JPH08110489A - 光ビーム照射装置 - Google Patents

光ビーム照射装置

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Publication number
JPH08110489A
JPH08110489A JP6245895A JP24589594A JPH08110489A JP H08110489 A JPH08110489 A JP H08110489A JP 6245895 A JP6245895 A JP 6245895A JP 24589594 A JP24589594 A JP 24589594A JP H08110489 A JPH08110489 A JP H08110489A
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JP
Japan
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light beam
scanning
polarization
image
light
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Application number
JP6245895A
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Inventor
Masaya Adachi
昌哉 足立
Seiji Maruo
成司 丸尾
Shinya Kobayashi
信也 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】単一の発光部を用い、画像情報に基づき必要な
部分のみ高速に光ビームの走査密度の変更を行うこと
で、高品位な画像記録を可能とした光ビーム照射装置を
提供する。 【構成】一定の直線偏光方向の光ビームを発生する半導
体レーザ素子101と、半導体レーザ素子101から発
生した光ビームの偏光状態を選択的に変更する偏光スイ
ッチ103と、光ビームの偏光方向成分に対応して、光
ビームを分離する偏光分離素子104と、偏光分離素子
104により分離した光ビームの感光体109上でのス
ポットの中心位置が所定の解像度に対応した走査線ピッ
チの1/2の距離だけ副走査方向へずれるように光路を
変更するプリズム105と、走査密度データに基づき偏
光スイッチ103を駆動する偏光スイッチドライバ15
3とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザビームプリンタや
ファクシミリ等の画像記録装置に組み込まれる光ビーム
照射装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザプリンタ等の電子写真方式を用い
た画像記録装置では、画像情報に応じてレーザ光源から
発生する光ビームを変調し、この光ビームをポリゴンミ
ラー(回転多面鏡)等の光学系を介して一様に帯電した
感光体に走査露光して静電潜像を形成し、この静電潜像
を帯電した着色粒子(トナー)によって現像し、用紙等
の記録媒体に転写、定着することで画像情報を記録して
いる。
【0003】このような画像記録装置では、感光体の回
転速度ムラ、あるいはポリゴンミラーの鏡面の倒れ等に
より副走査方向に走査線ピッチの乱れがあると、画像に
縞状の濃度むらが発生し易い。
【0004】この濃度むらは光ビームのスポット径を副
走査方向へ大きくし、走査線を副走査方向にオーバーラ
ップさせることで低減することが可能であるが、スポッ
ト径を大きくすることは他方で記録の空間分解能を低下
させることになる。
【0005】この問題を解決する装置として特開平3−1
63478 号公報に開示された光記録装置がある。この装置
では感光体に対する副走査方向の画像記録ピッチよりも
副走査方向の露光ピッチの総和を小さくするように複数
の発光部を配置してなる光源を有し、この光源と回転自
在の感光体との間にポリゴンミラーを回転自在に設け、
連続階調記録と二値化画像記録との記録モード信号に応
じて発光させる発光部の数を変更する光学系制御手段
と、連続階調記録時には発光部のすべてを同一の変調信
号で変調する変調手段を有している。この構成によっ
て、二値化画像記録時には光学系制御手段によって特定
の発光部のみを発光させることにより、感光体に対する
ビーム径を小さくして解像度を向上することができ、ま
た、連続階調記録時には光学系制御手段によって全発光
部を発光させることで感光体に対する副走査方向のビー
ム径を大きくして、副走査方向の露光ピッチに乱れがあ
っても、副走査方向で隣接する露光点の重なり量を多く
してバンディングの発生を抑制することができる。
【0006】また、感光体の回転速度が一定でない場合
でも、感光体上の光ビームの走査線を一定間隔にするこ
とで良好な印字を得る装置として特開平4−305670 号公
報に開示された印字装置がある。この装置では感光体ド
ラムの回転移動量を検知する移動量検知手段と、光学走
査装置によって走査された光ビームを検知する走査検出
手段と、光学走査装置を所定の走査線上を走査するのに
必要な速度の倍以上の速度で走査駆動させる駆動手段
と、移動量検出信号と走査検出信号に基づき、感光体ド
ラムが所定量回転移動したことを検出したとき光ビーム
の発射手段に印字情報に応じた光ビームを発射させるデ
ータ出力手段を有しており、感光体ドラム上の走査線を
一本形成する間に複数回の光ビームが検出され、この光
ビームが感光体ドラム上の走査すべき位置に来たとき、
印字情報に応じた光ビームを発射させるようにしている
ため、感光体ドラムの回転と光ビームの同期を取ること
ができ、感光体ドラムの速度が一定でない場合でも、感
光体ドラム上に光ビームの走査線を一定間隔にしてむら
のない良好な印字が得られる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】感光体の回転速度むら
等の理由により走査線ピッチが変動すると、副走査方向
に縞状の画像濃度のむらが生じ、良好な画像を得ること
ができないという問題が生じる。
【0008】この問題に対して従来技術が提案されてい
る。しかし、特開平3−163478 号公報に開示されている
光記録装置では光源が複数の発光部で構成されているた
め、光源の構成が複雑大型化する、調整個所が多くなる
等の問題が生じる。また、特開平4−305670 号公報に開
示されている印字装置では、光学走査装置を所定の走査
線上を走査するのに必要な速度の倍以上の速度で走査駆
動させる必要がある。したがって、標準的な記録速度を
維持するためには、ポリゴンミラー(回転多面鏡)を高
速回転させなければならず、この場合、高速回転による
振動,騒音さらには高速回転用モータを用いることによ
るコストアップという問題が生じる。
【0009】一方、レーザプリンタ等の電子写真方式を
用いた画像記録装置で使用される感光体は多くの場合、
図2の201に示すような特性を持つ。ここで201は
一様に帯電している感光体をレーザビームで露光した場
合のレーザパワーと感光体表面電位の関係を示してい
る。また、202,203は感光体をレーザビームで一
様に走査露光するときの副走査方向の合成レーザパワー
分布を示しており、204,205はそれぞれ202,2
03に示したレーザパワーで露光したときの感光体表面
電位分布を示している。201で示されるように感光体
の多くは、感光体に照射されるレーザパワーが小さいと
きほど、レーザパワーの変化に対する感光体表面電位の
変化が大きいという特性をもつ。したがって、走査線ピ
ッチに対応して周期的に現われるレーザパワーの変動
は、202,203に示すようにレーザパワーが大きい
ときほど大きいのだが、感光体表面電位の変動はむし
ろ、204,205に示すようにレーザパワーが小さいと
きの方が大きくなる。
【0010】そのため、感光体の回転速度むら等による
走査線ピッチの変動が無くても、中間調画像の記録のた
めにレーザパワーを小さくすると、走査線ピッチに対応
した感光体表面電位の変動が大きくなり、画像に走査線
ピッチに対応した縞状の画像濃度むらが発生し易くなる
という問題が生じる。
【0011】この感光体表面電位の変動は、感光体上に
三つの電位レベルを形成し、中間電位レベルを非画像部
(白部)とし、高電位部と低電位部でそれぞれ色および
極性の異なるトナーを正規現像もしくは反転現像して画
像を得る画像記録装置についてはさらに重大な問題とな
る。つまり、このような画像記録装置では、非画像部
(白部)を形成すために感光体表面電位を中間電位にす
る必要があるが、この場合、図2の204に示すように
感光体表面電位は走査線ピッチに対応して周期的に大き
く変動するため、現像によって非画像部(白部)にもト
ナーが付着してしまう現象、いわゆる、カブリが縞状に
生じるという問題が起こる。
【0012】本発明の目的は、高品位な画像記録を行う
ことのできる光ビーム照射装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、一定の直線偏光方向の光ビームを発生す
る発光手段と、前記発光手段から発生した光ビームの偏
光状態をこれとは異なる偏光状態に選択的に変更する偏
光状態変更手段と、光ビームの偏光方向成分に対応し
て、光ビームを分離する光ビーム分離手段と、前記光ビ
ーム分離手段により分離した光ビームの被照射体上のス
ポットの中心位置が所定の解像度に対応した走査線ピッ
チより短い距離だけ副走査方向へずれるように光ビーム
の光路を変更する光路変更手段と、前記光ビーム分離手
段により分離した光ビームを被照射体上へ偏向走査する
光ビーム偏向走査手段と、入力装置からの画像情報に基
づき各画素の走査密度データを生成する走査密度データ
生成手段と、前記走査密度データに基づき、前記偏光状
態変更手段を駆動する偏光状態変更手段の駆動手段とを
有し、前記走査密度データに基づき、所定の解像度に対
応する走査線ピッチの間に、さらに光ビームを選択的に
走査露光することで走査密度を可変としたものである。
【0014】さらに、前記光ビームの被照射体上での結
像スポットの副走査方向のスポット径を、所定の解像度
に対応する走査線ピッチの0.8〜1.2倍としたもので
ある。
【0015】
【作用】一定の直線偏光方向の光ビームを放射する発光
手段から出た光ビームは、偏光状態変更手段で、任意の
偏光状態に変更される。
【0016】偏光状態変更手段を通過した光ビームは光
ビーム分離手段に入射し、その偏光方向成分に対応し
て、P偏光とS偏光の2本の光ビームに分離される。
【0017】したがって、光ビーム分離手段に入射する
光ビームがS偏光のときは光ビームは1本だけ出射し、
入射する光ビームの偏光状態がS偏光に対して45°回
転した直線偏光、もしくは、円偏光のときは、同じパワ
ーのS偏光およびP偏光の2本の光ビームが出射する。
【0018】このとき、分離された2本の光ビームは、
光ビーム偏向走査手段により被照射体上へ偏向走査され
るのだが、2本の光ビームの被照射体上のスポットの中
心位置は所定の解像度に対応した走査線ピッチの1/2
の距離だけ副走査方向にずれた位置を走査するよう光路
変更手段により設定されている。
【0019】したがって、画像情報に基づいて走査密度
データ生成手段により生成された走査密度データに基づ
き、偏光状態変更手段を駆動し、光ビームの偏光状態を
変更すれば、所定の解像度に対応した走査線ピッチ内
に、さらに光ビームを選択的に走査することができる。
つまり、走査密度を選択的に各画素ごとで切り替えるこ
とが可能となる。
【0020】よって、単一の発光部を用い、偏向走査装
置を高速化しなくても、画像情報に基づき必要な部分の
み光ビームの走査密度の変更を行うことが可能になる。
【0021】さらに、光ビームの被照射体上での副走査
方向のスポット径を、所定の解像度に対応した走査線ピ
ッチと同程度とし、微小ドット等を記録するときに所定
の解像度に対応した走査密度で走査露光すれば解像性の
高い画像が得られ、副走査方向に連続なドット集合等を
記録するときに2倍の走査密度で走査露光すれば濃度む
らのない画像を得られる。したがって、高品質,高解像
度の記録を行うことが可能となる。
【0022】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。図1は本発明の光ビーム照射装置の一実施例の要
部のブロック図である。
【0023】マイクロコンピュータやワードプロセッサ
等の情報処理装置150から入力される画像情報は、プ
リンタコントローラ部151のデータ処理部152で処
理される。処理された画像情報に基づき半導体レーザ素
子ドライバ154と偏光スイッチドライバ153がそれ
ぞれ半導体レーザ素子101と偏光スイッチ103を駆
動する。また、プリンタコントローラ部151からの信
号によりモータドライバ155がモータ107を駆動
し、ポリゴンミラー106を等速回転させる。
【0024】半導体レーザ素子101から放射されるレ
ーザビームは、コリメータレンズ102で平行光束にさ
れ、偏光スイッチ103,偏光分離素子104,プリズ
ム105,を透過し、ポリゴンミラー106に到達す
る。ポリゴンミラー106はモータ107によって等速
回転するのでレーザビームは一定の角速度で偏向走査さ
れ、fθレンズ108(a),108(b)の補正によ
り回転する非照射体(感光体)109上を一定の線速度
で露光走査して画像を書き込む。
【0025】画像情報に基づきレーザパワー変調もしく
は点灯時間変調(パルス幅変調)されて半導体レーザ素
子101から放射されるレーザビームは性質上、半導体
レーザ素子101の接合面と平行な偏光方向の直線偏光
である。ここでは、半導体レーザ素子101から出射す
るレーザビームの偏光方向が、偏光分離素子104のS
偏光方向と同じとなるように半導体レーザ素子101を
設置する。以後、S偏光,P偏光は偏光分離素子104
を基準として考える。半導体レーザ素子101から放射
されたレーザビームはコリメータレンズ102を透過し
て、偏光スイッチ103に入射する。
【0026】偏光スイッチ103は電圧を印加すると、
その印加された部分に光学的異方性を生じ、入射する光
ビームの偏光状態を高速に変更することができる素子で
ある。具体的にはKDP(KHPO4 )やPLZT等の
バルク型構成のものや、例えばLiNbO3 基板上にT
iの拡散光導波路を形成した導波路型構成のものを用い
ることができる。また、本スイッチの目的は偏光状態を
変化させることなので、機械的または磁気的な効果を用
いた方法であってもよい。偏光スイッチドライバ153
により偏光スイッチ103に印加される制御電圧は、レ
ーザビームの偏光状態をS偏光方向成分と、P偏光方向
成分が同じになるように偏光状態をS偏光から45°回
転した直線偏光、または円偏光に成るよう設定される。
また、制御電圧が印加されないときは偏光スイッチ10
3から出射するレーザビームの偏光状態がオフセット電
圧や素子構成等により、入射したときと同じ偏光状態と
成るように設定される。
【0027】したがって、画像情報に基づき偏光スイッ
チドライバ153によって、偏光スイッチ103に制御
電圧が印加されると、半導体レーザ素子101から出射
し、偏光スイッチ103に入射するS偏光のレーザビー
ムは、偏光スイッチ103により、その偏光方向を45
°回転、または円偏光に変更され、制御電圧が印加され
ないとレーザビームの偏光状態は変更されず、S偏光の
まま偏光スイッチ103から出射する。
【0028】偏光分離素子103を透過したレーザビー
ムは偏光分離素子104に入射する。 偏光分離素子1
04は複屈折を利用し入射光をその偏光方向成分に応じ
て分離することができる素子であり、具体的にはウォラ
ストンプリズム等が使用できる。ここでは偏光分離素子
104は入射するレーザビームを、S偏光方向成分とP
偏光方向成分のレーザビームに分離するので、偏光スイ
ッチ103に制御電圧が印加されず偏光分離素子104
に入射するレーザビームがS偏光のままの時は出射する
レーザビームは一本であり、偏光スイッチ103に適切
な制御電圧が印加され、偏光分離素子104に入射する
レーザビームがS偏光から45°回転した直線偏光、も
しくは円偏光に変更された場合は、同じパワーのS偏光
およびP偏光の2本のレーザビームが分離出射する。
【0029】また、偏光分離素子104で分離された2
本のレーザビームは感光体109上での結像スポットの
中心位置が所定の解像度に対応した走査線ピッチの1/
2の距離だけ副走査方向にずれた位置を走査するように
プリズム105により設定される。つまり、偏光分離素
子104から出射するレーザビームが1本のときは、所
定の解像度に対応した走査密度で走査露光し、偏光分離
素子104から出射するレーザビームが2本の時は所定
の解像度に対応した走査線ピッチの中央に、さらにレー
ザビームが走査露光されるので走査密度が2倍になる。
【0030】このような構成により、情報処理装置15
0から入力された画像情報を基にプリンタコントローラ
部151のデータ処理部152で生成される画素単位の
走査密度データに基づき偏光スイッチドライバ153に
よって偏光スイッチ103に印加される制御電圧をオ
ン,オフするだけで、単一の半導体レーザ素子101か
ら出射したレーザビームを2本または1本のレーザビー
ムに高速切換えできるので、画素単位での走査密度の変
更が可能となる。
【0031】次に走査密度を高くすることの効果につい
て説明する。
【0032】図3(a)は感光体表面電位が中間電位レ
ベルになるように走査線ピッチの約1.5 倍のスポット
径で連続走査露光したときの副走査方向の合成レーザパ
ワーの分布を示し、図3(b)は図3(a)のレーザパ
ワーで感光体表面を露光したときの副走査方向の感光体
表面電位分布を示している。
【0033】また、図4(a)は感光体表面電位が中間
電位になるように図3(a)の場合の2倍の走査密度
で、図3の場合の走査線ピッチの約1倍のスポット径で
連続走査露光したときの副走査方向の合成レーザパワー
の分布を示している。図4(b)は図4(a)の合成レー
ザパワーで感光体表面を露光したときの副走査方向の感
光体表面電位分布を示している。
【0034】図3と図4を比べると、図4の方がスポッ
ト径が小さいにもかかわらず感光体表面電位の変動が極
めて小さい。
【0035】したがって、走査密度を高くすることで、
感光体表面電位の変動が小さくなり、副走査方向の画像
濃度むらの極めて少ない中間調画像を得ることが可能と
なる。また、感光体に3レベルの電位を形成して中間電
位レベルを非画像部(白部)とする画像記録装置では、
中間電位の安定により、かぶりのない非画像部(白部)を
得ることができる。一方、この場合、感光体109の回
転速度の変動等による走査線ピッチの変動があっても感
光体表面電位の変動は小さくおさえられるので走査線ピ
ッチの変動による画像濃度むらの発生も押さえることが
できる。
【0036】ところで、一般に用いられている光ビーム
では、走査線同士をオーバーラップさせることで濃度変
動のない安定した画像を得るために、副走査方向のスポ
ット径が所定の解像度に対応した走査線ピッチの1.2
倍〜1.5倍のものが用いられる。
【0037】これに対して走査密度を上げることで、副
走査方向のスポット径を所望の解像度に対応した走査線
ピッチの1倍程度(0.8〜1.2)の微小スポットにし
ても感光体表面電位の変動は小さく安定した中間調記録
が可能となる。また、この微小スポットを用いて、所定
の解像度に対応した走査密度で走査露光すれば、微小ド
ットや細線の再現性が良くなり、解像性は向上する。
【0038】したがって、記録すべき画像が副走査方向
に隣り合う画素で同一濃度、もしくは濃度が連続して変
化する場合には、副走査方向に隣り合う画素と画素の間
にもう1点露光する。つまり、走査密度を所定の解像度
に対応した走査密度の2倍とし、そうでない場合は所定
の解像度に対応した走査密度とする走査密度データをデ
ータ処理部152で生成する。すなわち、記録すべき画
像が、例えば、中間調画像やべた画像などのドット集合
の場合は偏光スイッチ103に適切な制御電圧を印加し
て走査密度を2倍にすることで濃度むらのない安定した
画像を得ることができ、微小ドットや主走査方向に連続
な細線等の場合は偏光スイッチ103に制御電圧を印加
せず、所望の解像度に対応した走査密度で走査露光する
ことで、解像度の高い鮮明な画像を得ることができる。
【0039】尚、半導体レーザ素子101から放射され
るレーザビームは画像情報に基づきレーザパワー変調も
しくはパルス幅変調が行われ得るが、偏光分離素子10
4により分離された2本の光ビームについては個別に制
御する必要はない。
【0040】また、感光体に3レベルの電位を形成し、
中間電位レベルを非画像部(白部)とし、高電位部と低
電位部を画像部とする画像記録装置では、画像部につい
ては所望の解像度に対応した走査密度で走査露光するこ
とで解像度の高い画像を再現し、非画像部(白部)につ
いては走査密度を2倍にすることでかぶりのない非画像
部(白部)を得て、解像度の高い画像部とかぶりの無い
非画像部が両立した高品位な画像を得ることも可能であ
る。
【0041】また、実施例と同じ構成で、偏光スイッチ
ドライバ153から偏光スイッチ103に印加する制御
電圧を、偏光スイッチ103に入射するレーザビームの
偏光方向が制御電圧印加により90°回転するように設
定する。この場合、偏光スイッチ103に印加する制御
電圧をオン,オフすることで、偏光スイッチ103を透
過するレーザビームの偏光方向がP偏光,S偏光となる
ため、偏光分離素子104からは異なる方向にレーザビ
ームが1本ずつ出射することになる。したがって、レー
ザビームの走査位置を高速に所望の解像度に対応した走
査線ピッチの1/2の距離だけ副走査方向にずらすこと
が可能となる。この場合、斜め線等を記録するときに、
段差や隙間を小さくすることができるので画質を向上す
ることが可能である。
【0042】また、同様に、偏光スイッチ103に印加
する制御電圧を連続的に変えてレーザビームの偏光状態
を変更することで、レーザビームのS偏光成分と、P偏
光成分の比を変えれば、偏光分離素子104で分離した
2本のレーザビームのパワーの割合を変えることができ
る。これを利用することで斜め線等の再現性を向上し、
高品位な画像を記録することも可能である。
【0043】本実施例によれば、単一の発光部を用い、
偏向走査装置を高速化しなくても、画像情報に応じて必
要な箇所だけ選択的に光ビームの走査密度を変えること
が可能である。光ビームの走査密度を高くすれば副走査
方向のスポット径が所定の解像度に対応した走査線ピッ
チの長さと同程度の光ビームであっても中間調画像やべ
た画像などのドット集合の再現性は低下しない。また、
この微小スポットを用い所望の解像度に対応した走査密
度で走査露光すれば微小ドットの再現性が向上する。よ
って解像度の高い鮮明な画像と中間階調画像が両立した
高品位な画像記録が可能となる。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、単一の発光部を用い、
偏向走査装置を高速化しなくても、画像情報に応じて必
要な箇所だけ選択的に光ビームの走査密度を変えること
が可能である。光ビームの走査密度を高くすれば副走査
方向のスポット径が所定の解像度に対応した走査線ピッ
チの長さと同程度の光ビームであっても中間調画像やべ
た画像といったドット集合の濃度むらは現れない。ま
た、この微小スポットを用い所望の解像度に対応した走
査線密度で走査露光すれば微小ドットの再現性が向上す
る。よって解像度の高い鮮明な画像と中間階調画像が両
立した高品位な画像記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ビーム照射装置の一実施例のブロッ
ク図。
【図2】レーザパワーと感光体表面電位の関係を示す特
性図。
【図3】従来の方法で露光したときの副走査方向位置に
対するレーザーパワーと感光対表面電位の分布図。
【図4】2倍の走査密度で露光したときの副走査方向位
置に対するレーザーパワーと感光対表面電位の分布図。
【符号の説明】
101…半導体レーザ素子、102…コリメータレン
ズ、103…偏光スイッチ、104…偏光分離素子、1
05…プリズム、106…ポリゴンミラー、107…モー
タ、108(a),(b)…fθレンズ、152…データ
処理部、153…偏向スイッチドライバ、154…半導
体レーザ素子ドライバ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一定の直線偏光方向の光ビームを発生する
    発光手段と、前記発光手段から発生した光ビームの偏光
    状態をこれとは異なる偏光状態に選択的に変更する偏光
    状態変更手段と、前記光ビームの偏光方向成分に対応し
    て、前記光ビームを分離する光ビーム分離手段と、前記
    光ビーム分離手段により分離した光ビームの被照射体上
    のスポットの中心位置が所定の解像度に対応した走査線
    ピッチより短い距離だけ副走査方向へずれるように光ビ
    ームの光路を変更する光路変更手段と、前記光ビーム分
    離手段により分離した光ビームを被照射体上へ偏向走査
    する光ビーム偏向走査手段と、入力装置からの画像情報
    に基づき各画素の走査密度データを生成する走査密度デ
    ータ生成手段と、前記走査密度データに基づき、前記偏
    光状態変更手段を駆動する偏光状態変更手段の駆動手段
    とを有し、前記走査密度データに基づき、所定の解像度
    に対応する走査線ピッチの間に、さらに光ビームを選択
    的に走査露光することで走査密度を可変としたことを特
    徴とする光ビーム照射装置。
  2. 【請求項2】所定の解像度に対応する走査線ピッチの間
    に、さらに光ビームを選択的に走査露光することができ
    る光ビーム照射装置において、前記光ビーム照射装置の
    前記光ビームの被照射体上での結像スポットの副走査方
    向のスポット径を、所定の解像度に対応する走査線ピッ
    チの0.8〜1.2倍とすることを特徴とする光ビーム照
    射装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8045249B2 (en) 2007-06-04 2011-10-25 Ricoh Company, Ltd. Optical scanning device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8045249B2 (en) 2007-06-04 2011-10-25 Ricoh Company, Ltd. Optical scanning device

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