JPH08111006A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH08111006A JPH08111006A JP24797294A JP24797294A JPH08111006A JP H08111006 A JPH08111006 A JP H08111006A JP 24797294 A JP24797294 A JP 24797294A JP 24797294 A JP24797294 A JP 24797294A JP H08111006 A JPH08111006 A JP H08111006A
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- magnetoresistive element
- magnetic head
- shield
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ型ヘッドのＭＲ素子部引出導体層の段差
にもとづくライトギャップ層のねじれのために記録特性
が低下することを防止すること。 【構成】 下部シールド上に所定幅の磁気抵抗素子膜を
有し、該下部シールド上から該磁気抵抗素子膜の頂面両
端部上の延在する１対の引出導体層を有し、該磁気抵抗
素子膜及び該引出導体層上に上部シールドとライトギャ
ップ層を有し、かつ該上部シールドの該磁気抵抗素子膜
上方に書込み用上部磁極を有する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、前記ライトギャップ頂面の段差部の角度
が水平に対して５°以下であることを特徴とする磁気ヘ
ッド。
にもとづくライトギャップ層のねじれのために記録特性
が低下することを防止すること。 【構成】 下部シールド上に所定幅の磁気抵抗素子膜を
有し、該下部シールド上から該磁気抵抗素子膜の頂面両
端部上の延在する１対の引出導体層を有し、該磁気抵抗
素子膜及び該引出導体層上に上部シールドとライトギャ
ップ層を有し、かつ該上部シールドの該磁気抵抗素子膜
上方に書込み用上部磁極を有する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、前記ライトギャップ頂面の段差部の角度
が水平に対して５°以下であることを特徴とする磁気ヘ
ッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッドとその製造方
法に係り、より詳しくは磁気抵抗効果型磁気ヘッド（Ｍ
Ｒ型ヘッド）とその製造方法に関する。
法に係り、より詳しくは磁気抵抗効果型磁気ヘッド（Ｍ
Ｒ型ヘッド）とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッド又はインダクティ
ブヘッド（巻線型複合ヘッド）に対し、ＭＲ型ヘッドは
磁気抵抗効果を利用するので再生出力が周速に依存せ
ず、センス電流を大きくすると出力を大きくできるの
で、インダクティブヘッドの２〜５倍の再生出力が期待
でき、また書込みヘッドと再生ヘッドが別になるので書
き込みヘッドのコイルのターン数を減らすことができる
などの特徴を有し、近時注目されている。
ブヘッド（巻線型複合ヘッド）に対し、ＭＲ型ヘッドは
磁気抵抗効果を利用するので再生出力が周速に依存せ
ず、センス電流を大きくすると出力を大きくできるの
で、インダクティブヘッドの２〜５倍の再生出力が期待
でき、また書込みヘッドと再生ヘッドが別になるので書
き込みヘッドのコイルのターン数を減らすことができる
などの特徴を有し、近時注目されている。
【０００３】このＭＲ型ヘッドの典型的な構造を図１５
を参照して説明すると、基材１０１上にセンダストなど
の下部シールド１０２を形成後、パーマロイ（軟磁性
膜）／Ｔａ（磁界分離）／ＮｉＦｅ（磁気抵抗素子膜）
の積層構造１０３（パーマロイはＳＡＬ（ｓｏｆｔ ａ
ｄｊｕｓｔｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）と呼ばれる）を所定
幅（リードコア巾）で成膜し、その両端部上へ延在する
ＣｏＣｒＰｔやＦｅＭｎからなるＢＣＳ（ｂｏｕｎｄａ
ｒｙ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｔａｌｉｌｉｚａｔｉｏｎ）
膜１０４及びＷなどからなる引出導体層１０６を形成す
る。その後、全面にＡｌ2 Ｏ3 などからなる絶縁層間を
介してＮｉＣｒなどの上部シールド１０８、Ａｌ2 Ｏ3
などからなるライトギャップ層１０９を成膜し、その上
にＮｉＦｅなどの上部磁性１１０が形成される。このよ
うな磁気ヘッドに対して磁気ヘッドのトラックは上下方
向に移動する。
を参照して説明すると、基材１０１上にセンダストなど
の下部シールド１０２を形成後、パーマロイ（軟磁性
膜）／Ｔａ（磁界分離）／ＮｉＦｅ（磁気抵抗素子膜）
の積層構造１０３（パーマロイはＳＡＬ（ｓｏｆｔ ａ
ｄｊｕｓｔｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）と呼ばれる）を所定
幅（リードコア巾）で成膜し、その両端部上へ延在する
ＣｏＣｒＰｔやＦｅＭｎからなるＢＣＳ（ｂｏｕｎｄａ
ｒｙ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｔａｌｉｌｉｚａｔｉｏｎ）
膜１０４及びＷなどからなる引出導体層１０６を形成す
る。その後、全面にＡｌ2 Ｏ3 などからなる絶縁層間を
介してＮｉＣｒなどの上部シールド１０８、Ａｌ2 Ｏ3
などからなるライトギャップ層１０９を成膜し、その上
にＮｉＦｅなどの上部磁性１１０が形成される。このよ
うな磁気ヘッドに対して磁気ヘッドのトラックは上下方
向に移動する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のＭＲ型ヘッドの
構造では、磁気抵抗素子部１０３とその両端部上へ延在
する引出電極１０６との段差がそのままライトギャップ
層１０９に反映するため、ライトギャップ層１０９にう
ねりが生じて書き込みの位相がずれて書き込み特性を劣
化させる。
構造では、磁気抵抗素子部１０３とその両端部上へ延在
する引出電極１０６との段差がそのままライトギャップ
層１０９に反映するため、ライトギャップ層１０９にう
ねりが生じて書き込みの位相がずれて書き込み特性を劣
化させる。
【０００５】それでも、記録密度が低くコア巾が大きい
場合には、図１６（Ａ）の如くライトギャップ層のうね
り部分（Ｗ2 −Ｗ1 ）がコア巾に占める割合が小さいの
であまり問題にならなかったが、記録密度が向上し、コ
ア巾を小さくする必要が生じてくると、図１６（Ｂ）の
如くコア巾に対するライトギャップのうねり部分（Ｗ 4
−Ｗ3 ）が占める割合が大きくなり、ライトギャップの
うねりが書き込み性能に影響する度合も大きくなり、ラ
イトギャップのうねりが無視できなくなった。そのた
め、ライトギャップのうねりが書込み密度の向上を防げ
ている。
場合には、図１６（Ａ）の如くライトギャップ層のうね
り部分（Ｗ2 −Ｗ1 ）がコア巾に占める割合が小さいの
であまり問題にならなかったが、記録密度が向上し、コ
ア巾を小さくする必要が生じてくると、図１６（Ｂ）の
如くコア巾に対するライトギャップのうねり部分（Ｗ 4
−Ｗ3 ）が占める割合が大きくなり、ライトギャップの
うねりが書き込み性能に影響する度合も大きくなり、ラ
イトギャップのうねりが無視できなくなった。そのた
め、ライトギャップのうねりが書込み密度の向上を防げ
ている。
【０００６】そこで、本発明はこのようなライトギャッ
プのうねりにもとづく書込み性能への影響のない磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
プのうねりにもとづく書込み性能への影響のない磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、摺動面近傍において下部シールド上に所
定幅の磁気抵抗素子膜を有し、該下部シールド上から該
磁気抵抗素子膜の頂面両端部上へ延在する１対の引出電
極層を有し、該磁気抵抗素子膜及び該引出電極上に上部
シールドとライトギャップ層を有し、かつ該上部シール
ドの該磁気抵抗素子膜上方に書き込み用上部磁極を有す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記ライトギャ
ップ頂面の段差部の角度が水平に対して５°以下、好ま
しくは２°以下であることを特徴とする磁気ヘッドを提
供する。
成するために、摺動面近傍において下部シールド上に所
定幅の磁気抵抗素子膜を有し、該下部シールド上から該
磁気抵抗素子膜の頂面両端部上へ延在する１対の引出電
極層を有し、該磁気抵抗素子膜及び該引出電極上に上部
シールドとライトギャップ層を有し、かつ該上部シール
ドの該磁気抵抗素子膜上方に書き込み用上部磁極を有す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記ライトギャ
ップ頂面の段差部の角度が水平に対して５°以下、好ま
しくは２°以下であることを特徴とする磁気ヘッドを提
供する。
【０００８】同様に、本発明によれば、下部シールド上
に所定幅の磁気抵抗素子膜を形成し、該下部シールド上
から該磁気抵抗素子膜の頂面両端部上へ延在する１対の
引出電極を形成し、該磁気抵抗素子膜及び該引出電極上
に上部シールドを形成し、その後該上部シールド上にラ
イトギャップ層及び書込み用上部磁極を形成する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記上部シー
ルドを電解めっき法で形成し、および（または）形成し
た上部シールドの頂面に平坦化処理、例えば全面エッチ
バック（イオンミリング、電解エッチなど）、スピンオ
ングラス（ＳＯＧ）膜形成、平面研削（ラップなど）な
どを施こすことを特徴とする磁気抵抗素子型磁気ヘッド
の製造方法も提供される。
に所定幅の磁気抵抗素子膜を形成し、該下部シールド上
から該磁気抵抗素子膜の頂面両端部上へ延在する１対の
引出電極を形成し、該磁気抵抗素子膜及び該引出電極上
に上部シールドを形成し、その後該上部シールド上にラ
イトギャップ層及び書込み用上部磁極を形成する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記上部シー
ルドを電解めっき法で形成し、および（または）形成し
た上部シールドの頂面に平坦化処理、例えば全面エッチ
バック（イオンミリング、電解エッチなど）、スピンオ
ングラス（ＳＯＧ）膜形成、平面研削（ラップなど）な
どを施こすことを特徴とする磁気抵抗素子型磁気ヘッド
の製造方法も提供される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、磁気抵抗素子膜部に段差が存
在しても書込み用上部磁極のライトギャップのうねりの
形成を抑制し、書き込み特性の低下を防止できる。ま
た、そのようなＭＲ型ヘッドの製造方法が提供される。
在しても書込み用上部磁極のライトギャップのうねりの
形成を抑制し、書き込み特性の低下を防止できる。ま
た、そのようなＭＲ型ヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】
【実施例】図１は磁気ディスク装置の内部構造の全容を
示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転している
状態で、その半径方向に磁気ヘッド１が移動してシーク
動作し、情報の記録／再生が行なわれる。図中、２はス
ピンドル、３はサスペンション、４は駆動アーム、５は
ボイスコイルモータである。この磁気ヘッド１の位置で
磁気ディスクＤ切断し拡大すると、図２のようになる。
示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転している
状態で、その半径方向に磁気ヘッド１が移動してシーク
動作し、情報の記録／再生が行なわれる。図中、２はス
ピンドル、３はサスペンション、４は駆動アーム、５は
ボイスコイルモータである。この磁気ヘッド１の位置で
磁気ディスクＤ切断し拡大すると、図２のようになる。
【００１１】薄膜型の磁気ディスクＤにおいて、１１は
アルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層１２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高
めるためのＣｒ下地層１３を１０００Å程度スパッタ成
膜してある。そして、ＣｏＣｒＴａまたはＣｏＮｉＣｒ
などの磁性材を５００Å程度スパッタして薄膜磁性膜１
４を形成した後、保護膜１５としてカーボンなどを３０
０Å程度スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルな
どのようなフッ素系の潤滑層１６を数十Å程度塗布し
て、完成する。
アルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層１２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高
めるためのＣｒ下地層１３を１０００Å程度スパッタ成
膜してある。そして、ＣｏＣｒＴａまたはＣｏＮｉＣｒ
などの磁性材を５００Å程度スパッタして薄膜磁性膜１
４を形成した後、保護膜１５としてカーボンなどを３０
０Å程度スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルな
どのようなフッ素系の潤滑層１６を数十Å程度塗布し
て、完成する。
【００１２】この磁気ディスクＤを矢印ａ1 方向に高速
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ１が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部１８によって、磁気ディ
スクＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスラ
イダ１は、ジンバル２０を介してサスペンジョン（スプ
リングアーム）３に取り付けられ、キャリッジ２２の駆
動アーム４でシーク動作が行なわれる。このように、機
構の簡便さから、装置の起動・停止時にはコアスライダ
が浮上せず摺動するＣＳＳ（Ｃｏｔａｃｔ Ｓｔａｒｔ
Ｓｔｏｐ）方式が普及している。
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ１が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部１８によって、磁気ディ
スクＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスラ
イダ１は、ジンバル２０を介してサスペンジョン（スプ
リングアーム）３に取り付けられ、キャリッジ２２の駆
動アーム４でシーク動作が行なわれる。このように、機
構の簡便さから、装置の起動・停止時にはコアスライダ
が浮上せず摺動するＣＳＳ（Ｃｏｔａｃｔ Ｓｔａｒｔ
Ｓｔｏｐ）方式が普及している。
【００１３】図３の磁気ヘッドはＭＲ型ヘッドであり、
ヘッド素子部２４が薄膜技術で形成され、かつＡｌ2 Ｏ
3 などの保護膜で覆われている。スライダ１は、摺動面
の左右に浮上レール２５，２６を有しており、そのヘッ
ド素子部２４と反対側に、空気流を取り込む流入斜面２
５ｓ，２６ｓが形成されている。図４に、複合薄膜磁気
ヘッドを使用した場合の説明図を示す。図４（Ａ）は切
截斜面図、図４（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図で
ある。
ヘッド素子部２４が薄膜技術で形成され、かつＡｌ2 Ｏ
3 などの保護膜で覆われている。スライダ１は、摺動面
の左右に浮上レール２５，２６を有しており、そのヘッ
ド素子部２４と反対側に、空気流を取り込む流入斜面２
５ｓ，２６ｓが形成されている。図４に、複合薄膜磁気
ヘッドを使用した場合の説明図を示す。図４（Ａ）は切
截斜面図、図４（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図で
ある。
【００１４】図４（Ａ），（Ｂ）は、電磁変換ヘッド
（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再生
ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド４０を示したもので、図
において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）４１
は、非磁性基板４２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）４３と、ＭＲ素子４３の引出し導体層
４４と、上、下磁気シールド層４５ａ，４５ｂとで構成
されている。
（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再生
ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド４０を示したもので、図
において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）４１
は、非磁性基板４２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）４３と、ＭＲ素子４３の引出し導体層
４４と、上、下磁気シールド層４５ａ，４５ｂとで構成
されている。
【００１５】引出し導体層４４は、ＭＲ素子４３の長手
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子４３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層４４は磁気シールド素子層４５ｂとの間
にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されている。
一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電磁変
換型ヘッド（インダクティブヘッド）は、ＭＲヘッド４
１の上磁気シールド素子４５ａを下部磁極（第１磁極）
とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を介在し
た記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層間絶縁層
４９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）５０及び上部磁極５１
を積層し、上部磁極（第２磁極）５１と下部磁極（上磁
気シールド層）４５ａとで形成した記録ギャップ４８に
よって情報の水平記録を行う。また、上部磁極５１上に
は保護絶縁層５２が形成される。これらはスパッタ又は
真空蒸着メッキ法等により形成される。
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子４３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層４４は磁気シールド素子層４５ｂとの間
にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されている。
一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電磁変
換型ヘッド（インダクティブヘッド）は、ＭＲヘッド４
１の上磁気シールド素子４５ａを下部磁極（第１磁極）
とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を介在し
た記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層間絶縁層
４９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）５０及び上部磁極５１
を積層し、上部磁極（第２磁極）５１と下部磁極（上磁
気シールド層）４５ａとで形成した記録ギャップ４８に
よって情報の水平記録を行う。また、上部磁極５１上に
は保護絶縁層５２が形成される。これらはスパッタ又は
真空蒸着メッキ法等により形成される。
【００１６】図中、６が水素含有炭素（ダイヤモンド様
カーボン）層からなる保護層であり、その上に任意に潤
滑保護層としてフッ素化物層１７が形成され塗布する。
図５、図６は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
であり、図５は基板上に多数のヘッド素子部をマトリッ
クス状に形成する方法を示し、図６（Ａ），（Ｂ）は１
列のスライダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕
上げる方法を示す。
カーボン）層からなる保護層であり、その上に任意に潤
滑保護層としてフッ素化物層１７が形成され塗布する。
図５、図６は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
であり、図５は基板上に多数のヘッド素子部をマトリッ
クス状に形成する方法を示し、図６（Ａ），（Ｂ）は１
列のスライダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕
上げる方法を示す。
【００１７】図５に示すように、フェライトやＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣなどの基板１ｗ上に多数のヘッド素子部２４
…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した後、最
終的には切断線２８，２９に示す位置から１個ずつ分離
すると、薄膜磁気ヘッドが完成する。しかしながら、作
製順序としては、まず横方向の切断線２８の位置で切断
分離して、ヘッド素子部２４が１列に並んだコアスライ
ダブロック３０を形成する。
3 −ＴｉＣなどの基板１ｗ上に多数のヘッド素子部２４
…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した後、最
終的には切断線２８，２９に示す位置から１個ずつ分離
すると、薄膜磁気ヘッドが完成する。しかしながら、作
製順序としては、まず横方向の切断線２８の位置で切断
分離して、ヘッド素子部２４が１列に並んだコアスライ
ダブロック３０を形成する。
【００１８】スライダブロック切りだし後、表面洗浄を
実施し、ＣＶＤ法にて水素含有炭素層を上記磁気ディス
クの場合と同様に成膜した。磁気ヘッドの下地密着層と
して、保護膜形成前にＳｉＣ膜をＣＶＤ法で形成してお
いてもよい。ＣＶＤ装置では、焼結熱処理で作成される
ため不純物が混入し易いスパッタターゲットを使用せ
ず、化学反応で行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質
が混入するのを防止できる。
実施し、ＣＶＤ法にて水素含有炭素層を上記磁気ディス
クの場合と同様に成膜した。磁気ヘッドの下地密着層と
して、保護膜形成前にＳｉＣ膜をＣＶＤ法で形成してお
いてもよい。ＣＶＤ装置では、焼結熱処理で作成される
ため不純物が混入し易いスパッタターゲットを使用せ
ず、化学反応で行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質
が混入するのを防止できる。
【００１９】こうして製膜されたコアスライダブロック
３０を、１本ずつ研削加工することで、図６（Ａ）に示
すように、浮上レール２５，２６を形成する。すなわ
ち、左右の浮上レール２５，２６間や、隣接するスライ
ダ間の溝を形成する。スライダレールはイオンミルで形
成する。次いで、溝の中心の切断線２９の位置で１個ず
つ切断分離した状態で、図６（Ｂ）のように治具３３に
一定間隔で貼り付け、ゴム定盤３４に貼り付けたラッピ
ングテープ３５に押しつけて移動させ、浮上レール２
５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ面取
りの後、治具３３からはがして、１個ずつ従来どおり図
２のように、スプリングアーム３先端のジンバル２０に
接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転したときの
風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態で、情報
の記録／再生が行なわれる。
３０を、１本ずつ研削加工することで、図６（Ａ）に示
すように、浮上レール２５，２６を形成する。すなわ
ち、左右の浮上レール２５，２６間や、隣接するスライ
ダ間の溝を形成する。スライダレールはイオンミルで形
成する。次いで、溝の中心の切断線２９の位置で１個ず
つ切断分離した状態で、図６（Ｂ）のように治具３３に
一定間隔で貼り付け、ゴム定盤３４に貼り付けたラッピ
ングテープ３５に押しつけて移動させ、浮上レール２
５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ面取
りの後、治具３３からはがして、１個ずつ従来どおり図
２のように、スプリングアーム３先端のジンバル２０に
接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転したときの
風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態で、情報
の記録／再生が行なわれる。
【００２０】図７は従来の薄膜型の磁気ディスクの製造
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−３３６４９５号においても開示さ
れている。工程（１）において、１１はアルミニウムな
どの非磁性体からなるドーナツ状の基板であり、作製し
ようとする磁気ディスクと同じサイズに形成されてい
る。例えば、２．５インチの小径磁気ディスクを製造す
る場合は、非磁性円板１１も２．５インチのものを用い
る。
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−３３６４９５号においても開示さ
れている。工程（１）において、１１はアルミニウムな
どの非磁性体からなるドーナツ状の基板であり、作製し
ようとする磁気ディスクと同じサイズに形成されてい
る。例えば、２．５インチの小径磁気ディスクを製造す
る場合は、非磁性円板１１も２．５インチのものを用い
る。
【００２１】そして、工程（２）において、非磁性円板
１１の両面に、ＮｉＰメッキ下地層１２を形成し、その
上に工程（３）において、回転している非磁性基板の板
面に研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクス
チャーＴを形成する。次に、工程（４）において、テク
スチャーＴの上に、Ｃｏ合金の水平配向性を高めるため
のＣｒ下地層３を１０００Å程度成膜し、その上に工程
（５）において、例えばＣｏ合金などから成る磁性膜１
４が５００Å程度成膜される。この磁性膜１４の上に、
工程（６）のように、保護膜として水素含有炭素膜１５
を３００Å程度形成し、最後にフッ素系の潤滑層１６が
塗布される。Ｃｒ層１３、薄膜型の磁性膜１４およびカ
ーボン膜１５は、スパッタなどの薄膜技術で成膜され
る。
１１の両面に、ＮｉＰメッキ下地層１２を形成し、その
上に工程（３）において、回転している非磁性基板の板
面に研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクス
チャーＴを形成する。次に、工程（４）において、テク
スチャーＴの上に、Ｃｏ合金の水平配向性を高めるため
のＣｒ下地層３を１０００Å程度成膜し、その上に工程
（５）において、例えばＣｏ合金などから成る磁性膜１
４が５００Å程度成膜される。この磁性膜１４の上に、
工程（６）のように、保護膜として水素含有炭素膜１５
を３００Å程度形成し、最後にフッ素系の潤滑層１６が
塗布される。Ｃｒ層１３、薄膜型の磁性膜１４およびカ
ーボン膜１５は、スパッタなどの薄膜技術で成膜され
る。
【００２２】工程（３）で形成したテクスチャーＴは、
情報を記録／再生する際の電磁変換特性が向上するよう
に、磁気異方性を付与するためのものである。また、テ
クスチャーＴに沿ってカーボン膜１５も凹凸となるた
め、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディスク面に吸着される
のを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスク面との間
の摩擦を小さくすることができる。
情報を記録／再生する際の電磁変換特性が向上するよう
に、磁気異方性を付与するためのものである。また、テ
クスチャーＴに沿ってカーボン膜１５も凹凸となるた
め、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディスク面に吸着される
のを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスク面との間
の摩擦を小さくすることができる。
【００２３】上記の如く、従来の磁気記録媒体は、Ｎｉ
−Ｐメッキ処理を施したアルミニウム基板或いはガラス
基板上に数千Å程度の下地層（Ｃｒ）、数百Åの記録層
及びカーボン保護層が順次形成された構造となってい
る。しかしながら、近年、高硬度保護膜としてダイヤモ
ンドライクカーボン膜（ＤＬＣ）の開発が進められてい
る。
−Ｐメッキ処理を施したアルミニウム基板或いはガラス
基板上に数千Å程度の下地層（Ｃｒ）、数百Åの記録層
及びカーボン保護層が順次形成された構造となってい
る。しかしながら、近年、高硬度保護膜としてダイヤモ
ンドライクカーボン膜（ＤＬＣ）の開発が進められてい
る。
【００２４】図８〜１４を参照して本発明に従う磁気ヘ
ッドとその製造方法を具体的に説明する。図８〜１２は
磁気ヘッドの浮上面近くの断面である。工程（１）にお
いて、アルチック基板などの非磁性基板５１上に下部シ
ールド５２としてセンダストを厚さ３μｍにスパッタ
し、イオンミリングによりパターニングする。
ッドとその製造方法を具体的に説明する。図８〜１２は
磁気ヘッドの浮上面近くの断面である。工程（１）にお
いて、アルチック基板などの非磁性基板５１上に下部シ
ールド５２としてセンダストを厚さ３μｍにスパッタ
し、イオンミリングによりパターニングする。
【００２５】工程（２）において、下部シールド５２上
にＡｌ2 Ｏ3 の絶縁層を形成したものにレジスト５４を
ＭＲ素子形成部を除くパターン状に形成してから全面に
ＳＡＬ（ＮｉＦｅＣｏ）／磁具分離層（Ｔａ）／ＭＲ素
子層（ＮｉＦｅ）の積層構造５５をそれぞれ１８０Å／
１００Å／１００Åの厚さに成膜し、レジスト５４をそ
の上の積層構造５５ごと除去するリフトオフ法でＭＲ素
子部５５′を形成する。ＭＲ素子部５５′の幅は約３μ
ｍである（工程（３））。
にＡｌ2 Ｏ3 の絶縁層を形成したものにレジスト５４を
ＭＲ素子形成部を除くパターン状に形成してから全面に
ＳＡＬ（ＮｉＦｅＣｏ）／磁具分離層（Ｔａ）／ＭＲ素
子層（ＮｉＦｅ）の積層構造５５をそれぞれ１８０Å／
１００Å／１００Åの厚さに成膜し、レジスト５４をそ
の上の積層構造５５ごと除去するリフトオフ法でＭＲ素
子部５５′を形成する。ＭＲ素子部５５′の幅は約３μ
ｍである（工程（３））。
【００２６】工程（４）において、今後はＭＲ素子部５
５′上にほぼＭＲ素子部５５′の寸法でかつアンダーカ
ットのあるレジスト５６をマスクとして全面に厚さ３０
０ÅのＣｏＣｒＰｔからなるＢＣＳ（Ｂｏｕｎｄａｒｙ
Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｔａｌｉｌｉｚａｔｉｏｎ）層５
７および厚さ１０００ÅのＷからなる引出導体層５８を
アンダーカットの下部にまわり込むスパッタ方法で成膜
し、レジスト５６を除去するリフトオフ法で、ＢＣＳ層
５７及び引出導体層５８をＭＲ素子部５５′の頂面の両
端部上へ延在する形で成膜する。
５′上にほぼＭＲ素子部５５′の寸法でかつアンダーカ
ットのあるレジスト５６をマスクとして全面に厚さ３０
０ÅのＣｏＣｒＰｔからなるＢＣＳ（Ｂｏｕｎｄａｒｙ
Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｔａｌｉｌｉｚａｔｉｏｎ）層５
７および厚さ１０００ÅのＷからなる引出導体層５８を
アンダーカットの下部にまわり込むスパッタ方法で成膜
し、レジスト５６を除去するリフトオフ法で、ＢＣＳ層
５７及び引出導体層５８をＭＲ素子部５５′の頂面の両
端部上へ延在する形で成膜する。
【００２７】こうして得られたＭＲ素子部５５′上の引
出導体層５８によって段差（Ａ部）が発生する（工程
（５））。工程（６）において、全面にスパッタ法でＡ
ｌ2 Ｏ3 を２０００Å成膜して非磁性絶縁層５９とす
る。このＡｌ2 Ｏ3 層の頂面はＡ部の段差が引き続がれ
る。そこで、本発明に従うと、工程（７）において、先
ずＴｉ（５００Å）／ＮｉＦｅ（１０００Å）を蒸着
し、次いでＮｉＦｅを厚さ３μｍ程度になるまで電解め
っきする。Ｔｉ層６０はＡｌ2 Ｏ3 上へのＮｉＦｅの付
着成長を促進する下地層であり、また蒸着ＮｉＦｅ層６
１−１は電解めっきＮｉＦｅ層６１−２のための下地層
である。本発明の方法の特徴は、ここでＮｉＦｅからな
る上部シールド６１を電解めっき法で形成することによ
り、上部シールド６１の頂面を平坦化することにある。
すなわち、電解めっき法によればＭＲ素子部５５′上の
段差にもかかわらず、電解めっき層表面は段差がなくな
るようにめっきの析出が起きる。従って、電解めっきＮ
ｉＦｅ層６１の表面の段差はＭＲ素子部５５′上の段差
をなくしはしないが著しく少なくする（Ｂ部）。
出導体層５８によって段差（Ａ部）が発生する（工程
（５））。工程（６）において、全面にスパッタ法でＡ
ｌ2 Ｏ3 を２０００Å成膜して非磁性絶縁層５９とす
る。このＡｌ2 Ｏ3 層の頂面はＡ部の段差が引き続がれ
る。そこで、本発明に従うと、工程（７）において、先
ずＴｉ（５００Å）／ＮｉＦｅ（１０００Å）を蒸着
し、次いでＮｉＦｅを厚さ３μｍ程度になるまで電解め
っきする。Ｔｉ層６０はＡｌ2 Ｏ3 上へのＮｉＦｅの付
着成長を促進する下地層であり、また蒸着ＮｉＦｅ層６
１−１は電解めっきＮｉＦｅ層６１−２のための下地層
である。本発明の方法の特徴は、ここでＮｉＦｅからな
る上部シールド６１を電解めっき法で形成することによ
り、上部シールド６１の頂面を平坦化することにある。
すなわち、電解めっき法によればＭＲ素子部５５′上の
段差にもかかわらず、電解めっき層表面は段差がなくな
るようにめっきの析出が起きる。従って、電解めっきＮ
ｉＦｅ層６１の表面の段差はＭＲ素子部５５′上の段差
をなくしはしないが著しく少なくする（Ｂ部）。
【００２８】次いで、工程（８）において、全面イオン
ミリングで厚さ約１μｍをエッチバックすると、段差は
さらに小さくされる（Ｃ部）。さらに、工程（９）にお
いて、ＮｉＦｅ層６１上にシリコーン樹脂その他のケイ
素化合物をスピンコート法で１０００Åほど塗布し、焼
成してシリカに転換する。ＳＯＧ層６３はスピンコート
法で成膜されるので頂面が完全に平坦である。ＳＯＧ層
６２は全面に拡がってもよいが、段差のみを埋める程度
以下が望ましい。
ミリングで厚さ約１μｍをエッチバックすると、段差は
さらに小さくされる（Ｃ部）。さらに、工程（９）にお
いて、ＮｉＦｅ層６１上にシリコーン樹脂その他のケイ
素化合物をスピンコート法で１０００Åほど塗布し、焼
成してシリカに転換する。ＳＯＧ層６３はスピンコート
法で成膜されるので頂面が完全に平坦である。ＳＯＧ層
６２は全面に拡がってもよいが、段差のみを埋める程度
以下が望ましい。
【００２９】従って、工程（１０）において、ＳＯＧ層
６３を有するＮｉＦｅ上部シールド６１上に、Ａｌ2 Ｏ
3 を厚さ１０００Å程度にスパッタしてライトギャップ
層６３を形成する。このライトギャップ層６３の頂面は
ほぼ完全に平坦である。なお、上記では上部シールドの
平坦化法として、上部シールドの電解めっき、イオンミ
リングによる全面エッチバック、ＳＯＧ形成を行なった
が、その他に平面研削、平面ラップなどを行なったり、
あるいはこれらのうち特定の処理のみを行なっても、そ
れ相応の効果が得られることは明白である。
６３を有するＮｉＦｅ上部シールド６１上に、Ａｌ2 Ｏ
3 を厚さ１０００Å程度にスパッタしてライトギャップ
層６３を形成する。このライトギャップ層６３の頂面は
ほぼ完全に平坦である。なお、上記では上部シールドの
平坦化法として、上部シールドの電解めっき、イオンミ
リングによる全面エッチバック、ＳＯＧ形成を行なった
が、その他に平面研削、平面ラップなどを行なったり、
あるいはこれらのうち特定の処理のみを行なっても、そ
れ相応の効果が得られることは明白である。
【００３０】工程（１１）を参照すると、Ｔｉ（１００
Å）／ＮｉＦｅ（１０００Å）６４を蒸着後、上部磁極
形成領域を除くパターンのレジスト６５を形成してから
全面にＮｉＦｅめっきを行ない、約３．５μｍのＮｉＦ
ｅ層を形成し、そしてレジスト６５を除去して上部磁極
６６のパターン（コア）を形成する。こうして、図１２
に示されるＭＲ型磁気ヘッドが完成する。このＭＲ型磁
気ヘッドにおいてライトギャップ層６３は完全に平坦で
あり、段差を有していない。
Å）／ＮｉＦｅ（１０００Å）６４を蒸着後、上部磁極
形成領域を除くパターンのレジスト６５を形成してから
全面にＮｉＦｅめっきを行ない、約３．５μｍのＮｉＦ
ｅ層を形成し、そしてレジスト６５を除去して上部磁極
６６のパターン（コア）を形成する。こうして、図１２
に示されるＭＲ型磁気ヘッドが完成する。このＭＲ型磁
気ヘッドにおいてライトギャップ層６３は完全に平坦で
あり、段差を有していない。
【００３１】ここで、図１３を参照すると、ライトギャ
ップ層６３上に上部磁極６３を形成した場合、ライトギ
ャップ層６１の段差は、その段差部が水平面となす角度
θで表わすことができる。この角度θをここではライト
ギャップ角度と呼ぶことにすると、上記と同様の構成の
ＭＲ型磁気ヘッドを、従来の如く行う上部シールドの平
坦化処理（電解めっきを含む）を行なわないで製造した
場合、また平坦化処理として、電解めっき法のみを採用
した場合、上部シールドをイオンミリングでエッチバッ
クのみ行なった場合、ＳＯＧ層形成のみを行った場合、
上記実施例の如くこれら３つの平坦化処理を組合せて実
施した場合について、それぞれライトギャップ角θを測
定した結果を図１４に示す。平坦化の効果は明白であ
る。
ップ層６３上に上部磁極６３を形成した場合、ライトギ
ャップ層６１の段差は、その段差部が水平面となす角度
θで表わすことができる。この角度θをここではライト
ギャップ角度と呼ぶことにすると、上記と同様の構成の
ＭＲ型磁気ヘッドを、従来の如く行う上部シールドの平
坦化処理（電解めっきを含む）を行なわないで製造した
場合、また平坦化処理として、電解めっき法のみを採用
した場合、上部シールドをイオンミリングでエッチバッ
クのみ行なった場合、ＳＯＧ層形成のみを行った場合、
上記実施例の如くこれら３つの平坦化処理を組合せて実
施した場合について、それぞれライトギャップ角θを測
定した結果を図１４に示す。平坦化の効果は明白であ
る。
【００３２】また、上記のＭＲ型ヘッドについてＭＲ再
生特性（Ｄ５０）を評価した。Ｄ５０とは記録密度を低
周波から高周波に上げてゆき、再生出力が低周波のとき
の５０％の出力になるときの周波数（記録密度−ここで
はｆｌｕｘ ｃｈａｎｇｅｐｅｒ ｉｎｃｈ（ｆｃ
ｉ））を指称する。この結果も図１４に示す。図１４に
はライトギャップ角θと再生出力の改良の関係が明らか
に示されている。
生特性（Ｄ５０）を評価した。Ｄ５０とは記録密度を低
周波から高周波に上げてゆき、再生出力が低周波のとき
の５０％の出力になるときの周波数（記録密度−ここで
はｆｌｕｘ ｃｈａｎｇｅｐｅｒ ｉｎｃｈ（ｆｃ
ｉ））を指称する。この結果も図１４に示す。図１４に
はライトギャップ角θと再生出力の改良の関係が明らか
に示されている。
【００３３】
【発明の効果】ＭＲ型ヘッドを微細化に伴なうライトギ
ャップのねじれにもとづく記録特性の劣化が防止される
ので、記録密度の向上に寄与する。
ャップのねじれにもとづく記録特性の劣化が防止される
ので、記録密度の向上に寄与する。
【図１】磁気ディスク装置の全容を示す。
【図２】磁気ディスク上の磁気ヘッドを示す。
【図３】磁気ヘッドの全容を示す。
【図４】（Ａ）（Ｂ）は複合磁気ヘッドの内容構造を示
す。
す。
【図５】薄膜磁気ヘッドの量産方法を示す。
【図６】（Ａ）（Ｂ）はスライダブロックの製造を示
す。
す。
【図７】（１）〜（６）は磁気ディスクの製造工程を示
す。
す。
【図８】実施例のＭＲ型ヘッドの製造工程（１）〜
（３）を示す。
（３）を示す。
【図９】実施例のＭＲ型ヘッドの製造工程（４）〜
（６）を示す。
（６）を示す。
【図１０】実施例のＭＲ型ヘッドの製造工程（７）〜
（９）を示す。
（９）を示す。
【図１１】実施例のＭＲ型ヘッドの製造工程（１０）〜
（１１）を示す。
（１１）を示す。
【図１２】実施例のＭＲ型ヘッドの完成品を示す。
【図１３】ライトギャップ角度θを説明する。
【図１４】ライトギャップ角θと再生出力の関係を示
す。
す。
【図１５】従来のＭＲ型ヘッドを示す。
【図１６】（Ａ）（Ｂ）は従来のＭＲ型ヘッドのライト
ギャップ層のねじれを示す。
ギャップ層のねじれを示す。
５１…基板 ５２…下部シールド ５４，５６，６５…レジスト ５５′…ＭＲ素子部 ５８…引出導体層 ５９…Ａｌ2 Ｏ3 ６１…上部シールド ６２…ＳＯＧ ６３…ライトギャップ層 ６６…上部磁極
Claims (4)
- 【請求項１】 下部シールド上に所定幅の磁気抵抗素子
膜を有し、該下部シールド上から該磁気抵抗素子膜の頂
面両端部上の延在する１対の引出導体層を有し、該磁気
抵抗素子膜及び該引出導体層上に上部シールドとライト
ギャップ層を有し、かつ該上部シールドの該磁気抵抗素
子膜上方に書込み用上部磁極を有する磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、前記ライトギャップ頂面の段差部の
角度が水平に対して５°以下であることを特徴とする磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 前記角度が２°以下である請求項１記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部シールド上に所定幅の磁気抵抗素子
膜を形成し、該下部シールド上から該磁気抵抗素子膜の
頂面の両端部上へ延在する１対の引出導体層を形成し、
該磁気抵抗素子膜及び該引出導体層上に上部シールドを
形成し、その後該上部シールド上にライトギャップ層及
び書込み用上部磁極を形成する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記上部シールドを電解めっき
法で形成し、および（または）形成した上部シールドの
頂面に平坦化処理を施こすことを特徴とする磁気抵抗素
子型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記平坦化処理として前記上部シールド
頂面の全面エッチングバックと、前記上部シールド上へ
のスピンオングラス（ＳＯＧ）膜の形成、前記上部シー
ルド頂面の平面研削の少なくとも一種を行なう請求項３
記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24797294A JPH08111006A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24797294A JPH08111006A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111006A true JPH08111006A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17171296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24797294A Pending JPH08111006A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP24797294A patent/JPH08111006A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030930 |