JPH0799737B2 - 半導体加工処理用二重ドーム反応器 - Google Patents

半導体加工処理用二重ドーム反応器

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JPH0799737B2
JPH0799737B2 JP3043061A JP4306191A JPH0799737B2 JP H0799737 B2 JPH0799737 B2 JP H0799737B2 JP 3043061 A JP3043061 A JP 3043061A JP 4306191 A JP4306191 A JP 4306191A JP H0799737 B2 JPH0799737 B2 JP H0799737B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の加工処理に関
し、詳細には、化学蒸着、熱的アニーリング、及び高温
処理を必要とするほかの手順に使用される熱反応器に関
する。本発明の主目的は、大気圧及び低圧における大型
ウェーハに関する高い生産量、柔軟な熱制御、及び処理
の均一性を提供する半導体加工処理用の改良された熱反
応器である。
【０００２】
【従来の技術】最近の技術進歩は、半導体加工処理の進
展により可能になった電子回路の進行中の小型化と密接
に関係がある。進歩した加工処理技術のなかには、上昇
した温度、準大気圧、及び均一なガスの流れを慎重に制
御した状態で、半導体組織を反応ガスにさらすことを必
要とするものがある。このような工程の例には、低圧化
学蒸着法、減圧化学蒸着法、及び選択的エピタキシアル
蒸着法がある。
【０００３】集積回路製造の経済性から見ると、ウェー
ハの直径を増大することは、有利であった。初期のウェ
ーハは、直径が２インチ以下であるが、その傾向は、現
在では、８インチ以上である。より大きいウェーハへの
移行は、均一なガス流れを得ることと、高い生産能力に
必要な加熱することが困難であることにより、減速され
ている。均一なガスの流れは、反応器の幾何学的構成
と、ガスが室内に誘導されて室外に排気される方法とを
注意深く選択することにより扱われる。温度の均一性
は、時間と空間に関して熱を一様に分布する大型感熱体
によりウェーハを支持することにより扱われる。質量の
大きい感熱体に付随する主要な問題は、感熱体が加熱及
び冷却されるに必要な時間である。この増加された時間
は、ウェーハの処理量と、これに関連した製造コストと
に不利な影響を与える。
【０００４】大気圧と準大気圧における熱反応を行う反
応装置は、反応容器、ガス源、排気装置、熱源、及び冷
却液源より成る。反応容器は一般に石英製壁を備えてお
り、所望の反応用の制御された環境として働く反応室を
形成している。ガス源は、浄化ガスと反応ガスを送り、
排気装置は、使用済ガスを除去し、所望の大気圧と準大
気圧を維持する。熱源は、配列された赤外線電球または
誘導加熱源であり、一般に、室壁を通してエネルギーを
伝達して、ウェーハを加熱する。通常、ウェーハは支持
体上に取り付けられ、支持体は、室内に伝達されたエネ
ルギーを吸収して、発生した熱を、処理されているウェ
ーハを伝導する感熱体として働く。反応装置のなかに
は、支持体が、室内のウェーハを回転して、室内の空間
の異常による影響を最小限にしているものもある。冷却
液は、熱膨脹と歪を最小にするために、室壁に突き当る
ようになっている。また、冷却水は、室温への反応器の
復帰を早めるために、処理後にも使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】反応室の壁は、ベルジ
ャー室などのように、室の長さ方向の主要部分で、一般
に円筒状である。円筒状容器は、圧力差による応力を均
一に分布し、壁の厚さが不均一であってもそのように分
布するので、低圧の用途に選択される容器である。応力
の均一な分布は、破壊の可能性を最低にする。
【０００６】矩形の石英製室を使用している大気圧熱反
応器は、ウェーハを横切って均一な反応ガスの流れを送
る。しかしながら、減少した低圧を利用できないので、
平らな表面上の圧力差は、局部的応力を発生して、表面
を破壊することがある。圧力差による平坦な壁及び非円
筒状壁の応力は、より厚い壁またはほかの強化手段によ
り、処理される。しかし、厚い壁は非常によく断熱す
る。室壁の温度を低下した場合、一般的に空気である冷
却液の効果は減少し、壁の内面に化学的付着物を増加す
る結果となる。設計目的からみると、壁の付着物を減少
するための薄い室壁と、圧力による応力を低減するため
の厚い室壁との間には、選択する場合、相反するものが
ある。
【０００７】一般にグラファイトである感熱体は、前の
付着物からのシリコンを含有することがある。このシリ
コンは、感熱体がウェーハにより熱い場合ウェーハの裏
側へ移転する。この裏側への移転は、通常、望ましくな
いとされている。例えば、裏側移転は、ウェーハに前処
理された絶縁シールを乱す。或る場合においては、裏側
移転は、ウェーハに添加物を密封するために、積極的に
使用できる。
【０００８】多くの熱反応器では、裏側移転は、大きい
温度勾配が形成しないように、ウェーハと感熱体とをゆ
っくりと加熱することにより、制限される。従って、裏
側移転を制御するには均一な温度を必要とするほかに、
熱反応器を所望の処理温度へ加熱する速度を限定するこ
とが必要である。そのほかに、一般の反応器では、ウェ
ーハと感熱体との相対温度を正確に変化することが出来
ない。従って、添加物のシールが望まれた時に行われる
ように、裏側移転を行うことは、困難なことである。
【０００９】必要とされるものは、大形ウェーハを高い
処理能力で熱処理を行う半導体加工処理用の熱反応装置
である。高い処理能力は、高い歩留りで、ガスの流れの
一様性と熱的均一性とに関連して達成されなければなら
ない。ウェーハと感熱体との相対温度の調節、つまり裏
側移転の制御が行わなければならない。大気圧と減圧に
おける処理能力が、いずれも望まれるものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による、半導体加
工処理用の熱反応器は、ウェーハが反応容器の軸に垂直
に保持されている二重ドーム形反応容器を使用してい
る。独立制御された熱源は、各ドームによって放熱を行
い、加熱中に熱的均一性を高める。各熱源は、独立して
制御可能な、円形に配列された内外の加熱要素より成っ
ている。モータ駆動軸は、ドームの１つにある軸方向の
開口を通って伸長しており、ウェーハ保持物を回転す
る。ウェーハ保持物は、小さい熱容量の感熱体より成
り、ウェーハの均一な加熱を容易にしている。
【００１１】本発明が具体化される特定の事例に従っ
て、反応ガスは、ウェーハ表面にガスを均一に流すため
に、軸方向または放射状に導入される。放射状の導入と
排気は、２つの容器ドームの間に配置されたマニホール
ドを通って行われる。軸方向の導入は、ドームの１つに
ある軸の中心に位置した開口を通って行われる。ドーム
間の障壁は、室を２つの部分に分離するために使用され
る。処理されるウェーハを収納している部分を通って流
れている反応ガスは、ほかの部分を通って流れている浄
化ガスの圧力により、部分的に閉封される。
【００１２】本発明の方法により、ウェーハは、二重ド
ーム容器内に取り付けられる。ウェーハは、二重ドーム
容器の軸に垂直に配向して位置されている。ここで、
“垂直に”は“直角に交差して”を意味する。最適に、
容器の軸は、ウェーハと、ウェーハが取り付けられてい
る感熱体の幾何学的中心を通って伸長している。エネル
ギーは、両方のドームを介して室内に放射される。ウェ
ーハ上のガスの流れは、ドームの開口を通って軸方向に
導入されるか、または、ドームの間に配置されたガスマ
ニホールドを通って放射状に導入される。いずれの場合
でも、ガスは、ガスマニホールドを通って放射状に排気
される。
【００１３】二重ドーム容器は、円筒よりも球によく似
ている。球が円筒状に対称であるように、二重ドーム構
造もやはり円筒状に対称である。このように、本容器
は、先行技術で採用されたいくつかの容器形状と共に、
円筒状の対称形の特徴を有しており、特色のある幾何学
形状を採用している。極く最近の先行技術は、ドーム状
の頭部と円筒状の側壁より成るベルジャーであるように
思われる。一般に、ウェーハは、ベルジャー反応器内
で、ドーム軸に“直角”にであるが、“垂直”にでな
く、すなわち、軸はウェーハを貫通せずに、取り付けら
れている。ベルジャー室において、ガスは軸方向に導入
され、排気される。輻射加熱は、ウェーハの片側のみに
行われ、大きい熱容量の感熱体が、均一な加熱を確実に
するために必要である。
【００１４】本発明は、短い処理サイクルを提供し、処
理の均一性を保持するものである。熱は、反応室へ効率
的に伝達される。伝送された熱の分布は、ウェーハを通
る温度が、加熱中に最小となるように、十分な精度で制
御される。反応容器の二重ドームの幾何学的形状は、圧
力差を有効に分布するので、ドームを構成している石英
の厚さは最小に保持され、従って、輻射伝達損失を最小
にして、伝達効率を高める。
【００１５】熱源は、ウェーハを通る円筒方向の勾配
（ｄＴ／ｄθ）が本質的に小さいように、室の形状と一
致している、全体的に円筒状の対称形とすることが出来
る。各熱源の内部と外部の加熱要素の配列の間の相対的
輻射エネルギーは、半径方向の勾配（ｄＴ／ｄｒ）を最
小するために調節することが出来る。各熱源による相対
的全寄与は、厚さの勾配（ｄＴ／ｄＺ）を最小にし、希
望しているように、シリコン移転を容易にするか、また
は防止するために、調節することが出来る。
【００１６】本発明は、ある範囲のドーム形状を提供す
る。１つの、または両方のドームは、部分的にまたは全
体的に、半円球である。円筒状部分は、半円球の頭部ま
たは平面状頭部から縁部へ伸張している。一般に、ドー
ムは、円筒状対称部の軸に垂直な平面内でその反射と一
致するならば、密閉が完全であっても、完全でなくて
も、囲まれた空間を形成する形状である。
【００１７】本発明は、ウェーハの一時的加熱構図の精
密な制御を提供するので、均一な加熱を行うために、感
熱体の熱容量に依存する必要は余りない。結果として、
比較的小熱容量の感熱体を使用することが出来る。小熱
容量の感熱体は、一層敏速に加熱され、達成される所望
の処理温度の持続時間を減少する。さらに、小熱容量感
熱体は一層速く冷却し、さらに、処理時間を低減する。
実施例の１つでは、本発明は、加熱と冷却の時間がウェ
ーハの熱容量により主に制約される感熱体のない反応装
置を提供している。本発明のこれらの及び他の特徴と利
点は、添付図面に関連して以後の説明から明らかであ
る。
【００１８】
【実施例】本発明により、半導体ウェーハ９９を加工処
理する熱反応器１００は、図１に示すように、ハウジン
グ１０２、反応室１０６を形成しまたマニホールド１０
８より成る二重ドーム形反応容器１０４、加熱装置１１
０、駆動装置組立１１２、及び感熱体１１４より構成さ
れている。二重ドーム形容器１０４は、頭部ドーム１１
６と底部ドーム１１８より成っている。各ドーム１１６
と１１８は、図２に示すように、それぞれ、フランジ１
２０、１２２、凸面部１２４、１２６、ネック１２８、
１３０、及び開口１３６、１３８を形成しているリップ
１３２、１３４より成っている。頭部開口１３６は、反
応ガスの導入に使用される。底部開口１３８は、駆動装
置組立１１２の軸１４０を格納している。軸１４０は、
感熱体１１４とその上に取り付けられたウェーハ９９を
処理中に回転するように、接続しており、処理の均一性
を高める。
【００１９】ハウジング１０２は、図１に示すように、
上部ハウジング部１４２と下部ハウジング部１４４とよ
り構成されている。ドーム・フランジ１２０と１２２
は、図１と図３とに示すように、それぞれ対応してい
る、ハウジング部１４２と１４４の凹部１４６と１４
８、及びマニホールド内の凹部１５０と１５２に適合し
ている。また図３には、矩形のガス排気路１５４、冷却
液流路１５６、浄化排気路１５８が示されている。入口
１６０は、ロボット・アーム１６２を導入して、横方向
の２方向矢印１６１で示す側方運動により、ウェーハ９
９を取り出す。図１の駆動装置組立１１２は、上下の２
方向矢印１６１により示すように、ロボット・アーム１
６２が感熱体１１４の頭部に接近出来るように、感熱体
１１４を低くする。
【００２０】加熱装置１１０は、上部熱源１６４と下部
熱源１６６とより構成されている。上部熱源１６４は、
赤外線電球１７０の内部配列１６８と、赤外線電球１７
４の外部配列１７２とより成っている。電球１７０と１
７４の電気的接続は、ソケット１７６により行われる。
また、上部熱源は、熱源１６４の方向性を強化する反射
面のほかに、電球の機械的取付器を備えている反射器１
７８より成っている。同様に、下部熱源１６６は、図１
に示すように、赤外部電球１８２の内部配列１８０、電
球１８６の外部配列１８４、及び反射器１８８より成っ
ている。上部熱源１６４の配列１６８と１７２が円形を
呈していることは、図４から明らかであり、これは、下
部熱源１６６の類似している配列１８０と１８４を示し
ていると考えられる。
【００２１】熱をウェーハの上下から伝達することによ
り、より大きい全エネルギーが、与えられた最大局部エ
ネルギーに関して得られる。高い局部エネルギーは、熱
源と室壁を不均一に加熱して破壊する恐れがあるので、
防止されるべきである。大きい全エネルギーは、室１０
６を一層急速に加熱するために望まれる。容器１０４の
大きい範囲の表面積がエネルギーをウェーハ９９に伝達
するために使用されることは、図１から明らかである。
【００２２】上部と下部の熱源１６４と１６６を使用す
るもう１つの利点は、ウェーハ９９と感熱体１１４との
相対温度を制御出来ることである。従って、熱源１６４
と１６６は、ウェーハ９９が感熱体１１４よりも熱い状
態を維持して、裏側移転を防止するように、調節され
る。ウェーハ９９内に添加物を密封するなど、裏側移転
が望まれる場合、下部熱源１６６は、感熱体１１４がウ
ェーハ９９よりも高温であるように、比較的高いレベル
で動作しなければならない。
【００２３】熱反応器１００は、図１と図４に示すよう
に、ドーム１１６と１１８、感熱体１１４、ウェーハ９
９、及び熱源１６４と１６６が共通軸に関して同軸であ
るので、高度な円筒状対称である点で特徴がある。従っ
て、ウェーハ９９の円周方向の温度の均一性は容易に得
られる。言いかえると、図２に示された円柱座標（ｒ、
θ、Ｚ、）において、すべての与えられたウェーハ９９
の半径ｒでは、θ方向の温度の変動は無視出来る。配列
１６８、１７２、１８０、及び１８４は、連続していな
いので、θ方向の若干の放射エネルギー変動が見込まれ
る断熱的要素（電球１７０、１７４、１８２、及び１８
６）より成っている。しかし、モータ駆動装置組立１１
２のモータ１９２の回転により、この変動原因は最小限
になる。
【００２４】半径方向の均一性（ｒ方向の）に対する対
応は、各熱源１６４と１６６の二重円形配列によって行
われる。例えば、上部熱源１６４からの放射熱の半径方
向の分布は、外部配列１７２の放射強度に関して内部配
列１６８の放射強度を調整することにより、制御され
る。同様に、下部熱源１６６からの放射熱の半径方向の
分布は、外部配列１８４に関して内部配列１８０の放射
強度を調節することにより制御される。注目すべき点
は、半径方向の熱分布をさらに制御する必要がある場合
には、より円形に近い配列を熱源１６４と１１６の代り
に使用することが出来ることである。自由に制御する場
合には、別の円形配列を配置すると、理想的半径方向の
分布に近づける適応性が得られる。
【００２５】Ｚ方向の温度勾配は、ウェーハの内部に伝
導される、放射されたウェーハと感熱体の表面に発生し
た熱に必要な時の関数である。低レベルの放射エネルギ
ーを使用して、熱伝導はＺ方向の熱勾配を最小にするよ
うに、放射された表面は、十分にゆっくりと加熱され
る。しかし、Ｚ方向の温度勾配は、ウェーハに組み入れ
られる回路の間の均一性に影響を与えない。従って、Ｚ
方向の均一性は、ｒとθの方向の均一性よりも臨界に近
くない。さらに重要であるのは、ウェーハ９９と感熱体
１４４との間のＺ方向の勾配であり、これは、上述のよ
うに、熱源１６４と１６６の相対レベルを調節すること
により制御される。
【００２６】通常の熱反応器では、熱反応器１００によ
り形成される程度の相応的半径方向及び円周方向の熱の
均一性は得られない。従って、通常の反応器は、反応室
に伝達された放射エネルギーの大部分を吸収する大熱容
量を有する感熱体に依存している。すなわち、温度の均
一性が、より遅く加熱するという犠牲によって得られる
ように、伝導は、ウェーハの加熱において大きい役割り
を果す。さらに、大きい熱容量の感熱体は、処理が完了
すると、冷却しにくい。従って、一般の熱反応器の大熱
容量感熱体は、反応室を加熱・冷却するに要する時間を
延長する。
【００２７】感熱体１１４は、小熱容量の薄いプレート
１９４と剛性のためのリム１９６とより成っている。本
発明により形成された高いレベルの即応的熱の均一化に
より、小熱容量の感熱体を使用することが出来る。従っ
て、加熱及び冷却の時間は最小になる。このようにし
て、処理時間が減少し、処理能力は高くなって、製造コ
ストは低下する。
【００２８】また、熱反応器１００は、反応ガスの流れ
パターンに適応性を付与する。図１の矢印２０２は、頭
部ドーム１１６の開口１３６を通る反応ガスの軸方向の
導入を示す。使用済の反応ガスは、矢印２０６と２０８
とで示すように、マニホールド１０８の流路１５４と２
０４とに接続した円形配列の排気口へ排気される。この
流れパターンは、高度の流れの均一性もθ方向に形成す
る。半径方向の均一性は、容器１０４の幾何学的形状と
試薬ガスの流速により基本的に制御される。
【００２９】ほかの試薬ガスの流れモードが、図５に示
されている。矢印２１０で示すように、試薬ガスは流路
２０４を通ってマニホールド１０８の片側に流入して、
矢印２０６で示すように、流路１５４を通ってマニホー
ルド１０８のほかの側に排気される。これは、ほぼ平面
的であり、従って、ウェーハ９９の上に比較的均一な流
れを形成する。さらに、半径方向の均一性は、モータ駆
動装置組立１１２によたウェーハ９９を回転して、形成
される。半径方向と軸方向の反応ガスの流れの導入は、
一般に熱反応器１００によって行われる特定の反応に依
存する。首部または開口のない頭部ドームは、軸方向の
反応ガスの導入の選択が均一化に関係ない場合に、採用
することが出来る。
【００３０】反応ガスがウェーハ以外の表面と接触する
ことは、概して望ましいことではない。例えば、エピタ
キシアル蒸着用の反応ガスは、ウェーハ以外の加熱され
た表面にシリコンを蒸着することが出来る。若干の接触
は避けられないが、熱反応器１００は、図１に示すよう
に、反応ガスを室１０６の上部２１２に実質的に封入
し、下部２１４から排出する。このために、図１と図３
に示すように、障壁２１６は感熱体１１４適合してい
る。感熱体１１４が図１の動作位置にある場合、障壁２
１６と一体となって、上部２１２と下部２１４とを分離
する。
【００３１】感熱体１１４は障壁２１６に対して回転し
ているので、この分離は、ガスに対して気密性がない。
従って、矢印２１８で示すように、浄化ガスは下部開口
１３８を通って流入し、上部２１２と下部２１４との圧
力を同一にする。これによって、下部２１４への反応ガ
スの流れを最小にする。この最小化により、軸１４０、
感熱体１１４の下側部、及びモータ１９２より成る下部
の構成要素は、反応ガスによる汚染物の付着からかなり
防止されている。浄化ガスは、マニホールド１０８の浄
化ガス路を通って排気される。
【００３２】反応器１００を使用して行われる、図６に
示された方法６００は、次のような過程で行われる。 1) ６０２において、ウェーハ９９をドーム１１６と１
１８の間の感熱体１１４の上に取り付ける。 2) ６０４において、室１０６内へドーム１１６と１１
８とを通ってエネルギーを放射する。
【００３３】3) 反応ガスを室１０６内に導入する。 （イ）６０６において、開口１３６を通って軸方向に、
あるいは、（ロ）６０８において、流路２０４を通って
半径方向に。 4) ６１０において、使用した反応ガスを半径方向に排
気する。 熱反応器１００の基本的特徴は、減圧した状態で動作す
ることが出来ることであり、減圧は、二三の好適なエピ
タキシアル蒸着を含むいくつかの反応に必要である。ほ
ぼ凸面形のドーム１１６と１１８は、室１０６と容器１
０４の外部との間の圧力差に対する耐圧に有効である。
この幾何学的形状は、本来、低減した圧力を有効に扱っ
ているので、凸面部１２４と１２６は、あまり好適でな
い幾何学的形状の容器により使用されるよりも薄い石英
製壁を使用することが出来る。
【００３４】薄い石英は、石英に吸収されるエネルギー
が少ないので、一層効率の良い熱伝導媒質である。従っ
て、石英容器はより冷えた状態のままである。容器１０
４は比較的に冷えているので、エピタキシアル蒸着中に
シリコンなどのその透過性を低下する蒸着物の還元はな
い。同一でない凸面部１２４と１２６、ネック１２８と
１３０は、放射エネルギーを室１０６へ伝達するために
使用されない。従って、それらは、反射器１７８と１８
８によりそれぞれ遮蔽されて、それへの熱の蓄積を制限
する。
【００３５】本発明は、上述の実施態様にそのほかに変
更を行う。同一または異なるドームの幾何学的形状は、
頭部及び底部のドームに使用することが出来る。ドーム
の形状は、近似円錐形であるか、あるいは、より半円球
形をなすことが出来る。異なる熱源の配列が使用出来、
頭部と底部の熱源は、同じである必要はない。熱源は、
円周方向に均一な分布で放射を行うために、１個以上の
円形電球より構成することも出来る。異なる反応ガスと
浄化ガスとの流れパターンも使用出来る。ここに開示し
た実施態様のこれらの変更及び修正が、本発明により行
われ、その範囲は、上記請求の範囲によってのみ限定さ
れるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による熱反応器の断面図である。
【図２】図１の反応器の選択された構成要素を示す分解
図である。
【図３】図１の熱反応器のマニホールドの詳細断面図で
ある。
【図４】図１の反応器の２つの同様な熱源の１つを示す
図１の線３−３に沿った断面図である。
【図５】図１に示すように、反応ガスが半径方向よりは
むしろ軸方向に導入される動作モードを示している、図
１の反応器の上半分の断面図である。
【図６】本発明により、図１の反応器を使用して行われ
る方法の流れ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン ジー マーティン アメリカ合衆国 ニュージャージー州 07016クランフォード オーク レーン 125 (72)発明者 ダグラス メイアー アメリカ合衆国 アリゾナ州 85283 テ ンプサウス ロックフォード ドライヴ 6680 (72)発明者 ダニエル ウェスト アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94089 サニーヴェイル ヒデンレイク ドライヴ 318 (72)発明者 ラッセル ボウマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95139 サン ホセ アヴェニダ エスパ ーナ 125 (72)発明者 ディヴィッド ヴィ アダムス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ シャディー アベニ ュー 5233

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応室を形成する反応容器であって、前
    記反応容器が第１ドームと第２ドームとから成り、前記
    第２ドームが前記第１ドームと対向し、前記第１と第２
    のドームが円筒対称軸を共有するように前記第１と第２
    のドームが機械的に接合している前記反応容器と、 第１面と第２面とを有するウェーハを保持するウェーハ
    保持手段であって、前記２つの面が前記軸に垂直なよう
    に前記ウェーハを保持する前記ウェーハ保持手段と、 前記ウェーハを加熱する加熱手段と、 ガスを導入しまた前記室からガスを排気するガス処理手
    段とより構成されている半導体加工処理用の反応器。
  2. 【請求項２】 前記加熱手段が、前記室の外部にあり、
    且つエネルギーを前記第１ドームにより前記ウェーハに
    向って放射するために配置された第１熱源と、前記室の
    外部にあり、且つエネルギーを前記第２ドームにより前
    記ウェーハに向って放射するために配置された第２熱源
    とより成ることを特徴とする請求項１に記載の反応器。
  3. 【請求項３】 前記熱源のそれぞれが、加熱要素の各内
    部円形配列と、加熱要素の各外部円形配列と、前記熱源
    のそれぞれの内部と外部の配列の相対的エネルギーを制
    御する熱制御手段とより成ることを特徴とする請求項２
    に記載の反応器。
  4. 【請求項４】 前記ガス処理手段が、前記第１と第２の
    ドームの間に配置され、且つ各ドームに機械的に接合さ
    れたガス・マニホールドより成ることを特徴とする請求
    項１に記載の反応器。
  5. 【請求項５】 前記ガス処理手段が、前記室の第１部分
    と第２部分とを形成している障壁と、前記第１次ドーム
    により少なくとも部分的に接合している前記第１部分
    と、前記第２ドームに少なくとも部分的に接合している
    第２部分とから成り、前記ガス処理手段が、反応ガスを
    前記第１部分に、また非反応ガスを前記第２部分に導入
    するように適合されており、これによって前記非反応ガ
    スが反応ガスの前記第２部分への流れを抑制することを
    特徴とする請求項１に記載の反応器。
  6. 【請求項６】 前記第１ドームが、前記軸を中心とした
    第１ドーム開口を有し、前記ガス処理手段が、反応ガス
    が前記開口を通って導入されるように前記開口に接合し
    ていることを特徴とする請求項４に記載の反応器。
  7. 【請求項７】 前記ガス処理手段が、前記ガス・マニホ
    ールドを通って半径方向にガスを排気することを特徴と
    する請求項６に記載の反応器。
  8. 【請求項８】 前記第２ドームが、前記軸を中心とした
    第２ドーム開口を有し、前記ウェーハ保持手段が、前記
    ウェーハを回転するウェーハ回転手段を含み、このウェ
    ーハ回転手段が、前記室の外部にあるモータを有し、且
    つ前記第２ドーム開口を通る軸により前記感熱体に機械
    的に接続したことを特徴とする請求項４に記載の反応
    器。
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