JPH08102264A - 進行波管の遅波回路構体 - Google Patents
進行波管の遅波回路構体Info
- Publication number
- JPH08102264A JPH08102264A JP23725794A JP23725794A JPH08102264A JP H08102264 A JPH08102264 A JP H08102264A JP 23725794 A JP23725794 A JP 23725794A JP 23725794 A JP23725794 A JP 23725794A JP H08102264 A JPH08102264 A JP H08102264A
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- JP
- Japan
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- slow
- traveling
- circuit structure
- wave
- cavities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、なだらかなマイクロ波吸収特性が
得られ、進行波管の増幅動作特性を安定化させることが
出来る進行波管の遅波回路構体を提供することを目的と
する。 【構成】この発明の進行波管の遅波回路構体は、複数の
空胴１が結合され、この複数の空胴のうち一部の空胴内
に集中型の減衰器６ａ、６ｂが設けられてなり、且つ減
衰器の前後のそれぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅
波回路構成部材に、マイクロ波吸収被膜７ａ、７ｂが形
成されてなることにより、上記の目的を達成することが
出来る。
得られ、進行波管の増幅動作特性を安定化させることが
出来る進行波管の遅波回路構体を提供することを目的と
する。 【構成】この発明の進行波管の遅波回路構体は、複数の
空胴１が結合され、この複数の空胴のうち一部の空胴内
に集中型の減衰器６ａ、６ｂが設けられてなり、且つ減
衰器の前後のそれぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅
波回路構成部材に、マイクロ波吸収被膜７ａ、７ｂが形
成されてなることにより、上記の目的を達成することが
出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は進行波管の遅波回路構
体に係り、特にその減衰器付近の改良に関する。
体に係り、特にその減衰器付近の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、空胴結合型の進行波管は、電子
ビ−ムを放出する電子銃部，電子ビ−ムと電磁波を相互
作用させる遅波回路構体，相互作用の終った電子ビ−ム
を捕捉するコレクタ部が順次連結されてなっている。そ
して、遅波回路構体は、従来、図２に示すように構成さ
れ、複数の空胴１がフェル−ル２の結合孔３により結合
され、これら空胴１の外側に真空容器となるポ−ルピ−
ス４およびスペ−サ５が嵌合されている。更に、複数の
空胴１のうち一部の空胴１ａ、１ｂ内に、主にＳｉＣか
らなる集中型の減衰器６ａ、６ｂが設けられている。こ
の減衰器６ａ、６ｂは出力側からの電磁波の帰還を防
ぎ、発振を防止するために配設されている。
ビ−ムを放出する電子銃部，電子ビ−ムと電磁波を相互
作用させる遅波回路構体，相互作用の終った電子ビ−ム
を捕捉するコレクタ部が順次連結されてなっている。そ
して、遅波回路構体は、従来、図２に示すように構成さ
れ、複数の空胴１がフェル−ル２の結合孔３により結合
され、これら空胴１の外側に真空容器となるポ−ルピ−
ス４およびスペ−サ５が嵌合されている。更に、複数の
空胴１のうち一部の空胴１ａ、１ｂ内に、主にＳｉＣか
らなる集中型の減衰器６ａ、６ｂが設けられている。こ
の減衰器６ａ、６ｂは出力側からの電磁波の帰還を防
ぎ、発振を防止するために配設されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】集中型の減衰器６ａ、
６ｂの両側に遅波回路がありマイクロ波の増幅に寄与し
ているが、上記のような従来の構造では、集中型の減衰
器の所で電気特性が急激に変化するため、最悪の場合、
変化点において発熱し、その結果、進行波管の特性が不
安定になる恐れがある。
６ｂの両側に遅波回路がありマイクロ波の増幅に寄与し
ているが、上記のような従来の構造では、集中型の減衰
器の所で電気特性が急激に変化するため、最悪の場合、
変化点において発熱し、その結果、進行波管の特性が不
安定になる恐れがある。
【０００４】この発明は、上記の点に鑑みてなされたも
ので、集中型減衰器の前後でなだらかなマイクロ波吸収
特性が得られ、進行波管の増幅動作特性を安定化させる
ことが出来る進行波管の遅波回路構体を提供することを
目的とする。
ので、集中型減衰器の前後でなだらかなマイクロ波吸収
特性が得られ、進行波管の増幅動作特性を安定化させる
ことが出来る進行波管の遅波回路構体を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数の空胴
が結合され、この複数の空胴のうち一部の空胴内に集中
型の減衰器が設けられてなり、更にこの減衰器の前後の
それぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅波回路構成部
材に、マイクロ波吸収被膜が形成されてなる進行波管の
遅波回路構体である。
が結合され、この複数の空胴のうち一部の空胴内に集中
型の減衰器が設けられてなり、更にこの減衰器の前後の
それぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅波回路構成部
材に、マイクロ波吸収被膜が形成されてなる進行波管の
遅波回路構体である。
【０００６】
【作用】この発明によれば、集中型減衰器の前後でなだ
らかなマイクロ波吸収特性が得られる結果、遅波回路の
途中での反射波発生が抑えられ、進行波管の増幅動作特
性を安定化させることが出来る。
らかなマイクロ波吸収特性が得られる結果、遅波回路の
途中での反射波発生が抑えられ、進行波管の増幅動作特
性を安定化させることが出来る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。この発明による空胴結合型の進行波
管の遅波回路構体は図１に示すように構成され、従来例
（図２）と同一箇所は同一符号を付すことにする。即
ち、結合孔３を有する複数のフェル−ル２を所定間隔で
軸方向に配置することにより、複数の空胴１が結合され
ている。これらの空胴１の外側には、磁性体のポ−ルピ
−ス４と非磁性体のスペ−サ５が１つおきに嵌合され、
これらは真空容器を兼用している。更に、複数の空胴１
のうち一部の空胴１ａ，１ｂ内には集中型の減衰器６
ａ、６ｂが設けられている。そして、この集中型減衰器
６ａ、６ｂの前後の空胴１ｃ、１ｄ内壁に、それぞれマ
イクロ波吸収被膜例えばニッケルめっき被膜７ａ，７ｂ
が形成されている。このマイクロ波吸収被膜の形成は、
空胴１内壁に限らず、他の遅波回路構成部材に形成して
も良い。各ポ−ルピ−ス４間には、磁石（図示せず）が
配設される。
を詳細に説明する。この発明による空胴結合型の進行波
管の遅波回路構体は図１に示すように構成され、従来例
（図２）と同一箇所は同一符号を付すことにする。即
ち、結合孔３を有する複数のフェル−ル２を所定間隔で
軸方向に配置することにより、複数の空胴１が結合され
ている。これらの空胴１の外側には、磁性体のポ−ルピ
−ス４と非磁性体のスペ−サ５が１つおきに嵌合され、
これらは真空容器を兼用している。更に、複数の空胴１
のうち一部の空胴１ａ，１ｂ内には集中型の減衰器６
ａ、６ｂが設けられている。そして、この集中型減衰器
６ａ、６ｂの前後の空胴１ｃ、１ｄ内壁に、それぞれマ
イクロ波吸収被膜例えばニッケルめっき被膜７ａ，７ｂ
が形成されている。このマイクロ波吸収被膜の形成は、
空胴１内壁に限らず、他の遅波回路構成部材に形成して
も良い。各ポ−ルピ−ス４間には、磁石（図示せず）が
配設される。
【０００８】このようにニッケルめっき被膜７ａ，７ｂ
が形成された結果、この部分での電圧定在波比（ＶＳＷ
Ｒ）を小さくすることが出来、反射を低減させることが
出来る。
が形成された結果、この部分での電圧定在波比（ＶＳＷ
Ｒ）を小さくすることが出来、反射を低減させることが
出来る。
【０００９】尚、上記実施例では、集中型の減衰器６
ａ、６ｂの両側の各１個の空胴内壁にニッケルめっき被
膜を形成したが、両側のそれぞれ複数個の空胴内壁に形
成しても良い。この場合、材料や厚さを変えることによ
り、マイクロ波吸収量およびその分布を異ならせても良
い。
ａ、６ｂの両側の各１個の空胴内壁にニッケルめっき被
膜を形成したが、両側のそれぞれ複数個の空胴内壁に形
成しても良い。この場合、材料や厚さを変えることによ
り、マイクロ波吸収量およびその分布を異ならせても良
い。
【００１０】又、フェル−ルが周期磁界装置のポ−ルピ
−スを兼ねる構造のものにも、この発明は適用出来る。
更に、空胴結合型の進行波管だけでなく、ヘリックス型
の進行波管にも適用出来る。
−スを兼ねる構造のものにも、この発明は適用出来る。
更に、空胴結合型の進行波管だけでなく、ヘリックス型
の進行波管にも適用出来る。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、集中型減衰器の前後
のそれぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅波回路構成
部材に、マイクロ波吸収被膜が形成されているので、な
だらかなマイクロ波吸収特性が得られる。この結果、遅
波回路の途中での反射波発生が抑えられ、進行波管の増
幅動作特性を安定化させることが出来る。
のそれぞれ少なくとも１個の空胴内壁又は遅波回路構成
部材に、マイクロ波吸収被膜が形成されているので、な
だらかなマイクロ波吸収特性が得られる。この結果、遅
波回路の途中での反射波発生が抑えられ、進行波管の増
幅動作特性を安定化させることが出来る。
【図１】この発明の一実施例に係る進行波管の遅波回路
構体を示す概略断面図。
構体を示す概略断面図。
【図２】従来の進行波管の遅波回路構体を示す概略断面
図。
図。
１…空胴、２…フェル−ル、３…結合孔、４…ポ−ルピ
−ス、５…スペ−サ、６ａ、６ｂ…減衰器、７ａ、７ｂ
…ニッケルめっき被膜（マイクロ波吸収被膜）。
−ス、５…スペ−サ、６ａ、６ｂ…減衰器、７ａ、７ｂ
…ニッケルめっき被膜（マイクロ波吸収被膜）。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の空胴が結合され、該複数の空胴の
うち一部の空胴内に集中型の減衰器が設けられてなる進
行波管の遅波回路構体において、 上記減衰器の前後のそれぞれ少なくとも１個の空胴内壁
又は遅波回路構成部材に、マイクロ波吸収被膜が形成さ
れてなることを特徴とする進行波管の遅波回路構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23725794A JPH08102264A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 進行波管の遅波回路構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23725794A JPH08102264A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 進行波管の遅波回路構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102264A true JPH08102264A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17012732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23725794A Pending JPH08102264A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 進行波管の遅波回路構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102264A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523181A (ja) * | 2008-06-05 | 2011-08-04 | イノシス，インコーポレーテッド | 結合空洞進行波管 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23725794A patent/JPH08102264A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523181A (ja) * | 2008-06-05 | 2011-08-04 | イノシス，インコーポレーテッド | 結合空洞進行波管 |
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