JPH0798257A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH0798257A JPH0798257A JP26400993A JP26400993A JPH0798257A JP H0798257 A JPH0798257 A JP H0798257A JP 26400993 A JP26400993 A JP 26400993A JP 26400993 A JP26400993 A JP 26400993A JP H0798257 A JPH0798257 A JP H0798257A
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、基台に半導体圧力変換素子を載置し
た台座を接合し、前記半導体圧力変換素子及び台座を前
記基台に接合したハウジング内に空間を有して封入して
成る圧力センサにおいて、被測定媒体の圧力による影響
で半導体圧力変換素子及び台座の歪みの発生と、密閉空
間に封止されている基準圧のリークを抑止し、検出精度
を向上することを目的とする。 【構成】半導体圧力変換素子33を一定圧の基準圧を封
止して台座35に載置し、前記台座35の基台31への
接合面に圧力導入口32とハウジング36内の空間37
とを連通する圧力導入溝38を設け、ハウジング36内
の空間37に導入した被測定媒体の圧力Pを半導体圧力
変換素子33の上面のダイヤフラム受圧側に作用するよ
うにした構成ことを特徴とする。
た台座を接合し、前記半導体圧力変換素子及び台座を前
記基台に接合したハウジング内に空間を有して封入して
成る圧力センサにおいて、被測定媒体の圧力による影響
で半導体圧力変換素子及び台座の歪みの発生と、密閉空
間に封止されている基準圧のリークを抑止し、検出精度
を向上することを目的とする。 【構成】半導体圧力変換素子33を一定圧の基準圧を封
止して台座35に載置し、前記台座35の基台31への
接合面に圧力導入口32とハウジング36内の空間37
とを連通する圧力導入溝38を設け、ハウジング36内
の空間37に導入した被測定媒体の圧力Pを半導体圧力
変換素子33の上面のダイヤフラム受圧側に作用するよ
うにした構成ことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力変換素子を
内蔵した圧力センサに関するものである。
内蔵した圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、エンジンの吸気圧等を制御する圧
力センサには基準圧型と差圧型がある。この2種類のう
ち、図4で示すように基準圧型の圧力センサ20は被測
定媒体の圧力Pに対して出力信号を出力する半導体圧力
変換素子25と、その半導体圧力変換素子25を載置す
る台座26と、これらを載置する基台27とをそれぞれ
共晶接合し、半導体圧力変換素子25の受圧側と反対側
である背圧側は大気解放穴の無いハウジング21と基台
27とにより空間24を有して封止し、その空間24に
真空又は一定圧の基準圧が封入され、基台27には被測
定媒体の圧力Pを半導体圧力変換素子25のダイヤフラ
ム受圧側に導くための圧力導入パイプ23を鑞付けし、
基台27を貫通した導線22によって半導体圧力変換素
子25の出力信号をハウジング21外に取り出すように
した構造である。また、差圧型の圧力センサはハウジン
グ21内に大気圧を導入して圧力Pと大気圧の差圧を測
定するようにしたものである。
力センサには基準圧型と差圧型がある。この2種類のう
ち、図4で示すように基準圧型の圧力センサ20は被測
定媒体の圧力Pに対して出力信号を出力する半導体圧力
変換素子25と、その半導体圧力変換素子25を載置す
る台座26と、これらを載置する基台27とをそれぞれ
共晶接合し、半導体圧力変換素子25の受圧側と反対側
である背圧側は大気解放穴の無いハウジング21と基台
27とにより空間24を有して封止し、その空間24に
真空又は一定圧の基準圧が封入され、基台27には被測
定媒体の圧力Pを半導体圧力変換素子25のダイヤフラ
ム受圧側に導くための圧力導入パイプ23を鑞付けし、
基台27を貫通した導線22によって半導体圧力変換素
子25の出力信号をハウジング21外に取り出すように
した構造である。また、差圧型の圧力センサはハウジン
グ21内に大気圧を導入して圧力Pと大気圧の差圧を測
定するようにしたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の基準圧型
の圧力センサ20の構造では、被測定媒体の圧力Pを受
圧する半導体圧力変換素子25のダイヤフラム受圧側は
台座26に接合されている側である。従って、殊に高圧
用では半導体圧力変換素子25に作用する被測定媒体の
圧力Pの負荷サイクルにより、半導体圧力変換素子25
は台座26から、台座26は基台27からそれぞれ剥離
方向に引張応力が繰り返され、歪みが発生して出力の変
動が大きくなる。また、ハウジング21と基台27との
接合部や導線22の基台貫通部からハウジング21の空
間24内の基準圧がリークする問題がある。
の圧力センサ20の構造では、被測定媒体の圧力Pを受
圧する半導体圧力変換素子25のダイヤフラム受圧側は
台座26に接合されている側である。従って、殊に高圧
用では半導体圧力変換素子25に作用する被測定媒体の
圧力Pの負荷サイクルにより、半導体圧力変換素子25
は台座26から、台座26は基台27からそれぞれ剥離
方向に引張応力が繰り返され、歪みが発生して出力の変
動が大きくなる。また、ハウジング21と基台27との
接合部や導線22の基台貫通部からハウジング21の空
間24内の基準圧がリークする問題がある。
【0004】また、このため、ハウジング21の上部か
らハウジング21内に圧力Pを導入して台座内に基準圧
を封入してやることでリークや出力の変動を防止するこ
とも考えられるが、ハウジング21の上部から圧力を導
入すると、圧力センサを取り付ける際の配管の取り回し
や圧力センサから出力される信号を処理する処理回路の
配置を変えなければならない問題がある。
らハウジング21内に圧力Pを導入して台座内に基準圧
を封入してやることでリークや出力の変動を防止するこ
とも考えられるが、ハウジング21の上部から圧力を導
入すると、圧力センサを取り付ける際の配管の取り回し
や圧力センサから出力される信号を処理する処理回路の
配置を変えなければならない問題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
に鑑みてなされたもので、その特徴とする構成は、圧力
導入口を有する基台に半導体圧力変換素子を載置した台
座を接合し、前記半導体圧力変換素子及び台座を前記基
台に接合したハウジング内に空間を有して封入して成る
圧力センサにおいて、前記半導体圧力変換素子を一定圧
の基準圧を封止して台座に載置し、前記台座の基台への
接合面に前記圧力導入口とハウジング内の空間とを連通
する圧力導入溝を設けたものである。
に鑑みてなされたもので、その特徴とする構成は、圧力
導入口を有する基台に半導体圧力変換素子を載置した台
座を接合し、前記半導体圧力変換素子及び台座を前記基
台に接合したハウジング内に空間を有して封入して成る
圧力センサにおいて、前記半導体圧力変換素子を一定圧
の基準圧を封止して台座に載置し、前記台座の基台への
接合面に前記圧力導入口とハウジング内の空間とを連通
する圧力導入溝を設けたものである。
【0006】
【作用】上記の構成により、基台の圧力導入口から入っ
た被測定媒体の圧力は台座の基台への接合面に設けた圧
力導入溝よりハウジング内の空間に導かれ、半導体圧力
変換素子の上面のダイヤフラム受圧側に圧力が作用し、
半導体圧力変換素子と台座及び台座と基台の各接合部に
引張応力が発生せず、耐圧性を向上する。
た被測定媒体の圧力は台座の基台への接合面に設けた圧
力導入溝よりハウジング内の空間に導かれ、半導体圧力
変換素子の上面のダイヤフラム受圧側に圧力が作用し、
半導体圧力変換素子と台座及び台座と基台の各接合部に
引張応力が発生せず、耐圧性を向上する。
【0007】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図1において、圧力センサ30は被測定媒体の圧力
Pに対して出力信号を出力する半導体圧力変換素子33
と、その半導体圧力変換素子33を載置する台座35
と、これらを載置する基台31とをそれぞれ陽極接合
し、半導体圧力変換素子33と台座35とによって形成
される密閉された空間34に一定圧の基準圧が封止され
ている。
る。図1において、圧力センサ30は被測定媒体の圧力
Pに対して出力信号を出力する半導体圧力変換素子33
と、その半導体圧力変換素子33を載置する台座35
と、これらを載置する基台31とをそれぞれ陽極接合
し、半導体圧力変換素子33と台座35とによって形成
される密閉された空間34に一定圧の基準圧が封止され
ている。
【0008】前記基台31には圧力導入口32が開口
し、これに圧力導入パイプ23が鑞付けされている。ま
た、前記基台31には大気解放穴の無いハウジング36
が空間37を有して接合されている。39は半導体圧力
変換素子33の出力信号をハウジング21外に取り出す
ために基台31を貫通した導線である。
し、これに圧力導入パイプ23が鑞付けされている。ま
た、前記基台31には大気解放穴の無いハウジング36
が空間37を有して接合されている。39は半導体圧力
変換素子33の出力信号をハウジング21外に取り出す
ために基台31を貫通した導線である。
【0009】前記台座35の基台31への接合面には前
記圧力導入口32とハウジング36内の空間37とを連
通する圧力導入溝38が設けられている。この圧力導入
溝38は例えば図2で示すように、台座35の基台31
への接合面、すなわち、半導体圧力変換素子33が載置
接合される面とは反対側の下面側に、台座35の下部側
面に開口する十字溝が好ましい。しかし、十字溝に限定
するものではない。
記圧力導入口32とハウジング36内の空間37とを連
通する圧力導入溝38が設けられている。この圧力導入
溝38は例えば図2で示すように、台座35の基台31
への接合面、すなわち、半導体圧力変換素子33が載置
接合される面とは反対側の下面側に、台座35の下部側
面に開口する十字溝が好ましい。しかし、十字溝に限定
するものではない。
【0010】本発明は上記のような構成であるから、被
測定媒体の圧力Pは圧力導入パイプ23を通って基台3
1の圧力導入口32から台座35の基台31への接合面
に設けた圧力導入溝38よりハウジング36内の空間3
7に導かれ、半導体圧力変換素子33の上面のダイヤフ
ラム受圧側に圧力が作用して出力信号を導線39により
ハウジング21外に取り出す。
測定媒体の圧力Pは圧力導入パイプ23を通って基台3
1の圧力導入口32から台座35の基台31への接合面
に設けた圧力導入溝38よりハウジング36内の空間3
7に導かれ、半導体圧力変換素子33の上面のダイヤフ
ラム受圧側に圧力が作用して出力信号を導線39により
ハウジング21外に取り出す。
【0011】上記のように台座35の下面の基台31へ
の接合面に設けた圧力導入溝38よりハウジング36内
の空間37に導かれた被測定媒体の圧力Pは半導体圧力
変換素子33の上面のダイヤフラム受圧側に作用するた
め、半導体圧力変換素子33と台座35及び台座35と
基台31の各接合部には押し付ける作用が働き、引張応
力は発生しないので、歪みが生じることがなくなり、半
導体圧力変換素子33と台座35とによって形成される
密閉された空間34に封止されている基準圧のリークが
抑止され、出力の変動がなくなる。
の接合面に設けた圧力導入溝38よりハウジング36内
の空間37に導かれた被測定媒体の圧力Pは半導体圧力
変換素子33の上面のダイヤフラム受圧側に作用するた
め、半導体圧力変換素子33と台座35及び台座35と
基台31の各接合部には押し付ける作用が働き、引張応
力は発生しないので、歪みが生じることがなくなり、半
導体圧力変換素子33と台座35とによって形成される
密閉された空間34に封止されている基準圧のリークが
抑止され、出力の変動がなくなる。
【0012】前記台座35に半導体圧力変換素子33を
載置接合したセンサ構造体を製造するには、図3で示す
ように、各個に分割するためのスリット35Bを入れた
複数個の台座35が連続する圧力導入溝38付の台座素
材35Aの上面に、複数個の半導体圧力変換素子33が
前記スリット35Bと同一位置で対応する切り離し線3
3により連続した半導体圧力変換素子材33Aを載置
し、これを真空ポンプ41によって真空圧にした真空容
器40内で、一方に半導体圧力変換素子材33Aを接続
し、他方に台座素材35Aを接続して電源42によって
900V程度の電圧を印加することで、台座素材35A
と半導体圧力変換素子材33Aを接合する。そして、ス
リット35B及び切り離し線33を切断することによ
り、単体のセンサ構造体が得られる。この場合、半導体
圧力変換素子33と台座35とによって形成される密閉
された空間34の一定圧の基準圧が全て同一に封止さ
れ、センサの均一化ができる。
載置接合したセンサ構造体を製造するには、図3で示す
ように、各個に分割するためのスリット35Bを入れた
複数個の台座35が連続する圧力導入溝38付の台座素
材35Aの上面に、複数個の半導体圧力変換素子33が
前記スリット35Bと同一位置で対応する切り離し線3
3により連続した半導体圧力変換素子材33Aを載置
し、これを真空ポンプ41によって真空圧にした真空容
器40内で、一方に半導体圧力変換素子材33Aを接続
し、他方に台座素材35Aを接続して電源42によって
900V程度の電圧を印加することで、台座素材35A
と半導体圧力変換素子材33Aを接合する。そして、ス
リット35B及び切り離し線33を切断することによ
り、単体のセンサ構造体が得られる。この場合、半導体
圧力変換素子33と台座35とによって形成される密閉
された空間34の一定圧の基準圧が全て同一に封止さ
れ、センサの均一化ができる。
【0013】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、半導体圧力
変換素子を一定圧の基準圧を封止して台座に載置し、前
記台座の基台への接合面に圧力導入口とハウジング内の
空間とを連通する圧力導入溝を設け、ハウジング内の空
間に導入した被測定媒体の圧力を半導体圧力変換素子の
上面のダイヤフラム受圧側に作用するようにした構成で
あるから、歪みの発生と半導体圧力変換素子と台座との
間に封止されている基準圧のリークを抑止し、出力の変
動が防止され検出精度を向上する。また、同一形状のパ
ッケージで基準圧タイプと差圧タイプが台座形状のみで
使い分けすることができ、パッケージに対し台座接合面
積が小さく、台座上の半導体圧力変換素子に伝達する歪
みが小さくなる。
変換素子を一定圧の基準圧を封止して台座に載置し、前
記台座の基台への接合面に圧力導入口とハウジング内の
空間とを連通する圧力導入溝を設け、ハウジング内の空
間に導入した被測定媒体の圧力を半導体圧力変換素子の
上面のダイヤフラム受圧側に作用するようにした構成で
あるから、歪みの発生と半導体圧力変換素子と台座との
間に封止されている基準圧のリークを抑止し、出力の変
動が防止され検出精度を向上する。また、同一形状のパ
ッケージで基準圧タイプと差圧タイプが台座形状のみで
使い分けすることができ、パッケージに対し台座接合面
積が小さく、台座上の半導体圧力変換素子に伝達する歪
みが小さくなる。
【図1】本発明による圧力センサの断面図
【図2】本発明による圧力センサに用いられている台座
の1例を示す要部斜視図
の1例を示す要部斜視図
【図3】本発明による圧力センサの台座に半導体圧力変
換素子を載置接合したセンサ構造体の製造例を示す説明
図
換素子を載置接合したセンサ構造体の製造例を示す説明
図
【図4】従来の圧力センサの断面図
30 圧力センサ 31 基台 32 圧力導入口 33 半導体圧力変換素子 35 台座 36 ハウジング 37 空間 38 圧力導入溝
Claims (1)
- 【請求項1】 圧力導入口を有する基台に半導体圧力変
換素子を載置した台座を接合し、前記半導体圧力変換素
子及び台座を前記基台に接合したハウジング内に空間を
有して封入して成る圧力センサにおいて、前記半導体圧
力変換素子を一定圧の基準圧を封止して台座に載置し、
前記台座の基台への接合面に前記圧力導入口とハウジン
グ内の空間とを連通する圧力導入溝を設けたことを特徴
とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26400993A JPH0798257A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26400993A JPH0798257A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798257A true JPH0798257A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17397285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26400993A Pending JPH0798257A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013213772A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体センサ及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP26400993A patent/JPH0798257A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013213772A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体センサ及びその製造方法 |
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