JPH08100255A - 薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材 - Google Patents
薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材Info
- Publication number
- JPH08100255A JPH08100255A JP26122994A JP26122994A JPH08100255A JP H08100255 A JPH08100255 A JP H08100255A JP 26122994 A JP26122994 A JP 26122994A JP 26122994 A JP26122994 A JP 26122994A JP H08100255 A JPH08100255 A JP H08100255A
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- Japan
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- thin film
- target material
- grain size
- sputtering target
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクル数が少なく、かつ合金成分含有
量の経時的バラツキが小さい薄膜の形成が可能な薄膜ト
ランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材を
提供する。 【構成】 スパッタリングターゲット材が、Ｎｂ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｐｔ、およびＷからなる合金成分の
うちの１種または２種以上：１〜２０重量％を含有し、
残りがＡｌと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒
径：３０μｍ以下のＡｌと上記合金成分との金属間化合
物が素地に分散し、かつ素地の平均結晶粒径が３０μｍ
以下の再結晶組織を有する。
量の経時的バラツキが小さい薄膜の形成が可能な薄膜ト
ランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材を
提供する。 【構成】 スパッタリングターゲット材が、Ｎｂ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｐｔ、およびＷからなる合金成分の
うちの１種または２種以上：１〜２０重量％を含有し、
残りがＡｌと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒
径：３０μｍ以下のＡｌと上記合金成分との金属間化合
物が素地に分散し、かつ素地の平均結晶粒径が３０μｍ
以下の再結晶組織を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜トランジスタの
薄膜をスパッタリング法により形成するに際して、パー
ティクルの発生数が少なく、かつ合金成分含有量の経時
的バラツキも小さい薄膜の形成が可能なターゲット材に
関するものである。
薄膜をスパッタリング法により形成するに際して、パー
ティクルの発生数が少なく、かつ合金成分含有量の経時
的バラツキも小さい薄膜の形成が可能なターゲット材に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に、例えば特開平４−９９１
７１号公報、特開平６−２５７７３号公報、および特開
平４−３２３８７１号公報に記載されるように、薄膜ト
ランジスタの薄膜をスパッタリング法により形成するに
際して、ターゲット材として、Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｎｉ，Ｐｔ、およびＷからなる合金成分のうちの１種ま
たは２種以上：１〜２０重量％を含有し、残りがＡｌと
不可避不純物からなる組成を有するターゲット材が用い
られ、このターゲット材が、前記組成のＡｌ合金を真空
溶解し、水冷鋳型に鋳造してインゴットとし、このイン
ゴットを切削などにて所定形状の板材に加工することに
より製造されることは良く知られるところである。
７１号公報、特開平６−２５７７３号公報、および特開
平４−３２３８７１号公報に記載されるように、薄膜ト
ランジスタの薄膜をスパッタリング法により形成するに
際して、ターゲット材として、Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｎｉ，Ｐｔ、およびＷからなる合金成分のうちの１種ま
たは２種以上：１〜２０重量％を含有し、残りがＡｌと
不可避不純物からなる組成を有するターゲット材が用い
られ、このターゲット材が、前記組成のＡｌ合金を真空
溶解し、水冷鋳型に鋳造してインゴットとし、このイン
ゴットを切削などにて所定形状の板材に加工することに
より製造されることは良く知られるところである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年のスパッタ
リング技術の進歩はめざましく、これに伴ない、成膜速
度は高速化し、かつ成膜面積は拡大化する方向にある
が、上記の従来ターゲット材は、Ａｌと合金成分で構成
される金属間化合物の粒径が２０〜１００μｍの範囲に
亘ってバラツキ、素地の結晶粒径も粗く、不均一であ
り、さらにピンホールや樹脂状組織も残存する鋳造組織
をもつものであることから、これを高速成膜および拡大
成膜面積の条件下で使用すると、前記鋳造組織が原因
で、成膜中にパーティクルが発生し易くなるばかりでな
く、成膜中の合金成分含有量が経時的にバラツクように
なるのを避けることができないのが現状である。
リング技術の進歩はめざましく、これに伴ない、成膜速
度は高速化し、かつ成膜面積は拡大化する方向にある
が、上記の従来ターゲット材は、Ａｌと合金成分で構成
される金属間化合物の粒径が２０〜１００μｍの範囲に
亘ってバラツキ、素地の結晶粒径も粗く、不均一であ
り、さらにピンホールや樹脂状組織も残存する鋳造組織
をもつものであることから、これを高速成膜および拡大
成膜面積の条件下で使用すると、前記鋳造組織が原因
で、成膜中にパーティクルが発生し易くなるばかりでな
く、成膜中の合金成分含有量が経時的にバラツクように
なるのを避けることができないのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような従来ターゲット材のもつ問題点を解決すべ
く研究を行なった結果、上記従来ターゲット材と同じ組
成のＡｌ合金インゴットに熱間圧延を施して所定形状の
板材とし、ついで前記板材に再結晶化熱処理を施すと、
この結果の板材においては、前記熱間圧延によって素地
に分散する金属間化合物が微細整粒化されて、平均粒径
で３０μｍ以下となるばかりでなく、樹枝状組織が破壊
され、かつピンホールも消滅し、さらに前記再結晶化熱
処理によって素地の結晶粒が整粒にして、平均粒径で３
０μｍ以下の細粒となることから、これをスパッタリン
グターゲット材として用いると、薄膜中のパーティクル
数が激減すると共に、成膜中の合金成分含有量の経時的
バラツキが著しく小さなものとなるという研究結果を得
たのである。
上述のような従来ターゲット材のもつ問題点を解決すべ
く研究を行なった結果、上記従来ターゲット材と同じ組
成のＡｌ合金インゴットに熱間圧延を施して所定形状の
板材とし、ついで前記板材に再結晶化熱処理を施すと、
この結果の板材においては、前記熱間圧延によって素地
に分散する金属間化合物が微細整粒化されて、平均粒径
で３０μｍ以下となるばかりでなく、樹枝状組織が破壊
され、かつピンホールも消滅し、さらに前記再結晶化熱
処理によって素地の結晶粒が整粒にして、平均粒径で３
０μｍ以下の細粒となることから、これをスパッタリン
グターゲット材として用いると、薄膜中のパーティクル
数が激減すると共に、成膜中の合金成分含有量の経時的
バラツキが著しく小さなものとなるという研究結果を得
たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，
Ｐｔ、およびＷからなる合金成分のうちの１種または２
種以上：１〜２０重量％を含有し、残りがＡｌと不可避
不純物からなる組成、並びに平均粒径：３０μｍ以下の
Ａｌと前記合金成分との金属間化合物が素地に分散し、
かつ素地の平均結晶粒径が３０μｍ以下の再結晶組織を
有する、薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリング
ターゲット材に特徴を有するものである。
なされたものであって、Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，
Ｐｔ、およびＷからなる合金成分のうちの１種または２
種以上：１〜２０重量％を含有し、残りがＡｌと不可避
不純物からなる組成、並びに平均粒径：３０μｍ以下の
Ａｌと前記合金成分との金属間化合物が素地に分散し、
かつ素地の平均結晶粒径が３０μｍ以下の再結晶組織を
有する、薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリング
ターゲット材に特徴を有するものである。
【０００６】なお、この発明のターゲット材において、
合金成分の含有量を１〜２０重量％と定めたのは、その
含有量が１重量％未満では、合金成分によって薄膜にも
たらされる耐ストレスマイグレーション性および耐食性
の向上に所望の効果が得られず、一方その含有量が２０
重量％を越えると、薄膜の電気抵抗が急激に増大するよ
うになるという理由によるものであり、また、金属間化
合物の平均粒径に関し、熱間圧延を金属間化合物の平均
粒径が３０μｍ以下になるまで行なわないと、ピンホー
ルの消滅および樹枝状組織の破壊が不十分であることと
相まって、成膜中のパーティクルの発生および合金成分
の経時的バラツキを抑制することができず、このことは
素地の平均結晶粒径が３０μｍを越えた場合にも同じく
見られることから、金属間化合物の平均粒径および素地
の平均結晶粒径をそれぞれ３０μｍ以下と定めたのであ
る。
合金成分の含有量を１〜２０重量％と定めたのは、その
含有量が１重量％未満では、合金成分によって薄膜にも
たらされる耐ストレスマイグレーション性および耐食性
の向上に所望の効果が得られず、一方その含有量が２０
重量％を越えると、薄膜の電気抵抗が急激に増大するよ
うになるという理由によるものであり、また、金属間化
合物の平均粒径に関し、熱間圧延を金属間化合物の平均
粒径が３０μｍ以下になるまで行なわないと、ピンホー
ルの消滅および樹枝状組織の破壊が不十分であることと
相まって、成膜中のパーティクルの発生および合金成分
の経時的バラツキを抑制することができず、このことは
素地の平均結晶粒径が３０μｍを越えた場合にも同じく
見られることから、金属間化合物の平均粒径および素地
の平均結晶粒径をそれぞれ３０μｍ以下と定めたのであ
る。
【０００７】
【実施例】つぎに、この発明のスパッタリングターゲッ
ト材を実施例により具体的に説明する。真空度を１×１
０-4torr以下とした真空溶解炉で表１〜３に示される組
成のＡｌ合金溶湯を溶製し、鉄製鋳型に鋳造して平面寸
法：２００mm×２００mm、厚さ：４０mmのインゴットと
し、このインゴットに、大気中、５５０〜６００℃の範
囲内の所定温度に加熱後、５パスの圧延を１サイクルと
し、これを３回繰り返す熱間圧延を施して、厚さ：８mm
の圧延板とし、引続いてこの圧延板に、大気中、４５０
〜６００℃の範囲内の所定温度に１時間保持の再結晶化
熱処理を施し、最終的に切削加工にて幅：３００mm×厚
さ：５mm×長さ：６００mmの寸法に仕上げることにより
本発明ターゲット材１〜３０をそれぞれ製造した。ま
た、比較の目的で、表４に示される通り、水冷銅鋳型を
用いてインゴットとし、このインゴットの寸法を幅：３
１５mm×厚さ：８mm×長さ：６２０mmとすると共に、熱
間圧延および再結晶化熱処理を行なわずに、前記インゴ
ットを最終寸法に仕上げる以外は同一の条件で従来ター
ゲット材１〜１０をそれぞれ製造した。
ト材を実施例により具体的に説明する。真空度を１×１
０-4torr以下とした真空溶解炉で表１〜３に示される組
成のＡｌ合金溶湯を溶製し、鉄製鋳型に鋳造して平面寸
法：２００mm×２００mm、厚さ：４０mmのインゴットと
し、このインゴットに、大気中、５５０〜６００℃の範
囲内の所定温度に加熱後、５パスの圧延を１サイクルと
し、これを３回繰り返す熱間圧延を施して、厚さ：８mm
の圧延板とし、引続いてこの圧延板に、大気中、４５０
〜６００℃の範囲内の所定温度に１時間保持の再結晶化
熱処理を施し、最終的に切削加工にて幅：３００mm×厚
さ：５mm×長さ：６００mmの寸法に仕上げることにより
本発明ターゲット材１〜３０をそれぞれ製造した。ま
た、比較の目的で、表４に示される通り、水冷銅鋳型を
用いてインゴットとし、このインゴットの寸法を幅：３
１５mm×厚さ：８mm×長さ：６２０mmとすると共に、熱
間圧延および再結晶化熱処理を行なわずに、前記インゴ
ットを最終寸法に仕上げる以外は同一の条件で従来ター
ゲット材１〜１０をそれぞれ製造した。
【０００８】ついで、この結果得られた各種のターゲッ
ト材について、それぞれのターゲット材の任意５ヶ所の
組織を観察し、金属間化合物と素地の結晶粒の最大粒径
と最小粒径を測定し、さらに平均粒径も求めた。これら
の結果を表５〜８に示した。また、これらの各種のター
ゲット材を、それぞれ純Ｉｎはんだを用い、大気中、温
度：１８０℃に２０分間保持の条件で無酸素銅製バッキ
ングプレートにはんだ付けした状態で、直流マグネトロ
ンスパッタリング装置に装入し、真空度：２×１０-4to
rrを保持しながら、５ml／min のＡｒ気流中、１０ＫＷ
の出力でスパッタリングを行ない、直径：１００mmのガ
ラス基板表面への厚さ：１５００オングストロームの薄
膜形成を１０回行なった。この結果得られた１０枚の薄
膜のそれぞれについて、パーティクルカウンタを用い、
直径：０．５μｍ以上の粗大パーティクル数を測定し、
さらに薄膜中心部の合金成分含有量を測定した。この測
定結果を表５〜８に平均値で示すと共に、合金成分含有
量については最高値および最低値も示した。
ト材について、それぞれのターゲット材の任意５ヶ所の
組織を観察し、金属間化合物と素地の結晶粒の最大粒径
と最小粒径を測定し、さらに平均粒径も求めた。これら
の結果を表５〜８に示した。また、これらの各種のター
ゲット材を、それぞれ純Ｉｎはんだを用い、大気中、温
度：１８０℃に２０分間保持の条件で無酸素銅製バッキ
ングプレートにはんだ付けした状態で、直流マグネトロ
ンスパッタリング装置に装入し、真空度：２×１０-4to
rrを保持しながら、５ml／min のＡｒ気流中、１０ＫＷ
の出力でスパッタリングを行ない、直径：１００mmのガ
ラス基板表面への厚さ：１５００オングストロームの薄
膜形成を１０回行なった。この結果得られた１０枚の薄
膜のそれぞれについて、パーティクルカウンタを用い、
直径：０．５μｍ以上の粗大パーティクル数を測定し、
さらに薄膜中心部の合金成分含有量を測定した。この測
定結果を表５〜８に平均値で示すと共に、合金成分含有
量については最高値および最低値も示した。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】
【表３】
【００１２】
【表４】
【００１３】
【表５】
【００１４】
【表６】
【００１５】
【表７】
【００１６】
【表８】
【００１７】
【発明の効果】表１〜８に示される結果から、本発明タ
ーゲット材１〜３０は、いずれも金属間化合物および素
地の結晶粒が平均粒径で３０μｍ以下の微細組織を有
し、かつピンホールや樹枝状組織がほとんど存在しない
ことから、スパッタ中に異常放電が発生することもな
く、成膜面積が上記の通り大きいにもかかわらず、パー
ティクル数がきわめて少なく、合金成分含有量の経時的
バラツキも著しく小さい薄膜を形成することができるの
に対して、従来ターゲット材１〜１０では、金属間化合
物および素地の結晶粒が相対的に粗粒で、粒径のパラツ
キも大きく、さらに鋳造組織をもつことから、ピンホー
ルおよび樹枝状組織が存在し、これらが原因でスパッタ
中に異常放電が発生するのが避けられず、このため形成
された薄膜中にはパーティクルが多く発生し、かつ合金
成分含有量の経時的バラツキも相対的に大きなものとな
ることが明らかである。上述のように、この発明のスパ
ッタリングターゲット材によれば、広い成膜面積は勿論
のこと、高速成膜でもパーティクル発生がきわめて少な
く、かつ合金成分含有量の経時的バラツキの著しく小さ
い薄膜を形成することができるなど工業上有用な効果が
もたらされるのである。
ーゲット材１〜３０は、いずれも金属間化合物および素
地の結晶粒が平均粒径で３０μｍ以下の微細組織を有
し、かつピンホールや樹枝状組織がほとんど存在しない
ことから、スパッタ中に異常放電が発生することもな
く、成膜面積が上記の通り大きいにもかかわらず、パー
ティクル数がきわめて少なく、合金成分含有量の経時的
バラツキも著しく小さい薄膜を形成することができるの
に対して、従来ターゲット材１〜１０では、金属間化合
物および素地の結晶粒が相対的に粗粒で、粒径のパラツ
キも大きく、さらに鋳造組織をもつことから、ピンホー
ルおよび樹枝状組織が存在し、これらが原因でスパッタ
中に異常放電が発生するのが避けられず、このため形成
された薄膜中にはパーティクルが多く発生し、かつ合金
成分含有量の経時的バラツキも相対的に大きなものとな
ることが明らかである。上述のように、この発明のスパ
ッタリングターゲット材によれば、広い成膜面積は勿論
のこと、高速成膜でもパーティクル発生がきわめて少な
く、かつ合金成分含有量の経時的バラツキの著しく小さ
い薄膜を形成することができるなど工業上有用な効果が
もたらされるのである。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｐｔ、お
よびＷからなる合金成分のうちの１種または２種以上：
１〜２０重量％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物
からなる組成、並びに平均粒径：３０μｍ以下のＡｌと
前記合金成分との金属間化合物が素地に分散し、かつ素
地の平均結晶粒径が３０μｍ以下の再結晶組織を有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッ
タリングターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26122994A JPH08100255A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26122994A JPH08100255A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08100255A true JPH08100255A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17358941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26122994A Pending JPH08100255A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08100255A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10330927A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-15 | Riyouka Massey Kk | アルミニウム合金製スパッタリングターゲット材 |
| EP1247872A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-10-09 | Solar Applied Material Technology Corp. | Method for producing metal sputtering target |
| US6723187B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-20 | Honeywell International Inc. | Methods of fabricating articles and sputtering targets |
| WO2004109829A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Symyx Technologies, Inc. | Platinum-titanium-tungsten fuel cell catalyst |
| US7017382B2 (en) | 2000-03-28 | 2006-03-28 | Honeywell International Inc. | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions |
| WO2007072732A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Pioneer Corporation | 多結晶アルミニウム薄膜及び光記録媒体 |
| US7422994B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-09-09 | Symyx Technologies, Inc. | Platinum-copper-tungsten fuel cell catalyst |
| US7700521B2 (en) | 2003-08-18 | 2010-04-20 | Symyx Solutions, Inc. | Platinum-copper fuel cell catalyst |
| JP2012072459A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP26122994A patent/JPH08100255A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10330927A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-15 | Riyouka Massey Kk | アルミニウム合金製スパッタリングターゲット材 |
| US6723187B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-20 | Honeywell International Inc. | Methods of fabricating articles and sputtering targets |
| US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
| US7017382B2 (en) | 2000-03-28 | 2006-03-28 | Honeywell International Inc. | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions |
| EP1247872A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-10-09 | Solar Applied Material Technology Corp. | Method for producing metal sputtering target |
| US7608560B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-10-27 | Symyx Technologies, Inc. | Platinum-titanium-tungsten fuel cell catalyst |
| WO2004109829A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Symyx Technologies, Inc. | Platinum-titanium-tungsten fuel cell catalyst |
| US7700521B2 (en) | 2003-08-18 | 2010-04-20 | Symyx Solutions, Inc. | Platinum-copper fuel cell catalyst |
| US7422994B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-09-09 | Symyx Technologies, Inc. | Platinum-copper-tungsten fuel cell catalyst |
| JPWO2007072732A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2009-05-28 | パイオニア株式会社 | 多結晶アルミニウム薄膜及び光記録媒体 |
| WO2007072732A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Pioneer Corporation | 多結晶アルミニウム薄膜及び光記録媒体 |
| US7790064B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-07 | Pioneer Corporation | Polycrystalline aluminum thin film and optical recording medium |
| JP4559490B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2010-10-06 | パイオニア株式会社 | 光記録媒体 |
| US7897065B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-03-01 | Pioneer Corporation | Polycrystalline aluminum thin film and optical recording medium |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
| JP2012072459A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011106 |