JPH08106200A - 帯電装置及び画像形成装置 - Google Patents
帯電装置及び画像形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被帯電体にピンホールがあってもリーク画像
を生じず帯電不良のない均一な帯電を実現する。 【解決手段】 感光体１の帯電面１ａに帯電部材２を対
向させて配置する。帯電部材２を電極スリーブ２１、マ
グネット２２、磁気ブラシ２３によって構成し、磁気ブ
ラシ２３を帯電面１ａに接触させる。磁性粒子２３の抵
抗値を印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜１
×１０7 Ωの範囲に設定する。
を生じず帯電不良のない均一な帯電を実現する。 【解決手段】 感光体１の帯電面１ａに帯電部材２を対
向させて配置する。帯電部材２を電極スリーブ２１、マ
グネット２２、磁気ブラシ２３によって構成し、磁気ブ
ラシ２３を帯電面１ａに接触させる。磁性粒子２３の抵
抗値を印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜１
×１０7 Ωの範囲に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光体や誘電体の
ような被帯電体に接触可能な帯電部材を有する帯電装置
に関する。この帯電装置は、好ましくは、複写機、プリ
ンタ等の画像形成装置や、この装置に着脱可能なプロセ
スカートリッジに適用される。
ような被帯電体に接触可能な帯電部材を有する帯電装置
に関する。この帯電装置は、好ましくは、複写機、プリ
ンタ等の画像形成装置や、この装置に着脱可能なプロセ
スカートリッジに適用される。
【０００２】
【背景技術】電子写真装置における帯電装置として、従
来、ワイヤとシールドを備えるコロナ帯電方式が主に用
いられてきたが、最近ではエコロジーの観点から、放電
によるオゾン生成物の少ない接触帯電方式を用いるもの
が増加している。この接触帯電方式に用いる帯電部材の
１つとしては、磁気ブラシが知られている。
来、ワイヤとシールドを備えるコロナ帯電方式が主に用
いられてきたが、最近ではエコロジーの観点から、放電
によるオゾン生成物の少ない接触帯電方式を用いるもの
が増加している。この接触帯電方式に用いる帯電部材の
１つとしては、磁気ブラシが知られている。
【０００３】上記磁気ブラシ帯電方式は、被帯電体と帯
電部材との接触機会を増やすことが、可能なため特に被
帯電体としての感光体と帯電部材との接触部で電流を流
し、接触部で感光体へ電荷を注入する注入帯電方式に適
している。
電部材との接触機会を増やすことが、可能なため特に被
帯電体としての感光体と帯電部材との接触部で電流を流
し、接触部で感光体へ電荷を注入する注入帯電方式に適
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁性粒
子としてマグネタイトを用いるとマグネタイトの抵抗値
が電圧依存性をもつために以下のような問題があった。
子としてマグネタイトを用いるとマグネタイトの抵抗値
が電圧依存性をもつために以下のような問題があった。
【０００５】具体的には、磁性粒子として用いていたマ
グネタイトは１００ＶのＤＣ電圧を印加したときに測定
した磁気ブラシの抵抗値がピンホールリークを発生しな
い１×１０4 Ω以上であっても、帯電時の印加電圧（例
えば−７００Ｖ）では、磁気ブラシの抵抗が下がり感光
体上のピンホールでリークし、画像上の長手方向に帯電
ニップ形状の横線が発生してしまう。
グネタイトは１００ＶのＤＣ電圧を印加したときに測定
した磁気ブラシの抵抗値がピンホールリークを発生しな
い１×１０4 Ω以上であっても、帯電時の印加電圧（例
えば−７００Ｖ）では、磁気ブラシの抵抗が下がり感光
体上のピンホールでリークし、画像上の長手方向に帯電
ニップ形状の横線が発生してしまう。
【０００６】一方、磁性粒子の抵抗が１００Ｖ印加時に
帯電不良を発生しない１×１０7 Ω以下であっても、実
際の帯電時の電圧では磁気ブラシの抵抗値が変化し、帯
電不良となることがある。
帯電不良を発生しない１×１０7 Ω以下であっても、実
際の帯電時の電圧では磁気ブラシの抵抗値が変化し、帯
電不良となることがある。
【０００７】本発明の目的は、帯電均一性の向上、被帯
電体表面のピンホールによるリークの防止、を達成する
帯電装置及び画像形成装置を提供することである。
電体表面のピンホールによるリークの防止、を達成する
帯電装置及び画像形成装置を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、帯電能力が向上する
帯電装置及び画像形成装置を提供することである。
帯電装置及び画像形成装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、被帯電体を帯
電するために電圧が印加可能である帯電部材を有し、こ
の帯電部材は、磁気ブラシ状で前記被帯電体に接触可能
な磁性粒子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、を
備える帯電装置において、前記磁性粒子の抵抗値は、１
〜１０００（Ｖ）の印加電圧に対して１×１０4 〜１×
１０7 （Ω）に含まれることを特徴とする帯電装置を要
旨とする。
電するために電圧が印加可能である帯電部材を有し、こ
の帯電部材は、磁気ブラシ状で前記被帯電体に接触可能
な磁性粒子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、を
備える帯電装置において、前記磁性粒子の抵抗値は、１
〜１０００（Ｖ）の印加電圧に対して１×１０4 〜１×
１０7 （Ω）に含まれることを特徴とする帯電装置を要
旨とする。
【００１０】また、本発明は前記帯電装置を用いた画像
形成装置を要旨とする。
形成装置を要旨とする。
【００１１】また、本発明は、被帯電体を帯電するため
に電圧が印加可能である帯電部材であって、この帯電部
材は、磁気ブラシ状で前記被帯電体に接触可能な磁性粒
子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、を備える帯
電装置において、前記帯電部材に印加する電圧の最大値
をＶｍａｘ（Ｖ）とすると前記磁性粒子の抵抗値は、１
〜Ｖｍａｘ（Ｖ）の印加電圧に対して１×１０4 〜１×
１０7 （Ω）に含まれることを特徴とする帯電装置を要
旨とする。
に電圧が印加可能である帯電部材であって、この帯電部
材は、磁気ブラシ状で前記被帯電体に接触可能な磁性粒
子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、を備える帯
電装置において、前記帯電部材に印加する電圧の最大値
をＶｍａｘ（Ｖ）とすると前記磁性粒子の抵抗値は、１
〜Ｖｍａｘ（Ｖ）の印加電圧に対して１×１０4 〜１×
１０7 （Ω）に含まれることを特徴とする帯電装置を要
旨とする。
【００１２】また、本発明は前記帯電装置を用いた画像
形成装置を要旨とする。
形成装置を要旨とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００１４】＜実施形態１＞図１に、本発明の帯電装置
を装着した画像形成装置の一例として、電子写真方式の
レーザビームプリンタを示す。以下、その構成と動作と
を簡単に説明する。
を装着した画像形成装置の一例として、電子写真方式の
レーザビームプリンタを示す。以下、その構成と動作と
を簡単に説明する。
【００１５】同図に示す画像形成装置は、像担持体とし
て、ドラム型の電子写真感光体（感光体）１を備えてい
る。同図の感光体１は、直径３０ｍｍのＯＰＣ感光体で
あり、矢印Ｒ１方向に１００ｍｍ／ｓｅｃのプロセスス
ピード（周速度）をもって回転駆動される。
て、ドラム型の電子写真感光体（感光体）１を備えてい
る。同図の感光体１は、直径３０ｍｍのＯＰＣ感光体で
あり、矢印Ｒ１方向に１００ｍｍ／ｓｅｃのプロセスス
ピード（周速度）をもって回転駆動される。
【００１６】感光体１には、接触帯電部材としての導電
磁気ブラシ（以下単に「磁気ブラシ」という。）２が接
触されている。導電磁気ブラシ２は、回転可能な非磁性
帯電スリーブ２１の内部に固定のマグネットロール２２
を配し、マグネット２２の磁力により磁性粒子２３を付
着させて構成されている。この帯電部材２には、帯電バ
イアス印加電源Ｓ１から−７００ＶのＤＣ帯電バイアス
が印加されていて、これにより、感光体１表面の帯電面
１ａがほぼ−７００Ｖに一様に帯電される。
磁気ブラシ（以下単に「磁気ブラシ」という。）２が接
触されている。導電磁気ブラシ２は、回転可能な非磁性
帯電スリーブ２１の内部に固定のマグネットロール２２
を配し、マグネット２２の磁力により磁性粒子２３を付
着させて構成されている。この帯電部材２には、帯電バ
イアス印加電源Ｓ１から−７００ＶのＤＣ帯電バイアス
が印加されていて、これにより、感光体１表面の帯電面
１ａがほぼ−７００Ｖに一様に帯電される。
【００１７】この感光体１の帯電面１ａに対して、レー
ザダイオード、ポリゴンミラー等を含むレーザビームス
キャナ（不図示）から出力されるレーザビーム、つまり
目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応し
て強度変調されたレーザビームによる走査露光Ｌがなさ
れ、感光体１の帯電面１ａに目的の画像情報に対応した
静電潜像が形成される。この静電潜像は、磁性一成分絶
縁トナーを用いた反転現像装置３によりトナー像として
現像される。現像装置３は、マグネット３ｂを内包する
直径１６ｍｍの非磁性現像スリーブ３ａを有する。この
現像スリーブ３ａにネガトナーをコートし、感光体１表
面との距離３００μｍに固定した状態で、感光体１と等
速で回転させ、さらに、現像スリーブ３ａに現像バイア
ス電源Ｓ２より現像バイアス電圧を印加する。電圧は、
−５００ＶのＤＣ電圧と、周波数１８００Ｈｚ、ピーク
間電圧１６００Ｖの矩形のＡＣ電圧を重畳したものを用
い、現像スリーブ３ａと感光体１との間でジャンピング
現像を行わせる。
ザダイオード、ポリゴンミラー等を含むレーザビームス
キャナ（不図示）から出力されるレーザビーム、つまり
目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応し
て強度変調されたレーザビームによる走査露光Ｌがなさ
れ、感光体１の帯電面１ａに目的の画像情報に対応した
静電潜像が形成される。この静電潜像は、磁性一成分絶
縁トナーを用いた反転現像装置３によりトナー像として
現像される。現像装置３は、マグネット３ｂを内包する
直径１６ｍｍの非磁性現像スリーブ３ａを有する。この
現像スリーブ３ａにネガトナーをコートし、感光体１表
面との距離３００μｍに固定した状態で、感光体１と等
速で回転させ、さらに、現像スリーブ３ａに現像バイア
ス電源Ｓ２より現像バイアス電圧を印加する。電圧は、
−５００ＶのＤＣ電圧と、周波数１８００Ｈｚ、ピーク
間電圧１６００Ｖの矩形のＡＣ電圧を重畳したものを用
い、現像スリーブ３ａと感光体１との間でジャンピング
現像を行わせる。
【００１８】一方、不図示の給紙部から記録材としての
転写材Ｐが供給されて、感光体１と、これに所定の押圧
力で当接させた接触転写手段としての１０6 〜１０9 Ω
の中抵抗の転写ローラ４との間に形成される圧接ニップ
部（転写部）Ｔに所定のタイミングにて導入される。転
写ローラ４には転写バイアス印加電源Ｓ３から所定の転
写バイアス電圧が印加される。
転写材Ｐが供給されて、感光体１と、これに所定の押圧
力で当接させた接触転写手段としての１０6 〜１０9 Ω
の中抵抗の転写ローラ４との間に形成される圧接ニップ
部（転写部）Ｔに所定のタイミングにて導入される。転
写ローラ４には転写バイアス印加電源Ｓ３から所定の転
写バイアス電圧が印加される。
【００１９】本実施形態の転写ローラ４は、そのローラ
抵抗値が５×１０8 Ωのものを用い、＋２０００ＶのＤ
Ｃ電圧を印加して転写を行った。
抵抗値が５×１０8 Ωのものを用い、＋２０００ＶのＤ
Ｃ電圧を印加して転写を行った。
【００２０】転写部Ｔに導入された転写材Ｐはこの転写
部Ｔを挟持搬送されて、その表面側に、感光体１の表面
に形成担持されているトナー画像が順次に静電気力と押
し圧力にて転写されていく。
部Ｔを挟持搬送されて、その表面側に、感光体１の表面
に形成担持されているトナー画像が順次に静電気力と押
し圧力にて転写されていく。
【００２１】トナー画像の転写を受けた転写材Ｐは、感
光体１の帯電面１ａから分離されて熱定着方式の定着装
置５へ導入されてトナー画像の定着を受け、画像形成物
（プリント、コピー）として装置外へ排出される。
光体１の帯電面１ａから分離されて熱定着方式の定着装
置５へ導入されてトナー画像の定着を受け、画像形成物
（プリント、コピー）として装置外へ排出される。
【００２２】一方、転写材Ｐに対するトナー画像転写後
の感光体１は、表面の帯電面１ａに付着している残留ト
ナー等の付着汚染物がクリーニング装置６によって除去
され、次の画像形成に供される。
の感光体１は、表面の帯電面１ａに付着している残留ト
ナー等の付着汚染物がクリーニング装置６によって除去
され、次の画像形成に供される。
【００２３】なお、本実施形態の画像形成装置は、感光
体１、接触帯電部材２、現像装置３、クリーニング装置
６の４つのプロセス機器をカートリッジ容器２０ａに一
体的に組み込んでプロセスカートリッジ２０を構成し、
このプロセスカートリッジ２０を画像形成装置本体に対
して着脱自在に装着しているが、本発明に係る帯電装置
を装着対象となる画像形成装置は、このカートリッジ方
式に限るものではない。
体１、接触帯電部材２、現像装置３、クリーニング装置
６の４つのプロセス機器をカートリッジ容器２０ａに一
体的に組み込んでプロセスカートリッジ２０を構成し、
このプロセスカートリッジ２０を画像形成装置本体に対
して着脱自在に装着しているが、本発明に係る帯電装置
を装着対象となる画像形成装置は、このカートリッジ方
式に限るものではない。
【００２４】次に、図２を参照して感光体１について詳
述する。
述する。
【００２５】感光体１は、負帯電極性のＯＰＣ感光体で
あり、直径３０ｍｍのアルミニウム製の導電性基体１４
上に下記の第１〜第５の５層の機能層を下から順に設け
たものである。
あり、直径３０ｍｍのアルミニウム製の導電性基体１４
上に下記の第１〜第５の５層の機能層を下から順に設け
たものである。
【００２６】第１層は下引き層であり、基体１４の欠陥
等をならすため、またレーザ露光の反射によるモアレの
発生を防止するために設けられている厚さ約２０μｍの
導電層である。
等をならすため、またレーザ露光の反射によるモアレの
発生を防止するために設けられている厚さ約２０μｍの
導電層である。
【００２７】第２層は正電荷注入防止層であり、基体１
４から注入された正電荷が感光体表面に帯電された負電
荷を打ち消すのを防止する役割を果たし、アミラン樹脂
とメトキシメチル化ナイロンとによって１０6 Ω・ｃｍ
程度に抵抗調整された厚さ約１μｍの中抵抗層である。
４から注入された正電荷が感光体表面に帯電された負電
荷を打ち消すのを防止する役割を果たし、アミラン樹脂
とメトキシメチル化ナイロンとによって１０6 Ω・ｃｍ
程度に抵抗調整された厚さ約１μｍの中抵抗層である。
【００２８】第３層は電荷発生層であり、ジスアゾ系の
顔料を樹脂に分散した厚さ約０．３μｍの層であり、レ
ーザ露光を受けることによって正負の電荷対を発生す
る。
顔料を樹脂に分散した厚さ約０．３μｍの層であり、レ
ーザ露光を受けることによって正負の電荷対を発生す
る。
【００２９】第４層は電荷輸送層であり、ポリカーボネ
ート樹脂にヒドラゾンを分散したものであり、Ｐ型半導
体である。したがって、感光体表面に帯電された負電荷
はこの層を移動することはできず、電荷発生層で発生し
た正電荷のみを感光体表面に輸送することができる。
ート樹脂にヒドラゾンを分散したものであり、Ｐ型半導
体である。したがって、感光体表面に帯電された負電荷
はこの層を移動することはできず、電荷発生層で発生し
た正電荷のみを感光体表面に輸送することができる。
【００３０】第５層は帯電部材の磁性粒子と接する電荷
注入層であり、光硬化性のアクリル樹脂に超微粒子のＳ
ｎＯ2 を分散した材料の塗工層である。具体的には、ア
ンチモンをドーピングし、低抵抗化した粒径約０．０３
μｍのＳｎＯ2 粒子を樹脂に対して７０重量％分散した
材料の塗工層である。このようにして調合した塗工液を
ディッピング塗工法にて、厚さ約３μｍに塗工して電荷
注入層とした。
注入層であり、光硬化性のアクリル樹脂に超微粒子のＳ
ｎＯ2 を分散した材料の塗工層である。具体的には、ア
ンチモンをドーピングし、低抵抗化した粒径約０．０３
μｍのＳｎＯ2 粒子を樹脂に対して７０重量％分散した
材料の塗工層である。このようにして調合した塗工液を
ディッピング塗工法にて、厚さ約３μｍに塗工して電荷
注入層とした。
【００３１】これによって感光体の表面層の抵抗は、従
来の電荷輸送層単体の場合１×１０15Ω・ｃｍだったの
に比べ、１×１０11Ω・ｃｍにまで低下した。
来の電荷輸送層単体の場合１×１０15Ω・ｃｍだったの
に比べ、１×１０11Ω・ｃｍにまで低下した。
【００３２】なお電荷注入層の体積抵抗率は、１×１０
9 〜１×１０15Ω・ｃｍが好ましい。この体積抵抗率
は、シート状のサンプルに１００Ｖの電圧を印加したと
きのものでＹＨＰのＨＩＧＨ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ
ＭＥＴＥＲ ４３２９ＡにＲＥＳＩＳＴＩＶＩＴＹ Ｃ
ＥＬＬ １６００８Ａを接続して測定した。
9 〜１×１０15Ω・ｃｍが好ましい。この体積抵抗率
は、シート状のサンプルに１００Ｖの電圧を印加したと
きのものでＹＨＰのＨＩＧＨ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ
ＭＥＴＥＲ ４３２９ＡにＲＥＳＩＳＴＩＶＩＴＹ Ｃ
ＥＬＬ １６００８Ａを接続して測定した。
【００３３】次に図２を参照して帯電装置について詳し
く述べる。
く述べる。
【００３４】図中の２は感光体１に当接された接触帯電
部材としての導電磁気ブラシであり、外径１６ｍｍの非
磁性導電帯電スリーブ２１と、これに内包されるマグネ
ットロール２２と、帯電スリーブ２１上での磁性粒子２
３とによって構成され、マグネットロール２２は固定さ
れ、帯電スリーブ２１が回転駆動可能となっている。帯
電スリーブ２１表面でのマグネットによる磁束密度は８
００×１０-4Ｔ（テスラ）である。磁性粒子２３を帯電
スリーブ２１上に厚さ１ｍｍ長手幅２２０ｍｍでコート
して感光体１との間に幅約５ｍｍの帯電ニップを形成
し、感光体１と接触させる。このスリーブ２１には帯電
バイアス印加電源Ｓ１から−７００ＶのＤＣ帯電バイア
スが印加されていて、感光体１の帯電面１ａがほぼ−７
００Ｖに一様に帯電される。
部材としての導電磁気ブラシであり、外径１６ｍｍの非
磁性導電帯電スリーブ２１と、これに内包されるマグネ
ットロール２２と、帯電スリーブ２１上での磁性粒子２
３とによって構成され、マグネットロール２２は固定さ
れ、帯電スリーブ２１が回転駆動可能となっている。帯
電スリーブ２１表面でのマグネットによる磁束密度は８
００×１０-4Ｔ（テスラ）である。磁性粒子２３を帯電
スリーブ２１上に厚さ１ｍｍ長手幅２２０ｍｍでコート
して感光体１との間に幅約５ｍｍの帯電ニップを形成
し、感光体１と接触させる。このスリーブ２１には帯電
バイアス印加電源Ｓ１から−７００ＶのＤＣ帯電バイア
スが印加されていて、感光体１の帯電面１ａがほぼ−７
００Ｖに一様に帯電される。
【００３５】図５に、帯電スリーブ２１の回転数と、反
転現像系での帯電能力を示す帯電による画像のカブリと
の関係を示す。カブリは、感光体に電荷が注入されず帯
電不良が増えると増え、電荷が均一に注入されると減
る。横軸の回転数は正の値が感光体１の回転方向（矢印
Ｒ１方向）に対して順方向（接触部で同じ方向）に、ま
た、負の値が感光体１の回転方向に対して逆方向（接触
部で逆方向）に、それぞれ帯電スリーブ２１表面が移動
していることを示す。このグラフより帯電スリーブ２１
の回転を逆方向にするか、順方向で回転を早くすること
でカブリの量を少なくできることがわかる。逆回転で
は、帯電ニップを出た後、帯電スリーブ２１外周を１周
してチャージアップを解かれた磁性粒子２３が感光体１
に接触するので、良好な帯電性能が得られる。しかし、
順回転では、磁性粒子２３が感光体１の被帯電面１ａに
接触した後、感光体１上の接触点を次々と追い越してゆ
くので、帯電ニップの出口付近では正にチャージアップ
した磁性粒子２３が感光体１と接触することになり、こ
のため逆回転に比べて帯電性能が悪い。
転現像系での帯電能力を示す帯電による画像のカブリと
の関係を示す。カブリは、感光体に電荷が注入されず帯
電不良が増えると増え、電荷が均一に注入されると減
る。横軸の回転数は正の値が感光体１の回転方向（矢印
Ｒ１方向）に対して順方向（接触部で同じ方向）に、ま
た、負の値が感光体１の回転方向に対して逆方向（接触
部で逆方向）に、それぞれ帯電スリーブ２１表面が移動
していることを示す。このグラフより帯電スリーブ２１
の回転を逆方向にするか、順方向で回転を早くすること
でカブリの量を少なくできることがわかる。逆回転で
は、帯電ニップを出た後、帯電スリーブ２１外周を１周
してチャージアップを解かれた磁性粒子２３が感光体１
に接触するので、良好な帯電性能が得られる。しかし、
順回転では、磁性粒子２３が感光体１の被帯電面１ａに
接触した後、感光体１上の接触点を次々と追い越してゆ
くので、帯電ニップの出口付近では正にチャージアップ
した磁性粒子２３が感光体１と接触することになり、こ
のため逆回転に比べて帯電性能が悪い。
【００３６】また、カブリを防止するための帯電性能を
得るために、順方向では帯電スリーブ２１の回転数が２
９４ｒｐｍ（周速２００ｍｍ／ｓｅｃ）以上が好ましい
が、逆方向ではブラシ停止状態より少し帯電スリーブ２
１を回転させればよい。ここで、グラフ中の回転数０ｒ
ｐｍの特異点は、ブラシが停止している状態で、ブラシ
のチャージアップによって帯電性能が低下していること
がわかる。
得るために、順方向では帯電スリーブ２１の回転数が２
９４ｒｐｍ（周速２００ｍｍ／ｓｅｃ）以上が好ましい
が、逆方向ではブラシ停止状態より少し帯電スリーブ２
１を回転させればよい。ここで、グラフ中の回転数０ｒ
ｐｍの特異点は、ブラシが停止している状態で、ブラシ
のチャージアップによって帯電性能が低下していること
がわかる。
【００３７】以上によりスリーブ２１の回転速さが同じ
場合、スリーブ２１は感光体の回転方向と順方向よりも
逆方向の方がカブリの少ない帯電性を確保できる。
場合、スリーブ２１は感光体の回転方向と順方向よりも
逆方向の方がカブリの少ない帯電性を確保できる。
【００３８】以上述べた感光体１と、接触帯電部材２を
用いて帯電を行う際の帯電原理について述べる。
用いて帯電を行う際の帯電原理について述べる。
【００３９】注入帯電方式は、中抵抗の接触帯電部材２
で、中抵抗の表面抵抗を持つ感光体表面に電荷注入を行
うものであるが、本実施形態は感光体表面材質のもつト
ラップ電位に電荷を注入するものではなく、電荷注入層
の導電粒子に電荷を充電して帯電を行うものである。
で、中抵抗の表面抵抗を持つ感光体表面に電荷注入を行
うものであるが、本実施形態は感光体表面材質のもつト
ラップ電位に電荷を注入するものではなく、電荷注入層
の導電粒子に電荷を充電して帯電を行うものである。
【００４０】具体的には図２に示すように、電荷輸送層
１１を誘電体、アルミ基体１４と電荷注入層１３内の導
電粒子１２を両電極板とする微小なコンデンサに、接触
帯電部材２で電荷を充電する理論に基づくものである。
この際、導電粒子１２は互いに電気的には独立であり、
一種の微小なフロート電極を形成している。このため、
マクロ的には感光体表面は均一電位に充電、帯電されて
いるように見えるが、実際には微小な無数の充電された
ＳｎＯ2 が感光体表面を覆っているような状況となって
いる。このため、レーザによって画像露光を行ってもそ
れぞれのＳｎＯ2 粒子は電気的に独立なため、静電潜像
を保持することが可能になる。
１１を誘電体、アルミ基体１４と電荷注入層１３内の導
電粒子１２を両電極板とする微小なコンデンサに、接触
帯電部材２で電荷を充電する理論に基づくものである。
この際、導電粒子１２は互いに電気的には独立であり、
一種の微小なフロート電極を形成している。このため、
マクロ的には感光体表面は均一電位に充電、帯電されて
いるように見えるが、実際には微小な無数の充電された
ＳｎＯ2 が感光体表面を覆っているような状況となって
いる。このため、レーザによって画像露光を行ってもそ
れぞれのＳｎＯ2 粒子は電気的に独立なため、静電潜像
を保持することが可能になる。
【００４１】ここで、接触帯電部材である磁気ブラシ２
の磁性粒子２３としては、・樹脂とマグネタイト等の磁
性粉体を混練して粒子に成型したもの、もしくはこれに
抵抗値調節のために導電カーボン等を混ぜたもの、・焼
結したマグネタイト、フェライト、もしくはこれらを還
元または酸化処理して抵抗値を調節したもの、・上記の
磁性粒子２３を抵抗調整をしたコート材（フェノール樹
脂にカーボンを分散したもの等）でコートまたはＮｉ等
の金属でメッキ処理して抵抗値を適当な値にしたもの、
等が考えられる。これら磁性粒子２３の抵抗値として
は、高すぎると感光体１に電荷が均一に注入できず、微
小な帯電不良によるカブリ画像となってしまう。反対
に、低すぎると感光体表面にピンホールがあったとき、
ピンホールに電流が集中して帯電電圧が降下し感光体表
面を帯電することができず、帯電ニップ状の帯電不良と
なる。通常、磁性粒子２３の抵抗値は、低い印加電圧
（１〜１００Ｖ）で１〜２点測定されているが、磁性粒
子２３の抵抗値は図３のグラフに示すように電圧に依存
するため、不具合が生じてしまうことがある。
の磁性粒子２３としては、・樹脂とマグネタイト等の磁
性粉体を混練して粒子に成型したもの、もしくはこれに
抵抗値調節のために導電カーボン等を混ぜたもの、・焼
結したマグネタイト、フェライト、もしくはこれらを還
元または酸化処理して抵抗値を調節したもの、・上記の
磁性粒子２３を抵抗調整をしたコート材（フェノール樹
脂にカーボンを分散したもの等）でコートまたはＮｉ等
の金属でメッキ処理して抵抗値を適当な値にしたもの、
等が考えられる。これら磁性粒子２３の抵抗値として
は、高すぎると感光体１に電荷が均一に注入できず、微
小な帯電不良によるカブリ画像となってしまう。反対
に、低すぎると感光体表面にピンホールがあったとき、
ピンホールに電流が集中して帯電電圧が降下し感光体表
面を帯電することができず、帯電ニップ状の帯電不良と
なる。通常、磁性粒子２３の抵抗値は、低い印加電圧
（１〜１００Ｖ）で１〜２点測定されているが、磁性粒
子２３の抵抗値は図３のグラフに示すように電圧に依存
するため、不具合が生じてしまうことがある。
【００４２】ピンホールリークは帯電部材への高電圧印
加時の抵抗値で決まる。具体的には、感光体上のピンホ
ールがニップ部に来たとき、ピンホール部の感光体基板
のアースと帯電部材の磁性粒子に印加される電圧の差が
ピンホール部の磁性粒子に印加されるので、この時に過
剰に電流が流れないようにすることが好ましい。よって
そのためには帯電部材に印加される最大印加電圧Ｖｍａ
ｘ（Ｖ）での磁性粒子の抵抗値を１×１０4 Ω以上にす
ることが望ましい。なぜならＶｍａｘ（Ｖ）での磁性粒
子の抵抗値を１×１０4 Ωより小さくするとＶｍａｘ
（Ｖ）においてリークが生じてしまう。
加時の抵抗値で決まる。具体的には、感光体上のピンホ
ールがニップ部に来たとき、ピンホール部の感光体基板
のアースと帯電部材の磁性粒子に印加される電圧の差が
ピンホール部の磁性粒子に印加されるので、この時に過
剰に電流が流れないようにすることが好ましい。よって
そのためには帯電部材に印加される最大印加電圧Ｖｍａ
ｘ（Ｖ）での磁性粒子の抵抗値を１×１０4 Ω以上にす
ることが望ましい。なぜならＶｍａｘ（Ｖ）での磁性粒
子の抵抗値を１×１０4 Ωより小さくするとＶｍａｘ
（Ｖ）においてリークが生じてしまう。
【００４３】一方、帯電不良については帯電部材への低
電圧印加時の抵抗値で決まる。注入帯電方式は、図７に
示すように帯電部材と感光体が接触開始してから接触時
間が経過すると感光体電位（Ｖｄ）が帯電部材の印加電
圧（Ｖｄｃ）に近付いてゆく。具体的には感光体電位
を、初め０Ｖとすると時間ｔ＝０では、Ｖｄ＝０Ｖ、Ｖ
ｄｃ＝−７００Ｖなので実質磁性粒子にかかる電圧（Ｖ
ｄｃ−Ｖｄ）は、−７００Ｖである。よってこの時は、
７００Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗が帯電性を決める。そ
して、ある程度時間が経過した、ｔ＝ｔ1 では、Ｖｄ＝
−５００Ｖ、Ｖｄｃ＝−７００Ｖなので実質磁性粒子に
かかる電圧は、−２００Ｖである。この時は−２００Ｖ
印加時の磁性粒子の抵抗が帯電性を決める。というよう
に、実質磁性粒子にかかる電圧は、感光体電位（Ｖｄ）
が帯電部材印加電圧（Ｖｄｃ）に近付けば近付くほど、
小さくなってゆき、そのときどきの磁性粒子の抵抗が帯
電性を決めている。１Ｖを印加したときの磁性粒子の抵
抗が１×１０7 Ωより高いと、一定の帯電時間内に磁性
粒子から感光体に電荷を渡せなくなり、帯電不良となっ
てしまうために磁性粒子の抵抗は、１×１０7 Ω以下と
するのが良い。この低電圧側での抵抗値は、この注入帯
電方式において重要な特性であり、従来の接触帯電部材
では、微小なギャップに対して放電を行なって感光体を
帯電していたために、感光体電位と帯電部材との電位差
として放電閾値以上が必要であったのでここまで低い電
圧での抵抗値は問題にならなかった。
電圧印加時の抵抗値で決まる。注入帯電方式は、図７に
示すように帯電部材と感光体が接触開始してから接触時
間が経過すると感光体電位（Ｖｄ）が帯電部材の印加電
圧（Ｖｄｃ）に近付いてゆく。具体的には感光体電位
を、初め０Ｖとすると時間ｔ＝０では、Ｖｄ＝０Ｖ、Ｖ
ｄｃ＝−７００Ｖなので実質磁性粒子にかかる電圧（Ｖ
ｄｃ−Ｖｄ）は、−７００Ｖである。よってこの時は、
７００Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗が帯電性を決める。そ
して、ある程度時間が経過した、ｔ＝ｔ1 では、Ｖｄ＝
−５００Ｖ、Ｖｄｃ＝−７００Ｖなので実質磁性粒子に
かかる電圧は、−２００Ｖである。この時は−２００Ｖ
印加時の磁性粒子の抵抗が帯電性を決める。というよう
に、実質磁性粒子にかかる電圧は、感光体電位（Ｖｄ）
が帯電部材印加電圧（Ｖｄｃ）に近付けば近付くほど、
小さくなってゆき、そのときどきの磁性粒子の抵抗が帯
電性を決めている。１Ｖを印加したときの磁性粒子の抵
抗が１×１０7 Ωより高いと、一定の帯電時間内に磁性
粒子から感光体に電荷を渡せなくなり、帯電不良となっ
てしまうために磁性粒子の抵抗は、１×１０7 Ω以下と
するのが良い。この低電圧側での抵抗値は、この注入帯
電方式において重要な特性であり、従来の接触帯電部材
では、微小なギャップに対して放電を行なって感光体を
帯電していたために、感光体電位と帯電部材との電位差
として放電閾値以上が必要であったのでここまで低い電
圧での抵抗値は問題にならなかった。
【００４４】以下に具体的な例を挙げて説明する。
【００４５】抵抗の異なるＡ〜Ｄの磁性粒子について、
先に述べた画像形成装置を用いて、画像形成を行なっ
た。Ａ〜Ｄの磁性粒子の電圧に対する抵抗値は図３に示
す。これらの結果を表１に示す。帯電性については、帯
電ニップ１回通過後の感光体電位が、ほぼ−７００Ｖに
なっている場合を良好とした。
先に述べた画像形成装置を用いて、画像形成を行なっ
た。Ａ〜Ｄの磁性粒子の電圧に対する抵抗値は図３に示
す。これらの結果を表１に示す。帯電性については、帯
電ニップ１回通過後の感光体電位が、ほぼ−７００Ｖに
なっている場合を良好とした。
【００４６】
【表１】
【００４７】Ａは７００Ｖ印加時の抵抗が低いためにピ
ンホールでリークしてしまった。Ｂは帯電性は７００Ｖ
に帯電しておりピンホールでリークも起こさず良好な帯
電特性を示している。Ｃは１Ｖ印加時の抵抗が高いため
に、Ｖｄが７００Ｖまで帯電することが出来ない。Ｄは
１Ｖ印加時の抵抗が高いためにＶｄが７００Ｖまで帯電
することが出来ず、かつ７００Ｖ印加時の抵抗が低いた
めにピンホールでリークしてしまった。
ンホールでリークしてしまった。Ｂは帯電性は７００Ｖ
に帯電しておりピンホールでリークも起こさず良好な帯
電特性を示している。Ｃは１Ｖ印加時の抵抗が高いため
に、Ｖｄが７００Ｖまで帯電することが出来ない。Ｄは
１Ｖ印加時の抵抗が高いためにＶｄが７００Ｖまで帯電
することが出来ず、かつ７００Ｖ印加時の抵抗が低いた
めにピンホールでリークしてしまった。
【００４８】本実施形態では、帯電ニップ通過後に感光
体表面電位が帯電部材への印加電圧にほぼ一致するよう
にするのが好ましい。
体表面電位が帯電部材への印加電圧にほぼ一致するよう
にするのが好ましい。
【００４９】なお帯電部材によって帯電される感光体の
電位は、印加電圧に対して９４％以上が好ましい。即
ち、上述したように印加電圧が７００Ｖのときには、表
面電位は６５８Ｖ以上が好ましい。
電位は、印加電圧に対して９４％以上が好ましい。即
ち、上述したように印加電圧が７００Ｖのときには、表
面電位は６５８Ｖ以上が好ましい。
【００５０】ここで、図３中のＡはマグネタイト、Ｂは
銅亜鉛フェライト、ＣはＢの銅亜鉛フェライトを酸化処
理したもの、ＤはＡのマグネタイトを酸化処理したもの
である。構造の似ているフェライト（ＭＯ・Ｆｅ2 Ｏ
3 ）とマグネタイト（ＦｅＯ・Ｆｅ2 Ｏ3 ）の抵抗値の
違いについてであるが、多くのフェライトは高抵抗であ
るが、マグネタイトは、Ｆｅ2+とＦｅ3+の間で電子のや
りとりをかなり自由にできるため、図３のＡに示すよう
な抵抗特性を示す。一方、フェライトの場合もＦｅ3+以
外の金属イオンがＦｅ2+のイオン化ポテンシャル（３
０．６５１ｅＶ）より小さい場合（例えばＡ１＝２８．
４４７、Ｓｃ＝２４．７６ｅＶ）にはＦｅ3+との電子の
やり取りが可能となるため、図３のＡのような抵抗特性
を示すことが予想される。よってフェライトの鉄以外の
金属の第３イオン化ポテンシャルが鉄の第３イオン化ポ
テンシャルより大きければ、図３のＢのような印加電圧
１〜１０００Ｖにおいて抵抗値が１×１０4 〜１×１０
7 Ωとなる抵抗特性を示し、帯電性及びドラムピンホー
ルリーク防止に有効である。
銅亜鉛フェライト、ＣはＢの銅亜鉛フェライトを酸化処
理したもの、ＤはＡのマグネタイトを酸化処理したもの
である。構造の似ているフェライト（ＭＯ・Ｆｅ2 Ｏ
3 ）とマグネタイト（ＦｅＯ・Ｆｅ2 Ｏ3 ）の抵抗値の
違いについてであるが、多くのフェライトは高抵抗であ
るが、マグネタイトは、Ｆｅ2+とＦｅ3+の間で電子のや
りとりをかなり自由にできるため、図３のＡに示すよう
な抵抗特性を示す。一方、フェライトの場合もＦｅ3+以
外の金属イオンがＦｅ2+のイオン化ポテンシャル（３
０．６５１ｅＶ）より小さい場合（例えばＡ１＝２８．
４４７、Ｓｃ＝２４．７６ｅＶ）にはＦｅ3+との電子の
やり取りが可能となるため、図３のＡのような抵抗特性
を示すことが予想される。よってフェライトの鉄以外の
金属の第３イオン化ポテンシャルが鉄の第３イオン化ポ
テンシャルより大きければ、図３のＢのような印加電圧
１〜１０００Ｖにおいて抵抗値が１×１０4 〜１×１０
7 Ωとなる抵抗特性を示し、帯電性及びドラムピンホー
ルリーク防止に有効である。
【００５１】磁性粒子２３の抵抗値は、図４に示すよう
に、電圧が印加できる金属セル７（底面積２２７ｍｍ
2 ）に磁性粒子２３を２ｇ入れた後、６．６ｋｇ／ｃｍ
2 で加重し、電源Ｓ４でＤＣ電圧を印加して測定してい
る。なお、同図中、９は電極である。
に、電圧が印加できる金属セル７（底面積２２７ｍｍ
2 ）に磁性粒子２３を２ｇ入れた後、６．６ｋｇ／ｃｍ
2 で加重し、電源Ｓ４でＤＣ電圧を印加して測定してい
る。なお、同図中、９は電極である。
【００５２】図３中のＢの抵抗特性を示す銅亜鉛フェラ
イトを磁性粒子２３として磁気ブラシ２を構成し、前述
の画像形成装置で画像評価を行ったところ、感光体１上
にピンホールが生じていてもリークは発生せず、帯電不
良もない良好な画像を出力することに成功した。
イトを磁性粒子２３として磁気ブラシ２を構成し、前述
の画像形成装置で画像評価を行ったところ、感光体１上
にピンホールが生じていてもリークは発生せず、帯電不
良もない良好な画像を出力することに成功した。
【００５３】ここで磁性粒子２３は上述の銅亜鉛フェラ
イトに限定するものではなく、樹脂キャリヤであっても
抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜
１×１０7 Ωであれば、良好な画像を得ることができ
る。またフェライトにおいても銅亜鉛フェライトに限定
されるものではなく、前述したようにフェライトの２価
の金属イオンの第３イオン化ポテンシャルが鉄イオンの
第３イオン化ポテンシャルよりも大きいものであれば、
抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜
１×１０7 Ωとなるので、良好な画像を得ることができ
る。具体的には、銅、亜鉛以外の金属として、ニッケ
ル、マンガン、マグネシュウム等があげられるが、製造
での安定性や、コストの面からは、銅亜鉛フェライトが
望ましい。さらに、磁性粒子２３の表面を低抵抗化処理
することで、抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて
１×１０4 〜１×１０7 Ωとなるようにしてもよい。
イトに限定するものではなく、樹脂キャリヤであっても
抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜
１×１０7 Ωであれば、良好な画像を得ることができ
る。またフェライトにおいても銅亜鉛フェライトに限定
されるものではなく、前述したようにフェライトの２価
の金属イオンの第３イオン化ポテンシャルが鉄イオンの
第３イオン化ポテンシャルよりも大きいものであれば、
抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて１×１０4 〜
１×１０7 Ωとなるので、良好な画像を得ることができ
る。具体的には、銅、亜鉛以外の金属として、ニッケ
ル、マンガン、マグネシュウム等があげられるが、製造
での安定性や、コストの面からは、銅亜鉛フェライトが
望ましい。さらに、磁性粒子２３の表面を低抵抗化処理
することで、抵抗値が印加電圧１〜１０００Ｖにおいて
１×１０4 〜１×１０7 Ωとなるようにしてもよい。
【００５４】＜実施形態２＞本実施形態では、画像形成
後の転写残トナーを帯電部で一時的に回収し、かつ現像
部で回収することにより、クリーニングのみを行なうク
リーニング装置がない画像形成装置に本発明を適用した
場合について述べる。本実施形態で用いた画像形成装置
は、図７に構成の断面図を示すが、帯電部材にＤＣ電圧
にＡＣ電圧を重畳して印加することと、クリーニング装
置がないこと以外は実施形態１で述べた通りである。
後の転写残トナーを帯電部で一時的に回収し、かつ現像
部で回収することにより、クリーニングのみを行なうク
リーニング装置がない画像形成装置に本発明を適用した
場合について述べる。本実施形態で用いた画像形成装置
は、図７に構成の断面図を示すが、帯電部材にＤＣ電圧
にＡＣ電圧を重畳して印加することと、クリーニング装
置がないこと以外は実施形態１で述べた通りである。
【００５５】ここで、帯電部でＡＣを印加するのは、転
写残トナーを磁気ブラシ帯電器に回収し、磁気ブラシ内
でのトナー同志の摩擦や感光体との摩擦によって転写後
ばらばらであったトナーの帯電極性を正規の極性（本実
施形態では負極性）に揃え、電気的な力で磁気ブラシか
ら排出させ現像部で回収し易くするためである。
写残トナーを磁気ブラシ帯電器に回収し、磁気ブラシ内
でのトナー同志の摩擦や感光体との摩擦によって転写後
ばらばらであったトナーの帯電極性を正規の極性（本実
施形態では負極性）に揃え、電気的な力で磁気ブラシか
ら排出させ現像部で回収し易くするためである。
【００５６】本実施形態で帯電部材に印加した印加電圧
はＤＣは−７００ＶでＡＣはＶｐｐ（ピーク間電圧）８
００Ｖ、周波数１ｋＨｚ、ＡＣのデューティー５０％の
矩形波である。
はＤＣは−７００ＶでＡＣはＶｐｐ（ピーク間電圧）８
００Ｖ、周波数１ｋＨｚ、ＡＣのデューティー５０％の
矩形波である。
【００５７】ＤＣにＡＣを重畳した場合における、ピン
ホールリークは、帯電部材への最大印加電圧で決まり、
本実施形態の場合は、（−７００）＋（−４００）の−
１１００Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗が問題になる。一方
帯電性は、印加電圧のＤＣ電圧と、帯電ニップ１回通過
直後の感光体表面の平均電位と、の差の電圧で決まり、
本実施形態の場合は、ほぼ印加のＤＣ電位まで帯電する
ために、１Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗値が問題になる。
本実施形態で用いた磁性粒子は本実施形態１のＢで、抵
抗は１１００Ｖ印加時は３×１０5 Ωで１Ｖ印加時は８
×１０5 Ωであったので、感光体にピンホールがあった
場合もリークすることがなく、帯電ニップ１回通過直後
の感光体表面電位の平均値が−７００Ｖまで帯電するこ
とが出来、良好な帯電性が得られた。
ホールリークは、帯電部材への最大印加電圧で決まり、
本実施形態の場合は、（−７００）＋（−４００）の−
１１００Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗が問題になる。一方
帯電性は、印加電圧のＤＣ電圧と、帯電ニップ１回通過
直後の感光体表面の平均電位と、の差の電圧で決まり、
本実施形態の場合は、ほぼ印加のＤＣ電位まで帯電する
ために、１Ｖ印加時の磁性粒子の抵抗値が問題になる。
本実施形態で用いた磁性粒子は本実施形態１のＢで、抵
抗は１１００Ｖ印加時は３×１０5 Ωで１Ｖ印加時は８
×１０5 Ωであったので、感光体にピンホールがあった
場合もリークすることがなく、帯電ニップ１回通過直後
の感光体表面電位の平均値が−７００Ｖまで帯電するこ
とが出来、良好な帯電性が得られた。
【００５８】よって、帯電部材にＤＣにＡＣを重畳させ
た電圧を印加する場合においても、磁性粒子の抵抗値が
印加電圧１Ｖから最大値において、１×１０4 〜１×１
０7Ωであれば、ピンホールでリークせず帯電性も良好
である。よって、クリーナ装置のない画像形成装置にお
いても良好な画像を得ることが出来る。
た電圧を印加する場合においても、磁性粒子の抵抗値が
印加電圧１Ｖから最大値において、１×１０4 〜１×１
０7Ωであれば、ピンホールでリークせず帯電性も良好
である。よって、クリーナ装置のない画像形成装置にお
いても良好な画像を得ることが出来る。
【図１】実施形態１の画像形成装置の概略構成を示す模
式図。
式図。
【図２】実施形態１の感光体の拡大縦断面図および電荷
注入の概念を示す図。
注入の概念を示す図。
【図３】磁性粒子の、印加電圧と抵抗値との関係を示す
グラフ。
グラフ。
【図４】磁性粒子の抵抗を測定する様子を示す図。
【図５】磁気ブラシの回転数と帯電カブリとの関係とを
示すグラフ。
示すグラフ。
【図６】実施形態２の画像形成装置の概略構成を示す模
式図。
式図。
【図７】帯電時間と感光体電位の関係を表すグラフ。
１ 被帯電体（感光体） １ａ 被帯電面 ２ 帯電部材 ３ 現像装置 ４ 帯電ローラ ５ 定着装置 ６ クリーニング装置 １１ 電荷輸送層 １２ 導電粒子 １３ 電荷注入層 ２０ プロセスカートリッジ ２０ａ カートリッジ容器 ２１ 帯電電極 ２２ マグネット ２３ 磁性粒子
Claims (14)
- 【請求項１】 被帯電体を帯電するために電圧が印加可
能である帯電部材を有し、この帯電部材は、磁気ブラシ
状で前記被帯電体に接触可能な磁性粒子と、この磁性粒
子を支持する支持部材と、を備える帯電装置において、 前記磁性粒子の抵抗値は、１〜１０００（Ｖ）の印加電
圧に対して１×１０4〜１×１０7 （Ω）に含まれるこ
とを特徴とする帯電装置。 - 【請求項２】 前記磁性粒子はフェライトであって、こ
のフェライトの２価の金属イオンの第３イオン化ポテン
シャルは、鉄イオンの第３イオン化ポテンシャルよりも
大きいことを特徴とする請求項１の帯電装置。 - 【請求項３】 画像形成装置は、以下を有する：像担持
体と、 この像担持体を帯電するために電圧が印加可能である帯
電部材であって、磁気ブラシ状で前記像担持体に接触可
能な磁性粒子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、
を備える帯電部材と、 を有する画像形成装置において、 前記磁性粒子の抵抗値は、１〜１０００（Ｖ）の印加電
圧に対して１×１０4〜１×１０7 （Ω）に含まれるこ
とを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項４】 前記像担持体は、電荷注入層を有し、こ
の電荷注入層は、前記磁性粒子との接触によって電荷が
注入されることを特徴とする請求項３の画像形成装置。 - 【請求項５】 前記電荷注入層の体積抵抗率は１×１０
9 〜１×１０15Ωｃｍであることを特徴とする請求項４
の画像形成装置。 - 【請求項６】 前記磁性粒子はフェライトであって、こ
のフェライトの２価の金属イオンの第３イオン化ポテン
シャルが、鉄イオンの第３イオン化ポテンシャルよりも
大きいことを特徴とする請求項３乃至５の画像形成装
置。 - 【請求項７】 前記像担持体と前記磁性粒子との接触部
において前記磁性粒子の移動方向は、前記像担持体の移
動方向と逆方向であることを特徴とする請求項３乃至６
の画像形成装置。 - 【請求項８】 被帯電体を帯電するために電圧が印加可
能である帯電部材であって、この帯電部材は、磁気ブラ
シ状で前記被帯電体に接触可能な磁性粒子と、この磁性
粒子を支持する支持部材と、を備える帯電装置におい
て、 前記帯電部材に印加する電圧の最大値をＶｍａｘ（Ｖ）
とすると前記磁性粒子の抵抗値は、１〜Ｖｍａｘ（Ｖ）
の印加電圧に対して１×１０4 〜１×１０7 （Ω）に含
まれることを特徴とする帯電装置。 - 【請求項９】 前記磁性粒子はフェライトであって、こ
のフェライトの２価の金属イオンの第３イオン化ポテン
シャルは、鉄イオンの第３イオン化ポテンシャルよりも
大きいことを特徴とする請求項８の帯電装置。 - 【請求項１０】 像担持体と、 この像担持体を帯電するために電圧が印加可能である帯
電部材であって、磁気ブラシ状で前記像担持体に接触可
能な磁性粒子と、この磁性粒子を支持する支持部材と、
を備える帯電部材と、 を有する画像形成装置において、 前記帯電部材に印加する電圧の最大値をＶｍａｘ（Ｖ）
とすると前記磁性粒子の抵抗値は、１〜Ｖｍａｘ（Ｖ）
の印加電圧に対して１×１０4 〜１×１０7 （Ω）に含
まれることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項１１】 前記像担持体は、電荷注入層を有し、
この電荷注入層は、前記磁性粒子との接触によって電荷
が注入されることを特徴とする請求項１０の画像形成装
置。 - 【請求項１２】 前記電荷注入層の体積抵抗率は、１×
１０9 〜１×１０15Ωｃｍであることを特徴とする請求
項１１の画像形成装置。 - 【請求項１３】 前記磁性粒子はフェライトであって、
このフェライトの２価の金属イオンの第３イオン化ポテ
ンシャルが、鉄イオンの第３イオン化ポテンシャルより
も大きいことを特徴とする請求項１０乃至１２の画像形
成装置。 - 【請求項１４】 前記像担持体と前記磁性粒子との接触
部において前記磁性粒子の移動方向は、前記像担持体の
移動方向と逆方向であることを特徴とする請求項１０乃
至１３の画像形成装置。
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