JPH0797690A

JPH0797690A - プラズマｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH0797690A
Application number: JP24325193A
Authority: JP
Inventors: Mika Gamou; 美香蒲生; Noritoshi Tomikawa; 典俊富川
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1993-09-29
Filing date: 1993-09-29
Publication date: 1995-04-11

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、原料ガスを多孔質体の金属電極を
通してプラズマ雰囲気に均一に導入することにより、膜
厚分布の均一性の著しい向上を図る。【構成】一対の放電電極が真空容器内に対向配置さ
れ、真空容器内に原料ガスを導入すると共に、各放電電
極の少なくとも一方に電力を供給し、当該各放電電極間
にプラズマを発生させて原料ガスを活性化させることに
より、真空容器内の所定の基材上に薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、各放電電極のうち、少なくと
も一方の放電電極に金属多孔質体からなるガス導入口
（３３）を設けたプラズマＣＶＤ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基材近傍で膜の原料ガ
スをプラズマ分解させて薄膜を基材に堆積させるプラズ
マＣＶＤ装置に係わり、特に多孔質体の金属電極を通し
て原料ガスを導入することにより、膜厚分布の均一性を
著しく向上し得るプラズマＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、高機能材料は材料表面に処理が
施されている。例えば装飾性、耐食性、耐磨耗性といっ
た機能は材料の表面状態により発現し、バルクは単なる
構造体である場合が多い。そのため、材料を表面処理し
て利用価値を高める方法として、気相法による薄膜の作
成技術が近年ますます重要視されている。

【０００３】この種の薄膜作成技術は、大きくわけて物
理蒸着法（ＰＶＤ）及び化学蒸着法（ＣＶＤ）があり、
例えば耐磨耗性、耐熱性の付与、光／電子変換といった
多岐にわたる要求に個別に対応して各方法が適切に選択
される。特にＣＶＤ法は、高付加価値材である半導体の
表面処理法として１９６３年以降広く用いられている。

【０００４】このＣＶＤ法は真空容器内に供給した原料
ガスになんらかのエネルギーを加えて分解・活性化し、
真空容器内に設置した清浄な基材表面に薄膜を形成する
技術であって、各種の方法が開発されている。

【０００５】まず、熱ＣＶＤ法は、初期に開発された技
術であり、例えばＴｉＮの硬質被膜の生成に広く用いら
れている。また、ＭＯＣＶＤ（Metal organic ＣＶＤ）
法や光ＣＶＤ法は、化合物半導体デバイス開発技術とし
て盛んに用いられている。これらのＣＶＤ法は薄膜の原
料ガスを熱エネルギーで活性化する技術である。

【０００６】しかしながら、この種のＣＶＤ法は、プロ
セス温度が千度を越える場合があり、耐熱性のない基材
の使用を困難としている。

【０００７】そこで、プロセスの低温化を図るため、原
料ガスを電気エネルギーで活性化するプラズマＣＶＤ法
が開発・検討されている。例えば低圧下のプラズマは、
電子温度が数千度と高いために原料ガスの分解・活性化
が促進されるが、電子質量が極めて小さいことから雰囲
気温度が低く保たれる。このため、プラズマＣＶＤ法
は、前述したＣＶＤ法に比べ、低い温度で立体又は平面
を問わず、広範囲に膜生成を可能としている。

【０００８】図３はこの種のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す模式図である。

【０００９】このプラズマＣＶＤ装置は、１０^-4Ｐａま
で真空排気可能な真空容器１内に平行平板型の一対の放
電電極２，３が鉛直方向に互いに対向配置されている。
各放電電極２，３はともに直径１３０ｍｍ，厚さ８ｍｍ
の円板状に形成されたステンレスであって、上方に配置
された上部放電電極２が接地されている。また、下方に
配置された下部放電電極３は１３．５６ＭＨｚ，２００
Ｗの高周波電力を入力する高周波電源４に接続され、且
つ膜を堆積する基板（基材）５が載置されている。

【００１０】一方、真空容器１はメタノール６が収容さ
れた原料ガス容器７に原料ガス導入管８を介して連通さ
れ、原料ガス容器７はＡｒガス導入管９からＡｒガスが
導入されると、メタノールとＡｒとが９：１の比率で混
合されて原料ガスが生成されると共に、この原料ガスを
原料ガス導入管８を介して真空容器１内に導入する。な
お、原料ガス導入管８は１／４インチのステンレス製パ
イプであって、先端部のガス導入口が放電電極２，３間
に面している。

【００１１】従って、放電電極２，３間では、メタノー
ル（ＣＨ₃ＯＨ）を含む原料ガスが分解・活性化されて
プラズマが発生し、ダイヤモンドライクカーボンの薄膜
が基板５上に成膜される。

【００１２】ここで、例えば、基板５として厚さ０．３
ｍｍ，直径５インチのシリコンウエハ５ａを用いて成膜
を行う。なお、このシリコンウエハ５ａは成膜前にレー
ザ照射により形成した干渉縞が観察され、この干渉縞が
同心円状パターンを示し、且つ縞の間隔が均一であると
いう観察結果により、高い平坦度を有することが確認さ
れている。

【００１３】次に、このシリコンウエハ５を下部放電電
極３上に載置し、前述した原料ガスを１０Ｐａ導入する
と共に、２００Ｗの高周波電力を各放電電極２，３に印
加してプラズマを形成し、該シリコンウエハ５ａ上に１
０分間だけダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する。

【００１４】成膜終了後、シリコンウエハ５ａは前述同
様に干渉縞が観察され、干渉縞のパターンが歪んで乱れ
ているという観察結果が得られている。また、このシリ
コンウエハ５ａ上の膜厚を測定した結果、膜厚は０．２
μｍが得られている。

【００１５】続いて、厚さ１ｍｍ，直径５インチのガラ
スウエハ５ｂを用い、前述同様に成膜を行う。

【００１６】成膜終了後、このガラスウエハ５ｂは５イ
ンチ径内で２０箇所の可視光透過率が測定され、次の
（１）式によって膜圧分布が算出されている。

【００１７】

【数１】測定及び算出の結果、得られた膜厚は０．２μｍであ
り、膜厚分布は±２３％である。また、真空容器の内壁
には、気相反応により生成したと考えられる微粉末が付
着している。

【００１８】従って、このようなプラズマＣＶＤ装置は
少なくとも膜厚分布の均一性を改善する必要がある。

【００１９】このため、特公昭５９−４８１３８号公報
に示されている構成のものが考えられている。図４は係
るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式図である。

【００２０】このプラズマＣＶＤ装置は、真空容器１１
内に平行平板型の一対の放電電極１２，１３が鉛直方向
に互いに対向配置され、各放電電極１２，１３には高周
波電力が供給可能となっている。ここで、上方に配置さ
れた上部放電電極１２は基板１４を保持している。ま
た、下方に配置された下部放電電極１３はガス放出孔１
５を有する２個の電極面１３ａ，１３ｂを有し、各電極
面１３ａ，１３ｂは空間を隔てて重ねて構成されてい
る。

【００２１】これにより、原料ガスは図示しないガス供
給源からガス導入管１６を通って下方の放電電極１３内
に供給され、各電極面１３ａ，１３ｂのガス放出孔１５
を通って真空容器１１内の放電電極１２，１３間に導入
され、該電極１２，１３間でプラズマを形成して基板１
４上に薄膜を生成する。なお、係るプラズマＣＶＤ装置
では、ガス放出孔１５の径約３ｍｍΦ、孔１５の面密度
４個／ｃｍ²で、５０ｍｍ×５０ｍｍのガラス基板１４
上において膜厚ムラ±４％の薄膜が得られている。

【００２２】また、特公平５−２７４９４号公報に示さ
れている構成のものがある。図５は係るプラズマＣＶＤ
装置の一部を破断して示す構成図である。

【００２３】このプラズマＣＶＤ装置は、基板を保持す
る基板ホルダ２１と、ガス放出孔２２を有する一対の電
極面２３ａ，２３ｂからなる放電電極２３とが真空容器
２４内で鉛直方向に対向配置されている。放電電極２３
は各電極面２３ａ，２３ｂに高周波電力を供給可能であ
り、且つ図示しないガス供給源からステンレスメッシュ
２５が充填されたガス導入管２６を介して各電極面２３
ａ，２３ｂに原料ガスを供給可能となっている。

【００２４】これにより、原料ガスはガス導入管２６内
のステンレスメッシュ２５を通って各電極面２３ａ，２
３ｂ内のプラズマ空間に供給され、該プラズマ空間内で
活性化されて基板上に薄膜を形成する。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら初めに述
べたようなプラズマＣＶＤ装置では、５インチ径内の膜
厚が±２３％で変動するため、膜厚分布の均一性が低い
という問題がある。

【００２６】一方、特公昭５９−４８１３８号公報及び
特公平５−２７４９４号公報に示されたプラズマＣＶＤ
装置では、薄膜の生成領域が２インチ径程度と非常に狭
いため、５インチ径程度の大口径ウエハにおける膜厚分
布の均一性向上には寄与していないという問題がある。
すなわち、膜厚分布の均一性向上は膜生成領域の増大化
に対応して飛躍的に困難化するため、特公昭５９−４８
１３８号公報に示される２インチ径における±４％の均
一性は、最良に評価しても、５インチ径における±１０
％の均一性にしか対応しない。

【００２７】また、各公報に示されるプラズマＣＶＤ装
置では、原料ガスが導入されると、ガス導入配管１６，
２６に面した電極面１３ａ〜ｂ，２３ａ〜ｂの中央部付
近ではガスが抜け易く、電極面１３ａ〜ｂ，２３ａ〜ｂ
の端部付近ではガスが比較的抜けにくいために、ウエハ
中央部の膜厚が厚く、ウエハ端部の膜厚が薄くなる傾向
がある。この傾向はガス導入配管１６，２６内のステン
レスメッシュ２５の有無に関わらず、ガス導入配管１
６，２６に面したガス放出孔１５，２２を通してガスを
導入することから生じる本質的な問題である。また、こ
れに伴い、プラズマ内に原料ガスの密度ムラができるた
め、原料ガスの一部が気相中に反応し、微粉末を生じる
問題がある。

【００２８】さらに、１枚の放電電極１３，２３が２個
の電極面１３ａ〜ｂ，２３ａ〜ｂを有するため、２イン
チ径程度の狭い領域を対象とする割に、複雑な構成とな
っている。

【００２９】上述したように、現在の技術では３インチ
径未満の面積で膜厚分布が±１０％，良くても±５％程
度の均一性しか実現されていない問題がある。

【００３０】なお、膜厚分布の不均一は成膜場であるプ
ラズマ雰囲気の不均一を示し、プラズマ雰囲気の不均一
は膜特性の不均一を示している。

【００３１】一方、膜特性の均一性は、特に電子材料分
野における要求レベルが高く、例えば高精度微細パター
ンを作製するＸ線マスク用Ｘ線透過膜においては膜厚分
布が±３％以下、場合によっては±１％程度の厳しい値
が要求されている。

【００３２】しかし、プラズマ雰囲気を任意に制御する
技術が未確立であるため、３インチ径以上の範囲に±３
％以下の膜厚分布で薄膜を作成する装置は未だ存在して
いない。

【００３３】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、原料ガスを多孔質体の金属電極を通してプラズマ雰
囲気に均一に導入することにより、大口径ウエハであっ
ても、膜厚分布の均一性を著しく向上し得るプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、一対の放電電極が真空容器内に対向配置さ
れ、前記真空容器内に原料ガスを導入すると共に、前記
各放電電極の少なくとも一方に電力を供給し、当該各放
電電極間にプラズマを発生させて前記原料ガスを活性化
させることにより、前記真空容器内の所定の基材上に薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記各放電
電極のうち、少なくとも一方の放電電極に金属多孔質体
からなるガス導入口を設けたプラズマＣＶＤ装置であ
る。

【００３５】

【作用】従って、本発明は以上のような手段を講じたこ
とにより、各放電電極のうち、少なくとも一方の放電電
極に金属多孔質体からなるガス導入口を設けているの
で、原料ガスを多孔質体の金属電極を通してプラズマ雰
囲気に均一に導入することにより、膜厚分布の均一性を
著しく向上させることができる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００３７】図１は本発明の一実施例に係るプラズマＣ
ＶＤ装置の構成を示す模式図であり、図２はこのプラズ
マＣＶＤ装置に適用されるガス導入口及び一方の放電電
極の構成を示す断面図であって、図３と同一部分には同
一符号を付してその詳しい説明は省略し、ここでは異な
る部分についてのみ述べる。

【００３８】すなわち、本実施例装置は、膜厚分布の均
一性を向上させるためにプラズマ雰囲気の均一化を図る
ものであって、具体的には、図３に示す装置に対し、原
料ガス容器７に連通する原料ガス導入管８を真空容器１
の上部外壁を通して下方の下部放電電極３に向けて配置
し、且つ上部放電電極２に代えて、図２に示すガス導入
電極部３１を原料ガス導入管８の先端部８ａに取付けた
構成となっている。

【００３９】ここで、ガス導入電極部３１は、最大口径
を１３０ｍｍとする回転放物面状に形成されて上側中央
部に１／４インチ径の透孔３２ａが穿設されたガス拡散
部材３２と、このガス拡散部材３２の１３０ｍｍの開口
部３２ｂを閉塞するように取付けられた直径１３０ｍ
ｍ，厚さ２ｍｍの円板状のステンレス焼結フィルタ３３
と、このステンレス焼結フィルタ３３をガス拡散部材３
２の開口部３２ｂに固着させるためのカバー３４とを備
えている。

【００４０】ガス拡散部材３２は、１／４インチ径ステ
ンレスパイプである原料ガス導入管８に対し、該導入管
８の先端部８ａを透孔３２ａに通すように該先端部８ａ
にろう付けされ、原料ガス導入管８から導入される原料
ガスを口径の広がりに対応して拡散させてステンレス焼
結フィルタ３３に供給する機能をもっている。

【００４１】ステンレス焼結フィルタ３３は、接地され
た導電性の金属多孔質体であって、ガス拡散部材３２か
ら供給された原料ガスを均一に真空容器１内に導入する
機能を有し、他の金属多孔質体でも代替可能となってい
る。他の金属多孔質体としては、例えば種々のサイズの
金属性メッシュを積層したものが使用可能である。

【００４２】また、ステンレス焼結フィルタ３３は目開
きが４０μｍで設定されている。なお、この目開きは、
小さいとガス導入量を減少させて成膜効率を低下させ、
大きいと原料ガスの均一な拡散を妨げることから、０．
５μｍ〜１５０μｍの範囲で設定され、その中でも２０
μｍ〜４０μｍの範囲がより好ましい設定となってい
る。また、ステンレス焼結フィルタ３３は目開きが４０
μｍと微小なために電位分布に影響を与えないことか
ら、接地電極として使用されるときに電位分布を零電位
で均一化する機能をもっている。

【００４３】次に、このようなプラズマＣＶＤ装置の動
作を説明する。

【００４４】前述同様に、厚さ０．３ｍｍ，５インチ径
のシリコンウエハ３５ａ，３５ｂが下部放電電極３上に
載置される。なお、このシリコンウエハ３５ａはレーザ
照射による干渉縞観察によって高い平坦度を有すること
が確認されている。

【００４５】続いて、真空容器１は所定の真空度である
１０^-4Ｐａまで減圧される。

【００４６】真空容器１の真空度が１０^-4Ｐａまで到達
すると、ＡｒガスがＡｒガス導入管９を通して原料ガス
容器７に導入されると共に、原料ガス容器７内のメタノ
ール６と混合され、メタノールとＡｒが９：１の比率で
ある原料ガスが生成される。

【００４７】また、この原料ガスは原料ガス導入管８を
通ってガス導入電極部３１に導入されると共に、ガス導
入電極部３１のガス拡散部材３２により拡散され、且つ
ステンレス焼結フィルタ３３の４０μｍの目開きを通っ
て微細なガス粒子となり、均一に真空容器１内に導入さ
れる。

【００４８】ここで、原料ガスが１０Ｐａ導入される
と、２００Ｗの高周波電力が放電電極３１，３に印加さ
れて放電電極３１，３とステンレス焼結フィルタ３３と
の間にプラズマが形成される。

【００４９】このプラズマは、原料ガスが微細且つ均一
にステンレス焼結フィルタ３３から導入されると共に、
ステンレス焼結フィルタ３３の電位分布が均一なため、
ステンレス焼結フィルタ３３の直径である１３０ｍｍの
範囲にわたって均一に形成される。

【００５０】このため、Ａｒ及びメタノール（ＣＨ₃Ｏ
Ｈ）からなる原料ガスは、プラズマによって一様に分解
・活性化され、原料ガス中に含まれていたカーボン
（Ｃ）がシリコンウエハ３５ａ上で一様に反応してダイ
ヤモンドライクカーボンとして成膜される。

【００５１】ここで、高周波電力の印加から１０分間が
経過すると、高周波電力の印加が停止されると共に、原
料ガスの導入が停止されてダイヤモンドライクカーボン
の成膜を終了する。

【００５２】成膜終了後、前述した通り、シリコンウエ
ハ３５ａは干渉縞が観察される。本実施例の干渉縞は、
成膜の前後でともに同心円状のパターンを有している。
従って、内部応力均一性の高いダイヤモンドライクカー
ボン膜を成膜することができる。また、このときの膜厚
は１．５μｍであって従来の０．２μｍに比べて厚く、
これに伴なって、成膜効率は従来よりも向上している。

【００５３】次に、厚さ１ｍｍ，５インチ径のガラスウ
エハ３５ｂを本実施例装置に使用し、前述した通り、ダ
イヤモンドライクカーボンをガラスウエハ３５ｂ上に成
膜する。

【００５４】成膜終了後、前述同様に５インチ径内で２
０箇所の可視光透過率を測定して膜厚に換算し、この膜
厚の分布を前述した（１）式を用いて算出する。

【００５５】算出した結果、膜厚分布は５インチ径内で
±１％である。よって、極めて優れた膜厚分布均一性を
もつダイヤモンドライクカーボンを成膜することができ
る。

【００５６】上述したように本実施例によれば、各放電
電極のうち、一方の放電電極であるガス導入電極部３１
に金属多孔質体からなるステンレス焼結フィルタ３３を
設けるようにしたので、原料ガスを多孔質体の放電電極
を通してプラズマ雰囲気に均一に導入することにより、
５インチという大口径ウエハであっても、膜厚分布の均
一性を著しく向上させることができる。

【００５７】例えば、本実施例では５インチ径内で±１
％内という膜厚分布を得たが、この±１％という値は、
従来の３インチ径未満内で±５％程度という膜厚分布と
比べ、遥かに優れた均一性を示している。

【００５８】また、本実施例によれば、３インチ径以上
の範囲に±３％以下の膜厚分布で薄膜を作成するという
従来に存在しない装置を実現することができる。

【００５９】また、これに伴い、例えば、Ｘ線マスク用
Ｘ線透過膜において要求される膜厚分布±３％以下ある
いは±１％程度という厳しい値を満たすことができるの
で、ダイヤモンドライクカーボンをＸ線マスクのＸ線透
過性支持膜として広く用いることができる。

【００６０】さらに、本実施例によれば、原料ガスや基
板、成膜条件を変えることにより、種々の物質を任意の
基板上に成膜することができるので、例えば半導体デバ
イスやマスク材料に使用されて高機能・高付加価値をも
つ各種薄膜の用途展開を図ることができる。

【００６１】また、本実施例によれば、ステンレス焼結
フィルタ３３を通して均一で且つ微細な原料ガスをプラ
ズマ雰囲気の全域にわたり供給するようにして成膜環境
を整えたことにより、５インチ径にわたり内部応力を均
一にしてダイヤモンドライクカーボン膜を成膜すること
ができる。また、成膜環境を整えたことにより、膜の高
品質化を図ることができる。さらに、前述同様に原料ガ
スや基板、成膜条件を変えることにより、種々の物質を
内部応力を均一にして任意の基板上に成膜することがで
きるので、各種薄膜の高機能化を図ることができる。

【００６２】また、本実施例によれば、１０分間の成膜
時間内で、従来よりも１．３μｍも厚くダイヤモンドラ
イクカーボンを成膜することができる。

【００６３】すなわち、従来はこの１．３μｍ厚×５イ
ンチ径の体積に対応する原料ガスが微粉末となって真空
容器１内に付着したのに対し、本実施例は従来の微粉末
に対応する原料ガスをダイヤモンドライクカーボンとし
て成膜するようにしたので、真空容器を汚染することな
く、メンテナンス性を向上させることができる。

【００６４】また、本実施例によれば、微粉末の発生を
阻止しているため、基板の設置中又は薄膜の堆積中に微
粉末が基板上に落ちてその落下箇所の膜質を劣化させる
ことのないようにしたので、信頼性を向上させることが
できる。

【００６５】さらに、本実施例によれば、ガス導入配管
８とステンレス焼結フィルタ３３との間にガス拡散部材
３２を介在させてステンレス焼結フィルタ３３の全面に
ほぼ均一に原料ガスを供給するようにしたので、原料ガ
スの流速を変化させても、ウエハの中央部と端部とに膜
厚ムラを生じにくく、もって、一層信頼性を向上させる
ことができる。

【００６６】また、本実施例によれば、４０μｍの細か
い無数の孔を有するステンレス焼結フィルタ３３を用い
るようにしたので、機械的強度の強化と、加工の容易化
と、原料ガス及び高周波電力における供給の均一化とを
同時に実現することができる。

【００６７】また、本実施例によれば、以上のような効
果を、一方の放電電極に金属多孔質体からなるガス導入
口を設けるという簡易な構成で実現することができる。
また、構成が簡易なために、装置のメンテナンス性を一
層向上させることができる。

【００６８】なお、上記実施例では、下方の放電電極上
に基板を載置し、上方の放電電極からガスを導入する場
合について説明したが、これに限らず、上方の放電電極
上に基板を取付け、下方の放電電極からガスを導入する
構成としても、本発明を同様に実施して同様の効果を得
ることができる。

【００６９】また、互いに対向配置された一対の放電電
極に対し、基板を両電極間の外部に配置して薄膜を生成
させる構成としても、本発明を同様に実施して同様の効
果を得ることができる。なお、この場合、両放電電極か
ら原料ガスを導入して薄膜を生成することが可能とな
る。

【００７０】さらに、上記実施例では、厚さ２ｍｍのス
テンレス焼結フィルタ３３を用いる場合について説明し
たが、これに限らず、例えば中央部と端部とで厚さを変
えたステンレス焼結フィルタを用いた構成としても、本
発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。

【００７１】その他、本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施できる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
放電電極のうち、少なくとも一方の放電電極に金属多孔
質体からなるガス導入口を設けているので、原料ガスを
多孔質体の金属電極を通してプラズマ雰囲気に均一に導
入することにより、膜厚分布の均一性を著しく向上でき
るプラズマＣＶＤ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す模式図。

【図２】同実施例におけるガス導入口及び一方の放電電
極の構成を示す断面図。

【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式
図。

【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式
図。

【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置を一部破断して示す
構成図。

【符号の説明】

１…真空容器、３…下部放電電極、４…高周波電源、６
…メタノール、７…原料ガス容器、８…原料ガス導入配
管、９…Ａｒガス導入配管、３１…ガス導入電極部、３
２…ガス拡散部材、３３…ステンレス焼結フィルタ、３
４…カバー。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の放電電極が真空容器内に対向配置
され、前記真空容器内に原料ガスを導入すると共に、前
記各放電電極の少なくとも一方に電力を供給し、当該各
放電電極間にプラズマを発生させて前記原料ガスを活性
化させることにより、前記真空容器内の所定の基材上に
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記各放電電極のうち、少なくとも一方の放電電極に金
属多孔質体からなるガス導入口を設けたことをを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。