JPH08107178A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH08107178A JPH08107178A JP6241441A JP24144194A JPH08107178A JP H08107178 A JPH08107178 A JP H08107178A JP 6241441 A JP6241441 A JP 6241441A JP 24144194 A JP24144194 A JP 24144194A JP H08107178 A JPH08107178 A JP H08107178A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一層の高密度化、高集積化、小型化及び薄型
化を図ることが可能な樹脂封止型半導体装置及びその製
造方法を提供することである。 【構成】 半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を
接着部材で下面に固定するリードと、該リードと前記半
導体素子上の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リ
ードの一部を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む
全体を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体素子とは別の半導体素子を前記リードの上面に
接着部材で固定し、この半導体素子の電極と前記リード
をワイヤで接合したものである。
化を図ることが可能な樹脂封止型半導体装置及びその製
造方法を提供することである。 【構成】 半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を
接着部材で下面に固定するリードと、該リードと前記半
導体素子上の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リ
ードの一部を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む
全体を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体素子とは別の半導体素子を前記リードの上面に
接着部材で固定し、この半導体素子の電極と前記リード
をワイヤで接合したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度化、高集積化や
小型化等を可能とする樹脂封止型半導体装置及びその製
造方法に関する。
小型化等を可能とする樹脂封止型半導体装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の分野の技術としては、例
えば図４、図５及び図６に示すようなものがあった。
えば図４、図５及び図６に示すようなものがあった。
【０００３】図４は、従来の樹脂封止型半導体装置の一
例を示すＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置の断面図である。
例を示すＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置の断面図である。
【０００４】このＴＳＯＰ型半導体装置は、ベッド１０
１の上面に接着剤によって固着された半導体チップ１０
２を有し、この半導体チップ１０２の電極とリード１０
３とがボンディングワイヤ１０４を介して接合され、前
記リード１０３の一部を外部に引き出す形で前記半導体
チップ１０２、前記リード１０３及び前記ボンディング
ワイヤ１０４を含む全体が樹脂１０５でモールドされて
いる。
１の上面に接着剤によって固着された半導体チップ１０
２を有し、この半導体チップ１０２の電極とリード１０
３とがボンディングワイヤ１０４を介して接合され、前
記リード１０３の一部を外部に引き出す形で前記半導体
チップ１０２、前記リード１０３及び前記ボンディング
ワイヤ１０４を含む全体が樹脂１０５でモールドされて
いる。
【０００５】この種のＴＳＯＰ型半導体装置は、高密度
に実装できる半導体装置として幅広く使用されている
が、最近はさらに一層の高密度化、高集積化と共に、小
型化が求められている。しかし、リードが外力を受けた
時に抜けないようにする等の制約があるため、リードを
樹脂の中にある程度挿入した構造を有する必要があり、
これが一層の高密度化、高集積化、及び小型化の妨げと
なっている。
に実装できる半導体装置として幅広く使用されている
が、最近はさらに一層の高密度化、高集積化と共に、小
型化が求められている。しかし、リードが外力を受けた
時に抜けないようにする等の制約があるため、リードを
樹脂の中にある程度挿入した構造を有する必要があり、
これが一層の高密度化、高集積化、及び小型化の妨げと
なっている。
【０００６】そこで、考案されたのが図５に示すＴＳＯ
Ｐ型ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）タイプの半導
体装置である。
Ｐ型ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）タイプの半導
体装置である。
【０００７】このＬＯＣタイプの半導体装置は、半導体
チップ１１１がテープ等の接着剤１１２により電極を兼
ねたリード１１３の下面に固定され、そしてそのリード
１１３の上面と半導体チップ１１１の電極とがボンディ
ングワイヤ１１４を介して接合され、前記リード１１３
を外部に引き出す形で前記半導体チップ１１１、前記リ
ード１１３及び前記ボンディングワイヤ１１４を含む全
体が樹脂１１５によってモールドされている。
チップ１１１がテープ等の接着剤１１２により電極を兼
ねたリード１１３の下面に固定され、そしてそのリード
１１３の上面と半導体チップ１１１の電極とがボンディ
ングワイヤ１１４を介して接合され、前記リード１１３
を外部に引き出す形で前記半導体チップ１１１、前記リ
ード１１３及び前記ボンディングワイヤ１１４を含む全
体が樹脂１１５によってモールドされている。
【０００８】このようにＴＳＯＰ型ＬＯＣタイプの半導
体装置では、電極を兼ねたリードの下面にテープ等で半
導体素子を固定し封止することにより、さらに樹脂封止
型半導体装置の小型化を図っている。
体装置では、電極を兼ねたリードの下面にテープ等で半
導体素子を固定し封止することにより、さらに樹脂封止
型半導体装置の小型化を図っている。
【０００９】また、樹脂封止型半導体装置の高密度化、
高集積化を実現するものとして、図６に示すような１つ
のパーケージの中に２枚分の半導体素子を組み込むタイ
プの樹脂封止型半導体装置が提案されている。
高集積化を実現するものとして、図６に示すような１つ
のパーケージの中に２枚分の半導体素子を組み込むタイ
プの樹脂封止型半導体装置が提案されている。
【００１０】このタイプの半導体装置は、ベッド１２１
の表裏両面に各々半導体素子１２２，１２３が固定さ
れ、その内の半導体素子１２２の電極とリード１２４と
がボンディングワイヤ１２５を介して接続され、半導体
素子１２３の電極とリード１２４の裏面とがボンディン
グワイヤ１２６を介して接続されている。
の表裏両面に各々半導体素子１２２，１２３が固定さ
れ、その内の半導体素子１２２の電極とリード１２４と
がボンディングワイヤ１２５を介して接続され、半導体
素子１２３の電極とリード１２４の裏面とがボンディン
グワイヤ１２６を介して接続されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型半導体装置では次のような問題点があっ
た。
来の樹脂封止型半導体装置では次のような問題点があっ
た。
【００１２】樹脂封止型半導体装置の小型化は、前述し
たＴＳＯＰ型ＬＯＣタイプ半導体装置で既に限界に達し
ている。そこで、例えば樹脂封止型半導体装置としてメ
モリを構成する場合に、更に飛躍的に単位面積当たりの
メモリ容量を増大させるためには、半導体装置の小型化
だけではなく、一層の高密度化、高集積化を図る必要が
ある。
たＴＳＯＰ型ＬＯＣタイプ半導体装置で既に限界に達し
ている。そこで、例えば樹脂封止型半導体装置としてメ
モリを構成する場合に、更に飛躍的に単位面積当たりの
メモリ容量を増大させるためには、半導体装置の小型化
だけではなく、一層の高密度化、高集積化を図る必要が
ある。
【００１３】上述の図６に示すタイプの樹脂封止型半導
体装置は、この高密度化、高集積化を実現するものであ
るが、製造しずらいという問題があった。
体装置は、この高密度化、高集積化を実現するものであ
るが、製造しずらいという問題があった。
【００１４】すなわち、ベッド１２１の片面に半導体チ
ップをマウントするのは、比較的簡単に行うことができ
るが、そのもう一方側の面にチップをマウントするのは
困難である。さらに、ボンディングワイヤ１２５，１２
６によるボンディング作業も、一方側のボンディングは
容易であるものの、他方側においてはベッド１２１に固
定された半導体チップ１２２，１２３を中空に浮かせた
状態で行う必要があるため、容易に行うことができな
い。
ップをマウントするのは、比較的簡単に行うことができ
るが、そのもう一方側の面にチップをマウントするのは
困難である。さらに、ボンディングワイヤ１２５，１２
６によるボンディング作業も、一方側のボンディングは
容易であるものの、他方側においてはベッド１２１に固
定された半導体チップ１２２，１２３を中空に浮かせた
状態で行う必要があるため、容易に行うことができな
い。
【００１５】さらに、図６に示すタイプの半導体装置で
は、ワイヤ１２５，１２６が上下両側にあるので上下両
側のモールディングを厚くする必要があり、この点が薄
型化を妨げる原因になっていた。
は、ワイヤ１２５，１２６が上下両側にあるので上下両
側のモールディングを厚くする必要があり、この点が薄
型化を妨げる原因になっていた。
【００１６】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、一層の高密度
化、高集積化、小型化及び薄型化を図ることが可能な樹
脂封止型半導体装置を提供することである。またその他
の目的は、一層の高密度化、高集積化、小型化及び薄型
化を実現する樹脂封止型半導体装置を簡単に製造するこ
とができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことである。
するためになされたもので、その目的は、一層の高密度
化、高集積化、小型化及び薄型化を図ることが可能な樹
脂封止型半導体装置を提供することである。またその他
の目的は、一層の高密度化、高集積化、小型化及び薄型
化を実現する樹脂封止型半導体装置を簡単に製造するこ
とができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明である樹脂封止型半導体装置の特徴は、
半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を接着部材で
下面に固定するリードと、該リードと前記半導体素子上
の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リードの一部
を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む全体を樹脂
封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素
子とは別の半導体素子を前記リードの上面に接着部材で
固定し、この半導体素子の電極と前記リードをワイヤで
接合したことにある。
に、第１の発明である樹脂封止型半導体装置の特徴は、
半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を接着部材で
下面に固定するリードと、該リードと前記半導体素子上
の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リードの一部
を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む全体を樹脂
封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素
子とは別の半導体素子を前記リードの上面に接着部材で
固定し、この半導体素子の電極と前記リードをワイヤで
接合したことにある。
【００１８】第２の発明である樹脂封止型半導体装置の
製造方法の特徴は、下面に第１の接着部材が、上面に第
２の接着部材がそれぞれ設けられたリードを用い、前記
第１の接着部材によって前記リードの下面に第１の半導
体素子を固定する第１の工程と、前記第２の接着部材の
高さより低い位置で前記リードと前記半導体素子上の電
極とをワイヤを介して接合する第２の工程と、前記第１
の半導体素子とは別の第２の半導体素子を前記リードの
上面に前記第２の接着部材で固定する第３の工程と、前
記第２の半導体素子上の電極と前記リードとをワイヤを
介して接合する第４の工程とを有することにある。
製造方法の特徴は、下面に第１の接着部材が、上面に第
２の接着部材がそれぞれ設けられたリードを用い、前記
第１の接着部材によって前記リードの下面に第１の半導
体素子を固定する第１の工程と、前記第２の接着部材の
高さより低い位置で前記リードと前記半導体素子上の電
極とをワイヤを介して接合する第２の工程と、前記第１
の半導体素子とは別の第２の半導体素子を前記リードの
上面に前記第２の接着部材で固定する第３の工程と、前
記第２の半導体素子上の電極と前記リードとをワイヤを
介して接合する第４の工程とを有することにある。
【００１９】第３の発明である樹脂封止型半導体装置の
製造方法の特徴は、下面に第１の接着部材が設けられた
リードを用い、前記第１の接着部材によって前記リード
の下面に第１の半導体素子を固定する第１の工程と、前
記リードと前記半導体素子上の電極とをワイヤを介して
接合する第２の工程と、前記ワイヤのトップ位置よりも
高くなるように前記リードの上面に所定の厚さの第２の
接着部材を設ける第３の工程と、前記第１の半導体素子
とは別の第２の半導体素子を前記リードの上面に前記第
２の接着部材で固定する第４の工程と、前記リードと前
記第２の半導体素子上の電極とをワイヤを介して接合す
る第４の工程とを有することにある。
製造方法の特徴は、下面に第１の接着部材が設けられた
リードを用い、前記第１の接着部材によって前記リード
の下面に第１の半導体素子を固定する第１の工程と、前
記リードと前記半導体素子上の電極とをワイヤを介して
接合する第２の工程と、前記ワイヤのトップ位置よりも
高くなるように前記リードの上面に所定の厚さの第２の
接着部材を設ける第３の工程と、前記第１の半導体素子
とは別の第２の半導体素子を前記リードの上面に前記第
２の接着部材で固定する第４の工程と、前記リードと前
記第２の半導体素子上の電極とをワイヤを介して接合す
る第４の工程とを有することにある。
【００２０】
【作用】上述の如き構成の第１の発明によれば、１つの
パッケージの中に２枚の半導体素子が組み込まれるの
で、実装密度が倍加され、また、ワイヤの接合方向が上
下面の片側のみであるため、構造的に薄型に形成され
る。
パッケージの中に２枚の半導体素子が組み込まれるの
で、実装密度が倍加され、また、ワイヤの接合方向が上
下面の片側のみであるため、構造的に薄型に形成され
る。
【００２１】第２及び第３の発明によれば、１つのパッ
ケージの中に２枚の半導体素子を組み込むタイプの半導
体装置を簡単に製造することができる。
ケージの中に２枚の半導体素子を組み込むタイプの半導
体装置を簡単に製造することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明を実施した樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
明する。図１は、本発明を実施した樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
【００２３】この樹脂封止型半導体装置は、電極を兼ね
たリード１の上下両面に接着部材であるポリイミドテー
プ２，３がそれぞれ設けられ、そのリード１の下面側の
ポリイミドテープ３によって半導体チップ４が固定され
ている。この半導体チップ４の上面にはポリイミドテー
プ５が設けられ、さらに半導体チップ４上の電極とリー
ド１の上面とがボンディングワイヤ６を介して接合され
ている。
たリード１の上下両面に接着部材であるポリイミドテー
プ２，３がそれぞれ設けられ、そのリード１の下面側の
ポリイミドテープ３によって半導体チップ４が固定され
ている。この半導体チップ４の上面にはポリイミドテー
プ５が設けられ、さらに半導体チップ４上の電極とリー
ド１の上面とがボンディングワイヤ６を介して接合され
ている。
【００２４】さらに、リード１の上面側のポリイミドテ
ープ２と、前記半導体チップ４の上面に設けられたポリ
イミドテープ５とにより、リード１の上面側に半導体チ
ップ７が固定され、該半導体チップ７上の電極とリード
１の上面側とがボンディングワイヤ８を介して接合され
ている。
ープ２と、前記半導体チップ４の上面に設けられたポリ
イミドテープ５とにより、リード１の上面側に半導体チ
ップ７が固定され、該半導体チップ７上の電極とリード
１の上面側とがボンディングワイヤ８を介して接合され
ている。
【００２５】そして、前記リード１の一部を外部に引き
出す形で、半導体チップ４，７を含む全体が樹脂９によ
ってモールドされている。
出す形で、半導体チップ４，７を含む全体が樹脂９によ
ってモールドされている。
【００２６】次に、以上のように構成される樹脂封止型
半導体装置の製造方法を図２（ａ），（ｂ），（ｃ）及
び図３（ｄ），（ｅ）を用いて説明する。
半導体装置の製造方法を図２（ａ），（ｂ），（ｃ）及
び図３（ｄ），（ｅ）を用いて説明する。
【００２７】まず、図２（ａ）に示すように、リード１
の内側先端部の上下面の各々に予めポリイミドテープ
２，３を張り付けておき（テープ２はテープ３よりもリ
ード１の先端部より外側にずれた位置にある）、リード
１の下面側のポリイミドテープ３（第１の接着部材）に
よって１枚目の半導体チップ４を固定し、さらにポリイ
ミドテープ５を半導体チップ４の上面側に張り付ける。
この時、ポリイミドテープ２，５の上面が、後に設ける
ボンディングワイヤ６の立上がり部のトップ位置よりも
高くなるように、ポリイミドテープ２及び５の厚みを設
定する。
の内側先端部の上下面の各々に予めポリイミドテープ
２，３を張り付けておき（テープ２はテープ３よりもリ
ード１の先端部より外側にずれた位置にある）、リード
１の下面側のポリイミドテープ３（第１の接着部材）に
よって１枚目の半導体チップ４を固定し、さらにポリイ
ミドテープ５を半導体チップ４の上面側に張り付ける。
この時、ポリイミドテープ２，５の上面が、後に設ける
ボンディングワイヤ６の立上がり部のトップ位置よりも
高くなるように、ポリイミドテープ２及び５の厚みを設
定する。
【００２８】続いて、図２（ｂ）に示すように、前記リ
ード１の上面先端部と半導体チップ４上の電極とをボン
ディングワイヤ６を介して接合し、さらに図２（ｃ）に
示すように、ポリイミドテープ２，５によってリード１
の上面側に２枚目の半導体素子７を固定する。ここで、
ポリイミドテープ２，５は、半導体素子７をリード１に
固定する役割を果たすと同時に、半導体チップ４とリー
ド１とを電気的に接合するワイヤ６が半導体チップ７と
接触しないようにする役割も果たしている。
ード１の上面先端部と半導体チップ４上の電極とをボン
ディングワイヤ６を介して接合し、さらに図２（ｃ）に
示すように、ポリイミドテープ２，５によってリード１
の上面側に２枚目の半導体素子７を固定する。ここで、
ポリイミドテープ２，５は、半導体素子７をリード１に
固定する役割を果たすと同時に、半導体チップ４とリー
ド１とを電気的に接合するワイヤ６が半導体チップ７と
接触しないようにする役割も果たしている。
【００２９】その後、図３（ｄ）に示すように、半導体
素子７上の電極とリード１の上面側とをボンディングワ
イヤ８（第２の接着部材）を介して接合し、さらに、こ
の状態で図３（ｅ）に示すように、例えばトランスファ
ーモールド法により樹脂封止を行う。すなわち、リード
１にワイヤボンディングされた半導体チップ４，７を専
用成形機に取り付けられた金型に装填して型締めを行っ
た後、既に成形温度（例えば１７０℃）に加熱されてい
る前記金型に樹脂材料を装入してモールド樹脂９として
硬化させる。そして、リード１を図３（ｅ）に示すよう
な形状に折曲げ加工することにより、図１に示す半導体
装置を得ることができる。
素子７上の電極とリード１の上面側とをボンディングワ
イヤ８（第２の接着部材）を介して接合し、さらに、こ
の状態で図３（ｅ）に示すように、例えばトランスファ
ーモールド法により樹脂封止を行う。すなわち、リード
１にワイヤボンディングされた半導体チップ４，７を専
用成形機に取り付けられた金型に装填して型締めを行っ
た後、既に成形温度（例えば１７０℃）に加熱されてい
る前記金型に樹脂材料を装入してモールド樹脂９として
硬化させる。そして、リード１を図３（ｅ）に示すよう
な形状に折曲げ加工することにより、図１に示す半導体
装置を得ることができる。
【００３０】本実施例では、１つのパッケージの中に２
枚の半導体素子を組み込むタイプの半導体装置（図６参
照）を、従来より簡単に製造することができる。しか
も、従来のＬＯＣタイプに類似した構造を有するので、
従来装置よりも一層の高集積化と共に小型化を実現する
ことができる。さらに、図６に示す従来の半導体装置で
は、ワイヤ１２５，１２６が上下両側にあるため上下両
側のモールディングが厚くなっていたが、本実施例で
は、ワイヤの接合方向の片側のみであるため、構造的に
薄型に形成することができる。
枚の半導体素子を組み込むタイプの半導体装置（図６参
照）を、従来より簡単に製造することができる。しか
も、従来のＬＯＣタイプに類似した構造を有するので、
従来装置よりも一層の高集積化と共に小型化を実現する
ことができる。さらに、図６に示す従来の半導体装置で
は、ワイヤ１２５，１２６が上下両側にあるため上下両
側のモールディングが厚くなっていたが、本実施例で
は、ワイヤの接合方向の片側のみであるため、構造的に
薄型に形成することができる。
【００３１】なお、上記図１に示す樹脂封止型半導体装
置の製造方法としては、上記図２及び図３に示したもの
に限定されず、例えば次のようなものがある。
置の製造方法としては、上記図２及び図３に示したもの
に限定されず、例えば次のようなものがある。
【００３２】すなわち、まず、通常のＬＯＣ構造で、下
面にポリイミドテープ３が設けられたリード１を用い、
前記ポリイミドテープ３によって前記リード１の下面に
半導体素子４を固定した後、前記リード１と前記半導体
素子４上の電極とをワイヤ６を介して接合する。そし
て、前記ワイヤ６のトップ位置よりも高くなるように、
前記リード１の上面にポリイミドテープ２を、半導体チ
ップ４上面にポリイミドテープ５をそれぞれ設ける。そ
の後は、上述した図２（ｃ）及び図３（ｄ），（ｅ）に
示す工程と同一の工程を行う。
面にポリイミドテープ３が設けられたリード１を用い、
前記ポリイミドテープ３によって前記リード１の下面に
半導体素子４を固定した後、前記リード１と前記半導体
素子４上の電極とをワイヤ６を介して接合する。そし
て、前記ワイヤ６のトップ位置よりも高くなるように、
前記リード１の上面にポリイミドテープ２を、半導体チ
ップ４上面にポリイミドテープ５をそれぞれ設ける。そ
の後は、上述した図２（ｃ）及び図３（ｄ），（ｅ）に
示す工程と同一の工程を行う。
【００３３】また、例えば半導体チップ４はマイコンチ
ップ、半導体チップ７はメモリ素子というように、半導
体チップ４と７を異なる半導体素子とすることも可能で
ある。
ップ、半導体チップ７はメモリ素子というように、半導
体チップ４と７を異なる半導体素子とすることも可能で
ある。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
の樹脂封止型半導体装置によれば、次のような効果があ
る。
の樹脂封止型半導体装置によれば、次のような効果があ
る。
【００３５】（１）１つのパッケージの中に２枚分の半
導体素子を組み込むことができる。これにより、実装密
度を倍加することが可能になり、装置の小型化、高集積
化に絶大なる効果を発揮する。
導体素子を組み込むことができる。これにより、実装密
度を倍加することが可能になり、装置の小型化、高集積
化に絶大なる効果を発揮する。
【００３６】（２）ワイヤの接合方向が片側のみである
ため構造的に薄型に形成することが可能である。
ため構造的に薄型に形成することが可能である。
【００３７】（３）２種類の異なる半導体素子を１つの
パーケージに封止することができるため、多種多様な用
途に対応することができる。
パーケージに封止することができるため、多種多様な用
途に対応することができる。
【００３８】第２及び第３の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によれば、１つのパッケージの中に２枚分の半導
体素子を組み込む構造の樹脂封止型半導体装置を、従来
より簡単に製造することが可能となる。
造方法によれば、１つのパッケージの中に２枚分の半導
体素子を組み込む構造の樹脂封止型半導体装置を、従来
より簡単に製造することが可能となる。
【図１】本発明を実施した樹脂封止型半導体装置の断面
図である。
図である。
【図２】図１に示した樹脂封止型半導体装置の製造工程
を示す図である（その１）。
を示す図である（その１）。
【図３】図１に示した樹脂封止型半導体装置の製造工程
を示す図である（その２）。
を示す図である（その２）。
【図４】従来のＴＳＯＰ型半導体装置の断面図である。
【図５】従来のＴＳＯＰ型ＬＯＣタイプの半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図６】２枚分の半導体素子を組み込むタイプの従来の
樹脂封止型半導体装置の断面図である。
樹脂封止型半導体装置の断面図である。
１ リード ２，３，５ ポリイミドテープ ４，７ 半導体チップ ６，８ ボンディングワイヤ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｚ 6921−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素
子を接着部材で下面に固定するリードと、該リードと前
記半導体素子上の電極とを接合するワイヤとを備え、前
記リードの一部を外部に引き出す形で前記半導体素子を
含む全体を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置におい
て、 前記半導体素子とは別の半導体素子を前記リードの上面
に接着部材で固定し、この半導体素子の電極と前記リー
ドをワイヤで接合したことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】 下面に第１の接着部材が、上面に第２の
接着部材がそれぞれ設けられたリードを用い、前記第１
の接着部材によって前記リードの下面に第１の半導体素
子を固定する第１の工程と、 前記第２の接着部材の高さより低い位置で前記リードと
前記半導体素子上の電極とをワイヤを介して接合する第
２の工程と、 前記第１の半導体素子とは別の第２の半導体素子を前記
リードの上面に前記第２の接着部材で固定する第３の工
程と、 前記第２の半導体素子上の電極と前記リードとをワイヤ
を介して接合する第４の工程とを有することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 下面に第１の接着部材が設けられたリー
ドを用い、前記第１の接着部材によって前記リードの下
面に第１の半導体素子を固定する第１の工程と、 前記リードと前記半導体素子上の電極とをワイヤを介し
て接合する第２の工程と、 前記ワイヤのトップ位置よりも高くなるように前記リー
ドの上面に所定の厚さの第２の接着部材を設ける第３の
工程と、 前記第１の半導体素子とは別の第２の半導体素子を前記
リードの上面に前記第２の接着部材で固定する第４の工
程と、 前記リードと前記第２の半導体素子上の電極とをワイヤ
を介して接合する第４の工程とを有することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6241441A JPH08107178A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6241441A JPH08107178A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107178A true JPH08107178A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17074362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6241441A Withdrawn JPH08107178A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020056283A (ko) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 박종섭 | 적층형 멀티칩 반도체 패키지의 구조 및 그 제조 방법 |
| US6545365B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed chip stack type semiconductor device |
-
1994
- 1994-10-05 JP JP6241441A patent/JPH08107178A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6545365B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed chip stack type semiconductor device |
| KR20020056283A (ko) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 박종섭 | 적층형 멀티칩 반도체 패키지의 구조 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |