように、砥粒液として過硫
酸アンモニウム５％水溶液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
５から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは一定（Ｒ≒１４）になる。
【００２２】この結果から明らかなように、実施例２に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１４にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１４にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
【００２３】なお実施例２の場合、砥粒液に過硫酸アン
モニウム５％水溶液を用いたが、この濃度に限定される
ものではなく、別の濃度の過硫酸アンモニウム水溶液も
使用可能である。
モニウム５％水溶液を用いたが、この濃度に限定される
ものではなく、別の濃度の過硫酸アンモニウム水溶液も
使用可能である。
【００２４】また図４は実施例３の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図４から明らかなように、砥粒液として酸化
クロム（６）飽和水溶液を用いた場合、金属膜１２にお
ける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略３
から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは略一定（Ｒ≒１３）になる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図４から明らかなように、砥粒液として酸化
クロム（６）飽和水溶液を用いた場合、金属膜１２にお
ける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略３
から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは略一定（Ｒ≒１３）になる。
【００２５】この結果から明らかなように、実施例３に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを３
〜１３にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを３
〜１３にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
【００２６】なお実施例３の場合、砥粒液に酸化クロム
（６価）飽和水溶液を用いたが、酸化クロム（６価）飽
和水溶液に限定されるものではなく、（３価）、（４
価）、（５価）の酸化クロム水溶液も使用可能である。
また実施例３の場合は砥粒液に酸化クロム（６価）飽和
水溶液を用いたが、何らこの濃度に限定されるものでは
なく、別の濃度の酸化クロム水溶液も使用可能である。
（６価）飽和水溶液を用いたが、酸化クロム（６価）飽
和水溶液に限定されるものではなく、（３価）、（４
価）、（５価）の酸化クロム水溶液も使用可能である。
また実施例３の場合は砥粒液に酸化クロム（６価）飽和
水溶液を用いたが、何らこの濃度に限定されるものでは
なく、別の濃度の酸化クロム水溶液も使用可能である。
【００２７】また図５は実施例４の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図５から明らかなように、砥粒液としてリン
酸３％水溶液を用いた場合、金属膜１２における銅の含
有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略１３から漸増
し、銅の含有量が略１００％になると、研磨速度比Ｒは
略１４．５となる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図５から明らかなように、砥粒液としてリン
酸３％水溶液を用いた場合、金属膜１２における銅の含
有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略１３から漸増
し、銅の含有量が略１００％になると、研磨速度比Ｒは
略１４．５となる。
【００２８】この結果から明らかなように、実施例４に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを１
３〜１４．５にすることができ、また研磨装置に対する
腐食性も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得
ることができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを１
３〜１４．５にすることができ、また研磨装置に対する
腐食性も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得
ることができる。
【００２９】なお実施例４の場合、砥粒液にリン酸３％
水溶液を用いたが、この濃度に限定されるものではな
く、別の濃度のリン酸水溶液も使用可能である。
水溶液を用いたが、この濃度に限定されるものではな
く、別の濃度のリン酸水溶液も使用可能である。
【００３０】また図６は実施例５の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図６から明らかなように、砥粒液として水酸
化アンモニウム５％水溶液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
５から漸増し、銅の含有量が略８０％以上になると、研
磨速度比Ｒは略一定（Ｒ＝１０．５）になる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図６から明らかなように、砥粒液として水酸
化アンモニウム５％水溶液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
５から漸増し、銅の含有量が略８０％以上になると、研
磨速度比Ｒは略一定（Ｒ＝１０．５）になる。
【００３１】この結果から明らかなように、実施例５に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１０．５にすることができ、また研磨装置に対する腐
食性も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得る
ことができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１０．５にすることができ、また研磨装置に対する腐
食性も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得る
ことができる。
【００３２】なお実施例５の場合、砥粒液に水酸化アン
モニウム５％水溶液を用いたが、この濃度に限定される
ものではなく、別の濃度の水酸化アンモニウム水溶液も
使用可能である。
モニウム５％水溶液を用いたが、この濃度に限定される
ものではなく、別の濃度の水酸化アンモニウム水溶液も
使用可能である。
【００３３】また図７は実施例６の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図７から明らかなように、砥粒液として塩化
銅（２価）アンモニウム５％水溶液と水酸化アンモニウ
ム１０％水溶液との混合液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
６から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは略一定（Ｒ＝１２）になる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図７から明らかなように、砥粒液として塩化
銅（２価）アンモニウム５％水溶液と水酸化アンモニウ
ム１０％水溶液との混合液を用いた場合、金属膜１２に
おける銅の含有量が多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略
６から徐々に上昇し、銅の含有量が略８０％以上になる
と、研磨速度比Ｒは略一定（Ｒ＝１２）になる。
【００３４】この結果から明らかなように、実施例６に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを６
〜１２にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを６
〜１２にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
【００３５】なお実施例６の場合、砥粒液の一部に塩化
銅（２価）アンモニウム５％水溶液を用いたが、塩化銅
（２価）アンモニウム５％水溶液に限定されるものでは
なく、塩化銅（１価）アンモニウム水溶液も使用可能で
ある。また実施例６の場合は砥粒液に塩化銅（２価）ア
ンモニウム５％水溶液＋水酸化アンモニウム１０％水溶
液を用いたが、何らこの濃度に限定されるものではな
く、別の濃度の塩化銅アンモニウム水溶液＋水酸化アン
モニウム水溶液も使用可能である。
銅（２価）アンモニウム５％水溶液を用いたが、塩化銅
（２価）アンモニウム５％水溶液に限定されるものでは
なく、塩化銅（１価）アンモニウム水溶液も使用可能で
ある。また実施例６の場合は砥粒液に塩化銅（２価）ア
ンモニウム５％水溶液＋水酸化アンモニウム１０％水溶
液を用いたが、何らこの濃度に限定されるものではな
く、別の濃度の塩化銅アンモニウム水溶液＋水酸化アン
モニウム水溶液も使用可能である。
【００３６】また図８は実施例７の砥粒液を用いた場合
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図８から明らかなように、砥粒液として水酸
化アンモニウム５％水溶液と過酸化水素５％水溶液との
混合液を用いた場合、金属膜１２における銅の含有量が
多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略５から徐々に上昇
し、銅の含有量が略８０％以上になると、研磨速度比Ｒ
は略一定（Ｒ＝１６）になる。
における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲線
図である。図８から明らかなように、砥粒液として水酸
化アンモニウム５％水溶液と過酸化水素５％水溶液との
混合液を用いた場合、金属膜１２における銅の含有量が
多くなるにつれて研磨速度比Ｒは略５から徐々に上昇
し、銅の含有量が略８０％以上になると、研磨速度比Ｒ
は略一定（Ｒ＝１６）になる。
【００３７】この結果から明らかなように、実施例７に
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１６にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
係る配線の形成方法（１）によれば、研磨速度比Ｒを５
〜１６にすることができ、また研磨装置に対する腐食性
も弱いため、実施例１の場合と略同様の効果を得ること
ができる。
【００３８】なお実施例７の場合、砥粒液に水酸化アン
モニウム５％水溶液＋過酸化水素５％水溶液を用いた
が、この濃度に限定されるものではなく、別の濃度の水
酸化アンモニウム水溶液＋過酸化水素水溶液も使用可能
である。
モニウム５％水溶液＋過酸化水素５％水溶液を用いた
が、この濃度に限定されるものではなく、別の濃度の水
酸化アンモニウム水溶液＋過酸化水素水溶液も使用可能
である。
【００３９】また別の実施例では、塩酸水溶液、過硫酸
アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶
液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと
水酸化アンモニウムとを含む水溶液または水酸化アンモ
ニウムと過酸化水素とを含む水溶液を混合した溶液も砥
粒液として用いることが可能である。
アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸水溶
液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウムと
水酸化アンモニウムとを含む水溶液または水酸化アンモ
ニウムと過酸化水素とを含む水溶液を混合した溶液も砥
粒液として用いることが可能である。
【００４０】なお、上記した実施例１乃至実施例７の場
合、砥粒に平均粒径が略０．１μｍのＳｉＯ2 粒子を用
いたが、別の実施例では、砥粒に平均粒径が略０．０２
〜５．０μｍのＳｉＯ2 粒子あるいは平均粒径が略０．
５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粒子を用い、実施例１の場合と略同
様の効果を得ることができる。
合、砥粒に平均粒径が略０．１μｍのＳｉＯ2 粒子を用
いたが、別の実施例では、砥粒に平均粒径が略０．０２
〜５．０μｍのＳｉＯ2 粒子あるいは平均粒径が略０．
５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粒子を用い、実施例１の場合と略同
様の効果を得ることができる。
【００４１】次に、実施例８として平均粒径が略０．１
μｍのＳｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを用い、銅を
含有する金属膜１２を研磨した場合について、表面粗さ
を測定した結果について説明する。なお比較例４として
平均粒径が略０．１μｍのＡｌ2 Ｏ3 粒子を水に懸濁さ
せたものを用いて研磨した。この結果を下記の表２に示
す。
μｍのＳｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを用い、銅を
含有する金属膜１２を研磨した場合について、表面粗さ
を測定した結果について説明する。なお比較例４として
平均粒径が略０．１μｍのＡｌ2 Ｏ3 粒子を水に懸濁さ
せたものを用いて研磨した。この結果を下記の表２に示
す。
【００４２】
【表２】
【００４３】表２から明らかなように、銅を含有する金
属膜１２を研磨する場合、配線としての金属膜１２ａに
おける表面粗さは、砥粒としてＡｌ2 Ｏ3 粒子よりもＳ
ｉＯ2 粒子を用いる方が優れていることが分かる。
属膜１２を研磨する場合、配線としての金属膜１２ａに
おける表面粗さは、砥粒としてＡｌ2 Ｏ3 粒子よりもＳ
ｉＯ2 粒子を用いる方が優れていることが分かる。
【００４４】また図９は研磨後における銅を含む金属膜
１２ａの表面粗さとＳｉＯ2 粒子の平均粒径との関係を
示した曲線図である。実施例９として平均粒径が０．０
２μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍのＳｉＯ2 粒子を水
に懸濁させたものを用い、比較例５として平均粒径が
０．５μｍ、１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍのＳ
ｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを用いた。図９から明
らかなように、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下の
ＳｉＯ2 粒子を用いた場合、銅を含む金属膜１２ａの表
面粗さＲa が略０．０１μｍになる。
１２ａの表面粗さとＳｉＯ2 粒子の平均粒径との関係を
示した曲線図である。実施例９として平均粒径が０．０
２μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍのＳｉＯ2 粒子を水
に懸濁させたものを用い、比較例５として平均粒径が
０．５μｍ、１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍのＳ
ｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを用いた。図９から明
らかなように、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下の
ＳｉＯ2 粒子を用いた場合、銅を含む金属膜１２ａの表
面粗さＲa が略０．０１μｍになる。
【００４５】これらの結果から明らかなように、実施例
８、実施例９に係る配線の形成方法では、Ａｌ2 Ｏ3 粒
子に比べてＳｉＯ2 粒子は硬度が低く、細粒のため、銅
を含む比較的軟質の金属膜表面を傷付けることがなく、
研磨により配線の特性が損われるのを防止することがで
きる。
８、実施例９に係る配線の形成方法では、Ａｌ2 Ｏ3 粒
子に比べてＳｉＯ2 粒子は硬度が低く、細粒のため、銅
を含む比較的軟質の金属膜表面を傷付けることがなく、
研磨により配線の特性が損われるのを防止することがで
きる。
【００４６】なお、実施例８、実施例９では平均粒径が
０．１μｍ以下のＳｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを
用いたが、別の実施例では、ＳｉＯ2 粒子を塩酸水溶
液、過硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リ
ン酸水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモ
ニウムと水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液または前記水溶
液の混合液に混合したものを用いてもよく、この場合、
実施例１の場合と同様の効果が得られるとともに実施例
８、実施例９の場合と同様の効果も得ることができる。
０．１μｍ以下のＳｉＯ2 粒子を水に懸濁させたものを
用いたが、別の実施例では、ＳｉＯ2 粒子を塩酸水溶
液、過硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リ
ン酸水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモ
ニウムと水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液または前記水溶
液の混合液に混合したものを用いてもよく、この場合、
実施例１の場合と同様の効果が得られるとともに実施例
８、実施例９の場合と同様の効果も得ることができる。
【００４７】また上記した実施例１乃至実施例９の場
合、金属膜１２の形成にＥＣＲスパッタ法を用いたが、
その他例えばＣｕ（ＨＦＡ）2 、Ｃｕ（ＤＰＭ）2 、Ｃ
ｕ（ＡｃＡｃ）2 、Ｃｕ（ＦＯＤ）2 、Ｃｕ（ＰＰＭ）
2 等のガスを用いたＣＶＤ法等を使用しても金属膜１２
を形成することができる。
合、金属膜１２の形成にＥＣＲスパッタ法を用いたが、
その他例えばＣｕ（ＨＦＡ）2 、Ｃｕ（ＤＰＭ）2 、Ｃ
ｕ（ＡｃＡｃ）2 、Ｃｕ（ＦＯＤ）2 、Ｃｕ（ＰＰＭ）
2 等のガスを用いたＣＶＤ法等を使用しても金属膜１２
を形成することができる。
【００４８】また、上記した実施例１乃至実施例９の場
合、絶縁膜１１としてＳｉＯ2 膜の結果であるが、他の
絶縁膜ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＳＯＧ、ＢＰＳＧ
等においても略同様の結果を得ることができる。
合、絶縁膜１１としてＳｉＯ2 膜の結果であるが、他の
絶縁膜ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＳＯＧ、ＢＰＳＧ
等においても略同様の結果を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る配線の
形成方法（１）にあっては、砥粒液として塩酸水溶液、
過硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸
水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウ
ムと水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化アンモ
ニウムと過酸化水素とを含む水溶液または前記水溶液の
混合液を用いるので、研磨速度比Ｒを１より大きくする
ことができ、研磨の際の絶縁膜のストッパ効果を強める
ことができ、研磨が前記絶縁膜の表面に到達すると、研
磨の進行を抑制することができ、その結果、配線として
の金属膜厚の制御を確実に行なうことができる。また、
これらの水溶液はいずれも研磨装置の構成材料に対する
腐食性が弱いため、これらの水溶液を用いることによ
り、研磨装置の実用化を容易にすることができる。
形成方法（１）にあっては、砥粒液として塩酸水溶液、
過硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水溶液、リン酸
水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化銅アンモニウ
ムと水酸化アンモニウムとを含む水溶液、水酸化アンモ
ニウムと過酸化水素とを含む水溶液または前記水溶液の
混合液を用いるので、研磨速度比Ｒを１より大きくする
ことができ、研磨の際の絶縁膜のストッパ効果を強める
ことができ、研磨が前記絶縁膜の表面に到達すると、研
磨の進行を抑制することができ、その結果、配線として
の金属膜厚の制御を確実に行なうことができる。また、
これらの水溶液はいずれも研磨装置の構成材料に対する
腐食性が弱いため、これらの水溶液を用いることによ
り、研磨装置の実用化を容易にすることができる。
【００５０】また本発明に係る配線の形成方法（２）に
あっては、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下のＳｉ
Ｏ2 粒子を用いており、Ａｌ2 Ｏ3 粒子に比べてＳｉＯ
2 粒子は硬度が低く、かつ細粒のため、銅を含む比較的
軟質の金属膜表面を傷付けることがなく、研磨により配
線の特性が損われるのを防止することができる。
あっては、砥粒として平均粒径が０．１μｍ以下のＳｉ
Ｏ2 粒子を用いており、Ａｌ2 Ｏ3 粒子に比べてＳｉＯ
2 粒子は硬度が低く、かつ細粒のため、銅を含む比較的
軟質の金属膜表面を傷付けることがなく、研磨により配
線の特性が損われるのを防止することができる。
【図１】本発明に係る配線の形成方法の実施例を工程順
に示した模式的断面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形
成し、この絶縁膜の上面に金属膜を形成した状態、
（ｂ）は研磨により絶縁膜表面まで金属膜を除去した状
態を示している。
に示した模式的断面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形
成し、この絶縁膜の上面に金属膜を形成した状態、
（ｂ）は研磨により絶縁膜表面まで金属膜を除去した状
態を示している。
【図２】実施例１の塩酸３％水溶液を砥粒液として用い
た場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示し
た曲線図である。
た場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示し
た曲線図である。
【図３】実施例２の過硫酸アンモニウム５％水溶液を砥
粒液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率
との関係を示した曲線図である。
粒液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率
との関係を示した曲線図である。
【図４】実施例３の酸化クロム（６）飽和水溶液を砥粒
液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率と
の関係を示した曲線図である。
液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率と
の関係を示した曲線図である。
【図５】実施例４のリン酸３％水溶液を砥粒液として用
いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示
した曲線図である。
いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示
した曲線図である。
【図６】実施例５の水酸化アンモニウム５％水溶液を砥
粒液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率
との関係を示した曲線図である。
粒液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率
との関係を示した曲線図である。
【図７】実施例６の塩化銅（２）アンモニウム５％水溶
液と水酸化アンモニウム１０％水溶液との混合液を砥粒
液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率と
の関係を示した曲線図である。
液と水酸化アンモニウム１０％水溶液との混合液を砥粒
液として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率と
の関係を示した曲線図である。
【図８】実施例７の水酸化アンモニウム５％水溶液と過
酸化水素５％水溶液との混合液を砥粒液として用いた場
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。
酸化水素５％水溶液との混合液を砥粒液として用いた場
合における研磨速度比Ｒと銅含有率との関係を示した曲
線図である。
【図９】研磨後における銅を含む金属膜の表面粗さとＳ
ｉＯ2 粒子の平均粒径との関係を示した曲線図である。
ｉＯ2 粒子の平均粒径との関係を示した曲線図である。
【図１０】比較例１のｐＨ２．２の硫酸水溶液を砥粒液
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
【図１１】比較例２のｐＨ２．２の硝酸水溶液を砥粒液
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
【図１２】比較例３のｐＨ２．２の酢酸水溶液を砥粒液
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
として用いた場合における研磨速度比Ｒと銅含有率との
関係を示した曲線図である。
【図１３】従来の配線を形成する工程を示した模式的断
面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成し、この絶縁膜
の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）は研磨により絶
縁膜表面まで金属膜を除去した状態、（ｃ）は研磨をさ
らに続行した状態を示している。
面図であり、（ａ）は絶縁膜に溝を形成し、この絶縁膜
の上面に金属膜を形成した状態、（ｂ）は研磨により絶
縁膜表面まで金属膜を除去した状態、（ｃ）は研磨をさ
らに続行した状態を示している。
１１ 絶縁膜 １２ 金属膜 １２ａ 配線としての金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 凸凹を有する絶縁膜上に銅を含有する金
属膜を形成した後、砥粒及び砥粒液を用いて研磨により
平坦化する配線の形成方法において、前記砥粒液として
塩酸水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、酸化クロム水
溶液、リン酸水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、塩化
銅アンモニウムと水酸化アンモニウムとを含む水溶液、
水酸化アンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液または
前記水溶液の混合液を用いることを特徴とする配線の形
成方法。 - 【請求項２】 凸凹を有する絶縁膜上に銅を含有する金
属膜を形成した後、砥粒及び砥粒液を用いて研磨により
平坦化する配線の形成方法において、前記砥粒として平
均粒径が０．１μｍ以下のＳｉＯ2 粒子を用いることを
特徴とする配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23826393A JPH0794455A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23826393A JPH0794455A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794455A true JPH0794455A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17027586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23826393A Pending JPH0794455A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794455A (ja) |
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| US5726099A (en) * | 1995-11-07 | 1998-03-10 | International Business Machines Corporation | Method of chemically mechanically polishing an electronic component using a non-selective ammonium persulfate slurry |
| JPH10125639A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Motorola Inc | 半導体ウェハの研磨方法 |
| WO1998054756A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Hitachi, Ltd. | Procede de polissage et procede de fabrication de composant a semi-conducteur dans lequel ledit procede est utilise |
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| JP2001185515A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 研磨方法、配線形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置 |
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| US6562719B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| KR100387257B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-06-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| JP2007243206A (ja) * | 2007-04-12 | 2007-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2010034581A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-12 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
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1993
- 1993-09-24 JP JP23826393A patent/JPH0794455A/ja active Pending
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