JPH0799673B2 - 陰極線管用電子銃 - Google Patents
陰極線管用電子銃Info
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- JPH0799673B2 JPH0799673B2 JP58132777A JP13277783A JPH0799673B2 JP H0799673 B2 JPH0799673 B2 JP H0799673B2 JP 58132777 A JP58132777 A JP 58132777A JP 13277783 A JP13277783 A JP 13277783A JP H0799673 B2 JPH0799673 B2 JP H0799673B2
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- grid
- lens
- electron gun
- potential
- ray tube
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は陰極線管用電子銃に係り、特にその集束レンズ
系に関するものである。
系に関するものである。
陰極線管用電子銃は電子ビームを発生させると共に目的
に応じて集束加速する機能を有しており、特に複数の電
極によつて形成される集束レンズ系は陰極線管の性能を
左右する重要な要素となつている。例えばカラー陰極線
管に用いられる電子銃の集束レンズ系では通常３本の電
子ビームを同時に集束させる作用を有している。このよ
うな集束レンズ系としては、バイポテンシヤル形レンズ
及びユニポテンシヤル形レンズが基本的なレンズ形態で
あり、実際には両レンズを組み合わせて集束性能の向上
を目的としてトライポテンシヤル形（略称TPF形）、マ
ルチステツプフオーカス形（略称MSF形）及びクオード
ラポテンシヤル形（略称QPF形）等の種々の複合形レン
ズ系が用いられている。第１図は前述のQPF形電子銃と
して特開昭54−72667号公報に示されている電子銃の概
略構成である。即ち、陰極（10），第１グリツド（1
1），第２グリツド（12），第３グリツド（13），第４
グリツド（14），第５グリツド（15）及び第６グリツド
（16）が軸に沿つて順次配設され、各グリツドはそれぞ
れ電子ビーム開口を有している。そして陰極（10）には
約150V、第１グリツド（11）は接地、第２グリツド（1
2）及び第４グリツド（14）には約600V,第３グリツド
（13）及び第５グリツド（15）には7KV乃至8KV、第６グ
リツド（16）には25KV乃至30KVの最高電位がそれぞれ印
加される。ここで第３グリツド（13）及び第５グリツド
（15）に印加される電圧を集束（フオーカス）電圧と称
している。このような電子銃において、陰極（10），第
１グリツド（11）及び第２グリツド（12）は三極部と称
され、熱電子の放射と電子ビームのクロスオーバーを形
成する。第２グリツド（12）と第３グリツド（13）でプ
リフオーカスレンズ（17）を形成しクロスオーバーした
電子ビームを予備集束する作用を有している。第３グリ
ツド（13），第４グリツド（14）及び第５グリツド（1
5）では補助レンズ（18）が形成され、第５グリツド（1
5）と第６グリツド（16）とで主レンズ（19）を形成す
る。この補助レンズ（18）と主レンズ（19）を総称して
主レンズ系と称し、プリフオーカスレンズで予備集束さ
れた電子ビームをスクリーン上に集束する作用を有して
いる。このようなQPF形電子銃において、電子銃全体を
内包する外囲器ネツクの径が22.5mmの場合、例えば第３
グリツド（13）の電極長（113）を約4.5mm,第３グリツ
ド（13）と第４グリツド（14）の間隔（134）を約0.6m
m,第４グリツド（14）の電極長（114）を約1.1mm,第４
グリツド（14）と第５グリツド（15）の間隔（145）を
約0.6mm,第５グリツドの電極長（115）を約13.2mm及び
開口径（116）を約4.5mmとし、前述の各電位を印加した
時の軸上電位分布は第２図に示すようになる。即ち、補
助レンズ（18）の等電位線（23）は第４グリツド（14）
を中心としてほぼ左右対称に形成されており、この補助
レンズ（18）は基本的にユニポテンシヤル形レンズであ
り、一方主レンズ（19）はバイポテンシヤル形レンズを
形成しており、全体として複合形レンズ系を形成してい
る。以上のようなQPF形電子銃において、スクリーン上
に集束される電子ビームのスポツト形状は補助レンズ
（18）の性質により大きく影響を受ける。即ち補助レン
ズ（18）はユニポテンシヤル形レンズであり、通常その
倍率はバイポテンシヤル形レンズの倍率よりも大きい。
従つて補助レンズの作用を強くすれば主レンズ系として
は総体的にユニポテンシヤル形レンズの性質に近くなり
倍率が大きくなる問題を有している。逆に補助レンズの
作用を弱くすれば主レンズ系としては総体的にバイポテ
ンシヤル形レンズの性質に近くなり、倍率は小さくなる
が球面収差は大きくなる問題を有している。
に応じて集束加速する機能を有しており、特に複数の電
極によつて形成される集束レンズ系は陰極線管の性能を
左右する重要な要素となつている。例えばカラー陰極線
管に用いられる電子銃の集束レンズ系では通常３本の電
子ビームを同時に集束させる作用を有している。このよ
うな集束レンズ系としては、バイポテンシヤル形レンズ
及びユニポテンシヤル形レンズが基本的なレンズ形態で
あり、実際には両レンズを組み合わせて集束性能の向上
を目的としてトライポテンシヤル形（略称TPF形）、マ
ルチステツプフオーカス形（略称MSF形）及びクオード
ラポテンシヤル形（略称QPF形）等の種々の複合形レン
ズ系が用いられている。第１図は前述のQPF形電子銃と
して特開昭54−72667号公報に示されている電子銃の概
略構成である。即ち、陰極（10），第１グリツド（1
1），第２グリツド（12），第３グリツド（13），第４
グリツド（14），第５グリツド（15）及び第６グリツド
（16）が軸に沿つて順次配設され、各グリツドはそれぞ
れ電子ビーム開口を有している。そして陰極（10）には
約150V、第１グリツド（11）は接地、第２グリツド（1
2）及び第４グリツド（14）には約600V,第３グリツド
（13）及び第５グリツド（15）には7KV乃至8KV、第６グ
リツド（16）には25KV乃至30KVの最高電位がそれぞれ印
加される。ここで第３グリツド（13）及び第５グリツド
（15）に印加される電圧を集束（フオーカス）電圧と称
している。このような電子銃において、陰極（10），第
１グリツド（11）及び第２グリツド（12）は三極部と称
され、熱電子の放射と電子ビームのクロスオーバーを形
成する。第２グリツド（12）と第３グリツド（13）でプ
リフオーカスレンズ（17）を形成しクロスオーバーした
電子ビームを予備集束する作用を有している。第３グリ
ツド（13），第４グリツド（14）及び第５グリツド（1
5）では補助レンズ（18）が形成され、第５グリツド（1
5）と第６グリツド（16）とで主レンズ（19）を形成す
る。この補助レンズ（18）と主レンズ（19）を総称して
主レンズ系と称し、プリフオーカスレンズで予備集束さ
れた電子ビームをスクリーン上に集束する作用を有して
いる。このようなQPF形電子銃において、電子銃全体を
内包する外囲器ネツクの径が22.5mmの場合、例えば第３
グリツド（13）の電極長（113）を約4.5mm,第３グリツ
ド（13）と第４グリツド（14）の間隔（134）を約0.6m
m,第４グリツド（14）の電極長（114）を約1.1mm,第４
グリツド（14）と第５グリツド（15）の間隔（145）を
約0.6mm,第５グリツドの電極長（115）を約13.2mm及び
開口径（116）を約4.5mmとし、前述の各電位を印加した
時の軸上電位分布は第２図に示すようになる。即ち、補
助レンズ（18）の等電位線（23）は第４グリツド（14）
を中心としてほぼ左右対称に形成されており、この補助
レンズ（18）は基本的にユニポテンシヤル形レンズであ
り、一方主レンズ（19）はバイポテンシヤル形レンズを
形成しており、全体として複合形レンズ系を形成してい
る。以上のようなQPF形電子銃において、スクリーン上
に集束される電子ビームのスポツト形状は補助レンズ
（18）の性質により大きく影響を受ける。即ち補助レン
ズ（18）はユニポテンシヤル形レンズであり、通常その
倍率はバイポテンシヤル形レンズの倍率よりも大きい。
従つて補助レンズの作用を強くすれば主レンズ系として
は総体的にユニポテンシヤル形レンズの性質に近くなり
倍率が大きくなる問題を有している。逆に補助レンズの
作用を弱くすれば主レンズ系としては総体的にバイポテ
ンシヤル形レンズの性質に近くなり、倍率は小さくなる
が球面収差は大きくなる問題を有している。
他のTPF形及びMSF形でも基本的にはバイポテンシヤル形
レンズとユニポテンシヤル形レンズの組み合せからなつ
ており、上述と同様の傾向を有している。
レンズとユニポテンシヤル形レンズの組み合せからなつ
ており、上述と同様の傾向を有している。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、倍率及び球
面収差の小さい集束性能の優れた複合形レンズ系を有す
る陰極線管用電子銃を提供することを目的とする。
面収差の小さい集束性能の優れた複合形レンズ系を有す
る陰極線管用電子銃を提供することを目的とする。
本発明は少なくとも第１グリッド乃至第６グリッドから
なる電極構体を備え、第２グリッドと第４グリッドには
略同電位の低電位を、第３グリッドと第５グリッドには
略同電位の中電位を、第６グリッドには高電位の印加さ
れた複合形レンズ系であって、第３グリッドの有効長さ
は第４グリッドの有効長さより短く、第３グリッドの開
口径の0.5以下であり、前記第５グリッドは第５グリッ
ドの開口径より十分長く、第４グリッドに印加されてい
る低電位の浸透が第５グリッド側に大きく第３グリッド
側に小さく非対称形であり、且つ実質的に第４グリッド
と第５グリッドによって第１のバイポテンシャル形レン
ズを形成し、第５グリッドと第６グリッドによって第２
のバイポテンシャル形レンズを形成することによって倍
率及び球面収差の小さい複合形レンズ系を有する陰極線
管用電子銃である。
なる電極構体を備え、第２グリッドと第４グリッドには
略同電位の低電位を、第３グリッドと第５グリッドには
略同電位の中電位を、第６グリッドには高電位の印加さ
れた複合形レンズ系であって、第３グリッドの有効長さ
は第４グリッドの有効長さより短く、第３グリッドの開
口径の0.5以下であり、前記第５グリッドは第５グリッ
ドの開口径より十分長く、第４グリッドに印加されてい
る低電位の浸透が第５グリッド側に大きく第３グリッド
側に小さく非対称形であり、且つ実質的に第４グリッド
と第５グリッドによって第１のバイポテンシャル形レン
ズを形成し、第５グリッドと第６グリッドによって第２
のバイポテンシャル形レンズを形成することによって倍
率及び球面収差の小さい複合形レンズ系を有する陰極線
管用電子銃である。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。第３図は
本発明の陰極線管用電子銃の実施例の電極構成を示す概
略図である。第３図において、陰極（30），第１グリツ
ド（31），第２グリツド（32），第３グリツド（33），
第４グリツド（34），第５グリツド（35）及び第６グリ
ツド（36）が軸に沿つて順次配設されている。そして陰
極（30）には約150V、第１グリツド（31）は接地、第２
グリツド（32）及び第４グリツド（34）には低電位の約
600V、第３グリツド（33）及び第５グリツド（35）には
第４グリツド（34）よりは高い中電位の7KV乃至8KV、第
６グリツド（36）には第５グリツド（35）よりは高い高
電圧の25KV乃至30KVが印加されている。
本発明の陰極線管用電子銃の実施例の電極構成を示す概
略図である。第３図において、陰極（30），第１グリツ
ド（31），第２グリツド（32），第３グリツド（33），
第４グリツド（34），第５グリツド（35）及び第６グリ
ツド（36）が軸に沿つて順次配設されている。そして陰
極（30）には約150V、第１グリツド（31）は接地、第２
グリツド（32）及び第４グリツド（34）には低電位の約
600V、第３グリツド（33）及び第５グリツド（35）には
第４グリツド（34）よりは高い中電位の7KV乃至8KV、第
６グリツド（36）には第５グリツド（35）よりは高い高
電圧の25KV乃至30KVが印加されている。
このような電極構成において、第３グリツド（33）以降
の主要な寸法の一例としては以下のように設定されてい
る。即ち、第３グリツド（33）の軸方向の有効電極長
（333）は約1.0mm,第３グリツド（33）と第４グリツド
（34）の軸方向の実質的間隔（334）は約0.6mm,第４グ
リツド（34）の軸方向の有効電極長（344）は約1.5mm,
第４グリツド（34）と第５グリツド（35）の軸方向の実
質的間隔（345）は約0.6mm,第５グリツド（35）の軸方
向の有効電極長（355）は約17.0mm及び実質的な開口径
（316）は約4.5mmである。
の主要な寸法の一例としては以下のように設定されてい
る。即ち、第３グリツド（33）の軸方向の有効電極長
（333）は約1.0mm,第３グリツド（33）と第４グリツド
（34）の軸方向の実質的間隔（334）は約0.6mm,第４グ
リツド（34）の軸方向の有効電極長（344）は約1.5mm,
第４グリツド（34）と第５グリツド（35）の軸方向の実
質的間隔（345）は約0.6mm,第５グリツド（35）の軸方
向の有効電極長（355）は約17.0mm及び実質的な開口径
（316）は約4.5mmである。
第４図は第３図の構成の電子銃の軸上電位分布を各電極
と対応して示すものである。第４図から明らかなよう
に、第３グリツド乃至第５グリツドでは実質的に物体側
電位と像点側電位が等しいいわゆるユニポテンシャル形
レンズは形成されていない。即ち等電位線（43）は殆ん
ど曲率を有しておらず、第４グリツド（34）の低電位の
浸透が第５グリツド（35）側に大きく第３グリツド（3
3）側に小さい非対称な等電位分布すなわち、物体側電
位と像点側電位が等しくなっていない。これは第３グリ
ツド（33）の電極長が例えば第１図及び第２図に示す電
子銃の第３グリツド（13）よりも短かいためにユニポテ
ンシヤル形レンズを形成すべき電位分布が得られないこ
とによるものである。換言すれば第２図に示す従来のも
のは第３グリツド（13）に対応する軸上電位分布（22）
がユニポテンシヤル形レンズを形成するに充分な長さを
有しているのに対し、本発明の場合は第３グリツド（3
3）に対応する軸上電位分布（40）はその軸方向の拡が
りは非常に狭くユニポテンシヤル形レンズを形成するに
は至らない。従つて第３図及び第４図に示す電子銃の主
レンズ系はその電位分布から、第４グリツド（34）と第
５グリツド（35）で実質的に第１のバイポテンシヤル形
レンズ（41）が形成され、第５グリツド（35）と第６グ
リツド（36）で第２のバイポテンシヤル形レンズ（42）
が形成され、之等の第１及び第２のバイポテンシヤル形
レンズの組み合せからなる複合形レンズ系であると考え
ることができる。
と対応して示すものである。第４図から明らかなよう
に、第３グリツド乃至第５グリツドでは実質的に物体側
電位と像点側電位が等しいいわゆるユニポテンシャル形
レンズは形成されていない。即ち等電位線（43）は殆ん
ど曲率を有しておらず、第４グリツド（34）の低電位の
浸透が第５グリツド（35）側に大きく第３グリツド（3
3）側に小さい非対称な等電位分布すなわち、物体側電
位と像点側電位が等しくなっていない。これは第３グリ
ツド（33）の電極長が例えば第１図及び第２図に示す電
子銃の第３グリツド（13）よりも短かいためにユニポテ
ンシヤル形レンズを形成すべき電位分布が得られないこ
とによるものである。換言すれば第２図に示す従来のも
のは第３グリツド（13）に対応する軸上電位分布（22）
がユニポテンシヤル形レンズを形成するに充分な長さを
有しているのに対し、本発明の場合は第３グリツド（3
3）に対応する軸上電位分布（40）はその軸方向の拡が
りは非常に狭くユニポテンシヤル形レンズを形成するに
は至らない。従つて第３図及び第４図に示す電子銃の主
レンズ系はその電位分布から、第４グリツド（34）と第
５グリツド（35）で実質的に第１のバイポテンシヤル形
レンズ（41）が形成され、第５グリツド（35）と第６グ
リツド（36）で第２のバイポテンシヤル形レンズ（42）
が形成され、之等の第１及び第２のバイポテンシヤル形
レンズの組み合せからなる複合形レンズ系であると考え
ることができる。
さらに軸上電位分布でみれば第２図の従来の第４グリツ
ドを中心とする電位分布（26）がほぼ対称な凹形分布を
示すのに対し、第４図に示す本発明の実施例の場合の電
位分布（46）は単調にゆるやかに増加する分布を示して
いる。
ドを中心とする電位分布（26）がほぼ対称な凹形分布を
示すのに対し、第４図に示す本発明の実施例の場合の電
位分布（46）は単調にゆるやかに増加する分布を示して
いる。
従つてこのような電極構成では第３グリツド（33）の役
割は第２グリツド（32）と相互してプリフオーカス形レ
ンズを形成するのみである。ユニポテンシヤル形レンズ
は実質的に形成されない。それ故球面収差を小さくする
ために補助レンズの作用を強くしてもユニポテンシヤル
形レンズのように倍率が大きくなる問題を避けることが
可能となる。因みに第１図及び第２図に示す従来の電子
銃での倍率と球面収差のバランス点では倍率が14.4及び
球面収差係数が186であるのに対し、同じく第３図及び
第４図に示す実施例の電子銃では倍率が12.0及び球面収
差係数が150のものが得られ、レンズ性能としては共に
従来より約20％もの大幅な改善を達成することができ
た。
割は第２グリツド（32）と相互してプリフオーカス形レ
ンズを形成するのみである。ユニポテンシヤル形レンズ
は実質的に形成されない。それ故球面収差を小さくする
ために補助レンズの作用を強くしてもユニポテンシヤル
形レンズのように倍率が大きくなる問題を避けることが
可能となる。因みに第１図及び第２図に示す従来の電子
銃での倍率と球面収差のバランス点では倍率が14.4及び
球面収差係数が186であるのに対し、同じく第３図及び
第４図に示す実施例の電子銃では倍率が12.0及び球面収
差係数が150のものが得られ、レンズ性能としては共に
従来より約20％もの大幅な改善を達成することができ
た。
以上の実施例において、第４グリツドと第５グリツドで
実質的に第１のバイポテンシヤル形レンズを形成するた
めの重要な要素の一つとなる第３グリツドはその一例と
して第３グリツドの電極長は第４グリツドの電極長より
も短かくすることが好ましい。
実質的に第１のバイポテンシヤル形レンズを形成するた
めの重要な要素の一つとなる第３グリツドはその一例と
して第３グリツドの電極長は第４グリツドの電極長より
も短かくすることが好ましい。
ここで第３グリツド乃至第５グリツドの各電極長をそれ
ぞれG3L,G4L及びG5Lとし開口径をＤとした時、 G3LG4L＜G5L であることが好ましく、また前述の実施例での各数値か
ら、 G3L/D≒0.22,G4L/D≒0.33,G5L/D≒3.76 が得られる。
ぞれG3L,G4L及びG5Lとし開口径をＤとした時、 G3LG4L＜G5L であることが好ましく、また前述の実施例での各数値か
ら、 G3L/D≒0.22,G4L/D≒0.33,G5L/D≒3.76 が得られる。
G3L/Dは第３グリツドの電極長を示すための一つの要素
であり、第３グリツドが長くなる程、即ちG3L/Dが大き
くなる程、第３グリツド乃至第５グリツドによつて形成
されるレンズがユニポテンシヤル形レンズに近くなり、
従つて倍率も大きくなる。
であり、第３グリツドが長くなる程、即ちG3L/Dが大き
くなる程、第３グリツド乃至第５グリツドによつて形成
されるレンズがユニポテンシヤル形レンズに近くなり、
従つて倍率も大きくなる。
第５図はG3L/Dと倍率の変化を示す特性図で、G3L/Dの増
加によつて倍率も大となることが明らかであり、実用上
適用し得る倍率からはG3L/Dは0.5以下とすることが好ま
しい。今かりに第３グリツドが存在しない場合を考える
と、軸上電位分布は第４図の点線（45）に示すような分
布を示す。この場合はプリフオーカスレンズが形成され
ないことになり、従つて電子ビームの拡がりが異常に大
きくなることになる。即ち主レンズ系に対して良好な物
点を形成するためには第３グリツドは必要不可欠であ
る。
加によつて倍率も大となることが明らかであり、実用上
適用し得る倍率からはG3L/Dは0.5以下とすることが好ま
しい。今かりに第３グリツドが存在しない場合を考える
と、軸上電位分布は第４図の点線（45）に示すような分
布を示す。この場合はプリフオーカスレンズが形成され
ないことになり、従つて電子ビームの拡がりが異常に大
きくなることになる。即ち主レンズ系に対して良好な物
点を形成するためには第３グリツドは必要不可欠であ
る。
次に第４グリツドの電極長を示すための要素となるG4L/
Dについてはビームスポツト径に影響を及ぼす。例えば
第４グリツドの電極長が長くなる程、即ちG4L/Dが大き
くなる程、第３グリツドに印加されている中電位が第４
グリツド側にも浸透し、結果として第３グリツド乃至第
５グリツドによるレンズがユニポテンシヤル形レンズに
近づく。逆にG4L/Dが小さくなるとG3Lとの相対的関係か
ら従来と同様のユニポテンシヤル形レンズに近づく。第
６図はG4L/Dとビームスポツト径の変化を示す特性図
で、G4L/Dが約0.4の時ビームスポツト径は最小値を示し
その前後では増加の傾向を示している。従つて実用上適
用し得るビームスポツト径からはG4L/Dは0.2乃至0.6の
範囲にあることが好ましい。
Dについてはビームスポツト径に影響を及ぼす。例えば
第４グリツドの電極長が長くなる程、即ちG4L/Dが大き
くなる程、第３グリツドに印加されている中電位が第４
グリツド側にも浸透し、結果として第３グリツド乃至第
５グリツドによるレンズがユニポテンシヤル形レンズに
近づく。逆にG4L/Dが小さくなるとG3Lとの相対的関係か
ら従来と同様のユニポテンシヤル形レンズに近づく。第
６図はG4L/Dとビームスポツト径の変化を示す特性図
で、G4L/Dが約0.4の時ビームスポツト径は最小値を示し
その前後では増加の傾向を示している。従つて実用上適
用し得るビームスポツト径からはG4L/Dは0.2乃至0.6の
範囲にあることが好ましい。
本発明を実施するにあたつて、第４図に示すような軸上
電位分布を得るためには第３グリツド及び第４グリツド
の電極長は重要な要素であり、上記G3L/D及びG4L/Dの範
囲内で目的とする電子銃とその倍率及び球面収差係数に
応じて適宜選択することが好ましい。
電位分布を得るためには第３グリツド及び第４グリツド
の電極長は重要な要素であり、上記G3L/D及びG4L/Dの範
囲内で目的とする電子銃とその倍率及び球面収差係数に
応じて適宜選択することが好ましい。
以上のように本発明の陰極線管用電子銃によれば、比較
的簡単な構造で倍率及び球面収差係数を共に約20％改善
することができ、その工業的価値は極めて大である。
的簡単な構造で倍率及び球面収差係数を共に約20％改善
することができ、その工業的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来の陰極線管用電子銃の電極構成を示す概略
図、第２図は第１図に示す電子銃のレンズ系と軸上電位
分布を対応して示す概略図、第３図は本発明の陰極線管
用電子銃の一実施例の電極構成を示す概略図、第４図は
第３図に示す電子銃のレンズ系と軸上電位分布を対応し
て示す概略図、第５図は第３グリツド電極長と開口径の
比に対する倍率の関係を示す特性図、第６図は第４グリ
ツド電極長と開口径の比に対するビームスポツト径の関
係を示す特性図である。 （31）……第１グリツド、（32）……第２グリツド （33）……第３グリツド、（34）……第４グリツド （35）……第５グリツド、（36）……第６グリツド
図、第２図は第１図に示す電子銃のレンズ系と軸上電位
分布を対応して示す概略図、第３図は本発明の陰極線管
用電子銃の一実施例の電極構成を示す概略図、第４図は
第３図に示す電子銃のレンズ系と軸上電位分布を対応し
て示す概略図、第５図は第３グリツド電極長と開口径の
比に対する倍率の関係を示す特性図、第６図は第４グリ
ツド電極長と開口径の比に対するビームスポツト径の関
係を示す特性図である。 （31）……第１グリツド、（32）……第２グリツド （33）……第３グリツド、（34）……第４グリツド （35）……第５グリツド、（36）……第６グリツド
Claims (2)
- 【請求項１】少なくともそれぞれ電子ビーム開口を有す
る第１グリッド、第２グリッド、第３グリッド、第４グ
リッド、第５グリッド及び第６グリッドの順に軸に沿っ
て配設され、前記第２グリッドと前記第４グリッドには
低電位の略同電位が印加され、前記第３グリッドと前記
第５グリッドには前記第４グリッドよりは高い中電位の
略同電位が印加され、前記第６グリッドには前記第５グ
リッドよりは高い高電位が印加されている陰極線管用電
子銃において、前記第３グリッドの軸方向の有効長さが
前記第４グリッドの軸方向の有効長さより短く、第３グ
リッドの開口径の0.5以下であり、前記第５グリッドは
第５グリッドの開口径より十分長く、前記第４グリッド
に印加されている低電位の浸透が前記第５グリッド側に
大きく前記第３グリッド側に小さい非対称であり、且つ
実質的に前記第４グリッドと前記第５グリッドにて第１
のバイポテンシャル形レンズを形成し前記第５グリッド
と前記第６グリッドにて第２のバイポテンシャル形レン
ズが形成されていることを特徴とする陰極線管用電子
銃。 - 【請求項２】前記第４グリッドの軸方向の有効長さが前
記第４グリッドの開口径の0.2乃至0.6であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の陰極線管用電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132777A JPH0799673B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 陰極線管用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132777A JPH0799673B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 陰極線管用電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025139A JPS6025139A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0799673B2 true JPH0799673B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15089303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132777A Expired - Lifetime JPH0799673B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 陰極線管用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799673B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123140A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Matsushita Electronics Corp | 受像管装置 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58132777A patent/JPH0799673B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6025139A (ja) | 1985-02-07 |
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