JPH0799158A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0799158A JPH0799158A JP5264194A JP26419493A JPH0799158A JP H0799158 A JPH0799158 A JP H0799158A JP 5264194 A JP5264194 A JP 5264194A JP 26419493 A JP26419493 A JP 26419493A JP H0799158 A JPH0799158 A JP H0799158A
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- cooling
- temperature
- vapor phase
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 台座の温度を下げるために必要とされる時間
を短縮し、界面が急峻な多層エピタキシャル層を得る。 【構成】 ウェハーを載せるための台座５に、流体によ
る冷却手段６、７が設けられた気相成長装置である。
を短縮し、界面が急峻な多層エピタキシャル層を得る。 【構成】 ウェハーを載せるための台座５に、流体によ
る冷却手段６、７が設けられた気相成長装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長装置に関し、
特に、界面が急峻な多層エピタキシャル層を形成できる
気相成長装置に関する。
特に、界面が急峻な多層エピタキシャル層を形成できる
気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な気相成長装置を図３を用いて説
明する。この図３に示される気相成長装置は、横型気相
反応炉であって、冷却水路２を有する石英反応管１と、
石英反応管１の内部には、原料ガス及びキャリアガスを
流すガス流路４とウェハーを載せるためのカーボングラ
ファイトからなる台座５とが設けられた石英筒３と、石
英反応管１の周囲に台座５を加熱するために設けられた
高周波誘導加熱コイル８とを有している。なお、通常の
多層エピタキシャル成長においては、気相成長中の熱安
定性を保つため、台座５の熱容量がウェハーに対して大
きくなるように構成し、台座を一定の温度に保った状態
で成長を行っている。そして、以上の構成を有する気相
成長装置において、高周波誘導加熱コイル８で台座５を
加熱し、台座５上にウェハーを載せ、ガス流路４内に図
３中に実線矢印で示される方向へ、原料ガス及びキャリ
アガスを流してウェハー上に気相成長を行う。
明する。この図３に示される気相成長装置は、横型気相
反応炉であって、冷却水路２を有する石英反応管１と、
石英反応管１の内部には、原料ガス及びキャリアガスを
流すガス流路４とウェハーを載せるためのカーボングラ
ファイトからなる台座５とが設けられた石英筒３と、石
英反応管１の周囲に台座５を加熱するために設けられた
高周波誘導加熱コイル８とを有している。なお、通常の
多層エピタキシャル成長においては、気相成長中の熱安
定性を保つため、台座５の熱容量がウェハーに対して大
きくなるように構成し、台座を一定の温度に保った状態
で成長を行っている。そして、以上の構成を有する気相
成長装置において、高周波誘導加熱コイル８で台座５を
加熱し、台座５上にウェハーを載せ、ガス流路４内に図
３中に実線矢印で示される方向へ、原料ガス及びキャリ
アガスを流してウェハー上に気相成長を行う。
【０００３】ところで、多層エピタキシャル成長は、上
記のように一定の温度下で行われることが多いとはい
え、気相成長で得ようとする層の種類によっては、その
成長温度を層毎に変える必要があるものがある。その一
例として、トンネル接合デバイスを挙げることができ
る。以下に、トンネル接合デバイスの構造及びＭＯＶＰ
Ｅ法を用いた成長方法を説明する。
記のように一定の温度下で行われることが多いとはい
え、気相成長で得ようとする層の種類によっては、その
成長温度を層毎に変える必要があるものがある。その一
例として、トンネル接合デバイスを挙げることができ
る。以下に、トンネル接合デバイスの構造及びＭＯＶＰ
Ｅ法を用いた成長方法を説明する。
【０００４】トンネル接合を製造するためには、高キャ
リア濃度のｎ+ −ＧａＡｓ層とｐ+−ＧａＡｓ層の急峻
な界面を得ることが必要である。ここで、ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層のキャリア濃度はｎ＝７〜１０×１０18ｃｍ-3、ｐ
+ −ＧａＡｓ層のキャリア濃度はｎ＝２〜６×１０19ｃ
ｍ-3、その界面の遷移層は、１０ｎｍ以下であることが
条件である。
リア濃度のｎ+ −ＧａＡｓ層とｐ+−ＧａＡｓ層の急峻
な界面を得ることが必要である。ここで、ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層のキャリア濃度はｎ＝７〜１０×１０18ｃｍ-3、ｐ
+ −ＧａＡｓ層のキャリア濃度はｎ＝２〜６×１０19ｃ
ｍ-3、その界面の遷移層は、１０ｎｍ以下であることが
条件である。
【０００５】ｎ+ −ＧａＡｓ層を成長させるためには、
シリコンをドープする。シリコンの原料であるジシラン
を十分に分解して利用するには、ある程度高い成長温度
が必要であるため、７００℃以上の温度下で成長を行う
ことが多い。一方、ｐ+ −ＧａＡｓ層を成長させるため
には、炭素をドープする。この炭素の原料としては、Ｇ
ａの原料であるトリメチルガリウムを使用し、その炭素
の取り込みを利用する。ところが、ｎ+ −ＧａＡｓ層の
成長温度である７００℃以上の温度下では、Ｇａとメチ
ル基は解離してしまい、炭素を有効にＧａＡｓ層にドー
プすることができない。そのため、高濃度にＧａＡｓ中
にドープするためには、６００℃以下の温度が望ましい
とされる。
シリコンをドープする。シリコンの原料であるジシラン
を十分に分解して利用するには、ある程度高い成長温度
が必要であるため、７００℃以上の温度下で成長を行う
ことが多い。一方、ｐ+ −ＧａＡｓ層を成長させるため
には、炭素をドープする。この炭素の原料としては、Ｇ
ａの原料であるトリメチルガリウムを使用し、その炭素
の取り込みを利用する。ところが、ｎ+ −ＧａＡｓ層の
成長温度である７００℃以上の温度下では、Ｇａとメチ
ル基は解離してしまい、炭素を有効にＧａＡｓ層にドー
プすることができない。そのため、高濃度にＧａＡｓ中
にドープするためには、６００℃以下の温度が望ましい
とされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た多層エピタキシャル成長において、あるエピタキシャ
ル成長温度からあるエピタキシャル成長温度になるよう
に台座の温度を下げるには、多くの時間がかかる。した
がって、温度が下がるまで待つ間にＡｓ抜けが起きる
等、エピタキシャル層表面が荒れ、トンネル接合界面を
急峻にすることが困難であるという問題がある。このよ
うに温度を下げるために時間がかかるのは、熱容量が大
きい台座が用いられているからである。また、台座は、
上部を流れるガスによっても若干冷却されるものの、大
部分は熱輻射によるものであり、更に、側面及び底面が
比熱が大きい石英管で覆われているため、より冷却する
ことが困難だからである。
た多層エピタキシャル成長において、あるエピタキシャ
ル成長温度からあるエピタキシャル成長温度になるよう
に台座の温度を下げるには、多くの時間がかかる。した
がって、温度が下がるまで待つ間にＡｓ抜けが起きる
等、エピタキシャル層表面が荒れ、トンネル接合界面を
急峻にすることが困難であるという問題がある。このよ
うに温度を下げるために時間がかかるのは、熱容量が大
きい台座が用いられているからである。また、台座は、
上部を流れるガスによっても若干冷却されるものの、大
部分は熱輻射によるものであり、更に、側面及び底面が
比熱が大きい石英管で覆われているため、より冷却する
ことが困難だからである。
【０００７】したがって、本発明の目的は、台座の温度
を下げるために必要とされる時間を短縮し、界面が急峻
な多層エピタキシャル層を得ることができる気相成長装
置を提供することにある。
を下げるために必要とされる時間を短縮し、界面が急峻
な多層エピタキシャル層を得ることができる気相成長装
置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、ウェハーを載せるための台座に、流体によ
る冷却手段が設けられたことを特徴とする気相成長装置
を提供する。
決するため、ウェハーを載せるための台座に、流体によ
る冷却手段が設けられたことを特徴とする気相成長装置
を提供する。
【０００９】上記冷却手段は、台座内部に流体を通す流
体通路と、流体通路に流体を流し込むための手段とから
構成される。流体通路に流体を流し込むための手段とし
ては、石英管等、気相成長装置内に配置されて利用する
ことができるものであれば良い。また、上記流体には、
水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活
性ガスが用いられる。
体通路と、流体通路に流体を流し込むための手段とから
構成される。流体通路に流体を流し込むための手段とし
ては、石英管等、気相成長装置内に配置されて利用する
ことができるものであれば良い。また、上記流体には、
水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活
性ガスが用いられる。
【００１０】
【作用】ウェハーを載せるための台座に、流体による冷
却手段が設けられたため、熱容量が大きい台座を直接冷
却することができる。したがって、台座の冷却に要する
時間を短縮することができる。また、冷却のための流体
に水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、アルゴン等の不
活性ガスを用いることにしたため、気相成長のための高
温下においても台座の冷却ができ、成長中のエピタキシ
ャル層に悪影響を及ぼすことはない
却手段が設けられたため、熱容量が大きい台座を直接冷
却することができる。したがって、台座の冷却に要する
時間を短縮することができる。また、冷却のための流体
に水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、アルゴン等の不
活性ガスを用いることにしたため、気相成長のための高
温下においても台座の冷却ができ、成長中のエピタキシ
ャル層に悪影響を及ぼすことはない
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。図１には、本実施例の気相成長装置
の断面図が示されている。この気相成長装置は、従来技
術の欄で説明した図３の横型気相反応炉と同様であっ
て、冷却水路２を有する石英反応管１と、石英反応管１
の内部には、原料ガス及びキャリアガスを流すガス流路
４とウェハーを載せるためのカーボングラファイトから
なる台座５とが設けられた石英筒３と、石英反応管１の
周囲に台座５を加熱するために設けられた高周波誘導加
熱コイル８とを有している。なお、本実施例の台座５に
は、大きさが原料ガス及びキャリアガスの流れ（図１中
の実線矢印方向）の方向が５ｃｍ、幅が４ｃｍ、高さが
原料ガス及びキャリアガスの上流側が２ｃｍ、下流側が
２．５ｃｍのものを用いた。
つ詳細に説明する。図１には、本実施例の気相成長装置
の断面図が示されている。この気相成長装置は、従来技
術の欄で説明した図３の横型気相反応炉と同様であっ
て、冷却水路２を有する石英反応管１と、石英反応管１
の内部には、原料ガス及びキャリアガスを流すガス流路
４とウェハーを載せるためのカーボングラファイトから
なる台座５とが設けられた石英筒３と、石英反応管１の
周囲に台座５を加熱するために設けられた高周波誘導加
熱コイル８とを有している。なお、本実施例の台座５に
は、大きさが原料ガス及びキャリアガスの流れ（図１中
の実線矢印方向）の方向が５ｃｍ、幅が４ｃｍ、高さが
原料ガス及びキャリアガスの上流側が２ｃｍ、下流側が
２．５ｃｍのものを用いた。
【００１２】そして、本実施例においては、以上の構成
に加えて、台座５の下部に当たる石英筒３に高さ１ｃ
ｍ、幅３ｃｍの穴６ａ及び６ｂを設け、この穴６ａ及び
６ｂをつなぐように台座５内部に高さ１ｃｍ、幅３ｃｍ
の冷却ガス通路６が設けられている。そして、穴６ａに
は、台座５に設けられた冷却ガス通路６に冷却ガスを流
し込むための直径９ｍｍの冷却用石英管７が接続されて
いる。
に加えて、台座５の下部に当たる石英筒３に高さ１ｃ
ｍ、幅３ｃｍの穴６ａ及び６ｂを設け、この穴６ａ及び
６ｂをつなぐように台座５内部に高さ１ｃｍ、幅３ｃｍ
の冷却ガス通路６が設けられている。そして、穴６ａに
は、台座５に設けられた冷却ガス通路６に冷却ガスを流
し込むための直径９ｍｍの冷却用石英管７が接続されて
いる。
【００１３】以上の構成を有する気相成長装置は、以下
のように使用される。台座５上にウェハーを載せ、図１
中の実線矢印方向に原料ガス及びキャリアガスを流して
エピタキシャル成長を行う。そして、多層にエピタキシ
ャル成長を行う必要があり、かつ、前回のエピタキシャ
ル成長温度より低い温度に台座５の温度を下げてエピタ
キシャル成長を行う必要がある場合に、冷却用石英管７
から台座５内の冷却ガス通路６へ冷却ガスを流し込み、
台座５を冷却することによってウェハーを冷却する（図
１中の点線矢印）。冷却ガスは、冷却ガス通路６を通過
することによって台座５の熱を奪い、穴６ｂから石英反
応管１と石英筒３との間に流出し、これを吸引する手段
（図示せず）により吸引され、石英反応管１外へ排出さ
れる。このようにして台座５を冷却し、ウェハーの温度
を次に行われるエピタキシャル成長温度にまで下げる。
所定の温度まで冷却されると台座５の冷却を終了する。
なお、冷却ガスは、エピタキシャル成長に悪影響を及ぼ
さないように、水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、ア
ルゴン等の不活性ガスが用いられる。
のように使用される。台座５上にウェハーを載せ、図１
中の実線矢印方向に原料ガス及びキャリアガスを流して
エピタキシャル成長を行う。そして、多層にエピタキシ
ャル成長を行う必要があり、かつ、前回のエピタキシャ
ル成長温度より低い温度に台座５の温度を下げてエピタ
キシャル成長を行う必要がある場合に、冷却用石英管７
から台座５内の冷却ガス通路６へ冷却ガスを流し込み、
台座５を冷却することによってウェハーを冷却する（図
１中の点線矢印）。冷却ガスは、冷却ガス通路６を通過
することによって台座５の熱を奪い、穴６ｂから石英反
応管１と石英筒３との間に流出し、これを吸引する手段
（図示せず）により吸引され、石英反応管１外へ排出さ
れる。このようにして台座５を冷却し、ウェハーの温度
を次に行われるエピタキシャル成長温度にまで下げる。
所定の温度まで冷却されると台座５の冷却を終了する。
なお、冷却ガスは、エピタキシャル成長に悪影響を及ぼ
さないように、水素ガス若しくはヘリウム、ネオン、ア
ルゴン等の不活性ガスが用いられる。
【００１４】次に、以上説明した本実施例の気相成長装
置と図３に示される従来の気相成長装置とを用いてトン
ネル接合を製造することにより、あるエピタキシャル成
長温度からあるエピタキシャル成長温度へ台座５が冷却
されるまでに要する時間を比較する。製造されるトンネ
ル接合の構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ＝１．０×
１０19ｃｍ-3のｎ+ −ＧａＡｓを７００℃で０．５μｍ
成長させ、次に、ｐ＝４．６×１０19ｃｍ-3のｐ+ −Ｇ
ａＡｓを５５０℃で０．２μｍ成長させたものである。
置と図３に示される従来の気相成長装置とを用いてトン
ネル接合を製造することにより、あるエピタキシャル成
長温度からあるエピタキシャル成長温度へ台座５が冷却
されるまでに要する時間を比較する。製造されるトンネ
ル接合の構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ＝１．０×
１０19ｃｍ-3のｎ+ −ＧａＡｓを７００℃で０．５μｍ
成長させ、次に、ｐ＝４．６×１０19ｃｍ-3のｐ+ −Ｇ
ａＡｓを５５０℃で０．２μｍ成長させたものである。
【００１５】本実施例の気相成長装置においては、冷却
ガスとして水素ガスを用いた。そして、成長温度を７０
０℃から５５０℃に冷却する際に、水素ガスの流量を様
々に変化させてみた。すると、水素ガスの流量を増加す
るにつれ、台座を７００℃から５５０℃に冷却するのに
要する時間は減少することが確認された。具体的には、
水素ガスの流量を５リットル／ｍｉｎに設定した場合に
冷却時間は１分３０秒であった。
ガスとして水素ガスを用いた。そして、成長温度を７０
０℃から５５０℃に冷却する際に、水素ガスの流量を様
々に変化させてみた。すると、水素ガスの流量を増加す
るにつれ、台座を７００℃から５５０℃に冷却するのに
要する時間は減少することが確認された。具体的には、
水素ガスの流量を５リットル／ｍｉｎに設定した場合に
冷却時間は１分３０秒であった。
【００１６】従来の気相成長装置においては、成長温度
を７００℃から５５０℃に冷却し、かつ安定するまでに
１０分もの時間がかかった。なお、この気相成長装置の
台座には、本実施例と同様のサイズのものを用いた。
を７００℃から５５０℃に冷却し、かつ安定するまでに
１０分もの時間がかかった。なお、この気相成長装置の
台座には、本実施例と同様のサイズのものを用いた。
【００１７】以上のように、本実施例の気相成長装置
は、台座５内に冷却ガス通路６が設けられているので、
あるエピタキシャル成長温度からあるエピタキシャル成
長温度にまで台座５の温度を下げるために要する時間を
大幅に短縮することができることが確認された。
は、台座５内に冷却ガス通路６が設けられているので、
あるエピタキシャル成長温度からあるエピタキシャル成
長温度にまで台座５の温度を下げるために要する時間を
大幅に短縮することができることが確認された。
【００１８】また、上記比較を行うために製造したトン
ネル接合のＪ−Ｖ特性曲線におけるピーク電流密度の冷
却時間依存性を図２に示す。図２において、冷却時間が
１０分のものが従来の気相成長装置で成長させたもので
あり、そのピーク電流密度は４．６ｍＡ／ｃｍ2 であっ
た。一方、本実施例の気相成長装置においては、上述の
ように冷却用の水素ガスの流量を変化させて台座の冷却
を行った結果、水素ガスの流量を増加させるにつれて冷
却時間が短縮され、これに対応するようにピーク電流密
度も上昇している。特に、水素ガスの流量を５リットル
／ｍｉｎとした場合は、冷却時間は１分３０秒で、ピー
ク電流密度は２１．２ｍＡ／ｃｍ2 であった。このよう
に、台座の冷却時間を短縮した結果、本実施例の気相成
長装置で製造されたものは従来のものと比べて、ピーク
におけるトンネル電流密度が約４．６倍にもなり、大幅
に特性が改善されたものが得られる。
ネル接合のＪ−Ｖ特性曲線におけるピーク電流密度の冷
却時間依存性を図２に示す。図２において、冷却時間が
１０分のものが従来の気相成長装置で成長させたもので
あり、そのピーク電流密度は４．６ｍＡ／ｃｍ2 であっ
た。一方、本実施例の気相成長装置においては、上述の
ように冷却用の水素ガスの流量を変化させて台座の冷却
を行った結果、水素ガスの流量を増加させるにつれて冷
却時間が短縮され、これに対応するようにピーク電流密
度も上昇している。特に、水素ガスの流量を５リットル
／ｍｉｎとした場合は、冷却時間は１分３０秒で、ピー
ク電流密度は２１．２ｍＡ／ｃｍ2 であった。このよう
に、台座の冷却時間を短縮した結果、本実施例の気相成
長装置で製造されたものは従来のものと比べて、ピーク
におけるトンネル電流密度が約４．６倍にもなり、大幅
に特性が改善されたものが得られる。
【００１９】その理由は、トンネル接合の製造中、ｎ+
−ＧａＡｓの成長温度からより低いｐ+ −ＧａＡｓの成
長温度に下げるまでの時間を短縮することができたた
め、温度が下がるまでの間にＡｓ抜け等が起こらなかっ
たからであると考えられる。したがって、エピタキシャ
ル層表面が荒れることがなく、トンネル接合界面を急峻
にすることができたものと考えられる。
−ＧａＡｓの成長温度からより低いｐ+ −ＧａＡｓの成
長温度に下げるまでの時間を短縮することができたた
め、温度が下がるまでの間にＡｓ抜け等が起こらなかっ
たからであると考えられる。したがって、エピタキシャ
ル層表面が荒れることがなく、トンネル接合界面を急峻
にすることができたものと考えられる。
【００２０】なお、本実施例では、トンネル接合の成長
を例にして説明してきたが、本実施例は更に、ヘテロ接
合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の成長にも用いる
ことができる。このＨＢＴの成長においても、ｎ+ −Ｇ
ａＡｓのコレクタ層の上にｐ+ −ＧａＡｓのベース層を
成長させる際に、台座の温度をトンネル接合と同様に冷
却する必要がある。この際、本実施例の気相成長装置を
用いれば、コレクタ層とベース層の界面を急峻すること
ができ、トランジスタの特性を改善することができる。
を例にして説明してきたが、本実施例は更に、ヘテロ接
合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の成長にも用いる
ことができる。このＨＢＴの成長においても、ｎ+ −Ｇ
ａＡｓのコレクタ層の上にｐ+ −ＧａＡｓのベース層を
成長させる際に、台座の温度をトンネル接合と同様に冷
却する必要がある。この際、本実施例の気相成長装置を
用いれば、コレクタ層とベース層の界面を急峻すること
ができ、トランジスタの特性を改善することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明の気相成長装置に
よれば、台座に流体による冷却手段を設けたので、台座
の温度を下げてある気相成長温度にするために必要とさ
れる時間を短縮でき、界面が急峻な多層エピタキシャル
層を得ることができる。
よれば、台座に流体による冷却手段を設けたので、台座
の温度を下げてある気相成長温度にするために必要とさ
れる時間を短縮でき、界面が急峻な多層エピタキシャル
層を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】トンネル接合におけるピーク電流密度の冷却時
間依存性を示すグラフである。
間依存性を示すグラフである。
【図３】従来の気相成長装置を示す断面図である。
１ 石英反応管 ２ 冷却
水路 ３ 石英筒 ４ ガス
流路 ５ 台座 ６ 冷却
ガス通路 ６ａ、６ｂ 穴 ７ 冷却
用石英管 ８ 高周波誘導加熱コイル
水路 ３ 石英筒 ４ ガス
流路 ５ 台座 ６ 冷却
ガス通路 ６ａ、６ｂ 穴 ７ 冷却
用石英管 ８ 高周波誘導加熱コイル
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハー上に気相成長によってエ
ピタキシャル層を形成する気相成長装置において、 前記ウェハーを載せるための台座に、流体による冷却手
段が設けられたことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記冷却手段は、前記台座内部に前記流
体を通す流体通路と、 前記流体通路に流体を流し込むための流体供給管とから
なる請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記流体は、水素ガス若しくはヘリウ
ム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスから選択される請
求項１又は２記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264194A JPH0799158A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264194A JPH0799158A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799158A true JPH0799158A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17399792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5264194A Pending JPH0799158A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113363138A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-07 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延生长方法和设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207121A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Nikon Corp | 光ｃｖｄによる薄膜の製造方法及びそれに使用される装置 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP5264194A patent/JPH0799158A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207121A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Nikon Corp | 光ｃｖｄによる薄膜の製造方法及びそれに使用される装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113363138A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-07 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延生长方法和设备 |
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