JPH08116203A

JPH08116203A - トランス結合器

Info

Publication number: JPH08116203A
Application number: JP24809994A
Authority: JP
Inventors: Katsumoto Okino; 沖野勝基; Tadahiko Nakahara; 中原忠彦; Yoshio Hara; 原義雄; Kiyoshi Kurosawa; 黒沢清; Hiromi Sakamoto; 坂本裕巳
Original assignee: TAISE KK
Current assignee: TAISE KK
Priority date: 1994-10-13
Filing date: 1994-10-13
Publication date: 1996-05-07

Abstract

(57)【要約】【構成】基板１に、厚膜或は薄膜で着膜されトラックＴ
Ｒ₁により形成された閉じたまたは開いた主線路２を形
成し、閉じたまたは開いたトラックの内側に、同じく厚
膜或は薄膜で形成された副線路３を設ける。【効果】一対のストリップ線路が平行に形成された場合
に比較して、主線路と副線路が相対する長さが実質的に
副線路の本数に応じて２以上の整数倍になるため、主線
路と副線路の容量結合の値は副線路の本数に応じて２以
上の整数倍になる。このため、トランス結合器の結合度
が大きくなるとともに、小型化が図られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、トランス結合器に関
し、特に、自動車電話及び携帯電話等の無線機器に使用
される位相分配器や方向性結合器等の高周波トランス結
合器に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来から、図１６（ａ）、（ｂ）に示す
ような高周波に適した方向性結合器が提案されている。
図１６（ａ）は、プリント回路基板又はセラミック等の
基板１上に主線路２と、副線路３と、主線路２、副線路
３の両端の電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄとを成膜して形
成された結合器を示す。この方向性結合器は、一対のス
トリップ線路２、３間の容量による結合を利用したもの
で側結合方向性結合器と呼ばれる（特開平６−６１１８
号公報）。

【０００３】また、図１６（ｂ）は、上記の容量結合の
代わりに結合をストリップ線路２、３の間に絶縁膜（誘
電膜）４を介在させることで実現した方向性結合器を示
す（特開平５−１４０１９号公報）。なお、いずれの場
合も、ストリップ線路の長さは、λ／４（λ：中心波
長）を基本としている。

【０００４】

【発明が解決すべき課題】この従来の方向性結合器で
は、ストリップ線路の長さは、λ／４を基本として設計
されるため、例えば１ＧＨ_Zの周波数に対する、その長
さは自由空間で７５ｍｍになり、これを小型化しようと
すると、結合度の大きい結合器が得られない。このこと
は、小型及び小電力化が要求される携帯電話等の使用に
対して、満足できるものではない。結合度を大きくする
ためには、図１６（ａ）の場合、ストリップ線路２、３
間の間隔を狭めることで実現可能だが、自ずから物理的
化工限界がある。

【０００５】また、図１６（ｂ）の場合は、比較的結合
度を大きくできるが、基板１上にストリップ線路２を形
成し、その上に絶縁膜４、更にストリップ線路３を形成
する必要があり、絶縁膜４の厚みを微妙に管理する必要
がある。したがって、本発明の目的は、上記の難点を解
決するためになされたもので、結合度が大きくなると共
に、小型化が図られるトランス結合器を提供せんとする
ものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のトランス結合器は、基板に、厚膜或は薄膜で
着膜された１本の閉じたトラックにより主線路を形成
し、閉じたトラックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形
成された１本の副線路を設けたものである。本発明のト
ランス結合器は、基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複
数本の閉じたトラックにより主線路を形成し、閉じたト
ラックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線
路を設けて複数本の副線路を形成し、複数本の副線路を
直列或は並列に接続したものである。

【０００７】本発明のトランス結合器は、基板に、厚膜
或は薄膜で着膜された１本の閉じたトラックの一部を欠
除した開いたトラックにより主線路を形成し、開いたト
ラックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本
の副線路を設けたものである。本発明のトランス結合器
は、基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複数本の閉じた
トラックのそれぞれの一部を欠除した開いたトラックに
より主線路を形成し、開いたトラックのそれぞれの内側
に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線路を設けて複
数本の副線路を形成し、複数本の副線路を直列或は並列
に接続したものである。

【０００８】本発明のトランス結合器は、基板に、厚膜
或は薄膜で着膜された１本の閉じたトラックにより主線
路を形成し、閉じたトラックの内側に、同じく厚膜或は
薄膜で形成された１本の副線路を設け、１本の副線路の
中点をグランドに接続したものである。本発明のトラン
ス結合器は、基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複数本
の閉じたトラックにより主線路を形成し、閉じたトラッ
クの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線路を
設けて複数本の副線路を形成し、複数本の副線路を直列
或は並列に接続し、直列或は並列に接続された複数本の
副線路の中点をグランドに接続したものである。

【０００９】

【作用】本発明のトランス結合器によれば基板に、厚膜
或は薄膜で着膜された１本または複数本の閉じた、また
は開いた主線路を形成し、閉じた、または開いたトラッ
クの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本また
は複数本の副線路を設けるために、一対のストリップ線
路が平行に形成された場合に比較して、主線路と副線路
が相対する長さが実質的に副線路の本数に応じて２以上
の整数倍になるため、主線路と副線路の容量結合の値は
副線路の本数に応じて２以上の整数倍になる。このた
め、トランス結合器の結合度が大きくなるとともに、小
型化が図られる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の高周波トランス結合器の好ま
しい実施例を図面を参照して説明する。実施例１図１において、本発明の高周波トランス結合器は、プリ
ント回路基板またはアルミナのようなセラミック基板等
の基板１上に、１本の閉じたトラックＴＲ₁により形成
された主線路２と、閉じたトラックＴＲ₁の内側に設け
られ、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本の副線路３
とが着膜される。主線路２と、副線路３との交差部には
絶縁膜４が介在される。主線路２、副線路３の両端には
電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが形成される。

【００１１】その製造にあたっては、初めに、厚み０．
６３５ｍｍの基板１上にスパッタリング及びメッキによ
り、厚み約５μｍの銅を着膜し、エッチングにより主線
路２、副線路３及び電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄを同時
にパターニングする。主線路２は平行な２長直線路と平
行な２短直線路を結んだ長四角形のトラックＴＲ₁に形
成され、その主線路２によって囲まれたトラック内側に
副線路３が配置される。この技法により常に主線路２と
副線路３の間隔を一定化でき、結合度の再現性を良好に
して方向性結合器を製造できる。次に、二酸化シリコン
のようなシリコン等の絶縁膜４を２μｍ形成し、副線路
３から電極部５ｃ及び５ｄへの引き出し部である線路６
が主線路２と重なる部分を残して、エッチングする。最
後に、スパッタリング及びメッキにより同じく銅を約５
μｍ着膜し、副線路３と電極部５ｃ及び５ｄを接続する
線路６をパターニングする。なお、より簡便化するため
に、副線路３と電極部５ｃ及び５ｄをつなぐ線路６の変
わりにワイヤボンディングによりこれを接続することも
可能である。

【００１２】このようにして得られた主線路２の幅は
０．０５ｍｍ、副線路３の幅及び長さは０．１０ｍｍ及
び１．４５ｍｍである。また、製品の外形寸法は小型チ
ップ部品の寸法と同じ２．０ｍｍ（長さ）×１．２５ｍ
ｍ（幅）×１．０ｍｍ（厚さ）であり、これまでの同種
の方向性結合器と比較して、十分小さい。図１５に、こ
の実施例において完成した方向性結合器の周波数対結合
度の関係を示す。ここに、結合度は、主線路２と副線路
３の進行波電力をそれぞれＰi、Ｐoとすれば、10log(Ｐ
o／Ｐi)で表される。同図において、Inは挿入損失、Ｐ_F
は本発明による方向性結合器の結合度、Ｐ_Jは参考のた
めに線路幅及び線路間隔を本実施例と同一にした従来の
側結合方向性結合器の結合度を示す。図１５から明らか
なように、携帯電話で使用される周波数、例えば０．９
ＧＨ_Zにおいて本発明の方向性結合器が約７ｄＢ以上の
強い結合度を示している。これは主線路のトラックの内
側に副線路を設けるために、一対のストリップ線路が平
行に形成された場合に比較して、主線路と副線路が相対
する長さが実質的に２倍になるため、主線路と副線路の
容量結合の値は２倍になり、高周波トランス結合器の結
合度が大きくなると考えられる。このことは、本発明の
方向性結合器において、同じ形状寸法に対しては結合度
を強くできるし、また同じ結合度を得ようとすれば、物
理的加工限界はあるが、さらに小型化が可能であるとい
うことである。これは、携帯電話の省電力化に伴い、小
型で強い結合度の方向性結合器が要求されるということ
に合致することであり、本発明の効果は顕著であるとい
える。なお、線路幅、線路長及び線路間隔を適宜選択す
ることで所望の結合度を持った方向性結合器が得られる
ことは言うまでもない。また、比較的弱い結合度が必要
とされる場合には、厚膜印刷技術によって、主線路及び
副線路を形成しても良い。主線路及び副線路の膜厚を増
やせば、より大きな結合度が得られる。

【００１３】この実施例において、電極５ａを高周波信
号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれば、電極５
ｃ、電極５ｄから位相差進行波が得られ、また電極５ｂ
を高周波信号入力、電極５ａを高周波信号出力とすれ
ば、電極５ｃ、電極５ｄから逆相進行波出力が得られ、
方向性結合器または位相分配器として使用できる。実施例２図２において、高周波トランス結合器は、厚膜或は薄膜
で着膜され平行な２長直線路と平行な２短直線路を結ん
だ長四角形の１本の閉じたトラックの一部２ａを欠除し
た開いたトラックＴＲ₂により主線路２を形成し、開い
たトラックＴＲ₂の内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成
された１本の副線路３を設けたものである。主線路２、
副線路３の両端には電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが形成
される。

【００１４】この製作過程は、実施例１と全く同様であ
る。即ち、基板１に銅を成膜後、主線路２及び副線路３
をパターニングし、二酸化シリコンのようなシリコン等
の絶縁膜４の着膜及びパターニングを行い、最後に、副
線路３と電極部５ｃ及び５ｄへの接続の線路６を成膜、
パターニングする。この実施例において、１本の閉じた
トラックの一部２ａを欠除した開いたトラックＴＲ₂に
より主線路２を形成し、開いたトラックＴＲ₂の内側
に、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本の副線路３を
設けたことにより、例えば電極５ａを高周波信号入力、
電極５ｂを高周波信号出力とすれば、電極５ｃ、電極５
ｄから位相差進行波出力が得られ、方向性結合器または
位相分配器として使用できる。

【００１５】実施例３図３において、高周波トランス結合器は、ガラスエポキ
シ基板１に、厚膜或は薄膜で形成され平行な２長直線路
と平行な２短直線路を結んだ長四角形の１本の閉じたト
ラックＴＲ₃により形成された主線路２を形成し、その
閉じた主線路２によって囲まれたトラック内側に同じく
厚膜或は薄膜で形成された１本の副線路３を配置し、副
線路３の中点８を電極５ｅを通してグランドに接続でき
るようにしたものである。電極５ａから入力された高周
波信号は、同一レベルに二分され、電極５ｃ及び５ｄに
お互いに位相が反転して出力される。

【００１６】このようにして得られた位相分配器におい
て、主線路２及び副線路３の幅は２．０ｍｍ、副線路３
の長さは１０ｍｍ及び主線路２と副線路３の間隔は０．
５ｍｍである。この方向性結合器の中点８をグランドに
接続した位相分配器は、位相分配器として理想的な特性
を示す。これは、本発明の方向性結合器では強い結合度
が得られるということが基本になっている。

【００１７】この実施例において、主線路２によって囲
まれたトラック内側に副線路３を配置し、副線路３の中
点８を電極５ｅを通してグランドに接続したことによ
り、例えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周
波信号出力とすれば、電極５ｃ、電極５ｄから位相差進
行波出力が得られ、方向性結合器または位相分配器とし
て使用できる。

【００１８】実施例４図４において、高周波トランス結合器は、ガラスエポキ
シ基板１に、主線路２を平行な２長直線路と平行な２短
直線路を結んだ長四角形のトラックの一部２ａを欠除し
た１本の開いたトラックＴＲ₄に形成し、その開いた主
線路２によって囲まれたトラック内側に１本の副線路３
を配置し、副線路３の中点８を電極５ｅを通してグラン
ドに接続できるようにしたものである。電極５ａから入
力された高周波信号は、同一レベルに二分され、電極５
ｃ及び５ｄにお互いに位相が反転して出力される。

【００１９】このようにして得られた位相分配器におい
て、主線路２及び副線路３の幅は２．０ｍｍ、副線路３
の長さは１０ｍｍ及び主線路２と副線路３の間隔は０．
５ｍｍである。この方向性結合器の中点８をグランドに
接続した位相分配器は、位相分配器として理想的な特性
を示す。これは、本発明の方向性結合器では強い結合度
が得られるということが基本になっている。

【００２０】この実施例において、主線路２を平行な２
長直線路と平行な２短直線路を結んだ長四角形のトラッ
クの一部２ａを欠除した開いたトラックＴＲ₄に形成
し、その主線路２によって囲まれたトラック内側に副線
路３を配置し、副線路３の中点８を電極５ｅを通してグ
ランドに接続したことにより、例えば電極５ａを高周波
信号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれば、電極５
ｃ、電極５ｄから位相差進行波出力が得られ、方向性結
合器または位相分配器として使用できる。

【００２１】実施例５図５において、高周波トランス結合器は、主線路２を平
行な３長直線路と平行な２短直線路を結んだ長四角形の
２本の閉じたトラックＴＲ₅₁、ＴＲ₅₂に形成し、その閉
じた主線路２によって囲まれた２本のトラックＴＲ₅₁、
ＴＲ₅₂の各内側に１本の副線路３をそれぞれ設け、２本
の副線路３、３のそれぞれの反対側の末端を電極５ｃ、
５ｆ若しくは５ｄ、５ｇ（または５ｃ、５ｇ若しくは５
ｄ、５ｆ）を通してグランドに接続できるように形成し
たものである。この場合、実施例３、実施例４と異な
り、位相が反転する線路をそれぞれ設けているので、実
質的な電気長が長くなり、より低周波数側での使用が可
能であり、実施例３に比較して中心周波数は１／２にな
る。この実施例の高周波トランス結合器では入力信号は
均等に二分される。

【００２２】この高周波トランス結合器の製作過程は、
実施例１と全く同様である。即ち、ガラスエポキシ基板
１に銅を成膜後、主線路２及び２本の副線路３をパター
ニングし、二酸化シリコンのようなシリコン等の絶縁膜
４の着膜及びパターニングを行い、最後に、２本の副線
路３と電極部５ｃ及び５ｄ、５ｆ及び５ｇへの接続の線
路６を成膜、パターニングする。この位相分配器は、主
線路２及び副線路３の幅は２．０ｍｍ、副線路３の長さ
は１０ｍｍ、それぞれの線路間の間隔は０．５ｍｍであ
る。

【００２３】また、この実施例の高周波トランス結合器
では２本の副線路３、３を設けたことにより実施例１に
比較して、結合度が更に強くなり方向性結合器として好
適に使用できる。この実施例において、デュアル・ゲー
ト型結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₅₁、ＴＲ₅₂
の内側に形成された２本の副線路３−３設けたことによ
り、例えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周
波信号出力とすれば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから
位相差のある、または逆相の位相差進行波出力が得ら
れ、方向性結合器または位相分配器として使用できる。

【００２４】実施例６図６において、高周波トランス結合器は、主線路２を平
行な３長直線路と平行な２短直線路を結んだ長四角形の
２本の閉じたトラックＴＲ₆₁、ＴＲ₆₂に形成し、その閉
じた主線路２によって囲まれた２本のトラックＴＲ₆₁、
ＴＲ₆₂の各内側に１本の副線路３をそれぞれ設け、２本
の副線路３、３を線路６により並列接続し一方の末端の
電極５ｃ若しくは５ｄを通してグランドに接続できるよ
うに形成したものである。この場合、実施例３、実施例
４と異なり、位相が反転する線路をそれぞれ設けている
ので、実質的な電気長が長くなり、より低周波数側での
使用が可能であり、実施例３に比較して中心周波数は１
／２になる。この実施例の高周波トランス結合器では入
力信号は均等に二分される。

【００２５】この高周波トランス結合器の製作過程は、
実施例１と全く同様である。即ち、ガラスエポキシ基板
１に銅を成膜後、主線路２及び２本の副線路３をパター
ニングし、二酸化シリコンのようなシリコン等の絶縁膜
４の着膜及びパターニングを行い、最後に、２本の副線
路３と電極部５ｃ及び５ｄ、５ｆ及び５ｇへの接続の線
路６を成膜、パターニングする。この位相分配器は、主
線路２及び副線路３の幅は２．０ｍｍ、副線路３の長さ
は１０ｍｍ、それぞれの線路間の間隔は０．５ｍｍであ
る。

【００２６】また、この実施例の高周波トランス結合器
では２本の副線路３、３を設けたことにより実施例１に
比較して、結合度が更に強くなり方向性結合器として好
適に使用できる。この実施例において、閉じたトラック
ＴＲ₆₁、ＴＲ₆₂の内側に形成された２本の副線路３−３
設けたことにより、例えば電極５ａを高周波信号入力、
電極５ｂを高周波信号出力とすれば、電極５ｃ−５ｄ、
５ｅ−５ｆから位相差のある、または逆相の位相差進行
波出力が得られ、方向性結合器または位相分配器として
使用できる。

【００２７】実施例７図７において、高周波トランス結合器は、主線路２を平
行な３長直線路と平行な２短直線路を結んだ長四角形の
２本のトラックの一部２ａ、２ｂを欠除した２本の開い
たトラックＴＲ₇₁、ＴＲ₇₂に形成し、その開いた主線路
２によって囲まれた２本のトラックＴＲ₇₁、ＴＲ₇₂の各
内側に１本の副線路３をそれぞれ設け、２本の副線路
３、３のそれぞれの反対側の末端を電極５ｃ、５ｆ若し
くは５ｄ、５ｇ（または５ｃ、５ｇ若しくは５ｄ、５
ｆ）を通してグランドに接続できるように形成したもの
である。この場合、実施例３、実施例４と異なり、位相
が反転する線路をそれぞれ設けているので、実質的な電
気長が長くなり、より低周波数側での使用が可能であ
り、実施例３に比較して中心周波数は１／２になる。こ
の実施例の高周波トランス結合器では入力信号は均等に
二分される。

【００２８】この高周波トランス結合器の製作過程は、
実施例１と全く同様である。即ち、ガラスエポキシ基板
１に銅を成膜後、主線路２及び２本の副線路３をパター
ニングし、二酸化シリコンのようなシリコン等の絶縁膜
４の着膜及びパターニングを行い、最後に、２本の副線
路３と電極部５ｃ及び５ｄ、５ｆ及び５ｇへの接続の線
路６を成膜、パターニングする。この位相分配器は、主
線路２及び副線路３の幅は２．０ｍｍ、副線路３の長さ
は１０ｍｍ、それぞれの線路間の間隔は０．５ｍｍであ
る。

【００２９】また、この実施例の高周波トランス結合器
では２本の副線路３、３を設けたことにより実施例１に
比較して、結合度が更に強くなり方向性結合器として好
適に使用できる。この実施例において、開いたトラック
ＴＲ₇₁、ＴＲ₇₂の内側に形成された２本の副線路３−３
設けたことにより、デュアル・ゲート型結合器が構成さ
れ、例えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周
波信号出力とすれば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから
位相差のある、または逆相の位相差進行波出力が得ら
れ、方向性結合器または位相分配器として使用できる。
このデュアル・ゲート型結合器においては例えば電極５
ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれ
ば、例えば電極５ｃ−５ｄから位相差進行波出力、電極
５ｆ−５ｇから反射波出力が得られる。

【００３０】実施例８図８において、高周波トランス結合器は、基板１に、厚
膜或は薄膜で着膜された２本の閉じたトラックの一部２
ａ、２ｂを欠除した２本の開いたトラックＴＲ8₁、ＴＲ
₈₂により主線路２、２を形成し、その開いた主線路２、
２によって囲まれた２本のトラックＴＲ₈₁、ＴＲ₈₂の各
内側に１本の副線路３をそれぞれ設け、２本の副線路
３、３を線路６により並列接続し一方の末端の電極５ｃ
若しくは５ｄを通してグランドに接続できるように形成
したものである。

【００３１】この実施例において、２本の閉じたトラッ
クの一部２ａ、２ｂを欠除した２本の開いたトラックＴ
Ｒ₈₁、ＴＲ₈₂により、例えば電極５ａを高周波信号入
力、電極５ｂを高周波信号出力とすれば、電極５ｃ、５
ｄから位相差進行波出力が得られ、方向性結合器または
位相分配器として使用できる。実施例９図９において、高周波トランス結合器は、基板１に、厚
膜或は薄膜で着膜された２本の閉じたトラックＴＲ₉₁、
ＴＲ₉₂により主線路２、２を形成し、閉じたトラックＴ
Ｒ₉₁、ＴＲ₉₂の内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成され
た副線路３を設けて２本の副線路３、３を形成し、２本
の副線路３、３の中点８ａ、８ｂを電極５ｅ、５ｈを通
してグランドに接続したものである。

【００３２】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₉₁、ＴＲ₉₂の内
側に形成された２本の副線路３、３の中点８ａ、８ｂを
電極５ｅ、５ｈを通してグランドに接続したことによ
り、例えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周
波信号出力とすれば、電極５ｃ−５ｅ、５ｄ−５ｅ、５
ｆ−５ｈ、５ｇ−５ｈから位相差のある、または逆相の
進行波出力が得られ、方向性結合器または位相分配器と
して使用できる。

【００３３】実施例１０図１０において、高周波トランス結合器は、基板１に、
厚膜或は薄膜で着膜された２本の閉じたトラックＴＲ
₁₀₁、ＴＲ₁₀₂により主線路２、２を形成し、その閉じた
トラックＴＲ₁₀₁、ＴＲ₁₀₂の内側に、同じく厚膜或は薄
膜で形成された副線路３を設けて２本の副線路３、３を
線路６により並列接続し、２本の副線路３、３の中点８
ａ、８ｂを電極５ｅを通してグランドに接続したもので
ある。

【００３４】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₁₀₁、ＴＲ₁₀₂の
内側に形成された２本の副線路３、３の中点８ａ、８ｂ
を電極５ｅを通してグランドに接続したことにより、例
えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号
出力とすれば、電極５ｃ−５ｅ、５ｄ−５ｅから位相差
のある、または逆相の進行波出力が得られ、方向性結合
器または位相分配器として使用できる。

【００３５】実施例１１図１１において、高周波トランス結合器は、基板１に、
厚膜或は薄膜で着膜された４本の閉じたトラックＴＲ
₁₁₁、ＴＲ₁₁₂、ＴＲ₁₁₃、ＴＲ₁₁₄により主線路２、２、
２、２を形成し、その閉じたトラックＴＲ₁₁₁、Ｔ
Ｒ₁₁₂、ＴＲ₁₁₃、ＴＲ₁ ₁₄の内側に、同じく厚膜或は薄
膜で形成された副線路３を設けて４本の副線路３、３、
３、３を形成し、４本の副線路３−３、３−３を線路７
ａ、７ｂにより直列に接続したものである。

【００３６】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₁₁₁、ＴＲ₁₁₂、
ＴＲ₁₁₃、ＴＲ₁₁₄の内側に形成された４本の副線路３−
３、３−３を直列に接続したことにより、例えば電極５
ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれ
ば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから位相差のある、ま
たは逆相の進行波出力が得られ、方向性結合器または位
相分配器として使用できる。

【００３７】実施例１２図１２において、高周波トランス結合器は、基板１に、
厚膜或は薄膜で着膜された４本の閉じたトラックＴＲ
₁₂₁、ＴＲ₁₂₂、ＴＲ₁₂₃、ＴＲ₁₂₄により主線路２、２、
２、２を形成し、その閉じたトラックＴＲ₁₂₁、Ｔ
Ｒ₁₂₂、ＴＲ₁₂₃、ＴＲ₁ ₂₄の内側に、同じく厚膜或は薄
膜で形成された副線路３を設けて４本の副線路３、３、
３、３を形成し、４本の副線路３−３、３−３を線路６
により並列に接続したものである。

【００３８】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₁₂₁、ＴＲ₁₂₂、
ＴＲ₁₂₃、ＴＲ₁₂₄の内側に形成された４本の副線路３−
３、３−３を並列に接続したことにより、例えば電極５
ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれ
ば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから位相差のある、ま
たは逆相の進行波出力が得られ、方向性結合器または位
相分配器として使用できる。

【００３９】実施例１３図１３において、高周波トランス結合器は、基板１に、
厚膜或は薄膜で着膜された４本の閉じたトラックのそれ
ぞれの一部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを欠除した開いたＴ
Ｒ₁₃₁、ＴＲ₁₃₂、ＴＲ₁₃₃、ＴＲ₁₃₄により主線路２、
２、２、２を形成し、その開いたトラックＴＲ₁₃₁、Ｔ
Ｒ₁₃₂、ＴＲ₁₃₃、ＴＲ₁₃₄の内側に、同じく厚膜或は薄
膜で形成された副線路３を設けて４本の副線路３、３、
３、３を形成し、４本の副線路３−３、３−３を線路７
ａ、７ｂにより直列に接続したものである。

【００４０】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₁₃₁、ＴＲ₁₃₂、
ＴＲ₁₃₃、ＴＲ₁₃₄の内側に形成された４本の副線路３−
３、３−３を直列に接続したことにより、例えば電極５
ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号出力とすれ
ば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから位相差進行波出力
が得られ、方向性結合器または位相分配器として使用で
きる。

【００４１】実施例１４図１４において、高周波トランス結合器は、基板１に、
厚膜或は薄膜で着膜された４本の閉じたトラックのそれ
ぞれの一部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを欠除した開いたＴ
Ｒ₁₄₁、ＴＲ₁₄₂、ＴＲ₁₄₃、ＴＲ₁₄₄により主線路２、
２、２、２を形成し、その開いたトラックＴＲ₁₄₁、Ｔ
Ｒ₁₄₂、ＴＲ₁₄₃、ＴＲ₁₄₄の内側に、同じく厚膜或は薄
膜で形成された副線路３を設けて４本の副線路３、３、
３、３を形成し、４本の副線路３−３、３−３を並列に
接続したものである。

【００４２】この実施例において、デュアル・ゲート型
結合器が構成され、閉じたトラックＴＲ₁₄₁、ＴＲ₁₄₂、
ＴＲ₁₄₃、ＴＲ₁₄₄の内側に形成された４本の副線路３−
３、３−３を線路６、６並列に接続したことにより、例
えば電極５ａを高周波信号入力、電極５ｂを高周波信号
出力とすれば、電極５ｃ−５ｄ、５ｆ−５ｇから位相差
進行波出力が得られ、方向性結合器または位相分配器と
して使用できる。

【００４３】なお、以上の実施例において、方向性結合
器や位相分配器について説明したが、本発明は、電力合
成器、電力分配器、高結合整合器、ローパスフイルタ、
バンドパスフイルタ、ハイパスフイルタ、高結合カプ
ラ、パワーモジュールの電力合成器、電力分配器やダブ
ルまたはシングルのミキサー、ダブラ、電力合成分配器
などのトランス結合器についても等しく適用できるもの
である。

【００４４】このように本発明のトランス結合器によれ
ば、強い結合度が得られ、小型化及び省電力化が図られ
るので、自動車電話及び携帯電話等の無線機器において
主として送信電力を制御するために、これの一部を検出
する方向性結合器や位相分配器として使用される。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、主線路で囲まれた内側に副線路を設けること
で、結合度の強い小型の高周波トランス結合器を容易に
得ることができ、益々小型化及び省電力化が要求される
携帯電話等の無線機器に有用である。

【００４６】更に、これらの高周波トランス結合器は、
高周波電力の分配及び合成を行なう位相分配器として使
用できる。即ち、高周波用電力増幅器の合成、周波数混
合平衡変調器の位相トランスとして機能を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施例１の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図２】本発明による実施例２の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図３】本発明による実施例３の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図４】本発明による実施例４の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図５】本発明による実施例５の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図６】本発明による実施例６の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図７】本発明による実施例７の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図８】本発明による実施例８の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図９】本発明による実施例９の高周波トランス結合器
のパターン図。

【図１０】本発明による実施例１０の高周波トランス結
合器のパターン図。

【図１１】本発明による実施例１１の高周波トランス結
合器のパターン図。

【図１２】本発明による実施例１２の高周波トランス結
合器のパターン図。

【図１３】本発明による実施例１３の高周波トランス結
合器のパターン図。

【図１４】本発明による実施例１４の高周波トランス結
合器のパターン図。

【図１５】本発明による実施例１によって製作された方
向性結合器の結合度の周波数特性を従来の方向性結合器
と比較して示すグラフ。

【図１６】図１６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の方向
性結合器を示すパターン図。

【符号の説明】

１‥‥‥基板２‥‥‥主線路３‥‥‥副線路４‥‥‥絶縁膜５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ、５ｈ‥‥
‥電極８、８ａ、８ｂ‥‥‥副線路の中点ＴＲ₁〜ＴＲ₁₄₄‥‥‥トラック

フロントページの続き (72)発明者黒沢清埼玉県秩父群吉田町大字下吉田6972 株式会社タイセー内 (72)発明者坂本裕巳埼玉県秩父群吉田町大字下吉田6972 株式会社タイセー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された１本の
閉じたトラックにより主線路を形成し、前記閉じたトラ
ックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本の
副線路を設けたことを特徴とするトランス結合器。
【請求項２】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複数本
の閉じたトラックにより主線路を形成し、前記閉じたト
ラックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線
路を設けて複数本の副線路を形成し、前記複数本の副線
路を直列或は並列に接続したことを特徴とするトランス
結合器。
【請求項３】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された１本の
閉じたトラックの一部を欠除した開いたトラックにより
主線路を形成し、前記開いたトラックの内側に、同じく
厚膜或は薄膜で形成された１本の副線路を設けたことを
特徴とするトランス結合器。
【請求項４】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複数本
の閉じたトラックのそれぞれの一部を欠除した開いたト
ラックにより主線路を形成し、前記開いたトラックのそ
れぞれの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線
路を設けて複数本の副線路を形成し、前記複数本の副線
路を直列或は並列に接続したことを特徴とするトランス
結合器。
【請求項５】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された１本の
閉じたトラックにより主線路を形成し、前記閉じたトラ
ックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された１本の
副線路を設け、前記１本の副線路の中点をグランドに接
続したことを特徴とするトランス結合器。
【請求項６】基板に、厚膜或は薄膜で着膜された複数本
の閉じたトラックにより主線路を形成し、前記閉じたト
ラックの内側に、同じく厚膜或は薄膜で形成された副線
路を設けて複数本の副線路を形成し、前記複数本の副線
路を直列或は並列に接続し、前記直列或は並列に接続さ
れた複数本の副線路の中点をグランドに接続したことを
特徴とするトランス結合器。