JPH079999B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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Description
本発明は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造に
関する。
関する。
従来、有機金属化合物気相成長法（以下「MOVPE」と記
す）を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体（AlxGa1-x
N;X＝０を含む）薄膜をサファイア基板上に気相成長さ
せた構造の発光素子が研究されている。 この発光素子は第５図に示すように、サファイア基板１
の上にＮ型のGaNから成るＮ層２とその上に亜鉛をドー
プして形成されたＩ型のGaNから成るＩ層３とを形成
し、Ｉ層３の上面に電極５とＮ層２の側面に電極６とを
形成したものである。
す）を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体（AlxGa1-x
N;X＝０を含む）薄膜をサファイア基板上に気相成長さ
せた構造の発光素子が研究されている。 この発光素子は第５図に示すように、サファイア基板１
の上にＮ型のGaNから成るＮ層２とその上に亜鉛をドー
プして形成されたＩ型のGaNから成るＩ層３とを形成
し、Ｉ層３の上面に電極５とＮ層２の側面に電極６とを
形成したものである。
このように、発光素子はサファイア基板を用いているた
め、電極６の位置がＮ層２の側面になり、製造が困難で
あるという問題がある。 また、Ｎ層２の電極をＩ層３の電極５と同一面に形成す
る場合には、所定のパターンに蒸着された絶縁膜をマス
クにしてＩ層を選択的に形成した後、絶縁膜を除去して
露出したＮ層に電極を形成する試みがなされている。 しかし、絶縁膜をマスクにしたＩ層の選択成長が行い難
いという問題があり、絶縁膜上にもＩ層が形成されるた
め絶縁膜のみ除去することに困難性があった。 本発明は、上記の問題点を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造を容易にすることである。
め、電極６の位置がＮ層２の側面になり、製造が困難で
あるという問題がある。 また、Ｎ層２の電極をＩ層３の電極５と同一面に形成す
る場合には、所定のパターンに蒸着された絶縁膜をマス
クにしてＩ層を選択的に形成した後、絶縁膜を除去して
露出したＮ層に電極を形成する試みがなされている。 しかし、絶縁膜をマスクにしたＩ層の選択成長が行い難
いという問題があり、絶縁膜上にもＩ層が形成されるた
め絶縁膜のみ除去することに困難性があった。 本発明は、上記の問題点を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造を容易にすることである。
上記問題点を解決するための発明の構成は、サファイア
基板と、サファイア基板上に形成されたバッファ層と、
バッファ層上に形成されたＮ型の窒化ガリウム系化合物
半導体（AlxGa1-xN;X＝０を含む）からなるＮ層と、Ｎ
層の主面に電流が通過できる程度に極めて薄くパターン
形成された二酸化シリコン（SiO2）薄膜と、二酸化シリ
コン薄膜がパターン形成されたＮ層の上に不純物をドー
プして選択成長され、該Ｎ層に接合するＩ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体（AlxGa1-xN;X＝０を含む）からな
るＩ層と、二酸化シリコン薄膜の上にＩ層の成長と同時
に形成され、該二酸化シリコン薄膜に接合する非単結晶
の導電層と、Ｉ層と前記導電層の表面に、それぞれ、接
合する電極層とを設けたことである。
基板と、サファイア基板上に形成されたバッファ層と、
バッファ層上に形成されたＮ型の窒化ガリウム系化合物
半導体（AlxGa1-xN;X＝０を含む）からなるＮ層と、Ｎ
層の主面に電流が通過できる程度に極めて薄くパターン
形成された二酸化シリコン（SiO2）薄膜と、二酸化シリ
コン薄膜がパターン形成されたＮ層の上に不純物をドー
プして選択成長され、該Ｎ層に接合するＩ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体（AlxGa1-xN;X＝０を含む）からな
るＩ層と、二酸化シリコン薄膜の上にＩ層の成長と同時
に形成され、該二酸化シリコン薄膜に接合する非単結晶
の導電層と、Ｉ層と前記導電層の表面に、それぞれ、接
合する電極層とを設けたことである。
サファイア基板上にバッファ層を形成し、そのバッファ
層上にGaNのＮ層を形成する。そして、そのＮ層の主面
に電流が通過できる程度に極めて薄くパターン形成され
た二酸化シリコン薄膜をマスクとして、Ｉ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体を気相成長させると、二酸化シリコ
ン薄膜によりマスクされていない部分、即ち、Ｎ層が露
出した部分には単結晶のＩ型の窒化ガリウム系化合物半
導体が成長するが、二酸化シリコン薄膜上には単結晶は
成長せず多結晶又はアモルファスとなることが実験によ
り判明した。そして、この二酸化シリコン薄膜上に成長
した非単結晶の窒化ガリウム系化合物半導体から成る層
（導電層）は単結晶のＩ層より導電性を示すので、二酸
化シリコン薄膜を導電性を有する程に薄く形成すれば、
その導電層をＮ層に対するリードとすることができる。 したがって、上記のような二酸化シリコン薄膜に対する
窒化ガリウム系化合物半導体の選択成長性を利用すれ
ば、Ｉ層の電極とＮ層の電極を同一面に容易に形成する
ことが出来る。尚、Ｎ層からの電流は上記の二酸化シリ
コン膜を通過して、導電層に至る。
層上にGaNのＮ層を形成する。そして、そのＮ層の主面
に電流が通過できる程度に極めて薄くパターン形成され
た二酸化シリコン薄膜をマスクとして、Ｉ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体を気相成長させると、二酸化シリコ
ン薄膜によりマスクされていない部分、即ち、Ｎ層が露
出した部分には単結晶のＩ型の窒化ガリウム系化合物半
導体が成長するが、二酸化シリコン薄膜上には単結晶は
成長せず多結晶又はアモルファスとなることが実験によ
り判明した。そして、この二酸化シリコン薄膜上に成長
した非単結晶の窒化ガリウム系化合物半導体から成る層
（導電層）は単結晶のＩ層より導電性を示すので、二酸
化シリコン薄膜を導電性を有する程に薄く形成すれば、
その導電層をＮ層に対するリードとすることができる。 したがって、上記のような二酸化シリコン薄膜に対する
窒化ガリウム系化合物半導体の選択成長性を利用すれ
ば、Ｉ層の電極とＮ層の電極を同一面に容易に形成する
ことが出来る。尚、Ｎ層からの電流は上記の二酸化シリ
コン膜を通過して、導電層に至る。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置の
構成を示した断面図である。石英反応管21で囲われた反
応室20では、サセプタ22が操作棒23に支持されており、
そのサセプタ22は操作棒23によって位置の調整が行われ
る。また、サセプタ22の主面にはサファイア基板24が配
設されている。尚、８は高周波コイルであり、サファイ
ア基板24を加熱するためのものである。 一方、反応室20のガスの流入側には、第１反応ガス管25
と第２反応ガス管26とが配設されている。第１反応ガス
管25は第２反応ガス管26と同心状に、第２反応ガス管26
の内部に配設されている。その第１反応ガス管25は第１
マニホールド27に接続され、第２反応ガス管26は第２マ
ニホールド28に接続されている。そして、第１マニホー
ルド27にはNH3の供給系統Ｈとキャリアガスの供給系統
Ｉとトリメチルガリウム（以下「TNG」と記す）の供給
系統Ｊとトリメチルアルミニウム（以下「TMA」と記
す）の供給系統Ｋとが接続され、第２マニホールド28に
はキャリアガスの供給系統Ｉとジエチル亜鉛（以下「DE
Z」と記す）の供給系統Ｌとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管25の開口部
25aから、NH3とTMGとTMAとH2との混合ガスが反応室20に
流出し、第２反応ガス管26の開口部26aから、DEZとH2と
の混合ガスが反応室20に流出する。 Ｎ型のAlxGa1-xN薄膜を形成する場合には、第１反応ガ
ス管25だけから混合ガスを流出させれば良く、Ｉ型のAl
xGa1-xN薄膜を形成する場合には、第１反応ガス管25と
第２反応ガス管26とからそれぞれの混合ガスを流出させ
れば良い。Ｉ型のAlxGa1-xN薄膜を形成する場合には、
ドーパントガスであるDEZは第１反応ガス管25から流出
する反応ガスとサファイア基板24の近辺の反応室20aで
初めて混合されることになる。そして、DEZはサファイ
ア基板24に吹き付けられ熱分解し、ドーパント元素は成
長するAlxGa1-xNにドーピングされて、Ｉ型のAlxGa1-xN
が得られる。この場合、第１反応ガス管25と第２反応ガ
ス管26とで分離して、反応ガスとドーパントガスがサフ
ァイア基板24の付近の反応室25aまで導かれるので、従
来装置で生じるガスの導入管におけるDEZとTMG又はTMA
との反応が抑制されるため、良好なドーピングが行われ
る。 尚、サセプタ22の反応ガスの流れる方向Ｘに対する傾斜
角θは、45度に構成されている。このように傾斜させる
ことにより、サセプタ22をガス流に対し直角に構成した
場合に比べて良好な結晶が得られた。 次に本装置を用いて、第２図に示す構成の発光ダイオー
ドを作成する方法を説明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した（0001）面を
主面とする単結晶のサファイア基板24をサセプタ22に装
着する。次に、H2を0.3l/分で、第１反応ガス管25及び
第２反応ガス管26から反応室20に流しながら温度1100℃
でサファイア基板24を気相エッチングした。次に温度を
950℃まで低下させて、第１反応ガス管25からH2を3l/
分、NH3を2l/分、TMAを７×10-6モル／分で供給して１
分間熱処理し。この熱処理により、AlNのバッファ層30
が約0.1μｍの厚さに形成された。１分経過した時にTMA
の供給を停止して、サファイア基板24の温度を970℃に
保持し、第１反応ガス管25からH2を2.5l/分、NH3を1.5l
/分、TMGを1.7×10-5モル／分で60分間供給し、膜厚約
７μｍのＮ型のGaNから成るＮ層31を形成した。次に、
そのサファイア基板24を反応室20から取り出し、Ｎ層31
の主面にホトレジストを塗布して所定パターンのマスク
を使って露光した後エッチングを行って所定パターンの
ホトレジストを得た。次に、このホトレジストをマスク
にして膜厚100Å程度のSiO2膜32をパターン形成した。
その後、ホトレジストを除去しSiO2膜32のみがパターン
形成されたサファイア基板24を洗浄後、再度、サセプタ
22に装着し気相エッチングした。そして、サファイア基
板24の温度を970℃に保持し、第１反応ガス管25から
は、H2を2.5l/分、NH3を1.5l/分、TMGを1.7×10-5モル
／分供給し、第２反応ガス管26からは、DEZを５×10-6
モル／分で５分間供給して、Ｉ型のGaNから成るＩ層33
を膜厚1.0μｍに形成した。この時、GaNの露出している
部分は、単結晶のＩ型のGaNが成長しＩ層33が得られる
が、SiO2膜32の上部には多結晶のGaNから成る導電層34
が形成される。その後、反応室20からサファイア基板24
を取り出し、Ｉ層33と導電層34の上にアルミニウム電極
35、36を蒸着し、サファイア基板24を所定の大きさにカ
ッティングして発光ダイオードを形成した。この場合、
電極35はＩ層33の電極となり、電極36は導電層34と極め
て薄いSiO2膜32を介してＮ層31の電極となる。そして、
Ｉ層33をＮ層31に対し正電位とすることにより、接合面
から光が発光する。 Ｎ層31の上に成長したＩ層33の断面の顕微鏡写真を第３
図（ａ）に、高エネルギー電子線による反射回析法（RH
EED）の結果を示す写真を第４図（ａ）に示す。また、S
iO2膜32に成長した導電層34の顕微鏡写真を第３図
（ｂ）に、RHEEDの結果を示す写真を第４図（ｂ）に示
す。これらの写真から分るように、Ｎ型のGaNの上に
は、単結晶のGaNが成長しており、SiO2膜の上には多結
晶のGaNが成長している。そして、この多結晶のGaNは単
結晶のＩ型のGaNに比べ高い導電性を有し、導電層34と
なりＮ層31に対するリードとなる。 また、AlxGa1-xN系の発光ダイオードを形成するには、
Ｎ層31とＩ層33とを形成する場合に、第１反応管25から
TMAを所定割合で流せば良い。例えば、第１反応ガス管2
5からサファイア基板24の温度を1105℃に保持し、H2を3
l/分、NH3を2l/分、TMAを7.2×10-6モル／分、TMGを1.7
×10-5モル／分で供給し、第２反応ガス管26からDEZを
５×10-6モル／分で供給することより、Ｘ＝0.3のＩ型
のAlxGa1-xN系半導体薄膜が得られる。
１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置の
構成を示した断面図である。石英反応管21で囲われた反
応室20では、サセプタ22が操作棒23に支持されており、
そのサセプタ22は操作棒23によって位置の調整が行われ
る。また、サセプタ22の主面にはサファイア基板24が配
設されている。尚、８は高周波コイルであり、サファイ
ア基板24を加熱するためのものである。 一方、反応室20のガスの流入側には、第１反応ガス管25
と第２反応ガス管26とが配設されている。第１反応ガス
管25は第２反応ガス管26と同心状に、第２反応ガス管26
の内部に配設されている。その第１反応ガス管25は第１
マニホールド27に接続され、第２反応ガス管26は第２マ
ニホールド28に接続されている。そして、第１マニホー
ルド27にはNH3の供給系統Ｈとキャリアガスの供給系統
Ｉとトリメチルガリウム（以下「TNG」と記す）の供給
系統Ｊとトリメチルアルミニウム（以下「TMA」と記
す）の供給系統Ｋとが接続され、第２マニホールド28に
はキャリアガスの供給系統Ｉとジエチル亜鉛（以下「DE
Z」と記す）の供給系統Ｌとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管25の開口部
25aから、NH3とTMGとTMAとH2との混合ガスが反応室20に
流出し、第２反応ガス管26の開口部26aから、DEZとH2と
の混合ガスが反応室20に流出する。 Ｎ型のAlxGa1-xN薄膜を形成する場合には、第１反応ガ
ス管25だけから混合ガスを流出させれば良く、Ｉ型のAl
xGa1-xN薄膜を形成する場合には、第１反応ガス管25と
第２反応ガス管26とからそれぞれの混合ガスを流出させ
れば良い。Ｉ型のAlxGa1-xN薄膜を形成する場合には、
ドーパントガスであるDEZは第１反応ガス管25から流出
する反応ガスとサファイア基板24の近辺の反応室20aで
初めて混合されることになる。そして、DEZはサファイ
ア基板24に吹き付けられ熱分解し、ドーパント元素は成
長するAlxGa1-xNにドーピングされて、Ｉ型のAlxGa1-xN
が得られる。この場合、第１反応ガス管25と第２反応ガ
ス管26とで分離して、反応ガスとドーパントガスがサフ
ァイア基板24の付近の反応室25aまで導かれるので、従
来装置で生じるガスの導入管におけるDEZとTMG又はTMA
との反応が抑制されるため、良好なドーピングが行われ
る。 尚、サセプタ22の反応ガスの流れる方向Ｘに対する傾斜
角θは、45度に構成されている。このように傾斜させる
ことにより、サセプタ22をガス流に対し直角に構成した
場合に比べて良好な結晶が得られた。 次に本装置を用いて、第２図に示す構成の発光ダイオー
ドを作成する方法を説明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した（0001）面を
主面とする単結晶のサファイア基板24をサセプタ22に装
着する。次に、H2を0.3l/分で、第１反応ガス管25及び
第２反応ガス管26から反応室20に流しながら温度1100℃
でサファイア基板24を気相エッチングした。次に温度を
950℃まで低下させて、第１反応ガス管25からH2を3l/
分、NH3を2l/分、TMAを７×10-6モル／分で供給して１
分間熱処理し。この熱処理により、AlNのバッファ層30
が約0.1μｍの厚さに形成された。１分経過した時にTMA
の供給を停止して、サファイア基板24の温度を970℃に
保持し、第１反応ガス管25からH2を2.5l/分、NH3を1.5l
/分、TMGを1.7×10-5モル／分で60分間供給し、膜厚約
７μｍのＮ型のGaNから成るＮ層31を形成した。次に、
そのサファイア基板24を反応室20から取り出し、Ｎ層31
の主面にホトレジストを塗布して所定パターンのマスク
を使って露光した後エッチングを行って所定パターンの
ホトレジストを得た。次に、このホトレジストをマスク
にして膜厚100Å程度のSiO2膜32をパターン形成した。
その後、ホトレジストを除去しSiO2膜32のみがパターン
形成されたサファイア基板24を洗浄後、再度、サセプタ
22に装着し気相エッチングした。そして、サファイア基
板24の温度を970℃に保持し、第１反応ガス管25から
は、H2を2.5l/分、NH3を1.5l/分、TMGを1.7×10-5モル
／分供給し、第２反応ガス管26からは、DEZを５×10-6
モル／分で５分間供給して、Ｉ型のGaNから成るＩ層33
を膜厚1.0μｍに形成した。この時、GaNの露出している
部分は、単結晶のＩ型のGaNが成長しＩ層33が得られる
が、SiO2膜32の上部には多結晶のGaNから成る導電層34
が形成される。その後、反応室20からサファイア基板24
を取り出し、Ｉ層33と導電層34の上にアルミニウム電極
35、36を蒸着し、サファイア基板24を所定の大きさにカ
ッティングして発光ダイオードを形成した。この場合、
電極35はＩ層33の電極となり、電極36は導電層34と極め
て薄いSiO2膜32を介してＮ層31の電極となる。そして、
Ｉ層33をＮ層31に対し正電位とすることにより、接合面
から光が発光する。 Ｎ層31の上に成長したＩ層33の断面の顕微鏡写真を第３
図（ａ）に、高エネルギー電子線による反射回析法（RH
EED）の結果を示す写真を第４図（ａ）に示す。また、S
iO2膜32に成長した導電層34の顕微鏡写真を第３図
（ｂ）に、RHEEDの結果を示す写真を第４図（ｂ）に示
す。これらの写真から分るように、Ｎ型のGaNの上に
は、単結晶のGaNが成長しており、SiO2膜の上には多結
晶のGaNが成長している。そして、この多結晶のGaNは単
結晶のＩ型のGaNに比べ高い導電性を有し、導電層34と
なりＮ層31に対するリードとなる。 また、AlxGa1-xN系の発光ダイオードを形成するには、
Ｎ層31とＩ層33とを形成する場合に、第１反応管25から
TMAを所定割合で流せば良い。例えば、第１反応ガス管2
5からサファイア基板24の温度を1105℃に保持し、H2を3
l/分、NH3を2l/分、TMAを7.2×10-6モル／分、TMGを1.7
×10-5モル／分で供給し、第２反応ガス管26からDEZを
５×10-6モル／分で供給することより、Ｘ＝0.3のＩ型
のAlxGa1-xN系半導体薄膜が得られる。
本発明はＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体のサファイ
ア基板上にバッファ層を成長させて、そのバッファ層の
上にＮ層を形成し、そのＮ層の主面に電流が流れる程度
に極めて薄い二酸化シリコン薄膜をパターン成形した
後、二酸化シリコン薄膜をマスクにしてＩ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体を選択成長させて単結晶のＩ層と、
二酸化シリコン薄膜上に非単結晶の導電層を形成してい
る。従って、Ｎ層からの電流は極めて薄い二酸化シリン
コ膜を通過し、導電層へと流れる。よって、導電層の表
面と、Ｉ層の表面とに、それぞれ、接合する電極を形成
することが可能となり、電極を同一面に形成することが
でき発光素子の製造が簡単になるという効果を有してい
る。
ア基板上にバッファ層を成長させて、そのバッファ層の
上にＮ層を形成し、そのＮ層の主面に電流が流れる程度
に極めて薄い二酸化シリコン薄膜をパターン成形した
後、二酸化シリコン薄膜をマスクにしてＩ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体を選択成長させて単結晶のＩ層と、
二酸化シリコン薄膜上に非単結晶の導電層を形成してい
る。従って、Ｎ層からの電流は極めて薄い二酸化シリン
コ膜を通過し、導電層へと流れる。よって、導電層の表
面と、Ｉ層の表面とに、それぞれ、接合する電極を形成
することが可能となり、電極を同一面に形成することが
でき発光素子の製造が簡単になるという効果を有してい
る。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置
の構成を示した構成図。第２図はその装置で製造される
発光ダイオードの構成を示した構成図。第３図はＮ層及
びSiO2膜上に成長したGaNの層の顕微鏡による結晶の構
造を示した写真。第４図はＮ層及びSiO2膜上に成長した
GaNの層のRHEEDによる結晶の構造を示した写真。第５図
は従来の発光素子の構造を示した構成図である。 20…反応室、21…石英反応管、22…サセプタ、23…制御
棒、24…サファイア基板、25…第１反応ガス管、26…第
２反応ガス管、27…第１マニホールド、28…第２マニホ
ールド、30…バッファ層、31…Ｎ層、32…SiO2膜、33…
Ｉ層、34…導電層、35、36…電極、Ｈ…NH3の供給系
統、Ｉ…キャリアガスの供給系統、Ｊ…TMGの供給系
統、Ｋ…TMAの供給系統、Ｌ…DEZの供給系統
の構成を示した構成図。第２図はその装置で製造される
発光ダイオードの構成を示した構成図。第３図はＮ層及
びSiO2膜上に成長したGaNの層の顕微鏡による結晶の構
造を示した写真。第４図はＮ層及びSiO2膜上に成長した
GaNの層のRHEEDによる結晶の構造を示した写真。第５図
は従来の発光素子の構造を示した構成図である。 20…反応室、21…石英反応管、22…サセプタ、23…制御
棒、24…サファイア基板、25…第１反応ガス管、26…第
２反応ガス管、27…第１マニホールド、28…第２マニホ
ールド、30…バッファ層、31…Ｎ層、32…SiO2膜、33…
Ｉ層、34…導電層、35、36…電極、Ｈ…NH3の供給系
統、Ｉ…キャリアガスの供給系統、Ｊ…TMGの供給系
統、Ｋ…TMAの供給系統、Ｌ…DEZの供給系統
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市千種区不老町（番地なし) 名古屋大学内 (72)発明者 平松 和政 愛知県名古屋市千種区不老町（番地なし) 名古屋大学内 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市千種区不老町（番地なし) 名古屋大学内 (56)参考文献 特公 昭61−38875（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−16758（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】サファイア基板と、 前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されたＮ型の窒化ガリウム系化
合物半導体（AlxGa1-xN;X＝０を含む）からなるＮ層
と、 前記Ｎ層の主面に電流が通過できる程度に極めて薄くパ
ターン形成された二酸化シリコン（SiO2）薄膜と、 前記二酸化シリコン薄膜がパターン形成された前記Ｎ層
の上に不純物をドープして選択成長され、該Ｎ層に接合
するＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（AlxGa1-xN;X
＝０を含む）からなるＩ層と、 前記二酸化シリコン薄膜の上に前記Ｉ層の成長と同時に
形成され、該二酸化シリコン薄膜に接合する非単結晶の
導電層と、 前記Ｉ層と前記導電層の表面に、それぞれ、接合する電
極層と を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】前記二酸化シリコン薄膜の厚さは約100Å
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112487A JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP91113265A EP0460710B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group compound semiconductor and luminous element comprising it and the process of producing the same |
| DE3850582T DE3850582T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| EP88101267A EP0277597B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group semiconductor light emitting diode and the process of producing the same |
| DE3852402T DE3852402T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Galliumnitridartige Halbleiterverbindung und daraus bestehende lichtemittierende Vorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| US07/811,899 US5218216A (en) | 1987-01-31 | 1991-12-20 | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112487A JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188977A JPS63188977A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH079999B2 true JPH079999B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=12046136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112487A Expired - Lifetime JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079999B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3140751B2 (ja) * | 1988-09-16 | 2001-03-05 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2733518B2 (ja) * | 1989-04-29 | 1998-03-30 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
| US5278433A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6830992B1 (en) | 1990-02-28 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
| CA2037198C (en) | 1990-02-28 | 1996-04-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| EP0579897B1 (en) * | 1992-07-23 | 2003-10-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| JP2002251952A (ja) | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Jst Mfg Co Ltd | ヒューズホルダー |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016758A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Canon Inc | 密着型イメ−ジセンサ |
| DE3427614A1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-30 | Hilti Ag, Schaan | Eintreibgeraet fuer naegel und dergleichen befestigungselemente |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP2112487A patent/JPH079999B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US7616672B2 (en) | 1994-09-14 | 2009-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63188977A (ja) | 1988-08-04 |
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