JPH079951B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH079951B2 JPH079951B2 JP28919286A JP28919286A JPH079951B2 JP H079951 B2 JPH079951 B2 JP H079951B2 JP 28919286 A JP28919286 A JP 28919286A JP 28919286 A JP28919286 A JP 28919286A JP H079951 B2 JPH079951 B2 JP H079951B2
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- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、紫外線消去型プログラマブル・リード・オン
リ・メモリ（以下、EPROMという）素子やイメージセン
サ等の光半導体素子を実装してなる半導体装置の製造方
法に関するものである。
リ・メモリ（以下、EPROMという）素子やイメージセン
サ等の光半導体素子を実装してなる半導体装置の製造方
法に関するものである。
（従来の技術） 半導体装置に実装される光半導体素子のうち、例えばEP
ROM素子は紫外線照射により記憶情報の消去が可能なメ
モリであり、またイメージセンサに代表される光電変換
素子は光信号を電気信号に変換するものである。この種
の光半導体素子を実装した半導体装置として、例えば紫
外線の照射、あるいは光信号の受光のための窓部材を有
するセラミック製の中空パッケージを用い、さらに窓部
材を透光性アルミナや石英ガラス等で構成したものが知
られている。このような半導体装置はセラミック製のパ
ッケージに実装されているため、気密封止性に優れ信頼
性が高いという利点を有する反面、コスト高になるとい
う欠点がある。そこで樹脂製パッケージを用いた安価な
半導体装置の製造方法が種々提案されている。
ROM素子は紫外線照射により記憶情報の消去が可能なメ
モリであり、またイメージセンサに代表される光電変換
素子は光信号を電気信号に変換するものである。この種
の光半導体素子を実装した半導体装置として、例えば紫
外線の照射、あるいは光信号の受光のための窓部材を有
するセラミック製の中空パッケージを用い、さらに窓部
材を透光性アルミナや石英ガラス等で構成したものが知
られている。このような半導体装置はセラミック製のパ
ッケージに実装されているため、気密封止性に優れ信頼
性が高いという利点を有する反面、コスト高になるとい
う欠点がある。そこで樹脂製パッケージを用いた安価な
半導体装置の製造方法が種々提案されている。
従来、この種の半導体装置の製造方法としては、特開昭
57−30351号公報に記載されるものがあった。以下、そ
の構成を図を用いて説明する。
57−30351号公報に記載されるものがあった。以下、そ
の構成を図を用いて説明する。
第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来の半導体装置の一
製造方法例を示す工程図である。
製造方法例を示す工程図である。
この製造工程では、第２図（ａ）に示すように、素子搭
載部1aの周囲に複数本のリード部1bを有するリードフレ
ーム１を用意し、光で動作する光半導体素子、例えばEP
ROM素子２を素子搭載部1a上に固着し、さらにそのEPROM
素子２をワイヤ３によりリード部1bと接続した後、樹脂
封止用の金型４にセットする。この金型４は上部金型４
−１及び下部金型４−２を備え、その上部金型４−１に
は底面に凹部4aを有する上下動可能なスライド部4bが設
けられると共に、下部金型４−２の上面にも凹部4cが設
けられている。このような上部金型４−１と下部金型４
−２の間にリードフレーム１をセットした後、図示しな
いゲート部により樹脂５を注入して下部金型４−２の凹
部4c内に充填する。
載部1aの周囲に複数本のリード部1bを有するリードフレ
ーム１を用意し、光で動作する光半導体素子、例えばEP
ROM素子２を素子搭載部1a上に固着し、さらにそのEPROM
素子２をワイヤ３によりリード部1bと接続した後、樹脂
封止用の金型４にセットする。この金型４は上部金型４
−１及び下部金型４−２を備え、その上部金型４−１に
は底面に凹部4aを有する上下動可能なスライド部4bが設
けられると共に、下部金型４−２の上面にも凹部4cが設
けられている。このような上部金型４−１と下部金型４
−２の間にリードフレーム１をセットした後、図示しな
いゲート部により樹脂５を注入して下部金型４−２の凹
部4c内に充填する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、樹脂５が充填される
時間を見はからってスライド部4bを上昇させ、図示しな
い他のゲート部より紫外線透過性の樹脂６を注入してス
ライド部4bの底面下に充填する。
時間を見はからってスライド部4bを上昇させ、図示しな
い他のゲート部より紫外線透過性の樹脂６を注入してス
ライド部4bの底面下に充填する。
樹脂5,6の固化後、リードフレーム１を金型４により取
り出し、そのリードフレーム１からリード部1bを切り離
すと共に、そのリード部1bの曲げ加工等を施せば、第２
図（ｃ）に示すような樹脂封止型の安価な半導体装置が
得られる。
り出し、そのリードフレーム１からリード部1bを切り離
すと共に、そのリード部1bの曲げ加工等を施せば、第２
図（ｃ）に示すような樹脂封止型の安価な半導体装置が
得られる。
このような半導体装置は、上方から紫外線を照射する
と、その紫外線が樹脂６を通してEPROM素子２上に入射
され、そのEPROM素子２に書込まれた情報が消去され
る。新たな情報はリード部1bを通してEPROM素子２に再
書込みを行うことが可能となる。
と、その紫外線が樹脂６を通してEPROM素子２上に入射
され、そのEPROM素子２に書込まれた情報が消去され
る。新たな情報はリード部1bを通してEPROM素子２に再
書込みを行うことが可能となる。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の製造方法では、金型４の構造が複
雑になってしまい、成形加工が困難である他、樹脂注入
の装置も特種なものが必要であり、しかも注入の方法
も、最初に注入する樹脂５の充填時間の管理が難しく、
素子搭載部1aに樹脂５が回り込むおそれがあるので注入
圧力を高く設定できず、それによって気泡や未充填の発
生等といった問題点があった。また、窓部材として紫外
線透過性樹脂６を用いているが、その樹脂粒子の状態が
不均一であるため、透過光線の屈折率が変化し、信頼性
が低くなるという問題点もあった。
雑になってしまい、成形加工が困難である他、樹脂注入
の装置も特種なものが必要であり、しかも注入の方法
も、最初に注入する樹脂５の充填時間の管理が難しく、
素子搭載部1aに樹脂５が回り込むおそれがあるので注入
圧力を高く設定できず、それによって気泡や未充填の発
生等といった問題点があった。また、窓部材として紫外
線透過性樹脂６を用いているが、その樹脂粒子の状態が
不均一であるため、透過光線の屈折率が変化し、信頼性
が低くなるという問題点もあった。
本発明は前記従来技術が持っていた問題点のうち、金型
の構造の複雑化と、樹脂注入方法の困難性の点について
解決した半導体装置の製造方法を提供するものである。
の構造の複雑化と、樹脂注入方法の困難性の点について
解決した半導体装置の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は前記問題点を解決するために、素子搭載部の周
囲に回路パターンが形成されたプリント基板を用い、そ
の素子搭載部上に光により動作する半導体素子を固着し
その半導体素子を前記回路パターンの内方端部に接続す
ると共に、その回路パターンの外方端部に外部引出し用
のリードを接続する工程と、金型を用いて前記素子搭載
部を包囲するように前記プリント基板のリード接続箇所
を樹脂封止する工程と、前記素子搭載部上の半導体素子
を光透過性の窓部材で封止する工程とを、順次施すよう
にしたものである。
囲に回路パターンが形成されたプリント基板を用い、そ
の素子搭載部上に光により動作する半導体素子を固着し
その半導体素子を前記回路パターンの内方端部に接続す
ると共に、その回路パターンの外方端部に外部引出し用
のリードを接続する工程と、金型を用いて前記素子搭載
部を包囲するように前記プリント基板のリード接続箇所
を樹脂封止する工程と、前記素子搭載部上の半導体素子
を光透過性の窓部材で封止する工程とを、順次施すよう
にしたものである。
（作用） 本発明によれば、以上のように半導体装置の製造方法を
構成したので、半導体素子を搭載するプリント基板はそ
の樹脂成形時における素子搭載部側への注入樹脂の流入
を阻止するように働き、樹脂注入圧の高設定を可能にさ
せると共に、金型及び樹脂注入装置の構造を簡易化させ
る。また窓部材は成形樹脂と共に半導体素子を封止する
ように働く。従って前記問題点を除去できるのである。
構成したので、半導体素子を搭載するプリント基板はそ
の樹脂成形時における素子搭載部側への注入樹脂の流入
を阻止するように働き、樹脂注入圧の高設定を可能にさ
せると共に、金型及び樹脂注入装置の構造を簡易化させ
る。また窓部材は成形樹脂と共に半導体素子を封止する
ように働く。従って前記問題点を除去できるのである。
（実施例） 第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の一実施例を示
す半導体装置の製造工程図であり、以下それらの図面を
参照しつつ本実施例の製造方法を説明する。
す半導体装置の製造工程図であり、以下それらの図面を
参照しつつ本実施例の製造方法を説明する。
（１）第１図（ａ）の工程 表面に素子搭載部10aとその周囲に形成された回路パタ
ーン10bとを有するプリント基板10を用意し、光により
動作する半導体素子、例えばEPROM素子11を素子搭載部1
0a上に固着し、さらにそのEPROM素子11をワイヤ12によ
り回路パターン10bの内方端部に接続した後、その回路
パターン10bの外方端部に、外部引出し用の複数本のリ
ード13を低温半田やスポットウエルド等の手段を用いて
電気的および機械的に接続する。
ーン10bとを有するプリント基板10を用意し、光により
動作する半導体素子、例えばEPROM素子11を素子搭載部1
0a上に固着し、さらにそのEPROM素子11をワイヤ12によ
り回路パターン10bの内方端部に接続した後、その回路
パターン10bの外方端部に、外部引出し用の複数本のリ
ード13を低温半田やスポットウエルド等の手段を用いて
電気的および機械的に接続する。
なお、回路パターン10bとリード13との接続は、EPROM素
子11の搭載前に行なってもよい。
子11の搭載前に行なってもよい。
（２）第１図（ｂ）の工程 上部金型14−１及び下部金型14−２を有する樹脂封止用
の金型14を用意する。上部金型14−１の底面には、EPRO
M素子11を収容するための凹部14aと、その凹部14aの外
周を包囲するように回路パターン10bとリード13の接続
箇所を収容するための枠状の溝14bと、凹部14aと溝14b
を分離する隔壁部14cとが形成されている。また下部金
型14−２の上面には、プリント基板10を収容する凹部14
dと、その外縁を包囲するように前記溝14bに対向配置さ
れた溝14eとが形成されている。そしてそれらの溝14b,1
4eには、図示されていないが樹脂注入口が連設されてい
る。
の金型14を用意する。上部金型14−１の底面には、EPRO
M素子11を収容するための凹部14aと、その凹部14aの外
周を包囲するように回路パターン10bとリード13の接続
箇所を収容するための枠状の溝14bと、凹部14aと溝14b
を分離する隔壁部14cとが形成されている。また下部金
型14−２の上面には、プリント基板10を収容する凹部14
dと、その外縁を包囲するように前記溝14bに対向配置さ
れた溝14eとが形成されている。そしてそれらの溝14b,1
4eには、図示されていないが樹脂注入口が連設されてい
る。
このような金型14を用い、その下部金型14−２の凹部14
dにプリント基板10をセットし、上方から上部金型14−
１の底面を接合すると、プリント基板10は上部金型14−
１の隔壁部14cと下部金型14−２の凹部14dとで金型14に
固定されている。その後、図示しない樹脂注入口から樹
脂15を注入すると、その樹脂15が上下の溝14b,14e内に
充填される。この際、溝14b,14bはプリント基板10及び
隔壁部14cによって上部金型14−１の凹部14aと遮断され
ているため、素子搭載部10aへの樹脂15の流入が防止さ
れる。
dにプリント基板10をセットし、上方から上部金型14−
１の底面を接合すると、プリント基板10は上部金型14−
１の隔壁部14cと下部金型14−２の凹部14dとで金型14に
固定されている。その後、図示しない樹脂注入口から樹
脂15を注入すると、その樹脂15が上下の溝14b,14e内に
充填される。この際、溝14b,14bはプリント基板10及び
隔壁部14cによって上部金型14−１の凹部14aと遮断され
ているため、素子搭載部10aへの樹脂15の流入が防止さ
れる。
（３）第１図（ｃ）の工程 樹脂15が固化した後、プリント基板10及びリード13を金
型14から取り出し、その樹脂15の上端開口部に、アルミ
ナ、石英ガラス等からなる光透過性の板状窓部材16を接
着剤17により封止固定する。その後、リード13の曲げ加
工等を施せば、中空の樹脂パッケージに実装された半導
体装置が得られる。
型14から取り出し、その樹脂15の上端開口部に、アルミ
ナ、石英ガラス等からなる光透過性の板状窓部材16を接
着剤17により封止固定する。その後、リード13の曲げ加
工等を施せば、中空の樹脂パッケージに実装された半導
体装置が得られる。
本実施例では次のような利点を有する。
プリント基板10の素子搭載部10a上にEPROM素子11を搭載
し、その素子搭載部10aを露出させかつ素子搭載部10aへ
樹脂15が流入しないような構造の金型14を用いて、プリ
ント基板10を包み込むように樹脂成形を行った後、窓部
材16により封止を行うため、金型14の構造も従来と比較
して簡単であり、さらに樹脂注入の装置も一般に用いら
れているものと同程度のもので充分である。また樹脂成
形の際に素子搭載部10aには金型14の構造上、樹脂15が
流入しないため、樹脂15の注入圧力を高く設定すること
ができ、それによって気泡の発生や未充填状態の問題も
解決できる。従って低価格で量産性に優れた高品質の半
導体装置の提供が可能となる。
し、その素子搭載部10aを露出させかつ素子搭載部10aへ
樹脂15が流入しないような構造の金型14を用いて、プリ
ント基板10を包み込むように樹脂成形を行った後、窓部
材16により封止を行うため、金型14の構造も従来と比較
して簡単であり、さらに樹脂注入の装置も一般に用いら
れているものと同程度のもので充分である。また樹脂成
形の際に素子搭載部10aには金型14の構造上、樹脂15が
流入しないため、樹脂15の注入圧力を高く設定すること
ができ、それによって気泡の発生や未充填状態の問題も
解決できる。従って低価格で量産性に優れた高品質の半
導体装置の提供が可能となる。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
が可能である。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
（ｉ）上記実施例では下部金型14−２に凹部14dを設け
たため、プリント基板10の裏面が外部に露出している。
機械的強度をより大きくするために、第３図のような変
形例も採用できる。
たため、プリント基板10の裏面が外部に露出している。
機械的強度をより大きくするために、第３図のような変
形例も採用できる。
すなわち、前記第１図（ａ）の工程において、プリント
基板10の裏面に樹脂部材18を固着しておき、その後第１
図（ｂ）の工程において、金型14を用いて樹脂封止を行
えば、プリント基板10の裏面が樹脂部材18でおおわれて
外部に露出しない。これにより機械的強度や水分等の阻
止力をより向上させることができる。また下部金型14−
２にプリント基板収容用の凹部14dを設ける必要もな
い。
基板10の裏面に樹脂部材18を固着しておき、その後第１
図（ｂ）の工程において、金型14を用いて樹脂封止を行
えば、プリント基板10の裏面が樹脂部材18でおおわれて
外部に露出しない。これにより機械的強度や水分等の阻
止力をより向上させることができる。また下部金型14−
２にプリント基板収容用の凹部14dを設ける必要もな
い。
（ii）半導体素子としてEPROM素子11を用いた場合、必
ずしも板状の窓部材16を用いる必要はなく、ポッティン
グ等の手段を用いて紫外線透過性樹脂により封止を行っ
てもよい。
ずしも板状の窓部材16を用いる必要はなく、ポッティン
グ等の手段を用いて紫外線透過性樹脂により封止を行っ
てもよい。
（iii）半導体素子としてはEPROM素子11の他、イメージ
センサに代表される光電変換素子等の他の光半導体素子
を用いることもできる。
センサに代表される光電変換素子等の他の光半導体素子
を用いることもできる。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、プリント
基板上に半導体素子を搭載し、そのプリント基板を包み
込むように金型を用いて樹脂成形した後、窓部材で半導
体素子を封止したので、金型や樹脂注入装置は簡単な構
造のものでよく、さらに樹脂注入圧を高くして気泡の発
生や未充填状態を防止でき、それによって低価格、高品
質かつ量産性に優れる半導体装置の提供が可能となる。
また従来まったく不可能であった光素子の樹脂成形パッ
ケージへの搭載も、本発明を用いれば容易に行える。
基板上に半導体素子を搭載し、そのプリント基板を包み
込むように金型を用いて樹脂成形した後、窓部材で半導
体素子を封止したので、金型や樹脂注入装置は簡単な構
造のものでよく、さらに樹脂注入圧を高くして気泡の発
生や未充填状態を防止でき、それによって低価格、高品
質かつ量産性に優れる半導体装置の提供が可能となる。
また従来まったく不可能であった光素子の樹脂成形パッ
ケージへの搭載も、本発明を用いれば容易に行える。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施例を示す
半導体装置の製造工程図、第２図（ａ），（ｂ），
（ｃ）は従来の半導体装置の製造工程図、第３図は第１
図の変形例を示す図である。 10……プリント基板、10a……素子搭載部、10b……回路
パターン、11……EPROM素子（半導体素子）、13……リ
ード、14……金型、14−１……上部金型、14−２……下
部金型、14a……凹部、14b,14e……溝、15……樹脂、16
……窓部材、18……樹脂部材。
半導体装置の製造工程図、第２図（ａ），（ｂ），
（ｃ）は従来の半導体装置の製造工程図、第３図は第１
図の変形例を示す図である。 10……プリント基板、10a……素子搭載部、10b……回路
パターン、11……EPROM素子（半導体素子）、13……リ
ード、14……金型、14−１……上部金型、14−２……下
部金型、14a……凹部、14b,14e……溝、15……樹脂、16
……窓部材、18……樹脂部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/792
Claims (1)
- 【請求項１】素子搭載部の周囲に回路パターンが形成さ
れたプリント基板を用い、 その素子搭載部上に光により動作する半導体素子を固着
しその半導体素子を前記回路パターンの内方端部に接続
すると共に、その回路パターンの外方端部に外部引出し
用のリードを接続する工程と、 金型を用いて前記素子搭載部を包囲するように前記プリ
ント基板のリード接続箇所を樹脂封止する工程と、 前記素子搭載部上の半導体素子を光透過性の窓部材で封
止する工程とを、 順次施したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28919286A JPH079951B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28919286A JPH079951B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142659A JPS63142659A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH079951B2 true JPH079951B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=17739965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28919286A Expired - Lifetime JPH079951B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079951B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016217002A (ja) * | 2015-05-20 | 2016-12-22 | 前澤化成工業株式会社 | 筐体 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727631Y2 (ja) * | 1989-05-23 | 1995-06-21 | 東芝ケミカル株式会社 | 半導体パッケージ構造体 |
| KR960706692A (ko) * | 1994-10-14 | 1996-12-09 | 존 엠. 클락 3세 | 윈도우를 포함하는 집적회로 패키지 조립체 및 그 제조 방법(integrated circuit package assembly including a window and methods of manufacturing) |
| JP7218126B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-02-06 | キヤノン株式会社 | 配線板を備えるユニット、モジュールおよび機器 |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP28919286A patent/JPH079951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016217002A (ja) * | 2015-05-20 | 2016-12-22 | 前澤化成工業株式会社 | 筐体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63142659A (ja) | 1988-06-15 |
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