JPH08107082A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH08107082A JPH08107082A JP6239833A JP23983394A JPH08107082A JP H08107082 A JPH08107082 A JP H08107082A JP 6239833 A JP6239833 A JP 6239833A JP 23983394 A JP23983394 A JP 23983394A JP H08107082 A JPH08107082 A JP H08107082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- tube
- baffle plate
- vertical heat
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保守作業などが行い易い軽量の、そしてプロ
セスガスを反応室に均一に流し込むことができる単管式
縦型熱処理装置を得ることを目的とする。 【構成】 この発明の縦型熱処理装置２０は、上端が閉
鎖され、下端が開口した単一のチューブ２１で熱処理炉
２２を構成し、このチューブ２１の上方をバッフル板２
４で仕切り、このバッフル板から下方を熱処理室２２と
し、そしてこのバッフル板と前記チューブの上端面との
間にプロセスガスを噴射する噴射口２６Ａを備えた噴射
ノズル２６を、その噴射口２６Ａを前記上端面に向けた
状態で配設されいる。
セスガスを反応室に均一に流し込むことができる単管式
縦型熱処理装置を得ることを目的とする。 【構成】 この発明の縦型熱処理装置２０は、上端が閉
鎖され、下端が開口した単一のチューブ２１で熱処理炉
２２を構成し、このチューブ２１の上方をバッフル板２
４で仕切り、このバッフル板から下方を熱処理室２２と
し、そしてこのバッフル板と前記チューブの上端面との
間にプロセスガスを噴射する噴射口２６Ａを備えた噴射
ノズル２６を、その噴射口２６Ａを前記上端面に向けた
状態で配設されいる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの製
造に用いられる、例えば、縦型低圧ＣＶＤ装置、縦型常
圧ＣＶＤ装置、縦型拡散炉装置などの縦型熱処理装置の
改良に関するものである。
造に用いられる、例えば、縦型低圧ＣＶＤ装置、縦型常
圧ＣＶＤ装置、縦型拡散炉装置などの縦型熱処理装置の
改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来技術の縦型熱処理装置を図２
及び図３を用いて説明する。なお、これらの説明には、
半導体ウエハの表面を成膜する場合を例に挙げて説明す
る。図２は従来技術の二重管式縦型熱処理装置の模式図
であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに
用いられているバッフル板の平面図であり、そして図３
は従来技術の単管型縦型熱処理装置を模式的に示した断
面側面図である。
及び図３を用いて説明する。なお、これらの説明には、
半導体ウエハの表面を成膜する場合を例に挙げて説明す
る。図２は従来技術の二重管式縦型熱処理装置の模式図
であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに
用いられているバッフル板の平面図であり、そして図３
は従来技術の単管型縦型熱処理装置を模式的に示した断
面側面図である。
【０００３】先ず、図２の二重管式縦型熱処理装置の構
成を説明する。この二重管式縦型熱処理装置１は、熱処
理炉２と、複数枚の半導体ウエハＳをキャリアから石英
製の縦型ボート８に移載し、または、成膜後、縦型ボー
ト８からキャリアに移載するウエハ移載室や、複数枚の
半導体ウエハＳを収納したボートを前記ウエハ移載室か
ら前記熱処理炉２に、またこの熱処理炉２からウエハ移
載室に移動させる駆動装置や各種反応ガスの流量を制御
するマスフローコントローラ、装置全体をプログラム制
御するコントローラなどから構成されているが、この図
にはこの発明に直接関係ある熱処理炉２のみを示した。
成を説明する。この二重管式縦型熱処理装置１は、熱処
理炉２と、複数枚の半導体ウエハＳをキャリアから石英
製の縦型ボート８に移載し、または、成膜後、縦型ボー
ト８からキャリアに移載するウエハ移載室や、複数枚の
半導体ウエハＳを収納したボートを前記ウエハ移載室か
ら前記熱処理炉２に、またこの熱処理炉２からウエハ移
載室に移動させる駆動装置や各種反応ガスの流量を制御
するマスフローコントローラ、装置全体をプログラム制
御するコントローラなどから構成されているが、この図
にはこの発明に直接関係ある熱処理炉２のみを示した。
【０００４】前記熱処理炉２は内管３と外管４とから構
成されており、この内管３は両端が開口した円筒形であ
り、一方外管４は上端が閉鎖され、下端が開口した構造
であって、これら両者は図示していない共通の支持フラ
ンジで同心円的に、そして気密に支持されている。この
内管３の内側が反応室５である。前記内管３及び外管４
の開口部付近にはプロセスガスが供給されるガス供給口
６が開けられ、そしてこれら内管３及び外管４の間を通
じてプロセスガスが供給される。前記内管３の上端の開
口部にはバッフル板７が装着されている。このバッフル
板７は、図２Ｂに示したように、無数の微細な孔７Ａが
開けられていて、その中心部ほど孔７Ａが多めに形成さ
れている。このバッフル板７はプロセスガスを前記反応
室６に均一に流し込む機能を備えている。このような構
造の熱処理炉２はこの周囲を囲む炉体（図示していな
い）で加熱される。
成されており、この内管３は両端が開口した円筒形であ
り、一方外管４は上端が閉鎖され、下端が開口した構造
であって、これら両者は図示していない共通の支持フラ
ンジで同心円的に、そして気密に支持されている。この
内管３の内側が反応室５である。前記内管３及び外管４
の開口部付近にはプロセスガスが供給されるガス供給口
６が開けられ、そしてこれら内管３及び外管４の間を通
じてプロセスガスが供給される。前記内管３の上端の開
口部にはバッフル板７が装着されている。このバッフル
板７は、図２Ｂに示したように、無数の微細な孔７Ａが
開けられていて、その中心部ほど孔７Ａが多めに形成さ
れている。このバッフル板７はプロセスガスを前記反応
室６に均一に流し込む機能を備えている。このような構
造の熱処理炉２はこの周囲を囲む炉体（図示していな
い）で加熱される。
【０００５】一方、キャリアに収納された複数枚の半導
体ウエハＳがウエハ移載室で石英製の縦型ボート８に等
間隔で水平に移載され、その縦型ボート８が不図示のエ
レベータで上方に持ち上げられて、前記反応室５に収
容、密閉される。
体ウエハＳがウエハ移載室で石英製の縦型ボート８に等
間隔で水平に移載され、その縦型ボート８が不図示のエ
レベータで上方に持ち上げられて、前記反応室５に収
容、密閉される。
【０００６】このようにして半導体ウエハＳを密閉し、
反応室５を常圧の状態で、反応ガス源からの前記開口７
を通じてプロセスガスを供給すると、そのプロセスガス
は内管３と外管４との間を矢印で示したように上昇し、
外管４の上端面に当たって前記バッフル板７の前記微細
な孔７Ａを通過、下降し、内管３内の反応室６へ均一に
流れ込んで、半導体ウエハＳの表面を酸化して絶縁膜を
形成したり、その表面に不純物を拡散させる。
反応室５を常圧の状態で、反応ガス源からの前記開口７
を通じてプロセスガスを供給すると、そのプロセスガス
は内管３と外管４との間を矢印で示したように上昇し、
外管４の上端面に当たって前記バッフル板７の前記微細
な孔７Ａを通過、下降し、内管３内の反応室６へ均一に
流れ込んで、半導体ウエハＳの表面を酸化して絶縁膜を
形成したり、その表面に不純物を拡散させる。
【０００７】この二重管式縦型熱処理装置１の熱処理炉
２は、前記のように内管３と外管４とから構成された二
重管で構成されているので重量が重い。この熱処理炉２
の洗浄など保守を行う場合は、この熱処理炉２を炉体か
ら外す作業があるが、重いため作業性が悪く、コストも
高い。
２は、前記のように内管３と外管４とから構成された二
重管で構成されているので重量が重い。この熱処理炉２
の洗浄など保守を行う場合は、この熱処理炉２を炉体か
ら外す作業があるが、重いため作業性が悪く、コストも
高い。
【０００８】軽量であるという観点から考察すれば、図
３に示したような単管式縦型熱処理装置１０がある。こ
の単管式縦型熱処理装置１０は単管のチューブ１１で構
成された熱処理炉１２を備えている。このチューブ１１
は上端が閉鎖され、下端が開口した円筒であって、この
内部が反応室１３となる。チューブ１１の外側面にはこ
のチューブ１１に沿い、上方に向かってガス供給管１４
が配管されており、その先端の噴射口１５が前記チュー
ブ１１の上端部に位置している。
３に示したような単管式縦型熱処理装置１０がある。こ
の単管式縦型熱処理装置１０は単管のチューブ１１で構
成された熱処理炉１２を備えている。このチューブ１１
は上端が閉鎖され、下端が開口した円筒であって、この
内部が反応室１３となる。チューブ１１の外側面にはこ
のチューブ１１に沿い、上方に向かってガス供給管１４
が配管されており、その先端の噴射口１５が前記チュー
ブ１１の上端部に位置している。
【０００９】このチューブ１１の反応室１６内に石英製
の縦型ボート１７に収納された複数枚の半導体ウエハＳ
を収容し、前記ガス供給管１４の下方のガス供給口１６
からプロセスガスを供給すると、前記噴射口１５からそ
のプロセスガスが反応室１３内に流れ込みながら降下し
てゆき、半導体ウエハＳの表面に絶縁膜を形成したり、
その表面に不純物を拡散させることができる。
の縦型ボート１７に収納された複数枚の半導体ウエハＳ
を収容し、前記ガス供給管１４の下方のガス供給口１６
からプロセスガスを供給すると、前記噴射口１５からそ
のプロセスガスが反応室１３内に流れ込みながら降下し
てゆき、半導体ウエハＳの表面に絶縁膜を形成したり、
その表面に不純物を拡散させることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術の単管式
縦型熱処理装置１０は前記二重管式縦型熱処理装置１に
比較してその重量がほぼ半減しているが、二重管式縦型
熱処理装置１におけるプロセスガスの流れほど良好では
なく、均一性が悪い。従って、半導体ウエハＳに良好な
表面処理を施すことができない。この発明は前記ような
諸問題を解決することを課題とするものである。
縦型熱処理装置１０は前記二重管式縦型熱処理装置１に
比較してその重量がほぼ半減しているが、二重管式縦型
熱処理装置１におけるプロセスガスの流れほど良好では
なく、均一性が悪い。従って、半導体ウエハＳに良好な
表面処理を施すことができない。この発明は前記ような
諸問題を解決することを課題とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】従って、この発明の縦型
熱処理装置は、上端が閉鎖され、下端が開口した単一の
チューブで熱処理炉が構成されており、このチューブの
上方をバッフル板で仕切り、このバッフル板から下方を
熱処理室とし、そしてこのバッフル板と前記チューブの
上端との間にプロセスガスを噴射する噴射口を備えた噴
射ノズルを、その噴射口を前記上端面に向けた状態で配
設して、前記諸問題を解決している。
熱処理装置は、上端が閉鎖され、下端が開口した単一の
チューブで熱処理炉が構成されており、このチューブの
上方をバッフル板で仕切り、このバッフル板から下方を
熱処理室とし、そしてこのバッフル板と前記チューブの
上端との間にプロセスガスを噴射する噴射口を備えた噴
射ノズルを、その噴射口を前記上端面に向けた状態で配
設して、前記諸問題を解決している。
【００１２】
【作用】従って、この発明の縦型熱処理装置によれば、
単一のチューブで構成したので重量が軽く、それだけ保
守作業を行う場合などには取扱い易く、しかもプロセス
ガスを反応室に均一に流し込むことができる。
単一のチューブで構成したので重量が軽く、それだけ保
守作業を行う場合などには取扱い易く、しかもプロセス
ガスを反応室に均一に流し込むことができる。
【００１３】
【実施例】次に、図１を用いて、この発明の縦型熱処理
装置を説明する。図１はこの発明の縦型熱処理装置の実
施例を模式的に示した断面側面図である。この縦型熱処
理装置２０は、その熱処理炉２２が単一のチューブ２１
で構成されている。このチューブ２１も上端が閉鎖さ
れ、下端が開口した円筒であって、この内部が反応室２
３となり、その上方部にバッフル板２４が装着されてい
る。このバッフル板２４は、図２Ｂに示したバッフル板
７と同一のものでよい。チューブ２１の外側面にはこの
チューブ２１に沿い、上方に向かってガス供給管２５が
配管されており、その先端の噴射ノズル２６が前記チュ
ーブ２１の上端面とバッフル板２４との空間に導入され
ており、そしてその噴射ノズル２６の噴射口２６Ａの向
きを前記チューブ２１の上端面に向けて配設されてい
る。
装置を説明する。図１はこの発明の縦型熱処理装置の実
施例を模式的に示した断面側面図である。この縦型熱処
理装置２０は、その熱処理炉２２が単一のチューブ２１
で構成されている。このチューブ２１も上端が閉鎖さ
れ、下端が開口した円筒であって、この内部が反応室２
３となり、その上方部にバッフル板２４が装着されてい
る。このバッフル板２４は、図２Ｂに示したバッフル板
７と同一のものでよい。チューブ２１の外側面にはこの
チューブ２１に沿い、上方に向かってガス供給管２５が
配管されており、その先端の噴射ノズル２６が前記チュ
ーブ２１の上端面とバッフル板２４との空間に導入され
ており、そしてその噴射ノズル２６の噴射口２６Ａの向
きを前記チューブ２１の上端面に向けて配設されてい
る。
【００１４】この熱処理炉２２を用いて半導体ウエハＳ
の表面を熱処する場合には、このチューブ２１全体を図
示していない炉体で加熱し、そしてこのチューブ２１の
反応室２３内に複数枚の半導体ウエハＳを収容した石英
製の縦型ボート２８を収納し、前記ガス供給管２５の下
方のガス供給口２７からプロセスガスを供給する。供給
されたプロセスガスは前記噴射口２６Ａからチューブ２
１の上端面に噴射され、そこで反射して分散し、この分
散したプロセスガスが前記バッフル板２４を通過する。
このバッフル板２４を通過することでプロセスガスは一
層均一に分散されて反応室２３内に流れ込みながら降下
して行き、半導体ウエハＳの表面に絶縁膜を形成した
り、その表面に不純物を拡散させることができる。
の表面を熱処する場合には、このチューブ２１全体を図
示していない炉体で加熱し、そしてこのチューブ２１の
反応室２３内に複数枚の半導体ウエハＳを収容した石英
製の縦型ボート２８を収納し、前記ガス供給管２５の下
方のガス供給口２７からプロセスガスを供給する。供給
されたプロセスガスは前記噴射口２６Ａからチューブ２
１の上端面に噴射され、そこで反射して分散し、この分
散したプロセスガスが前記バッフル板２４を通過する。
このバッフル板２４を通過することでプロセスガスは一
層均一に分散されて反応室２３内に流れ込みながら降下
して行き、半導体ウエハＳの表面に絶縁膜を形成した
り、その表面に不純物を拡散させることができる。
【００１５】
【発明の効果】従って、この発明の縦型熱処理装置によ
れば、単一のチューブで構成したので重量が軽く、それ
だけ保守作業を行う場合などには取扱い易く、しかもプ
ロセスガスを反応室に均一に流し込むことができ、ま
た、熱処理炉を非常に安価に製作することができる。
れば、単一のチューブで構成したので重量が軽く、それ
だけ保守作業を行う場合などには取扱い易く、しかもプ
ロセスガスを反応室に均一に流し込むことができ、ま
た、熱処理炉を非常に安価に製作することができる。
【図１】 この発明の縦型熱処理装置の実施例を模式的
に示した断面側面図である。
に示した断面側面図である。
【図２】 従来技術の二重管式縦型熱処理装置の模式図
であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに
用いられているバッフル板の平面図である。
であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに
用いられているバッフル板の平面図である。
【図３】 従来技術の単管型縦型熱処理装置を模式的に
示した断面側面図である。
示した断面側面図である。
Ｓ 半導体ウエハ ２０ この発明の縦型熱処理装置 ２１ チューブ ２２ 熱処理炉 ２３ 反応室 ２４ バッフル板 ２５ ガス供給管 ２６ 噴射ノズル ２６Ａ 噴射口 ２７ ガス供給口 ２８ 縦型ボート
Claims (1)
- 【請求項１】 上端が閉鎖され、下端が開口した単一の
チューブで熱処理炉を構成し、このチューブの上方をバ
ッフル板で仕切り、このバッフル板から下方を熱処理室
とし、そしてこのバッフル板と前記チューブの上端面と
の間にプロセスガスを噴射する噴射口を備えた噴射ノズ
ルを、その噴射口を前記上端面に向けた状態で配設した
ことを特徴とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6239833A JPH08107082A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6239833A JPH08107082A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 縦型熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107082A true JPH08107082A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17050541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6239833A Pending JPH08107082A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP6239833A patent/JPH08107082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
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