JPH08105918A - 光磁界センサ - Google Patents
光磁界センサInfo
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- JPH08105918A JPH08105918A JP6266079A JP26607994A JPH08105918A JP H08105918 A JPH08105918 A JP H08105918A JP 6266079 A JP6266079 A JP 6266079A JP 26607994 A JP26607994 A JP 26607994A JP H08105918 A JPH08105918 A JP H08105918A
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- Japan
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- total reflection
- magnetic field
- optical
- plane
- polarizer
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 全反射三角プリズムを磁気光学素子や偏光子
に対して精度よく固定することにより各光磁界センサ間
の挿入損失のばらつきを低減する。 【構成】 光ファイバ24,34、レンズ、プリズム2
7,31、偏光子28,30および磁気光学素子29を
1つのホルダに保持し、ホルダに光ファイバを固定して
全反射三角プリズムに対し整合させ、さらにホルダに設
けた第1の平面36a,36bに入射側および出射側全
反射三角プリズムの第1の面27a,31aを合わせ、
さらにホルダに該プリズム間の段部を設け、段部が前記
第1の平面に平行な平面を有すると共に第1の平面に直
交する端面を両端に有する第2の平面36c上に偏光子
と磁気光学素子を配置し、プリズムの第2の面27b,
31bを前記端面に各々合わせることにより、光ファイ
バと全反射三角プリズムと磁気光学素子および偏光子の
位置関係を精密に調整する。
に対して精度よく固定することにより各光磁界センサ間
の挿入損失のばらつきを低減する。 【構成】 光ファイバ24,34、レンズ、プリズム2
7,31、偏光子28,30および磁気光学素子29を
1つのホルダに保持し、ホルダに光ファイバを固定して
全反射三角プリズムに対し整合させ、さらにホルダに設
けた第1の平面36a,36bに入射側および出射側全
反射三角プリズムの第1の面27a,31aを合わせ、
さらにホルダに該プリズム間の段部を設け、段部が前記
第1の平面に平行な平面を有すると共に第1の平面に直
交する端面を両端に有する第2の平面36c上に偏光子
と磁気光学素子を配置し、プリズムの第2の面27b,
31bを前記端面に各々合わせることにより、光ファイ
バと全反射三角プリズムと磁気光学素子および偏光子の
位置関係を精密に調整する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学素子のファラ
デー効果を用いて磁界強度を測定する光磁界センサに関
し、特に受変電設備内および送配電線の周囲に発生する
磁界の強度を測定し電流の大きさを検知する光磁界セン
サに関する。
デー効果を用いて磁界強度を測定する光磁界センサに関
し、特に受変電設備内および送配電線の周囲に発生する
磁界の強度を測定し電流の大きさを検知する光磁界セン
サに関する。
【0002】
【従来の技術】発電所から消費者までの電力輸送経路で
ある変電所、送配電線に流れる電流の大きさを測定し、
異常を発見する電流センサは巻線型のものが用いられて
きた。しかし巻線型電流センサは、大型、大重量であ
り、絶縁性が悪いなど種々の問題点があり、近年この巻
線型電流センサを光磁界(電流)センサに置き換える計
画が進められている。光磁界センサは、電流の流れる導
体の周囲に発生する磁界を磁気光学材料が有するファラ
デー効果を利用して検知することにより電流値を測定す
る。光磁界センサは、小型軽量、高絶縁性であり、非接
触測定が可能で、電磁ノイズの影響を受けないなどの特
徴がある。
ある変電所、送配電線に流れる電流の大きさを測定し、
異常を発見する電流センサは巻線型のものが用いられて
きた。しかし巻線型電流センサは、大型、大重量であ
り、絶縁性が悪いなど種々の問題点があり、近年この巻
線型電流センサを光磁界(電流)センサに置き換える計
画が進められている。光磁界センサは、電流の流れる導
体の周囲に発生する磁界を磁気光学材料が有するファラ
デー効果を利用して検知することにより電流値を測定す
る。光磁界センサは、小型軽量、高絶縁性であり、非接
触測定が可能で、電磁ノイズの影響を受けないなどの特
徴がある。
【0003】光磁界センサの基本構成を図2に示す。光
源1の光は、入射側光ファイバ2から出た後、入射側レ
ンズ3、入射側全反射三角プリズム4、入射側偏光子5
を通過後、直線偏光となる。偏光した光が磁気光学素子
6を通過する際に被測定磁界(以後磁界と称する)の大
きさに応じて偏光面は回転する。これにより、磁界の大
きさに対応した強度の光が出射側偏光子7から得られ
る。この光は出射側全反射三角プリズム8で屈折して出
射側レンズ9で出射側光ファイバ10に集光された後、
光検出器11に導かれ光電変換され、電気信号として検
出される。光源1には、偏光特性のない発光ダイオード
(以後LEDと略す)が普通は用いられる。発光強度が
大きいレーザダイオードを用いることも考えられるが、
レーザダイオードは直線偏光を有するので、入射側光フ
ァイバ2を通過する際、入射側光ファイバ2に応力が加
わると偏光面が不安定になる。そのため偏光子5を透過
する光強度も不安定になるという問題点がある。
源1の光は、入射側光ファイバ2から出た後、入射側レ
ンズ3、入射側全反射三角プリズム4、入射側偏光子5
を通過後、直線偏光となる。偏光した光が磁気光学素子
6を通過する際に被測定磁界(以後磁界と称する)の大
きさに応じて偏光面は回転する。これにより、磁界の大
きさに対応した強度の光が出射側偏光子7から得られ
る。この光は出射側全反射三角プリズム8で屈折して出
射側レンズ9で出射側光ファイバ10に集光された後、
光検出器11に導かれ光電変換され、電気信号として検
出される。光源1には、偏光特性のない発光ダイオード
(以後LEDと略す)が普通は用いられる。発光強度が
大きいレーザダイオードを用いることも考えられるが、
レーザダイオードは直線偏光を有するので、入射側光フ
ァイバ2を通過する際、入射側光ファイバ2に応力が加
わると偏光面が不安定になる。そのため偏光子5を透過
する光強度も不安定になるという問題点がある。
【0004】一般に、光を利用した光磁界センサを製作
する際、挿入損失をできるだけ低く抑えることは、光検
出器11で光電変換後のS/Nを高めるうえで重要なこ
とである。従って、挿入損失が低い光磁界センサを実現
するには、各光学部品の正確なアライメントが必要とな
る。従来の光磁界センサでは全反射三角プリズム4、8
を固定した後、これらのプリズムの固定位置に起因する
光軸のズレを入射側光ファイバ2および出射側光ファイ
バ10のアライメントで補正する。これらの光ファイバ
のアライメントは、非常に手間暇が掛かる。そのために
この方法では光磁界センサの生産性を高めることはでき
ず、近年光磁界センサに対し求められている量産化を実
現することは困難である。
する際、挿入損失をできるだけ低く抑えることは、光検
出器11で光電変換後のS/Nを高めるうえで重要なこ
とである。従って、挿入損失が低い光磁界センサを実現
するには、各光学部品の正確なアライメントが必要とな
る。従来の光磁界センサでは全反射三角プリズム4、8
を固定した後、これらのプリズムの固定位置に起因する
光軸のズレを入射側光ファイバ2および出射側光ファイ
バ10のアライメントで補正する。これらの光ファイバ
のアライメントは、非常に手間暇が掛かる。そのために
この方法では光磁界センサの生産性を高めることはでき
ず、近年光磁界センサに対し求められている量産化を実
現することは困難である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで図3に示すよう
に各光学部品を固定する共通のホルダ20に対してV溝
13、23を設け、そのV溝13、23で入射側光ファ
イバ12および出射側光ファイバ22を固定することに
より、製作工程中の該光ファイバ12、22のアライメ
ントを不要とする発明がなされた。V溝13、23を形
成するV溝加工は円筒状のものを平面に固定する場合に
用いられる一般的な加工である。図3の場合、入射側レ
ンズを収容する筒部材14および出射側レンズを収容す
る筒部材21をV溝13、23に対し各々固定し、これ
に光ファイバ12、22を固着している。このようにV
溝加工を施して光ファイバ12、22のアライメントを
不必要にしたことによって光磁界センサの生産性は向上
した。しかし取扱いの難しい全反射三角プリズム15、
19の位置決めを図3に示すようにホルダ20の隅で行
うために、磁気光学素子や偏光子に対するアラインメン
トがばらつきやすく、量産した各光磁界センサ間の挿入
損失が大きくばらつくという問題が生じる。本発明はこ
のような課題に鑑みて、全反射三角プリズム15、19
を磁気光学素子や偏光子に対して精度よく固定すること
により各光磁界センサ間の挿入損失のばらつきを低減す
ることを目的とする。
に各光学部品を固定する共通のホルダ20に対してV溝
13、23を設け、そのV溝13、23で入射側光ファ
イバ12および出射側光ファイバ22を固定することに
より、製作工程中の該光ファイバ12、22のアライメ
ントを不要とする発明がなされた。V溝13、23を形
成するV溝加工は円筒状のものを平面に固定する場合に
用いられる一般的な加工である。図3の場合、入射側レ
ンズを収容する筒部材14および出射側レンズを収容す
る筒部材21をV溝13、23に対し各々固定し、これ
に光ファイバ12、22を固着している。このようにV
溝加工を施して光ファイバ12、22のアライメントを
不必要にしたことによって光磁界センサの生産性は向上
した。しかし取扱いの難しい全反射三角プリズム15、
19の位置決めを図3に示すようにホルダ20の隅で行
うために、磁気光学素子や偏光子に対するアラインメン
トがばらつきやすく、量産した各光磁界センサ間の挿入
損失が大きくばらつくという問題が生じる。本発明はこ
のような課題に鑑みて、全反射三角プリズム15、19
を磁気光学素子や偏光子に対して精度よく固定すること
により各光磁界センサ間の挿入損失のばらつきを低減す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、各光磁界セ
ンサ間における挿入損失のばらつきの低減について鋭意
研究を重ねた結果、ホルダの構造を改良することにより
挿入損失のばらつき低減が可能であることを見いだし、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。本発明によ
る光磁界センサは、光源からの光が入射側光ファイバ直
後の入射側レンズから入射側全反射三角プリズムに入っ
て、入射側偏光子、磁気光学素子、出射側偏光子、出射
側全反射三角プリズムを通過した後、出射側レンズによ
り出射側光ファイバへ導かれる構成において、前記光フ
ァイバ、レンズ、プリズム、偏光子および磁気光学素子
を1つのホルダに保持し、該ホルダに設けたV溝に該光
ファイバを固定して全反射三角プリズムに対し整合さ
せ、さらに該ホルダに設けた第1の平面に入射側および
出射側全反射三角プリズムの第1の面を合わせ、さらに
該ホルダに該プリズム間の段部を設け、該段部が前記第
1の平面に平行な第1の平面を有すると共に前記第1の
平面に直交する端面を両端に有し、第2の平面上に偏光
子と磁気光学素子を配置し、前記プリズムの第1の面に
直交する第2の面を前記端面に各々合わせることによ
り、光ファイバと全反射三角プリズムと磁気光学素子お
よび偏光子の位置関係を精密に調整したことを特徴とす
る。
ンサ間における挿入損失のばらつきの低減について鋭意
研究を重ねた結果、ホルダの構造を改良することにより
挿入損失のばらつき低減が可能であることを見いだし、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。本発明によ
る光磁界センサは、光源からの光が入射側光ファイバ直
後の入射側レンズから入射側全反射三角プリズムに入っ
て、入射側偏光子、磁気光学素子、出射側偏光子、出射
側全反射三角プリズムを通過した後、出射側レンズによ
り出射側光ファイバへ導かれる構成において、前記光フ
ァイバ、レンズ、プリズム、偏光子および磁気光学素子
を1つのホルダに保持し、該ホルダに設けたV溝に該光
ファイバを固定して全反射三角プリズムに対し整合さ
せ、さらに該ホルダに設けた第1の平面に入射側および
出射側全反射三角プリズムの第1の面を合わせ、さらに
該ホルダに該プリズム間の段部を設け、該段部が前記第
1の平面に平行な第1の平面を有すると共に前記第1の
平面に直交する端面を両端に有し、第2の平面上に偏光
子と磁気光学素子を配置し、前記プリズムの第1の面に
直交する第2の面を前記端面に各々合わせることによ
り、光ファイバと全反射三角プリズムと磁気光学素子お
よび偏光子の位置関係を精密に調整したことを特徴とす
る。
【0007】
【作用】従来の光磁界センサと異なる点は、同一平面す
なわち第1の平面上に置かれた2つのプリズム、すなわ
ち入射側プリズムと出射側プリズムの間に段部を設け、
光ファイバを設置するV溝と前記段部の位置関係を精密
に調整し、該段部に両プリズムを密着固定することによ
り該両プリズムの位置合わせを行うことにある。本構成
にすることで入射側と出射側のプリズムを精度よく、ば
らつきなく固定することが可能となる。したがって本構
成により量産した光磁界センサ間における挿入損失のば
らつきは大幅に低減される。
なわち第1の平面上に置かれた2つのプリズム、すなわ
ち入射側プリズムと出射側プリズムの間に段部を設け、
光ファイバを設置するV溝と前記段部の位置関係を精密
に調整し、該段部に両プリズムを密着固定することによ
り該両プリズムの位置合わせを行うことにある。本構成
にすることで入射側と出射側のプリズムを精度よく、ば
らつきなく固定することが可能となる。したがって本構
成により量産した光磁界センサ間における挿入損失のば
らつきは大幅に低減される。
【0008】
【実施例】以下、実施例によりさらに具体的に説明す
る。本発明による光磁界センサ32の構成を図1に示
す。図1では、全反射三角プリズム27、31の直交
面、すなわち第1の面31a、27aが水平方向に、第
2の面31b、27bが垂直面になっている。光源(図
示せず)から出た光が、入射側光ファイバ24を通っ
て、入射側レンズ収容筒14を通過し、入射側全反射三
角プリズム27を介して入射側偏光子28に入る。入射
側偏光子28を出た直線偏光は、磁気光学素子29で被
測定磁界の影響を受けた後、該磁界の大きさに対応した
強度の光が出射側偏光子30を通過し、出射側全反射三
角プリズム31および出射側レンズ収容筒33、さらに
出射側光ファイバ34を通って、光検出器(図示せず)
に入る。
る。本発明による光磁界センサ32の構成を図1に示
す。図1では、全反射三角プリズム27、31の直交
面、すなわち第1の面31a、27aが水平方向に、第
2の面31b、27bが垂直面になっている。光源(図
示せず)から出た光が、入射側光ファイバ24を通っ
て、入射側レンズ収容筒14を通過し、入射側全反射三
角プリズム27を介して入射側偏光子28に入る。入射
側偏光子28を出た直線偏光は、磁気光学素子29で被
測定磁界の影響を受けた後、該磁界の大きさに対応した
強度の光が出射側偏光子30を通過し、出射側全反射三
角プリズム31および出射側レンズ収容筒33、さらに
出射側光ファイバ34を通って、光検出器(図示せず)
に入る。
【0009】光磁界センサ32の主体はホルダであり、
次のような平台と段部が形成されている。全反射三角プ
リズム31、27は各々平台36a、36b上に載置さ
れ、偏光子28、30と磁気光学素子29は平台36c
に載置されている。平台36a、36bの表面(第1の
平面)は全反射三角プリズム31、27の第1の面31
a、27aと共に同一平面内にあり、平台36cの表面
(第2の平面)はこの同一平面と平行な平面内にある。
平台36aと平台36cの間、平台36bと平台36c
の間には、前記第1および第2の平面に対し垂直な端面
を有する段部37a、37bがある。この段部37c、
37bの端面は、全反射三角プリズム31、27の第2
の面31b、27bと合わさっている。さらに、上記光
磁界センサ32において、レンズ収納筒26、33の断
面は真円度が高く、レンズ収納筒26、33をV溝2
5、35に設置したとき、レンズ収納筒26、33の中
心軸が各々第1の平面に対し直交するようにV溝25、
35が形成されている。光ファイバ24、34はレンズ
収納筒26、33の中心軸に合わせて固着されている。
レンズ収納筒26、33は、その中心軸周辺が平台36
a、36bすなわち第1の平面に開口している。
次のような平台と段部が形成されている。全反射三角プ
リズム31、27は各々平台36a、36b上に載置さ
れ、偏光子28、30と磁気光学素子29は平台36c
に載置されている。平台36a、36bの表面(第1の
平面)は全反射三角プリズム31、27の第1の面31
a、27aと共に同一平面内にあり、平台36cの表面
(第2の平面)はこの同一平面と平行な平面内にある。
平台36aと平台36cの間、平台36bと平台36c
の間には、前記第1および第2の平面に対し垂直な端面
を有する段部37a、37bがある。この段部37c、
37bの端面は、全反射三角プリズム31、27の第2
の面31b、27bと合わさっている。さらに、上記光
磁界センサ32において、レンズ収納筒26、33の断
面は真円度が高く、レンズ収納筒26、33をV溝2
5、35に設置したとき、レンズ収納筒26、33の中
心軸が各々第1の平面に対し直交するようにV溝25、
35が形成されている。光ファイバ24、34はレンズ
収納筒26、33の中心軸に合わせて固着されている。
レンズ収納筒26、33は、その中心軸周辺が平台36
a、36bすなわち第1の平面に開口している。
【0010】[実施例1]図1に示す本発明の光磁界セ
ンサを100台製作した。このとき光ファイバにはマル
チモードファイバを使用した。全反射三角プリズムはA
Rコート付きで、偏光子にはARコート付き偏光ガラス
を使った。各光磁界センサの磁気光学素子には組成およ
び厚さが等しいARコート付き磁性ガーネットを用い
た。各光磁界センサの挿入損失は、波長850nmのL
ED光を光源に用いて磁界のない状態で測定した。挿入
損失は、光源と検出器の間に、光ファイバを挿入して光
検出器で計測する参照光パワー(dBm)と、本発明に
かかる光磁界センサ32を挿入したときに同一の光検出
器で測定したパワー(dBm)の差で定義した。本発明
による光磁界センサ100台における挿入損失のばらつ
きは8.5ddB±0.1dBであった。
ンサを100台製作した。このとき光ファイバにはマル
チモードファイバを使用した。全反射三角プリズムはA
Rコート付きで、偏光子にはARコート付き偏光ガラス
を使った。各光磁界センサの磁気光学素子には組成およ
び厚さが等しいARコート付き磁性ガーネットを用い
た。各光磁界センサの挿入損失は、波長850nmのL
ED光を光源に用いて磁界のない状態で測定した。挿入
損失は、光源と検出器の間に、光ファイバを挿入して光
検出器で計測する参照光パワー(dBm)と、本発明に
かかる光磁界センサ32を挿入したときに同一の光検出
器で測定したパワー(dBm)の差で定義した。本発明
による光磁界センサ100台における挿入損失のばらつ
きは8.5ddB±0.1dBであった。
【0011】[実施例2]50Hzの交流磁界7000
eを定格実効磁界として350eまで変化させたときの
比誤差および位相角の測定を本発明の光磁界センサに対
して行った。光検出器の出力と測定したい磁界の大きさ
とは本来直線関係にあるべきだが、種々の要因で光検出
器の出力がこの直線からずれることがあり、このずれ率
を比誤差という。すなわち、 (定格実効磁界印加時の光検出器からの出力)/(定格
実効磁界)=KO、(測定実効磁界印加時の光検出器か
らの出力)/(測定実効磁界)=Kとすると、比誤差R
は、R=(KO/K−1)×100(%)と表せられ
る。位相角とは、被測定磁界の位相と光検出器の出力位
相間の位相差のことである。本発明の光磁界センサで測
定した比誤差と位相角は、35〜7000eの実効磁界
全範囲において非常に小さかった。以上のように、本発
明による光磁界センサは、挿入損失のばらつきが小さ
く、かつ高精度な光磁界センサであることが実証され
た。
eを定格実効磁界として350eまで変化させたときの
比誤差および位相角の測定を本発明の光磁界センサに対
して行った。光検出器の出力と測定したい磁界の大きさ
とは本来直線関係にあるべきだが、種々の要因で光検出
器の出力がこの直線からずれることがあり、このずれ率
を比誤差という。すなわち、 (定格実効磁界印加時の光検出器からの出力)/(定格
実効磁界)=KO、(測定実効磁界印加時の光検出器か
らの出力)/(測定実効磁界)=Kとすると、比誤差R
は、R=(KO/K−1)×100(%)と表せられ
る。位相角とは、被測定磁界の位相と光検出器の出力位
相間の位相差のことである。本発明の光磁界センサで測
定した比誤差と位相角は、35〜7000eの実効磁界
全範囲において非常に小さかった。以上のように、本発
明による光磁界センサは、挿入損失のばらつきが小さ
く、かつ高精度な光磁界センサであることが実証され
た。
【0012】[従来例]本発明による光磁界センサで使
用した各光学部品と同等のものを用いて図3に示す従来
型の光磁界センサを100台製作した。実施例と同じ条
件でこれらの挿入損失を測定した結果を本発明の光磁界
センサと比較した。比誤差および位相角に関しては同等
の特性が得られるが、挿入損失のばらつきに関して9.
5dB±1dBと大きくばらついた。本実施例は、全反
射三角プリズム31、27の第1の面31a、27cを
水平方向に、第2の面31b、27bを垂直方向に向け
て説明したが、この光磁界センサはいかなる姿勢も取り
得るのであって、全反射三角プリズム31、27の図面
上の向きは説明のためにすぎない。
用した各光学部品と同等のものを用いて図3に示す従来
型の光磁界センサを100台製作した。実施例と同じ条
件でこれらの挿入損失を測定した結果を本発明の光磁界
センサと比較した。比誤差および位相角に関しては同等
の特性が得られるが、挿入損失のばらつきに関して9.
5dB±1dBと大きくばらついた。本実施例は、全反
射三角プリズム31、27の第1の面31a、27cを
水平方向に、第2の面31b、27bを垂直方向に向け
て説明したが、この光磁界センサはいかなる姿勢も取り
得るのであって、全反射三角プリズム31、27の図面
上の向きは説明のためにすぎない。
【0013】
【発明の効果】本発明による光磁界センサは、以上のよ
うに構成されているので、2つの全反射三角プリズム間
の段部にこれらのプリズムを密着固定することにより全
反射三角プリズムと光ファイバを高精度に位置合わせす
ることが可能であり、量産した各光磁界センサ間の挿入
損失のばらつきを大幅に低減することが可能となる。
うに構成されているので、2つの全反射三角プリズム間
の段部にこれらのプリズムを密着固定することにより全
反射三角プリズムと光ファイバを高精度に位置合わせす
ることが可能であり、量産した各光磁界センサ間の挿入
損失のばらつきを大幅に低減することが可能となる。
【図1】本発明による光磁界センサの概略斜視図であ
る。
る。
【図2】光磁界センサの基本構成説明図である。
【図3】従来の光磁界センサの概略斜視図である。
1 光源 2、10、12、22、24、34 光ファイバ 3、9 レンズ 4、8、15、19、27、31 全反射三角プリ
ズム 5、7、16、18、28、30 偏光子 6、17、29 磁気光学素子 11 光検出器
ズム 5、7、16、18、28、30 偏光子 6、17、29 磁気光学素子 11 光検出器
Claims (2)
- 【請求項1】 入射側光ファイバを通って入射側レンズ
から出る光が、入射側全反射三角プリズム、入射側偏光
子、磁気光学素子、出射側偏光子、出射側全反射三角プ
リズムを通過した後、出射側レンズを通って出射側光フ
ァイバへ導かれるように、前記光ファイバ、レンズ、全
反射三角プリズム、偏光子および磁気光学素子を1つの
ホルダに保持する光磁界センサにおいて、ホルダは、入
射側および出射側の全反射三角プリズムの第1の面が各
々合わせられる第1の平面と、入射側および出射側の全
反射三角プリズムの間に設けられた段部とを有し、第1
の平面と平行に該段部上に設けられた第2の平面に前記
偏光子と磁気光学素子が載置され、該段部の両端に前記
第1の平面に垂直な端面が形成され、入射側および出射
側の全反射三角プリズムの前記第1の面に直交する第2
の面が該端面に合わさせられていることを特徴とする光
磁界センサ。 - 【請求項2】 入射側光ファイバを通って入射側レンズ
から出る光が、入射側全反射三角プリズム、入射側偏光
子、磁気光学素子、出射側偏光子、出射側全反射三角プ
リズムを通過した後、出射側レンズを通って出射側光フ
ァイバへ導かれるように、前記光ファイバ、レンズ、全
反射三角プリズム、偏光子および磁気光学素子を1つの
ホルダに保持する光磁界センサにおいて、ホルダ内に第
1の平面を形成し、該第1の平面に直交するように入射
側光ファイバと出射側光ファイバを配置し、入射側全反
射三角プリズムおよび出射側全反射プリズムが第1の面
および該第1の面に直交する第2の面を有し、該第1の
面を前記第1の平面に合わせ、入射側全反射プリズムと
出射側全反射三角プリズムの間に位置する段部をホルダ
内に設け、該段部は第1の平面に垂直な端面を両端に有
し、該端面に前記第2の面が各々合わさっていることを
特徴とする光磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6266079A JPH08105918A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 光磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6266079A JPH08105918A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 光磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08105918A true JPH08105918A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17426061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6266079A Pending JPH08105918A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 光磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08105918A (ja) |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP6266079A patent/JPH08105918A/ja active Pending
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