JPH0798355A - 静電破壊試験方法及びその実施装置 - Google Patents
静電破壊試験方法及びその実施装置Info
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- JPH0798355A JPH0798355A JP5242572A JP24257293A JPH0798355A JP H0798355 A JPH0798355 A JP H0798355A JP 5242572 A JP5242572 A JP 5242572A JP 24257293 A JP24257293 A JP 24257293A JP H0798355 A JPH0798355 A JP H0798355A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 帯電した金属工具類が直接半導体装置に触れ
たときに起こる高速の放電現象を模擬できる静電破壊試
験方法を提供する。 【構成】 静電気の放電に対する半導体装置の耐量を評
価する静電破壊試験方法において、予め接地電位と被試
験半導体装置８との間に容量を形成する程度に、被試験
半導体装置８を接地電位から離してフローティング状態
とし、被試験半導体装置８の被試験端子８Ａを接地電位
に固定し、その後、前記高電位の導電体４を前記被試験
端子８Ａに接触させて静電破壊試験を行う。
たときに起こる高速の放電現象を模擬できる静電破壊試
験方法を提供する。 【構成】 静電気の放電に対する半導体装置の耐量を評
価する静電破壊試験方法において、予め接地電位と被試
験半導体装置８との間に容量を形成する程度に、被試験
半導体装置８を接地電位から離してフローティング状態
とし、被試験半導体装置８の被試験端子８Ａを接地電位
に固定し、その後、前記高電位の導電体４を前記被試験
端子８Ａに接触させて静電破壊試験を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電破壊試験方法及び
その実施装置に関し、特に、静電気の放電に対する半導
体装置の耐量を検証し、同じく放電により起こされる半
導体装置の故障状態を検証する技術に適用して有効な技
術に関するものである。
その実施装置に関し、特に、静電気の放電に対する半導
体装置の耐量を検証し、同じく放電により起こされる半
導体装置の故障状態を検証する技術に適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】静電気の放電により生じた電流が半導体
装置内を流れると、その半導体装置は破壊し易いため、
一般に電子機器の組み立て工程では、半導体装置の取扱
い時の静電気の発生や放電を防ぐための各種の対策を行
っている。しかし、この対策には限界があり、静電気に
対する各種半導体装置の耐量を検証し、その検証結果に
合った静電気対策の実施を行うことが多い。
装置内を流れると、その半導体装置は破壊し易いため、
一般に電子機器の組み立て工程では、半導体装置の取扱
い時の静電気の発生や放電を防ぐための各種の対策を行
っている。しかし、この対策には限界があり、静電気に
対する各種半導体装置の耐量を検証し、その検証結果に
合った静電気対策の実施を行うことが多い。
【０００３】また、半導体装置の耐量が低い場合は半導
体装置内部の設計変更を行い改善する必要がある。静電
破壊試験により生じた故障内容を検討し、設計変更を行
い改善することになる。また、対策後に再度静電破壊試
験を行い、対策効果を検証する必要がある。
体装置内部の設計変更を行い改善する必要がある。静電
破壊試験により生じた故障内容を検討し、設計変更を行
い改善することになる。また、対策後に再度静電破壊試
験を行い、対策効果を検証する必要がある。
【０００４】現在普及している静電破壊試験方法は、人
体モデル法と呼ばれている。この人体モデル法による静
電破壊試験については、例えば、村崎憲雄編著、第一イ
ンターナショナル（株）発行の「改訂版 エレクトトロ
ニクス・システムの静電気障害対策資料集」Ｐ．１３９
の図４．５２に記載されている。
体モデル法と呼ばれている。この人体モデル法による静
電破壊試験については、例えば、村崎憲雄編著、第一イ
ンターナショナル（株）発行の「改訂版 エレクトトロ
ニクス・システムの静電気障害対策資料集」Ｐ．１３９
の図４．５２に記載されている。
【０００５】この静電破壊試験方法は、半導体装置が人
体からの放電電流を暴露される現象を模擬するために考
案されたものであり、図５に示すように、ショート法、
誘電法、フロート法に分類される。試験手順はいずれも
人体の静電容量に相当するコンデンサ１に高電圧電源５
２により充電した電荷をリレー５４を切り替えることに
より半導体装置７に放電するものである。
体からの放電電流を暴露される現象を模擬するために考
案されたものであり、図５に示すように、ショート法、
誘電法、フロート法に分類される。試験手順はいずれも
人体の静電容量に相当するコンデンサ１に高電圧電源５
２により充電した電荷をリレー５４を切り替えることに
より半導体装置７に放電するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００７】前記従来技術では、コンデンサ５１から半
導体装置５７まで、半導体装置５７から接地点まで、さ
らに、接地点からコンデンサ５１までの放電経路にはコ
ンデンサ５１のリード，リレー５４のリード，配線，抵
抗体５３（抵抗体５３の代わりに直流電流抑制用のコン
デンサ５５又は何もない場合がある），放電棒５６（放
電棒５６を使用しない場合もある）があり、半導体装置
５７から接地点及び接地点からコンデンサ５１までには
配線材があるため、コンデンサ５１の電荷が放電され、
半導体装置５７を通ってコンデンサ５１に戻るまでには
各種部品や配線を通過する必要がある。このような放電
経路には、インダクタンス，分布容量があるため、図６
に示すように、前記リレー５４を切り替えて放電が開始
された直後から数ｎ秒までの間は、放電電流の立上りが
遅く（なまる）、かつ、振動するので不安定となり（波
形が乱れる）、期待通りの電流が流れない。
導体装置５７まで、半導体装置５７から接地点まで、さ
らに、接地点からコンデンサ５１までの放電経路にはコ
ンデンサ５１のリード，リレー５４のリード，配線，抵
抗体５３（抵抗体５３の代わりに直流電流抑制用のコン
デンサ５５又は何もない場合がある），放電棒５６（放
電棒５６を使用しない場合もある）があり、半導体装置
５７から接地点及び接地点からコンデンサ５１までには
配線材があるため、コンデンサ５１の電荷が放電され、
半導体装置５７を通ってコンデンサ５１に戻るまでには
各種部品や配線を通過する必要がある。このような放電
経路には、インダクタンス，分布容量があるため、図６
に示すように、前記リレー５４を切り替えて放電が開始
された直後から数ｎ秒までの間は、放電電流の立上りが
遅く（なまる）、かつ、振動するので不安定となり（波
形が乱れる）、期待通りの電流が流れない。
【０００８】そして、実際には、静電気で帯電したピン
セットやラジオペンチ等の金属工具類が直接半導体装置
に触れることがあり、工具類と半導体装置の間には配線
がないためインダクタンスが極めて小さく、高速の放電
が起こるため、１ｎ秒以内の極めて短い時間で破壊する
ので、静電気の放電が開始されてから１ｎ秒以内に起こ
る半導体装置の故障を、前述の従来の人体の放電を模擬
する方法では正確に試験できないという問題があった。
つまり、静電破壊試験では、放電が開始されてから１０
０ｐ秒程度から１〜２ｎ秒までの間の放電現象を再現性
良く実現することが必要である。
セットやラジオペンチ等の金属工具類が直接半導体装置
に触れることがあり、工具類と半導体装置の間には配線
がないためインダクタンスが極めて小さく、高速の放電
が起こるため、１ｎ秒以内の極めて短い時間で破壊する
ので、静電気の放電が開始されてから１ｎ秒以内に起こ
る半導体装置の故障を、前述の従来の人体の放電を模擬
する方法では正確に試験できないという問題があった。
つまり、静電破壊試験では、放電が開始されてから１０
０ｐ秒程度から１〜２ｎ秒までの間の放電現象を再現性
良く実現することが必要である。
【０００９】本発明の目的は、帯電した金属工具類が直
接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象を模
擬できる静電破壊試験方法及びその実施装置を提供する
ことにある。
接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象を模
擬できる静電破壊試験方法及びその実施装置を提供する
ことにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本題において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１２】（１）静電気の放電に対する半導体装置の
耐量を評価する静電破壊試験方法において、予め接地電
位と被試験半導体装置との間に容量を形成する程度に、
被試験半導体装置を接地電位から離して（絶縁されてい
れば離さなくても良い）フローティング状態とし、被試
験半導体装置の被試験端子を接地電位に固定し、その
後、前記高電位の導電体を前記被試験端子に接触させて
静電破壊試験を行う。
耐量を評価する静電破壊試験方法において、予め接地電
位と被試験半導体装置との間に容量を形成する程度に、
被試験半導体装置を接地電位から離して（絶縁されてい
れば離さなくても良い）フローティング状態とし、被試
験半導体装置の被試験端子を接地電位に固定し、その
後、前記高電位の導電体を前記被試験端子に接触させて
静電破壊試験を行う。
【００１３】（２）前記（１）の静電破壊試験方法にお
いて、被試験半導体装置の被試験端子の電位を高抵抗体
を介して大地等に接続して固定する。
いて、被試験半導体装置の被試験端子の電位を高抵抗体
を介して大地等に接続して固定する。
【００１４】（３）静電気放電に対する半導体装置の耐
量を評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動
可能な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取
り付られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地し
た試験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的
接続の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を
載置する位置に前記被試験半導体装置との間に容量を形
成するための絶縁体を設けた接地導電板とを備えたもの
である。
量を評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動
可能な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取
り付られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地し
た試験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的
接続の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を
載置する位置に前記被試験半導体装置との間に容量を形
成するための絶縁体を設けた接地導電板とを備えたもの
である。
【００１５】（４）前記（３）の前記高電位の金属体と
接地金属板との間に接続されたコンデンサ（容量）と、
被試験半導体装置の被試験端子を高抵抗体を通して接地
する手段或は高抵抗体を用いず直接接地する手段とを備
えたものである。
接地金属板との間に接続されたコンデンサ（容量）と、
被試験半導体装置の被試験端子を高抵抗体を通して接地
する手段或は高抵抗体を用いず直接接地する手段とを備
えたものである。
【００１６】（５）静電気放電に対する半導体装置の耐
量を評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動
可能な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取
り付られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地し
た試験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的
接続の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を
載置する位置に高抵抗保持具を設けた接地導電板とを備
えたものである。
量を評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動
可能な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取
り付られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地し
た試験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的
接続の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を
載置する位置に高抵抗保持具を設けた接地導電板とを備
えたものである。
【００１７】
【作用】前述の手段によれば、静電気の放電に対する半
導体装置の耐量を評価する静電破壊試験方法において、
予め接地電位と被試験半導体装置との間に容量を形成す
る程度に、被試験半導体装置を接地電位から離してフロ
ーティング状態とし、被試験半導体装置の被試験端子を
接地電位に固定し、その後、前記高電位の導電体を前記
被試験端子に接触させて静電破壊試験を行うことによ
り、高電位の導電体（金属体）と接地導電板（大地）の
間は配線で接続する必要がないため、短い配線材で試験
回路を作成でき、試験回路のインダクタンスを小さくす
ることができるので、高速の放電電流を被試験半導体装
置に流すことができる。これにより、帯電したピンセッ
トやラジオペンチ等の金属工具類が直接半導体装置に触
れたときに起こる高速の放電現象を模擬することができ
る。
導体装置の耐量を評価する静電破壊試験方法において、
予め接地電位と被試験半導体装置との間に容量を形成す
る程度に、被試験半導体装置を接地電位から離してフロ
ーティング状態とし、被試験半導体装置の被試験端子を
接地電位に固定し、その後、前記高電位の導電体を前記
被試験端子に接触させて静電破壊試験を行うことによ
り、高電位の導電体（金属体）と接地導電板（大地）の
間は配線で接続する必要がないため、短い配線材で試験
回路を作成でき、試験回路のインダクタンスを小さくす
ることができるので、高速の放電電流を被試験半導体装
置に流すことができる。これにより、帯電したピンセッ
トやラジオペンチ等の金属工具類が直接半導体装置に触
れたときに起こる高速の放電現象を模擬することができ
る。
【００１８】また、被試験半導体装置の被試験端子の電
位を高抵抗体を介して接地導電体（大地等）に接続して
固定することにより、半導体装置の被試験端子の電位を
零電位に保持することができ、かつ、低周波電流を逃す
ことができる。
位を高抵抗体を介して接地導電体（大地等）に接続して
固定することにより、半導体装置の被試験端子の電位を
零電位に保持することができ、かつ、低周波電流を逃す
ことができる。
【００１９】また、前記高電位の導電体（金属体）と接
地導電板（金属板）との間にコンデンサ（容量）を接続
し、被試験半導体装置の被試験端子を高抵抗体を通して
接地するか或は高抵抗体を用いず直接接地することによ
り、本発明の高速の放電電流を被試験半導体装置に流し
て、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属工具類
が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象
を模擬することができると共に、従来のような人体の静
電容量に相当するコンデンサに高電圧を充電した高電圧
電源の電荷をリレーを切り替えることにより、静電破壊
部を暴露することもできる。
地導電板（金属板）との間にコンデンサ（容量）を接続
し、被試験半導体装置の被試験端子を高抵抗体を通して
接地するか或は高抵抗体を用いず直接接地することによ
り、本発明の高速の放電電流を被試験半導体装置に流し
て、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属工具類
が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象
を模擬することができると共に、従来のような人体の静
電容量に相当するコンデンサに高電圧を充電した高電圧
電源の電荷をリレーを切り替えることにより、静電破壊
部を暴露することもできる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２１】なお、実施例を説明する全図において、同
一機能を有するものには、同一符号を付け、その繰り返
しの説明は省略する。
一機能を有するものには、同一符号を付け、その繰り返
しの説明は省略する。
【００２２】（実施例１）図１は、本発明の実施例１の
静電破壊試験方法を実施するための静電破壊試験装置の
概略構成を示すブロック図である。図１において、１は
高電圧電源、２は充電用配線、３は充電電流制限用高抵
抗体、４はブロック又は板状の高電位の金属体、５はス
イッチ又はリレー、６は絶縁体からなる支持アーム、７
は試験用電極、８は被試験半導体装置、８Ａは被試験端
子、９は容量形成用絶縁シート、１０は接地用金属板、
１１，１２，１４は接地配線、１３は放電電流制限用高
抵抗体である。
静電破壊試験方法を実施するための静電破壊試験装置の
概略構成を示すブロック図である。図１において、１は
高電圧電源、２は充電用配線、３は充電電流制限用高抵
抗体、４はブロック又は板状の高電位の金属体、５はス
イッチ又はリレー、６は絶縁体からなる支持アーム、７
は試験用電極、８は被試験半導体装置、８Ａは被試験端
子、９は容量形成用絶縁シート、１０は接地用金属板、
１１，１２，１４は接地配線、１３は放電電流制限用高
抵抗体である。
【００２３】前記高電位の金属体４及び試験用電極７は
それぞれ支持アーム６に取り付けられている。前記支持
アーム６は三次元に移動可能（上下，左右自由自在）に
装置本体（図示していない）に設けられている。そし
て、前記試験用電極７は、被試験半導体装置８のすべて
の被試験端子８Ａと接触可能に摺動すように構成されて
いる。
それぞれ支持アーム６に取り付けられている。前記支持
アーム６は三次元に移動可能（上下，左右自由自在）に
装置本体（図示していない）に設けられている。そし
て、前記試験用電極７は、被試験半導体装置８のすべて
の被試験端子８Ａと接触可能に摺動すように構成されて
いる。
【００２４】前記接地用金属板１０は、接地配線１１に
より接地（アース）され、その上に容量形成用絶縁シー
ト９が設けられている。この容量形成用絶縁シート９の
上に被試験半導体装置８が載置され、被試験半導体装置
８と接地用金属板１０との間に容量（コンデンサ）が形
成される。この容量は、例えば、数ピコ（ｐ）程度のも
のである。
より接地（アース）され、その上に容量形成用絶縁シー
ト９が設けられている。この容量形成用絶縁シート９の
上に被試験半導体装置８が載置され、被試験半導体装置
８と接地用金属板１０との間に容量（コンデンサ）が形
成される。この容量は、例えば、数ピコ（ｐ）程度のも
のである。
【００２５】放電電流制限用高抵抗体１３は、例えば、
数ｋΩ〜数ＭΩであり、試験用電極７、すなわち、被試
験半導体装置８の被試験端子８Ａに高電位を印加してい
ない時の電位を零電位に保持すると共に、前記被試験端
子８Ａに高電位を印加した時に低周波電流を逃す役目を
する。
数ｋΩ〜数ＭΩであり、試験用電極７、すなわち、被試
験半導体装置８の被試験端子８Ａに高電位を印加してい
ない時の電位を零電位に保持すると共に、前記被試験端
子８Ａに高電位を印加した時に低周波電流を逃す役目を
する。
【００２６】前記金属体４と接地用金属板１０の間には
高電圧コンデンサが形成される構成になっている。
高電圧コンデンサが形成される構成になっている。
【００２７】次に、本実施例１の静電破壊試験装置の動
作を説明する。
作を説明する。
【００２８】まず、スイッチ又はリレー５が開放された
状態で、金属体４と接地用金属板１０の間に形成される
高電圧コンデンサが高電圧電源１から充電用配線２及び
充電電流制限用抵抗３を通して高電圧に充電される。次
に、スイッチ又はリレー５を閉じて、金属体４の高電圧
を半導体装置８に放電させて静電破壊試験を行う。この
静電破壊試験中で、放電電流の高周波成分が流れる放電
経路を矢印により示すと、予め静電気を蓄えておくコン
デンサに相当する金属体４→スイッチ又はリレー５→被
試験半導体装置８の被試験端子８Ａに接続するための試
験用電極７→被試験半導体装置８→該被試験半導体装置
８と金属板１０との間の容量→金属板１０となる。
状態で、金属体４と接地用金属板１０の間に形成される
高電圧コンデンサが高電圧電源１から充電用配線２及び
充電電流制限用抵抗３を通して高電圧に充電される。次
に、スイッチ又はリレー５を閉じて、金属体４の高電圧
を半導体装置８に放電させて静電破壊試験を行う。この
静電破壊試験中で、放電電流の高周波成分が流れる放電
経路を矢印により示すと、予め静電気を蓄えておくコン
デンサに相当する金属体４→スイッチ又はリレー５→被
試験半導体装置８の被試験端子８Ａに接続するための試
験用電極７→被試験半導体装置８→該被試験半導体装置
８と金属板１０との間の容量→金属板１０となる。
【００２９】この試験回路中の放電経路の中でインダク
タンスが存在するのは、主にスイッチ又はリレー５及び
試験用電極７であり、現在の技術では２．５cm以下の長
さで実現できる。そして、放電電流の中には低周波電流
や直流に近い成分もあるが、この電流は、金属体４→ス
イッチ又はリレー５→試験用電極７→放電電流制限用抵
抗１３及び接地配線１２を通って大地に流れる。
タンスが存在するのは、主にスイッチ又はリレー５及び
試験用電極７であり、現在の技術では２．５cm以下の長
さで実現できる。そして、放電電流の中には低周波電流
や直流に近い成分もあるが、この電流は、金属体４→ス
イッチ又はリレー５→試験用電極７→放電電流制限用抵
抗１３及び接地配線１２を通って大地に流れる。
【００３０】なお、前記放電電流制限用抵抗１３及び接
地配線１２は、放電直前までの被試験半導体装置８の電
位を零電位に維持するために用いられ、接地配線１２は
低周波電流や直流電流を流すため、長くても良い。さら
に、充電用配線２及び充電電流制限用抵抗３は金属体４
を充電するためのものであり、高周波の放電電流を流さ
ないため、充電用配線２は長くても良い。前述のよう
に、充電用配線２及び接地配線１２は長くても良いた
め、金属体４、支持アーム６、スイッチ又はリレー５、
試験用電極７で構成される部分は上下及び水平の広い範
囲に移動できるため、ステッピングモータなどで駆動す
ることにより自動化できる。
地配線１２は、放電直前までの被試験半導体装置８の電
位を零電位に維持するために用いられ、接地配線１２は
低周波電流や直流電流を流すため、長くても良い。さら
に、充電用配線２及び充電電流制限用抵抗３は金属体４
を充電するためのものであり、高周波の放電電流を流さ
ないため、充電用配線２は長くても良い。前述のよう
に、充電用配線２及び接地配線１２は長くても良いた
め、金属体４、支持アーム６、スイッチ又はリレー５、
試験用電極７で構成される部分は上下及び水平の広い範
囲に移動できるため、ステッピングモータなどで駆動す
ることにより自動化できる。
【００３１】以上の説明からわかるように、被試験半導
体装置８が容量形成用絶縁シート９で接地電位から離れ
たフローティング状態となっており、被試験半導体装置
８の被試験端子８Ａを予め接地電位に固定した後、前記
高電位の導電体４を被試験半導体装置８の被試験端子８
Ａに接触させて静電破壊試験を行うことにより、金属体
（導電体）４と接地用金属板１０（大地）の間は配線で
接続する必要がないため、短い配線材で試験回路を作成
でき、試験回路のインダクタンスを小さくすることがで
きるので、図６の（ｂ）に示すように、高速の放電電流
を被試験半導体装置８に流すことができる。これによ
り、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属工具類
が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象
を模擬することができる。
体装置８が容量形成用絶縁シート９で接地電位から離れ
たフローティング状態となっており、被試験半導体装置
８の被試験端子８Ａを予め接地電位に固定した後、前記
高電位の導電体４を被試験半導体装置８の被試験端子８
Ａに接触させて静電破壊試験を行うことにより、金属体
（導電体）４と接地用金属板１０（大地）の間は配線で
接続する必要がないため、短い配線材で試験回路を作成
でき、試験回路のインダクタンスを小さくすることがで
きるので、図６の（ｂ）に示すように、高速の放電電流
を被試験半導体装置８に流すことができる。これによ
り、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属工具類
が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放電現象
を模擬することができる。
【００３２】（実施例２）図２は、本発明の実施例２の
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図であり、
図１に示す半導体装置８と接地用金属板１０との間に容
量を形成するための容量形成用絶縁シート９の替りに、
高抵抗保持具９Ａを用いた例である。図２において、高
抵抗保持具９Ａは電流を流す高抵抗体で形成され、高抵
抗保持具９Ａは放電直前までの電位を零電位に保つとと
もに、高周波の放電電流を流す被試験半導体装置８と接
地用金属板１０の間の容量（コンデンサ）を形成する。
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図であり、
図１に示す半導体装置８と接地用金属板１０との間に容
量を形成するための容量形成用絶縁シート９の替りに、
高抵抗保持具９Ａを用いた例である。図２において、高
抵抗保持具９Ａは電流を流す高抵抗体で形成され、高抵
抗保持具９Ａは放電直前までの電位を零電位に保つとと
もに、高周波の放電電流を流す被試験半導体装置８と接
地用金属板１０の間の容量（コンデンサ）を形成する。
【００３３】本実施例２によれば、高抵抗保持具９Ａで
被試験半導体装置８の被試験端子８Ａの放電直前までの
電位を零電位に保つとともに、高周波の放電電流は被試
験半導体装置８と接地用金属板１０の間の容量を通って
放電された後、直流成分を緩やかに放電させることがで
きる。これにより、帯電したピンセットやラジオペンチ
等の金属工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる
高速の放電現象を模擬することができる。
被試験半導体装置８の被試験端子８Ａの放電直前までの
電位を零電位に保つとともに、高周波の放電電流は被試
験半導体装置８と接地用金属板１０の間の容量を通って
放電された後、直流成分を緩やかに放電させることがで
きる。これにより、帯電したピンセットやラジオペンチ
等の金属工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる
高速の放電現象を模擬することができる。
【００３４】（実施例３）図３は、本発明の実施例３の
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施例３は、図３に示すように、図２の高抵抗保持具
９Ａの替りに接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａ
を用いた例であり、接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗
１３Ａにより被試験半導体装置８の端子８Ｂと金属板１
０の間を接続したものである。また、前記接地配線１２
Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを複数準備し、被試験半導
体装置８の複数の被試験端子８Ａ又は全被試験端子８Ａ
に接続しても良い。
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施例３は、図３に示すように、図２の高抵抗保持具
９Ａの替りに接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａ
を用いた例であり、接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗
１３Ａにより被試験半導体装置８の端子８Ｂと金属板１
０の間を接続したものである。また、前記接地配線１２
Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを複数準備し、被試験半導
体装置８の複数の被試験端子８Ａ又は全被試験端子８Ａ
に接続しても良い。
【００３５】このように構成して、前記試験用電極７が
接触している被試験半導体装置８の被試験端子８Ａと、
接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続してい
る被試験半導体装置８の端子８Ｂの間に放電電流を流す
ことにより、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金
属工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の
放電現象を模擬することができる。この場合も、短い配
線材で実現できるため、高速の放電に対応した試験がで
きる。前記電流制限用抵抗１３Ａを省略して接地配線１
２Ａにより被試験半導体装置８の端子８Ｂと金属板１０
の間を接続しても同様の作用効果を得ることができる。
接触している被試験半導体装置８の被試験端子８Ａと、
接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続してい
る被試験半導体装置８の端子８Ｂの間に放電電流を流す
ことにより、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金
属工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の
放電現象を模擬することができる。この場合も、短い配
線材で実現できるため、高速の放電に対応した試験がで
きる。前記電流制限用抵抗１３Ａを省略して接地配線１
２Ａにより被試験半導体装置８の端子８Ｂと金属板１０
の間を接続しても同様の作用効果を得ることができる。
【００３６】（実施例４）図４は、本発明の実施例４の
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図であり、
本発明の放電電流のピーク電流を利用する試験と従来の
全放電電流を利用する試験の両方を可能とした例であ
る。
静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック図であり、
本発明の放電電流のピーク電流を利用する試験と従来の
全放電電流を利用する試験の両方を可能とした例であ
る。
【００３７】本実施例４は、図４に示すように、図１の
電流制限用抵抗１３の他に、金属体４と接地用金属板１
０との間にスイッチ１６を介してコンデンサ１５を接続
し、接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａで被試験
半導体装置８の被試験端子８Ａと接地用金属板１０の間
を接続し、試験用電極７が接触している被試験半導体装
置８の被試験端子８Ａと接地配線１２Ａ及び電流制限用
抵抗１３Ａに接続されている被試験半導体装置８の端子
８Ｂの間に高電圧放電電流を流すものである。
電流制限用抵抗１３の他に、金属体４と接地用金属板１
０との間にスイッチ１６を介してコンデンサ１５を接続
し、接地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａで被試験
半導体装置８の被試験端子８Ａと接地用金属板１０の間
を接続し、試験用電極７が接触している被試験半導体装
置８の被試験端子８Ａと接地配線１２Ａ及び電流制限用
抵抗１３Ａに接続されている被試験半導体装置８の端子
８Ｂの間に高電圧放電電流を流すものである。
【００３８】この場合、スイッチ１６をオフして、コン
デンサ１５を高電圧源１から切り離した後、そのままの
状態でスイッチ５をオンし、前記実施例３と同様に、接
地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続している
被試験半導体装置８の端子８Ｂの間に放電電流を流すこ
とにより、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属
工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放
電現象を模擬することができる。すなわち、短い配線材
で試験回路が作成できるため、本発明の高速の放電に対
応した試験ができる。
デンサ１５を高電圧源１から切り離した後、そのままの
状態でスイッチ５をオンし、前記実施例３と同様に、接
地配線１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続している
被試験半導体装置８の端子８Ｂの間に放電電流を流すこ
とにより、帯電したピンセットやラジオペンチ等の金属
工具類が直接半導体装置に触れたときに起こる高速の放
電現象を模擬することができる。すなわち、短い配線材
で試験回路が作成できるため、本発明の高速の放電に対
応した試験ができる。
【００３９】また、スイッチ１６をオンして、コンデン
サ１５に高電圧を充電した後、そのままの状態でスイッ
チ５をオンし、半導体装置８の被試験端子８Ａにコンデ
ンサ１５に充電されている高電圧が印加され、接地配線
１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続している被試験
半導体装置８の端子８Ｂの間にコンデンサ１５に充電さ
れている全充電電流量を放電させるので、従来と同様の
放電電流を利用する試験を行うことができる。この実施
例４の場合も、前記実施例３と同様に、前記電流制限用
抵抗１３Ａを省略して接地配線１２Ａにより被試験半導
体装置８の端子８Ｂと金属板１０の間を接続しても同様
の作用効果を得ることができる。
サ１５に高電圧を充電した後、そのままの状態でスイッ
チ５をオンし、半導体装置８の被試験端子８Ａにコンデ
ンサ１５に充電されている高電圧が印加され、接地配線
１２Ａ及び電流制限用抵抗１３Ａを接続している被試験
半導体装置８の端子８Ｂの間にコンデンサ１５に充電さ
れている全充電電流量を放電させるので、従来と同様の
放電電流を利用する試験を行うことができる。この実施
例４の場合も、前記実施例３と同様に、前記電流制限用
抵抗１３Ａを省略して接地配線１２Ａにより被試験半導
体装置８の端子８Ｂと金属板１０の間を接続しても同様
の作用効果を得ることができる。
【００４０】なお、前記実施例１〜４の金属板１０は接
地しているが、安定した直流電位に接続しても同等の効
果を得ることができる。また、前記スイッチ又はリレー
５及び試験用電極７を用いず、金属体４を充電した後、
被試験半導体装置８の被試験端子８Ａに金属体４を接触
させる試験が可能である。
地しているが、安定した直流電位に接続しても同等の効
果を得ることができる。また、前記スイッチ又はリレー
５及び試験用電極７を用いず、金属体４を充電した後、
被試験半導体装置８の被試験端子８Ａに金属体４を接触
させる試験が可能である。
【００４１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは云うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは云うまでもない。
【００４２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４３】すなわち、静電気により帯電した金属類が
半導体装置に接触したときに起こる放電に対する半導体
装置の耐量と故障状態を正確に把握することができるの
で、故障状態を検討することにより半導体装置の設計変
更による改善が可能となる。
半導体装置に接触したときに起こる放電に対する半導体
装置の耐量と故障状態を正確に把握することができるの
で、故障状態を検討することにより半導体装置の設計変
更による改善が可能となる。
【００４４】また、改善効果を試験することにより改善
設計後の半導体装置の耐量を確認することができる。
設計後の半導体装置の耐量を確認することができる。
【００４５】さらに、電子機器の組立て工程において
は、電子機器に組み込む半導体装置の耐量を予め知るこ
とができるため、その耐量に対応した工程の静電気管理
ができる。
は、電子機器に組み込む半導体装置の耐量を予め知るこ
とができるため、その耐量に対応した工程の静電気管理
ができる。
【図１】 本発明の実施例１の静電破壊試験方法を実施
するための静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック
図である。
するための静電破壊試験装置の概略構成を示すブロック
図である。
【図２】 本発明の実施例２の静電破壊試験装置の概略
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図３】 本発明の実施例３の静電破壊試験装置の概略
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図４】 本発明の実施例４の静電破壊試験装置の概略
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図５】 従来の人体モデルによる静電破壊試験装置の
概略構成を示す回路図である。
概略構成を示す回路図である。
【図６】 従来の人体モデルによる静電破壊試験方法の
問題点及び本発明の効果を説明するための図である。
問題点及び本発明の効果を説明するための図である。
１…高電圧電源、２…充電用配線、３…充電電流制限用
高抵抗体、４…金属体、５…スイッチ又はリレー、６…
支持アーム、７…試験用電極、８…被試験半導体装置、
８Ａ…被試験半導体装置の被試験端子、８Ｂ…被試験半
導体装置の接地端子、９…容量形成用絶縁シート、９Ａ
…高抵抗保持具、１０…接地用金属板、１１，１２，１
２Ａ，１４…接地配線、１３，１３Ａ…放電電流制限用
高抵抗体、１５…高電圧コンデンサ、１６…高電圧コン
デンサの充放電用スイッチである。
高抵抗体、４…金属体、５…スイッチ又はリレー、６…
支持アーム、７…試験用電極、８…被試験半導体装置、
８Ａ…被試験半導体装置の被試験端子、８Ｂ…被試験半
導体装置の接地端子、９…容量形成用絶縁シート、９Ａ
…高抵抗保持具、１０…接地用金属板、１１，１２，１
２Ａ，１４…接地配線、１３，１３Ａ…放電電流制限用
高抵抗体、１５…高電圧コンデンサ、１６…高電圧コン
デンサの充放電用スイッチである。
Claims (5)
- 【請求項１】 静電気の放電に対する半導体装置の耐量
を評価する静電破壊試験方法において、予め接地電位と
被試験半導体装置との間に容量を形成する程度に、被試
験半導体装置を接地電位から離してフローティング状態
とし、被試験半導体装置の被試験端子を接地電位に固定
し、その後、前記高電位の導電体を前記被試験端子に接
触させて静電破壊試験を行うことを特徴とする静電破壊
試験方法。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載の静電破壊試験方法
において、被試験半導体装置の被試験端子の電位を高抵
抗体を介して大地等に接続して固定することを特徴とす
る静電破壊試験方法。 - 【請求項３】 静電気放電に対する半導体装置の耐量を
評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動可能
な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取り付
られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地した試
験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的接続
の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を載置
する位置に前記被試験半導体装置との間に容量を形成す
るための絶縁体を設けた接地導電板とを備えたことを特
徴とする静電破壊試験装置。 - 【請求項４】 前記請求項３に記載の静電破壊試験装置
において、前記高電位の金属体と接地金属板との間に接
続されたコンデンサ（容量）と、被試験半導体装置の被
試験端子を高抵抗体を通して接地する手段或は高抵抗体
を用いず直接接地する手段とを備えたことを特徴とする
静電破壊試験装置。 - 【請求項５】 静電気放電に対する半導体装置の耐量を
評価する静電破壊試験装置において、三次元に移動可能
な絶縁体からなる支持アームと、該支持アームに取り付
られた高電位の導電体及び高抵抗体を介して接地した試
験用電極と、前記導電体と試験用電極の間の電気的接続
の開閉を行う電気開閉手段と、被試験半導体装置を載置
する位置に高抵抗保持具を設けた接地導電板とを備えた
ことを特徴とする静電破壊試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242572A JPH0798355A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 静電破壊試験方法及びその実施装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242572A JPH0798355A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 静電破壊試験方法及びその実施装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798355A true JPH0798355A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17091073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5242572A Pending JPH0798355A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 静電破壊試験方法及びその実施装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798355A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002001235A3 (en) * | 2000-06-26 | 2002-04-18 | Integral Solutions Internat | Testing device with a cdm simulator for providing a rapid discharge |
| JP2008053437A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hanwa Denshi Kogyo Kk | ウエハ段階にある個別の集積回路に対するｃｄｍ試験装置 |
| JPWO2022004804A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | ||
| CN114839463A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-02 | 一汽奔腾轿车有限公司 | 一种组合车灯静电放电抗扰性能测试方法及测试装置 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5242572A patent/JPH0798355A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002001235A3 (en) * | 2000-06-26 | 2002-04-18 | Integral Solutions Internat | Testing device with a cdm simulator for providing a rapid discharge |
| JP2008053437A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hanwa Denshi Kogyo Kk | ウエハ段階にある個別の集積回路に対するｃｄｍ試験装置 |
| JPWO2022004804A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | ||
| WO2022004804A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 三菱電機株式会社 | 静電気耐圧試験装置および静電気耐圧試験方法 |
| CN114839463A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-02 | 一汽奔腾轿车有限公司 | 一种组合车灯静电放电抗扰性能测试方法及测试装置 |
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