JPH08110311A - アモルファス評価方法及びその評価に用いる評価装置 - Google Patents
アモルファス評価方法及びその評価に用いる評価装置Info
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- JPH08110311A JPH08110311A JP6296255A JP29625594A JPH08110311A JP H08110311 A JPH08110311 A JP H08110311A JP 6296255 A JP6296255 A JP 6296255A JP 29625594 A JP29625594 A JP 29625594A JP H08110311 A JPH08110311 A JP H08110311A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜中の膜のアモルファス状態を実時間で評
価する。 【構成】 成膜装置の真空容器１１に取付けた電子銃２
５から電子線２６を試料２２に入射させ、試料２２によ
り回折されてくる電子線の像を真空容器１１に取付けた
螢光スクリーン２７によって可視像に変換する。この可
視像をテレビカメラ２９で撮像して電気信号に変換し、
その電気信号を電子計算機３１に入力して、螢光スクリ
ーン２７上の像を動径分布解析法に基づき解析し、アモ
ルファス状態を評価する。
価する。 【構成】 成膜装置の真空容器１１に取付けた電子銃２
５から電子線２６を試料２２に入射させ、試料２２によ
り回折されてくる電子線の像を真空容器１１に取付けた
螢光スクリーン２７によって可視像に変換する。この可
視像をテレビカメラ２９で撮像して電気信号に変換し、
その電気信号を電子計算機３１に入力して、螢光スクリ
ーン２７上の像を動径分布解析法に基づき解析し、アモ
ルファス状態を評価する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は試料のアモルファス状
態を、動径分布解析法に基づき解析して評価するアモル
ファス評価装置に関する。
態を、動径分布解析法に基づき解析して評価するアモル
ファス評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より動径分布解析法としてアモルフ
ァス状態を評価する方法は知られている。しかし従来の
アモルファス評価装置は成膜中の膜のアモルファス状態
をその場で評価することができず、従ってその評価を成
膜装置に帰還して成膜条件を制御することはできなかっ
た。
ァス状態を評価する方法は知られている。しかし従来の
アモルファス評価装置は成膜中の膜のアモルファス状態
をその場で評価することができず、従ってその評価を成
膜装置に帰還して成膜条件を制御することはできなかっ
た。
【０００３】つまり従来のアモルファス評価装置は、試
料により回折されたＸ線もしくは電子線の像（パター
ン）を写真に取り、その明暗像をミクロフォトメータで
電気信号に変え、回折強度の曲線を得、これを解析する
ものであった。一方軟Ｘ線用光学素子のための多層反射
膜あるいはアモルファス超格子など超高精度のアモルフ
ァス多層膜に対する必要性が近年高まって来ている。
料により回折されたＸ線もしくは電子線の像（パター
ン）を写真に取り、その明暗像をミクロフォトメータで
電気信号に変え、回折強度の曲線を得、これを解析する
ものであった。一方軟Ｘ線用光学素子のための多層反射
膜あるいはアモルファス超格子など超高精度のアモルフ
ァス多層膜に対する必要性が近年高まって来ている。
【０００４】この発明の目的は成膜中の膜のアモルファ
ス状態をその場で評価することができ、従ってその評価
結果に基づき成膜条件に帰還してより厳密に成膜条件を
制御することができ、超高精度のアモルファス膜を得る
ことを可能とするアモルファス評価装置を提供すること
にある。
ス状態をその場で評価することができ、従ってその評価
結果に基づき成膜条件に帰還してより厳密に成膜条件を
制御することができ、超高精度のアモルファス膜を得る
ことを可能とするアモルファス評価装置を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明によると線源か
らの電子線もしくはＸ線が、保持部に保持された試料に
入射され、その試料により回折されて来る電子線もしく
はＸ線の像が螢光スクリーンで可視像に変換され、その
可視像がテレビカメラで撮像されて螢光スクリーン上の
像は電気信号に変換される。その電気信号が電子計算機
に入力されて螢光スクリーン上の像が動径分布解析法に
基づき解析され、試料のアモルファス状態が評価され
る。
らの電子線もしくはＸ線が、保持部に保持された試料に
入射され、その試料により回折されて来る電子線もしく
はＸ線の像が螢光スクリーンで可視像に変換され、その
可視像がテレビカメラで撮像されて螢光スクリーン上の
像は電気信号に変換される。その電気信号が電子計算機
に入力されて螢光スクリーン上の像が動径分布解析法に
基づき解析され、試料のアモルファス状態が評価され
る。
【０００６】このようにこの発明の装置によれば実時間
でアモルファス状態が評価されるため、成膜中の膜のア
モルファス状態を評価し、その結果を成膜条件に帰還し
て精密に制御された膜を作成することが可能となる。
でアモルファス状態が評価されるため、成膜中の膜のア
モルファス状態を評価し、その結果を成膜条件に帰還し
て精密に制御された膜を作成することが可能となる。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の実施例を示す。これは電子
線を用いた場合である。真空容器１１は排気系１２によ
り真空引きされる。真空容器１１内の蒸発源１３からの
電子ビーム１４，１５が物質１６，１７に入射され、こ
れら物質１６，１７が加熱蒸発される。これら蒸発物質
１８，１９は基板２１に付着されて試料２２となる。基
板２１は保持部２３で保持され、試料２２はＸ，Ｙ，Ｚ
方向に移動でき、かつ回動できるようにされている。
線を用いた場合である。真空容器１１は排気系１２によ
り真空引きされる。真空容器１１内の蒸発源１３からの
電子ビーム１４，１５が物質１６，１７に入射され、こ
れら物質１６，１７が加熱蒸発される。これら蒸発物質
１８，１９は基板２１に付着されて試料２２となる。基
板２１は保持部２３で保持され、試料２２はＸ，Ｙ，Ｚ
方向に移動でき、かつ回動できるようにされている。
【０００８】この例では線源として電子銃２５が設けら
れ、電子銃２５から単色性のよい電子線２６が供給さ
れ、これが試料２２に入射される。試料２２で回折され
た電子線は螢光スクリーン２７に入射され、電子線の回
折像が可視像に変換される。螢光スクリーン２７は最も
よく回折像が得られる位置、いわゆるエバルト球の位置
に配される。螢光スクリーン２７上の可視像は光学系２
８によりテレビカメラ２９のＣＣＤ上に結像されて、可
視像はテレビカメラ２９で撮像されて電気信号に変換さ
れる。この電気信号は電子計算機３１に入力されて、動
径分布解析プログラムを実行することにより動径分布解
析法に基づき解析され、動径分布関数が求められ、試料
２２のアモルファス状態が定量評価される。
れ、電子銃２５から単色性のよい電子線２６が供給さ
れ、これが試料２２に入射される。試料２２で回折され
た電子線は螢光スクリーン２７に入射され、電子線の回
折像が可視像に変換される。螢光スクリーン２７は最も
よく回折像が得られる位置、いわゆるエバルト球の位置
に配される。螢光スクリーン２７上の可視像は光学系２
８によりテレビカメラ２９のＣＣＤ上に結像されて、可
視像はテレビカメラ２９で撮像されて電気信号に変換さ
れる。この電気信号は電子計算機３１に入力されて、動
径分布解析プログラムを実行することにより動径分布解
析法に基づき解析され、動径分布関数が求められ、試料
２２のアモルファス状態が定量評価される。
【０００９】動径分布解析プログラムの動作例を図２に
示す。先ず試料２２とテレビカメラ２９との間の距離
Ｌ，電子線２６の波長λなどが入力される（ステップＳ
1 ）。次に電子線２６の散乱強度Ｉob（Ｓ）が測定され
る（ステップＳ2 ）。その後ΔＳ，Ｓmax ，Δｒ，ｒma
x が計算される（ステップＳ3 ）。ＳはＳ＝（４π／
λ）sin （ｘ／２）で定義され、ｘは入射電子線ビーム
と回折方向とのなす角度、ｒは原子間距離を表し、回折
パターンを図３に示すようにＳとＩ（強度）とで表し、
データ収集数をＮとすると、ΔＳ＝Ｓmax ／Ｎであり、
Δｒ＝ｒmax ／Ｎである。
示す。先ず試料２２とテレビカメラ２９との間の距離
Ｌ，電子線２６の波長λなどが入力される（ステップＳ
1 ）。次に電子線２６の散乱強度Ｉob（Ｓ）が測定され
る（ステップＳ2 ）。その後ΔＳ，Ｓmax ，Δｒ，ｒma
x が計算される（ステップＳ3 ）。ＳはＳ＝（４π／
λ）sin （ｘ／２）で定義され、ｘは入射電子線ビーム
と回折方向とのなす角度、ｒは原子間距離を表し、回折
パターンを図３に示すようにＳとＩ（強度）とで表し、
データ収集数をＮとすると、ΔＳ＝Ｓmax ／Ｎであり、
Δｒ＝ｒmax ／Ｎである。
【００１０】次にバックグランド曲線Ｉba（Ｓ）が設定
され（ステップＳ4 ）、分子干渉項Ｊm （Ｓ）が次式よ
り求められる（ステップＳ5 ）。 Ｊm （Ｓ）＝｛Ｉob（Ｓ）−Ｉba（Ｓ）｝／Ｉba（Ｓ） この分子干渉項Ｊm （Ｓ）から次式により動径分布関数
４πｒＤ（ｒ）が求められる（ステップＳ6 ）。
され（ステップＳ4 ）、分子干渉項Ｊm （Ｓ）が次式よ
り求められる（ステップＳ5 ）。 Ｊm （Ｓ）＝｛Ｉob（Ｓ）−Ｉba（Ｓ）｝／Ｉba（Ｓ） この分子干渉項Ｊm （Ｓ）から次式により動径分布関数
４πｒＤ（ｒ）が求められる（ステップＳ6 ）。
【００１１】４πｒＤ（ｒ）＝∫（２／π）ＳＪz
（Ｓ）sin （Ｓｒ）ｄＳ 但し、∫は０から∞までの積分とする。この動径分布関
数４πｒＤ（ｒ）のピークを分離して原子間距離、隣接
原子数が計算される（ステップＳ7 ）。試料２２の動径
分布曲線は例えば図４に示すようになり、この曲線のピ
ークの位置が原子間距離を示し、分解した曲線成分の面
積、つまり点線で囲まれた面積が隣接原子数を与える。
ピークをもたない動径分布曲線は理想的なアモルファス
を示し、通常は２〜３個のピークが存在する。このピー
クの数によりアモルファス状態を評価することができ
る。またピークの山がなだらかな程完全なアモルファス
状態に近づくので隣接ピーク間で隣接原子数が少ない
程、完全なアモルファス状態に近づくことがわかる。こ
の後者の評価はピークの半値幅で行ってもよい。
（Ｓ）sin （Ｓｒ）ｄＳ 但し、∫は０から∞までの積分とする。この動径分布関
数４πｒＤ（ｒ）のピークを分離して原子間距離、隣接
原子数が計算される（ステップＳ7 ）。試料２２の動径
分布曲線は例えば図４に示すようになり、この曲線のピ
ークの位置が原子間距離を示し、分解した曲線成分の面
積、つまり点線で囲まれた面積が隣接原子数を与える。
ピークをもたない動径分布曲線は理想的なアモルファス
を示し、通常は２〜３個のピークが存在する。このピー
クの数によりアモルファス状態を評価することができ
る。またピークの山がなだらかな程完全なアモルファス
状態に近づくので隣接ピーク間で隣接原子数が少ない
程、完全なアモルファス状態に近づくことがわかる。こ
の後者の評価はピークの半値幅で行ってもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば螢光
スクリーン上の回折パターンをテレビカメラで撮像する
ことにより、動径分布解析法によりアモルファス状態を
実時間で評価することができる。従って例えば成膜中の
膜のアモルファス状態を評価して、その結果に応じて成
膜条件に帰還制御することにより良質なアモルファス膜
を形成することも可能となる。
スクリーン上の回折パターンをテレビカメラで撮像する
ことにより、動径分布解析法によりアモルファス状態を
実時間で評価することができる。従って例えば成膜中の
膜のアモルファス状態を評価して、その結果に応じて成
膜条件に帰還制御することにより良質なアモルファス膜
を形成することも可能となる。
【図１】この発明によるアモルファス評価装置の一例を
示す構成図。
示す構成図。
【図２】動径分布解析プログラムの例を示す流れ図。
【図３】回折パターンの例を示す図。
【図４】動径分布曲線の例を示す図。
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 アモルファス評価方法及びその評
価に用いる評価装置
価に用いる評価装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】この発明は膜のアモルファス状態
を、定量的に評価する方法及びその評価に用いる評価装
置に関する。
を、定量的に評価する方法及びその評価に用いる評価装
置に関する。
【従来の技術】従来におけるアモルファス膜の評価は、
Ｘ線もしくは電子線を試料に照射し、試料により回折さ
れたＸ線もしくは電子線の像（パターン）を螢光スクリ
ーンに入射させて可視像に変換し、これを写真に取る
か、あるいは直接目視観察し、ハローパターンが見えれ
ばアモルファスであると判断するものであった。従っ
て、アモルファス膜であると言っても、そのアモルファ
ス状態（無定形度）は一定ではなく、ものによって大き
な差が存在していた。一方、軟Ｘ線用光学素子のための
多層反射膜あるいはアモルファス超格子など超高精度の
アモルファス多層膜に対する必要性が近年高まって来て
いる。この発明の目的は膜のアモルファス状態の定量的
な評価を可能とする評価方法を提供することにあり、さ
らにその評価方法を用いて、超高精度のアモルファス膜
を得ることを可能とするアモルファス評価装置を提供す
ることにある。
Ｘ線もしくは電子線を試料に照射し、試料により回折さ
れたＸ線もしくは電子線の像（パターン）を螢光スクリ
ーンに入射させて可視像に変換し、これを写真に取る
か、あるいは直接目視観察し、ハローパターンが見えれ
ばアモルファスであると判断するものであった。従っ
て、アモルファス膜であると言っても、そのアモルファ
ス状態（無定形度）は一定ではなく、ものによって大き
な差が存在していた。一方、軟Ｘ線用光学素子のための
多層反射膜あるいはアモルファス超格子など超高精度の
アモルファス多層膜に対する必要性が近年高まって来て
いる。この発明の目的は膜のアモルファス状態の定量的
な評価を可能とする評価方法を提供することにあり、さ
らにその評価方法を用いて、超高精度のアモルファス膜
を得ることを可能とするアモルファス評価装置を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、電子線もしくはＸ線をアモルファス膜に入射し、そ
のアモルファス膜により回折されて来る電子線もしくは
Ｘ線の像を螢光スクリーンに入射させて可視像に変換
し、その可視像をテレビカメラで撮像して電気信号に変
換し、その電気信号を用いて上記可視像を動径分布解析
法に基づき解析して動径分布関数を求め、その動径分布
関数をグラフ化して動径分布曲線を求め、その動径分布
曲線に存在するピークを形成する山のなだらかさを判断
することにより、アモルファス膜のアモルファス状態が
定量的に評価される。請求項２の発明は、密閉容器内の
被成膜体に膜を形成する成膜装置における上記膜のアモ
ルファス状態を評価する装置であって、密閉容器に取付
けられ、上記膜に電子線もしくはＸ線を入射させる線源
と、被成膜体を固定して移動させることができる保持部
と、密閉容器に取付けられ、上記膜により回折されて来
る電子線もしくはＸ線の像を可視像に変換する螢光スク
リーンと、その螢光スクリーン上の像を撮像して電気信
号に変換するテレビカメラと、そのテレビカメラからの
電気信号を用いて螢光スクリーン上の像を動径分布解析
法に基づき解析して動径分布関数を求め、その動径分布
関数をグラフ化した動径分布曲線に存在するピークを形
成する山のなだらかさを判断して上記膜のアモルファス
状態を定量的に評価する電子計算機とを具備するもので
ある。
ば、電子線もしくはＸ線をアモルファス膜に入射し、そ
のアモルファス膜により回折されて来る電子線もしくは
Ｘ線の像を螢光スクリーンに入射させて可視像に変換
し、その可視像をテレビカメラで撮像して電気信号に変
換し、その電気信号を用いて上記可視像を動径分布解析
法に基づき解析して動径分布関数を求め、その動径分布
関数をグラフ化して動径分布曲線を求め、その動径分布
曲線に存在するピークを形成する山のなだらかさを判断
することにより、アモルファス膜のアモルファス状態が
定量的に評価される。請求項２の発明は、密閉容器内の
被成膜体に膜を形成する成膜装置における上記膜のアモ
ルファス状態を評価する装置であって、密閉容器に取付
けられ、上記膜に電子線もしくはＸ線を入射させる線源
と、被成膜体を固定して移動させることができる保持部
と、密閉容器に取付けられ、上記膜により回折されて来
る電子線もしくはＸ線の像を可視像に変換する螢光スク
リーンと、その螢光スクリーン上の像を撮像して電気信
号に変換するテレビカメラと、そのテレビカメラからの
電気信号を用いて螢光スクリーン上の像を動径分布解析
法に基づき解析して動径分布関数を求め、その動径分布
関数をグラフ化した動径分布曲線に存在するピークを形
成する山のなだらかさを判断して上記膜のアモルファス
状態を定量的に評価する電子計算機とを具備するもので
ある。
【実施例】この発明の実施例を図１を参照して説明す
る。なお、図１は電子線を用いた例を示したものであ
る。真空容器１１は成膜装置の密閉容器であり、排気系
１２により真空引きされる。真空容器１１内の蒸発源１
３からの電子ビーム１４，１５が物質１６，１７に入射
され、これら物質１６，１７が加熱蒸発される。これら
蒸発物質１８，１９は被成膜体である基板２１に付着さ
れて膜を形成し、試料２２となる。基板２１は保持部２
３で保持され、試料２２はＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動でき、
かつ回動できるようにされている。この例では線源とし
て電子銃２５が真空容器１１の一側に取付けられ、電子
銃２５から単色性のよい電子線２６が供給され、これが
試料２２に入射される。試料２２で回折された電子線は
真空容器１１の他側に取付けられた螢光スクリーン２７
に入射され、電子線の回折像が可視像に変換される。螢
光スクリーン２７は最もよく回折像が得られる位置、い
わゆるエバルト球の位置に配される。螢光スクリーン２
７上の可視像は光学系２８によりテレビカメラ２９のＣ
ＣＤ上に結像され、可視像はテレビカメラ２９で撮像さ
れて電気信号に変換される。この電気信号は電子計算機
３１に入力され、動径分布解析プログラムを実行するこ
とにより動径分布解析法に基づき解析されて動径分布関
数が求められ、その動径分布関数をグラフ化した動径分
布曲線に存在するピークを形成する山のなだらかさが判
断されて、試料２２のアモルファス状態が定量評価され
る。動径分布解析プログラムの動作例を図２に示す。先
ず試料２２とテレビカメラ２９との間の距離Ｌ，電子線
２６の波長λなどが入力される（ステップＳ1 ）。次に
電子線２６の散乱強度Ｉob（Ｓ）が測定される（ステッ
プＳ2 ）。その後ΔＳ，Ｓmax ，Δｒ，ｒmax が計算さ
れる（ステップＳ3 ）。ＳはＳ＝（４π／λ）sin （ｘ
／２）で定義され、ｘは入射電子線ビームと回折方向と
のなす角度、ｒは原子間距離を表す。回折パターンを図
３に示すようにＳとＩ（強度）とで表し、データ収集数
をＮとすると、ΔＳ＝Ｓmax ／Ｎであり、Δｒ＝ｒmax
／Ｎである。次にバックグランド曲線Ｉba（Ｓ）が設定
され（ステップＳ4 ）、分子干渉項Ｊm （Ｓ）が次式よ
り求められる（ステップＳ5 ）。 Ｊm （Ｓ）＝｛Ｉob（Ｓ）−Ｉba（Ｓ）｝／Ｉba（Ｓ） この分子干渉項Ｊm （Ｓ）から次式により動径分布関数
４πｒＤ（ｒ）が求められる（ステップＳ6 ）。 ４πｒＤ（ｒ）＝∫（２／π）ＳＪz （Ｓ）sin （Ｓ
ｒ）ｄＳ 但し、∫は０から∞までの積分とする。次にこの動径分
布関数４πｒＤ（ｒ）がグラフ化され、動径分布曲線が
作成される。試料２２の動径分布曲線は例えば図４に示
すようになり、この曲線のピークの位置が原子間距離を
示し、分解した曲線成分の面積、つまり点線で囲まれた
面積が隣接原子数を与える。ピークをもたない動径分布
曲線は理想的なアモルファスを示し、通常は２〜３個の
ピークが存在する。このピークを形成する山がなだらか
な程、完全なアモルファス状態に近づくことがわかる。
従って、動径分布曲線に存在するピークを形成する山の
なだらかさを定量評価（ステップＳ7 ）することによ
り、試料２２のアモルファス状態を定量的に評価するこ
とができる。なお、山のなだらかさの定量評価は例えば
山の半値幅を用いて行うことができる。
る。なお、図１は電子線を用いた例を示したものであ
る。真空容器１１は成膜装置の密閉容器であり、排気系
１２により真空引きされる。真空容器１１内の蒸発源１
３からの電子ビーム１４，１５が物質１６，１７に入射
され、これら物質１６，１７が加熱蒸発される。これら
蒸発物質１８，１９は被成膜体である基板２１に付着さ
れて膜を形成し、試料２２となる。基板２１は保持部２
３で保持され、試料２２はＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動でき、
かつ回動できるようにされている。この例では線源とし
て電子銃２５が真空容器１１の一側に取付けられ、電子
銃２５から単色性のよい電子線２６が供給され、これが
試料２２に入射される。試料２２で回折された電子線は
真空容器１１の他側に取付けられた螢光スクリーン２７
に入射され、電子線の回折像が可視像に変換される。螢
光スクリーン２７は最もよく回折像が得られる位置、い
わゆるエバルト球の位置に配される。螢光スクリーン２
７上の可視像は光学系２８によりテレビカメラ２９のＣ
ＣＤ上に結像され、可視像はテレビカメラ２９で撮像さ
れて電気信号に変換される。この電気信号は電子計算機
３１に入力され、動径分布解析プログラムを実行するこ
とにより動径分布解析法に基づき解析されて動径分布関
数が求められ、その動径分布関数をグラフ化した動径分
布曲線に存在するピークを形成する山のなだらかさが判
断されて、試料２２のアモルファス状態が定量評価され
る。動径分布解析プログラムの動作例を図２に示す。先
ず試料２２とテレビカメラ２９との間の距離Ｌ，電子線
２６の波長λなどが入力される（ステップＳ1 ）。次に
電子線２６の散乱強度Ｉob（Ｓ）が測定される（ステッ
プＳ2 ）。その後ΔＳ，Ｓmax ，Δｒ，ｒmax が計算さ
れる（ステップＳ3 ）。ＳはＳ＝（４π／λ）sin （ｘ
／２）で定義され、ｘは入射電子線ビームと回折方向と
のなす角度、ｒは原子間距離を表す。回折パターンを図
３に示すようにＳとＩ（強度）とで表し、データ収集数
をＮとすると、ΔＳ＝Ｓmax ／Ｎであり、Δｒ＝ｒmax
／Ｎである。次にバックグランド曲線Ｉba（Ｓ）が設定
され（ステップＳ4 ）、分子干渉項Ｊm （Ｓ）が次式よ
り求められる（ステップＳ5 ）。 Ｊm （Ｓ）＝｛Ｉob（Ｓ）−Ｉba（Ｓ）｝／Ｉba（Ｓ） この分子干渉項Ｊm （Ｓ）から次式により動径分布関数
４πｒＤ（ｒ）が求められる（ステップＳ6 ）。 ４πｒＤ（ｒ）＝∫（２／π）ＳＪz （Ｓ）sin （Ｓ
ｒ）ｄＳ 但し、∫は０から∞までの積分とする。次にこの動径分
布関数４πｒＤ（ｒ）がグラフ化され、動径分布曲線が
作成される。試料２２の動径分布曲線は例えば図４に示
すようになり、この曲線のピークの位置が原子間距離を
示し、分解した曲線成分の面積、つまり点線で囲まれた
面積が隣接原子数を与える。ピークをもたない動径分布
曲線は理想的なアモルファスを示し、通常は２〜３個の
ピークが存在する。このピークを形成する山がなだらか
な程、完全なアモルファス状態に近づくことがわかる。
従って、動径分布曲線に存在するピークを形成する山の
なだらかさを定量評価（ステップＳ7 ）することによ
り、試料２２のアモルファス状態を定量的に評価するこ
とができる。なお、山のなだらかさの定量評価は例えば
山の半値幅を用いて行うことができる。
【発明の効果】以上述べたように、この発明による評価
方法によれば、膜のアモルファス状態を定量的に評価す
ることができるため、アモルファス膜の品質管理上、極
めて有益であり、さらにこの発明による評価装置によれ
ば、成膜中の膜のアモルファス状態の定量的な評価を実
時間で行うことができるため、その結果を成膜条件に帰
還してより厳密に成膜条件を制御することにより、超高
精度のアモルファス膜を形成することが可能となる。
方法によれば、膜のアモルファス状態を定量的に評価す
ることができるため、アモルファス膜の品質管理上、極
めて有益であり、さらにこの発明による評価装置によれ
ば、成膜中の膜のアモルファス状態の定量的な評価を実
時間で行うことができるため、その結果を成膜条件に帰
還してより厳密に成膜条件を制御することにより、超高
精度のアモルファス膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明によるアモルファス評価装置の一例を
示す構成図。
示す構成図。
【図２】動径分布解析プログラムの例を示す流れ図。
【図３】回折パターンの例を示す図。
【図４】動径分布曲線の例を示す図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (1)
- 【請求項１】 電子線もしくはＸ線を発生させる線源
と、その線源よりの電子線もしくはＸ線が入射される試
料を固定して移動させることができる保持部と、 上記試料により回折されて来る電子線もしくはＸ線の像
を可視像に変換する螢光スクリーンと、 その螢光スクリーン上の像を撮像して電気信号に変換す
るテレビカメラと、 そのテレビカメラからの電気信号を用いて上記螢光スク
リーン上の像を動径分布解析法に基づき解析して上記試
料のアモルファス状態を評価する電子計算機とを具備す
るアモルファス評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296255A JPH08110311A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | アモルファス評価方法及びその評価に用いる評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296255A JPH08110311A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | アモルファス評価方法及びその評価に用いる評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110311A true JPH08110311A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17831209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296255A Pending JPH08110311A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | アモルファス評価方法及びその評価に用いる評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08110311A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021012198A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 電子顕微鏡分析法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143987A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-04-15 | Max Planck Gesellschaft | |
| JPS61151449A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 電子線回折装置 |
| JPH079074U (ja) * | 1993-07-08 | 1995-02-07 | 株式会社東芝 | 回転電機 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6296255A patent/JPH08110311A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143987A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-04-15 | Max Planck Gesellschaft | |
| JPS61151449A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 電子線回折装置 |
| JPH079074U (ja) * | 1993-07-08 | 1995-02-07 | 株式会社東芝 | 回転電機 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021012198A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 電子顕微鏡分析法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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