JPH0799220A - プローブカード、プローブカード用同軸プローブ針、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 テスタ側とのインピーダンス整合が図れて信
号反射の低減やクロストークなど誘導ノイズの抑制効果
が大きく、優れたテスティング特性が得られ、垂直針タ
イプの超高密度プローブカードへの実装針として最適と
なるプローブカード用同軸針を提供することにある。 【構成】 互いに絶縁されたプリント基板およびアース
基板を有する基板アッセンブリと、この基板アッセンブ
リに支持され、その先端が被検査回路のパッドに対して
実質的に垂直に接触される同軸プローブ針アッセンブリ
と、を備え、前記同軸プローブ針アッセンブリは、被検
査回路のパッドに接触される先端部を含む中心導体と、
この中心導体の先端部を除く部分を覆い、中心導体と導
通するホルダ導体と、このホルダ導体を取り囲む誘電体
と、この誘電体を介して前記ホルダ導体と同軸に設けら
れた周囲導体と、この周囲導体を覆うシースと、を有
し、前記ホルダ導体の端末部はプリント基板の回路に電
気的に接続され、前記周囲導体の端末部はアース基板の
回路に電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス等の電
気的特性を検査するプローブ装置に用いられるプローブ
カード、プローブカード用同軸プローブ針、及びその製
造方法に関する。とくに垂直針タイプの多ピン用高密度
プローブカード（以下、ＶＴＰＣという）に関する。

【０００２】

【従来の技術】典型的なプローブ装置は、例えば特開昭
６４−７３６３２号公報に記載されている。この装置の
プローブカードは、テスト対象パッドに対して斜めに接
触するプローブ針（probe ）を有している。しかし、近
年の半導体デバイスの高集積化に伴い、チップ１個当た
りのパッド数が増加するとともに、パッドの縮小化およ
びパッド相互間隔の縮小化が進み、斜針タイプのプロー
ブカードでは対処できなくなってきている。

【０００３】そこで、最近では、斜針タイプのプローブ
カードに代わって、例えば特公平２−２８８２８号や特
公昭６３−２８８６２号公報に開示されているＶＴＰＣ
が実用化されつつある。このＶＴＰＣでは、前述の斜針
タイプのものよりプローブ針の実装本数の大幅な増加、
即ち実装針の狭ピッチ化及び多数本化が可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＶＴＰ
Ｃにおいては、プローブ針を極細にして多数本微細ピッ
チで実装することを優先しているので、各プローブ針の
特性インピーダンスやシールド性などが考慮されていな
い。このため、プローブ針とテスタ側とのインピーダン
ス不整合により、そのプローブ針に信号の反射が起きた
り、隣り合うプローブ針の相互間でクロストーク（ノイ
ズの一種）が生じたりする。その結果、伝送信号に異常
な波形（リンギング）が生じて、プロービングテストに
悪影響を与えることがある。

【０００５】同軸ケーブルは、伝送信号に入り込むノイ
ズが少ないこと、特性インピーダンスが安定しているこ
と等の長所を有する。このため、同軸ケーブルをプロー
ブカード内の配線に用いると種々の利点を生むことが予
想されている。しかしながら、同軸ケーブルでは周囲導
体をアースする必要があるが、高密度化に伴ない周囲導
体をアース接続するためのスペースをプリント基板上に
とることが困難となる。

【０００６】つまり、同軸ケーブル状にしたプローブ針
の外径寸法はほぼ０．８mm程度となるが、通常のＶＴＰ
Ｃのプリント基板を用いた場合は、スペース的な制約を
受けて、各プローブ針のホルダ導体の基板側端末をハン
ダ付けする各電極パターンは、プリント基板上に１mm〜
１．５mm程度の狭ピッチで配列する必要がある。その狭
ピッチの電極パターンの相互間に、電極パターンと同一
平面上で絶縁距離を確保して、各プローブ針の周囲導体
の端末をハンダ付けするアース用導電層（グランド）を
設けることはスペース的にほとんど不可能である。

【０００７】また、テスト信号の周波数が高周波領域に
ある場合は、テスタ側の特性インピーダンスと異なる特
性インピーダンスをもつ伝送路を信号が通過するとき
に、信号が反射され、ノイズを生じる。このため、信号
伝送路となるプローブ針の特性インピーダンスをテスタ
側の特性インピーダンスに整合させる（インピーダンス
・マッチング）必要がある。

【０００８】本発明の目的とするところは、テスタ側か
らの伝送信号の反射を低減することができると共に、ク
ロストークなど誘導ノイズの抑制効果が大きく、優れた
テスティング特性を得ることができるＶＴＰＣ及びその
製造方法を提供することにある。また、本発明の目的
は、上記利点を有するＶＴＰＣ用の同軸プローブ針及び
その製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブカ
ードは、テスタに電気的に接続されるとともに、被検査
回路に電気的に接触導通し、テスタと被検査回路との間
でテスト信号を伝送するために用いられるプローブカー
ドであって、互いに絶縁されたプリント基板およびアー
ス基板を有する基板アッセンブリと、この基板アッセン
ブリに支持され、その先端が被検査回路のパッドに対し
て実質的に垂直に接触される同軸プローブ針アッセンブ
リと、を備え、前記同軸プローブ針アッセンブリは、被
検査回路のパッドに接触導通される先端部を含む中心導
体と、この中心導体の先端部を除く部分を覆い、中心導
体と導通するホルダ導体と、このホルダ導体を取り囲む
誘電体と、この誘電体を介して前記ホルダ導体と同軸に
設けられた周囲導体と、この周囲導体を覆うシースと、
を有し、前記ホルダ導体の端末部はプリント基板の回路
に電気的に接続され、前記周囲導体の端末部はアース基
板の回路に電気的に接続されることを特徴とする。

【００１０】本発明に係るプローブカード用同軸プロー
ブ針は、テスタと被検査回路との間でテスト信号を伝送
するために用いられる同軸プローブ針であって、被検査
回路のパッドに実質的に垂直に接触される先端部を含む
中心導体と、この中心導体の先端部を除く部分を覆い、
中心導体と導通するホルダ導体と、このホルダ導体を取
り囲む誘電体と、この誘電体を介して前記ホルダ導体と
同軸に設けられた周囲導体と、この周囲導体を覆うシー
スと、を有し、前記ホルダ導体の端末部はプリント基板
の回路に電気的に接続され、前記周囲導体の端末部はア
ース基板の回路に電気的に接続されることを特徴とす
る。

【００１１】本発明に係るプローブカード用同軸プロー
ブ針の製造方法は、同軸ケーブルの特性インピーダンス
を求める数式を利用して、テスタ側の特性インピーダン
スより小さめの特性インピーダンスをもつ第１の同軸ケ
ーブルを設計し、ダミー芯線を誘電体層で被覆し、この
誘電体層を導電メッシュで被覆し、この導電メッシュを
シースで被覆し、テスタ側の特性インピーダンスより小
さめの特性インピーダンスをもつ第１の同軸ケーブルを
形成し、この第１の同軸ケーブルから前記ダミー芯線を
引き抜くことにより、第１の同軸ケーブルに中心孔を形
成し、被検査回路のパッドに接触導通される先端部を含
む中心導体を、この中心導体の先端部を除く部分をホル
ダ導体で被覆して、ホルダ導体を中心導体と導通させ、
ホルダ導体の末端部が第１の同軸ケーブルから突出する
ようにホルダ導体を前記中心孔に挿入して、第２の同軸
ケーブルを形成し、このホルダ導体の径は前記ダミー芯
線の径より小さいことを特徴とする。

【００１２】

【作用】通常一般の技法により同軸ケーブルを作成し、
この同軸ケーブルからダミー芯線を抜き取り、このダミ
ー芯線の抜き取り跡（孔）に別途成形したプローブ針部
材（ホルダ導体）を挿入するが、この際、その実装用の
ホルダ導体はダミー芯線より小径であるので抜き取り跡
にスムーズに挿入できる。しかも、このプローブ針部材
は後から挿入するので、予め剛性強度並びに導体抵抗を
考慮した所要の外径寸法で且つ座屈する先端側部が一段
小径となる形態に別途単独で楽に成形できる。こうした
ことから所要のプローブ針部材を中心に有した同軸プロ
ーブ針の製作が非常に簡単となり、面倒な後加工が不要
となる。

【００１３】また、実装用のプローブ針部材を基準に
し、これが抜き換え易いように少し大径なダミー芯線を
用いて同軸ケーブルを作成する際、高周波同軸ケーブル
の特性インピーダンスの計算式を基に、誘電体の材質や
厚み等を選定して所望の特性インピーダンスより小さめ
の同軸ケーブルを作成し、この同軸ケーブルのダミー芯
線を前記実装用のプローブ針部材と差し換えるので、テ
スタ側と出来るだけ整合する所望の特性インピーダンス
を持つ同軸プローブ針が容易に得られる。

【００１４】

【実施例】以下、添付の図面を参照して本発明の種々の
実施例について説明する。図１に示すように、自動プロ
ーブ装置の基台（図示せず）の略中央にメインステージ
としてウエハ載置台１が設けられている。ウエハ載置台
１はＸ−Ｙ−Ｚ−θ移動テーブル（図示せず）上に設け
られ、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸に沿って直線移動しうるととも
に、θ軸まわりに回転しうるようになっている。ウエハ
載置台１は真空チャック機構（図示せず）を有してお
り、載置台１の上に１枚の半導体ウエハＷが吸着保持さ
れるようになっている。

【００１５】ウエハ載置台１の上面にはＶＴＰＣ２が対
面している。ＶＴＰＣ２はカードホルダー（図示せず）
に保持され、カードホルダーはヘッドプレート（図示せ
ず）及びインサートリング（図示せず）によって固定支
持されている。さらに上方にはコンタクトリング３及び
テストヘッド４が設けられている。コンタクトリング３
はパフォーマンスボード（図示せず）及びインターフェ
イスブロック（図示せず）を含んでいる。パフォーマン
スボードは、テスタのピンエレクトロニクスの割り振り
や、電源グランド等の配線をするためのボードである。
インターフェイスブロックは、ＶＴＰＣ２とパフォーマ
ンスボードとを接続するためのケーブル及びポゴピンを
有している。

【００１６】コンタクトリング３は、ケーブルやポゴピ
ンからなるメジャリング・インターフェイスによってテ
ストヘッド４に電気的に接続されている。また、コンタ
クトリング３及びテストヘッド４は、ケーブルやポゴピ
ンによって外部テスタ５と電気的にそれぞれ接続されて
いる。

【００１７】次に、図１及び図２を参照しながらＶＴＰ
Ｃ２について説明する。ＶＴＰＣ２は、プリント基板２
１、アース基板２２、固定ブロック２３，２４，２５，
２６、分配板（固定板）２７、ガイド板２８，２９、並
びに多数本の同軸プローブ針３１を組立ててなるアッセ
ンブリである。プリント基板２１には同軸プローブ針３
１に対応する回路が多数形成されている。プリント基板
２１の中央には同軸プローブ針３１を通すための開口２
１ａが形成されている。多数の電極パターン２１ｂがプ
リント基板２１の表裏面の回路に接続されている。各電
極パターン２１ｂにはプローブ針部材３３を挿入するた
めの貫通孔２１ｃが形成されている。貫通孔２１ｃの径
は２５０〜５００μｍである。電極パターン２１ｂは１
mm〜１．５mm程度の狭ピッチ間隔に配列されている。

【００１８】アース基板２２はプリント基板２１の上に
重ねられ、両者はネジ２２ｅにより締結されている。ア
ース基板２２はプリント基板２１から絶縁されている。
アース基板２２の上面には薄い銅箔２２ｃが張り付けら
れている。アース基板２２の中央には同軸プローブ針３
１を通すための開口２２ａが形成されている。貫通孔２
２ｂが、プリント基板２１の貫通孔２１ｃと対応するよ
うにアース基板２２に形成されている。

【００１９】リング状の固定ブロック２３，２４，２
５，２６は、プリント基板２１の下側に次々と位置決め
ピンや締結ねじ（図示せず）等により同心的に締結され
ている。上部固定ブロック２４は分配板２７をリング中
央に保持している。下部固定ブロック２６は２枚のガイ
ド板２８，２９をリング中央に保持している。分配板２
７及びガイド板２８，２９は互いに平行に設けられてい
る。分配板２７及びガイド板２８，２９は絶縁性の樹脂
でつくられている。各板２７，２８，２９には多数の貫
通孔２７ａ，２８ａ，２９ａが同じ配置パターンで形成
されている。

【００２０】上部固定ブロック２３，２４のリング中央
領域はエポキシ樹脂系の接着剤３２で満たされている。
同軸プローブ針３１は接着剤３２により分配板２７及び
固定ブロック２３，２４に固定されている。なお、同軸
プローブ針３１の撓み部３３ａはガイド板２８，２９に
固定されていないので、先端３３ｂをパッドＰに強く押
し付けると、撓み部３３ａが弾性変形するようになって
いる。

【００２１】こうしたプローブカード２にプローブ針と
しての本発明の同軸プローブ針３１が多数本が実装され
ている。プローブ針部材３３の中心導体３３ｇは、接触
抵抗の低減と耐久性とを図るべく金と銅（Ａｕ−Ｃｕ）
の合金製である。撓み部３３ａは略１０mm程度とされ、
針先（先端）３３ｂが下側のガイド板２９より略２５０
μm 程度下方に突出されている。

【００２２】誘電体（内部絶縁体）３４は、厚さが０．
１５８mmで外径が０．５７mm程度のＦＥＰ製である。周
囲導体（シールド等）３５は、錫めっき軟銅製の編組シ
ールド素線よりなる。シース（外部絶縁被覆）３６は、
厚さ０．０２５mmの仕上げ標準外径０．８mm程度のポリ
エステル系樹脂製である。これらの材質及びサイズの組
み合せにより、同軸プローブ針３１の特性インピーダン
ス（約５０Ω程度）はテスタ５側の特性インピーダンス
と整合性をもつようになる。

【００２３】半導体ウェハＷ上のチップをプロービング
テストする場合について説明する。ウエハ載置台１上に
ウエハＷを載置し、そのウエハ載置台１をＸ−Ｙ−Ｚ−
θ方向に移動し、各チップのパッドＰに各プローブ針の
針先３３ｂをそれぞれ接触させる。このときオーバード
ライブをかけて、針先３３ｂとパッドＰとの相互接触状
態を確実にする。コンタクトリング３及びテストヘッド
４を介して外部テスタ５から各プローブ針３１へテスト
信号を伝送する。

【００２４】次に、図３及び図４を参照しながらプロー
ブカードの製造方法について説明する。まず、図１に示
すように固定ブロック２３より下方部の形状に、ガイド
板２８，２９及びプローブ針部材３３等を組み立てる。
プローブ針部材３３は平均直径７０μｍの中心導体３３
ｇの外側に外径２００μｍのホルダチューブ３３ｈを被
覆した形状になっている。撓み部３３ａは長さ約１０ｍ
ｍであり、その先端３３ｂは直径が約１５μｍに形成さ
れている。分配板２７及び２枚のガイド板２８，２９を
互いに離して平行にセットする。各板２７，２８，２９
はプローブカード２の構成部品である。各板２７，２
８，２９には多数の貫通孔２７ａ，２８ａ，２９ａが形
成されており、これら貫通孔２７ａ，２８ａ，２９ａの
中心軸は一致している。プローブ針部材の先端部分３３
ａを貫通孔２７ａ，２８ａ，２９ａに次々に挿通させ
る。先端部分３３ａをガイド板２９から所定長だけ突出
させる。プローブ針部材３３ごとに短絡テストする。貫
通孔２７ａに接着剤を充填して、プローブ針部材３３を
分配板２７に仮固定する（工程Ｓ６）。

【００２５】次に、図５〜図７及び図３の工程Ｓ７〜工
程Ｓ１２を参照しながら第１の同軸ケーブル３１Ａの製
造方法について説明する。ダミー芯線３３Ａに剥離剤を
塗布する（工程Ｓ７）。このダミー芯線３３Ａを溶融Ｆ
ＥＰ（弗化エチレンプロピレンfluorinated ethylene p
ropylene）のなかに通過させ、冷却する。これによりダ
ミー芯線３３Ａが誘電体３４で被覆される（工程Ｓ
８）。誘電体３４は、平均厚さが０．１５８mm、平均外
径が０．５７mmである。

【００２６】さらに、誘電体３４を導体メッシュ（周囲
導体）３５で被覆する（工程Ｓ９）。導体メッシュ３５
は、錫メッキした０．０５mm径の銅線を編み込んだ編組
体である。

【００２７】さらに、導体メッシュ３５を平均厚さ０．
０２５mmのシース３６で被覆すると、図５に示すような
中間品としての第１の同軸ケーブル３１Ａになる（工程
Ｓ１０）。シース３６はポリエステル系フィルム（商標
ミレンmil-ene ）でできている。シース３６は塩化ビニ
ル系接着剤で導体メッシュ３５に接着されている。な
お、第１の同軸ケーブル３１Ａの平均外径は０．８mmで
ある。

【００２８】第１の同軸ケーブル３１Ａのシース３６を
部分除去し、ダミー芯線３３Ａの端部を露出させる（工
程Ｓ１１）。次いで、ダミー芯線３３Ａをケーブル３１
Ａから引き抜くと、図６に示すような中心孔３１ｃを持
つケーブル３１Ａになる（工程Ｓ１２）。中心孔３１ｃ
の平均径は２５４μｍである。

【００２９】上述のプローブ針部材３３の大径部は分配
板２７から上方へ突出している。プローブ針部材３３の
大径部をケーブル３１Ａの中心孔３１ｃに挿入する（工
程Ｓ１３）。これにより図６に示すように、完成品とし
て第２の同軸ケーブル３１が得られる。

【００３０】次いで、同軸ケーブル３１の末端処理方法
について説明する。同軸ケーブル３１が分配板２７の上
方に５０〜７０mm長さ突出するように、同軸ケーブル３
１の末端側を切り揃える。シース３６を部分除去し、ケ
ーブル末端部の導体メッシュ３５を露出させる。さら
に、導体メッシュ３５及び誘電体３４を部分除去し、ケ
ーブル末端部のプローブ針部材３３を露出させる。プロ
ーブ針部材３３の露出長さは１０〜２０mmである。ま
た、導体メッシュ３５の露出長さは１０〜２０mmであ
る。

【００３１】同軸ケーブル３１を曲げてＵターンさせ、
ケーブル末端部をアース基板２２の孔２２ｂに挿入す
る。さらに、露出したプローブ針部材３３をプリント基
板２１の電極パターン２１ｂの孔２１ｃに挿通させ、プ
リント基板２１からプローブ針部材３３を適当な長さだ
け突出させる。そして、導体メッシュ３５はアース基板
２２の上面導電層２２ｃにハンダ付けする（工程Ｓ１
４）。一方、プローブ針部材の末端部３３ｅは電極パタ
ーン２１ｂにハンダ付けする（工程Ｓ１５）。

【００３２】図７に示すように、導体メッシュ３５の側
はアース側となる。プローブ針部材３３の側は信号線側
となる。ここで、各プローブ針における伝送信号の反射
を防ぐためには、プローブ針側の特性インピーダンスＺ
₂ をテスタ側の特性インピーダンスＺとできるだけ等し
くなるようにすればよい（工程１６）。

【００３３】インピーダンス・マッチングにおいては、
インピーダンスＺ₂ を測定し、インピーダンス比Ｚ₂ ／
Ｚが０．９から１．１までの範囲内（０．９＜Ｚ₂ ／Ｚ
＜１．１）にあれば実用上よい効果が得られるとして、
これを採用する。インピーダンス比Ｚ₂ ／Ｚの値が０．
９以下か又は１．１以上となって上記の適正範囲を外れ
る場合は、第１の同軸ケーブル３１Ａを他のものと交換
する。

【００３４】次に、下記の数式１，数式２，数式３を用
いてインピーダンス・マッチングについて説明する。数
式１は一般的な高周波同軸ケーブルの特性インピーダン
スＺo （Ω）を求める計算式である。数式１に基づき誘
電体３４の誘電率や材質や厚み等を選定して所望の特性
インピーダンス（５０Ω）より小さめ（約３７Ω）の第
１の同軸ケーブル３１Ａを作成する。

【００３５】

【数１】

【００３６】

【数２】

【００３７】

【数３】

【００３８】但し、数式１において、 ｄ ：中心導体
外径〔mm〕 Ｋ₁ ：中心導体実効径係数 Ｄ ：誘電体外径〔mm〕 Ｅr ：誘電体の誘電率 dw ：編組シールド素線径 である。

【００３９】ダミー芯線３３Ａは、錫めっきされた軟銅
製であり、外径ｄ₂ ＝０．２５４mm、中心導体実効径係
数Ｋ₁ ＝１である。誘電体（内部絶縁体）３４は、誘電
率Ｅr ＝２．１のＦＥＰ製であり、内径が０．２５４m
m、厚さが０．１５８mm、外径Ｄ＝０．５７mmである。

【００４０】外部導体（シールド等）３５は、錫めっき
された軟銅製の編組シールド素線３５本で構成されてい
る。素線径dwは０．０５mmであり、これに密度９０％以
上の錫めっきされ、平均外径が０．６７mmとなってい
る。

【００４１】シース（外部絶縁被覆）３６は、厚さ０．
０２５mmの仕上げ標準外径０．７２mmのミレン材製とす
る。これで、第１の同軸ケーブル３１Ａの特性インピー
ダンスＺ₁ は、数式２により求まる。

【００４２】図６に示すように、このように約３７Ωの
インピーダンスを持つ状態に製作した第１の同軸ケーブ
ル３１Ａからダミー芯線３３Ａを抜き取り、その抜き跡
の孔３１ｃに、これより少し小径ｄ₁ ＝２００μm のプ
ローブ針部材３３を挿入して得た第２の同軸プローブ針
３１の特性インピーダンスＺ₂ は、数式３のように、ま
ず、誘電体３４の実行誘電率Ｅｅを求める。これを数式
２に代入して特性インピーダンスＺ₂ を求める。

【００４３】以上のように、テスタ側の特性インピーダ
ンスＺと整合する特性インピーダンスＺ₂ を持つ同軸プ
ローブ針３１が得られる。このような同軸プローブ針３
１をプローブカード２に多数本実装して用いれば、伝送
信号の反射が低減する。また、微細ピッチで配列したプ
ローブ針部材３３であってもクロストークが抑えられ、
異常なリンギングの発生を防止でき、優れたテスティン
グ特性が得られる。

【００４４】また、プローブ針部材３３はダミー芯線３
３Ａより小径であるので、これを中心孔３１ｃにスムー
ズに挿入できる。しかも、プローブ針部材３３を同軸ケ
ーブル３１Ａとは別個独立に製造できるので、針先部３
３ｂを容易に研磨加工することができる。このため、組
立加工が比較的容易であり、面倒な後加工が不要とな
る。

【００４５】まず最初に目標の特性インピーダンス（５
０Ω）より小さめの特性インピーダンス（３７Ω）をも
つ同軸ケーブル３１Ａを作成し、次にダミー芯線３３Ａ
をプローブ針部材３３と交換するので、目標の特性イン
ピーダンス（５０Ω）を持つ同軸プローブ針３１が容易
に得られる。

【００４６】上記実施例によれば、同軸プローブ針３１
の末端をアース基板２２のところで処理し、プリント基
板２１の上面スペースを有効に活用することができるの
で、多数ピンを有するＶＴＰＣを容易に製作することが
できる。

【００４７】また、上記実施例によれば、伝送路におけ
る信号の反射を低減でき、かつ、クロストークなど誘導
ノイズの抑制効果が大きく、優れたテスティング特性が
得られる。

【００４８】

【発明の効果】本発明のプローブカード用同軸針は、前
述の如く構成したので、テスタ側とのインピーダンス整
合が図れて電気的反射を低減すると共に、クロストーク
など誘導ノイズの抑制効果が大きく、優れたテスティン
グ特性が得られ、垂直針タイプの超高密度プローブカー
ドへの実装針として最適となる。本発明のプローブカー
ド用同軸針の製造方法によれば、前述の如く優れたプロ
ーブカード用同軸針を非常に簡単に製作できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係るプローブカードを示す横
断面図。

【図２】プローブカードの一部を拡大して示す縦断面
図。

【図３】プローブカードの製造方法を示す工程図。

【図４】プローブカードの製造方法を示す工程図（続
き）。

【図５】ダミー芯線を含む同軸ケーブル（中間品）の横
断面図。

【図６】ダミー芯線を除いた同軸ケーブルの横断面図。

【図７】中心導体を含む同軸ケーブル（完成品）の横断
面図。

【図８】インピーダンス・マッチングを説明するために
プローブカードの信号伝送回路を簡略化して示す回路図
である。

【符号の説明】

２…プローブカード、 ２１…プリント基板、 ２１ａ
…基板中央開口、２７、３２…針接着固定部（２７…固
定板、３０…接着剤）、３１…第２の同軸ケーブル、
３１Ａ…第１の同軸ケーブル、 ３３…プローブ針部
材、 ３３ａ…撓み部、 ３３ｂ…先端（針先）、 ３
３ｅ…基端（端末）、 ３３ｇ…中心導体、３３ｈ…ホ
ルダ導体、 ３４…誘電体、３５…周囲導体、 ３６…
シース、Ｗ…被検査体（半導体ウエハ）。

フロントページの続き (72)発明者 根岸 伸行 東京都世田谷区宮坂２丁目25番25号 株式 会社潤工社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テスタに電気的に接続されるとともに、
   被検査回路に電気的に接触導通し、テスタと被検査回路
   との間でテスト信号を伝送するために用いられるプロー
   ブカードであって、 互いに絶縁されたプリント基板およびアース基板を有す
   る基板アッセンブリと、 この基板アッセンブリに支持され、その先端が被検査回
   路のパッドに対して実質的に垂直に接触される同軸プロ
   ーブ針アッセンブリと、を備え、 前記同軸プローブ針アッセンブリは、 被検査回路のパッドに接触導通される先端部を含む中心
   導体と、 この中心導体の先端部を除く部分を覆い、中心導体と導
   通するホルダ導体と、 このホルダ導体を取り囲む誘電体と、 この誘電体を介して前記ホルダ導体と同軸に設けられた
   周囲導体と、 この周囲導体を覆うシースと、を有し、 前記ホルダ導体の端末部はプリント基板の回路に電気的
   に接続され、前記周囲導体の端末部はアース基板の回路
   に電気的に接続されることを特徴とするプローブカー
   ド。
2. 【請求項２】 誘電体は弗化エチレンプロピレンでつく
   られていることを特徴とする請求項１記載のプローブカ
   ード。
3. 【請求項３】 シースはポリエステル系樹脂でつくられ
   ていることを特徴とする請求項１記載のプローブカー
   ド。
4. 【請求項４】 ホルダ導体の平均外径は誘電体の平均内
   径より小さく、ホルダ導体と誘電体との間に間隙が形成
   されていることを特徴とする請求項１記載のプローブカ
   ード。
5. 【請求項５】 ホルダ導体は、平均外径が２００±２０
   μｍであることを特徴とする請求項５記載のプローブカ
   ード。
6. 【請求項６】 誘電体の平均内径が２５４±２０μｍで
   あることを特徴とする請求項５記載のプローブカード。
7. 【請求項７】 アース基板はプリント基板の上に重ね合
   わせられ、アース基板の貫通孔はプリント基板の貫通孔
   に対応する位置に形成され、これらの貫通孔にホルダ導
   体が挿入され、ホルダ導体の末端部はプリント基板から
   突出していることを特徴とする請求項１記載のプローブ
   カード。
8. 【請求項８】 テスタと被検査回路との間でテスト信号
   を伝送するために用いられる同軸プローブ針であって、 被検査回路のパッドに実質的に垂直に接触される先端部
   を含む中心導体と、 この中心導体の先端部を除く部分を覆い、中心導体と導
   通するホルダ導体と、 このホルダ導体を取り囲む誘電体と、 この誘電体を介して前記ホルダ導体と同軸に設けられた
   周囲導体と、 この周囲導体を覆うシースと、を有し、 前記ホルダ導体の端末部はプリント基板の回路に電気的
   に接続され、前記周囲導体の端末部はアース基板の回路
   に電気的に接続されることを特徴とする同軸プローブ
   針。
9. 【請求項９】 同軸プローブ針の製造方法は、 同軸ケーブルの特性インピーダンスを求める数式を利用
   して、テスタ側の特性インピーダンスより小さめの特性
   インピーダンスをもつ第１の同軸ケーブルを設計し、 ダミー芯線を誘電体層で被覆し、 この誘電体層を導電メッシュで被覆し、 この導電メッシュをシースで被覆し、テスタ側の特性イ
   ンピーダンスより小さめの特性インピーダンスをもつ第
   １の同軸ケーブルを形成し、 この第１の同軸ケーブルから前記ダミー芯線を引き抜く
   ことにより、第１の同軸ケーブルに中心孔を形成し、 被検査回路のパッドに接触導通される先端部を含む中心
   導体を、この中心導体の先端部を除く部分をホルダ導体
   で被覆して、ホルダ導体を中心導体と導通させ、 ホルダ導体の末端部が第１の同軸ケーブルから突出する
   ようにホルダ導体を前記中心孔に挿入して、第２の同軸
   ケーブルを形成し、このホルダ導体の径は前記ダミー芯
   線の径より小さいことを特徴とする同軸プローブ針の製
   造方法。