JPH0797485B2 - 画像記録システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は原稿或いは風景等の被写体による光学像を記録
する画像記録システムに関わり、特に上記光学像を軽量
簡易に記録し更にこれを電気信号として記録又は出力す
る画像記録システムに関する。

〔従来技術〕

画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録後液
式あるいは乾式のトナー（インク）により、顕画像と
し、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画
像をCCD（チヤージカツプリングデバイス）等を用いた
デジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信号
に変換して出力する方式等多種ある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。

一方後者のCCD等のデジタル光電変換素子で画像を読み
取る場合、これが一次元に配列した素子であれば原稿を
メカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に形
成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応に
素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
く。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。

一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ（たとえばビデオテー
プ等）が必要である。したがって、携帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。

さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
イルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フイルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。

本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得るしかも耐衝撃性
に優れた画像記録システムを提供すること等を目的とし
ている。

〔問題点を解決する為の手段〕

本発明の画像記録システムでは、感光体と、該感光体を
移動させる駆動手段と、該感光体をビームにより走査す
る走査手段と、前記感光体、駆動手段、走査手段を収納
する真空容器と、前記感光体に対し前記真空容器外から
光学情報を導く光学系と、前記真空容器及び光学系とを
互いに一体的に固定する固定手段と、該固定された真空
容器及び光学系をカメラ本体に対して弾性的に支持する
弾性部材を有する。

〔作用〕

真空容器内に感光体と、該感光体を移動させる駆動手段
と、感光体をビームで走査する走査手段とを設け更に、
この真空容器外から前記感光体に対して光学像を導く光
学系を設けて、真空容器と光学系とを互いに固定手段に
より固定した状態で更にカメラ本体に対して両者を弾性
部材により支持させるようにしているので、カメラ本体
に対して衝撃が加わっても真空容器が破損することがな
く、しかも、真空容器と光学系が一体的に固定されてい
るから光軸がずれることもない。

〔実施例〕

第１図および第２図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第１図は上側透視図、第２図
は正面透視図である。

本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフイルム状の画像蓄積体４、該画像蓄積体４
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部１、蓄積体４に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体４を電子ビームで走査する
画像読取り部２、および該読取り部２を駆動するための
外部電源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に
接続する入力端子、外部メモリ等に出力するための出力
端子から成るコネクタ部３等から成る。

更に詳述すると、記録部１内には光学系11、絞りシヤツ
タ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系11によ
る光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成されて
いる。

102は保持容器であって画像蓄積体４が巻取り軸41,42に
巻付けられた状態で張設されている。この巻取り軸41,4
2の一端にはローターマグネツト501,502が固設されてお
り、上記軸41,42はステージ101の不図示の軸受けにより
マグネツト501,502と共に回転可能に取り付けられてい
る。

又、第１図ではステージ101は省略されているが、この
ステージ101上にビーム走査部21が固定されている。こ
のビーム走査部は電界又は磁界を形成し、しかもこれを
変化させることにより電子銃23から射出される電子ビー
ムを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビームで走査
する。

23は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム走
査部21により集束偏向された後メツシユ電極200を介し
て蓄積体４に照射され、この蓄積体から放出される２次
電子をメツシユ電極200で検出するよう構成されてい
る。メツシユ電極200からは不図示のリード線が保持容
器102内の壁面を伝わりコネクタ３の出力端子に接続さ
れているものである。

又、このメツシユ電極には上記リード線を介して所定の
正のバイアス電圧を印加することが好ましい。

以上の巻取り軸41,42、マグネツト501,502、ステージ10
1、ビーム走査部21、電子銃23等は保持容器102内に収容
されており、容器102内は真空に保たれている。

電子銃23、ビーム走査部21の電源端子、信号入力端子、
出力端子はコネクタ３に設けられており、このコネクタ
３はカメラ100外に露出可能になっており、通常は蓋201
により覆われている。202は記録再生装置204からケーブ
ル203を介してカメラ100に対して電源ビーム集束偏向信
号を供給すると共に、カメラ100から出力される画像信
号を入力する為のコネクタで、このコネクタ202とコネ
クタ３は蓋201を開いた状態で接続可能となる。207は外
部電源入力端子でコネクタ３に設けられており、このコ
ネクタ３にコネクタ202を接続したとき記録再生装置204
からの電源がこの端子207にも供給されるよう構成され
ている。この端子はスイツチ205の一端に接続されてい
る。スイツチ205のもう一端にはバツテリーパツク５か
らの内部電源が接続されており、この２種類の電源は選
択的にコイル503及び504やその他の電気回路をドライブ
する為のドライブ回路208に供給される。又、206はシス
テムコントローラであり、シヤツタスイツチ13、蓋201
の開閉信号等が入力されており、蓋201が開くとスイツ
チ205を端子207側に接続する。又、蓋201が閉じている
とバツテリーパツク５側に接続するよう切換える。

尚、210,211は発光ダイオード（LED）で蓄積体４に対し
後述する如く光を照射する為のものである。14はフアイ
ンダである。

このように構成されているのでカメラ100による画像記
録時はカメラ内のバツテリーパツクによりドライブ回路
208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体４の間
欠的移動が行なわれ１画面ずつ蓄積体に光学像を潜像と
して記録することができる。

又、読み出し時にはカメラ100のコネクタ３に記録再生
装置204のコネクタ202を接続すると、これに先立つ蓋20
1の開成に伴って電源ラインがスイツチ205により切換わ
り、記録再生装置204からの電源の供給が可能となる。

従ってカメラ携帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。

又、コネクタ３とコネクタ202の接続動作に関連して内
部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体から
読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗することが
ない。

又、実施例では画像蓄積体４を真空室内に封入すると共
にこれを外部より移動可能としているので高解像度の画
像情報を多量に蓄積することができる。

しかも読み取りもワンタツチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。

又、蓄積体４を移動させる為の駆動軸を真空の保持容器
外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モーター
を保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易
い。

尚、本発明において画像蓄積体４に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ツプの分布による潜像で良い。

上記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。尚、蓄積体４をテープ状とせずガ
ラスを基板とする回転デイスクの上にこの蓄積体を設け
ても良い。こうすれば蓄積体の平面性を安定に出すこと
ができる。

尚、上記実施例ではメツシユ電極で２次電子を検出した
が後述の如く電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。

以下、本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。

先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。

第３図は第1,2図実施例に用いる画像蓄積体４の縦断面
図であって、全体はフイルム形状をなしており、56の透
明な基体フイルム上にバリア層50、透明導電層51、Ｎ型
光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層55を積層したも
のである。以下各層について述べると、基体56は、十分
な屈曲性と透光性があり、かつフイルムローデイング時
の張力によって切断することない材質からなる。たとえ
ばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子
フイルムが好ましい。また、上記特性を満足させる為フ
イルムの厚みは、ポリエチレンテレフタレートの場合10
〜50μｍが望ましく、ポリイミドフイルムでは５〜50μ
ｍが望ましい。透明導電層51は、酸化スズあるいは酸化
インジウム又はこれに若干の酸化スズを含むものが用い
られる。この層は公知のスパツタ等の方法により成膜さ
れたものであり、透光性及び十分な導電性が得られる厚
みで数10〜数100nmが望ましい。

Ｎ型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等のＮタイプの光導
電体を蒸着あるいはスパツタによって形成したものであ
って光の受容により十分な電子・正孔ペアを発生し、か
つ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡散が無視できる
程度の厚さに成膜されている。例えば100nm〜数μｍの
範囲が望ましい。次に絶縁層53は、SiO₂,MgO等の高絶縁
性の薄膜で、スパツタ等の方法により成膜される。膜の
厚みは十分な絶縁性を持たせる為に、数百nm〜数10μｍ
が望ましい。次に、半導電性膜55は、ビームから導電層
を保護する為にガラス等の膜あるいは、KCl（塩化カリ
ウム）等の多孔質膜で膜面方法の抵抗が膜厚方向よりも
高く十分な絶縁性を示すのもであり、膜の厚さが記録画
像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、たとえば1000
本/mmの解像度の画像とする為に膜厚を数100pm〜数百nm
にすることが望ましい。また、光導電層52と透明導電層
51の間に設けたバリア層50は暗減衰並びに暗部における
負電荷の注入を防止する為の層でありCdSO₃,CdSeO₃等を
スパツタにより成膜したものである。この膜厚は２〜数
10nmが望ましい。

次に上記画像蓄積体への光記録について第４図（ａ）〜
（ｃ）を用いて述べる。

暗所において透明導電層51をアース又は負として半導電
層55に例えば導電性ブラシ又はロール57,57′等を用い
て正電荷を第４図（ａ）のように付与する。この付与さ
れた正電荷はただちに半導電層55を通して注入される。
次に第１図の露出部材EMが開き画像露光が行なわれ、光
Ｌの当った部分は光導電層52の抵抗が下がり透明導電層
51から負電荷がバリア層を抜け光導電層52へ注入され第
４図（ｂ）の状態となる。次に露出部材EMが閉じた後透
明導電層51をアースに落とし、このアースと短絡された
導電性ブラシまたはロール59,59′にて半導電層55を通
して暗部の正電荷と透明導電層51の負電荷を短絡して消
去するとともに、明部の表面電位が０になるように第４
図（ｃ）の如く正電荷を、半導電層55と透明導電層51へ
分布させる。次に透明導電層51をアースとしておき、画
像蓄積体４を前述のLED210,211で全面露光すると、光電
導層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負電荷が
消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第４図（ｄ）の
如く残ることとなり、表面を正電位とする記録が行われ
る。

前記、画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパツター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体（光導電
体）を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成でき
る。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に
比べ10倍以上引き上げられることになった。

第５図および第６図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部１の詳細を示しこの動作１例につい
て第１図、第２図を用いて述べる。

被写体を決め、第２図におけるシヤツタスイツチ13をハ
ーフスイツチングの状態にすることにより第５図、第６
図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ57′との間
で電圧印加するとともに駆動コイル503,504を作動しフ
イルムを図示矢印60方向に送る。

これにより、まず画像蓄積体４上を一様に帯電する。

次にシヤツタスイツチ13をフルスイツチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系11を通して画
像蓄積体４を必要光量露光し、第４図（ｂ）の状態で画
像を記録する。

次にシヤツタスイツチ13を解除すると再度駆動コイル50
3,504が作動し、フイルムを矢示60方向に１画面分移動
するとともに接地ブラシ59,59′により全面除電を行な
い第４図（ｃ）の状態で画像が保持蓄積状態となる。こ
の後矢示60と反対方向にフイルムを１画面分戻すことに
より、次画面の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都
合の良い位置に保持する。

尚第１図、第５図において保持容器102はガラス等によ
り形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録部１
においては充分に透明でありしかも画像露光の光路とな
る部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及ぼさ
ない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行であること
が望ましい。

または上記保持容器102の光路部分を直接レンズとして
加工することも可能である。

尚、第５図、第６図においてブラシローラ57,57′,59,5
9は前記した電圧印加を行なうとともに画像蓄積体４に
対し軽いテンシヨンをかけるように為されており画像露
光、あるいは後述の電子ビーム走査に対して常に一定
角、好ましくは光路の軸に対して直角に保つようにす
る。このようにすることで画像記録、読出しに対しての
解像度が良好に保てる。

尚、このように蓄積体４に対する帯電、除電の為のロー
ラ又はブラシを蓄積体４の記録部１の平面性を出す為の
テンシヨンローラと兼用することにより、構成を簡略化
することができる。

又、第６図（ａ）のように帯電又は除電の為のローラ又
はブラシの内の接地された一方のローラ又はブラシを有
効画面EF（電子ビームによる走査画面範囲）の外側、か
つフイルム状蓄積体４の巾方向の端部に設け、又、これ
に対応してフイルム状の蓄積体４の層の構造を第６図
（ｂ）の如くしたので構成がより簡略化される効果を有
する。

尚、ここで前記画像蓄積体４での記録画像の保持は前記
第４図（ｃ）のプロセス終了状態での保存が望ましい。
前記第４図（ｃ）に示す様に画像蓄積体４の表面を外部
に電界が生じない（接地）電位にしておくことで、画像
蓄積体４をフイルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体56および導電層51を合わせた導電基体を使用する場
合にはこの良好な保持効果が大きい。

もちろん第４図（ｄ）に示す状態での保持も可能であ
る。

上記においては、画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。

又、以上述べて来た画像蓄積体４の記録方法において、
該蓄積体４の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用いて
いたが、別途手段として本発明の画像記録システムに内
蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の帯電
方法を第３図を用いて述べる。

電子銃23を用いた場合は、導電層51を背面電極とするこ
とになり加速電圧により画像蓄積体４の半導電層55に付
与される電荷の極性が変化する。すなわち帯電時に画像
蓄積体４付近にあらかじめコレクタ電極を設けるか、又
は除帯電時のみコレクタ電極を設け、この電極の電圧を
十分高くすると共に、電子ビームを低速電子ビームとす
れば、初期に該半導電膜55の表面が0Vとすると、ある電
圧V_A以下の加速電圧迄は電子銃から半導電層55に向う１
次電子の量が、衝突によって発生する２次電子の量より
も多いため、半導電層を負に帯電することとなる。又、
加速電圧がV_Aの場合、１次電子と２次電子の量がほぼ拮
抗しており、該半導電層の表面は0Vの状態となる。さら
に加速電圧を上でV_Aより大きくなると、入力１次電子よ
りも２次電子の方が多く放出するため、該半導電層の表
面は正に帯電することになる。このV_Aの値は材料によっ
て異なるが該半導電層の下部が絶縁層53からなるため約
20〜50Vの値である。また、上記方法はあくまでもコレ
クタ電圧が正で十分高いことにより２次電子がほとんど
捕集される為に可能な方法である。

又、画像蓄積体４への帯電が負である場合は、前述の如
く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフイラ
メントを別途に設置し、このフイラメントからの熱電子
放出を利用することも可能である。

上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、２次電子放出が１次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略0Vとして、これを
＋V_Cボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の陰極
に−（Va＋α）の電圧を印加し、さらにコレクタ電極に
所望の帯電電圧＋V_Cを印加しておく、さらに該画像蓄積
体の導電層51をアースに落しておく。このように電圧を
設定することにより、該画像蓄積体上の半導電層55に１
次電子ビームが入射すると上記設定では２次電子放出が
１次電子入力よりも多く、かつ、放出した２次電子がコ
レクター電極に全て取り込まれる為、半導電層は徐々に
正帯電されて行く。帯電が進み表面電位がコレクター電
位を越えると２次電子はコレクター電極へ移動できなく
なり、半導電層に戻り、一次電子の入力分だけ電位が下
がり一定の表面電位V_Cが保たれることとなる。

次に、半導電層55を負に帯電する場合について述べる。
この場合帯電電位を−V_Cボルトとすると、陰極電位は−
（V_A＋V_C＋α）ボルトに設定する。但し、半導電層55の
表面電位は概略0Vであるとする。この場合、放出される
２次電子は全て半導電層に戻る為１次電子の入力分だけ
半導電層は負に帯電していく。そして−V_Cボルトよりも
低い電位になると、コレクター電極の電位が半導電層の
表面電位に対し相対的に正になる為、２次電子が捕集さ
れ、正に半導電層が帯電されることとなる。よって−V_C
ボルトに安定帯電される。

以上のように電子銃を用いて帯電を行なうと、ブラシ、
ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、帯
電時間も短く、また帯電位の制御も容易になる。

次に除電方法につい述べる。上述したようにコレクター
電極の電位によって帯電が制御できることから、コレク
ター電位を0Vに設定すれば除電は可能となる。又、半導
電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を十分
高くして放出２次電子が全て捕集されるようにし、半導
電層の帯電電位を＋V_Sとし、陰極の電位をV_Kとすると
（V_S−V_K）＜V_Aとなる条件で電子ビームの照射を行ない
V_Sを徐々に0Vに近づけることにより除電することも可能
である。但しV_S＜V_Aの場合はV_K＝０として十分な除電が
可能である。当然上記除電において導電層51はアースに
落されている。

このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。

除帯電時の電流が少なく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。

尚、画像蓄積体４の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシ又はロールを半導電層55に接触させ
て移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積体
の有する半導電層を除電用ブラシ又ロールあるいは電子
ビームで0Vとし透明導電層を0Vとして光を全面照射する
ことで可能となる。

次に本発明記録装置における画像読取り部２について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54-29915号に
その１例の詳細が記述されているのでここでは簡単に説
明する。

第１図においてコネクタ３に外部より読取り部駆動電源
および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケー
ブル203が接続されると、画像読み出しが可能となる。
なおビーム偏向を制御する為の読取り部駆動制御回路は
本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良いし、
カメラ100内に設ける様にしても良い。

読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体４に入射すると２次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0.1μ以
内の領域で発生したものである。ところが、その外部に
放出する２次電子は画像蓄積体の表面電位に影響され
る。即ち、表面電位が正であれば前記２次電子はそれに
より引きつけられるため放出され難く、又、電位がマイ
ナスであれば逆に反発され２次電子量は増加する。従っ
て、画像担持体に電子ビーム５を入射する時、前記感光
板近傍に２次電子集束用のメツシユ電極200を設ければ
電極200の出力は電子ビームの当っている個所の表面電
位に対応したものとなる。即ち、この出力は画像蓄積体
に記録された画像情報を時系列電気信号に変換したもの
となる。電子ビームを読み出し手段に使用することは、
ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行なわれる
こと、ビーム径が数μ以下に容易に絞れることから高分
解能である事など多数の利点を有する。

又、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の潜
像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能であ
る。

第７図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第７図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であ
り、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム５が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によって集束
され、偏向用コイル304により偏向され、画像蓄積体４
上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷像にあた
るとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち正電荷を
中和し、残りの電子が戻りビーム５′となり、電子銃の
方へ戻る。したがってこの戻りビーム５′は電荷像に対
応して強弱のコントラストをもっているため、これをダ
イノード305で受けることによりここから発生する二次
電子を多段で増巾した後、コレクタ306から電気信号と
して取り出すことが出来る。

本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめ
る。

次に前記の第３図、第４図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部２の動作について第１図
〜第４図を用いて説明する。

前記記録部１の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体４は、第４図（ｃ）に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。

ここで記録再生装置204への接続がコネクタ３、202によ
りなされ不図示のスイツチにより読出し動作を開始す
る。

これにより上記の状態で保持されたフイルムの画像は、
長時間の保存により、第４図（ｄ）に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第４図（ｄ）に示す潜像
の状態になっていることもありうるが、本実施例では、
画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す画像
面をLED210,211一定時間全面露光し、より良好な表面電
位パターン（第４図（ｄ））としての静電潜像にする。

次に電子ビーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。したがって画像をCR
Tで確認したり、またはプリンタで出力することが可能
となる。

なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はＰ型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第４図
（ａ）における表面全面帯電を負帯電としても良い。

第８図は記録再生装置204の構成例を示す図で、400はAC
コード、401はAC/DCコンバータ、402は電源回路、403は
集束、偏向回路404は同期信号発生回路、405はプロセス
処理回路、406は変調回路、407は記録再生切換スイツ
チ、408は記録再生ヘツド、409はデイスクモーター、41
0は復調回路、411はエンコーダー、412は出力端子、413
はデイスク状記録媒体である。

コード400より供給されるAC電源はAC/DCコンバータで直
流に変換された後更に電源回路402で適当な電圧に変換
されて各回路に供給される。

又、ケーブル203を介してコネクタ202にも電源を導いて
いる。集束偏向回路403は同期信号発生装置404からの水
平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の鋸波を形成
し、これをやはりケーブル203を介してコネクタ202に導
く。

コネクタ202よりケーブルを介して得られた画像信号は
プロセス処理回路405でα補正、アパーチヤ補正、黒レ
ベルクランプ、ホワイトクリツプ等の各種補正を加えた
のち変調回路406において記録に適した変調を加えスイ
ツチ407、ヘツド408を介して媒体413に１トラツクに１
フイールド分記録される。再生時はヘツド408から読み
出された信号は復調回路で再び元の信号に戻された後、
エンコーダで標準テレビジヨン信号（例えばNTSC信号）
に変換した後出力端子412に導かれる。

従ってこのNTSC出力端子412にTV受像機を接続すること
により画像を１フイールドずつモニターできる。

勿論デイスク状媒体に２フイールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。

尚、ここでエンコーダーはPALやSECAM方式に対応したも
のであっても良いことは言うまでもない。

第９図、第10図は、本発明の実施例の構成変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体４の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体４が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
102内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟っ
て大きな効果を出すものである。

第９図は、前記第５図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第３図における基体56、導電
層51を透明にする必要がなく、たとえば基体56および導
電層51を合わせて金属薄体等の導電基体で形成すること
が出来るので摩擦帯電を防止できる。又、走査読み取り
部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向の構成をコ
ンパクトにすることができる。尚この場合前記像露光時
にフレアや干渉が越えられない様に導電基体上にブラス
トや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望ましい。
又、図においてアースをとる為のブラシ、ローラー5
9′、57′はどちらか一方でも良い。

第10図は、第９図に示した構成の更なる変形例であり、
記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメラ
の撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄積
体の構造を簡単化することがでる。

第９図（ｂ）は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた２次電子を検出する例として挙げ、２次電子を
検出するコレクタCEDをメツシュ電極の代わりに設けた
例を示した。

また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極600および接地電極57′の一構成例を示し
た。尚、700は交換レンズである。

第11図はフイルムローデイング手段の他の実施例を示
す。第11図例では第２図に示したローデイング手段にお
けるマグネツト501,502と駆動コイル503,504の取りつけ
位置を逆にしたもので、真空容器102内に駆動コイル601
を容器102外の支持フレーム605にマグネツト602を設け
たものである。駆動コイル601は第11図に示す通電ブラ
シ603により電流が供給される。第２図及び第11図に示
す構成は通常のDCモータ構成と同様であり、公知の方法
で駆動することが出来る。

ここで第11図実施例に対して更に以下の様にすることで
本発明画像記録システムに改良を与えることができる。
すなわち前記マグネツト602を画像読取り時には、容器1
02により離間しうる構成にするものである。この様にす
ることで読取り時に走査する電子ビームにマグネツト60
2が磁気的に悪影響を与えない様にすることができる。

第12図に上記マグネツト602を離間させるための手段の
一例を示す。第12図例では、マグネツト602を取りつけ
た支持フレーム605をコネクタ３の蓋201′と兼ねた構成
にしたものである。画像担持体４の画像記録終了後、読
出し時においてコネクタ３に外部からのコネクタ202を
接地する為に前記蓋201′を開けるがこのとき、第12図
に矢示するように支持フレーム605全体を装置外装に対
して下にスライドすることにより、前記マグネツト602
も同時に容器102より離間する様にするものである。

又、支持フレーム605はマグネツトの離間時紛失しない
ように例えば紐などで本体につないでおくことが望まし
い。

第20図はフイルム巻き取りを手動にした１例を示す。図
示例においては巻き上げレバー700によりマグネツト701
を回転させ、これにともない画像蓄積体４の巻き取り軸
702に固定したマグネツト702を回転させる様にしたもの
である。

本例の様に手動巻き上げレバー700を設けたことにより
第１、第２図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイツチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに連動させて行えば良く、シヤツタスイツチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。

尚、実施例では磁気シールド板704をマグネツト701、70
3と少なくともビーム走査部21の間に設けているのでビ
ーム走査に障害を与えることがない。勿論容器102外に
設けても良い。

第20図においては読取り時においては巻き上げレバー全
体を上に引き上げる様にすることでマグネツト701を前
記と同様、容器102より離間することが出来る。

このように本発明の実施例では記録部と読取り部とは互
いにそれぞれの状態を変化させることなく独立に駆動可
能とした点に最大の特徴を有している。

すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラ10
0から取り出して読取り部の容器102内に何らかの方法で
封入し真空状態としてから読み出すような方法ではカメ
ラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として成り立
ちにくいが、本発明によれば記録部における記録動作と
読取り部における読み出し動作とを夫々独立させ、か
つ、夫々の動作を夫々記録部、読取り部の状態を変える
ことなくそのまま（第１図示実施例のように初めから容
器内に入っているものも含む）蓄積体の記録情報を読み
出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即時にでき
る。

次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。

第13図は本発明に用いる画像蓄積体４の縦断面図であっ
て、全体はフイルム形状をなしており、56の透明な基体
フイルム上に透明導電層51、Ｎ型光導電体層52、透明絶
縁層53、Ｐ型光導電体層54、半導電層55を積層したもの
である。以下各層について述べると、基体56は十分な屈
曲性と透光性があり、かつフイルムローデイング時の張
力によって切断することない材質からなる。たとえばポ
リエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子フイ
ルムが好ましい。また、上記特性を満足させる為フイル
ムの厚みはポリエチレンテレフタレートの場合10〜50μ
ｍが望ましく、ポリイミドフイルムでは５〜50μｍが望
ましい。透明導電層51は酸化スズあるいは酸化インジウ
ム又はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。
この層は公知のスパツタ等の方法により成膜されたもの
であり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数10
〜数100nmが望ましい。

Ｎ型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等のＮタイプの光導
電体を蒸着あるいはスパツタによって形成したものであ
って光の受容により十分な電子・正孔ペアを発生し、か
つ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡散が無視できる
厚さに成膜されている。例えば100nm〜数μｍの範囲が
望ましい。次に絶縁層53はSiO₂,MgO等の高絶縁性の薄膜
で、スパツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十
分な絶縁性を持たせる為に、数μｍ〜数100μｍが望ま
しい。次に、Ｐ型光導電体層54は無定形Se、同SeTe無定
形Si等のＮタイプの光導電体を蒸着あるいはスパツタに
よって形成したものであり、成膜条件等はＮ型光導電体
52のそれに準じる。

次に、半導電性膜55は、ガラス等の膜あるいは、KCl
（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方法の抵抗が膜厚
方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚
さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く。た
とえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を100pm〜
数10nmにすることが望ましい。

次に上記画像蓄積体への光記録について第14図（ａ）〜
（ｃ）を用いて述べる。

暗所において透明導電層51をアース又は負として半導電
層55に導電性ブラシ又はロール257を用いて正電荷を第1
4図（ａ）のように付与する。この付与された正電荷は
ただちに半導電層55を通して注入され第14図（ｂ）の様
になる。次に第１図示装置の露出部材EMによる所定量の
画像露光が行なわれ、光Ｌの当った部分は光導電層52,5
4の抵抗が下がり透明導電層51から負電荷が光導電層52
へ注入され、さらに正電荷が光導電層54へ注入されて、
第14図（ｃ）の状態となる。次に露出部材EMにより遮光
をし、更に透明導電層51をアースに落とし、これと短絡
された導電性ブラシ又はロール259にて半導電層55を通
して暗部の半導電層55の正電荷と透明導電層51の負電荷
を消去すると共に、明部の表面電位が０になる様に第14
図（ｂ）の如く正負電荷を半導電層55と透明導電層51へ
注入する。次に透明導電層51をアースとしておき、画像
蓄積体４を前述のLED210,211で全面露光すると、光電導
層52,54の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負電荷
が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第14図（ｂ）
の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録が行わ
れる。

この記録方法によれば蓄積された電荷像が、第14図
（ｅ）に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるた
め暗所で放置する限り、その保存性が向上される。

次に第15図を用いて第13図にて説明した画像蓄積体４の
変形例と記録方法について説明を加える。第15図に示す
画像蓄積体４は第13図示の画像蓄積体４のうち、半導電
層55の代りにＰ型光導電体層54に接する面を導電層とし
た電極プレート59に置き変えたものであり、他の構成は
画像蓄積体32と同じものである。電極プレート59はガラ
ス等の基板に酸化スズ、酸化インジウム、あるいはこれ
らの混合体をスパツタ等により成膜した導電層を持つも
のである。

この場合の記録法について第15図（ａ）〜（ｄ）を用い
て説明する。

透明導電層51の負、電極プレート59を正としてパルス状
の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光を行な
うと、第15図（ａ）のように、光Ｌの当った部分は光導
電体52、54の抵抗が下がり、透明導電層51から負電荷が
光導電層52へ注入され、さらに正電荷が光導電層54へ注
入される。次いで露光部材EMによる露光を停止してから
パルス電圧を除去すると第15図（ｂ）に示すように画像
蓄積体４の外部への電位が０になるように露光部に当る
各導電層の各々逆電荷が注入される。次のこの画像蓄積
体４に接触している電極プレート59を該蓄積体４から剥
離され第15図（ｃ）のような状態になる。この状態でも
十分画像蓄積体として保存が可能であるが、さらに該蓄
積体４をLED210,211で全面露光し第15図（ｄ）のように
絶縁層の両端にのみ電荷を保持する状態にして保存する
ことも可能である。

この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フイルムのローデイング時のムダな動きが
なく、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。

前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。

第16図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積体
４である。記録体の層構成は、透明基体フイルム67上に
これも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62、Ｐ型光導電
体63、圧電体層68、Ｎ型光導電体64、透明絶縁膜65、半
導電層66の各層を積層したものである。透明基体フイル
ム67は前述の基体フイルム56と同じものであって、十分
な透光性と強度・屈曲性を有しており、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド等の高分子フイルム等が好ま
しい。透明導電層61は厚さ数10〜数100nmの酸化インジ
ウム、あるいはこれに若干の酸化スズが含まれた層であ
り、十分な透光性を有する。次に透明絶縁膜62、65はSi
O₂、MgO等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパツタリン
グ等により薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚
みは十分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調
整される。望ましくは数100〜数1000Åである。

次に、半導電性膜66は、ガラス等の膜、あるいはKCl
（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚
方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚
さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、た
とえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数100pm
〜数10nmにすることが望ましい。

次に圧電体層68はPb（Zr,Ti）O₃セラミツクスあるいはB
aTiO₃セラミツクスの薄層であり、それぞれ10μｍ以下
の厚みであれば十分な透光性を有する。又、十分な圧電
性を保障する為5000Å以上の厚みがあれば良い。又、こ
の圧電体層は成膜後電荷発生方向を考慮して十分ポーリ
ングされている。Ｐ型光導電層63は無定形SeTe合金、あ
るいは無定形Si等からなるポジタイプの光導電体でＮ型
光導電層64は、CdS,CdSe,ZnO等からなるネガタイプの光
導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。また、膜
厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれば良
く、望ましくは1000Å〜数μｍの範囲で適宜調整されて
いる。次に記録方法について以下に詳述する。簡単のた
め基体フイルム67を除いたもので第17図（ａ）〜（ｄ）
を用いて説明する。まず第17図（ａ）に示すように矢印
Ａの方向に記録体４全体に張力Ｆを加えるか、又は記録
体４の積層方向に圧力Ｆを加える。この時、加えられる
力Ｆによって圧電体層68にあらかじめポーリングしてお
いた方向に正負の電荷が図のように発生する。次に、暗
所において透明導電層61をアース又は負とし、半導電層
66は導電性ブラシ又はロール57を用いて導電層61が負、
半導電層66が正になるようにバイアス電圧をかけた後に
像露光58を行う。この時、圧電体層68の両端の正負電荷
は光の当った部分の光導電体の抵抗が下がり、バイアス
電圧により同図（ｂ）に示すごとく、各々の光導電体層
と絶縁層の界面迄移動する。次にこの記録体にかかって
いる圧力を除去すると非露光部の圧電体層にのこってい
る電荷がなくなり露光部には逆電荷が発生し同図（ｃ）
に示す状態となる。次の導電層61と66を半導電層側は導
電ブラシ又はロール57′を用いて短絡してアースに落と
すことで前述の光が当った部分のみ電荷が保持され記録
材上に同図（ｄ）に示す静電像が保存されしかも表面電
位はゼロボルトとすることができる。

以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。更に感光体が電極と触れ
ない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。

次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。CdS,CdSe,ZnO,ZnTe等の
光導電体は通常バインダーと混合して、光導電体として
用いることが多いが、スパツタ等の方法により結晶性を
高めて成膜し、ポーリングを行うか又は結晶性が悪い場
合でも強電界により強くポーリングさせておくことによ
り圧電性光半導体として用いることが可能となる。第18
図にこの圧電性光導電体を用いた画像蓄積体４の縦断面
図を示す。画像蓄積体４の構成は、透明基体フイルム75
上に透明導電層74、Ｎ型の圧電性光導電層73、絶縁層7
2、半導電層71を積層したものである。以下各層につい
て述べると、基体73は十分な屈曲性と透光性があり、か
つフイルムローデイング時の張力によって切断すること
ない材質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミド等の高分子フイルムが好ましい。また、
上記特性を満足させるためフイルムの厚みはポリエチレ
ンテレフタレートの場合10〜50μｍが望ましく、ポリイ
ミドフイルムでは５〜50μｍが望ましい。透明導電層74
は酸化スズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の
酸化スズを含むものが用いられる。この層は公知のスパ
ツタ等の方法により成膜されたものであり、透光性およ
び十分な導電性が得られる厚みで数10〜数100nmが望ま
しい。

圧電性Ｎ型光導電体層73は、CdS,CdSe,ZnO等のＮタイプ
の光導電体をスパツタ等の例えばuSP4,363,711に示され
る公知の方法によって形成したものであって、MHzオー
ダーの周波数の外場中で上記CdS等の単分子層をRFスパ
ツタによって積層したものである。さらにこの成膜した
感光層は成膜後強い直流電場中において所望する向きに
第１圧電性を示す様にポーリンクされる。また光の受容
により十分な電子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁
性が確保され、光の内部拡散を無視できる程度の厚さに
成膜されている。例えば100〜数μｍの範囲が望まし
い。次に絶縁層72は、SiO₂,MgO等の高絶縁性の薄膜で、
スパツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な
絶縁性を有する為に、数μｍ〜数10μｍが望ましい。次
に、半導電性膜71は、ガラス等の膜あるいは、KCl（塩
化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向
よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さが
記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例えば
1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数100pm〜数10
nmにすることが望ましい。

次に画像蓄積体36への記録方法について第19図（ａ）〜
（ｄ）を用いて述べる。記録に際しては第19図（ｃ）に
示す、ガラス基板77上に、酸化スズ等の導電体を蒸着し
た補助電極80が用いられる。記録はまず同図（ａ）に示
すように画像蓄積体４を矢印の方向に力Ｆで引っ張りな
がらLED210,211で全面に光を与えてその後光を遮断し圧
力をなくす。これにより同図（ｂ）に示すようにあらか
じめポーリングされた方向に圧電性の正負電荷が発生す
る。次に第19図（ｃ）に示すように補助電極80を半導電
層71に導電層76が接するように接触させ、導電層76と74
を短絡しアースに落とし、第１図示装置の露出部材EMに
より所定量の露出を行なう。この露光により光の当った
部分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分の蓄
積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は（ｃ）
図に示すように、該蓄積体４の表面電位が０になるよう
に各導電層76,74に正負電荷が注入される。そして導電
層76に注入された正電荷は、ただちに半導電層71に注入
される。この状態で導電層74をアースとして補助電極80
を除去し、次に該蓄積体を再びLED210,211で全面露光す
ると同図（ｄ）に示す記録保持状態となる。

この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。

尚、以上の実施例において例えば巻取り軸41,42やマグ
ネット501,502のような可動物を真空容器中に入れた上
で、その真空容器を含む装置を構成している為振動に対
して弱い面を持っている。しかし本装置の扱いが極めて
丁寧に行われなければならないのであればその用途は大
幅に限定されてしまう。

従って、第21図（ａ），（ｂ）に示す様に、保持容器10
2全体をカメラ筐体100′からバネ等の弾性部材で浮か
し、防震することが好ましい。しかもその場合光学系11
が例えば第１図のカメラ筐体100′に固定されていると
すれば、結像位置にずれを発生する可能性が大きい。

従って第21図（ａ）に示す様に、光学系11と、保持容器
102をダイカスト等の固定部材2201で一体に結合保持
し、この一体化された光学系及び保持容器102を筐体10
0′対し弾性体2202で弾性的に固定する。この際、第21
図（ｂ）に示す様にフアインダ光学系14も固定部材2201
と一体に保持することも勿論考えられる。なお第21図
（ａ），（ｂ）では主要部分のみを解り易く説明するた
め図は簡略化されている。

以下この防震方法について図面を用いて更に詳細な説明
を加える。第21図（ａ）は上面図であり、第21図（ｂ）
は正面図である。第１〜第20図と同じ符番のものは同じ
要素を示している。2201はダイカスト等から成る固定部
材であり、2202はバネなどからなる弾性保持部材であ
る。図示された様に、光学系と保持容器を一体的に固定
部材2201で固定した上で、カメラ100に対し、弾性的に
浮かせて固定することにより、防震をほどこすもので
る。なお、ここで誤差が小さい為フアインダーは必ずし
も一体に固定する必要は無い。

又、2201の固定部材はダイカストに限定されることな
く、高硬度樹脂、金属その他、固定できるものであれば
何でもよい。又、2202の弾性保持部材も一般的なバネに
限定されることなく、空気圧、油圧等の緩衝効果を持つ
ものであればどのようなものでも良い。又、本実施例は
第1,第2,第5,第6,第7,第9,第10,第12,第20図示の構成に
も適用可能であることは言うまでもない。

〔効果〕

本発明においては上記の様に画像蓄積体を用い、画像記
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを大きく改善することができた。しかも衝撃に
強く、更に光軸のずれを起こすことがないので操作性が
極めて向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の上側透視図、 第２図は本発明の第１実施例の正面透視図、 第３図は蓄積体の構成の第１実施例図、 第４図（ａ）〜（ｄ）は第３図示蓄積体への記録方法の
説明図、 第５図は第３、第４図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、 第６図（ａ）は第５図を正面側から見た図、 第６図（ｂ）は第６図（ａ）の側面から見た要部説明
図、 第７図は本発明の第２実施例図、 第８図は記録再生装置の構成例図、 第９図（ａ）は記録部の他の実施例図、 第９図（ｂ）は第９図（ａ）の実施例の更に他の実施例
図、 第10図は記録部の更に他の異なる実施例図、 第11図は蓄積体の駆動構成例を示す図、 第12図は第11図示の構成の側面図、 第13図は蓄積体の第２の例を示す図、 第14図（ａ）〜（ｅ）は第13図示例の記録方法を説明す
る図、 第15図（ａ）〜（ｄ）は蓄積体の第３の実施例の記録方
法を示す図、 第16図は蓄積体の第４実施例の構成例図、 第17図（ａ）〜（ｄ）は第16図示実施例の記録方法を示
す図、 第18図は蓄積体の第５実施例図、 第19図は第５実施例の記録方法を説明する図、 第20図は蓄積体の駆動構成の実施例を示す図、 第21図（ａ），（ｂ）は本発明の画像記録システムの他
の構成例の夫々上面図、正面図である。 100……カメラ、１……画像記録部、２……画像読取り
部、３……コネクタ、４……蓄積体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊野 勉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金子 修三 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 竹内 達夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 簡 文隆 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 東條 明彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】感光体と、該感光体を移動させる駆動手段
   と、該感光体をビームにより走査する走査手段と、前記
   感光体、駆動手段、走査手段を収納する真空容器と、前
   記感光体に対し前記真空容器外から光学情報を導く光学
   系と、前記真空容器及び光学系とを互いに一体的に固定
   する固定手段と、該固定された真空容器及び光学系をカ
   メラ本体に対して弾性的に支持する弾性部材と、を有す
   る画像記録システム。
2. 【請求項２】前記固定手段はフアインダー光学系も一体
   的に固定するものでることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の画像記録システム。