JPH079921B2 - 半導体集積回路およびその特性検査方法 - Google Patents
半導体集積回路およびその特性検査方法Info
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- JPH079921B2 JPH079921B2 JP1010836A JP1083689A JPH079921B2 JP H079921 B2 JPH079921 B2 JP H079921B2 JP 1010836 A JP1010836 A JP 1010836A JP 1083689 A JP1083689 A JP 1083689A JP H079921 B2 JPH079921 B2 JP H079921B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体集積回路およびその特性検査方法に関
し、もっと詳しくは外部からの信号に応答して特性の変
化する特性変化回路を内蔵した半導体集積回路およびそ
の特性検査方法に関する。
し、もっと詳しくは外部からの信号に応答して特性の変
化する特性変化回路を内蔵した半導体集積回路およびそ
の特性検査方法に関する。
〈従来の技術〉 半導体技術が進歩して単一の半導体集積回路チップに高
密度に回路素子を集積化することができるようになるに
伴って、半導体集積回路の構成は複雑となり、多種類の
機能を有する回路素子が単一の半導体集積回路チップ内
に組込まれ、それらが各種の電子機器に用いられるよう
になってきている。
密度に回路素子を集積化することができるようになるに
伴って、半導体集積回路の構成は複雑となり、多種類の
機能を有する回路素子が単一の半導体集積回路チップ内
に組込まれ、それらが各種の電子機器に用いられるよう
になってきている。
たとえばテレビジョン受信機の音声多重信号の処理を行
うための半導体集積回路などにおいては、たとえばフィ
ルタなどのように特性を調整する必要があるような回路
を同一の半導体集積回路チップ内に組込まれる場合がし
ばしばある。このような半導体集積回路では、この半導
体集積回路が本来行うべき動作、すなわち音声多重信号
処理動作に必要な入出力端子に加えて、前記フィルタの
特性を調整するために必要な信号を取出すための調整用
出力端子が別途設けられている。
うための半導体集積回路などにおいては、たとえばフィ
ルタなどのように特性を調整する必要があるような回路
を同一の半導体集積回路チップ内に組込まれる場合がし
ばしばある。このような半導体集積回路では、この半導
体集積回路が本来行うべき動作、すなわち音声多重信号
処理動作に必要な入出力端子に加えて、前記フィルタの
特性を調整するために必要な信号を取出すための調整用
出力端子が別途設けられている。
〈発明が解決しようとする課題〉 このような半導体集積回路では、フィルタの特性を調整
する段階においてのみ必要となるフィルタの出力を導出
するための調整用出力端子を設けなければならず、この
調整用出力端子が限られた面積の半導体集積回路チップ
面およびそのパッケージのリードを占有する割合が大き
くなっている。特に、近年のように集積回路が多種類の
機能を有するのに伴って入出力端子の数が多くなり、少
ない端子数で多種類の機能を達成することができるよう
な利用法が望まれている。
する段階においてのみ必要となるフィルタの出力を導出
するための調整用出力端子を設けなければならず、この
調整用出力端子が限られた面積の半導体集積回路チップ
面およびそのパッケージのリードを占有する割合が大き
くなっている。特に、近年のように集積回路が多種類の
機能を有するのに伴って入出力端子の数が多くなり、少
ない端子数で多種類の機能を達成することができるよう
な利用法が望まれている。
本発明の目的は、本来の出力端子を特性変化回路の出力
端子としても利用し得る半導体集積回路およびその特性
検査方法を提供することである。
端子としても利用し得る半導体集積回路およびその特性
検査方法を提供することである。
また本発明の目的は、接続端子の数を低減することがで
きる半導体集積回路およびその特性検査方法を提供する
ことである。
きる半導体集積回路およびその特性検査方法を提供する
ことである。
さらにまた本発明の目的は、半導体集積回路の収納され
る特性変化回路の特性を簡便に検査および調整すること
ができる半導体集積回路を提供することである。
る特性変化回路の特性を簡便に検査および調整すること
ができる半導体集積回路を提供することである。
〈課題を解決するための手段・作用〉 本発明は、第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含むことを特徴とする半導体集積回
路である。
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含むことを特徴とする半導体集積回
路である。
本発明に従う半導体集積回路は、予め定める動作中に
は、第１信号処理回路３は第２接続端子５を第１レベル
とする。この第２接続端子５が第１レベルにあるときに
は、制御信号発生手段からの制御信号によって切換えス
イッチSW2のスイッチング態様を制御して、第２信号処
理回路８の出力を第３接続端子７に与えるようにする。
一方、前記第２接続端子５が第２レベルにあるときに
は、制御信号発生手段からの制御信号によって切換えス
イッチSW2のスイッチング態様を制御して、特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにする。
は、第１信号処理回路３は第２接続端子５を第１レベル
とする。この第２接続端子５が第１レベルにあるときに
は、制御信号発生手段からの制御信号によって切換えス
イッチSW2のスイッチング態様を制御して、第２信号処
理回路８の出力を第３接続端子７に与えるようにする。
一方、前記第２接続端子５が第２レベルにあるときに
は、制御信号発生手段からの制御信号によって切換えス
イッチSW2のスイッチング態様を制御して、特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにする。
特性変化回路２は、第４接続端子９に与えられる信号に
応答し、この第４接続端子９に与えられる信号に対応し
た特性となるように特性を変化する。第２接続端子５が
予め定める第２レベルになると、特性変化回路２の出力
が第３接続端子７に与えられる。この状態で第４接続端
子９に信号を与えて特性変化回路２の特性を変化させる
と、変化した特性に基づく特性変化回路２の出力を前記
第３接続端子７から導出することができる。
応答し、この第４接続端子９に与えられる信号に対応し
た特性となるように特性を変化する。第２接続端子５が
予め定める第２レベルになると、特性変化回路２の出力
が第３接続端子７に与えられる。この状態で第４接続端
子９に信号を与えて特性変化回路２の特性を変化させる
と、変化した特性に基づく特性変化回路２の出力を前記
第３接続端子７から導出することができる。
第３接続端子７は、第１信号処理回路３が予め定める動
作中においては第２信号処理回路８の出力が導出され、
特性変化回路２の特性を変化調整する際にはこの特性変
化回路２の出力が導出される。すなわち、第３接続端子
７は少なくとも２つの出力端子としての機能が実現さ
れ、この半導体集積回路に設けられる接続端子数を低減
することができる。
作中においては第２信号処理回路８の出力が導出され、
特性変化回路２の特性を変化調整する際にはこの特性変
化回路２の出力が導出される。すなわち、第３接続端子
７は少なくとも２つの出力端子としての機能が実現さ
れ、この半導体集積回路に設けられる接続端子数を低減
することができる。
また本発明の好ましい実施態様では、前記制御信号発生
手段は、 第２接続端子５からの信号を受信する第１入力端子と、 もう１つの第２入力端子と、 第１入力端子と第２入力端子との入力レベルを比較する
比較回路と、 前記第２入力端子に前記第１および第２レベルの間のレ
ベルを有する基準レベル信号を発生して前記第２入力端
子に与える基準レベル発生手段とを備え、 前記比較手段の出力を切換えスイッチSW2に制御信号と
して与える制御信号発生手段である。
手段は、 第２接続端子５からの信号を受信する第１入力端子と、 もう１つの第２入力端子と、 第１入力端子と第２入力端子との入力レベルを比較する
比較回路と、 前記第２入力端子に前記第１および第２レベルの間のレ
ベルを有する基準レベル信号を発生して前記第２入力端
子に与える基準レベル発生手段とを備え、 前記比較手段の出力を切換えスイッチSW2に制御信号と
して与える制御信号発生手段である。
本発明のさらに好ましい他の実施態様によれば、前記第
２接続端子５にはスイッチSW1を介して予め定める電位
が与えられる。これによってスイッチSW1を導通／遮断
制御することによって第２接続端子５のレベルを変化さ
せることができ、これによって前記切換えスイッチSW2
の切換え制御を行うことができる。
２接続端子５にはスイッチSW1を介して予め定める電位
が与えられる。これによってスイッチSW1を導通／遮断
制御することによって第２接続端子５のレベルを変化さ
せることができ、これによって前記切換えスイッチSW2
の切換え制御を行うことができる。
また本発明の好ましい他の実施態様によれば、前記特性
変化回路２は、その特性が第２接続端子５のレベルに依
存しないように構成される。したがって、特性変化回路
２の特性を変化調整するにあたって第２接続端子５のレ
ベルを変化しても、特性変化回路２の特性は変化するこ
とはないので、この第３接続端子７に導出される特性変
化回路２の出力は第４接続端子９に与えられる信号のみ
に対応した特性に依存することになり、特性変化回路２
の特性を簡便に検査することに寄与することができる。
変化回路２は、その特性が第２接続端子５のレベルに依
存しないように構成される。したがって、特性変化回路
２の特性を変化調整するにあたって第２接続端子５のレ
ベルを変化しても、特性変化回路２の特性は変化するこ
とはないので、この第３接続端子７に導出される特性変
化回路２の出力は第４接続端子９に与えられる信号のみ
に対応した特性に依存することになり、特性変化回路２
の特性を簡便に検査することに寄与することができる。
また本発明の好ましい他の実施態様では、前記第１信号
処理回路３は、第１接続端子４からの信号を受信し、予
め定める動作を行う際には、バイアス電圧を発生し、こ
のバイアス電圧を前記第２接続端子５に与えて、この第
２接続端子５を第１レベルとする第１信号処理回路３で
ある。すなわち、前記切換えスイッチSW2の切換え動作
を行うための制御信号は制御信号発生手段において発生
され、この制御信号手段からの制御信号の態様は前記第
２接続端子５のレベルによって決定される。換言すれ
ば、第１信号処理回路３に接続される第２接続端子５の
レベルによって切換えスイッチSW2の切換え動作が制御
される。このように切換え動作を制御するための構成の
１つとして、別途新たな構成を設けることなく、第１接
続端子４からの信号を受信して予め定める動作を行う第
１信号処理回路３を用いるようにしたので、全体の構成
が簡略化される。
処理回路３は、第１接続端子４からの信号を受信し、予
め定める動作を行う際には、バイアス電圧を発生し、こ
のバイアス電圧を前記第２接続端子５に与えて、この第
２接続端子５を第１レベルとする第１信号処理回路３で
ある。すなわち、前記切換えスイッチSW2の切換え動作
を行うための制御信号は制御信号発生手段において発生
され、この制御信号手段からの制御信号の態様は前記第
２接続端子５のレベルによって決定される。換言すれ
ば、第１信号処理回路３に接続される第２接続端子５の
レベルによって切換えスイッチSW2の切換え動作が制御
される。このように切換え動作を制御するための構成の
１つとして、別途新たな構成を設けることなく、第１接
続端子４からの信号を受信して予め定める動作を行う第
１信号処理回路３を用いるようにしたので、全体の構成
が簡略化される。
また本発明の好ましい他の実施態様では、特性変化回路
２は、半導体集積回路に接続される信号発生手段からの
信号を受信して前記特性によって信号を処理する。
２は、半導体集積回路に接続される信号発生手段からの
信号を受信して前記特性によって信号を処理する。
また本発明は、半導体集積回路の特性検査方法におい
て、 （ａ）半導体集積回路を準備するステップであって、そ
の半導体集積回路は、 第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中に予め定める第１レベルとする第
２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含む半導体集積回路である。
て、 （ａ）半導体集積回路を準備するステップであって、そ
の半導体集積回路は、 第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中に予め定める第１レベルとする第
２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含む半導体集積回路である。
（ｂ）第４接続端子９にレベルが連続的に変化する信号
を与えて特性変化回路２の特性を変化させる特性変化信
号発生手段を接続するステップと、 （ｃ）第３接続端子７にその特性を検出するための検出
手段を接続するステップとを含むことを特徴ともる半導
体集積回路の特性検査方法である。
を与えて特性変化回路２の特性を変化させる特性変化信
号発生手段を接続するステップと、 （ｃ）第３接続端子７にその特性を検出するための検出
手段を接続するステップとを含むことを特徴ともる半導
体集積回路の特性検査方法である。
本発明に従えば、半導体集積回路を準備し、この半導体
集積回路の第４接続端子９に特性変化信号発生手段を接
続するととに、第３接続端子７に検出手段を接続する。
このような接続状態において、特性変化信号発生手段か
らの信号を前記第４接続端子９を介して特性変化回路２
に与え、これによって特性変化回路２の特性を変化させ
る。このようにして変化させられた特性を有する特性変
化回路２の出力は、前記検出手段において検出すること
ができる。したがって、操作者は検出手段によって得ら
れる検出結果に基づいて特性変化信号発生手段からの信
号を変化させることによって、特性変化回路２を最適な
特性に設定することができる。
集積回路の第４接続端子９に特性変化信号発生手段を接
続するととに、第３接続端子７に検出手段を接続する。
このような接続状態において、特性変化信号発生手段か
らの信号を前記第４接続端子９を介して特性変化回路２
に与え、これによって特性変化回路２の特性を変化させ
る。このようにして変化させられた特性を有する特性変
化回路２の出力は、前記検出手段において検出すること
ができる。したがって、操作者は検出手段によって得ら
れる検出結果に基づいて特性変化信号発生手段からの信
号を変化させることによって、特性変化回路２を最適な
特性に設定することができる。
さらにまた本発明の好ましい他の実施態様では、特性変
化回路２はフィルタであり、 このフィルタ２は周波数が連続的に変化する信号が与え
られ、 検出手段は、前記周波数に対応するレベルを検出するス
ペクトルアナライザである。
化回路２はフィルタであり、 このフィルタ２は周波数が連続的に変化する信号が与え
られ、 検出手段は、前記周波数に対応するレベルを検出するス
ペクトルアナライザである。
また本発明は、第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含む半導体集積回路と、 前記第２接続端子５に予め定める第２レベルを有する信
号を与える手段と、 前記第４接続端子９に接続され、特性変化回路２の特性
を変化するための信号を与える特性変化信号発生手段
と、 前記第３接続端子７に接続され、特性変化回路２によっ
て変化された信号を検出する検出手段とを含むことを特
徴とする半導体集積回路を備える電子機器（electronic
apparatus）の調整装置である。
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含む半導体集積回路と、 前記第２接続端子５に予め定める第２レベルを有する信
号を与える手段と、 前記第４接続端子９に接続され、特性変化回路２の特性
を変化するための信号を与える特性変化信号発生手段
と、 前記第３接続端子７に接続され、特性変化回路２によっ
て変化された信号を検出する検出手段とを含むことを特
徴とする半導体集積回路を備える電子機器（electronic
apparatus）の調整装置である。
本発明に従えば、第２接続端子５に予め定める第２レベ
ルの信号を与えて、第３接続端子７に特性変化回路２の
出力が導出されるようにする。この状態において、第４
接続端子９に接続される変化手段から信号を与えて特性
変化回路２の特性を変化させる。このようにして特性が
変化した特性変化回路２から出力される信号は、前記第
３接続端子７を介して検出手段に与えられて検出され
る。操作者は検出手段によって検出された結果に基づい
て調整変化回路の特性を知ることができ、この検出結果
に基づいて特性変化信号発生手段からの信号を変化させ
ることによって特性変化回路２の特性を希望するように
調整することができる。
ルの信号を与えて、第３接続端子７に特性変化回路２の
出力が導出されるようにする。この状態において、第４
接続端子９に接続される変化手段から信号を与えて特性
変化回路２の特性を変化させる。このようにして特性が
変化した特性変化回路２から出力される信号は、前記第
３接続端子７を介して検出手段に与えられて検出され
る。操作者は検出手段によって検出された結果に基づい
て調整変化回路の特性を知ることができ、この検出結果
に基づいて特性変化信号発生手段からの信号を変化させ
ることによって特性変化回路２の特性を希望するように
調整することができる。
また本発明の好ましい他の実施態様では、前記半導体集
積回路は、特性変化回路２に与えられて変化されるべき
信号を受信する第４入力端子を有し、この第４入力端子
に特性変化回路２によって変化されるべき信号を与える
手段を備える半導体集積回路である。
積回路は、特性変化回路２に与えられて変化されるべき
信号を受信する第４入力端子を有し、この第４入力端子
に特性変化回路２によって変化されるべき信号を与える
手段を備える半導体集積回路である。
また本発明は、少なくとも１つの端子に第１の所定レベ
ルの電圧が導出され、かつ同一チップ内に特性の調整を
要する回路を内蔵してなる集積回路において、 上記第１の所定レベルの電圧が導出された端子を強制的
に異なる第２の所定レベルに接続するスイッチと、 特性の調整を要する調整回路と、 上記導出端子の印加電圧が第１所定レベルか第２所定レ
ベルであるかに対応して上記調整回路の出力を出力端子
に導出する切換えスイッチとを設けてなることを特徴と
する調整回路内蔵の集積回路である。
ルの電圧が導出され、かつ同一チップ内に特性の調整を
要する回路を内蔵してなる集積回路において、 上記第１の所定レベルの電圧が導出された端子を強制的
に異なる第２の所定レベルに接続するスイッチと、 特性の調整を要する調整回路と、 上記導出端子の印加電圧が第１所定レベルか第２所定レ
ベルであるかに対応して上記調整回路の出力を出力端子
に導出する切換えスイッチとを設けてなることを特徴と
する調整回路内蔵の集積回路である。
本発明に従えば、調整回路の出力を本来行うべき動作中
に取出す必要がない集積回路について、本来行うべき動
作中に用いられる出力端子として機能する端子を、調整
過程で切換えて調整回路の出力信号を導出する端子とし
て利用することができ、出力端子数を増加することなく
集積回路を構成することができる。
に取出す必要がない集積回路について、本来行うべき動
作中に用いられる出力端子として機能する端子を、調整
過程で切換えて調整回路の出力信号を導出する端子とし
て利用することができ、出力端子数を増加することなく
集積回路を構成することができる。
〈実施例〉 本発明のこれらの目的と、それ以外の目的と、特色と、
利点とは、下記の詳細な説明と図面とから一層明確にな
るであろう。
利点とは、下記の詳細な説明と図面とから一層明確にな
るであろう。
第１図は本発明の実施例の半導体集積回路１およびこの
半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際に
この半導体集積回路１に関連する電気構成を示すブロッ
ク図、第２図はバンドパスフィルタ２の電気的特性を示
すグラフ、第３図は半導体集積回路１およびハンドパス
フィルタ２の特性を調整する際に半導体集積回路１に関
連する電気的構成を示すブロック図である。
半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際に
この半導体集積回路１に関連する電気構成を示すブロッ
ク図、第２図はバンドパスフィルタ２の電気的特性を示
すグラフ、第３図は半導体集積回路１およびハンドパス
フィルタ２の特性を調整する際に半導体集積回路１に関
連する電気的構成を示すブロック図である。
以下、図面を参考にして、本発明の好適な実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明の実施例の半導体集積回路１およびこ
の半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際
にこの半導体集積回路１に関連する電気的構成を示すブ
ロック図である。この実施例の半導体集積回路１は、テ
レビジョン受信機の音声多重信号の処理を行うための半
導体集積回路であり、１つの半導体集積回路チップから
構成される。この半導体集積回路１には、各種の機能が
実現される回路がたとえばトランジスタなどを用いて高
密度に作成されており、この半導体集積回路１が本来行
うべき動作、すなわち音声多重信号処理動作を実現する
にあたってその特性を予め調整する必要がある回路、た
とえばバンドパスフィルタ２が内蔵されている。
の半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際
にこの半導体集積回路１に関連する電気的構成を示すブ
ロック図である。この実施例の半導体集積回路１は、テ
レビジョン受信機の音声多重信号の処理を行うための半
導体集積回路であり、１つの半導体集積回路チップから
構成される。この半導体集積回路１には、各種の機能が
実現される回路がたとえばトランジスタなどを用いて高
密度に作成されており、この半導体集積回路１が本来行
うべき動作、すなわち音声多重信号処理動作を実現する
にあたってその特性を予め調整する必要がある回路、た
とえばバンドパスフィルタ２が内蔵されている。
半導体集積回路１はリミッティングアンプ３を含み、こ
のリミッティングアップ３には半導体集積回路１の接続
端子4,5が接続されている。一方の接続端子４には信号
発生回路12が接続され、この信号発生回路12からはSAP
（Second Audio Program）信号が与えられる。一方の接
続端子４には、抵抗R2およびコンデンサC1が直列に接続
されており、このコンデンサC1の一方電極は接地され
る。前記抵抗R2およびコンデンサC1の接続点13は、他方
の接続端子５に接続されている。
のリミッティングアップ３には半導体集積回路１の接続
端子4,5が接続されている。一方の接続端子４には信号
発生回路12が接続され、この信号発生回路12からはSAP
（Second Audio Program）信号が与えられる。一方の接
続端子４には、抵抗R2およびコンデンサC1が直列に接続
されており、このコンデンサC1の一方電極は接地され
る。前記抵抗R2およびコンデンサC1の接続点13は、他方
の接続端子５に接続されている。
リミッティングアンプ３は差動増幅器11および帰還抵抗
R1から構成され、一方の接続端子４は差動増幅器11の一
方入力端子14に接続され、他方の接続端子５は差動増幅
器11の他方入力端子15に接続される。前記他方入力端子
15は帰還抵抗R1を介して差動増幅器11の出力端子16に接
続され、帰還による所定の直流電圧バイアスが導出され
ている。この半導体集積回路１が音声多重信号処理動作
を行っているときには、前記他方の接続端子５には前記
直流電圧バイアスが与えられる。リミッティングアンプ
３の出力は、信号処理回路10に与えられる。
R1から構成され、一方の接続端子４は差動増幅器11の一
方入力端子14に接続され、他方の接続端子５は差動増幅
器11の他方入力端子15に接続される。前記他方入力端子
15は帰還抵抗R1を介して差動増幅器11の出力端子16に接
続され、帰還による所定の直流電圧バイアスが導出され
ている。この半導体集積回路１が音声多重信号処理動作
を行っているときには、前記他方の接続端子５には前記
直流電圧バイアスが与えられる。リミッティングアンプ
３の出力は、信号処理回路10に与えられる。
前記信号発生回路12からのSAP信号は、この半導体集積
回路１の接続端子17を介して前記バンドパスフィルタ２
に与えられる。バンドパスフィルタ２の出力は、音声多
重信号を復調する復調回路18に与えられるとともに、切
換えスイッチSW2の一方端子19に与えられる。切換えス
イッチSW2の他方端子20には、信号処理回路８からの出
力が与えられる。切換えスイッチSW2の共通端子21は、
半導体集積回路１の接続端子７に接続され、この接続端
子７は音響信号処理回路22に接続されている。
回路１の接続端子17を介して前記バンドパスフィルタ２
に与えられる。バンドパスフィルタ２の出力は、音声多
重信号を復調する復調回路18に与えられるとともに、切
換えスイッチSW2の一方端子19に与えられる。切換えス
イッチSW2の他方端子20には、信号処理回路８からの出
力が与えられる。切換えスイッチSW2の共通端子21は、
半導体集積回路１の接続端子７に接続され、この接続端
子７は音響信号処理回路22に接続されている。
前記差動増幅器11の他方入力端子15は、コンパレータ６
の反転入力端子23に接続される。このコンパレータ６の
他方入力端子24には、基準電圧発生回路25からの基準電
圧が与えられる。この基準電圧のレベルは前記直流電圧
バイアスのレベルと接地レベルとの間のレベルに選ばれ
る。コンパレータ６の出力は、前記切換えスイッチSW2
に切換え制御信号として与えられる。半導体集積回路１
の接続端子９には、可変電圧発生回路26が接続され、こ
の可変電圧発生回路26からの電圧が前記バンドパスフィ
ルタ２に与えられる。なお、この半導体集積回路１は、
接続端子27を介して接地されている。
の反転入力端子23に接続される。このコンパレータ６の
他方入力端子24には、基準電圧発生回路25からの基準電
圧が与えられる。この基準電圧のレベルは前記直流電圧
バイアスのレベルと接地レベルとの間のレベルに選ばれ
る。コンパレータ６の出力は、前記切換えスイッチSW2
に切換え制御信号として与えられる。半導体集積回路１
の接続端子９には、可変電圧発生回路26が接続され、こ
の可変電圧発生回路26からの電圧が前記バンドパスフィ
ルタ２に与えられる。なお、この半導体集積回路１は、
接続端子27を介して接地されている。
前記接続端子５は、スイッチSW1を介して接地されてお
り、のスイッチSW1をオンとすることによって前記接続
端子５のレベルをリミッティングアンプ３からの直流バ
イアスレベルから接地レベルに切換える。この接続端子
５のレベルは、前記コンパレータ６の反転入力端子23に
与えられ、基準電圧発生回路25からの基準電圧レベルと
の比較が行われ、このコンパレータ６の出力が切換えス
イッチSW2に与えられる。
り、のスイッチSW1をオンとすることによって前記接続
端子５のレベルをリミッティングアンプ３からの直流バ
イアスレベルから接地レベルに切換える。この接続端子
５のレベルは、前記コンパレータ６の反転入力端子23に
与えられ、基準電圧発生回路25からの基準電圧レベルと
の比較が行われ、このコンパレータ６の出力が切換えス
イッチSW2に与えられる。
なお、バンドパスフィルタ２は、接続端子９を介して接
続される可変電圧発生回路26からの直流電圧バイアスに
よってその特性が決定されている。
続される可変電圧発生回路26からの直流電圧バイアスに
よってその特性が決定されている。
このような構成を有する半導体集積回路１においては、
この半導体集積回路１が本来行うべき動作、すなわち音
声多重信号処理動作中においては、前記スイッチSW1は
オフ状態にあり、前記接続端子５のレベルはリミッティ
ングアンプ３の直流電圧バイアスに保たれている。この
状態ではコンパレータ６の出力はローレベルとなり、切
換えスイッチSW2は信号処理回路８の出力を接続端子７
に与えるように切換えられる。すなわち、このような状
態では、信号発生回路12からのSAP信号は、リミッティ
ングアンプ３を介して信号処理回路10に与えられて予め
定められる信号処理が施されるとともに、バンドパスフ
ィルタ２を介して復調回路18で復調されるなどの信号処
理が行われ、そのうちの一部の信号が信号処理回路８に
与えられ、この出力が前記切換えスイッチSW2を介して
音響信号処理回路22に与えられる。
この半導体集積回路１が本来行うべき動作、すなわち音
声多重信号処理動作中においては、前記スイッチSW1は
オフ状態にあり、前記接続端子５のレベルはリミッティ
ングアンプ３の直流電圧バイアスに保たれている。この
状態ではコンパレータ６の出力はローレベルとなり、切
換えスイッチSW2は信号処理回路８の出力を接続端子７
に与えるように切換えられる。すなわち、このような状
態では、信号発生回路12からのSAP信号は、リミッティ
ングアンプ３を介して信号処理回路10に与えられて予め
定められる信号処理が施されるとともに、バンドパスフ
ィルタ２を介して復調回路18で復調されるなどの信号処
理が行われ、そのうちの一部の信号が信号処理回路８に
与えられ、この出力が前記切換えスイッチSW2を介して
音響信号処理回路22に与えられる。
第２図は、バンドパスフィルタ２の通常帯域特性を示す
グラフである。このバンドパスフィルタ２の通過帯域の
中心周波数fcは、前述した可変電圧発生回路26から与え
られる電圧によって決定される。
グラフである。このバンドパスフィルタ２の通過帯域の
中心周波数fcは、前述した可変電圧発生回路26から与え
られる電圧によって決定される。
次に、バンドパスフィルタ２の通過帯域特性を調整する
場合の動作について説明する。バンドパスフィルタ２の
特性を調整するにあたっては、第３図に示されるよう
に、接続端子17には、信号発生回路12を取外してsweep
信号発生回路30を接続するとともに、接続端子７には音
響信号処理回路22を取外してスペクトルアナライザ31を
接続し、前記スイッチSW1をオン状態とする。この状態
では、接続端子５は接地されるので、コンパレータ６の
出力はハイレベルとなり、切換えスイッチSW2はバンド
パスフィルタ２の出力を接続端子７に与えるように切換
えられる。
場合の動作について説明する。バンドパスフィルタ２の
特性を調整するにあたっては、第３図に示されるよう
に、接続端子17には、信号発生回路12を取外してsweep
信号発生回路30を接続するとともに、接続端子７には音
響信号処理回路22を取外してスペクトルアナライザ31を
接続し、前記スイッチSW1をオン状態とする。この状態
では、接続端子５は接地されるので、コンパレータ６の
出力はハイレベルとなり、切換えスイッチSW2はバンド
パスフィルタ２の出力を接続端子７に与えるように切換
えられる。
このように設定した後に、sweep信号発生回路30から接
続端子17を介してsweep信号をバンドパスフィルタ２に
与え、このバンドパスフィルタ２を通過した出力がスペ
クトルアナライザ31で検出される。そこで、可変電圧発
生回路26においてバンドパスフィルタ２に与える電圧を
変化調整することによって、バンドパスフィルタ２の通
過帯域の中心周波数fcを変化させて最適な特性を決定す
ることができる。このようにして最適な特性が決定され
ると、このレベルの電圧が可変電圧発生回路26で固定さ
れる。この後に、第１図に示される回路構成に戻して最
適なバンドパスフィルタ２の特性による音声多重信号処
理動作を実現することができる。
続端子17を介してsweep信号をバンドパスフィルタ２に
与え、このバンドパスフィルタ２を通過した出力がスペ
クトルアナライザ31で検出される。そこで、可変電圧発
生回路26においてバンドパスフィルタ２に与える電圧を
変化調整することによって、バンドパスフィルタ２の通
過帯域の中心周波数fcを変化させて最適な特性を決定す
ることができる。このようにして最適な特性が決定され
ると、このレベルの電圧が可変電圧発生回路26で固定さ
れる。この後に、第１図に示される回路構成に戻して最
適なバンドパスフィルタ２の特性による音声多重信号処
理動作を実現することができる。
このように本発明では、半導体集積回路１が本来行うべ
き動作中に用いられる接続端子７をバンドパスフィルタ
２の特性を調整する際における出力端子として兼用する
ようにしたので、接続端子の数を低減することができ
る。また本実施例によれば、半導体集積回路１に収納さ
れるバンドパスフィルタ２の特性を簡便に検査および調
整することができる。なお、本実施例では、半導体集積
回路１に収納される特性変化回路としてバンドパスフィ
ルタ２を用いる構成について説明したけれども、バンド
パスフィルタに限ることなく、他の回路であってもよ
い。
き動作中に用いられる接続端子７をバンドパスフィルタ
２の特性を調整する際における出力端子として兼用する
ようにしたので、接続端子の数を低減することができ
る。また本実施例によれば、半導体集積回路１に収納さ
れるバンドパスフィルタ２の特性を簡便に検査および調
整することができる。なお、本実施例では、半導体集積
回路１に収納される特性変化回路としてバンドパスフィ
ルタ２を用いる構成について説明したけれども、バンド
パスフィルタに限ることなく、他の回路であってもよ
い。
また本実施例では、この半導体集積回路１が本来行うべ
き動作、すなわち音声多重信号処理動作を行う際に用い
られるリミッティングアンプ３を切換えスイッチSW2の
切換え動作を制御するための構成として兼用するように
したので、切換えスイッチSW2の切換え動作を制御する
ために別途新たな構成を用いることなく、該半導体集積
回路１の構成の簡略化に寄与することができる。
き動作、すなわち音声多重信号処理動作を行う際に用い
られるリミッティングアンプ３を切換えスイッチSW2の
切換え動作を制御するための構成として兼用するように
したので、切換えスイッチSW2の切換え動作を制御する
ために別途新たな構成を用いることなく、該半導体集積
回路１の構成の簡略化に寄与することができる。
なお、本実施例では、リミッティングアンプ３を用いて
切換えスイッチSW2の切換え動作を制御するような構成
について説明したけれども、切換えスイッチSW2の切換
え動作を制御する制御信号を形成するための回路として
は、このリミッティングアンプ３に限ることなく、この
半導体集積回路１が本来行うべき動作に用いられる他の
回路を用いることもできる。
切換えスイッチSW2の切換え動作を制御するような構成
について説明したけれども、切換えスイッチSW2の切換
え動作を制御する制御信号を形成するための回路として
は、このリミッティングアンプ３に限ることなく、この
半導体集積回路１が本来行うべき動作に用いられる他の
回路を用いることもできる。
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱すること
なく、他の色々な形で実施することができる。したがっ
て前述の実施例が、あらゆる点で単なる例示にすぎず、
本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明
細書本文には何ら拘束されない。
なく、他の色々な形で実施することができる。したがっ
て前述の実施例が、あらゆる点で単なる例示にすぎず、
本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明
細書本文には何ら拘束されない。
さらに特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は
全て本発明の範囲内のものである。
全て本発明の範囲内のものである。
〈発明の効果〉 本発明によれば、本来の出力端子を特性変化回路の出力
端子としても利用し得る半導体集積回路およびその特性
検査方法を提供することができる。また、本発明によれ
ば、接続端子の数を低減することができる半導体集積回
路およびその特性検査方法を提供することができる。さ
らに、本発明によれば、半導体集積回路の収納される特
性変化回路の特性を簡便に検査および調整することがで
きる半導体集積回路を提供することができる。
端子としても利用し得る半導体集積回路およびその特性
検査方法を提供することができる。また、本発明によれ
ば、接続端子の数を低減することができる半導体集積回
路およびその特性検査方法を提供することができる。さ
らに、本発明によれば、半導体集積回路の収納される特
性変化回路の特性を簡便に検査および調整することがで
きる半導体集積回路を提供することができる。
第１図は本発明の実施例の半導体集積回路１およびこの
半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際に
この半導体集積回路１に関連する電気構成を示すブロッ
ク図、第２図はバンドパスフィルタ２の電気的特性を示
すグラフ、第３図は半導体集積回路１およびバンドパス
フィルタ２の特性を調整する際に半導体集積回路１に関
連する電気的構成を示すブロック図である。 符号の説明 1:半導体集積回路、2:バンドパスフィルタ、3:リミッテ
ィングアンプ、6:コンパレータ、8:信号処理回路、10:
信号処理回路、11:差動増幅器、12:信号発生回路、18:
復調回路、22:音響信号処理回路、25:基準電圧発生回
路、26:可変電圧発生回路、30:sweep信号発生回路、31:
スペクトルアナライザ、SW1:スイッチ、SW2:切換えスイ
ッチ。
半導体集積回路１が本来行うべき動作が実現される際に
この半導体集積回路１に関連する電気構成を示すブロッ
ク図、第２図はバンドパスフィルタ２の電気的特性を示
すグラフ、第３図は半導体集積回路１およびバンドパス
フィルタ２の特性を調整する際に半導体集積回路１に関
連する電気的構成を示すブロック図である。 符号の説明 1:半導体集積回路、2:バンドパスフィルタ、3:リミッテ
ィングアンプ、6:コンパレータ、8:信号処理回路、10:
信号処理回路、11:差動増幅器、12:信号発生回路、18:
復調回路、22:音響信号処理回路、25:基準電圧発生回
路、26:可変電圧発生回路、30:sweep信号発生回路、31:
スペクトルアナライザ、SW1:スイッチ、SW2:切換えスイ
ッチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｚ 7630−4Ｍ Ｈ０４Ｎ 5/60 １０２ Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含むことを特徴とする半導体集積回
路。 - 【請求項２】半導体集積回路の特性検査方法において、 （ａ）半導体集積回路を準備するステップであって、そ
の半導体集積回路は、 第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含み、 （ｂ）第４接続端子９にレベルが連続的に変化する信号
を与えて特性変化回路２の特性を変化させる信号発生手
段を接続するステップと、 （ｃ）第３接続端子７にその特性を検出するための検出
手段を接続するステップとを含むことを特徴とする半導
体集積回路の特性検査方法。 - 【請求項３】第１接続端子４と、 第１接続端子４からの信号を受信して予め定める動作を
行う第１信号処理回路３と、 第１信号処理回路３に接続され、第１信号処理回路３が
前記予め定める動作中において予め定める第１レベルと
する第２接続端子５と、 第３接続端子７と、 予め定める動作を行って信号を発生する第２信号処理回
路８と、 第４接続端子９と、 第４接続端子９に与えられる信号に応答し、この第４接
続端子９に与えられる信号に対応した特性となるように
特性を変化する特性変化回路２と、 制御信号に応答して第２信号処理回路８と特性変化回路
２との出力を選択的に切換えて第３接続端子７に与える
切換えスイッチSW2と、 第２接続端子５の信号に応答し、その第２接続端子５が
前記第１レベルであるとき第２信号処理回路８の出力を
第３接続端子７に与えるようにするスイッチング態様と
なるように切換えスイッチSW2を動作させ、前記第２接
続端子５が予め定める第２レベルであるとき特性変化回
路２の出力を前記第３接続端子７に与えるようにするス
イッチング態様となるように切換えスイッチSW2を動作
させるための制御信号を切換えスイッチSW2に与える制
御信号発生手段とを含む半導体集積回路と、 前記第２接続端子５に予め定める第２レベルを有する信
号を与える手段と、 前記第４接続端子９に接続され、特性変化回路２の特性
を変化するための信号を与える信号発生手段と、 前記第３接続端子７に接続され、特性変化回路２によっ
て変化された信号を検出する検出手段とを含むことを特
徴とする半導体集積回路を備える電子機器（electronic
apparatus）の調整装置。 - 【請求項４】少なくとも１つの端子に第１の所定レベル
の電圧が導出され、かつ同一チップ内に特性の調整を要
する回路を内蔵してなる集積回路において、 上記第１の所定レベルの電圧が導出された端子を強制的
に異なる第２の所定レベルに接続するスイッチと、 特性の調整を要する調整回路と、 上記導出端子の印加電圧が第１所定レベルから第２所定
レベルであるかに対応して上記調整回路の出力を出力端
子に導出する切換えスイッチとを設けてなることを特徴
とする調整回路内蔵の集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1650288 | 1988-01-27 | ||
| JP63-16502 | 1988-01-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021142A JPH021142A (ja) | 1990-01-05 |
| JPH079921B2 true JPH079921B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=11918049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1010836A Expired - Lifetime JPH079921B2 (ja) | 1988-01-27 | 1989-01-18 | 半導体集積回路およびその特性検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5004934A (ja) |
| JP (1) | JPH079921B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434480B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 적은 테스트 핀수를 갖는 마이크로 콘트롤러 |
| US6249686B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-06-19 | Philips Electronics N.A. Corp. | Internal circuit for adaptive mode selection of multi-mode RF integrated circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE448264B (sv) * | 1985-12-19 | 1987-02-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordninng for justering av impedansverdet hos ett impedansnet i en integrerad halvledarkrets |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1010836A patent/JPH079921B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-27 US US07/302,469 patent/US5004934A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021142A (ja) | 1990-01-05 |
| US5004934A (en) | 1991-04-02 |
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