JPH08107009A - フェライト焼結体及びその製法 - Google Patents
フェライト焼結体及びその製法Info
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- JPH08107009A JPH08107009A JP6261865A JP26186594A JPH08107009A JP H08107009 A JPH08107009 A JP H08107009A JP 6261865 A JP6261865 A JP 6261865A JP 26186594 A JP26186594 A JP 26186594A JP H08107009 A JPH08107009 A JP H08107009A
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Landscapes
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- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電磁気特性を損うことなく、かつ耐ヒートシ
ョツク性の改善されたフェライト燒結体を提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含む
フェライト材料に、原料段階においてＰｂＯ−Ｈ3ＢＯ3
−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3）系ガラス質を適量添加して
焼結してなるフェライト焼結体。
ョツク性の改善されたフェライト燒結体を提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含む
フェライト材料に、原料段階においてＰｂＯ−Ｈ3ＢＯ3
−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3）系ガラス質を適量添加して
焼結してなるフェライト焼結体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種磁性材料として用
いられるフェライト焼結体及びその製法に関し、特に耐
ヒートショツク性に優れた磁性材料及びその製法に関す
る。
いられるフェライト焼結体及びその製法に関し、特に耐
ヒートショツク性に優れた磁性材料及びその製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フェライトからなるドラム形状の製品
は、通常、図３に示されたような配合から仕上までの製
造工程を経て作製される。この仕上工程では、図４に示
されたように、通常、焼成後の磁心１に巻線２を施し、
樹脂でできたベース部３と呼ばれる部分を介してリード
ピン５を磁心１に接着し、次いで、このリードピン５に
からめた巻線端部４をハンダ付けする。巻線２はエポキ
シ系絶縁層で被覆されており、この被覆層を剥離させな
がらハンダ付けする必要があるため、仕上げ工程は、４
００℃以上のハンダ槽６へ巻線端部４を浸漬して行われ
る。なお、上記ベース部３を用いない場合には、従来、
ハンダ槽６へ浸漬する前に２００℃で磁心を予熱する事
が必要であった。また別の方法として、上記製造工程中
の成型時に成型密度を小さくして、熱歪を緩和するため
の空孔をもった焼結体を作る方法もある。
は、通常、図３に示されたような配合から仕上までの製
造工程を経て作製される。この仕上工程では、図４に示
されたように、通常、焼成後の磁心１に巻線２を施し、
樹脂でできたベース部３と呼ばれる部分を介してリード
ピン５を磁心１に接着し、次いで、このリードピン５に
からめた巻線端部４をハンダ付けする。巻線２はエポキ
シ系絶縁層で被覆されており、この被覆層を剥離させな
がらハンダ付けする必要があるため、仕上げ工程は、４
００℃以上のハンダ槽６へ巻線端部４を浸漬して行われ
る。なお、上記ベース部３を用いない場合には、従来、
ハンダ槽６へ浸漬する前に２００℃で磁心を予熱する事
が必要であった。また別の方法として、上記製造工程中
の成型時に成型密度を小さくして、熱歪を緩和するため
の空孔をもった焼結体を作る方法もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フェライト製品の小型
化に伴い、従来使用されていたフェライトコアのベ−ス
部を使用することができなくなった。しかしながら、こ
のベース部を除いただけの状態でフェライト磁心の巻線
とリードピンとをハンダ付けすると、フェライト磁心が
ひび割れするため、上記したように、必ず、２００℃位
で予熱しなければならなかった。このため、工程数も多
くなり、また工程時間も余計にかかるという問題があっ
た。また、上記したような熱歪を緩和するための空孔を
もった焼結体では、電磁気特性が劣っているという問題
点があった。従来より、フェライト磁心は耐ヒートショ
ツク性が劣っており、特に、直流重畳特性の良好なフェ
ライト磁心（直流バイアス電流をかけた状態でインダク
タンスが一定であるもの）にはこの傾向が著しい。直流
重畳特性の良好なものは、フェライトの主成分以外の材
料を添加しないために、耐ヒートショツク性に劣ってい
たのである。耐ヒートショツク性を改善しようとすると
電磁気特性が犠牲になるので、また電磁気特性を改善し
ようとすれば耐ヒートショツク性が犠牲になるので、こ
れまで、電磁気特性と耐ヒートシヨツク性との両特性を
同時に満足するものはなかった。
化に伴い、従来使用されていたフェライトコアのベ−ス
部を使用することができなくなった。しかしながら、こ
のベース部を除いただけの状態でフェライト磁心の巻線
とリードピンとをハンダ付けすると、フェライト磁心が
ひび割れするため、上記したように、必ず、２００℃位
で予熱しなければならなかった。このため、工程数も多
くなり、また工程時間も余計にかかるという問題があっ
た。また、上記したような熱歪を緩和するための空孔を
もった焼結体では、電磁気特性が劣っているという問題
点があった。従来より、フェライト磁心は耐ヒートショ
ツク性が劣っており、特に、直流重畳特性の良好なフェ
ライト磁心（直流バイアス電流をかけた状態でインダク
タンスが一定であるもの）にはこの傾向が著しい。直流
重畳特性の良好なものは、フェライトの主成分以外の材
料を添加しないために、耐ヒートショツク性に劣ってい
たのである。耐ヒートショツク性を改善しようとすると
電磁気特性が犠牲になるので、また電磁気特性を改善し
ようとすれば耐ヒートショツク性が犠牲になるので、こ
れまで、電磁気特性と耐ヒートシヨツク性との両特性を
同時に満足するものはなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、電磁気特性を
損うことなく、耐ヒートショツク性の改善されたフェラ
イト燒結体を提供することを目的とする。そのため、本
発明者らは、ガラス質の添加について検討し、その種類
や添加量を詳細に検討した。その結果、ＰｂＯ−Ｈ3Ｂ
Ｏ3−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3） 系ガラスを適量添加す
ることにより、電磁気特性を損うことなく、耐ヒートシ
ョツク性を改善できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。本発明のフェライト燒結体は、Ｆｅ2Ｏ3、
ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含むフェライト材料に、原
料段階においてガラス質を添加して焼結したものであ
る。また、本発明のフェライト燒結体では、原料段階に
おいてフェライト材料に添加されるガラス質は、Ｐｂ
Ｏ、Ｈ3ＢＯ3及びＳｉＯ2 を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４
０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦Ｓｉ
Ｏ2 ≦４０ｗｔ％の割合（合計で１００ｗｔ％）で含有
するものであり、また該ガラス質の添加量は、該フェラ
イト材料１００ｗｔ％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％の範
囲内であることが好ましい。また、１０ｗｔ％≦ＳｉＯ
2 ≦４０ｗｔ％の代わりに１０ｗｔ％≦Ｃｒ2Ｏ3≦４０
ｗｔ％を含有するガラス質を添加してもよい。本発明の
フェライト燒結体は、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣ
ｕＯを含むフェライト材料に該ガラス質を添加し、焼結
することによって製造される。ガラス質の配合されたフ
ェライトは、一般に、耐熱性自体は改善されるが、μｉ
ａｃ、Ｂｓなどの電磁気特性はガラス質の添加なしの場
合に比べて低下していく。ガラス質の添加量の下限は耐
熱性保持のため限定され、上限は電磁気特性が著しく低
下しないようにするためである。即ち，下記の実施例及
び比較例の結果から明らかなように、０．１ｗｔ％より
低いと耐熱性が改善されず、０．１ｗｔ％を超えると初
めて耐熱性が改善され、また２ｗｔ％を超えると電磁気
特性の低下が著しくなる（実施例９〜１１及び比較例１
４〜１５）。従って、０．１〜２．０ｗｔ％の範囲に限
定した。次に、個々のガラス質成分についてであるが、
ＰｂＯの場合、２０ｗｔ％を超えると耐熱性が悪くなる
が（比較例２〜４）、０ｗｔ％であっても耐熱性及び電
磁気特性に問題はない（実施例５〜７）ので、ＰｂＯ≦
２０ｗｔ％の範囲に限定した。Ｈ3ＢＯ3の場合、４０ｗ
ｔ％未満及び１００ｗｔ％では耐熱性が悪くなってしま
うが（比較例５〜７及び１１）、９０ｗｔ％以下では耐
熱性及び電磁気特性は良好である（実施例５〜７）の
で、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3≦９０ｗｔ％の範囲に限定し
た。また、ＳｉＯ2 （又は、Ｃｒ2Ｏ3）の場合、４０ｗ
ｔ％を超えると耐熱性は良好であるが、電磁気特性は悪
く、また１０ｗｔ％より低いと耐熱性が悪い（比較例２
〜１２）ので、１０ｗｔ％≦ ＳｉＯ2（又は、Ｃｒ
2Ｏ3）≦４０ｗｔ％の範囲に限定した。
損うことなく、耐ヒートショツク性の改善されたフェラ
イト燒結体を提供することを目的とする。そのため、本
発明者らは、ガラス質の添加について検討し、その種類
や添加量を詳細に検討した。その結果、ＰｂＯ−Ｈ3Ｂ
Ｏ3−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3） 系ガラスを適量添加す
ることにより、電磁気特性を損うことなく、耐ヒートシ
ョツク性を改善できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。本発明のフェライト燒結体は、Ｆｅ2Ｏ3、
ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを含むフェライト材料に、原
料段階においてガラス質を添加して焼結したものであ
る。また、本発明のフェライト燒結体では、原料段階に
おいてフェライト材料に添加されるガラス質は、Ｐｂ
Ｏ、Ｈ3ＢＯ3及びＳｉＯ2 を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４
０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦Ｓｉ
Ｏ2 ≦４０ｗｔ％の割合（合計で１００ｗｔ％）で含有
するものであり、また該ガラス質の添加量は、該フェラ
イト材料１００ｗｔ％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％の範
囲内であることが好ましい。また、１０ｗｔ％≦ＳｉＯ
2 ≦４０ｗｔ％の代わりに１０ｗｔ％≦Ｃｒ2Ｏ3≦４０
ｗｔ％を含有するガラス質を添加してもよい。本発明の
フェライト燒結体は、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣ
ｕＯを含むフェライト材料に該ガラス質を添加し、焼結
することによって製造される。ガラス質の配合されたフ
ェライトは、一般に、耐熱性自体は改善されるが、μｉ
ａｃ、Ｂｓなどの電磁気特性はガラス質の添加なしの場
合に比べて低下していく。ガラス質の添加量の下限は耐
熱性保持のため限定され、上限は電磁気特性が著しく低
下しないようにするためである。即ち，下記の実施例及
び比較例の結果から明らかなように、０．１ｗｔ％より
低いと耐熱性が改善されず、０．１ｗｔ％を超えると初
めて耐熱性が改善され、また２ｗｔ％を超えると電磁気
特性の低下が著しくなる（実施例９〜１１及び比較例１
４〜１５）。従って、０．１〜２．０ｗｔ％の範囲に限
定した。次に、個々のガラス質成分についてであるが、
ＰｂＯの場合、２０ｗｔ％を超えると耐熱性が悪くなる
が（比較例２〜４）、０ｗｔ％であっても耐熱性及び電
磁気特性に問題はない（実施例５〜７）ので、ＰｂＯ≦
２０ｗｔ％の範囲に限定した。Ｈ3ＢＯ3の場合、４０ｗ
ｔ％未満及び１００ｗｔ％では耐熱性が悪くなってしま
うが（比較例５〜７及び１１）、９０ｗｔ％以下では耐
熱性及び電磁気特性は良好である（実施例５〜７）の
で、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3≦９０ｗｔ％の範囲に限定し
た。また、ＳｉＯ2 （又は、Ｃｒ2Ｏ3）の場合、４０ｗ
ｔ％を超えると耐熱性は良好であるが、電磁気特性は悪
く、また１０ｗｔ％より低いと耐熱性が悪い（比較例２
〜１２）ので、１０ｗｔ％≦ ＳｉＯ2（又は、Ｃｒ
2Ｏ3）≦４０ｗｔ％の範囲に限定した。
【０００５】
【作用】電磁気特性に優れたフェライト燒結体の場合、
ガラス質が添加されていないため、均一な粒径の結晶同
士が直に接しているので、ハンダ槽への浸漬により急激
な熱応力がかかると、発生する熱歪を緩和することがで
きずに、ひびや割れが発生することになる。しかるに、
本発明によれば、原料段階でフェライト材料にＰｂＯ−
Ｈ3ＢＯ3−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3）系ガラス質を適量
添加しているので、図１に示されたように、仕上げ工程
においてフェライト燒結体１を、ベース部を用いないで
ハンダ槽６へ浸漬したとしても、上記熱歪を結晶粒界の
ガラス質が緩和し、結果としてひびや割れを防ぐことが
出来る。更に、上記のガラス質の添加量を所定の範囲内
に調整することによって、燒結体の結晶粒径が、例えば
ほぼ３〜３０μｍの範囲内にランダムに分布しているも
のが得られるので、結晶間に存在する微小な空間が熱歪
の緩和に役立つものと思われる。しかしながら、焼結体
の密度は５．１ｇ／ｃｍ3（理論密度は５．２）なの
で、電磁気特性を損うことはない。
ガラス質が添加されていないため、均一な粒径の結晶同
士が直に接しているので、ハンダ槽への浸漬により急激
な熱応力がかかると、発生する熱歪を緩和することがで
きずに、ひびや割れが発生することになる。しかるに、
本発明によれば、原料段階でフェライト材料にＰｂＯ−
Ｈ3ＢＯ3−ＳｉＯ2（又はＣｒ2Ｏ3）系ガラス質を適量
添加しているので、図１に示されたように、仕上げ工程
においてフェライト燒結体１を、ベース部を用いないで
ハンダ槽６へ浸漬したとしても、上記熱歪を結晶粒界の
ガラス質が緩和し、結果としてひびや割れを防ぐことが
出来る。更に、上記のガラス質の添加量を所定の範囲内
に調整することによって、燒結体の結晶粒径が、例えば
ほぼ３〜３０μｍの範囲内にランダムに分布しているも
のが得られるので、結晶間に存在する微小な空間が熱歪
の緩和に役立つものと思われる。しかしながら、焼結体
の密度は５．１ｇ／ｃｍ3（理論密度は５．２）なの
で、電磁気特性を損うことはない。
【０００６】
【実施例】以下本発明を実施例及び比較例に基づいて説
明する。 （実施例１〜１１）Ｆｅ2Ｏ3：４８．５モル％、Ｎｉ
Ｏ：２１．５モル％、ＺｎＯ：２５．０モル％及びＣｕ
Ｏ：５．０モル％の比率で配合してなるフェライト材料
に、以下の表１に記載したような割合（フェライト材料
１００ｗｔ％に対する添加量）でガラス質成分を添加し
て得た粉体１００ｇを、０．５リットルのボールミル内
で２時間混合した。乾燥後、９００〜１０００℃で仮焼
したものをボールミルで２時間粉砕した。乾燥後、造粒
し、トロイダル（外径２８φ、内径２０φ）及びドラム
コア（外径３．８φ、中心軸ｌ．９φ、ツバ厚ｌ．Ｏｍ
ｍ）を成型した。かくして得られた成型体を１０４０〜
１１００℃で焼成し、フェライト燒結体を作製した。
明する。 （実施例１〜１１）Ｆｅ2Ｏ3：４８．５モル％、Ｎｉ
Ｏ：２１．５モル％、ＺｎＯ：２５．０モル％及びＣｕ
Ｏ：５．０モル％の比率で配合してなるフェライト材料
に、以下の表１に記載したような割合（フェライト材料
１００ｗｔ％に対する添加量）でガラス質成分を添加し
て得た粉体１００ｇを、０．５リットルのボールミル内
で２時間混合した。乾燥後、９００〜１０００℃で仮焼
したものをボールミルで２時間粉砕した。乾燥後、造粒
し、トロイダル（外径２８φ、内径２０φ）及びドラム
コア（外径３．８φ、中心軸ｌ．９φ、ツバ厚ｌ．Ｏｍ
ｍ）を成型した。かくして得られた成型体を１０４０〜
１１００℃で焼成し、フェライト燒結体を作製した。
【０００７】（比較例１）Ｆｅ2Ｏ3：４８．５モル％、
ＮｉＯ：２１．５モル％、ＺｎＯ：２５．０モル％及び
ＣｕＯ：５．０モル％の比率で配合して得た粉体１００
ｇを０．５リットルのボールミル内で２時間混合した。
乾燥後、９００〜１０００℃で仮焼したものをボールミ
ルで２時間粉砕し、更にアトライタで２０分間粉砕し
た。乾燥後、上記実施例１〜１１の場合と同じ条件及び
方法で造粒し、成型し、焼成して、フェライト燒結体を
作製した。 （比較例２〜１５）ガラス質成分として表１に記載した
量を添加して、上記実施例１〜１１記載の方法を繰り返
し、フェライト燒結体を作製した。上記実施例１〜１１
及び比較例１〜１５で得られた燒結体試料について、耐
熱性及び電磁気特性を次のようにして測定した。耐ヒー
トショツク性の測定は、ドラムコア形状の試料のツバを
下にして、その下半分を所定の温度に保ったハンダ槽に
３秒問浸漬し、試料のひびや割れの発生を調べた。ハン
ダ槽の温度を段階的に２０℃づつ上げ、別の試料を用い
て上記操作を繰返した。割れの発生しなかった最高温度
をその試料の耐熱性温度とした。また、電磁気特性は、
トロイダル試料に６０ターンの巻線を施し、初透磁率μ
ｉａｃと飽和磁束密度Ｂｓとを測定して評価した。上記
ガラス質の組成並びに得られた試料の耐ヒートショック
性及び電磁気特性についての測定結果を以下の表１に示
す。
ＮｉＯ：２１．５モル％、ＺｎＯ：２５．０モル％及び
ＣｕＯ：５．０モル％の比率で配合して得た粉体１００
ｇを０．５リットルのボールミル内で２時間混合した。
乾燥後、９００〜１０００℃で仮焼したものをボールミ
ルで２時間粉砕し、更にアトライタで２０分間粉砕し
た。乾燥後、上記実施例１〜１１の場合と同じ条件及び
方法で造粒し、成型し、焼成して、フェライト燒結体を
作製した。 （比較例２〜１５）ガラス質成分として表１に記載した
量を添加して、上記実施例１〜１１記載の方法を繰り返
し、フェライト燒結体を作製した。上記実施例１〜１１
及び比較例１〜１５で得られた燒結体試料について、耐
熱性及び電磁気特性を次のようにして測定した。耐ヒー
トショツク性の測定は、ドラムコア形状の試料のツバを
下にして、その下半分を所定の温度に保ったハンダ槽に
３秒問浸漬し、試料のひびや割れの発生を調べた。ハン
ダ槽の温度を段階的に２０℃づつ上げ、別の試料を用い
て上記操作を繰返した。割れの発生しなかった最高温度
をその試料の耐熱性温度とした。また、電磁気特性は、
トロイダル試料に６０ターンの巻線を施し、初透磁率μ
ｉａｃと飽和磁束密度Ｂｓとを測定して評価した。上記
ガラス質の組成並びに得られた試料の耐ヒートショック
性及び電磁気特性についての測定結果を以下の表１に示
す。
【０００８】
【表１】
【０００９】表１から明らかなように、比較例のフェラ
イト燒結体では電磁気特性（Ｂｓ）は大きいが、耐熱性
は著しく劣っていることが、また実施例（例えば、実施
例１、３、５及び８）のフェライト燒結体では、電磁気
特性（Ｂｓ、μ ｉａｃ）と耐熱性との両方に於いて優
れていることが判る。実施例２及び４から、ガラス質成
分の添加量を増やすと、電磁気特性が低下する傾向があ
ることがわかる。また、比較例２〜１５は、耐熱性が悪
い場合のガラス質成分の組成の例を示している。 更
に、図２に、表ｌ中の比較例１と実施例ｌの試料をドラ
ム形の製品形状にした時の直流重畳特性を示す。実施例
１の場合、図２に示した特性においても、比較例と同等
以上である。表１中の実施例８では、ＳｉＯ2 の代りに
Ｃｒ2Ｏ3を使用した。ＳｉＯ2 の場合と同様の結果が得
られることがわかる。
イト燒結体では電磁気特性（Ｂｓ）は大きいが、耐熱性
は著しく劣っていることが、また実施例（例えば、実施
例１、３、５及び８）のフェライト燒結体では、電磁気
特性（Ｂｓ、μ ｉａｃ）と耐熱性との両方に於いて優
れていることが判る。実施例２及び４から、ガラス質成
分の添加量を増やすと、電磁気特性が低下する傾向があ
ることがわかる。また、比較例２〜１５は、耐熱性が悪
い場合のガラス質成分の組成の例を示している。 更
に、図２に、表ｌ中の比較例１と実施例ｌの試料をドラ
ム形の製品形状にした時の直流重畳特性を示す。実施例
１の場合、図２に示した特性においても、比較例と同等
以上である。表１中の実施例８では、ＳｉＯ2 の代りに
Ｃｒ2Ｏ3を使用した。ＳｉＯ2 の場合と同様の結果が得
られることがわかる。
【００１０】
【発明の効果】本発明のフェライト燒結体は、電磁気特
性に優れかつ耐ヒートショツク性がよいので、その燒結
体から有用なフェライト磁心を作ることが出来る。ま
た、本発明のフェライト燒結体を作製する際に、リード
ピンを半田付けする時の予熱工程を省くことが出来るの
で、生産性の向上、設備や場所の省略化が可能となる。
性に優れかつ耐ヒートショツク性がよいので、その燒結
体から有用なフェライト磁心を作ることが出来る。ま
た、本発明のフェライト燒結体を作製する際に、リード
ピンを半田付けする時の予熱工程を省くことが出来るの
で、生産性の向上、設備や場所の省略化が可能となる。
【図１】本発明のフェライト燒結体の仕上げ工程を説明
するための図。
するための図。
【図２】本発明の実施例１の試料と比較例１の試料との
直流重畳特性を示す図。
直流重畳特性を示す図。
【図３】フェライトのドラム形状の製品を製造するため
の工程を示す工程図。
の工程を示す工程図。
【図４】従来のフェライト燒結体の仕上げ工程を説明す
るための図。
るための図。
１ フェライト磁心 ２ 巻線 ３ ベース ４ 巻線端部 ５ リードピン ６ ハンダ槽
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを
含むフェライト材料に、原料段階においてガラス質を添
加して焼結してなるフェライト焼結体。 - 【請求項２】 該ガラス質は、ＰｂＯ、Ｈ3ＢＯ3及びＳ
ｉＯ2 を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3
≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦４０ｗｔ％の
割合（合計で１００ｗｔ％）で含有するものであり、ま
た該ガラス質の添加量は、該フェライト材料１００ｗｔ
％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％である請求項１に記載の
フェライト焼結体。 - 【請求項３】 該ガラス質は、ＰｂＯ、Ｈ3ＢＯ3及びＣ
ｒ2Ｏ3を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3
≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦Ｃｒ2Ｏ3≦４０ｗｔ％の
割合（合計で１００ｗｔ％）で含有するものであり、ま
た該ガラス質の添加量は、該フェライト材料１００ｗｔ
％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％である請求項１に記載の
フェライト焼結体。 - 【請求項４】 Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びＣｕＯを
含むフェライト材料にガラス質を添加し、焼結すること
を特徴とするフェライト焼結体の製法。 - 【請求項５】 該ガラス質は、ＰｂＯ、Ｈ3ＢＯ3及びＳ
ｉＯ2 を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3
≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦４０ｗｔ％の
割合（合計で１００ｗｔ％）で含有するものであり、ま
た該ガラス質の添加量は、該フェライト材料１００ｗｔ
％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％である請求項４に記載の
フェライト焼結体の製法。 - 【請求項６】 該ガラス質は、ＰｂＯ、Ｈ3ＢＯ3及びＣ
ｒ2Ｏ3を、ＰｂＯ≦２０ｗｔ％、４０ｗｔ％≦Ｈ3ＢＯ3
≦９０ｗｔ％及び１０ｗｔ％≦Ｃｒ2Ｏ3≦４０ｗｔ％の
割合（合計で１００ｗｔ％）で含有するものであり、ま
た該ガラス質の添加量は、該フェライト材料１００ｗｔ
％に対し０．ｌ〜２．０ｗｔ％である請求項４に記載の
フェライト焼結体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261865A JPH08107009A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | フェライト焼結体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261865A JPH08107009A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | フェライト焼結体及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107009A true JPH08107009A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17367837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261865A Pending JPH08107009A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | フェライト焼結体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107009A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339028B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2002-05-31 | 무라타 야스타카 | 페라이트 소결체 및 이를 포함한 전자 부품 |
| JP2011213578A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| CN115028443A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-09 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种叠层铁氧体电感材料及其制备方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6261865A patent/JPH08107009A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339028B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2002-05-31 | 무라타 야스타카 | 페라이트 소결체 및 이를 포함한 전자 부품 |
| JP2011213578A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| CN115028443A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-09 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种叠层铁氧体电感材料及其制备方法 |
| CN115028443B (zh) * | 2022-06-09 | 2023-10-31 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种叠层铁氧体电感材料及其制备方法 |
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