JPH08102456A

JPH08102456A - 電子材料洗浄方法及び洗浄装置

Info

Publication number: JPH08102456A
Application number: JP23773494A
Authority: JP
Inventors: Tatsuhiro Yasaka; 龍広八坂; Tsutomu Watabe; 勉渡部; Hiroichi Ueda; 博一上田
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-16

Abstract

(57)【要約】【目的】導波路の形状を高精度で制御できて特性が安
定していると共に、導波光を幅方向に強く閉じこめるこ
とができて小型化及び集積化に適し、更に低電圧で大き
な屈折率変化が得られる導波路型光制御素子を提供す
る。【構成】基板１上に形成され基板１より屈折率が高い
高屈折率層２と、この高屈折率層２に設けられ光導波路
３を画定する溝４とを有する。この溝に導電体を埋め込
んで電極を形成し、この電極に電圧を印加して導波光の
分岐・合流又は変調を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにお
いて、シリコンウェハ等の電子材料を枚葉方式で洗浄す
る電子材料洗浄方法及び洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、シリコン
ウェハの表面に付着した微粒子等の表面汚染物は、デバ
イス特性の劣化を招来し、最終的に製品が不良となる大
きな原因になっている。従って、半導体デバイスの信頼
性を向上させるためには、製造プロセスにおいてシリコ
ンウェハの表面を可及的に清浄に保つことが必要であ
る。シリコンウェハの表面を清浄化する方法の一つに、
ウェット洗浄法がある。このウェット洗浄法においては
種々の溶液でシリコンウェハをエッチングし、又は超純
水で洗浄する。このウェット洗浄法は、更に複数のシリ
コンウェハを一括して洗浄液で処理するバッチ方式と、
一枚づつ処理する枚葉方式とに分類される。現状では、
製品スループット向上の観点から、バッチ方式が主流で
あるが、この方式には以下に示す欠点がある。即ち、汚
染したシリコンウェハを投入することにより洗浄液が汚
染されると共に、近接するシリコンウェハに汚染が転写
される。また、洗浄装置が大型になるという欠点もあ
る。

【０００３】このため、半導体製造プロセスにおいて
は、枚葉方式によるウェット洗浄法も実施されている。
例えば、フォトリソグラフィー工程及びウェットエッチ
ング工程においては、枚葉方式によるウェット洗浄法が
使用されている。

【０００４】即ち、フォトリソグラフィー工程において
は、レジストと呼ばれる感光性高分子膜でシリコンウェ
ハを被覆して、レジストを乾燥させた後、ガラス製マス
ク上に描かれたゲート電極、コンタクト窓及び金属配線
等の回路パターンを紫外線等によりシリコンウェハ上に
転写し、その後、枚葉式ウェット洗浄によりシリコンウ
ェハを洗浄して現像処理する。

【０００５】また、ウェットエッチング工程において
は、エッチング性溶液にシリコンウェハを曝すことによ
り、シリコンウェハの表面上又は裏面上に形成された酸
化膜及び多結晶シリコン等の堆積物又は汚染物を選択的
に除去し、その後、シリコンウェハを超純水を使用して
枚葉式ウェット洗浄により洗浄する。

【０００６】図１０は、従来の枚葉式シリコンウェハ洗
浄装置を示す模式図である。試料台３１は水平に配置さ
れており、適宜の回転手段により駆動されて任意の速度
で垂直軸の周りに回転可能になっている。この試料台３
１の上には洗浄すべき部材としてのシリコンウェハ３２
を固定するチャック３４が設けられている。また、試料
台３１の回転中心の上方には、洗浄液を供給するノズル
３７がその噴出方向を下方に向けて配置されている。

【０００７】以下、このように構成された従来の洗浄装
置の動作について説明する。先ず、洗浄すべきシリコン
ウェハ３２を試料台３１上にチャック３４により固定す
る。その後、このシリコンウェハ３２を試料台３１と共
に回転させる。また、ノズル３７から洗浄液を吐出させ
る。このノズル３７から吐出された洗浄液は、シリコン
ウェハ３２の表面に噴出され、シリコンウェハ３２表面
の堆積物及び汚染物を洗浄する。そして、この洗浄液
は、試料台３１の回転によりシリコンウェハ３２の外側
へ流れ落ち、更に試料台３１からも流れ落ちて、装置下
部より排出される。

【０００８】このような洗浄装置においては、洗浄液が
常に洗浄すべきシリコンウェハ３２表面に供給されるた
め、シリコンウェハ３２表面の洗浄液による汚染を低減
させることができる。また、試料台３１が回転すること
により、シリコンウェハ３２と洗浄液との分離を容易に
している。

【０００９】しかし、上述した洗浄装置においては、洗
浄液にパーティクル等の汚染物が混入していると、この
汚染物がシリコンウェハ表面上に付着する虞れがある。
また、装置外部からの汚染物が洗浄液中に混入し、シリ
コンウェハ表面上に付着する虞れもある。更に、洗浄過
程で一旦シリコンウェハの表面から除去された汚染物
が、シリコンウェハ表面から洗浄液が排液される途中で
シリコンウェハに再付着する虞れもある。

【００１０】このような難点を解決するために、従来、
特に純水洗浄工程において、負の直流電圧を発生させる
装置をチャックに接続し、シリコンウェハ表面に負電圧
を印加することにより、純水中で負に帯電したパーティ
クルを静電気的反発力を利用して除去する方法が公知で
ある（特開平３−４９２２３号）。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た洗浄方法には以下に示す問題点がある。即ち、純水中
で正に帯電した汚染物は除去することができず、逆にシ
リコンウェハに付着しやすい。また、洗浄液は純水だけ
とは限らず、酸性又はアルカリ性等の溶液が使用される
こともあり、溶液によって汚染物が帯電する極性及びそ
の帯電量が変化する。このため、洗浄液中の汚染物を効
果的に除去することが難しい。更に、シリコンウェハと
洗浄液との反応によって生じた生成物はいずれの極性に
帯電するかわからないため、除去しにくい。

【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、洗浄すべき部材から効果的に汚染物を除去
することができると共に、除去された汚染物及び洗浄液
中の汚染物が部材に再付着することを抑制し、部材の表
面をより一層清浄にすることができる電子材料洗浄方法
及び洗浄装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願の第１発明に係る電
子材料洗浄方法は、洗浄すべき部材に第１電位を印加す
ると共に、前記部材に対向して配置された電極に前記第
１電位と同極性で且つ絶対値が前記第１電位より大きい
第２電位を印加しつつ洗浄液により前記部材を洗浄する
ことを特徴とする。

【００１４】本願の第２発明に係る電子材料洗浄装置
は、洗浄すべき部材を支持する導電性の支持部材と、前
記部材に対向する位置に電極を配置する電極支持部材
と、前記部材及び電極に同一極性であって前記電極の方
が絶対値が大きい電圧を印加する電圧印加手段と、前記
部材に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有すること
を特徴とする。

【００１５】本願の第３発明に係る電子材料洗浄方法
は、洗浄すべき部材を接地電位に維持すると共に、前記
部材に対向して配置された第１電極に第１電位を印加し
つつ洗浄液により前記部材を洗浄する第１洗浄工程と、
前記部材を接地電位に維持すると共に、前記部材に対向
して配置した第２電極に前記第１電位と逆極性の第２電
位を印加しつつ洗浄液により前記部材を洗浄する第２洗
浄工程とを有することを特徴とする。

【００１６】本願の第４発明に係る電子材料洗浄装置
は、洗浄すべき部材を支持する導電性の支持部材と、前
記部材に対向する位置とそれから外れる位置に第１電極
を配置することができる第１電極支持部材と、前記部材
に対向する位置とそれから外れる位置に第２電極を配置
することができる第２電極支持部材と、前記部材に接地
電位を印加し前記第１電極及び第２電極に選択的に正極
性又は負極性の電圧を印加する電圧印加手段と、前記部
材に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有することを
特徴とする。

【００１７】

【作用】本願第１及び第２発明においては、電極に電圧
（第２電位）を印加すると共に、洗浄すべき部材にも第
２電位と同極性の電圧（第１電位）を印加する。この第
２電位の絶対値は第１電位より大きい。洗浄液中の汚染
物質は、正又は負に帯電している。この汚染物質のう
ち、電極及び洗浄部材と逆極性に帯電した汚染物質は、
絶対値が大きな第２電位の電極に静電的に引かれて捕獲
される。また、電極及び洗浄部材と同極性に帯電した汚
染物質は、第２電位の電極からの静電的な反発力により
洗浄部材側に泳動する。しかし、この洗浄部材も同極性
であるため、汚染物質が洗浄部材の表面に付着すること
はない。

【００１８】また、本願第３及び第４発明においては、
洗浄部材を接地すると共に、第１電極に正又は負の第１
電位を印加する（第１洗浄工程）。そうすると、この第
１電位と逆極性に帯電している汚染物質は第１電極に捕
獲されて除去される。一方、第１電位と同極性に帯電し
ている汚染物質は洗浄部材表面に付着する。そこで、そ
の後、第２電極に第１電位と逆極性の第２電位を印加す
る（第２洗浄工程）。そうすると、この第２電位と逆極
性、即ち第１電位と同極性に帯電している汚染物質は洗
浄部材表面から離脱し、洗浄液中の汚染物質と共に、第
２電極に捕獲される。このようにして、汚染物質が除去
される。この場合に、第２洗浄工程において、同時に、
前記第１電極に前記第２電位と同極性の電圧を印加する
と、前記第１洗浄工程で前記第１電極に付着した汚染物
質も除去することができる。

【００１９】

【実施例】次に、本発明について更に詳細に説明する。
洗浄液中の汚染物には種々のものが考えられ、例えばシ
リコン、窒化シリコン及び二酸化シリコン等のシリコン
系の粒子は、実際、半導体デバイスの性能及び製品歩留
まりに影響を与えるものの代表である。これらの粒子間
に働く力は、ファンデルワールス分子間引力と静電気に
よる反発力との和で記述することができる。しかし、フ
ァンデルワールス分子間引力を制御することは困難であ
る。一方、静電気力は、粒子の表面電位と近似されるゼ
ータ電位と強い相関があるため、ファンデルワールス分
子間引力を一定であるとすれば、溶液中のゼータ電位を
コントロールすることにより、粒子間に働く力を制御す
ることができる。

【００２０】なお、ゼータ電位とは物質固有の値ではな
く、溶液の媒体の性質、ｐＨ、電解質濃度及び種類に依
存し、粒子の粒子径に依存しない。例えば、シリコン粒
子のゼータ電位はシリコンウェハのそれと等価であると
考えられる。例えば、シリコンウェハを洗浄する場合
に、シリコンウェハ表面を正（プラス）に帯電させる
と、シリコンウェハ表面に同極性、つまり正のゼータ電
位を有する粒子はシリコンウェハ表面に付着しにくく、
異極性、つまり負のゼータ電位を有する粒子はシリコン
ウェハ表面に付着しやすい。

【００２１】上述した知見を確かめるべく、本願発明者
等は模擬粒子として窒化シリコンを混入した酸性又はア
ルカリ性溶液にシリコンウェハを浸漬した場合におい
て、洗浄部材としてのシリコンウェハのゼータ電位と、
汚染物質としての窒化シリコンのゼータ電位との積と、
シリコンウェハの表面に付着する大きさが０．２μｍ以
上の異物数との関係を調べた。なお、粒子濃度は５×１
０³ ｃｍ^-3とする。

【００２２】図１は横軸にシリコンウェハのゼータ電位
と窒化シリコンのゼータ電位との積をとり、縦軸にシリ
コンウェハ表面上の異物数をとって、両者の関係を表し
たグラフ図である。この図１から明らかなように、シリ
コンウェハのゼータ電位と窒化シリコンのゼータ電位と
の積が正の場合は、即ちシリコンウェハのゼータ電位と
窒化シリコンのゼータ電位とが同極性の場合は、シリコ
ンウェハ上の異物数が減少している。従って、シリコン
ウェハ表面を帯電させると、シリコンウェハ表面と同極
性に帯電した粒子はシリコンウェハに付着しにくいこと
が確認された。本発明はこのような観点にたってなされ
たものである。

【００２３】以下、本発明の実施例について、添付の図
面を参照して具体的に説明する。図２は本発明の第１の
実施例に係る電子材料洗浄装置を示す模式図、図３及び
４は同じくこの洗浄装置を使用して洗浄する方法を示す
模式図である。この洗浄装置においては、試料台１上に
洗浄すべきシリコンウェハ２が配置される。この試料台
１は適宜の回転手段により、垂直の支持軸１ａを中心と
して任意の速度で回転駆動されるようになっている。こ
の試料台１上にはシリコンウェハを固定するチャック４
が設けられている。このチャック４は導電性を有してお
り、可変電位発生装置５に接続されている。シリコンウ
ェハ２上には、電極３がシリコンウェハ２に対向するよ
うに相互に平行に設けられている。この電極３は、可変
電位発生装置６に接続されている。また、この電極３の
上方には、洗浄液の供給手段としての洗浄液供給ノズル
７が配置されている。これらの洗浄液供給ノズル７、電
極３及び試料台１は適宜のハウジング内に収納されてお
り、このハウジングの下部から排液が排出されるように
なっている。

【００２４】なお、チャック４はシリコンウェハ２等の
試料に対して汚染源とならないことが望ましい。即ち、
チャック４は洗浄液に対して化学反応を起こさない材質
で構成されていると共に、シリコンウェハ２を傷つけな
いものであることが望ましい。このような材質として、
例えば、シリコン又はシリコンカーバイド等がある。ま
た、洗浄すべき部材が金属汚染に対して問題がなけれ
ば、アルミニウム等の加工しやすい金属を使用してチャ
ック４を形成しても良い。

【００２５】次に、このように構成された電子材料洗浄
装置の動作について説明する。先ず、図３に示すよう
に、試料台１上にシリコンウェハ２を載置し、チャック
４によりこのシリコンウェハ２を固定する。そして、こ
のチャック４を介して、可変電位発生装置５からシリコ
ンウェハ２に正の第１電位を印加する。

【００２６】また、電極３にも可変電位発生装置６から
第１電位と同極性の第２電位を印加する。この第２電位
の絶対値は第１電位のそれより大きい。そして、試料台
１を回転させると共に、洗浄液供給ノズル７から洗浄液
をシリコンウェハ２へ向けて供給する。そうすると、洗
浄液は電極３を通過してシリコンウェハ２の表面に達
し、シリコンウェハ２の表面が洗浄される。

【００２７】シリコンウェハ２の表面に付着していた汚
染物は洗浄液中にて正又は負のゼータ電位に帯電してい
るため洗浄液中を泳動する。また、洗浄液中に予め混入
していた汚染物質も正又は負に帯電しているため泳動す
る。

【００２８】この場合に、電極３に印加されている第２
電位がより高い正電位であるため、第２電位と逆極性の
負に帯電している汚染物質は電極３に静電的に吸引され
て電極３に付着し、捕獲される。一方、正に帯電してい
る汚染物質は電極３からシリコンウェハ２側に泳動する
が、このシリコンウェハ２の表面も同極性の正極性に帯
電しているため、この汚染物質がシリコンウェハ２の表
面に付着することはない。そして、試料台１と共にシリ
コンウェハ２は回転しているため、シリコンウェハ２の
表面上の洗浄液はシリコンウェハ２の外縁側へ向けて流
れ、更に試料台１からも流れ落ち、排液される。

【００２９】そして、シリコンウェハ２の洗浄が終了す
ると、電極３は洗浄中に印加されていた電位と逆極性の
負の電位が印加されて洗浄され、吸着している汚染物質
が除去される。

【００３０】このようにして、負に帯電した汚染物質は
電極３に付着してシリコンウェハ２に付着することがな
く、正に帯電した汚染物質もシリコンウェハ２に付着す
ることなく洗浄液と共に排液されるため、シリコンウェ
ハ２表面の汚染物を効果的に除去することができる。

【００３１】また、図４に示したように、シリコンウェ
ハ２に負の第１電位を印加し、電極３に対し負極性で絶
対値が大きい第２電位を印加した場合も、同様の作用
で、汚染物質が除去される。即ち、正に帯電した汚染物
質は負極性で絶対値が大きい電極３に付着して除去さ
れ、負に帯電した汚染物はシリコンウェハ２表面に付着
することなくシリコンウェハ２上から流れ落ちて排液さ
れる。このため、シリコンウェハ２表面の汚染物を効果
的に除去することができる。

【００３２】なお、可変電位発生装置５及び可変電位発
生装置６は一体化させてもよいことは勿論である。

【００３３】図５，６は本発明の第２の実施例に係る電
子材料洗浄装置を示す模式図である。試料台１１上に洗
浄すべきシリコンウェハ１２が配置される。また、試料
台１１は支持軸１１ａを中心に任意の速度で回転可能で
あり、その上にはシリコンウェハ１２を固定するチャッ
ク４が設けられている。このチャック４は導電性であ
り、接地されている。シリコンウェハ１２に対向した位
置には、シリコンウェハ１２に対して平行に配置された
１対の第１電極１３及び第２電極１８が設けられてお
り、この電極１３，１８は夫々可変電位発生装置１６，
１５に接続されている。電極１３、１８はいずれもシリ
コンウェハ１２の上方にてシリコンウェハ１２に対向す
る位置と、この位置から外れた待避位置との間を移動す
ることができる。また、シリコンウェハ１２の上方には
洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１７が配置されてい
る。更に、電極１３，１８が待避位置にいるときに、こ
れらの電極１３、１８を洗浄する洗浄液供給ノズル１９
がその上方に配置されている。

【００３４】次に、このように構成された電子材料洗浄
装置の動作について説明する。図５に示すように、試料
台１１上にシリコンウェハ１２を配置し、チャック４に
よりシリコンウェハ１２を固定し、このチャック４を介
してシリコンウェハ１２を接地する。また、一方の電極
１３をシリコンウェハ１２の上方に配置し、可変電位発
生装置１６により電極１３に正の電位を印加する。

【００３５】そして、試料台１１を回転させると共に、
洗浄液供給ノズル１７から洗浄液をシリコンウェハ１２
へ向けて供給する。そうすると、洗浄液はシリコンウェ
ハ１２の表面に達し、シリコンウェハ１２の表面に付着
している汚染物質を除去する。この汚染物質は洗浄液中
にて正又は負のゼータ電位を有しているため泳動する。
また、洗浄液中に予め混入していた汚染物も正又は負に
帯電しているため泳動する。

【００３６】この場合に、洗浄液中の汚染物質は負に帯
電したものが第１電極１３の正の電位により洗浄液中を
電極１３に向けて泳動して電極１３に付着する。一方、
正に帯電した汚染物はシリコンウェハ１２に向けて泳動
し、シリコンウェハ１２表面に再付着するか、又はシリ
コンウェハ１２が回転しているため、洗浄液と共にシリ
コンウェハ１２上から流れ落ちる。

【００３７】この第１洗浄工程の後、第１電極１３はシ
リコンウェハ１２に対向した位置から図６に示すように
待避位置に移動する。そして、替わりに第２電極１８が
シリコンウェハ１２に対向した位置に配置される。この
第２電極１８には、負の電位を印加する。その結果、シ
リコンウェハ１２上に付着していた正に帯電した汚染物
質はシリコンウェハ１２上から除去され、電極１８に付
着する。また、第１電極１３にも負の電位を印加し、洗
浄ノズル１９から洗浄液を電極１３に向けて供給し、電
極１３に付着していた負の汚染物質を除去する。

【００３８】このようにして、第１電極１３に正電位を
印加する第１洗浄工程と、第２電極１８に負電位を印加
する第２洗浄工程とにより、シリコンウェハ１２に付着
していた汚染物質は、正に帯電するものと負に帯電する
ものとが順次除去される。

【００３９】なお、上記実施例においては、第１電極１
３は上下に移動可能にしてシリコンウェハ１２に対向し
た位置でシリコンウェハ１２に近づけるようにしてもよ
い。

【００４０】そして、別のシリコンウェハ１２を試料台
１１の上に設置し、再び第１電極１３をこのシリコンウ
ェハが配置された試料台１１の上方に配置し、第１電極
１３に正電位を印加して次順の洗浄工程に移る。この場
合に、第２電極１８も同様にして、ノズル１９の下方に
て正電位を印加することにより、洗浄することができ
る。

【００４１】このようにして、負に帯電した汚染物を第
１電極１３に付着させてシリコンウェハ１２上から取り
除き、次に、正に帯電した汚染物も第２電極１８に付着
させて取り除くことにより、シリコンウェハ１２表面の
汚染物を効果的に除去することができる。

【００４２】なお、第１電極１３に負の電位を印加し、
第２電極１８に正の電位を印加することとしてもよいこ
とは勿論である。また、本実施例においては第１及び第
２電極１３，１８を移動させたが、シリコンウェハを第
１及び第２電極１３，１８に対向する位置に移動させる
ことにより、洗浄してもよい。

【００４３】また、第１及び第２の実施例において電極
の大きさはシリコンウェハと同等かそれ以上であること
が好ましい。図７（ａ），（ｂ）は電極の形状を示す平
面図である。図７（ａ）に示すように、電極は中心に開
口部が設けられたドーナツ状にすることもでき、図７
（ｂ）に示すように、メッシュ状とすることもできる。
このような形状にすることにより、電極の上方から洗浄
液をシリコンウェハに供給することができる。

【００４４】更に、図８はシリコンウェハ２２上に洗浄
ノズル２４から洗浄液を供給する方法の変形例を示す模
式図である。図８に示すように、試料台２１にシリコン
ウェハ２２を固定した後、試料台２１及びこの試料台２
１に平行の電極２３を相互に平行の状態を保持したまま
任意の角度で傾斜させ、ノズル２４から電極２３とシリ
コンウェハ２２との間に洗浄液を供給することとしても
よい。

【００４５】また、図９に示すように、試料台２５上に
シリコンウェハ２６を固定し、電極２７をシリコンウェ
ハ２６に平行に配置した後、洗浄ノズル２８を下降させ
て、電極２７とシリコンウェハ２６との間隙から洗浄液
をシリコンウェハ２６の表面に供給することにより洗浄
してもよい。

【００４６】このような供給方法により洗浄液をシリコ
ンウェハ２３，２６上に淀みなく供給することができる
と共に、洗浄液がシリコンウェハ２３，２６上から容易
に離脱する。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄すべき部材に電位を印加し、前記部材に対向して配
置された電極に前記電位と同極性で絶対値がより大きい
電位を電極に印加しつつ前記部材を洗浄するため、洗浄
液中の汚染物質が洗浄すべき部材へ付着することを効果
的に抑制することができ、部材の汚染物質を有効に除去
することができる。

【００４８】また、洗浄すべき部材を接地し、第１電極
に第１電位を印加して洗浄し、次に同じく前記部材を接
地したまま、第２電極に前記第１電位と逆極性の第２電
位を前記部材に印加して洗浄することにより、前記部材
の汚染物質を有効に除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】シリコンウェハのゼータ電位と窒化シリコンの
ゼータ電位との積に対するシリコンウェハに付着した窒
化シリコン粒子の数を示すグラフ図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る電子材料洗浄装置
を示す模式図である。

【図３】同じくその洗浄方法を示す模式図である。

【図４】同じくその洗浄方法を示す模式図である。

【図５】本発明の第２の実施例に係る電子材料洗浄装置
の動作における第１洗浄工程を示す模式図である。

【図６】同じくその動作における第２洗浄工程を示す模
式図である。

【図７】本発明の実施例に係る電子材料洗浄装置の電極
構造の一例を示す平面図である。

【図８】本発明の実施例に係る電子材料洗浄装置の洗浄
液の供給方法の変形例を示す模式図である。

【図９】同じく、洗浄液供給方法の他の変形例を示す模
式図である。

【図１０】従来の枚葉式シリコンウェハ洗浄装置を示す
模式図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，２５，３１；試料台１ａ；支持軸２，１２，２２，２６，３２；シリコンウェハ３，２７；電極４，１４，３４；チャック５，６，１５，１６；可変電位発生装置７，１７，１９，２４，２８，３７；洗浄液供給ノズル１３；第１電極１８；第２電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】洗浄すべき部材に第１電位を印加すると
共に、前記部材に対向して配置された電極に前記第１電
位と同極性で且つ絶対値が前記第１電位より大きい第２
電位を印加しつつ洗浄液により前記部材を洗浄すること
を特徴とする電子材料洗浄方法。
【請求項２】次いで、前記部材に前記第１電位と逆極
性の第３電位を印加すると共に、前記部材に対向して配
置された電極に前記第３電位と同極性で且つ絶対値が前
記第３電位より大きい第４電位を印加しつつ洗浄液によ
り前記部材を洗浄することを特徴とする請求項１に記載
の電子材料洗浄方法。
【請求項３】洗浄すべき部材を支持する導電性の支持
部材と、前記部材に対向する位置に電極を配置する電極
支持部材と、前記部材及び電極に同一極性であって前記
電極の方が絶対値が大きい電圧を印加する電圧印加手段
と、前記部材に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有
することを特徴とする電子材料洗浄装置。
【請求項４】洗浄すべき部材を接地電位に維持すると
共に、前記部材に対向して配置された第１電極に第１電
位を印加しつつ洗浄液により前記部材を洗浄する第１洗
浄工程と、前記部材を接地電位に維持すると共に、前記
部材に対向して配置した第２電極に前記第１電位と逆極
性の第２電位を印加しつつ洗浄液により前記部材を洗浄
する第２洗浄工程とを有することを特徴とする電子材料
洗浄方法。
【請求項５】前記第２洗浄工程において、同時に前記
第１電極に前記第１電位と逆極性の電圧を印加しつつ、
洗浄液により前記第１電極を洗浄することを特徴とする
請求項４に記載の電子材料洗浄方法。
【請求項６】洗浄すべき部材を支持する導電性の支持
部材と、前記部材に対向する位置とそれから外れる位置
に第１電極を配置することができる第１電極支持部材
と、前記部材に対向する位置とそれから外れる位置に第
２電極を配置することができる第２電極支持部材と、前
記部材に接地電位を印加し前記第１電極及び第２電極に
選択的に正極性又は負極性の電圧を印加する電圧印加手
段と、前記部材に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを
有することを特徴とする電子材料洗浄装置。