JPH0797546B2 - 投射アライナー用最適焦点の決定方法 - Google Patents

投射アライナー用最適焦点の決定方法

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JPH0797546B2
JPH0797546B2 JP62282926A JP28292687A JPH0797546B2 JP H0797546 B2 JPH0797546 B2 JP H0797546B2 JP 62282926 A JP62282926 A JP 62282926A JP 28292687 A JP28292687 A JP 28292687A JP H0797546 B2 JPH0797546 B2 JP H0797546B2
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ウエーハを処理してその上に集積回路(IC)
を製造する際、通常用いるステップアンドリピート(こ
れは一般にS&Rまたはその装置がステッパーと略称さ
れている)投射アライナーに関し、特に、ウエーハ上の
パターン・レジスト・フイルムを露光するウエーハの処
理過程において用いられる最適焦点の決定方法に関す
る。
(従来の技術とその問題点) レンズ特性のための、ステッパーのレンズを横切る相対
的な最適焦点は、フォトリソグラフィ処理の焦点束を減
少するレンズ系およびシステムの問題(これはフィール
ドの傾きや曲率または非点収差)を測定することで決め
られる。
ステッパー・アライナー・システムの構成は通常、光
源,開口ブレード,レチクル(または拡大マスク),レ
ンズそして最後にウエーハなどが整然と配列されてい
る。調整できる開口ブレードまたはブラインドが、最大
フィールドより小さいフィールドをウエーハ上に露出で
きるように、レチクルおよびレンズの各部を通過する光
を遮断する。
ここで、“最適焦点”とは、最も急なレジスト側壁の勾
配、したがって最適の解像度および線幅の制御を与える
ステップアンドリピート投射アライナー上で用いられる
焦点設定(これはピント合わせともいう)をいう。な
お、ステッパーの焦点設定は、ウエーハ表面とレチクル
/レンズとの間の調整可能な距離に対応する。
従来の焦点決定では、25〜80フィールドのそれぞれにお
ける少なくとも一組の解像ターゲット(各組は少しずつ
異なった焦点および露光の組合わせで露出される)が、
200X〜500Xでミクロ的(顕微鏡で)に評価される。そし
て最小に解像された地形の公称寸法はデータシート上に
記録される。数字のマトリックスは、その低露光頂点が
“最適焦点”を決めるネスト(nested)された放物線
(これは一定寸法の曲線である)を形成する。正のホト
レジストの露光不足は、検討のためにいくつかの放物線
を与える。この方法の誤差は、±0.75μmと見積もられ
る。この制限を完了し、そして最適焦点値を決定するの
に要する通常の時間は、約25〜30分である。
このような焦点/露光のマトリックスを解釈するのによ
り正確な方法は、各フィールドの臨界的寸法のバーを正
確に測定することである。ここで、最適焦点は解像され
た最小バーの中心に見出だされる。しかし、この方法は
上述した方法よりもさらに時間がかかる。
上記の手順は、通常工程変えの最初に行なわれ、そして
最適焦点の決定を保留して、生産が休止される。また、
最適焦点を変化させるであろうところの前記工程変えの
間に生じる全ての変化(たとえば、気圧の変化や一定の
装置保持の手続)は、最適焦点を再決定する必要があ
る。
レンズ特性化のための手順は、最大寸法のフィールドが
種々の焦点設定で露光されることを除いて同じであり、
そして解像バーは各フィールドにつき5個所以上で読ま
れる。各位置に対して、最小の解像バーの公称上の寸法
対焦点を含むデータは、その頂部がその位置の最適焦点
にある放物線を形成する。種々の領域に対する最適焦点
値の差異は、フィールドの湾曲およびレンズの傾斜によ
って生じる。ここで、水平および垂直線に対する最適焦
点値の差は、非点収差に起因する。両ともプロセスの焦
点束に適応しなければならない。
従来のレンズ特性化方法の限界は次のようなものに関連
する。すなわち、 (1)レジスト、その下のフイルムおよび解像バー位置
の露光の局所変化で限定される精度、 (2)テストする位置の数で決まるオペレータの疲労、
これにより完全なレンズマップは推測することしかでき
ない。
(3)方法を実施し、そしてテストを繰り返して結果を
確認する時間、である。
そこで、ひとつまた複数位置における最適焦点をより速
く決定する方法が要請されている。
(発明の目的) 本発明は上述の従来技術の問題点を解消し、新規な最適
焦点の決定方法を提供することを目的とする。
(発明の概要) 本発明によれば、焦点/露光のマトリックスから最適焦
点を決定する方法が提供される。この方法は、一つの次
元で露光が代わり、そして他の次元で焦点が変わるウエ
ーハの表面上に、レジストのフィールドの二次元マトリ
ックスを形成することを含む。このようなパターンは通
常、焦点露光マトリックスと呼ばれる。
次に、レジストが現像されると、その頂部が高露光の位
置にある放物線を得る。最適焦点はこの頂部を含む行を
プリントするのに用いられる焦点設定であるか、または
頂部が行間にある場合は補間法を用いる。
最適焦点の近くにあるこれらのマトリックス行だけが、
増大する露光の列における解像線およびスペースを実際
にプリントする。最適焦点から離れ、そしてより大きな
露光線量(exposure doses)では、投射された像で上記
線およびスペースを解像するにはコントラストが不十分
だから、全てのレジストが露光され、そして現像されて
除去される。現像の後で、生成された放物線(その頂部
は高い露光を受ける)は、レジストの存,否によってマ
クロ的に画定される。
レジスト/アライナー・システムの解像度限界より幾分
広い幅を持つ複数の不透明線およびスペースを含むレチ
クル・パターンもここで提供される。
0.25μmまでの焦点選択の解像度が、0.5μm焦点ステ
ップのマトリックスで容易に達成できる。そして本発明
の方法によれば、最適焦点の短時間でのマクロ的(巨視
的)評価ができる。すなわち、16×16アレイ上の最適焦
点をマクロ的に選択するのに要する通常の時間は、約30
〜60秒である。大きなアレイを露光するのに要する時間
は、従来の方法よりも約2.5分長くなるが、全体の時間
を節約しているので(9.5分対ミクロ的方法による25分
〜30分)、追加される露光時間を補償して余りある。
また本発明により、フィールドを横切る焦点変化を計量
する同じレチクル・パターンを用いて、上記方法の拡張
が与えられる。すなわち、フィールド上の各異なった位
置で最適焦点を測定するために、レチクルをマスクしそ
してテストされるべきフィールドの領域だけをプリント
する。かくして、露光過度の焦点/露光マトリックスが
プリントされる。そしてマスキングを変化させた後で手
順を繰り返すことにより、レンズの異なった領域を露光
する。かくして、各ウエーハはその位置に対する最適焦
点値を与える。また、レチクルは、最適焦点がサジタル
(sagittal)および接線(tangential)方向の線とは関
係なしに決定できるように変えることができる。なお、
両者の差は非点収差に起因する両者間の差である。
ここで、フィールド全体を横切る相対的な焦点の全体
“像”を得る方法は、このフィールド全体がプリントさ
れるようにレチクルを露出し、そして一定の高露光で焦
点マトリックスをプリントするものである。現像された
ウエーハは、異なった焦点設定で焦点が合っている。ま
たは合つていない(これは、残っているホトレジストの
量によって明示される)一連の領域をマクロ的に表示す
る。別々の焦点値で露出されたフィールドのオーバレイ
は、フィールドの回りの地形情報を含む。この方法はSE
M(これは走査型電子顕微鏡の略称である)または他の
技術でさらにテストするための問題領域を識別するのに
用いることができる。
(発明の実施例) 以下、図面を用いて本発明を説明する。なお、その前に
最適焦点について従来の方法を説明する。ここで、各図
において同じ参照番号は同じ要素を示す。まず、第5図
は従来のミクロ的技術によるレジスト・フィールドの8
×7マトリックス配列を示すウエーハの平面図である。
図において、ウエーハ10は、8×7アレイのレジスト・
フィールド(つまり要素14のマトリックス12を支持して
いる。このフィールドのマトリックス12は、露光線量を
X方向(水平方向)に変化させ、そして焦点をY方向
(垂直方向)に変化させ、現像した後従来のステップア
ンドリピートアライナー(図示せず)と同じように露光
されている。従来のように、ウエーハ10は“ステップ”
して、別の組の焦点、露光条件を用いながら隣接位置に
おけるレジストのフィールド14の露光を可能にする。
この従来の方法では、便利なように用いられたレチクル
が、それらのいくつかの位置で標準化された解像バー・
セル16を含む。このようなセル16の一部の例が第6図の
拡大図に示されており、そこでは、三組のネストになっ
たL型バー18の各組が、図示のようにその間隔を1.3〜
0.7μmで減少している。
オペレータは顕微鏡(500×の倍率)の下で各フィール
ド14内の一組の解像バーを調べ、そして各バーの間に何
らレジスト材料が存在しない最も小さい組の解像バー18
を見つける。第6図に示された例では、0.9μmにある
組である。
オペレータはこれらの値を、第5図における独特なフィ
ールドのアレイに一致して配列された第7図図示のテー
ブル・マトリックス20に入れる。図において56個のフィ
ールド14のそれぞれからのデータを調べ、これをテーブ
ル化した後、一定の現像パターン寸歩でネストされた一
つの放物線パターンが認識される。なお、前記の各放物
線の頂部は同一の最適焦点を示す。第7図に示された例
では、矢印“A"で示されているように、最適焦点は260
にあることがわかる。そこでオペレータは投射アライナ
ーの列の焦点をその値に設定し、そしてオペレータが何
らかの原因(これはたとえば、気圧の変化または装置の
保守作業が考えられる)で、焦点が移動したということ
を疑わなければ、その日一日中ウエーハの処理は、その
値(装置およびプロセス・レベルに固有の小さなオフセ
ットを除く)で実行されるであろう。次に、前述の手順
が再び行なわれる。
従来の8×7焦点/露光のマトリックスをミクロ的に解
釈し、そして最適の焦点値を取り出すのに必要な通常の
時間は約15〜20分である。これに対して処理全体の時間
(レチクル・ローディングやウエーハのステッピングお
よびレジスト露光やレジスト現像またはウエーハの読み
取り)は約25〜30分程度である。
これに対して本発明によれば、第2図に示すようにフィ
ールド14′からなるアレイ22は、ウエーハ10上に上述し
たと同じステップアンドリピート法によって、一方向
(Y方向)に沿って焦点を、また、他方向(X方向)に
沿って露光を変えながら形成される。ここで、上述した
ように、焦点が垂直方向(Y方向)に沿って変化する
間、露光は水平方向(X方向)にそって変化する。図示
されたアレイは、便宜上16×16であるが、所望の解像度
の程度によっては他の大きさのアレイを用いてもよい。
本発明の実施において用いられるウエーハ10の性質は重
要でない。いま最適焦点が決定されると、残っているレ
ジストは種々の方法ではぎ取ることができ、そしてウエ
ーハは最適焦点を決定するために再び用いてもよく、ま
たはその上にICを形成するために処理してもよい。
ここで、生産に用いたものと同じものでよいレジスト層
がウエーハ上に付着される。このレジスト層は従来のス
ピニング法によって、約8000Å〜15000Åの範囲の厚
さ、通常は12000Å程度の厚さまで付着するのがよい。
ここで前記のレジスト層が厚すぎると、小さな寸法を解
像するのが困難となる。したがって前記レジストの厚さ
は、生産に用いたものと同じ範囲に選ぶのがよい。
次に、レチクルはレジストをパターン形成するのに用い
られ、そして開口ブレードまたはブラインドが、投射ア
ライナーのフィールドを所望のフィールド寸法でマスク
する。たとえば、4mmステップで、5mm角のフィールドを
用いることもできる。各ステップが小さい程、良い焦点
解像度が達成できるが、ウエーハの露光時間は長くな
る。
レチクル・レイアウトは本発明の実施に用いられるよう
に現像される。これは第1図に示されるように、レチク
ル・パターンが、レジスト/アライナー・システムの解
像度限界を少し越える幅の複数個の不透明線30(これは
クロムがよい)とスペース32とからなる。そしてその幅
は上記解像度限界を1〜25パターン越えるのがよい。こ
こで前記不透明線30およびスペース32の線幅は、それぞ
れウエーハ上に1〜1.2μmの範囲の線および0.8〜1.0
μmの範囲のスペースを与えるようになっている。もっ
とも、技術が発展して、より小さな線幅およびスペース
が印刷できれば、線幅およびスペースの下限もこれにつ
れて減少できる。
たとえば、用いられた一つのレチクル・パターンが6μ
m幅で5μm離れたクロム線からなり、5Xステッパー
(公称露光にある)上に約1.1μm幅の線を印刷した。
この場合におけるレジスト/アライナー・システムの解
像度限界は約0.9μmであった。長い平行な線が約127mm
(5インチ)の石英レチクルの横切って延びるので、直
径20mm程度までの任意の寸法のフィールドが応用分野に
応じて5Xステッパー上に印刷できる。無論、1Xまたは10
Xステッパーに対して、レチクル線寸法のスペースおよ
び最大フィールド寸法は、それに応じて変わる。いずれ
にしても、不透明線幅およびスペース幅は、レジスト/
アライナー両性能に依存し、そして簡単な実験によって
特定組の条件に対する最適の組合わせが明らかになる。
任意的に、第6図に示されたものと類似した解像バー・
セルは、解像度のミクロ的計量のために含まれてもよ
い。もっとも、このようなバー・セルは本発明の実施に
必要ない。なぜならミクロ的な検査は最適焦点の決定に
何ら含まれないからである。
段階的露光に続いて、レジストは従来の現像液で現像さ
れる。もし十分な粗焦点ステップおよび高露光が用いら
れる場合は、現像前に明らかな潜像が、最適焦点を判断
するのに十分である。たとえば、AZ1512正のホトレジス
トに対しては、従来通り、カセイソーダの水溶液が用い
られる。再び言うと、現像液は、現像方法(たとえば、
スプレーまたはディップ)の場合と同じく、生産におい
て用いられるものに合わせられる。
前述した処理工程の結果として、第2図において24で示
したものに類似した放物線状パターンが現れる。
最適焦点は、“解像度”の測定つまりその何らかの主観
的な評価ではなく、ウエーハの各部におけるレジストの
存.否によって決定される。本発明の方法は、マクロ的
な高コントラスト・プロフィルを生じさせるパラメータ
として焦点を用いるもののように見なせる。そこで、こ
の方法は、最適焦点を決定する“マクロ焦点法”と呼ば
れる。
基本的な考えは、最適焦点近くのこれらのマトリックス
行だけが、増大する露光の列における解像線およびスペ
ースを実際にプリントすることである。露光は公称値か
ら公称値の数倍でよい。
最適焦点からはずれ、そして大きな露光線量で投射され
た像は、線およびスペースを解像するには不十分なコン
トラストをもつことになるので、全てのレジストが露光
され、そして現像,除去される。次に現像後生じた放物
線24(その頂部26は高露光にある)は、第2図に示され
ているように、レジストの存・否によってマクロ的に画
定される。最適焦点は、“B"の矢印によって示されるよ
うに、頂部26を含む行をプリントするのに用いられる焦
点設定である。その頂部が行間にある場合は、補間法が
用いられる。たとえば、0.25μmまでの焦点選択におけ
る解像度は、0.5μm焦点ステップのマトリックスで容
易に達成できる。
なお、選択される特定の焦点範囲は、生産に要求される
精度に依存する。ここで選択された特定の露光範囲は、
線およびスペースの寸法および現像パラメータに依存す
る。線/スペースの寸法が印刷可能な最小値に近付く
程、放物線24を頂部26に終端させるに必要な露光過度は
少なくなる。
16×16アレイ上で最適焦点をマクロ的に選択するに要す
る通常の時間は、約30〜60秒である。これに対して処理
全体の従来の時間は9.5分程度、または最適焦点をミク
ロ的に決定する全時間の約1/3である。
本発明の方法は速さの他にいくつかの利点がある。その
第1は、顕微鏡が必要ないので、単調な仕事は必要なく
なる。第2に、本方法は主観的要素が少ないから、人員
の訓練が簡単である。第3に、ここに述べた方法は、焦
点決定における解像度を増大することを可能にする。す
なわち、より小さな焦点ステップを、評価時間または努
力の増大を伴わないで容易に用いることができる。第4
には大面積を考慮しているので、局部のレジスト厚さ、
フイルム変化、汚れなどに対する感度が減少する。その
ために、従来のミクロ的方法に比べてデータ精度が改良
される。
プリントされたマトリックスの外観に対して別の解釈を
なすこともできる。それは、ウェーハの裏面上の粒子
が、いくつかの隣接フィールドを横切る印象的な黒点
(bullseye)のパターンを発生することである。チャッ
クまたはレチクルの傾きや平坦でないウェーハは、部分
的なフィールド・クリアリングのギザギザ・パターンに
よって明らかになる。レーザ・スクライブ同定のよう
な、システム問題またはウェーハの不規則による自動焦
点の不一致は、隣接フィールドに対する論理的類似性を
示さないフィールドとして現れる。
次にレンズの特性化について、部分フィールド(定量
的)を説明する。まず、本発明によれば、最適焦点を決
定する際に使用すると述べた前記の方法を発展させて、
中央以外のフィールド領域の特性化を可能にすることが
できる。これは通常、“最適焦点”を決定するのに用い
られる。
ウェーハの型や処理は、上述したレチクルの使用の態様
を除いて上述したものと同様である。
また、フィールドの曲率および傾きを測定するために、
レンズの一部だけを用いることによって、レチクルがマ
スクされる。焦点露光マトリックスが上述したように露
出され、そしてその領域に対する最適焦点が選択され
る。次に、レンズの異なった部分が露出され、そしてそ
れぞれが別々のウェーハ上にあり、全体で最低5個のレ
ンズ位置で手順が繰り返される。かくして、最適な焦点
はレンズの各部について決定される。傾きの大きさは、
レンズを横切る最適焦点の線形変化を探査することによ
って取り出される。フィールド曲率の大きさは、線形要
素を除いた後、レンズを横切る最適焦点値における二次
の変化を探査することによって取り出される。
任意の位置における非点収差を測定するには、個々の最
適焦点値がサジタル方向および接線方向の線について得
られるように、2つの直交方向(たとえば、水平、垂直
の各方向)で、レチクルを用いることが上記手順に付加
される。サジタル線および接線に対する最適焦点間の各
位置での差は、そこの非点収差の大きさである。
フィールドが大きくなればなる程、生産におけるウェー
ハの処理率も大きくなることは公知である。しかし、フ
ィールドが大きくなる程、大きなレンズ面積が用いら
れ、そして理想の平坦な焦点特性から大きくはずれた特
性をもつレンズの領域が、重要な回路図形のプリントの
ために用いられる傾向が大きくなる。上記分析は、この
ようなレンズ問題が存在するかどうか、またはどこに存
在するかを判別できるので、フィールドの傾きの問題を
訂正し、または、フィールド湾曲または非点収差のよう
な訂正できない収差を有する領域を補正または避けるた
めのステップをとることができる。
また、全体フィールド(定量的/定性的)について、本
発明によれば、フィールド全体は、所望のレチクル配向
につき1ウェーハ上で、焦点は変化するが、露光を一定
値に維持することによって同時にテストすることができ
る。この処理は、最適焦点決定のために用いられる放物
線を通って垂直スライス(一定の露光列)をとるのと等
価である。
ウェーハの形や処理は、上述したレチクルの使用の態様
を除いて上述と同様である。
利用可能なレンズ領域全体を通して、最大フィールドを
印刷するには、開口ブレードを調整して、レチクルを露
出する5Xでの約100mm(4インチ)ウェーハ上で、9個
程度の全体フィールド34(直径20mm)が第3図および第
4図に示されるように便利に露光できる。ウェーハを現
像した後、焦点近くの区域はレジストを有し、そして焦
点をはずれた区域はレジストをもたない(テストされる
焦点範囲にわたってこのコントラストを明らかにする適
当な露光を仮定して)一連の画面が明らかになる。ウェ
ーハ上に見える明るい色縁(color fringes)は、レン
ズ焦点面のひずみを強調する。このようなひずみの例
は、点画が色縁を表すのに用いられている第3図に示さ
れている。
一連のフィールドが重ねられると、レンズを横切る焦点
の地形マップが生じる。もし、非点収差が存在する場
合、一方向に走るレチクル線で露光されたウェーハは、
レチクル線が直交方向に走るように、そのレチクルが回
転されることを除けば、同様に処理されたウェーハとは
異なったパターンを示す。かくして、2つのウェーハを
露光することによって非点収差が分離、強調される。上
記したレチクル線の2回の半時間直交露光で1つのウェ
ーハを露光するか、または1ウェーハ上に重ねられた両
方向の線を有するレチクルでそのウェーハを露光すれ
ば、平均の最適焦点を示すウェーハが生じるので、非点
収差は決定できなくなる。
レジストおよび明るい色縁の存,否は、数時間(従来の
方法によって要求される時間は、テストされる位置の数
に依存する)に対して本発明によれば数分であり、これ
は量的なフィールドのひずみを取出すのに用いることが
できる。
理想的な場合、平坦なレンズの特性化でレジストの量
は、任意の所定の焦点設定でフィールド34を横切って均
一となり、そしてフィールド全体は同じ焦点設定で焦点
が合っているから、縁は明らかでなくなる。次のフィー
ルドで、焦点が理想状態からさらにはずれると、レジス
トの量は次第にぼんやりと均一に減少する。この場合最
適焦点は、第4図の点画の最高の密度、または同等の量
のレジストを有するフィールドの中心によって示されて
いるように、多くのレジストが残っているフィールドに
ある。
本発明の方法は、集積回路を生産するためのウェーハを
処理するのに用いるステップアンドリピート投射アライ
ナーにおいて最適焦点を決定し、またこのようなアライ
ナーにおいてレンズを特性化するのに有用である。
かくして本明細書には、ステップアンドリピート投射ア
ライナーに対して最適焦点および相対的な最適焦点を決
定する方法が開示されている。そしてレチクルの設計
は、本発明を実施するために与えられる。なお、多くの
変形、修正が当業者には明らかであろうし、また本発明
の精神、範囲から離れることなくなし得るであろう。そ
して、これら全ての変形,修正は上記特許請求の範囲に
よって画定された本発明の範囲内にあると考えられる。
(発明の効果) 以上詳述するように、本発明のマクロ的観点によれば極
めて短時間でステッパーの最適焦点が決定できるので、
ステップアンドレピート投射アライナーに実施してその
効果大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に用いられるレチクル・レイ
アウトの一部を示す平面図、第2図は本発明の方法によ
るレジスト・フィールドの16×16マトリックスを用いて
最適焦点の決定例を示すウェーハの平面図、第3図はス
テップアンドリピート投射アライナーの特性を評価する
ために、3X3マトリックスの存在を示すウェーハの平面
図、第4図は前記第3図と同じであるが、フィールドに
曲率や傾きのない理想的な状態を示すウェーハの平面
図、第5図は従来のミクロ的な技術によって、レジスト
・フィールドの8X7マトリックス配列を示すウェーハの
平面図、第6図は解像バーを示すフィールドの一部の拡
大図(500X)、第7図は第5図に示したウェーハ上にお
けるレジスト・フィールドのマトリックスに対応したマ
トリックスで、最小の解像バーを表わす数のマトリック
ス図である。 図において、10:ウェーハ、14′,34:フィールド、22:ア
レイ、24:放物線状パターン、26:頂部、30:不透明部、3
2:スペースである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 F G02B 7/11 M

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】以下のステップ(a)ないし(d)を設
    け、投射アライナーの最適焦点を決定する方法: (a)ウェーハ上にレジスト層を形成するステップ:前
    記レジストと前記アライナーを有する系は所与の分解能
    の限界を有する; (b)前記分解の限界よりもわずかに大きな幅を有する
    複数の不透明な複数の線及び隙間を有するレチクルを採
    用し、前記レチクルを通して光あるいは他の電磁放射を
    フィールド毎に逐次投影することによって、前記ウエー
    ハの平坦な表面の研磨された側にレジスト・フィールド
    の2次元マトリックスを形成するステップ:前記逐次的
    な投影の間、第1の軸に沿って露出量を変え前記第1の
    軸と直行する第2の軸に沿って焦点を変え、以って前記
    レチクルのイメージを前記レジストに転送する; (c)前記レジストを現像して、露出されたレジストあ
    るいは露出されていないレジストが除去されてその軸と
    頂点が焦点の軸に沿った位置にあるようなフィールド配
    置の放物線線が得られるステップ; (d)前記焦点の軸上の前記頂点の位置から前記最適焦
    点の指示を得るステップ。
  2. 【請求項2】前記焦点の軸が露出量が一定の行上で前記
    最適焦点がその行の露出量である行の上にあることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の最適焦点の決定方
    法。
  3. 【請求項3】前記焦点の軸が露出量が一定の2つの行の
    間にあって、前記最適焦点が前記2つの行の間で補間を
    行うことによって得られることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の最適焦点の決定方法。
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