JPH0797657B2 - 光メモリ - Google Patents
光メモリInfo
- Publication number
- JPH0797657B2 JPH0797657B2 JP23345086A JP23345086A JPH0797657B2 JP H0797657 B2 JPH0797657 B2 JP H0797657B2 JP 23345086 A JP23345086 A JP 23345086A JP 23345086 A JP23345086 A JP 23345086A JP H0797657 B2 JPH0797657 B2 JP H0797657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- voltage
- emitting layer
- light emitting
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
本発明は、光メモリに関する。 〔従来技術およびその問題点〕 例えば透過形電子顕微鏡では、電子銃から発せられた電
子線は、コンデンサレンズによって適切な電子流密度を
もつように調節されて試料を照射する。そして試料を透
過し対物・中間・投射レンズによって拡大され、けい光
体微粉末の塗布されたけい光板で可視化されるか又は、
写真フィルム上に結像せしめられるようになっている。 しかしながら、このようにけい光板によって電子線の可
視化を行なった場合、ぼやけ、にじみ等の現象が現わ
れ、解像度が低下するという問題があった。 このように目に見えない光線のアナログ的な可視化は、
電子顕微鏡のみならず、いろいろな分野で切実な問題と
なっている。 そこで、赤外線、紫外線、Ｘ線等の光線をアナログ的に
波長変換することにより増幅を行う種々の光増幅装置の
研究が進められている。 本発明は、この光−光変換を利用して簡単な構造の光メ
モリを提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで本発明では、所望の発光波長を有する発光層を表
面電極と背面電極で挟んだ薄膜EL素子の背面電極を透光
性の導電膜で構成すると共にこれと発光層との間に光導
電膜および遮光性の誘電体層を介在せしめ、表面電極と
背面電極との間に常時ある一定の電圧（第１の電圧）を
印加するとともに、光が入射すると前記光導電膜の抵抗
値が低下し、前記表面電極と背面電極との間の電圧が第
２の電圧まで増大し、前記発光層に高輝度の発光を生起
せしめ、この後前記抵抗値が元の値に戻り前記第２の電
圧が前記第１の電圧まで降下しても、前記発光層の発光
が続行せしめられるように前記第１および第２の電圧を
設定したようにしている。 〔作用〕 例えば、この光メモリは、第１図に示す如く、ガラス基
板１上に透光性の表面電極2,第１の誘電体層3,発光層4,
遮光層S,第２の誘電体層5,光導電膜6,透光性の背面電極
７を順次積層せしめて二重誘電体構造の薄膜EL素子を構
成しており透光性導電膜８と表面電極２との間に薄膜EL
素子が発光しない程度の電圧V0が印加されている。 ここで光L1が入射すると、光導電膜の抵抗値が下がり、
薄膜EL素子の発光層４との間に印加される電圧が増大
し、これにより発光層４からはその発光層固有の波長を
もつ光L2が出射せしめられる。 このように、発光層を適宜選択することにより入射光L1
を所望の波長をもつ光L2に変換することもできる。 そして、薄膜EL素子は、第３図に示す如く、印加電圧の
上昇時と下降時で電圧と悪口輝度との関係にヒステリシ
スをもつ。 従って、次のような現象を生じることがある。まずあら
かじめ、ある電圧V1Aをかけておくと、Ａの状態にあ
る。 この状態で、電圧をV1Bに上昇せしめると、Ｂの状態と
なり、この薄膜EL素子は高輝度で発光する。 次に、電圧を元の電圧V1Aに降下させても、この薄膜EL
素子はＣの状態となり、やや輝度は低下するが充分に高
い輝度を維持する。 本発明はこの点に着目してなされたものでる。 ここで、例えば薄膜EL素子の背面に光導電膜を接続して
直列接続体を形成し、これに所定の電圧Voを印加したと
すると、このとき初期状態は V1A＋V2A＝Vo …（１） となっている。ここで薄膜EL素子はＡの状態（第２図参
照）に対応する。 入射光により光導電膜の抵抗値が下がると V1B＋V2B＝Vo …（２） V2A＞V2BとなりV1B＞V1A このようにして薄膜EL素子にかかる電圧が上昇し、Ｂの
状態となり高輝度で発光する。 この後、高導電膜の抵抗値が元に戻り、薄膜EL素子への
印加電圧がV1Aの状態まで降下しても、薄膜EL素子は第
３図に示す如くＣの状態となり、充分に高い輝度を維持
するため、軌跡となって残ることになる。 従って、このように光導電膜および発光層を適宜選択す
ることにより、極めて簡単な構造で光メモリを形成する
ことができる。 〔実施例〕 以下、本発明実施例の光メモリについて図面を参照しつ
つ詳細に説明する。 この光メモリは、第２図に示す如く、透光性のガラス基
板11上に、酸化インジウム錫層（ITO）からなる表面電
極12と、酸化タンタル（TaOX）層からなる第１の誘電体
層13と、硫化亜鉛：マンガン（ZnS:Mn）柱状多結晶層か
らなる発光層14と、黒色の酸化タンタル（TaOX,x＜2.
5）層からなる第２の誘電体層15と、硫化カドミウム（C
dS）層からなる光導電膜16と酸化インジウム錫層からな
る透光性の背面電極17とから構成されており、前記表面
電極12と背面電極17との間には電圧Ｖが印加されてい
る。 ここで、光導電膜16は、光が入射しない時は高抵抗を有
し光が入ると導電性を有するものであり、光L1が入射す
るとその部分で発光層にかかる電圧が増大し、発光層が
励起され光L1が発せられるようになっている。 また、第２の誘電体層によって入射光は遮断され、表面
電極側には、発光層からの光L2のみが放出される。そし
てこの光導電膜および発光層に応じて印加電圧が、原理
説明によって説明したように、次の関係を満たすように
選択される。 まずあらかじめ、電圧V1Aをかけておくと、Ａの状態に
ある。 この状態で、電圧をV1Bに上昇せしめると、Ｂの状態と
なり、この薄膜EL素子は高輝度で発光する。 次に、電圧を元の電圧V1Aに降下させても、この薄膜EL
素子はＣの状態となり、やや輝度は低下するが充分に高
い輝度を維持する。 ここで、例えば薄膜EL素子の背面に光導電膜を接続して
直列接続体を形成し、これに第１の電圧Voを印加したと
すると、このとき初期状態は V1A＋V2A＝Vo …（１） となっている。ここで薄膜EL素子はＡの状態（第２図参
照）に対応する。 入射光により光導電膜の抵抗値が下がると V1B＋V2B＝Vo …（２） V2A＞V2BとなりV1B＞V1A このようにして薄膜EL素子にかかる電圧が上昇し、Ｂの
状態となり高輝度で発光する。 この後、光導電膜の抵抗値が元に戻り、薄膜EL素子への
印加電圧がV1Aの状態まで降下しても、薄膜EL素子は第
３図に示す如くＣの状態となり、充分に高い輝度を維持
するため、軌跡となって残るように構成される。 この光メモリは、通常の薄膜テクノロジーを用いて形成
することができ、極めて構造が簡単でかつ、効率良い波
長変換により簡単で良好なメモリを提供するものであ
る。 なお、実施例では第２の誘電体層を遮光性の黒色膜で構
成したが、これとは別に遮光層を介在させるようにして
もよい。 また、光導電膜としては、硫化カドミウムの他、アモル
ファスシリコン（ａ−Si），セレン化亜鉛（ZnSe），テ
ルル化水銀カドミウム（HgCdTe）等、他の光導電材料を
用いてもよく、更に、各層の構成材料としても、実施例
に限定されることなく適宜変更可能である。 加えて、実施例では、薄膜EL素子を一体的に形成した
が、多数個に分割形成してもよい。この場合は、背面電
極を遮光性の金属膜で構成した通常の二重誘電体構造の
薄膜EL素子を形成し、この背面電極の外側に光導電膜お
よび透光性導電膜を配設するようにすればよい。 このような例として、最も簡単な構造のものは、第４図
に示す如く、ガラス基板21上に、前記実施例と同様に表
面電極22、第１の誘電体層23、発光層24、遮光性の第２
の誘電体層25を夫々一体的に形成し、この上層に、マト
リクス状に配列された多数のパターンからなるアルミニ
ウム，クロム等の分割パターンからなる背面電極27を積
層して薄膜EL素子を形成すると共に、この上層に光導電
膜26、透光性導電膜28を順次夫々一体的に形成したもの
である。 〔効果〕 以上説明してきたように、本発明の光メモリによれば、
薄膜EL素子の背面電極と発光層との間に光導電層および
遮光性の誘電体層を介在させると共に、背面電極を透光
性導電膜で構成し、表面電極と背面電極との間に所定の
電圧を印加しておき、入射光による光導電膜の抵抗値の
低下によりその部分の発光層にかかる電圧が増大し発光
し、表面電極と背面電極との間の電圧が元の値まで低下
しても、ヒステリシスにより発光を続行するようにして
いるため、極めて構造が簡単で、信頼性の高い光メモリ
を提供する。
子線は、コンデンサレンズによって適切な電子流密度を
もつように調節されて試料を照射する。そして試料を透
過し対物・中間・投射レンズによって拡大され、けい光
体微粉末の塗布されたけい光板で可視化されるか又は、
写真フィルム上に結像せしめられるようになっている。 しかしながら、このようにけい光板によって電子線の可
視化を行なった場合、ぼやけ、にじみ等の現象が現わ
れ、解像度が低下するという問題があった。 このように目に見えない光線のアナログ的な可視化は、
電子顕微鏡のみならず、いろいろな分野で切実な問題と
なっている。 そこで、赤外線、紫外線、Ｘ線等の光線をアナログ的に
波長変換することにより増幅を行う種々の光増幅装置の
研究が進められている。 本発明は、この光−光変換を利用して簡単な構造の光メ
モリを提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで本発明では、所望の発光波長を有する発光層を表
面電極と背面電極で挟んだ薄膜EL素子の背面電極を透光
性の導電膜で構成すると共にこれと発光層との間に光導
電膜および遮光性の誘電体層を介在せしめ、表面電極と
背面電極との間に常時ある一定の電圧（第１の電圧）を
印加するとともに、光が入射すると前記光導電膜の抵抗
値が低下し、前記表面電極と背面電極との間の電圧が第
２の電圧まで増大し、前記発光層に高輝度の発光を生起
せしめ、この後前記抵抗値が元の値に戻り前記第２の電
圧が前記第１の電圧まで降下しても、前記発光層の発光
が続行せしめられるように前記第１および第２の電圧を
設定したようにしている。 〔作用〕 例えば、この光メモリは、第１図に示す如く、ガラス基
板１上に透光性の表面電極2,第１の誘電体層3,発光層4,
遮光層S,第２の誘電体層5,光導電膜6,透光性の背面電極
７を順次積層せしめて二重誘電体構造の薄膜EL素子を構
成しており透光性導電膜８と表面電極２との間に薄膜EL
素子が発光しない程度の電圧V0が印加されている。 ここで光L1が入射すると、光導電膜の抵抗値が下がり、
薄膜EL素子の発光層４との間に印加される電圧が増大
し、これにより発光層４からはその発光層固有の波長を
もつ光L2が出射せしめられる。 このように、発光層を適宜選択することにより入射光L1
を所望の波長をもつ光L2に変換することもできる。 そして、薄膜EL素子は、第３図に示す如く、印加電圧の
上昇時と下降時で電圧と悪口輝度との関係にヒステリシ
スをもつ。 従って、次のような現象を生じることがある。まずあら
かじめ、ある電圧V1Aをかけておくと、Ａの状態にあ
る。 この状態で、電圧をV1Bに上昇せしめると、Ｂの状態と
なり、この薄膜EL素子は高輝度で発光する。 次に、電圧を元の電圧V1Aに降下させても、この薄膜EL
素子はＣの状態となり、やや輝度は低下するが充分に高
い輝度を維持する。 本発明はこの点に着目してなされたものでる。 ここで、例えば薄膜EL素子の背面に光導電膜を接続して
直列接続体を形成し、これに所定の電圧Voを印加したと
すると、このとき初期状態は V1A＋V2A＝Vo …（１） となっている。ここで薄膜EL素子はＡの状態（第２図参
照）に対応する。 入射光により光導電膜の抵抗値が下がると V1B＋V2B＝Vo …（２） V2A＞V2BとなりV1B＞V1A このようにして薄膜EL素子にかかる電圧が上昇し、Ｂの
状態となり高輝度で発光する。 この後、高導電膜の抵抗値が元に戻り、薄膜EL素子への
印加電圧がV1Aの状態まで降下しても、薄膜EL素子は第
３図に示す如くＣの状態となり、充分に高い輝度を維持
するため、軌跡となって残ることになる。 従って、このように光導電膜および発光層を適宜選択す
ることにより、極めて簡単な構造で光メモリを形成する
ことができる。 〔実施例〕 以下、本発明実施例の光メモリについて図面を参照しつ
つ詳細に説明する。 この光メモリは、第２図に示す如く、透光性のガラス基
板11上に、酸化インジウム錫層（ITO）からなる表面電
極12と、酸化タンタル（TaOX）層からなる第１の誘電体
層13と、硫化亜鉛：マンガン（ZnS:Mn）柱状多結晶層か
らなる発光層14と、黒色の酸化タンタル（TaOX,x＜2.
5）層からなる第２の誘電体層15と、硫化カドミウム（C
dS）層からなる光導電膜16と酸化インジウム錫層からな
る透光性の背面電極17とから構成されており、前記表面
電極12と背面電極17との間には電圧Ｖが印加されてい
る。 ここで、光導電膜16は、光が入射しない時は高抵抗を有
し光が入ると導電性を有するものであり、光L1が入射す
るとその部分で発光層にかかる電圧が増大し、発光層が
励起され光L1が発せられるようになっている。 また、第２の誘電体層によって入射光は遮断され、表面
電極側には、発光層からの光L2のみが放出される。そし
てこの光導電膜および発光層に応じて印加電圧が、原理
説明によって説明したように、次の関係を満たすように
選択される。 まずあらかじめ、電圧V1Aをかけておくと、Ａの状態に
ある。 この状態で、電圧をV1Bに上昇せしめると、Ｂの状態と
なり、この薄膜EL素子は高輝度で発光する。 次に、電圧を元の電圧V1Aに降下させても、この薄膜EL
素子はＣの状態となり、やや輝度は低下するが充分に高
い輝度を維持する。 ここで、例えば薄膜EL素子の背面に光導電膜を接続して
直列接続体を形成し、これに第１の電圧Voを印加したと
すると、このとき初期状態は V1A＋V2A＝Vo …（１） となっている。ここで薄膜EL素子はＡの状態（第２図参
照）に対応する。 入射光により光導電膜の抵抗値が下がると V1B＋V2B＝Vo …（２） V2A＞V2BとなりV1B＞V1A このようにして薄膜EL素子にかかる電圧が上昇し、Ｂの
状態となり高輝度で発光する。 この後、光導電膜の抵抗値が元に戻り、薄膜EL素子への
印加電圧がV1Aの状態まで降下しても、薄膜EL素子は第
３図に示す如くＣの状態となり、充分に高い輝度を維持
するため、軌跡となって残るように構成される。 この光メモリは、通常の薄膜テクノロジーを用いて形成
することができ、極めて構造が簡単でかつ、効率良い波
長変換により簡単で良好なメモリを提供するものであ
る。 なお、実施例では第２の誘電体層を遮光性の黒色膜で構
成したが、これとは別に遮光層を介在させるようにして
もよい。 また、光導電膜としては、硫化カドミウムの他、アモル
ファスシリコン（ａ−Si），セレン化亜鉛（ZnSe），テ
ルル化水銀カドミウム（HgCdTe）等、他の光導電材料を
用いてもよく、更に、各層の構成材料としても、実施例
に限定されることなく適宜変更可能である。 加えて、実施例では、薄膜EL素子を一体的に形成した
が、多数個に分割形成してもよい。この場合は、背面電
極を遮光性の金属膜で構成した通常の二重誘電体構造の
薄膜EL素子を形成し、この背面電極の外側に光導電膜お
よび透光性導電膜を配設するようにすればよい。 このような例として、最も簡単な構造のものは、第４図
に示す如く、ガラス基板21上に、前記実施例と同様に表
面電極22、第１の誘電体層23、発光層24、遮光性の第２
の誘電体層25を夫々一体的に形成し、この上層に、マト
リクス状に配列された多数のパターンからなるアルミニ
ウム，クロム等の分割パターンからなる背面電極27を積
層して薄膜EL素子を形成すると共に、この上層に光導電
膜26、透光性導電膜28を順次夫々一体的に形成したもの
である。 〔効果〕 以上説明してきたように、本発明の光メモリによれば、
薄膜EL素子の背面電極と発光層との間に光導電層および
遮光性の誘電体層を介在させると共に、背面電極を透光
性導電膜で構成し、表面電極と背面電極との間に所定の
電圧を印加しておき、入射光による光導電膜の抵抗値の
低下によりその部分の発光層にかかる電圧が増大し発光
し、表面電極と背面電極との間の電圧が元の値まで低下
しても、ヒステリシスにより発光を続行するようにして
いるため、極めて構造が簡単で、信頼性の高い光メモリ
を提供する。
第１図は、本発明の光メモリの基本構造を示す図、第２
図は、本発明実施例の光メモリを示す図、第３図は、薄
膜EL素子のヒステリシス特性を示す図、第４図は本発明
の他の実施例を示す図である。 1,11,21……ガラス基板、2,12,22……表面電極、3,13,2
3……第１の誘電体層、4,14,24……発光層、5,15,25…
…第２の誘電体層、6,16,26……光導電膜、7,17,27……
背面電極、Ｓ……遮光層、28……透光性導電膜。
図は、本発明実施例の光メモリを示す図、第３図は、薄
膜EL素子のヒステリシス特性を示す図、第４図は本発明
の他の実施例を示す図である。 1,11,21……ガラス基板、2,12,22……表面電極、3,13,2
3……第１の誘電体層、4,14,24……発光層、5,15,25…
…第２の誘電体層、6,16,26……光導電膜、7,17,27……
背面電極、Ｓ……遮光層、28……透光性導電膜。
Claims (1)
- 【請求項１】透光性導電膜で構成された表面電極および
背面電極によって、発光層を挟んだ薄膜EL素子と、 前記発光層と背面電極との間に介在せしめられた遮光性
の誘電体層と光導電体層とから構成され、 前記表面電極および背面電極の間に第１の電圧を印加す
ると共に 光が入射すると前記光導電膜の抵抗値が低下し、前記表
面電極と背面電極との間の電圧が第２の電圧まで増大
し、前記発光層に高輝度の発光を生起せしめ、 この後前記抵抗値が元の値に戻り前記第２の電圧が前記
第１の電圧まで降下しても、前記発光層の発光が続行せ
しめられるように前記第１および第２の電圧を設定した
ことを特徴とする光メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23345086A JPH0797657B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 光メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23345086A JPH0797657B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 光メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388872A JPS6388872A (ja) | 1988-04-19 |
| JPH0797657B2 true JPH0797657B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=16955232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23345086A Expired - Lifetime JPH0797657B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 光メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797657B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289171A (en) * | 1986-07-03 | 1994-02-22 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Color display apparatus |
| JP2674430B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1997-11-12 | 日亜化学工業株式会社 | 固体映像変換素子 |
| CN101908557A (zh) | 2003-12-17 | 2010-12-08 | 住友化学株式会社 | 有机光-光变换装置 |
| KR100727188B1 (ko) | 2005-10-17 | 2007-06-13 | 현대자동차주식회사 | 차량용 쿨박스 |
| JP2008016831A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光−光変換デバイス |
| SG175565A1 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-28 | Univ Florida | Method and apparatus for infrared detection and display |
| SG185375A1 (en) | 2010-05-24 | 2012-12-28 | Univ Florida | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| BR112013033122A2 (pt) | 2011-06-30 | 2017-01-24 | Nanoholdings Llc | método e aparelho para detectar radiação infravermelha com ganho |
| JP2018529214A (ja) | 2015-06-11 | 2018-10-04 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 単分散ｉｒ吸収ナノ粒子及び関連する方法及びデバイス |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873994A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | コニカ株式会社 | エレクトロルミネツセンス装置及びその製造方法 |
| JPS5893293A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Hitachi Ltd | 光増幅器 |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP23345086A patent/JPH0797657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6388872A (ja) | 1988-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3560784A (en) | Dark field, high contrast light emitting display | |
| US4945243A (en) | Matrix of photosensitive elements and radiation detector including such a matrix, especially double-energy X-ray detector | |
| US4554453A (en) | Apparatus for recording X-ray images | |
| US4948978A (en) | Imaging device with matrix structure | |
| JPH0797657B2 (ja) | 光メモリ | |
| US4140941A (en) | Cathode-ray display panel | |
| JPS5915977A (ja) | 表示装置 | |
| US3289024A (en) | Photo-sensitive device including layers of different conductivity types | |
| US3348056A (en) | Wavelength converting type radiant energy responsive display device | |
| US5229626A (en) | Solid-state image converting device with dot-like layer | |
| US3264479A (en) | Electroluminescent light amplifier | |
| US3753231A (en) | Electroluminescent devices | |
| US3710181A (en) | Solid-state image intensifier | |
| CN109656420B (zh) | 彩膜基板、显示装置及其控制装置 | |
| US3215846A (en) | Image amplifying apparatus | |
| US3543032A (en) | Device and process for amplifying and storing an image | |
| US3244891A (en) | Variable intensity electroluminescent radiation amplifier | |
| GB1023257A (en) | Photoemissive device | |
| JPH0689781A (ja) | 薄膜ｅｌ端部発光装置 | |
| US3510660A (en) | Method for visual comparison of information | |
| US3800156A (en) | Infrared image converting device | |
| US2908824A (en) | Radiant energy translating device | |
| Szepesi et al. | Solid-state radiographic amplifiers and infra-red converters | |
| JPH06337300A (ja) | 固体映像変換素子 | |
| JP2674430B2 (ja) | 固体映像変換素子 |