JPH08102371A - ランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写装置 - Google Patents
ランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写装置Info
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- JPH08102371A JPH08102371A JP6235774A JP23577494A JPH08102371A JP H08102371 A JPH08102371 A JP H08102371A JP 6235774 A JP6235774 A JP 6235774A JP 23577494 A JP23577494 A JP 23577494A JP H08102371 A JPH08102371 A JP H08102371A
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- lamp
- lighting device
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- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ランプの立上がり特性を低下させずに突入電
流を防止する複写装置を提供する。 【構成】 電流検出回路22で可変抵抗R1に流れるランプ
電流を検出するとともに、制御回路23ではこの電流検出
回路22および可変抵抗R1の電圧値に基づき、制御回路23
により電界効果トランジスタQ1を制御する。可変抵抗R1
に突入電流が生じた場合には、制御回路23により降圧チ
ョッパ回路21の電圧を低下させる。通常時にはランプ電
流をモニタして制御回路23によりランプ電流を一定に電
界効果トランジスタQ1を制御して、ハロゲンランプILの
光出力を一定にする。可変抵抗R1の抵抗値をハロゲンラ
ンプILの抵抗値の５％より小さくした場合には突入電流
を十分に低下させることができず、抵抗値を１５％より
大きくした場合には立上がり特性が低下するとともに回
路効率が低下するため、５％〜１５％の範囲内とした。
流を防止する複写装置を提供する。 【構成】 電流検出回路22で可変抵抗R1に流れるランプ
電流を検出するとともに、制御回路23ではこの電流検出
回路22および可変抵抗R1の電圧値に基づき、制御回路23
により電界効果トランジスタQ1を制御する。可変抵抗R1
に突入電流が生じた場合には、制御回路23により降圧チ
ョッパ回路21の電圧を低下させる。通常時にはランプ電
流をモニタして制御回路23によりランプ電流を一定に電
界効果トランジスタQ1を制御して、ハロゲンランプILの
光出力を一定にする。可変抵抗R1の抵抗値をハロゲンラ
ンプILの抵抗値の５％より小さくした場合には突入電流
を十分に低下させることができず、抵抗値を１５％より
大きくした場合には立上がり特性が低下するとともに回
路効率が低下するため、５％〜１５％の範囲内とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体スイッチング手
段によりランプを点灯させるランプ点灯装置、電気装
置、照明装置および複写装置に関する。
段によりランプを点灯させるランプ点灯装置、電気装
置、照明装置および複写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のランプ点灯装置として
は、特開平１−２５１５８５号公報に記載の構成が知ら
れている。
は、特開平１−２５１５８５号公報に記載の構成が知ら
れている。
【０００３】この特開平１−２５１５８５号公報に記載
の構成は、商用交流電源を整流平滑し、トランジスタを
スイッチング動作させる降圧チョッパ回路により電圧を
降下させてハロゲンランプを点灯させるものである。
の構成は、商用交流電源を整流平滑し、トランジスタを
スイッチング動作させる降圧チョッパ回路により電圧を
降下させてハロゲンランプを点灯させるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ハロゲ
ンランプは室温程度の冷抵抗時に始動する、いわゆるコ
ールドスタート時では抵抗が通常の１／１０程度と低
く、定格電流の１０倍程度の突入電流が生ずることがあ
り、このため降圧チョッパ回路のトランジスタを定格電
流の３〜４倍程度に耐圧を大きくしなければならずコス
トが上昇するとともに、信頼性が低下するおそれがある
問題を有している。
ンランプは室温程度の冷抵抗時に始動する、いわゆるコ
ールドスタート時では抵抗が通常の１／１０程度と低
く、定格電流の１０倍程度の突入電流が生ずることがあ
り、このため降圧チョッパ回路のトランジスタを定格電
流の３〜４倍程度に耐圧を大きくしなければならずコス
トが上昇するとともに、信頼性が低下するおそれがある
問題を有している。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、ランプの立上がり特性を低下させずに突入電流を防
止するランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写
装置を提供することを目的とする。
で、ランプの立上がり特性を低下させずに突入電流を防
止するランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のランプ点
灯装置は、電源の出力を半導体スイッチング素子により
スイッチングして出力しランプに供給する半導体スイッ
チング手段と、この半導体スイッチング手段および前記
ランプ間に介挿され前記ランプの冷抵抗値の５％〜１５
％の抵抗値を有する抵抗成分とを具備したものである。
灯装置は、電源の出力を半導体スイッチング素子により
スイッチングして出力しランプに供給する半導体スイッ
チング手段と、この半導体スイッチング手段および前記
ランプ間に介挿され前記ランプの冷抵抗値の５％〜１５
％の抵抗値を有する抵抗成分とを具備したものである。
【０００７】請求項２記載のランプ点灯装置は、請求項
１記載のランプ点灯装置において、半導体スイッチング
手段は、降圧チョッパ回路であるものである。
１記載のランプ点灯装置において、半導体スイッチング
手段は、降圧チョッパ回路であるものである。
【０００８】請求項３記載のランプ点灯装置は、電源の
出力を半導体スイッチング素子によりスイッチングして
出力しランプに供給する半導体スイッチング手段と、こ
の半導体スイッチング手段および前記ランプ間に介挿さ
れた抵抗成分と、この抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５
％〜１５％に可変させる抵抗値調整手段とを具備したも
のである。
出力を半導体スイッチング素子によりスイッチングして
出力しランプに供給する半導体スイッチング手段と、こ
の半導体スイッチング手段および前記ランプ間に介挿さ
れた抵抗成分と、この抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５
％〜１５％に可変させる抵抗値調整手段とを具備したも
のである。
【０００９】請求項４記載のランプ点灯装置は、請求項
１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置において、抵
抗成分に流れる電流値を検出する電流検出手段と、この
電流検出手段で検出された電流値に応じて半導体スイッ
チング手段の出力を可変する制御手段とを具備したもの
である。
１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置において、抵
抗成分に流れる電流値を検出する電流検出手段と、この
電流検出手段で検出された電流値に応じて半導体スイッ
チング手段の出力を可変する制御手段とを具備したもの
である。
【００１０】請求項５記載の電気装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する筐体とを具備したものである。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する筐体とを具備したものである。
【００１１】請求項６記載の照明装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する照明装置本体とを具備したものである。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する照明装置本体とを具備したものである。
【００１２】請求項７記載の複写装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する複写装置本体とを具備したものである。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する複写装置本体とを具備したものである。
【００１３】
【作用】請求項１記載のランプ点灯装置は、半導体スイ
ッチング手段およびランプ間に介挿された抵抗成分の抵
抗値をランプの冷抵抗値の５％〜１５％にしたため、立
上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止でき
る。
ッチング手段およびランプ間に介挿された抵抗成分の抵
抗値をランプの冷抵抗値の５％〜１５％にしたため、立
上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止でき
る。
【００１４】請求項２記載のランプ点灯装置は、請求項
１記載のランプ点灯装置において、半導体スイッチング
手段は、降圧チョッパ回路であるため、降圧動作の信頼
性を低下させない。
１記載のランプ点灯装置において、半導体スイッチング
手段は、降圧チョッパ回路であるため、降圧動作の信頼
性を低下させない。
【００１５】請求項３記載のランプ点灯装置は、抵抗値
調整手段で抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５％〜１５％
に可変させるため、ランプの冷抵抗値のばらつきが生じ
ても、ランプに対応して立上がり特性を低下させること
なく、突入電流も防止できる。
調整手段で抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５％〜１５％
に可変させるため、ランプの冷抵抗値のばらつきが生じ
ても、ランプに対応して立上がり特性を低下させること
なく、突入電流も防止できる。
【００１６】請求項４記載のランプ点灯装置は、請求項
１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置において、電
流検出手段で抵抗成分に流れる電流値を検出し、この電
流検出手段で検出された電流値に応じて制御手段で半導
体スイッチング手段の出力を可変するため、突入電流が
仮に生じても半導体スイッチング手段の出力を可変でき
るとともに、ランプ電流を一定にできる。
１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置において、電
流検出手段で抵抗成分に流れる電流値を検出し、この電
流検出手段で検出された電流値に応じて制御手段で半導
体スイッチング手段の出力を可変するため、突入電流が
仮に生じても半導体スイッチング手段の出力を可変でき
るとともに、ランプ電流を一定にできる。
【００１７】請求項５記載の電気装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する筐体とを具備したため、立上がり特性を
低下させることなく、突入電流も防止できる。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する筐体とを具備したため、立上がり特性を
低下させることなく、突入電流も防止できる。
【００１８】請求項６記載の照明装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する照明装置本体とを具備したため、立上が
り特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する照明装置本体とを具備したため、立上が
り特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
【００１９】請求項７記載の複写装置は、請求項１ない
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する複写装置本体とを具備したため、立上が
り特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
し４いずれか記載のランプ点灯装置と、このランプ点灯
装置を収納する複写装置本体とを具備したため、立上が
り特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の複写装置の一実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２１】図２において、11は複写装置本体で、この
複写装置本体11は上部に図示しない原稿載置用のガラス
面を有し、このガラス面上に開閉自在の蓋体12が取り付
けられている。また、複写装置本体11内には、用紙Ｐを
搬送する搬送手段13および搬送された用紙に画像を現
像、定着する現像手段14などが配設されている。
複写装置本体11は上部に図示しない原稿載置用のガラス
面を有し、このガラス面上に開閉自在の蓋体12が取り付
けられている。また、複写装置本体11内には、用紙Ｐを
搬送する搬送手段13および搬送された用紙に画像を現
像、定着する現像手段14などが配設されている。
【００２２】さらに、ガラス面に対して平行にレール15
が配設され、このレール15には照明装置となるスキャナ
用のランプユニット16が移動可能に設けられ、このラン
プユニット16のケース体内には負荷としての電球である
ハロゲンランプILが収納されている。そして、このハロ
ゲンランプILには、ランプ点灯装置としてのランプ点灯
回路17が電気的に接続されている。なお、ハロゲンラン
プILには、温度２５℃における冷抵抗値１．２Ω〜１．
５Ωで、定格出力１００Ｗ〜４００Ｗのものを使用す
る。
が配設され、このレール15には照明装置となるスキャナ
用のランプユニット16が移動可能に設けられ、このラン
プユニット16のケース体内には負荷としての電球である
ハロゲンランプILが収納されている。そして、このハロ
ゲンランプILには、ランプ点灯装置としてのランプ点灯
回路17が電気的に接続されている。なお、ハロゲンラン
プILには、温度２５℃における冷抵抗値１．２Ω〜１．
５Ωで、定格出力１００Ｗ〜４００Ｗのものを使用す
る。
【００２３】そして、このランプ点灯回路17は、図１に
示すように、たとえば商用交流電源を整流、平滑した直
流電源Ｅに半導体スイッチング手段としての降圧チョッ
パ回路21が接続され、この降圧チョッパ回路21は直流電
源Ｅの両端間に半導体スイッチング素子としてのＭＯＳ
型の電界効果トランジスタQ1およびダイオードD1の直列
回路がされ、このダイオードD1に対して並列にインダク
タL1およびキャパシタC1の直列回路が接続されている。
示すように、たとえば商用交流電源を整流、平滑した直
流電源Ｅに半導体スイッチング手段としての降圧チョッ
パ回路21が接続され、この降圧チョッパ回路21は直流電
源Ｅの両端間に半導体スイッチング素子としてのＭＯＳ
型の電界効果トランジスタQ1およびダイオードD1の直列
回路がされ、このダイオードD1に対して並列にインダク
タL1およびキャパシタC1の直列回路が接続されている。
【００２４】さらに、キャパシタC1には、突入電流を防
止するたとえば０．１Ω周辺で可変可能な抵抗成分とし
ての可変抵抗R1およびハロゲンランプILが直列に接続さ
れている。
止するたとえば０．１Ω周辺で可変可能な抵抗成分とし
ての可変抵抗R1およびハロゲンランプILが直列に接続さ
れている。
【００２５】また、可変抵抗R1の一端には電流検出手段
としての電流検出回路22が接続され、この電流検出回路
22とともに可変抵抗R1の他端が制御手段としての制御回
路23に接続され、この制御回路23は電界効果トランジス
タQ1のゲートに接続されている。
としての電流検出回路22が接続され、この電流検出回路
22とともに可変抵抗R1の他端が制御手段としての制御回
路23に接続され、この制御回路23は電界効果トランジス
タQ1のゲートに接続されている。
【００２６】さらに、可変抵抗R1には抵抗値調整手段と
しての抵抗値調整回路24が接続され、この抵抗値調整回
路24はハロゲンランプILの冷抵抗値に従って、可変抵抗
R1の抵抗値をハロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５
％程度に調整する。
しての抵抗値調整回路24が接続され、この抵抗値調整回
路24はハロゲンランプILの冷抵抗値に従って、可変抵抗
R1の抵抗値をハロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５
％程度に調整する。
【００２７】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００２８】まず、図示しないガラス面上に原稿を配置
し、ハロゲンランプILを点灯させた状態で、ランプユニ
ット16をレール15に沿って移動させ、原稿の画像を読み
取り、搬送手段13で用紙Ｐを搬送して、現像手段14で用
紙Ｐに現像、定着を行なう。
し、ハロゲンランプILを点灯させた状態で、ランプユニ
ット16をレール15に沿って移動させ、原稿の画像を読み
取り、搬送手段13で用紙Ｐを搬送して、現像手段14で用
紙Ｐに現像、定着を行なう。
【００２９】そして、ハロゲンランプILの冷抵抗値に従
い、抵抗値調整回路24により、可変抵抗R1の抵抗値をハ
ロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５％に調整してお
く。
い、抵抗値調整回路24により、可変抵抗R1の抵抗値をハ
ロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５％に調整してお
く。
【００３０】また、ハロゲンランプILを点灯させるに際
しては、電界効果トランジスタQ1を制御回路23によりス
イッチング動作させ、降圧および力率改善する。すなわ
ち、制御回路23により電界効果トランジスタQ1をオンし
ている期間ではインダクタL1を充電し、電界効果トラン
ジスタQ1をオフすることによりインダクタL1を放電させ
てダイオードD1を介してキャパシタC1を充電して、ハロ
ゲンランプILを点灯させる。
しては、電界効果トランジスタQ1を制御回路23によりス
イッチング動作させ、降圧および力率改善する。すなわ
ち、制御回路23により電界効果トランジスタQ1をオンし
ている期間ではインダクタL1を充電し、電界効果トラン
ジスタQ1をオフすることによりインダクタL1を放電させ
てダイオードD1を介してキャパシタC1を充電して、ハロ
ゲンランプILを点灯させる。
【００３１】そして、電流検出回路22で可変抵抗R1に流
れるランプ電流を検出するとともに、制御回路23ではこ
の電流検出回路22および可変抵抗R1の電圧値に基づき、
制御回路23により電界効果トランジスタQ1を制御する。
すなわち、たとえば可変抵抗R1に突入電流が生じた場合
には、制御回路23により降圧チョッパ回路21の電圧を低
下させるとともに、通常時にはランプ電流をモニタして
制御回路23によりランプ電流を一定にする方向で電界効
果トランジスタQ1を制御して、ハロゲンランプILの光出
力を一定にする。なお、ランプ電流を検出するに際して
は、あらかじめ可変された可変抵抗R1の抵抗値を検知し
ておく。
れるランプ電流を検出するとともに、制御回路23ではこ
の電流検出回路22および可変抵抗R1の電圧値に基づき、
制御回路23により電界効果トランジスタQ1を制御する。
すなわち、たとえば可変抵抗R1に突入電流が生じた場合
には、制御回路23により降圧チョッパ回路21の電圧を低
下させるとともに、通常時にはランプ電流をモニタして
制御回路23によりランプ電流を一定にする方向で電界効
果トランジスタQ1を制御して、ハロゲンランプILの光出
力を一定にする。なお、ランプ電流を検出するに際して
は、あらかじめ可変された可変抵抗R1の抵抗値を検知し
ておく。
【００３２】上記実施例によれば、ハロゲンランプILの
冷抵抗値が１．２Ω〜１．５Ωであるのに対し、可変抵
抗R1の抵抗を０．１Ωとしたため、ハロゲンランプILを
コールドスタートさせる際にも突入電流を防止すること
ができるとともに、立上がり特性および効率を低下させ
ることもない。また、可変抵抗R1の抵抗値は０．１Ωに
限らず、ハロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５％で
あればよい。すなわち、可変抵抗R1の抵抗値をハロゲン
ランプILの抵抗値の５％より小さくした場合には突入電
流を十分に低下させることができず、反対に、抵抗値を
１５％より大きくした場合には立上がり特性が低下する
とともに回路効率が低下するため、５％〜１５％の範囲
内とした。
冷抵抗値が１．２Ω〜１．５Ωであるのに対し、可変抵
抗R1の抵抗を０．１Ωとしたため、ハロゲンランプILを
コールドスタートさせる際にも突入電流を防止すること
ができるとともに、立上がり特性および効率を低下させ
ることもない。また、可変抵抗R1の抵抗値は０．１Ωに
限らず、ハロゲンランプILの冷抵抗値の５％〜１５％で
あればよい。すなわち、可変抵抗R1の抵抗値をハロゲン
ランプILの抵抗値の５％より小さくした場合には突入電
流を十分に低下させることができず、反対に、抵抗値を
１５％より大きくした場合には立上がり特性が低下する
とともに回路効率が低下するため、５％〜１５％の範囲
内とした。
【００３３】さらに、可変抵抗R1により抵抗値を可変す
るため、装着されるハロゲンランプILの冷抵抗値に対応
して、抵抗値を可変できるので、ハロゲンランプILの冷
抵抗値の製造上あるいは温度を要因とする場合などのば
らつきにも対応できる。
るため、装着されるハロゲンランプILの冷抵抗値に対応
して、抵抗値を可変できるので、ハロゲンランプILの冷
抵抗値の製造上あるいは温度を要因とする場合などのば
らつきにも対応できる。
【００３４】また、突入電流防止に限らず可変抵抗R1を
電流検出、電圧検出用および電力検出用のモニタにも兼
用できるため、部品点数を大幅に増加させることもな
い。
電流検出、電圧検出用および電力検出用のモニタにも兼
用できるため、部品点数を大幅に増加させることもな
い。
【００３５】さらに、電界効果トランジスタQ1をＭＯＳ
型としたことにより、パルスノイズに対しても安定して
動作を行なえる。
型としたことにより、パルスノイズに対しても安定して
動作を行なえる。
【００３６】また、電気装置としては、スキャナなどを
有する複写装置などに限らず、電球などのランプを使用
する装置であれば、同様の効果を得ることができ、電気
装置としては複写装置その他の装置が含まれ、照明装置
本体、筐体としてはランプユニット16のケース体などに
限らず、一般の照明用の装置でも同様の効果を得ること
ができる。
有する複写装置などに限らず、電球などのランプを使用
する装置であれば、同様の効果を得ることができ、電気
装置としては複写装置その他の装置が含まれ、照明装置
本体、筐体としてはランプユニット16のケース体などに
限らず、一般の照明用の装置でも同様の効果を得ること
ができる。
【００３７】さらに、抵抗成分は０．１Ω程度の固定抵
抗であっても簡単な構成で同様の効果を得ることができ
る。
抗であっても簡単な構成で同様の効果を得ることができ
る。
【００３８】
【発明の効果】請求項１記載のランプ点灯装置によれ
ば、半導体スイッチング手段およびランプ間に介挿され
た抵抗成分の抵抗値をランプの冷抵抗値の５％〜１５％
にしたため、立上がり特性を低下させることなく、突入
電流も防止できる。
ば、半導体スイッチング手段およびランプ間に介挿され
た抵抗成分の抵抗値をランプの冷抵抗値の５％〜１５％
にしたため、立上がり特性を低下させることなく、突入
電流も防止できる。
【００３９】請求項２記載のランプ点灯装置によれば、
請求項１記載のランプ点灯装置に加え、半導体スイッチ
ング手段は、降圧チョッパ回路であるため、降圧動作の
信頼性が低下することを防止する。
請求項１記載のランプ点灯装置に加え、半導体スイッチ
ング手段は、降圧チョッパ回路であるため、降圧動作の
信頼性が低下することを防止する。
【００４０】請求項３記載のランプ点灯装置によれば、
抵抗値調整手段で抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５％〜
１５％に可変させるため、ランプの冷抵抗値のばらつき
が生じても、ランプに対応して立上がり特性を低下させ
ることなく、突入電流も防止できる。
抵抗値調整手段で抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５％〜
１５％に可変させるため、ランプの冷抵抗値のばらつき
が生じても、ランプに対応して立上がり特性を低下させ
ることなく、突入電流も防止できる。
【００４１】請求項４記載のランプ点灯装置によれば、
請求項１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置に加
え、電流検出手段で抵抗成分に流れる電流値を検出し、
この電流検出手段で検出された電流値に応じて制御手段
で半導体スイッチング手段の出力を可変するため、突入
電流が仮に生じても半導体スイッチング手段の出力を可
変できるとともに、ランプ電流を一定にできる。
請求項１ないし３いずれか記載のランプ点灯装置に加
え、電流検出手段で抵抗成分に流れる電流値を検出し、
この電流検出手段で検出された電流値に応じて制御手段
で半導体スイッチング手段の出力を可変するため、突入
電流が仮に生じても半導体スイッチング手段の出力を可
変できるとともに、ランプ電流を一定にできる。
【００４２】請求項５記載の電気装置によれば、請求項
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する筐体とを具備したため、立上がり
特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する筐体とを具備したため、立上がり
特性を低下させることなく、突入電流も防止できる。
【００４３】請求項６記載の照明装置によれば、請求項
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する照明装置本体とを具備したため、
立上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止で
きる。
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する照明装置本体とを具備したため、
立上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止で
きる。
【００４４】請求項７記載の複写装置によれば、請求項
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する複写装置本体とを具備したため、
立上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止で
きる。
１ないし４いずれか記載のランプ点灯装置と、このラン
プ点灯装置を収納する複写装置本体とを具備したため、
立上がり特性を低下させることなく、突入電流も防止で
きる。
【図１】本発明のランプ点灯装置の一実施例を示す回路
図である。
図である。
【図２】同上複写装置を示す説明図である。
11 複写装置本体 16 照明装置としてのランプユニット 17 ランプ点灯装置としてのランプ点灯回路 21 半導体スイッチング手段としての降圧チョッパ回
路 22 電流検出手段としての電流検出回路 23 制御手段としての制御回路 24 抵抗値調整手段としての抵抗値調整回路 Ｅ 直流電源 IL ハロゲンランプ Q1 半導体スイッチング素子としての電界効果トラン
ジスタ R1 抵抗成分としての可変抵抗
路 22 電流検出手段としての電流検出回路 23 制御手段としての制御回路 24 抵抗値調整手段としての抵抗値調整回路 Ｅ 直流電源 IL ハロゲンランプ Q1 半導体スイッチング素子としての電界効果トラン
ジスタ R1 抵抗成分としての可変抵抗
Claims (7)
- 【請求項１】 電源の出力を半導体スイッチング素子に
よりスイッチングして出力しランプに供給する半導体ス
イッチング手段と、 この半導体スイッチング手段および前記ランプ間に介挿
され前記ランプの冷抵抗値の５％〜１５％の抵抗値を有
する抵抗成分とを具備したことを特徴とするランプ点灯
装置。 - 【請求項２】 半導体スイッチング手段は、降圧チョッ
パ回路であることを特徴とする請求項１記載のランプ点
灯装置。 - 【請求項３】 電源の出力を半導体スイッチング素子に
よりスイッチングして出力しランプに供給する半導体ス
イッチング手段と、 この半導体スイッチング手段および前記ランプ間に介挿
された抵抗成分と、 この抵抗成分の抵抗値を冷抵抗値の５％〜１５％に可変
させる抵抗値調整手段とを具備したことを特徴とするラ
ンプ点灯装置。 - 【請求項４】 抵抗成分に流れる電流値を検出する電流
検出手段と、 この電流検出手段で検出された電流値に応じて半導体ス
イッチング手段の出力を可変する制御手段とを具備した
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載のラン
プ点灯装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４いずれか記載のランプ
点灯装置と、 このランプ点灯装置を収納する筐体とを具備したことを
特徴とする電気装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし４いずれか記載のランプ
点灯装置と、 このランプ点灯装置を収納する照明装置本体とを具備し
たことを特徴とする照明装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし４いずれか記載のランプ
点灯装置と、 このランプ点灯装置を収納する複写装置本体とを具備し
たことを特徴とする複写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6235774A JPH08102371A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | ランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6235774A JPH08102371A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | ランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102371A true JPH08102371A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=16991046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6235774A Pending JPH08102371A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | ランプ点灯装置、電気装置、照明装置および複写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102371A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315588A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-14 | Yazaki Corp | 電源供給制御装置 |
| US6442339B1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-08-27 | Coltene/Whaledent, Inc. | Operation of halogen lamp for curing of material |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP6235774A patent/JPH08102371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315588A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-14 | Yazaki Corp | 電源供給制御装置 |
| US6442339B1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-08-27 | Coltene/Whaledent, Inc. | Operation of halogen lamp for curing of material |
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