JPH08120228A - 導体接続構造体、その製造方法および接続部材 - Google Patents

導体接続構造体、その製造方法および接続部材

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JPH08120228A
JPH08120228A JP6255521A JP25552194A JPH08120228A JP H08120228 A JPH08120228 A JP H08120228A JP 6255521 A JP6255521 A JP 6255521A JP 25552194 A JP25552194 A JP 25552194A JP H08120228 A JPH08120228 A JP H08120228A
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Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Kie Ueda
希絵 植田
Munehisa Kishimoto
宗久 岸本
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】微細ピッチの端子の接続であって、信頼性が高
く、かつ、部品のリペアが可能な導体の接続。 【構成】接続端子１２，２１を有する少なくとも２つの
部材１，２を備え、第１の部材１の接続端子１２と、第
２の部材２の接続端子２１とが、導電性材料８１０を用
いて接続され、第１の部材の導体以外の部分と第２の部
材の導体以外の部分とが、非導電性材料により接着され
た導体接続構造体において、導電性材料は、共役二重結
合を主鎖骨格として有する導電性の高分子を含み、非導
電性材料は、共役二重結合を主鎖骨格として有する非導
電性の高分子を含む接続層８２０と、熱可塑性高分子を
含む接着層７１とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体を備える二の部材
の接続された導体接続構造体、その製造方法、および接
続部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板、セラミック基板、ガラス
基板等の配線基板上へ、液晶表示素子、ＬＳＩ（Large
Scale Integration）等の電子部品を実装する際には、
電気的に接続するとともに、機械的にも接続あるいは固
定する必要がある。現在このような実装においては、以
下の（ａ）〜（ｄ）のような技術が用いられている。
【０００３】（ａ）図１３に示すように、接着剤６によ
り、配線基板１にＬＳＩチップ２をフェースアップで固
定する。そして、ＬＳＩチップ２の接続端子２１と配線
基板１の接続端子１２とを金ワイヤ４で接続する。
【０００４】（ｂ）図１４に示すように、ＬＳＩチップ
２の接続端子２１の上に金バンプ２３を形成する。そし
て、該金バンプ２３を配線基板１の接続端子１２に圧着
する。また、これと同時に、これらを樹脂５で固定する
（例えば、特開平５−２１５２２号公報に記載されてい
る）。
【０００５】（ｃ）図１５に示すように、配線基板１の
ＬＳＩチップ搭載部に接着剤６を塗布する。一方、ＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１には導電粒子７を含む樹脂を
パターン印刷し、これらを位置あわせした後、熱圧着
し、硬化させる（例えば、特開平５−９０４４３号公報
に記載されている）。
【０００６】（ｄ）図１６に示すように、導電粒子３１
を熱可塑性または熱硬化性ポリマ３２に分散させて形成
したフィルム（いわゆる、異方性導電性フィルム）３
を、接続端子２１に突出電極２３ａを備えるＬＳＩチッ
プ２と基板１との間に挾んで、位置あわせした後、熱圧
着する（例えば、特開平５−２０６２０８号公報に記載
されている）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の接続方
式にはそれぞれ以下のような課題があった。
【０００８】上記（ａ）の方法には、配線基板１の接続
端子１２に金のメタライズが必要なため、高価であっ
た。また、実装面積が大きいという欠点がある。
【０００９】上記（ｂ）の方法は、配線基板１の接続端
子１２に金のメタライズが必要であるとともに、ＬＳＩ
チップ２にも金バンプ２３を形成する必要があるため、
極めてコストが高いという欠点がある。また、金バンプ
２３の高さにバラツキがあったり、図１７に示すように
接続端子１２の高さにバラツキがあったり、図１８に示
すように基板１１に反りがあったりすると、電気的接続
がなされない部分が生じるという問題もある。
【００１０】上記（ｃ）および（ｄ）の方法では、電気
的な接続が導電粒子７、３１と接続端子１２、２１との
単なる接触のみにより確保されるものであるため、接続
の信頼性が低いという欠点がある。例えば、図１９に示
すように、接続端子１２の高さにバラツキがあったり、
図２０に示すように基板１１に反りがあったりすると、
電気的接続がなされない部分が生じる。また、配線の微
細化がさらに進むと、隣接する配線との短絡を防止する
ことが極めて困難になるという欠点がある。
【００１１】なぜなら、導電粒子３１が完全に分散して
いることは期し難く、分散性が完全でない場合は、図２
１に示すように、導電粒子３１どうしが接触している部
分３３が生じてしまうからである。この接触している導
電粒子群３３が隣接する配線間に跨った場合には、短絡
が発生する。
【００１２】また、接続端子１２、２１が、導電粒子３
１の存在しない領域３４に位置すると、電気的接続は達
成されないという問題もある。なお、配線基板１とＬＳ
Ｉチップ２との接続の際に、位置ずれがまったくないよ
うにするのは事実上不可能であり、配線が微細になる
と、この位置ずれが短絡発生に及ぼす影響が加速度的に
大きくなる。さらに、配線が微細になるにつれて、接続
端子１２、２１と接触する導電粒子７、３１の数が少な
くなるため、一つの接続端子あたりの接続抵抗が大きく
なるとともに接続の信頼性が低下してしまうという問題
もある。
【００１３】近年あらゆる電子回路等は微細化の一途を
たどっており、上述した問題はますます大きくなりつつ
ある。従って、より狭ピッチで端子の接続を可能とする
技術が広く要望されていた。
【００１４】本発明は、このような問題点を解決し、端
子間の間隔が狭い場合でも信頼性が高い、ＬＳＩチップ
の配線基板への接続、ＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）基板の液晶表示板への接続、など、電子部品の配線
基板へ低コストで高信頼性の実装方法を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、導体からなる接続端子を有する少な
くとも２つの部材を備え、第１の部材に設けられた接続
端子と、第２の部材に設けられた接続端子とが、導電性
材料を用いて接続され、第１の部材の導体以外の部分と
第２の部材の導体以外の部分とが、非導電性材料により
接着された導体接続構造体において、上記導電性材料
は、共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分
子を含み、上記非導電性材料は、共役二重結合を主鎖骨
格として有する非導電性の高分子を含む接続層と、熱可
塑性高分子を含む接着層とを備えることを特徴とする導
体接続構造体が提供される。
【００１６】上記非導電性の高分子には、共役二重結合
を主鎖骨格として有する導電性の高分子の共役二重結合
のうち、少なくとも一部が非共役化するか、または、切
断されたことにより非導電性となった高分子を用いるこ
とができる。また、上記導電性材料および上記非導電性
材料の接続層は、熱可塑性高分子および熱硬化性高分子
の少なくともいずれかを含むことができる。
【００１７】また、本発明では、共役二重結合を主鎖骨
格として有する高分子を含む接続層と、熱可塑性高分子
からなる接着層とを備え、上記接続層の高分子は、光の
照射により導電性が変化する性質を有することを特徴と
する接続部材が提供される。
【００１８】この接続部材は、上記接着層と接続層とが
積層されていることが望ましく、上記接着層を２層備
え、第１の上記接着層と、接続層と、第２の上記接着層
との３層が、この順で積層されている構造を備えること
が望ましい。
【００１９】さらに、本発明では、導体からなる接続端
子を有する２つの部材の接続端子を接続する導体接続構
造体の製造方法であって、第１の部材の上記接続端子を
備える面と、第２の部材の上記接続端子を備える面との
間に、共役二重結合を主鎖骨格として有し、光の照射に
より導電性が変化する性質を備える高分子を含む接続層
と、熱可塑性高分子からなる接着層とを備える接続部材
を挾持させる工程と、上記第１の部材と第２の部材とを
熱圧着する工程と、上記接続層の少なくとも一部に光を
照射する工程とを有することを特徴とする導体接続構造
体の製造方法が提供される。
【００２０】上記接続部材は、あらかじめ作製された接
続層と接着層とを備えるフィルムであることが望まし
い。あるいは、上記接続部材は、上記第１の部材の上記
接続端子を備える面に、上記接続層を形成する工程と、
上記接続層の表面に、上記接着層を形成する工程とによ
り形成してもよい。また、上記接続部材は、上記第１の
部材の上記接続端子を備える面に、上記接続層を形成す
る工程と、上記第２の部材の上記接続端子を備える面
に、上記接着層を形成する工程とにより形成してもよ
い。上記接着層を２層備える場合には、上記第１の部材
の上記接続端子を備える面に、第１の上記接着層を形成
する工程と、上記第１の接着層の表面に、上接続層を形
成する工程と、上記第２の部材の上記接続端子を備える
面に、第２の上記接着層を形成する工程と、上記接続層
と上記第２の接着層とを接合することにより形成しても
よい。
【００２１】上記第１の部材および第２の部材の少なく
ともいずれかが光を透過する場合には、上記光を照射す
る工程は、光を、上記光を透過する部材を通して照射す
る工程とすることが望ましい。また、上記第１の部材お
よび第２の部材の少なくともいずれかが光を透過する場
合には、上記光を照射する工程を、上記熱圧着する工程
の後に行ってもよい。
【００２２】
【作用】まず、本発明による電子部品の接続方法ついて
説明する。ここでは、ＬＳＩチップを配線基板に実装す
る場合を例にするが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、接続端子を備える電子部品の接続であれば適用
できる。
【００２３】（１）本発明の接続方法としては、まず、
図１に示す接続方法が挙げられる。図１（ａ）に示すよ
うに、配線基板１上に、導電性高分子を含む組成物から
なる接続層８１と、熱可塑性高分子からなる接着層７１
との２層を、この順に積層されるように形成する。
【００２４】ついで、配線基板１の接続層８１および接
着層７１を形成した側から、フォトマスク９を介して接
続端子１２上部以外の部分に光を照射する。これによ
り、図１（ｂ）に示すように、接続層８１の接続端子１
２上部のみが導電体部分８１０として残り、他の部分
（光の照射された部分）の接続層８１は、選択的に高抵
抗化する。この高抵抗化した部分を、図１では「高抵抗
化部分８２０」として図示した。
【００２５】その後、導電性部分８１０と、バンプ付き
ＬＳＩチップ２の接続端子２１とを位置を合わせて熱圧
着すれば、熱可塑性高分子の層７１は加熱により低粘度
になるため、加圧によりバンプ２３に押されて、バンプ
２３と導電性部分８１０との接続部位から排除され、図
１（ｃ）に示すように、配線基板１とＬＳＩチップ２と
の導電性部分８１０を介する接続が達成される。なお、
各端子１２間の絶縁は高抵抗化部分８２０により保たれ
る。
【００２６】（２）上述の（１）の方法では、光が照射
されると高抵抗になる高分子を用いて接続部材を作成し
たが、光が照射されると導電性になる高分子を用いても
よい。この場合を図２に示す。
【００２７】まず、配線基板１上に、高抵抗の導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層９１と、熱可塑
性高分子の接着層７１とを形成する。そして、図２
（ａ）に示すように、フォトマスク９を使用し、接着層
７１の側から、接続端子１２の上部のみに光を照射す
る。これにより、図２（ｂ）参照に示すように、接続端
子１２上部の接続層９１は、導電性が高められ、導電化
部分９１０となり、他の部分は抵抗が高いままで残され
る（この部分を高抵抗性部分９２０として図示した）。
【００２８】その後、導電化部分９１０と、バンプ２３
付きＬＳＩチップ２の接続端子２１との位置を合わせて
熱圧着すれば、熱可塑性高分子の層７１は加熱により低
粘度になるため、加圧によりバンプ２３に押されて、バ
ンプ２３と導電化部分９１０との接続部位から熱可塑性
高分子が排除され、ＬＳＩチップ２のバンプ２３と配線
基板１の接続端子１２とが導電化部分９１０を介して接
続されるので、図２（ｃ）に示すように、配線基板１と
ＬＳＩチップ２との接続が達成される。この場合、各端
子１２間の絶縁は高抵抗性部分９２０により保たれる。
【００２９】（３）上述した（１）および（２）では、
基板の接着層７１を形成した側から光を照射したが、接
続層８１，９１および接着層７１を形成していない側か
ら光を照射するようにしてもよい。この方法を図３に示
す。なお、この方法では、ガラス基板などのように、照
射された光を透過する基板を用いる。
【００３０】まず、配線基板１の一方の側に、導電性高
分子を含む組成物からなる接続層８１と、熱可塑性高分
子からなる接着層７１とを、順次形成する。次いで、バ
ンプ２３付きＬＳＩチップ２を、バンプ２３と接着層７
１とが対向するように載置し、熱圧着すると、熱可塑性
高分子の層は加熱により低粘度になるため、加圧により
バンプ２３に押されてバンプ２３と導電性部分８１０と
の接続部位から排除され、配線基板１の接続端子１２と
ＬＳＩチップ２の端子２１との電気的接続が導電性高分
子を介して達成される。
【００３１】このようにしてＬＳＩチップを搭載した透
明基板１１の、ＬＳＩチップ２を搭載していない側か
ら、図３（ａ）に示すように、導電性高分子の接続層８
１に光を照射する。すると、接続端子１２は、これが光
を遮断する物質からなる場合、フォトマスクトとして機
能し、接続端子１２のない部分の導電性高分子８１に
は、光が照射されて、高抵抗化され、図３（ｂ）に示す
ように、高抵抗化部分８２０が形成される。これによ
り、隣接する接続端子間の絶縁性を確保することができ
る。一方、接続端子１２の上部に位置する接続層８１の
導電性高分子（導電性部分８１０）には、接続端子１２
に遮られて光が照射されないため、そのまま導電性が維
持される。このようにすれば、フォトマスクを別段に用
意する必要がなく、接続端子１２のない位置の接着層８
１に正確に光を照射することができる。また、配線基板
１とＬＳＩチップ２とは、高抵抗化部分８２０において
も接着されているため、十分な接合力が得られる。
【００３２】なお、接続端子１２が透明導電膜からなる
場合、あるいは、金属配線を併用していてもその膜厚が
薄くフォトマスクとして十分に光を遮断できない場合に
は、図３（ｃ）に示すように、別途フォトマスク９を設
けて、接続端子１２の位置に照射される光を遮断すれ
ば、同様にして接続端子１２とバンプ２３との導通を図
りつつ、接続端子１２間の絶縁を確保できる。
【００３３】（４）上述の（３）の方法では、配線基板
１にＬＳＩチップ２を搭載してから光照射を行ったが、
先に光を照射してから配線基板１とＬＳＩチップ２とを
熱圧着してもよい。基板１１がガラスのように光を透過
し、さらに、接続端子１２は透明電極のように光を透過
するものからなり、基板１１内の配線材料も透明導電膜
のように光を透過するものの場合は、つぎに説明するよ
うな、図４に示す方法を用いることもできる。
【００３４】まず、配線基板１の一方の側に、導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層８１と、熱可塑
性高分子の接着層７１とを、順次形成する。次いで、バ
ンプ２３付きＬＳＩチップ２を、バンプ２３と接着層７
１とが対向するように載置し、熱圧着すると、熱可塑性
高分子の層は加熱により低粘度になるため、加圧により
バンプ２３に押されて、バンプ２３と接続層８１との接
続部位から排除され、配線基板１の接続端子１２とＬＳ
Ｉチップ２の端子２１とが接続層８１を介して接続され
る。
【００３５】このＬＳＩチップ２を搭載した配線基板１
の、ＬＳＩチップ２の搭載されていない側から、図４
（ａ）に示すように、フォトマスク９を介して、接続端
子１２の位置の接続層９１の導電性高分子前駆体にのみ
光を照射する。すると、光が照射された部分は、導電性
が高まり、高導電化部分９１０が得られる。一方、接続
端子１２のない部分には、フォトマスク９の存在により
光が照射されず、抵抗の高い状態のまま残る。これが、
高抵抗性部分９２０である。
【００３６】これにより、接続端子１２とＬＳＩチップ
２の端子２１とを電気的に接続するとともに、隣接する
配線間の絶縁性を確保することができる。また、配線基
板１とＬＳＩチップ２とは、高抵抗性部分９２０におい
ても接着されているため十分な接合力が得られる。
【００３７】（５）基板１１および基板１１内の配線が
光を透過し、接続端子１２が光を透過しない場合は、つ
ぎに説明するような、図５に示す方法を用いることもで
きる。
【００３８】まず、導電性高分子を含む組成物からなる
接続層８１と、熱可塑性高分子の接着層７１とを配線基
板１に順次形成し、この接続層８１に、図５（ａ）に示
すように、配線基板１の基板１１を通して光を照射す
る。このとき、接続端子１２が光を遮断するものであれ
ば、該接続端子１２そのものがフォトマスクとして機能
する。これにより、図５（ｂ）に示すように、接続端子
１２により光が遮断された部分のみが導電性部分８１０
として残り、他の部分は照射された光により抵抗が高く
なって、高抵抗化部分８２０が得られる。
【００３９】つぎに、導電性部分８１０とバンプ２３付
きＬＳＩチップ２の接続端子２１との位置を合わせて、
接着層７１とバンプ２３とが対向するようにＬＳＩチッ
プ２を基板１上に載置し、熱圧着する。このとき、接着
層７１の熱可塑性高分子は加熱により低粘度になるの
で、加圧によりバンプ２３に押されて、バンプ２３と導
電性部分８１０との接続部位から排除され、図５（ｃ）
に示すように、接続層８１の導電性部分８１０を介して
の配線基板１の接続端子１２とＬＳＩチップ２のバンプ
２３との接続が達成される。この場合も、端子間の絶縁
は高抵抗化部分８２０により保たれる。
【００４０】（６）また、基板１１および基板１１内の
配線が光を透過する材料からなる場合は、接続端子１２
の透光性の有無に拘らず、図６に示すような実装方法を
用いることができる。
【００４１】まず、配線基板１の一方の面に、導電性高
分子を含む組成物からなる接続層８１と、熱可塑性高分
子の接着層７１とを、順次形成する。ついで、配線基板
１の接着層７１を形成していない側から、フォトマスク
９を介して、接続層８１の接続端子１２のない部分にの
み光を照射する。これによって、該部分の導電性高分子
のみを高抵抗化し、高抵抗化部分８２０が得られる。そ
の後、接着層７１とバンプ２３とを対向させて配線基板
１にＬＳＩチップ２を載置し、導電性部分８１０とＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１との位置を合わせて熱圧着す
れば、熱可塑性高分子の層７１は加熱により低粘度にな
るため、加圧によりバンプ２３に押されて、バンプ２３
と導電性部分８１０との接続部位から排除され、図６
（ｃ）に示すように、導電性部分８１０を介して配線基
板１とＬＳＩチップ２との接続が達成される。
【００４２】（７）基板１１がガラスのように光を透過
し、かつ、配線材料が透明導電膜のように光を透過する
ものである場合には、図７に示す実装方法を適用するこ
ともできる。
【００４３】まず、配線基板１の一方の面に、導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層９１と、熱可塑
性高分子からなる接着層７１とを、順次積層する。つい
で、図７（ａ）に示すように、配線基板１の接着層７１
を形成していない側からフォトマスク９を介して接続端
子１２の部分にのみ光を照射する。これにより、図７
（ｂ）に示すように、接続端子１２の上部の接続層９１
のみを導電化部分９１０とし、他の部分は高抵抗性部分
９２０として残すことができる。
【００４４】その後、接着層７１とバンプ２３とが対向
するように、配線基板１とＬＳＩチップとを配置し、導
電化部分９１０とＬＳＩチップ２の接続端子２１との位
置を合わせて熱圧着すれば、熱可塑性高分子の層は、加
熱により低粘度になるため、加圧によりバンプ２３で押
されて、バンプ２３と導電化部分９１０との接続部位か
ら排除され、図７（ｃ）に示すように、配線基板１の接
続端子１２とＬＳＩチップ２のバンプ２３との導電化部
分９１０を介しての接続が達成される。この場合も、端
子間の絶縁は高抵抗性部分９２０により保たれる。
【００４５】（８）上述した（１）〜（７）では、配線
基板１に接続層８１または９１と接着層７１とを形成し
たが、搭載する電子部品（ここではＬＳＩチップ２を例
にしている）に接続層８１または９１と接着層７１とを
形成してもよい。この場合の実装方法の例を図８に示
す。
【００４６】まず、バンプ２３付きＬＳＩチップ２のバ
ンプ２３を備える側に、熱可塑性高分子からなる接着層
７１と、導電性高分子を含む組成物からなる接続層８１
とを順次形成する。そして、図８（ａ）に示すように、
接続層８１を形成した側から、接続端子２１の部分に照
射される光を遮断するフォトマスク９を介して、接続層
８１に光を照射する。これにより、図８（ｂ）に示すよ
うに、光が照射された部分のみが高抵抗化して高抵抗化
部分８２０となり、光が遮断された領域（接続端子２１
に対応した部分）は導電性のまま残って導電性部分８１
０となる。
【００４７】その後、接続層８１（導電性部分８１０お
よび高抵抗化部分８２０）と接続端子１２とが対向する
ように、配線基板１とＬＳＩチップ２とを配置し、導電
性部分８１０と、配線基板１の接続端子１２との位置を
合わせて熱圧着する。これにより、熱圧着前には図８
（ｂ）に示すようにバンプ２３が導電性部分８１０に接
していなくても、接続層７１の熱可塑性樹脂は加熱によ
り低粘度になるため、加圧によりバンプ２３で押され
て、バンプ２３と導電性部分８１０との接続部位から排
除され、図８（ｃ）に示すように、配線基板１とＬＳＩ
チップ２との導電性部分８１０を介する接続が達成され
る。この場合も、端子間の絶縁は高抵抗化部分８２０に
より保たれる。
【００４８】（９）また、光を照射すると導電性になる
導電性高分子前駆体を用いても、上述の（８）と同様
に、ＬＳＩチップ２の側に接着層および接続層を形成す
る実装方法を実現することができる。この実装方法を図
９に示す。
【００４９】まず、バンプ２３付きＬＳＩチップ２のバ
ンプ２３を備える側の面に、熱可塑性高分子からなる接
着層７１と、導電性高分子前駆体を含む組成物からなる
接続層９１とを順次形成する。このＬＳＩチップ２に、
図９（ａ）に示すように、接続端子２１の部分以外に照
射される光を遮断する（すなわち、接続端子２１の領域
のみに光が照射されるようにする）フォトマスク９を介
して、接続層９１を形成した側から光を照射する。これ
により、図９（ｂ）に示すように、光の照射された領域
（接続端子２１のある領域）の接続層９１は導電化され
て導電化部分９１０となり、光の遮断された領域（接続
端子２１のない領域）の接続層９１は導電性のないまま
残されて高抵抗性部分９２０となる。
【００５０】その後、接続層９１（導電化部分９１０お
よび高抵抗性部分９２０）と接続端子１２とが対向する
ように、配線基板１とＬＳＩチップ２とを配置し、導電
化部分９１０と、配線基板１の接続端子１２との位置を
合わせて熱圧着する。加熱により接着層７１の熱可塑性
樹脂は低粘度になるため、熱圧着前には図９（ｂ）に示
すようにバンプ２３が導電性部分８１０に接していなく
ても、加圧によりバンプ２３で押されて、バンプ２３と
導電性部分８１０との接続部位から排除され、図９
（ｃ）に示すように、配線基板１とＬＳＩチップ２との
導電化部分９１０による接続が達成される。この場合
も、端子間の絶縁は高抵抗性部分９２０により保たれ
る。
【００５１】以上の（１）〜（９）では、ＬＳＩチップ
の実装を例にとって説明したが、本発明は、ＬＳＩチッ
プ以外の表面実装部品（例えば、トランジスタ、チップ
コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、パッケー
ジＬＳＩ）などの電子部品の配線基板への搭載や、液晶
表示板のＴＡＢ基板への搭載などの、電子部品の接続に
適用することができる。
【００５２】ガラス基板を使用するものとしては、液晶
表示素子を代表として挙げることができる。該液晶表示
素子では、配線（接続端子１２）の材料として透明導電
膜のみが使用される場合と、透明導電膜と金属材料との
２層配線が使用される場合とがある。配線材料に透明導
電膜と金属材料との２層配線が使用されている場合に
は、上述したとおり、配線自体をフォトマスクとして使
用することができる。従って、極めて合理的な製造プロ
セスが実現できる。一方、配線材料が透明導電膜のみの
場合には、上述したとおり、フォトマスクを介して光を
照射すればよい。
【００５３】プリント基板やセラミック基板のように透
光性のない配線基板上の接続端子との接続においては、
上述したように、別途フォトマスクを設けて導電性高分
子等の膜の側から光を照射すれば良い。
【００５４】以上のように、本発明では、電子部品の接
続に、熱可塑性高分子からなる接着層と、導電性高分子
または導電性高分子前駆体を含む組成物から得られる接
続層との多層構造を有する接続部材を用いる。なお、本
発明の導電性高分子または導電性高分子前駆体を含む組
成物は、光の照射により導電性（すなわち抵抗）が変化
する。このように多層の接続部材を用いれば、光の照射
により抵抗が変化する導電性高分子を用いて導通および
絶縁を確保しつつ、接続部分の接着性を高め、かつ光の
照射に対する感度を高めることができる。
【００５５】光の照射により抵抗が変化する高分子組成
物に含まれる高分子（導電性高分子または導電性高分子
前駆体）として、本発明では、共役二重結合を主鎖骨格
として有する高分子を用いる。この高分子化合物には、
ホットメルト接着剤として使用される熱可塑性高分子と
比較して接着力が低いという欠点がある。しかし、本発
明では、導通を図るための導電性高分子を含む接続層
と、接着性の高い熱可塑性高分子の層との層状構造によ
り電子部品を接続するため、導電性高分子の低い接着性
を補って、高い接着力を得ることができる。なお、本発
明では、接着層を熱可塑性高分子を用いて形成する。こ
の接着層の熱可塑性高分子は、熱圧着時の加熱により軟
化し、導体の接合部位より押し退けられるため、導通を
阻害することがなく、本発明の接続方法に適している。
【００５６】また、本発明では、接続部材が、光の照射
により抵抗が変化する高分子組成物からなる接続層と、
熱可塑性高分子からなる接着層との層状構造を備えるた
め、十分な接着性の得られる厚さの接続部材を用いて
も、光の照射により抵抗が変化する高分子組成物の量は
少ない。従って、十分な導電性または絶縁性を得るため
に必要な光の照射量は、接続部材を光の照射により抵抗
が変化する高分子組成物のみで形成する場合より、少な
くて済む。本発明では、電気的接続に必要な厚さだけを
光の照射により抵抗が変化する高分子組成物からなる接
続層とし、接着性を担保するために必要な厚さは、光の
照射の必要がない熱可塑性高分子により保持するため、
少ない光照射量で、接続層の導電性を大きく変化させる
ことができる。
【００５７】本発明では、導電性の変化する高分子とし
て、共役二重結合を主鎖骨格として有する高分子を用い
る。この高分子には、酸化状態または還元状態では導電
性があり中性状態では導電性のないものと、塩基状態で
は導電性がなく塩状態では導電性があるものとがある。
ここでは、導電性のある状態（酸化状態、還元状態、塩
状態）のものを導電性高分子とよび、高抵抗状態（中性
状態、塩基状態）のものを非導電性高分子または導電性
高分子前駆体と呼ぶ。
【００５８】つぎに、酸化還元状態で導電性が得られる
高分子について説明する。このような共役二重結合を主
鎖骨格として有する高分子は、ドーパント（酸化剤また
は還元剤）によるドーピング処理を施すと、高い導電性
をが付与される。このような高分子の代表的な例とし
て、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、
ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン等を
挙げることができる。これらの高分子は中性状態では極
めて抵抗が高く、実質的に絶縁物であるが、上述のドー
パントによるドーピング処理を行なって酸化状態あるい
は還元状態に変化させると、導電性は著しく高まる。本
明細書では、酸化状態あるいは還元状態にある高い導電
性の付与された上記高分子を導電性高分子と呼び、中性
状態で実質的に絶縁物である上記高分子を導電性高分子
前駆体と呼ぶ。
【００５９】ドーパントとして用いることのできる酸化
剤の例としては、ヨウ素、臭素、塩化第二鉄、五フッ化
アンチモンが挙げられる。なお、一般的には、上記高分
子は還元状態より酸化状態の方が安定である。ドーパン
トとして用いることのできる還元剤の例としては、金属
ナトリウムおよび金属カリウムが挙げられる。ドーパン
トとしてこれらの還元剤を使用する場合には、高分子に
ポリチオフェンを使用することが好ましい。
【００６０】これらの高分子は一般的には溶剤に対する
溶解性が低いものが多く、加工性に乏しい。しかし、チ
オフェン環、ピロール環、ベンゼン環、またはアセチレ
ンの水素原子を、アルキル基やアルコキシル基で置き換
えるか、あるいは、水酸基、エステル基、ウレタン基、
アミノ基、アミド基、ケトン基、またはシアノ基等を有
する、アルキル基、アルコキシル基およびチオアルキル
基のいずれかで置き換えることによって、有機溶剤に対
する溶解性を高めることができる。なお、これらの置換
基を導入することより接着性を発現させることもでき
る。
【００６１】これらの高分子を、光を照射することで、
上記高分子を酸化状態（すなわち、導電性の高い状態）
から中性状態（すなわち、抵抗の高い状態）に変化させ
るには、光を受けると還元剤を発生する物質（以下、
「潜在性還元剤」という）を、導電性高分子の膜に混在
させておけばよい。潜在性還元剤に光が照射されると還
元剤が発生し、該還元剤が酸化状態の導電性高分子を還
元し、中性状態、すなわち高抵抗状態とする。この潜在
性還元剤の例としては、トリカルボニル（シクロペンタ
ジエニル）マンガン（Ｉ）［Ｍｎ（ＣＯ）3（Ｃ
5Ｈ5）］、トリカルボニル（シクロオクタテトラエン）
鉄（０）［Ｆｅ（ＣＯ）3（Ｃ8Ｈ8）］等の金属カルボ
ニル錯体を挙げることができる。この金属カルボニル錯
体は光を受けると還元性物質である一酸化炭素を発生す
る。なお、これらの潜在性還元剤は、中性状態の高分子
を還元状態に変化させるのに用いることもできる。
【００６２】光を照射することで、これらの高分子を中
性状態（すなわち、高抵抗状態）から酸化状態（すなわ
ち、高い導電性を有する状態）に変化させるためには、
光照射により酸化剤を発生する物質（以下、「潜在性酸
化剤」という）を導電性高分子前駆体の膜に混在させて
おけばよい。潜在性酸化剤に光が照射されると、酸化剤
が発生して、中性状態の導電性高分子前駆体を酸化し、
酸化状態すなわち高導電性状態にする。この潜在性酸化
剤の例としては、［Ｃｏ（ＮＨ3）5Ｉ］2+（ペンタアン
ミンヨードコバルト（III）イオン）や、［Ｃｏ（Ｎ
Ｈ3）5Ｎ3］2+（ペンタアンミンアジドコバルト（III）
イオン）を挙げることができる。これらのイオンは光を
照射されると強い酸化剤であるヨウ素ラジカルを発生す
る。なお、これらのイオンは塩の形で導電性高分子前駆
体に添加される。
【００６３】導電性高分子を高抵抗状態にする他の方法
としては、導電性高分子の共役鎖を光照射により部分的
に非共役化、もしくは切断することにより導電性を消失
させる方法を挙げることができる。この非共役化を起こ
す光反応として、光異性化反応、光環化反応、光開裂反
応、などがある。このような光反応を促進させるための
光反応剤として、例えば、アジド化合物、シンナモイル
化合物、アクリル化合物、ジアゾ化合物、カルボニル化
合物、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエー
テル、ジスルフィド化合物を挙げることができる。この
なかでも、特に、ベンゾインアルキルエーテル類、α−
ジケトン類が好適である。
【００６４】上述したように、中性状態の非導電性高分
子は、潜在性酸化剤または潜在性還元剤の存在下で、光
の照射を受けると、還元または酸化され、導電性高分子
となる。従って、本発明の接続層の形成に用いられる組
成物は、酸化還元により導電性の変化する非導電性高分
子を含む場合には、さらに潜在性酸化剤または潜在性還
元剤を含む。このときの潜在性酸化剤または潜在性還元
剤の、共役二重結合を主鎖骨格として有する非導電性高
分子に対する重量比は、０．１〜１０であることが望ま
しい。潜在性酸化剤または潜在性還元剤がこの範囲より
少ない場合には、添加剤の効果が十分ではなく、この範
囲より多い場合には得られる導電性の付与された膜の導
電率が不十分となる。なお、一般に、共役二重結合を主
鎖骨格として有する非導電性高分子は、還元状態よりも
酸化状態の方が安定なので、この組成物は、潜在性還元
剤よりも潜在性酸化剤を含むことが望ましい。
【００６５】また、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る、酸化状態の導電性高分子は、潜在性還元剤の存在下
で光の照射を受けると、還元され、中性状態になって非
導電性となる。共役二重結合を主鎖骨格として有する、
還元状態の導電性高分子は、潜在性酸化剤の存在下で光
の照射を受けると、酸化され、中性状態になって非導電
性となる。また、共役二重結合を主鎖骨格として有する
導電性高分子は、光反応剤の存在下で光の照射を受ける
と、共役系が部分的に破壊され、非導電性になる。従っ
て、本発明の接続層の形成に用いられる組成物は、共役
二重結合を主鎖骨格として有する導電性高分子を含む場
合は、さらに潜在性還元剤、潜在性酸化剤または光反応
剤を含む。このときの潜在性還元剤、潜在性酸化剤およ
び光反応剤の、共役二重結合を主鎖骨格として有する導
電性高分子に対する重量比は、０．１〜１０であること
が望ましい。潜在性還元剤、潜在性酸化剤または光反応
剤の量がこの範囲より少ない場合には、添加剤の効果が
十分ではなく、この範囲より多い場合には光を照射され
ずに残される部分（導電性部分）の膜の導電率が不十分
となる。
【００６６】つぎに、塩基状態では導電性がなく塩状態
では導電性がある高分子について説明する。このような
高分子として、具体的には、エメラルジン構造のポリア
ニリン（以下では、単に「ポリアニリン」と呼ぶ）を用
いることができる。ポリアニリンはドーピング処理をす
る前には塩基状態である。この塩基状態のポリアニリン
は、下記構造式（化１）で表される繰返し単位を有する
高分子である。ポリアニリンは、この状態では極めて抵
抗が高く、実用的には絶縁体である。本明細書では、こ
のような塩基状態にあるポリアニンをも導電性高分子前
駆体と呼ぶ。
【００６７】
【化１】
【００６８】この塩基状態のポリアニリンは、酸で処理
されると塩状態となり、高い導電性を有するようにな
る。この塩状態のポリアニリンは、下記構造式（化２）
で表される繰返し単位を有する高分子である。なお、本
発明では、アルキル基、アルコキシル基、等で水素を置
換したポリアニリンも使用することができる。また、接
着性を向上させるためにエポキシ基で置換することもで
きる。
【００６９】
【化２】
【００７０】ポリアニリンのドーピングのためのドーパ
ントとしては、塩酸、硫酸、硝酸およびリン酸等の鉱酸
類、酢酸、プロピオン酸およびトリフルオロ酢酸等のカ
ルボン酸類、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸および樟脳スルホン酸等のスル
ホン酸類等が使用できる。ポリアニリンを溶かす溶剤と
しては、Ｎ−メチルピロリドンが望ましい。
【００７１】非導電性のポリアニリンを光照射で導電性
ポリアニリンとするために、非導電性のポリアニリンの
膜に、光を受けると酸を発生する物質（以下、「酸発生
剤」という）を添加する。酸発生剤は光の照射を受ける
と酸を発生する。発生した酸により、塩基状態の非導電
性のポリアニリンがドーピングされ、塩状態の導電性の
ポリアニリンに変化する。このため、非導電性ポリアニ
リンおよび酸発生剤を含む膜に光を照射した場合、光照
射部のみが選択的に導電性となる。
【００７２】酸発生剤としては、ハロゲン原子と炭素原
子との結合を有するハロゲン化物が挙げられる。なかで
も、トリハロメチル基を有するハロゲン化物が好適であ
る。ハロゲンとしては、塩素、臭素、またはヨウ素が適
するが、中でも臭素が最も適する。このようなハロゲン
化物の酸発生剤の例として、テトラ（ブロモメチル）メ
タン、１，２−ジブロモ−１，２−ジフェニルエタン、
１，２−ジブロモエチルベンゼン、２，２，２−トリブ
ロモエタノール、トリブロモメチルフェニルスルホン、
トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル、および
トリクロロアセトアミドが挙げられる。さらに、アセナ
フチルテトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネートも酸発生剤として用いることができる。
【００７３】また、導電性のポリアニリンを光照射で非
導電性ポリアニリンとするためには、光を受けると塩基
を発生する物質（以下、「塩基発生剤」という）を、導
電性ポリアニリンの膜に混在させておけばよい。塩基発
生剤は、光の照射を受けると塩基を発生する。発生した
塩基により、導電性のポリアニリンは脱ドーピングさ
れ、塩基状態の非導電性のポリアニリンに変化する。こ
のため、導電性ポリアニリンおよび塩基発生剤を含む膜
に光を照射した場合、光照射部のみが選択的に絶縁体と
なる。
【００７４】塩基発生剤の例としては、Ｎ−シクロヘキ
シルカルバミン酸−２−ニトロベンジルエステル、Ｎ−
シクロヘキシルカルバミン酸−２−ニトロ−α−メチル
ベンジルエステル、Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸−
２，６−ジニトロベンジルエステル、Ｎ−シクロヘキシ
ルカルバミン酸−２，６−ジニトロ−α−メチルベンジ
ルエステル、Ｎ−メチルカルバミン酸−２−ニトロベン
ジルエステル、Ｎ−エチルカルバミン酸−２−ニトロベ
ンジルエステルなどのカルバミン酸エステル類を挙げる
ことができる。
【００７５】導電性のポリアニリンを高抵抗状態にする
方法として、光照射によりポリアニリンと光反応を起こ
す光反応剤を混在させておき、光照射により導電性のポ
リアニリンの共役鎖を部分的に非共役化させるか、ある
いは、ポリアニリンの主鎖の一部を切断することにより
導電性を消失させる方法を用いることもできる。この場
合には、塩基発生剤のかわりに、光反応剤を用いる。光
反応剤の例として、例えば、アジド化合物、シンナモイ
ル化合物、アクリル化合物、ジアゾ化合物、カルボニル
化合物、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエ
ーテル、ジスルフィド化合物を挙げることができる。こ
のなかでも、特に、ベンゾインアルキルエーテル類、α
−ジケトン類が好適である。
【００７６】上述したように、塩基状態のポリアニリン
は、酸発生剤の存在下で光の照射を受けると、塩とな
り、導電性が付与される。従って、本発明の接続層の形
成に用いられる組成物は、塩基状態のポリアニリンを含
む場合は、さらに酸発生剤を含む。このときの酸発生剤
のポリアニリンに対する重量比は、０．１〜１０である
ことが望ましい。酸発生剤のポリアニリンに対する重量
比が０．１より少ない場合には、ドーピングの効果が十
分ではなく、１０より多い場合には得られる導電性の付
与された膜の導電率が不十分となる。
【００７７】また、塩状態のポリアニリンは、塩基発生
剤の存在下で光の照射を受けると、塩基状態になり、導
電性が失われる。また、塩状態のポリアニリンは、光反
応剤の存在下で光の照射を受けると、共役系が部分的に
破壊され、導電性が失われる。従って、本発明の接続層
の形成に用いられる組成物は、塩状態のポリアニリンを
含む場合は、さらに塩基発生剤または光反応剤を含む。
このときの塩基発生剤および光反応剤のポリアニリンに
対する重量比は、０．１〜１０であることが望ましい。
塩基発生剤または光反応剤の量がこの範囲よりより少な
い場合には、脱ドーピングが十分ではなく、この範囲よ
り多い場合には光を照射されずに残される部分（導電性
部分）の膜の導電率が不十分となる。
【００７８】上記接続層の形成に用いる組成物には、導
電性高分子または導電性高分子前駆体に加えて、熱可塑
性高分子または熱硬化性高分子を含んでいてもよい。こ
のようにすることにより、接続層自体の接着性を高める
ことができる。また、熱可塑性の高分子は溶剤に溶け易
いため、接着、接続した部品に不具合があった場合に部
品を容易に取外すことができ、簡単にリペアできるとい
うメリットがある。本発明の接続層に用いることのでき
る熱可塑性高分子の例としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリエチレンオキシド、ポリビニルエーテル、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレ
ン、アルリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニ
ル、エチレン酢酸ビニルコポリマ、エチレン塩化ビニル
コポリマ、ケトン樹脂、ポリブタジエン、ポリアセター
ル、ポリサルホン、ポリアミド、共重合ナイロン、熱可
塑性ポリイミド等が挙げられる。高い接着性が必要な場
合には、接着力の高い熱硬化性高分子、例えば、エポキ
シ樹脂やポリイミド等を混合する。また、必要に応じ
て、熱可塑性高分子と熱硬化性高分子とをブレンドして
添加することもできる。
【００７９】上記接続層の形成に用いる組成物に含まれ
る、熱可塑性高分子または熱硬化性高分子の重量は、組
成物に含まれる高分子化合物全体を１００％としたと
き、８０％以下であることが望ましい。８０％以上であ
ると、導電性が不足するからである。すなわち、組成物
に含まれる高分子化合物全体を１００％としたとき、共
役二重結合を主鎖骨格として有する高分子は、２０％以
上であることが望ましい。この組成物の導電性は、ほぼ
その組成物の含む導電性高分子の量に依存し、２０％以
下では、十分な導電性が得られない。
【００８０】本発明の接着層の熱可塑性高分子として
は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポ
リビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ホルマール、ポリスチレン、アルリル樹脂、メタクリル
樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、エチレン酢酸ビニルコポリ
マ、エチレン塩化ビニルコポリマ、ケトン樹脂、ポリブ
タジエン、ポリアセタール、ポリサルホン、ポリアミ
ド、共重合ナイロン、熱可塑性ポリイミド等が挙げるこ
とができる。
【００８１】本発明で用いられる導電性高分子（酸化状
態あるいは還元状態の共役二重結合を主鎖として有する
高分子、または、塩状態のポリアニリン）または導電性
高分子前駆体（中性状態の共役二重結合を主鎖として有
する高分子、または、塩基状態のポリアニリン）の組成
物は、溶剤を含むことができる。溶剤を含むことによ
り、組成物の粘性を塗布に適するように調整することが
できる。
【００８２】本発明で接続層を形成するのに用いられる
組成物の粘性を調整するのに適する溶剤としては、アル
コール類、エチレングリコールのモノあるいはジアルキ
ルエーテル、ジエチレングリコールのモノあるいはジア
ルキルエーテル、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシドを挙げることができる。また、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族化合物や、さらには、ニトリ
ル類、酢酸エステル類、アセトン等のケトン類を溶剤と
して用いることもできる。なお、これらの溶剤は、接着
層を形成するための熱可塑性高分子の粘性を、塗布に適
するように調整するために用いることもできる。溶剤の
量は、共役二重結合を主鎖として有する高分子の量が、
１０ｗｔ％以上となるようにすることが望ましい。１０
ｗｔ％以下では、十分な厚さの膜を得ることが困難だか
らである。
【００８３】次に、接続部材の形成方法について説明す
る。最初に、接続層の形成方法について述べる。
【００８４】まず、ポリアニリン以外の導電性高分子、
すなわち、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチ
レン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレ
ン等の共役二重結合を主鎖骨格として有する高分子を含
む組成物を用いる場合について述べる。
【００８５】導電性の接続層を成膜する場合には、はじ
めに、中性状態にあるこれらの高分子（導電性高分子前
駆体であって、絶縁性を有する）と、潜在性還元剤ある
いは光反応剤とを含む組成物を、配線基板、電子部品ま
たは接着層の上にロールコート法、スクリーン印刷法、
ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤
を蒸発させる。これにより、一旦、導電性高分子前駆体
を主成分とする膜を形成する。続いて、この導電性高分
子前駆体の膜を、ヨウ素、五塩化アンチモン等の酸化性
蒸気、あるいは、塩化第２鉄の溶液で酸化処理すること
で、導電性高分子前駆体を導電性高分子とする。これに
より、導電性の接続層を得ることができる。
【００８６】また、あらかじめ酸化状態にした高分子
（導電性高分子）と、潜在性還元剤あるいは光反応剤と
を含む組成物を、配線基板、電子部品または接着層の上
にロールコート法、スクリーン印刷法、ディップ法、刷
毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を蒸発させる方
法により、導電性の接続層を形成することもできる。同
様に、あらかじめ還元状態にした高分子（導電性高分
子）と、潜在性酸化剤あるいは光反応剤とを含む組成物
を塗布、乾燥して導電性の接続層を形成することもでき
るが、一般に、共役二重結合を主鎖として有する高分子
は、還元状態より酸化状態が安定であるから、酸化状態
の高分子を含む組成物を用いることが望ましい。
【００８７】絶縁性の接続層を成膜する場合には、中性
状態にある高分子と、潜在性酸化剤または潜在性還元剤
を含む組成物を、配線基板、電子部品または接着層の上
にロールコート法、スクリーン印刷法、ディップ法、刷
毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を蒸発させる。
これにより、絶縁性の接続層を得ることができる。上述
したように、酸化状態の方が安定であることから、上記
組成物は、潜在性還元剤よりも、潜在性酸化剤を含むこ
とが望ましい。
【００８８】次に、ポリアニリンを含む組成物を、光の
照射により抵抗の変化する組成物として用いる場合につ
て述べる。
【００８９】ポリアニリンを用いて導電性の接続層を成
膜する場合には、まず、塩基状態のポリアニリン（非導
電性高分子、すなわち、導電性高分子前駆体）と、塩基
発生剤または光反応剤とを含む組成物を、配線基板、電
子部品または接着層の上にロールコート法、スクリーン
印刷法、ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、溶剤
を蒸発させて、非導電性ポリアニリンを含む接続層を形
成する。つぎに、この非導電性の接続層を酸の溶液に浸
漬するか、あるいは、酸の蒸気に曝すことにより、ポリ
アニリンを塩状態にして、導電性とする。これにより、
導電性の接続層が得られる。
【００９０】また、あらかじめドーパントを加えて塩状
態にしたポリアニリンと、塩基発生剤または光反応剤と
を含む組成物を、ロールコート法、スクリーン印刷法、
ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布、乾燥し、ポリア
ニリンを含む導電性の接続層を形成してもよい。
【００９１】ポリアニリンを用いて非導電性の接続層を
成膜する場合には、塩基状態のポリアニリンと、酸発生
剤とを含む組成物を用いて、上述の場合と同様に塗布、
乾燥する。このようにすれば、ポリアニリンを含む非導
電性の接続層が得られる。
【００９２】接着層は、熱可塑性高分子と溶剤とからな
る熱可塑性高分子組成物を、配線基板、電子部品または
接続層の上に、ロールコート法、スクリーン印刷法、デ
ィップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を
蒸発させることにより得られる。なお、溶剤を用いず、
熱可塑性高分子を加熱して粘性を下げ、これを塗布して
冷却することにより接続層を得ることもできる。
【００９３】以上に説明した接続層および接着層の形成
方法は、直接配線基板等の表面に高分子またはその組成
物を塗布し、その塗膜を乾燥することにより形成する方
法であるが、あらかじめ高分子またはその組成物からな
るフィルムを形成し、これを用いて接続層および／また
は接着層を形成してもよい。
【００９４】つぎに、接着層と接続層とからなる接続部
材の形成方法について説明する。接続部材は、つぎの第
１〜第４の方法により形成することができる。
【００９５】第１の方法は、配線基板または電子部品上
に、接続層５と接着層７１とを順次、形成する方法であ
る。この方法では、接続層５と接着層７１とからなる接
続部材を配線基板および部品のいずれか片方のみに形成
してもよいし、また、双方に形成してもよい。
【００９６】図２２に、配線基板１上に接続部材２２０
を形成する場合の工程を図示する。この方法では、ま
ず、図２２（ａ）に示す配線基板１の接続端子１２を備
える側に、図２２（ｂ）に示すように、上述した方法に
より導電性高分子または導電性高分子前駆体を含む組成
物からなる接続層５を形成し、図２２（ｃ）に示すよう
に、この接続層５上に接着層７１を上述した方法により
形成する。これにより、接続部材２２０が形成される。
なお、電子部品２は、バンプ２３が接続層５に対向する
ように、この接続部材２２０上に図２２（ｄ）に示すよ
うに載置される。
【００９７】上述の図２２に示した方法では、ま接続端
子１２のみでバンプ２３を備えない部品（または基板）
の側に接続部材２２０を形成したが、バンプ２３を備え
る部品（または基板）の側に接続部材２２０を形成して
もよい。バンプ２３を備える電子部品２に接続部材２２
を形成する場合の工程を図２４に図示する。この方法で
は、まず、接続する２つの部品または基板のうち、バン
プ２３を備える方に、接着層７１を形成する。すなわ
ち、図２４（ａ）に示すような電子部品２のバンプ２３
を備える面に、図２４（ｂ）に示すように、接着層７１
を形成し、図２４（ｃ）に示すように、この接着層７１
表面に接続層５を形成する。これにより、接続部材２２
０が形成される。なお、この部品２の接続対象（図２３
に示した例では基板１）は、図２４（ｄ）に示すよう
に、接続端子１２が接続層５に対向するようにこの接続
部材２２０の接続層５表面に配置される。
【００９８】本発明では、第１の接着層と、接続層と、
第２の接着層とがこの順で積層された３層からなる接続
部材を用いることもできる。この３層の接続部材を形成
する場合の工程を図２３に図示する。この方法では、ま
ず、図２３（ａ）に示す配線基板１の接続端子１２を備
える側に、図２３（ｂ）に示すように、第１の接着層７
１を形成し、この接着層７１表面に図２３（ｃ）に示す
ように接続層５を形成し、図２３（ｄ）に示すように、
この接続層５表面に第２の接着層７１を形成する。これ
により、３層構造の接続部材２３０が形成される。な
お、電子部品２は、図２３（ｅ）に示すように、バンプ
２３が接続層５に対向するようにこの接続部材２３０上
に載置される。
【００９９】図２３に示した方法では、接続端子１２の
みでバンプ２３を備えない部品（または基板）の側に接
続部材２３０を形成したが、バンプ２３を備える部品
（または基板）の側に接続部材２３０を形成してもよ
い。この方法では、まず、図２５（ａ）に示す電子部品
２のバンプ２３を備える側に、図２５（ｂ）に示すよう
に、第１の接着層７１を形成し、この接着層７１表面に
図２５（ｃ）に示すように接続層５を形成し、図２５
（ｄ）に示すように、この接続層５表面に第２の接着層
７１を形成する。これにより、３層構造の接続部材２３
０が形成される。なお、配線基板１は、図２５（ｅ）に
示すように、接続端子１２が接続層５に対向するように
この接続部材２３０表面に配置される。
【０１００】第２の方法は、接続する２つの部品（また
は基板）のうちのいずれか一方に接続層５を形成し、他
方に接着層７１を形成して、この接続層５と接着層７１
とを接合することにより、接続部材２２０を形成する方
法である。
【０１０１】接続する２つの部品（または基板）のうち
の、バンプ２３を備えない方に接続層５を形成し、バン
プ２３を備える方に接着層７１を形成する場合の工程を
図２６に図示する。図２６に示した例は、配線基板１と
電子部品２との接続の場合の接続部材２２０の形成工程
であり、バンプ２３は電子部品２に備えられている。こ
の場合、図２６（ａ）に示す配線基板１の接続端子１２
を備える側に、図２６（ｂ）に示すように接続層５を形
成する。一方、図２６（ｃ）に示す電子部品２のバンプ
２３を備える側に、図２６（ｄ）に示すように接着層７
１を形成する。この接続層５を備える配線基板１と、接
着層７１を備える電子部品２とを、接続層５と接着層７
１とが対向するように配置すると、接着層７１と接続層
５とからなる接続部材２２０が得られる。
【０１０２】第３の方法は、接続する２つの部品（また
は基板）のうちのいずれか一方に第１の接着層７１およ
び接続層５の２層を形成し、他方に第２の接着層７１を
形成して、この接続層５と第２の接着層７１とを接合す
ることにより、接続部材２３０を形成する方法である。
【０１０３】接続する２つの部品（または基板）のうち
の、バンプ２３を備えない方に接着層７１および接続層
５の２層を形成し、バンプ２３を備える方に接着層７１
を形成する場合の工程を図２８に図示する。図２８に示
した例は、配線基板１と電子部品２との接続の場合の接
続部材２３０の形成工程であり、バンプ２３は電子部品
２に備えられている。この場合、図２８（ａ）に示す配
線基板１の接続端子１２を備える側に、図２８（ｂ）に
示すように第１の接着層７１および接続層５をこの順に
積層する。一方、図２８（ｃ）に示す電子部品２のバン
プ２３を備える側に、図２８（ｄ）に示すように第２の
接着層７１を形成する。この第１の接着層７１および接
続層５を備える配線基板１と、第２の接着層７１を備え
る電子部品２とを、接続層５と第２の接着層７１とが対
向するように配置すると、第１の接着層７１と接続層５
と第２の接着層７１とからなる接続部材２３０が得られ
る。
【０１０４】接続する２つの部品（または基板）のうち
の、バンプ２３を備える方に接着層７１および接続層５
の２層を形成し、バンプ２３を備えない方に接着層７１
を形成する場合の工程を図２９に図示する。図２９に示
した例は、配線基板１と電子部品２との接続の場合の接
続部材２３０の形成工程であり、バンプ２３は電子部品
２に備えられている。この場合、図２９（ａ）に示す配
線基板１の接続端子１２を備える側に、図２９（ｂ）に
示すように第１の接着層７１を形成する。一方、図２９
（ｃ）に示す電子部品２のバンプ２３を備える側に、図
２９（ｄ）に示すように第２の接着層７１および接続層
５をこの順に積層する。この第１の接着層７１を備える
配線基板１と、第２の接着層７１および接続層５を備え
る電子部品２とを、接続層５と第１の接着層７１とが対
向するように配置すると、第１の接着層７１と接続層５
と第２の接着層７１とからなる接続部材２３０が得られ
る。
【０１０５】第４の方法は、あらかじめ接続層５と接着
層７１との積層体である接続部材を別途作製しておく方
法である。３層からなる接続部材２３０を例に、このあ
らかじめ作成された接続部材を図３０（ａ）に図示す
る。
【０１０６】この方法では、光により導電性の変化する
高分子を含む組成物からなるフィルムを形成し、これを
熱可塑性高分子でラミネートして接着層７１を形成し
て、接続部材である接続用フィルムを作製する。あるい
は、熱可塑性高分子のフィルム７１の表面に、塗布など
により上記組成物からなる接続層５を形成して接続部材
である接続用フィルムを作製してもよい。また、第１の
接着層７１、接続層５および第２の接着層７１の、３層
からなる接続部材のように、多層の接着層７１を備える
接続部材では、各接着層７１をなす熱可塑性高分子は、
互いに同じであっても、異なっていてもよい。さらに、
接続部材をなす各層を、あらかじめ、別個にフィルムと
して作製しておき、このフィルムを積層することによ
り、接続部材を形成してもよい。
【０１０７】このあらかじめ作成された接続部材を用い
て２つの電子部品（または基板）を接続する場合には、
あらかじめ接続層５の所定の箇所に光を照射して導電化
部分あるいは非導電化部分を形成したのち、接続する２
つの電子部品（または基板）でこの接続部材を挾持し、
熱圧着するか、あるいは、接続する２つの電子部品（ま
たは基板）でこの接続部材を挾持したのち、接続層５の
所定の箇所に光を照射して導電化部分あるいは非導電化
部分を形成し、熱圧着する。図３０（ｂ）に、電子部品
２と配線基板１とにより、３層からなる接続部材２３０
を挾持した場合の断面図を示す。
【０１０８】つぎに、上述した接続部材を用いた接続方
法について述べる。上記した方法で作製した接続層およ
び／または接着層を形成した、２つの接続対象物（電子
部品または配線基板）の接続端子どうしの位置を合わせ
て配置し、熱圧着する。これにより電気的接続と機械的
接着とが達成される。接続層に、導電性高分子または非
導電性高分子の他に、熱可塑性高分子あるいは熱硬化性
高分子を含む組成物から形成される層を用いた場合に
は、より容易に接着することができる。なお、該熱圧着
後、接続部分が冷却するまで加圧を続けることが好まし
いが、接続部が室温まで下がる前に加圧を止めることも
できる。また、熱圧着の際に接続部分に超音波を作用さ
せることにより、電気的接続および機械的接着の信頼性
を向上させることも可能である。
【０１０９】上述したように、本発明では、電子部品の
接続は、接着力の低い導電性高分子および非導電性高分
子のみにより行われるのではなく、接着力の高い熱可塑
性高分子からなる層により行われるので、強固な接着が
実現できる。従って、接続についての高い信頼性が得ら
れる。また、光照射で導電性が変化する接続層の厚さが
薄いため、導電性を変化させるために必要な光照射量が
少なくて済む。
【０１１０】さらに、本発明によれば、配線基板の表面
に凹凸があっても、高分子の膜により接続面の平坦化を
図ることができる。また、接続端子の高さのバラツキな
どがあっても、影響を受けることがない。従って、高い
接続歩留りと高い信頼性が得られる。なお、図１０に接
続端子２３の高さにバラツキがある場合を、図１１に接
続端子１２の高さにバラツキがある場合を、図１２に基
板１１の反りがある場合を、それぞれ図示する。図１０
〜１２に示すように、これらの従来技術による場合の接
触不良の原因があっても、本発明によれば、接続層５を
介して良好な接続が得られる。
【０１１１】また、本発明の接続層５は、光を照射する
ことによって所望の部分のみの導電性を変化させること
ができるため、微細なピッチの接続端子の接続にも対応
することができる。
【０１１２】なお、本発明では、上述したように、基板
およびそこに搭載する電子部品のいずれに接続部材を形
成してもよいが、基板上に形成する方が好ましい。これ
は、基板上に形成する方が、電子部品上に形成する場合
に比べて、基板表面の凹凸の影響を無くするうえで効果
が大きいとともに、一つの基板上に多数個の電子部品を
搭載する際に、個々の電子部品に接続部材を形成するの
ではなく、基板あたり１つの接続部材を一括形成すれば
済むため、作業効率が高いという長所もあるからであ
る。実際、ＬＳＩチップのように小さい部品を実装する
際には、電子部品の接続端子側に高分子の膜を形成する
ことは、作業性の点で好ましいとはいえない。しかし、
接続対象となる部品等が比較的大きい場合、例えば、液
晶表示板をＴＡＢ基板に実装する場合には、基板ではな
く、電子部品（液晶表示板など）の側に接続部材を形成
しても、作業性に問題はない。
【０１１３】本発明の接続層は、光の照射により導電性
が変化するが、電子部品の実装後は接続部分を筐体等に
より覆って、外部からの光を遮断することにより、導電
性の変化を阻害することが望ましい。なお、通常の使用
状況で照射される光の、ガラス基板等の多重反射により
接続層に入射するものによる導電性の変化は、それほど
大きくなく、使用に際して実用性を損なうほどのもので
はない。長時間使用するものの場合には、紫外線遮断フ
ィルタを取り付けるなどして、紫外線の照射を防止する
ことが望ましい。
【０１１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。なお、
実施例１〜実施例３１は配線基板にＬＳＩチップを実装
する場合のものである。実施例３２〜実施例５４は液晶
表示板をＴＡＢ基板に実装する例である。
【０１１５】［実施例１］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１１６】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ（３−ｎ−オクチルチオフェン）を
５ｗｔ％、および、潜在性還元剤であるトリカルボニル
（シクロペンタジエニル）マンガン（Ｉ）を５ｗｔ％含
むクロロホルム溶液（溶質の濃度は１０ｗｔ％である）
である接続用組成物を調製した。
【０１１７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
厚さ５μｍの導電性高分子前駆体を含む膜を形成した。
この膜をヨウ素蒸気で酸化処理して導電性高分子の接続
層８１を得た。
【０１１８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１１９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。なお、本実施例では、配線は接
続端子１２に垂直に設けられており、紫外線は配線に平
行に照射されるので、配線による遮光は問題とならな
い。得られた実装体は、図３（ｂ）に図示したような構
造となった。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０１２０】［実施例２］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１２１】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ（チエニレンビニレン）（１重量
部）を５ｗｔ％、および、潜在性還元剤であるトリカル
ボニル（シクロペンタジエニル）マンガン（Ｉ）（１重
量部）を５ｗｔ％含むクロロホルム溶液（溶質の濃度は
１０ｗｔ％である）である接続用組成物を調製した。
【０１２２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
厚さ５μｍの導電性高分子前駆体を含む膜を形成した。
これをヨウ素蒸気で酸化処理して導電性高分子を含む接
続層８１を得た。
【０１２３】一方、金バンプを形成したＬＳＩチップ２
の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラールの
１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルム
を蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラール膜を形
成した。
【０１２４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１２５】［実施例３］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１２６】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ（パラフェニレンビニレン）を５ｗ
ｔ％（１重量部）、および、潜在性還元剤であるトリカ
ルボニル（シクロペンタジエニル）マンガン（Ｉ）を５
ｗｔ％（１重量部）を含むクロロホルム溶液（溶質の濃
度は１０ｗｔ％である）を調製した。
【０１２７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×５０μ
ｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚さのガラス配
線基板１に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発さ
せ、導電性高分子前駆体であるポリ（パラフェニレンビ
ニレン）（１重量部）と、トリカルボニル（シクロペン
タジエニル）マンガン（Ｉ）（１重量部）とを含む厚さ
５μｍの膜を形成した。この膜を、塩化第二鉄で酸化処
理して導電性高分子を含む接続層８１を得た。
【０１２８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１２９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１３０】［実施例４］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１３１】まず、溶質が、ポリアニリン、ドーパント
であるショウノウスルホン酸、および、塩基発生剤であ
るＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジル
エステルからなる、１０ｗｔ％メタクレゾール溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンと、ショウノ
ウスルホン酸と、Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸２−
ニトロベンジルエステルとの重量比は、１：１．３：３
である。
【０１３２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリンとショウノウスルホン酸とＮ−シクロ
ヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとを
１：１．３：３の重量比で含む導電性ポリアニリン膜で
ある接続層８１を形成した。
【０１３３】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１３４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１３５】［実施例５］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１３６】まず、溶質が、共役二重結合を主鎖骨格と
して有する高分子であるポリ（３−ｎ−オクチルチオフ
ェン）と、熱可塑性高分子であるポリビニルブチラール
と、潜在性還元剤であるトリカルボニル（シクロペンタ
ジエニル）マンガン（Ｉ）とからなる１０ｗｔ％のクロ
ロホルム溶液である接続用組成物を調製した。ポリ（３
−ｎ−オクチルチオフェン）と、ポリビニルブチラール
と、トリカルボニル（シクロペンタジエニル）マンガン
（Ｉ）の重量比は１：２：１である。
【０１３７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
導電性高分子前駆体であるポリ（３−ｎ−オクチルチオ
フェン）（１重量部）とポリビニルブチラール（２重量
部）とトリカルボニル（シクロペンタジエニル）マンガ
ン（Ｉ）（１重量部）とを含む、厚さ５μｍの膜を形成
した。これをヨウ素蒸気で酸化処理して導電性とし、接
続層８１を得た。
【０１３８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１３９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１４０】［実施例６］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１４１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０１４２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジル
エステル（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜で
ある厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１４３】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１４４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１４５】［実施例７］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１４６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルホルマールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルホルマ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２．５：１．３：３である。
【０１４７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルホルマール
（２．５重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベン
ジルエステル（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン
膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１４８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルホルマー
ルの１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布して、メタク
レゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルホルマー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１４９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１５０】［実施例８］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１５１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるエチレン／酢酸ビニル共重合体（エチレン
酢酸ビニルコポリマ）と、ドーパントであるショウノウ
スルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとからなる、１
０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続用組成物を調
製した。ポリアニリンとエチレン／酢酸ビニル共重合体
とショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカルバミ
ン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、１：
１：１．３：３である。
【０１５２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とエチレン／酢酸ビニル
共重合体（１重量部）とショウノウスルホン酸（１．３
重量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロ
ベンジルエステル（３重量部）とを含む導電性ポリアニ
リン膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１５３】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、エチレン／酢酸ビニ
ル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのエチレン
／酢酸ビニル共重合体からなる膜を形成し、接着層７１
とした。
【０１５４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１５５】［実施例９］これは、図３（ａ）に示した
例に対応するものである。
【０１５６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２，６−ジニトロベンジルエス
テルとからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシ
ルカルバミン酸２，６−ジニトロベンジルエステルとの
重量比は、１：２：１．３：３．７である。
【０１５７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２，６−ジニトロベ
ンジルエステル（３．７重量部）とを含む導電性ポリア
ニリン膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１５８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１５９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１６０】［実施例１０］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。
【０１６１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−エチ
ルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとからな
る、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
ショウノウスルホン酸とＮ−エチルカルバミン酸２−ニ
トロベンジルエステルとの重量比は、１：３：１．３：
３である。
【０１６２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（３重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−エチルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
５μｍの接続層８１を形成した。
【０１６３】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１６４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１６５】［実施例１１］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。
【０１６６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、光反応剤であるテトラエチ
ルチウラムジスルフィドとからなる、１０ｗｔ％のメタ
クレゾール溶液である接続用組成物を調製した。ポリア
ニリンとポリビニルブチラールとショウノウスルホン酸
とテトラエチルチウラムジスルフィドとの重量比は、
１：２．５：１．３：２．６である。
【０１６７】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２．５重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とテトラエチルチウラムジスルフィド（２．６重量
部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ５μｍの
接続層８１を形成した。
【０１６８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１６９】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１７０】［実施例１２］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。
【０１７１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、光反応剤であるベンゾイン
イソプロピルエーテルとからなる、１０ｗｔ％のメタク
レゾール溶液である接続用組成物を調製した。ポリアニ
リンとポリビニルブチラールとショウノウスルホン酸と
ベンゾインイソプロピルエーテルとの重量比は、１：
２：１．３：２．８である。
【０１７２】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とベンゾインイソプロピルエーテル（２．８重量部）と
を含む導電性ポリアニリン膜である厚さ５μｍの接続層
８１を形成した。
【０１７３】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１７４】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置
合わせして載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で
加熱圧着して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載
置していない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
して、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図３（ｂ）
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上で
あった。
【０１７５】［実施例１３］これは、図３（ｃ）に示し
た例に対応するものである。
【０１７６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：１：１．３：３である。
【０１７７】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（１重量
部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
５μｍの接続層８１を形成した。
【０１７８】一方、金バンプ２３を形成したＬＳＩチッ
プ２の接続端子２１を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１７９】つぎに、図３（ｃ）に図示したように、接
続層８１と接着層７１とが対向するように、ガラス配線
基板１の接続層８１上にＬＳＩチップ２を位置合わせし
て載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着
して、ガラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載置してい
ない側から、接続端子１２の部分に照射される光を遮断
するようにフォトマスク９を介して紫外線（３６５ｎ
ｍ）を５分間照射し、マスクされない部分８２０を高抵
抗化した。得られた実装体は、図３（ｂ）に図示したよ
うな構造となった。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０１８０】［実施例１４］これは、図１に示した例に
対応するものである。
【０１８１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：１．５：１．３：３である。
【０１８２】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（１．５重
量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−
シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステ
ル（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚
さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１８３】この接続層８１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１８４】つぎに、図１（ａ）に図示したように、接
着層７１上から、接続端子１２の部分に照射される光を
遮断するようにフォトマスク９を介して紫外線（３６５
ｎｍ）を５分間照射し、図１（ｂ）に示されるように、
マスクされない部分８２０を高抵抗化した。
【０１８５】図１（ｃ）に図示したように、接続層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０１８６】［実施例１５］これは、図５に示した例に
対応するものである。
【０１８７】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：１．５：１．３：１．５である。
【０１８８】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（１．５重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベン
ジルエステル（１．５重量部）とを含む導電性ポリアニ
リン膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０１８９】この接続層８１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１９０】つぎに、図５（ａ）に図示したように、接
着層７１上から、紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
し、図５（ｂ）に示されるように、接続端子１２の投影
部分以外の部分８２０を高抵抗化した。この場合、接続
端子１２の金属クロムがフォトマスクとして機能してい
る。
【０１９１】図５（ｃ）に図示したように、接続層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０１９２】［実施例１６］これは、図６に示した例に
対応するものである。
【０１９３】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：１：１．３：３である。
【０１９４】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（１重量
部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
５μｍの接続層８１を形成した。
【０１９５】この接続層８１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０１９６】つぎに、図６（ａ）に図示したように、ガ
ラス基板１１の接続端子１２を備えていない側から、接
続端子１２の部分に照射される光を遮断するようにフォ
トマスク９を介して紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
し、図６（ｂ）に示されるように、マスクされない部分
８２０を高抵抗化した。
【０１９７】図６（ｃ）に図示したように、接続層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０１９８】［実施例１７］これは、図２に示した例に
対応するものである。
【０１９９】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０２００】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０２０１】この接続層９１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２０２】つぎに、図２（ａ）に図示したように、接
着層７１上から、接続端子１２のない部分に照射される
光を遮断するようにフォトマスク９を介して紫外線（３
６５ｎｍ）を５分間照射し、図２（ｂ）に示されるよう
に、マスクされない部分９１０を低抵抗化して導電性を
付与した。
【０２０３】図２（ｃ）に図示したように、接着層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２０４】［実施例１８］これは、図２に示した例に
対応するものである。
【０２０５】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
トリブロモメチルフェニルスルホンとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールとトリ
ブロモメチルフェニルスルホンとの重量比は、１：１：
２．１である。
【０２０６】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（１
重量部）とトリブロモメチルフェニルスルホン（２．１
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜であるで
ある厚さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０２０７】この接続層９１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２０８】つぎに、図２（ａ）に図示したように、接
着層７１上から、接続端子１２のない部分に照射される
光を遮断するようにフォトマスク９を介して紫外線（３
６５ｎｍ）を５分間照射し、図２（ｂ）に示されるよう
に、マスクされない部分９１０を低抵抗化して導電性を
付与した。
【０２０９】図２（ｃ）に図示したように、接続層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２１０】［実施例１９］これは、図４に示した例に
対応するものである。
【０２１１】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０２１２】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０２１３】この接続層９１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２１４】つぎに、接着層７１と金バンプ２３とが対
向するように、ガラス配線基板１の接着層７１上にＬＳ
Ｉチップ２を位置合わせして載置し、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2、１５０℃で加熱圧着して、図４（ａ）に図示した
ように、ガラス基板１１の接続端子１２を備えない側か
ら、接続端子１２のない部分に照射される光を遮断する
ようにフォトマスク９を介して紫外線（３６５ｎｍ）を
５分間照射し、図４（ｂ）に示されるように、マスクさ
れない部分９１０を低抵抗化して導電性を付与した。得
られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁
抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２１５】［実施例２０］これは、図７に示した例に
対応するものである。
【０２１６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０２１７】この接続用組成物を、膜厚０．２μｍの透
明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×５０
μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０２１８】この接続層９１の表面に、ポリビニルブチ
ラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２１９】つぎに、図７（ａ）に図示したように、ガ
ラス基板１１の接続端子１２を備えていない側から、接
続端子１２のない部分に照射される光を遮断するように
フォトマスク９を介して紫外線（３６５ｎｍ）を５分間
照射し、図７（ｂ）に示されるように、マスクされない
部分９１０を低抵抗化して導電性を付与した。
【０２２０】図７（ｃ）に図示したように、接着層７１
と金バンプ２３とが対向するように、ガラス配線基板１
の接着層７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置
し、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２２１】［実施例２１］これは、図８に示した例に
対応するものである。
【０２２２】まず、２５６個の５０μｍ×５０μｍの接
続端子２１を有し、接続端子２１に金バンプ２３を形成
したＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面に、ポリ
ビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布
して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２２３】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２２４】この接続用組成物を、接着層７１表面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ
−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエス
テル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜である
厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０２２５】つぎに、図８（ａ）に図示したように、接
続層８１の側から、接続端子２１の部分に照射される光
を遮断するようにフォトマスク９を介して紫外線（３６
５ｎｍ）を５分間照射し、図７（ｂ）に示されるよう
に、マスクされない部分８２０を高抵抗化した。
【０２２６】最後に、図８（ｃ）に図示したように、接
続端子１２と接続層８１の導電性部分８１０とが接合す
るように、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる、幅２
５μｍの配線と５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を２
５６個形成した０．７ｍｍの厚さのガラス配線基板１上
にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置し、１．５ＭＰ
ａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。得られた実装体
の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００
ＭΩ以上であった。
【０２２７】［実施例２２］これは、図９に示した例に
対応するものである。
【０２２８】まず、２５６個の５０μｍ×５０μｍの接
続端子２１を有し、接続端子２１に金バンプ２３を形成
したＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面に、ポリ
ビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布
して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０２２９】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤であ
る２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０
ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物
を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
２，２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：
２：１．６である。
【０２３０】この接続用組成物を、接続層９１表面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０２３１】つぎに、図９（ａ）に図示したように、接
続層９１の側から、接続端子２１のない部分に照射され
る光を遮断するようにフォトマスク９を介して紫外線
（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図９（ｂ）に示される
ように、マスクされない部分９１０を低抵抗化して導電
性を付与した。
【０２３２】図９（ｃ）に図示したように、ＬＳＩチッ
プ２の接続層９１の導電化部分９１０とガラス配線基板
１の接続端子１２とが対向するように、膜厚０．２μｍ
の透明導電膜からなる、幅２５μｍの配線と５０μｍ×
５０μｍの接続端子１２を２５６個形成した０．７ｍｍ
の厚さのガラス配線基板１の、接続端子１２が備えられ
ている面上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置し、
１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２３３】［実施例２３］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。
【０２３４】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシ
ルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比
は、１：２：１．３：３である。
【０２３５】この接続用組成物を、剥離用基材に塗布し
たのち、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ
−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエス
テル（３重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である
厚さ５μｍの接続層８１を形成し、さらにこの接続層８
１上にポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍ
のポリビニルブチラールからなる接着層７１を形成し
て、剥離用基材上に２層の積層体を得た。この積層体を
剥離用基材から剥離して、２層構造のフィルムである接
続部材を得た。
【０２３６】この接続部材を、膜厚０．２５μｍの金属
クロムと、膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、幅
２５μｍの配線と５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を
２５６個形成した１．０ｍｍの厚さのガラス配線基板１
の、接続端子１２を備える面と、ＬＳＩチップ２の接続
端子２１および金バンプ２３を備える面との間に、接続
層８１はガラス配線基板１に接合し、接着層７１はＬＳ
Ｉチップ２に接合するように挾持し、１５０℃、１．５
ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
【０２３７】つぎに、図３（ａ）に図示したように、ガ
ラス配線基板１のＬＳＩチップ２を載置していない側か
ら紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射して、接続端子１
２の非投影部分８２０を高抵抗化した。この場合、接続
端子１２の金属クロムがフォトマスクとして機能してい
る。得られた実装体は、図３（ｂ）に図示したような構
造となった。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２３８】［実施例２４］これは、図２３に示した例
に対応するものである。
【０２３９】まず、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよ
び膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの
配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×
５０μｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚さのガ
ラス配線基板１（図２３（ａ）に図示）の、接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ２μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図２３（ｂ）に示す第１の接着層７１を得た。
【０２４０】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２４１】この接続用組成物を、第１の接着層７１表
面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発
させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラー
ル（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベン
ジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ５μｍの接続層５（図２３（ｃ）に図示）
を形成した。
【０２４２】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ６μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、図２３（ｄ）に示すよ
うに、第２の接着層７１を得た。これにより、３層から
なる接続部材２３０が形成された。
【０２４３】つぎに、図２３（ｅ）に図示したように、
ＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面と第２の接着
層７１とが対向するように、ガラス配線基板１の接着層
７１上にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置する。
【０２４４】これを、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃
で加熱圧着して、ガラス基板１１の接続端子１２を備え
ない側から、接続層５に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間
照射し、接続端子１２の非投影部分を高抵抗化した。こ
の場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクとし
て機能している。得られた実装体の接続抵抗は１Ω以
下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２４５】［実施例２５］これは、図２４に示した例
に対応するものである。
【０２４６】まず、図２４（ａ）に示す金バンプ２３を
形成したＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面に、
ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を
塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリ
ビニルブチラールからなる膜を形成し、図２４（ｂ）に
示すように接着層７１を得た。
【０２４７】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２４８】この接続用組成物を、接続層７１の表面に
塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジル
エステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ５μｍの接続層５（図２４（ｃ）に図示）を形
成した。これにより、２層からなる接続部材２２０が得
られた。
【０２４９】つぎに、膜厚０．２５μｍの金属クロムお
よび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍ
の配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚
０．１２μｍの透明導電膜とからなる、２５６個の５０
μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚
さのガラス配線基板１を用意し、図２４（ｄ）に図示し
たように、ＬＳＩチップ２の接続層５と、このガラス配
線基板１の接続端子１２とが対向するように、ガラス配
線基板１の接続端子１２が備えられている面上にＬＳＩ
チップ２を位置合わせして載置し、１．５ＭＰａ／ｃｍ
2、１５０℃で加熱圧着した。
【０２５０】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス基板
１１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫外
線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２
００ＭΩ以上であった。
【０２５１】［実施例２６］これは、図２５に示した例
に対応するものである。
【０２５２】まず、図２５（ａ）に示す金バンプ２３を
形成したＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面に、
ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を
塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ６μｍのポリ
ビニルブチラールからなる膜を形成し、図２５（ｂ）に
示すように第１の接着層７１ａを得た。
【０２５３】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２５４】この接続用組成物を、第１の接続層７１ａ
の表面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチ
ラール（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重
量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベ
ンジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ５μｍの接続層５（図２５（ｃ）に図
示）を形成した。
【０２５５】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ２μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、図２５（ｄ）に示すよ
うに、第２の接着層７１ｂを得た。これにより、３層か
らなる接続部材２３０が形成された。
【０２５６】つぎに、膜厚０．２５μｍの金属クロムお
よび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍ
の配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚
０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６個の５０μ
ｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚さ
のガラス配線基板１を用意し、図２５（ｅ）に図示した
ように、ＬＳＩチップ２の第２の接着層７１ｂと、この
ガラス配線基板１の接続端子１２とが対向するように、
ガラス配線基板１の接続端子１２が備えられている面上
にＬＳＩチップ２を位置合わせして載置し、１．５ＭＰ
ａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。
【０２５７】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス基板
１１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫外
線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２
００ＭΩ以上であった。
【０２５８】［実施例２７］これは、図２６に示した例
に対応するものである。
【０２５９】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシ
ルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比
は、１：２：１．３：３である。
【０２６０】この接続用組成物を、膜厚０．２５μｍの
金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からな
る幅２５μｍの配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、２５６
個の５０μｍ×５０μｍの接続端子１２を備える０．７
ｍｍの厚さのガラス配線基板１（図２６（ａ）に図示）
の、接続端子１２を備える面に、塗布して、溶剤である
Ｎ−メチルピロリドンを蒸発させ、ポリアニリン（１重
量部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノ
ウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層
５（図２６（ｂ）に図示）を形成した。
【０２６１】つぎに、２５６個の５０μｍ×５０μｍの
接続端子２１を有し、接続端子２１に金バンプ２３を形
成したＬＳＩチップ２（図２６（ｃ）に図示）の接続端
子２１を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ
％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ８μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、図２６（ｄ）に示すような接着層７１を得た。
【０２６２】ガラス配線基板１の接続端子１２と、ＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１との位置を合わせて、図２６
（ｅ）に示すように、この接続層５と接着層７１とを接
合させ、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着し
た。
【０２６３】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス基板
１１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫外
線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２
００ＭΩ以上であった。
【０２６４】［実施例２８］これは、図２７に示した例
に対応するものである。
【０２６５】まず、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよ
び膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの
配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×
５０μｍの接続端子１２を備えた０．７ｍｍの厚さのガ
ラス配線基板１（図２７（ａ）に図示）の、接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ８μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図２７（ｂ）に示すような接着層７１を得た。
【０２６６】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２６７】この接続用組成物を、２５６個の５０μｍ
×５０μｍの接続端子２１を有し、接続端子２１に金バ
ンプ２３を形成したＬＳＩチップ２（図２７（ｃ）に図
示）の接続端子２１を備える面に塗布して、溶剤である
Ｎ−メチルピロリドンを蒸発させ、ポリアニリン（１重
量部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノ
ウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層
５（図２７（ｄ）に図示）を形成した。
【０２６８】ガラス配線基板１の接続端子１２と、ＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１との位置を合わせて、図２７
（ｅ）に示すように、接着層７１と接続層５とを接合さ
せ、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧着した。
これにより、２層からなる接続部材２２０が形成され、
ＬＳＩチップ２が基板１上に搭載された。
【０２６９】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス配線
基板１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０２７０】［実施例２９］これは、図２８に示した例
に対応するものである。
【０２７１】まず、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよ
び膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの
配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×
５０μｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚さのガ
ラス配線基板１（図２８（ａ）に図示）の、接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ２μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、第１の接着層７１ａを得た。
【０２７２】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２７３】この接続用組成物を、第１の接着層７１ａ
の表面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチ
ラール（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重
量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベ
ンジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成した。これによ
り、配線基板１の接続端子１２を備える面に、図２８
（ｂ）に示すように、第１の接着層７１ａと接続層５と
の２層の積層体が得られた。
【０２７４】一方、２５６個の５０μｍ×５０μｍの接
続端子２１を有し、接続端子２１に金バンプ２３を形成
したＬＳＩチップ２（図２８（ｃ）に図示）の接続端子
２１を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％
クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、図２８（ｄ）に示す第２の接着層７１ｂを得た。
【０２７５】ガラス配線基板１の接続端子１２と、ＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１との位置を合わせて、図２８
（ｅ）に示すように、接続層５と第２の接着層７１ｂと
を接合させ、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧
着した。これにより、３層からなる接続部材２３０が形
成され、ＬＳＩチップ２が基板１上に搭載された。
【０２７６】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス配線
基板１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０２７７】［実施例３０］これは、図２９に示した例
に対応するものである。
【０２７８】まず、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよ
び膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの
配線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×
５０μｍの接続端子１２を備える０．７ｍｍの厚さのガ
ラス配線基板１（図２９（ａ）に図示）の、接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ２μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図２９（ｂ）に示すように、第１の接着層７１ａを
得た。
【０２７９】一方、２５６個の５０μｍ×５０μｍの接
続端子２１を有し、接続端子２１に金バンプ２３を形成
したＬＳＩチップ２（図２９（ｃ）に図示）の接続端子
２１を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％
クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、第２の接着層７１ｂを得た。
【０２８０】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２８１】この接続用組成物を、第２の接着層７１ｂ
の表面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチ
ラール（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重
量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベ
ンジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成した。これによ
り、ＬＳＩチップ２の接続端子２１を備える面に、図２
９（ｄ）に示すように、第２の接着層７１ａと接続層５
との２層の積層体が得られた。
【０２８２】ガラス配線基板１の接続端子１２と、ＬＳ
Ｉチップ２の接続端子２１との位置を合わせて、図２９
（ｅ）に示すように、第１の接着層７１ａと接続層５と
を接合させ、１．５ＭＰａ／ｃｍ2、１５０℃で加熱圧
着した。これにより、３層からなる接続部材２３０が形
成され、ＬＳＩチップ２が基板１上に搭載された。
【０２８３】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス配線
基板１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０２８４】［実施例３１］これは、図３０に示した例
に対応するものである。
【０２８５】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ２μｍのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、第１の接着層７１を得た。
【０２８６】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０２８７】この接続用組成物を、第１の接着層７１の
表面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸
発させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラ
ール（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベン
ジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ５μｍの接続層５を形成した。
【０２８８】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ６μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、第２の接着層７１を得
た。これにより、剥離用基材表面に、第１の接着層７
１、接続層５、および第２の接着層７１の３層の積層体
が形成されたので、この積層体を剥離用基材から剥離
し、図３０（ａ）に示す３層構造のフィルムである接続
部材２３０を得た。
【０２８９】この接続部材を、図３０（ｂ）に示すよう
に、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２
μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの配線と、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透
明導電膜からなる、２５６個の５０μｍ×５０μｍの接
続端子１２を備える１．０ｍｍの厚さのガラス配線基板
１の、接続端子１２を備える面と、ＬＳＩチップ２の接
続端子２１および金バンプ２３を備える面との間に挾持
し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
これにより、ＬＳＩチップ２がガラス配線基板１上に搭
載された。
【０２９０】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス配線
基板１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０２９１】［実施例３２］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。実施例
３２〜実施例５４で用いている液晶表示板の基板は、ガ
ラスからなり光を透過する。
【０２９２】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０２９３】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、配線が膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなり、接続端
子１２が膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、厚さ０．７ｍｍの液晶
表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤で
あるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１重量
部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノウ
スルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを
含む導電性ポリアニリン膜である厚さ５μｍの接続層８
１を形成した。
【０２９４】さらに、得られた接続層８１の表面に、ポ
リビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とし
た。
【０２９５】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し
て、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０２９６】［実施例３３］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０２９７】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリ酢酸ビニルと、ドーパントであるショ
ウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとからな
る、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリ酢酸ビニルとショウ
ノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−
ニトロベンジルエステルとの重量比は、１：１．５：
１．３：３である。
【０２９８】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、配線材料が膜厚０．２５μｍの金属ク
ロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなり、接
続端子１２が膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚
０．１２μｍの透明導電膜からなる、厚さ０．７ｍｍの
液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶
剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１
重量部）とポリ酢酸ビニル（１．５重量部）とショウノ
ウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）と
を含む導電性ポリアニリン膜である厚さ５μｍの接続層
８１を形成した。
【０２９９】さらに、得られた接続層８１の表面に、ポ
リ酢酸ビニルの１０ｗｔ％メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８μｍのポリ酢酸
ビニルからなる膜を形成し、接着層７１とした。
【０３００】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し
て、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３０１】［実施例３４］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３０２】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるエチレン／酢酸ビニル共重合体と、ドーパ
ントであるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤である
Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエ
ステルとからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとエチレン
／酢酸ビニル共重合体とショウノウスルホン酸とＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
との重量比は、１：２：１．３：３である。
【０３０３】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、配線材料が膜厚０．２５μｍの金属ク
ロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなり、接
続端子１２が膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚
０．１２μｍの透明導電膜からなる、厚さ０．７ｍｍの
液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶
剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１
重量部）とエチレン／酢酸ビニル共重合体（２重量部）
とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロ
ヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３
重量部）とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ５μ
ｍの接続層８１を形成した。
【０３０４】さらに、得られた接続層８１の表面に、エ
チレン／酢酸ビニル共重合体の１０ｗｔ％メタクレゾー
ル溶液を塗布して、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ８
μｍのポリ酢酸ビニルからなる膜を形成し、接着層７１
とした。
【０３０５】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し
て、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３０６】［実施例３５］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３０７】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−エチ
ルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとからな
る、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
ショウノウスルホン酸とＮ−エチルカルバミン酸２−ニ
トロベンジルエステルとの重量比は、１：２：１．３：
３である。
【０３０８】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、配線が膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなり、接続端
子１２が膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、厚さ０．７ｍｍの液晶
表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤で
あるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１重量
部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノウ
スルホン酸（１．３重量部）とＮ−エチルカルバミン酸
２−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを含む導電
性ポリアニリン膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成
した。
【０３０９】さらに、得られた接続層８１の表面に、ポ
リビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とし
た。
【０３１０】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し
て、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３１１】［実施例３６］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３１２】まず、溶質が、共役二重結合を主鎖として
有する高分子であるポリ（３−ｎ−オクチルチオフェ
ン）と、熱可塑性高分子であるポリビニルブチラール
と、潜在性還元剤であるトリカルボニル（シクロペンタ
ジエニル）マンガン（Ｉ）とからなる、１０ｗｔ％のク
ロロホルム溶液である接続用組成物を調製した。ポリ
（３−ｎ−オクチルチオフェン）とポリビニルブチラー
ルとトリカルボニル（シクロペンタジエニル）マンガン
（Ｉ）との重量比は、１：２：１である。
【０３１３】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、配線が膜厚０．２５μｍの金属クロム
および膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなり、接続端
子１２が膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる、厚さ０．７ｍｍの液晶
表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤で
あるクロロホルムを蒸発させ、ポリ（３−ｎ−オクチル
チオフェン）（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）とトリカルボニル（シクロペンタジエニル）マ
ンガン（Ｉ）（１重量部）とを含む導電性ポリアニリン
膜である厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０３１４】さらに、得られた接続層８１の表面に、ポ
リビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層７１とし
た。
【０３１５】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し
て、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は１Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３１６】［実施例３７］これは、図３（ｃ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３１７】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３１８】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび
膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、配線（図示せ
ず）および接続端子１２を備えた０．７ｍｍの厚さの液
晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤
であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１重
量部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノ
ウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層
８１を形成した。
【０３１９】つぎに、この接続層８１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３２０】この接着層７１上に、接続端子位置を合わ
せてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃ
ｍ2で加熱圧着して、液晶表示板のＴＡＢ基板を載置し
ていない側から、図３（ｃ）に示すように、接続端子１
２の部分に照射される光を遮断するフォトマスク９を介
して、接続層８１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
し、図３（ｂ）に示すように、接続端子１２の非投影部
分８２０を高抵抗化した。得られた実装体の接続抵抗は
１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であ
った。
【０３２１】［実施例３８］これは、図１に示した例に
対応するものである。ただし、図１に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３２２】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３２３】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび
膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる、配線（図示せ
ず）および接続端子１２を備えた０．７ｍｍの厚さの液
晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤
であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン（１重
量部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノ
ウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層
８１を形成した。
【０３２４】さらに、この接続層８１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３２５】つぎに、接着層７１上から、図１（ａ）に
示すように、接続端子１２の部分に照射される光を遮断
するフォトマスク９を介して、接続層８１に紫外線（３
６５ｎｍ）を５分間照射し、図１（ｂ）に示すように、
接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。
【０３２６】最後に、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、図１（ｃ）に示すような、液
晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３２７】［実施例３９］これは、図５に示した例に
対応するものである。ただし、図５に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３２８】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３２９】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび
膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる配線（図示せ
ず）と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる接続端子１２とを備えた
０．７ｍｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジル
エステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ５μｍの接続層８１を形成した。
【０３３０】さらに、この接続層８１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３３１】つぎに、液晶表示板の接続部材（接続層８
１および接着層７１）を形成していない側から、図５
（ａ）に示すように、接続層８１に紫外線（３６５ｎ
ｍ）を５分間照射し、図５（ｂ）に示すように、接続端
子１２の非投影部分８２０を高抵抗化した。この場合、
接続端子１２の金属クロムがフォトマスクとして機能し
ている。
【０３３２】最後に、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、図５（ｃ）に示すような、液
晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３３３】［実施例４０］これは、図６に示した例に
対応するものである。ただし、図６に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３３４】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３３５】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる
配線（図示せず）および接続端子１２を備えた０．７ｍ
ｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２重量
部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜である厚さ
５μｍの接続層８１を形成した。
【０３３６】さらに、この接続層８１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３３７】つぎに、液晶表示板の接続部材（接続層８
１および接着層７１）を形成していない側から、図６
（ａ）に示すように、接続端子１２の部分に照射される
光を遮断するフォトマスク９を介して、接続層８１に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図６（ｂ）に示す
ように、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。
【０３３８】最後に、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、図６（ｃ）に示すような、液
晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３３９】［実施例４１］これは、図２に示した例に
対応するものである。ただし、図２に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３４０】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０３４１】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる
配線（図示せず）および接続端子１２を備えた０．７ｍ
ｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０３４２】さらに、この接続層９１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３４３】つぎに、接着層７１上から、図２（ａ）に
示すように、接続端子１２の部分に照射される光のみを
通すフォトマスク９を介して、接続層９１に紫外線（３
６５ｎｍ）を５分間照射し、図２（ｂ）に示すように、
接続層９１の接続端子１２上部９１０を低抵抗化して導
電性を付与した。
【０３４４】最後に、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、図２（ｃ）に示すような、液
晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３４５】［実施例４２］これは、図４に示した例に
対応するものである。ただし、図４に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３４６】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０３４７】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる
配線（図示せず）および接続端子１２を備えた０．７ｍ
ｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０３４８】さらに、この接続層９１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３４９】つぎに、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、液晶表示板上にＴＡＢ基板を
搭載した。
【０３５０】最後に、液晶表示板の接続部材（接続層９
１および接着層７１）を形成していない側から、図４
（ａ）に示すように、接続端子１２の部分に照射される
光のみを通すフォトマスク９を介して、接続層９１に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図４（ｂ）に示す
ように、接続層９１の接続端子１２上部９１０を低抵抗
化して導電性を付与した。得られた実装体の接続抵抗は
１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であ
った。
【０３５１】［実施例４３］これは、図７に示した例に
対応するものである。ただし、図７に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３５２】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０ｗ
ｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと２，
２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：２：
１．６である。
【０３５３】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる
配線（図示せず）および接続端子１２を備えた０．７ｍ
ｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備える面に塗
布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２
重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール（１．６
重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０３５４】さらに、この接続層９１の表面に、ポリビ
ニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３５５】つぎに、図７（ａ）に示すように、液晶表
示板の接続部材（接続層９１および接着層７１）を形成
していない側から、接続端子１２の部分に照射される光
のみを通すフォトマスク９を介して、接続層９１に紫外
線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図７（ｂ）に示すよ
うに、接続層９１の接続端子１２上部９１０を低抵抗化
して導電性を付与した。
【０３５６】最後に、接着層７１上に、接続端子位置を
合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ
／ｃｍ2で加熱圧着して、図７（ｃ）に示すような、液
晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０３５７】［実施例４４］これは、図８に示した例に
対応するものである。ただし、図８に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３５８】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍで
あり、厚さが１８μｍのＴＡＢ基板の接続端子を備える
面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍ
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層７１を
形成した。
【０３５９】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３６０】この接続用組成物を、接着層７１表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２重量
部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜である厚さ
５μｍの接続層８１を形成した。
【０３６１】この接続層８１から、図８（ａ）に示すよ
うに、ＴＡＢ基板の接続端子の部分に照射される光を遮
断するフォトマスク９を介して、接続層８１に紫外線
（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図８（ｂ）に示すよう
に、接続端子の非投影部分８２０を高抵抗化した。
【０３６２】最後に、電極幅および電極間隔が２０μｍ
で、膜厚０．２の透明導電膜からなる、配線（図示せ
ず）および接続端子１２を備えた０．７ｍｍの厚さの液
晶表示板の、接続端子１２を備える面の上に、ＴＡＢ基
板を、液晶表示板の接続端子１２と接続層８１の導電性
部分８１０とが接合するように、接続端子の位置を合わ
せて載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧
着して、図８（ｃ）に示すような、液晶表示板上にＴＡ
Ｂ基板を搭載した実装体を得た。得られた実装体の接続
抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以
上であった。
【０３６３】［実施例４５］これは、図９に示した例に
対応するものである。ただし、図９に図示した例では、
配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３６４】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍで
あり、厚さが１８μｍのＴＡＢ基板の接続端子を備える
面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ８μｍ
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層７１を
形成した。
【０３６５】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤であ
る２，２，２−トリブロモエタノールとからなる、１０
ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液である接続用組成物
を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
２，２，２−トリブロモエタノールとの重量比は、１：
２：１．６である。
【０３６６】この接続用組成物を、接着層７１の表面に
塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）と２，２，２−トリブロモエタノール
（１．６重量部）とを含む導電性高分子前駆体組成物膜
である厚さ５μｍの接続層９１を形成した。
【０３６７】つぎに、図９（ａ）に示すように、接続層
９１の側から、接続端子１２の部分に照射される光のみ
を通すフォトマスク９を介して、接続層９１に紫外線
（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図９（ｂ）に示すよう
に、接続層９１の接続端子１２上部９１０を低抵抗化し
て導電性を付与した。
【０３６８】最後に、電極幅および電極間隔が２０μｍ
で、膜厚０．２の透明導電膜からなる、配線（図示せ
ず）および接続端子１２を備えた０．７ｍｍの厚さの液
晶表示板の、接続端子１２を備える面の上に、ＴＡＢ基
板を、液晶表示板の接続端子１２と接続層８１の導電化
部分９１０とが接合するように、接続端子の位置を合わ
せて載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧
着して、図９（ｃ）に示すような、液晶表示板上にＴＡ
Ｂ基板を搭載した実装体を得た。得られた実装体の接続
抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以
上であった。
【０３６９】［実施例４６］これは、図３（ａ）に示し
た例に対応するものである。ただし、図３に図示した例
では、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３７０】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ２μｍのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、接着層７１を得た。
【０３７１】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０３７２】この接続用組成物を、接着層７１の表面に
塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール
（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）
とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジル
エステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ５μｍの接続層８１を形成した。これにより、
剥離用基材表面に、接着層７１および接続層８１の２層
の積層体が形成されたので、この積層体を剥離用基材か
ら剥離し、２層構造フィルムである接続部材２３０を得
た。
【０３７３】この接続部材を、電極幅および電極間隔が
２５μｍであり、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび
膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる幅２５μｍの配
線と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１
２μｍの透明導電膜からなる接続端子を備える１．０ｍ
ｍの厚さの液晶表示板の、接続端子を備える面と、電極
幅および電極間隔が２５μｍであり、厚さが１８μｍの
ＴＡＢ基板の電極を備える面との間に挾持し、１５０
℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着した。
【０３７４】最後に、図３（ａ）に示すように、液晶表
示板の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫外
線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、図３（ｂ）に示すよ
うに、接続端子１２の非投影部分８２０を高抵抗化し
た。この場合、接続端子１２の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体の接続抵抗は１
Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であっ
た。
【０３７５】［実施例４７］これは、図２３に示した例
に対応するものである。ただし、図２３に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３７６】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、膜厚０．２μｍの透明導電膜からなる配線（図示せ
ず）と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる接続端子１２とを備えた
０．７ｍｍの厚さの液晶表示板の、接続端子１２を備え
る面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％クロロホル
ム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、図２３
（ｂ）に示すように、厚さ２μｍのポリビニルブチラー
ルからなる膜である第１の接着層７１を形成した。
【０３７７】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３７８】この接続用組成物を、接着層７１表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図２３
（ｃ）に示すように、ポリアニリン（１重量部）とポリ
ビニルブチラール（２重量部）とショウノウスルホン酸
（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２
−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成し
た。
【０３７９】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、図２３（ｄ）に示すよう
に、厚さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜であ
る第２の接着層７１を形成した。これにより、第１の接
着層７１、接続層５、および第２の接着層７１の３層か
らなる接続部材２３０が形成された。
【０３８０】この第２の接着層７１上に、接続端子位置
を合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰ
ａ／ｃｍ2で加熱圧着して、図２３（ｅ）に示すように
液晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した。この液晶表示板
のＴＡＢ基板を搭載していない側から、接続端子１２の
部分に照射される光を遮断するフォトマスク９を介し
て、接続層８１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
し、接続端子１２の非投影部分を高抵抗化した。得られ
た実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗
は２００ＭΩ以上であった。
【０３８１】［実施例４８］これは、図２４に示した例
に対応するものである。ただし、図２４に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３８２】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２４（ａ）に図示）
の、接続端子１２を備える面に、ポリビニルブチラール
の１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホル
ムを蒸発させ、図２４（ｂ）に示すように、厚さ８μｍ
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層７１を
形成した。
【０３８３】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３８４】この接続用組成物を、接着層７１表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図２４
（ｃ）に示すように、ポリアニリン（１重量部）とポリ
ビニルブチラール（２重量部）とショウノウスルホン酸
（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２
−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成し
た。これにより、接着層７１および接続層５からなる接
続部材２２０が形成された。
【０３８５】電極幅および電極間隔が２５μｍで、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．２μｍの透明
導電膜からなる配線（図示せず）と、膜厚０．２５μｍ
の金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜から
なる接続端子１２とを備えた０．７ｍｍの厚さの液晶表
示板の接続端子１２を備える面の上に、接続層５が接続
端子１２に接合するようにして、接続端子位置を合わせ
てＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ
2で加熱圧着して、図２４（ｄ）に示すように液晶表示
板上にＴＡＢ基板を搭載した。この液晶表示板のＴＡＢ
基板を搭載していない側から、接続層８１に紫外線（３
６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非投影部分
を高抵抗化した。この場合、接続端子の金属クロムがフ
ォトマスクとして機能している。得られた実装体の接続
抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以
上であった。
【０３８６】［実施例４９］これは、図２５に示した例
に対応するものである。ただし、図２５に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３８７】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２５（ａ）の、接続
端子１２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗ
ｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発
させ、図２５（ｂ）に示すように、厚さ２μｍのポリビ
ニルブチラールからなる膜である第１の接着層７１ａを
形成した。
【０３８８】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３８９】この接続用組成物を、接着層７１表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図２５
（ｃ）に示すように、ポリアニリン（１重量部）とポリ
ビニルブチラール（２重量部）とショウノウスルホン酸
（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２
−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成し
た。
【０３９０】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、図２５（ｄ）に示すよう
に、厚さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜であ
る第２の接着層７１ｂを形成した。これにより、第１の
接着層７１ａ、接続層５および第２の接着層７１ｂがこ
の順で積層されている接続部材２３０が形成された。
【０３９１】電極幅および電極間隔が２５μｍで、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透
明導電膜からなる配線（図示せず）と、膜厚０．２５μ
ｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜か
らなる接続端子１２とを備えた０．７ｍｍの厚さの液晶
表示板の接続端子１２を備える面の上に、第１の接着層
７１ｂが接続端子１２に接合するようにして、接続端子
位置を合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．５
ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着して、図２５（ｅ）に示すよ
うに液晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した。この液晶表
示板のＴＡＢ基板を搭載していない側から、接続層８１
に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２
の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０３９２】［実施例５０］これは、図２６に示した例
に対応するものである。ただし、図２６に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３９３】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シク
ロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルと
からなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０３９４】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび
膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる配線（図示せ
ず）と、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．
１２μｍの透明導電膜からなる接続端子１２とを備えた
０．７ｍｍの厚さの液晶表示板（図２６（ａ）に図示）
の接続端子１２を備える面に塗布して、溶剤であるメタ
クレゾールを蒸発させ、図２６（ｂ）に示すように、ポ
リアニリン（１重量部）とポリビニルブチラール（２重
量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量部）とＮ−
シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステ
ル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物膜である厚
さ５μｍの接続層５を形成した。
【０３９５】一方、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２６（ｃ）に図示）
の、接続端子１２を備える面に、ポリビニルブチラール
の１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、クロロホル
ムを蒸発させ、図２６（ｄ）に示すように、厚さ８μｍ
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層７１を
形成した。
【０３９６】つぎに、接続層５を備える液晶表示板の接
続層５上に、接着層７１を備えるＴＡＢ基板を、接着層
７１と接続層５とが接合するように、接続端子位置を合
わせて載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱
圧着して、図２６（ｅ）に示すように液晶表示板上にＴ
ＡＢ基板を搭載した。これにより、接続層５と接着層７
１とを備える接合部材２２０が形成されるとともに、Ｔ
ＡＢ基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液晶
表示板のＴＡＢ基板を搭載していない側から、接続層８
１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１
２の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子の
金属クロムがフォトマスクとして機能している。得られ
た実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗
は２００ＭΩ以上であった。
【０３９７】［実施例５１］これは、図２７に示した例
に対応するものである。ただし、図２７に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０３９８】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２
μｍの透明導電膜からなる配線（図示せず）と、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透
明導電膜からなる接続端子１２とを備えた０．７ｍｍの
厚さの液晶表示板（図２７（ａ）に図示）の接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図２７（ｂ）に示すように、厚さ８μｍのポリビニルブ
チラールからなる膜である接着層７１を形成した。
【０３９９】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０４００】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が２５μｍで、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２７
（ｃ）に図示）の、接続端子１２を備える面に塗布し
て、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図２７
（ｄ）に示すように、ポリアニリン（１重量部）とポリ
ビニルブチラール（２重量部）とショウノウスルホン酸
（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２
−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５を形成し
た。
【０４０１】つぎに、接着層７１を備える液晶表示板の
接着層７１上に、接続層５を備えるＴＡＢ基板を、接着
層７１と接続層５とが接合するように、接続端子位置を
合わせて載置し、１５０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加
熱圧着して、図２７（ｅ）に示すように液晶表示板上に
ＴＡＢ基板を搭載した。これにより、接続層５と接着層
７１とを備える接合部材２２０が形成されるとともに、
ＴＡＢ基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液
晶表示板のＴＡＢ基板を搭載していない側から、接続層
８１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子
１２の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子
の金属クロムがフォトマスクとして機能している。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０４０２】［実施例５２］これは、図２８に示した例
に対応するものである。ただし、図２８に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０４０３】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２
μｍの透明導電膜からなる配線（図示せず）と、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透
明導電膜からなる接続端子１２とを備えた０．７ｍｍの
厚さの液晶表示板（図２８（ａ）に図示）の接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図２８（ｂ）に示すように、厚さ２μｍのポリビニルブ
チラールからなる膜である第１の接着層７１ａを形成し
た。
【０４０４】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０４０５】この接続用組成物を、第１の接着層７１ａ
の表面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、図２８（ｂ）に示すように、ポリアニリン（１重量
部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノウ
スルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを
含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５
を形成した。
【０４０６】一方、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２８（ｃ）に図示）
の、接続端子１２を備える面に、塗布して、ポリビニル
ブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、
クロロホルムを蒸発させ、図２８（ｄ）に示すように、
厚さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜である第
２の接着層７１ｂを形成した。
【０４０７】つぎに、液晶表示板の接続層５上に、第２
の接着層７１ｂと接続層５とが接合するように、接続端
子位置を合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５０℃、１．
５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着して、図２８（ｅ）に示す
ように液晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載した。これによ
り、第１の接着層７１ａ、接続層５および第２の接着層
７１ｂを備える接合部材２３０が形成されるとともに、
ＴＡＢ基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液
晶表示板のＴＡＢ基板を搭載していない側から、接続層
８１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子
１２の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子
の金属クロムがフォトマスクとして機能している。得ら
れた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は２００ＭΩ以上であった。
【０４０８】［実施例５３］これは、図２９に示した例
に対応するものである。ただし、図２９に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０４０９】まず、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、膜厚０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２
μｍの透明導電膜からなる配線（図示せず）と、膜厚
０．２５μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透
明導電膜からなる接続端子１２とを備えた０．７ｍｍの
厚さの液晶表示板（図２９（ａ）に図示）の接続端子１
２を備える面に、ポリビニルブチラールの１０ｗｔ％ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図２９（ｂ）に示すように、厚さ２μｍのポリビニルブ
チラールからなる膜である第１の接着層７１ａを形成し
た。
【０４１０】一方、電極幅および電極間隔が２５μｍ
で、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板（図２９（ｃ）に図示）
の、接続端子１２を備える面に塗布して、ポリビニルブ
チラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、図２９（ｄ）に示すように、厚
さ６μｍのポリビニルブチラールからなる膜である第２
の接着層７１ｂを形成した。
【０４１１】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキシルカ
ルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
１：２：１．３：３である。
【０４１２】この接続用組成物を、第２の接着層７１ｂ
の表面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、図２９（ｄ）に示すように、ポリアニリン（１重量
部）とポリビニルブチラール（２重量部）とショウノウ
スルホン酸（１．３重量部）とＮ−シクロヘキシルカル
バミン酸２−ニトロベンジルエステル（３重量部）とを
含む導電性高分子組成物膜である厚さ５μｍの接続層５
を形成した。
【０４１３】つぎに、液晶表示板の第１の接着層７１ａ
に、第１の接着層７１ａと接続層５とが接合するよう
に、接続端子位置を合わせてＴＡＢ基板を載置し、１５
０℃、１．５ＭＰａ／ｃｍ2で加熱圧着して、図２９
（ｅ）に示すように液晶表示板上にＴＡＢ基板を搭載し
た。これにより、第１の接着層７１ａ、接続層５および
第２の接着層７１ｂを備える接合部材２３０が形成され
るとともに、ＴＡＢ基板の搭載された液晶表示板が得ら
れた。この液晶表示板のＴＡＢ基板を搭載していない側
から、接続層８１に紫外線（３６５ｎｍ）を５分間照射
し、接続端子１２の非投影部分を高抵抗化した。この場
合、接続端子の金属クロムがフォトマスクとして機能し
ている。得られた実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は２００ＭΩ以上であった。
【０４１４】［実施例５４］これは、図３０に示した例
に対応するものである。ただし、図３０に図示した例で
は、配線基板１にＬＳＩチップ２を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にＴＡＢ基板を搭載する。
【０４１５】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ２μｍのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、第１の接着層７１を得た。
【０４１６】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるＮ−シ
クロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステル
とからなる、１０ｗｔ％のＮ−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とＮ−シクロヘキ
シルカルバミン酸２−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、１：２：１．３：３である。
【０４１７】この接続用組成物を、第１の接着層７１の
表面に塗布して、溶剤であるＮ−メチルピロリドンを蒸
発させ、ポリアニリン（１重量部）とポリビニルブチラ
ール（２重量部）とショウノウスルホン酸（１．３重量
部）とＮ−シクロヘキシルカルバミン酸２−ニトロベン
ジルエステル（３重量部）とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ５μｍの接続層５を形成した。
【０４１８】さらに、この接続層５の表面に、ポリビニ
ルブチラールの１０ｗｔ％クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ６μｍのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、第２の接着層７１を得
た。これにより、剥離用基材表面に、第１の接着層７
１、接続層５、および第２の接着層７１の３層の積層体
が形成されたので、この積層体を剥離用基材から剥離
し、図３０（ａ）に示す３層構造のフィルムである接続
部材２３０を得た。
【０４１９】この接続部材を、図３０（ｂ）に示すよう
に、電極幅および電極間隔が２５μｍで、膜厚０．２５
μｍの金属クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜
からなる配線（図示せず）と、膜厚０．２５μｍの金属
クロムおよび膜厚０．１２μｍの透明導電膜からなる接
続端子１２とを備えた０．７ｍｍの厚さの液晶表示板の
接続端子１２を備える面と、電極幅および電極間隔が２
５μｍで、厚さ１８μｍのＴＡＢ基板の、接続端子１２
を備える面との間に挾持し、１５０℃、１．５ＭＰａ／
ｃｍ2で加熱圧着した。これにより、ＬＳＩチップ２が
ガラス配線基板１上に搭載された。
【０４２０】このＬＳＩチップ２を搭載したガラス配線
基板１の接続端子１２を備えない側から、接続層５に紫
外線（３６５ｎｍ）を５分間照射し、接続端子１２の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子１２の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は１Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
２００ＭΩ以上であった。
【０４２１】以上に説明したとおり、上記各実施例にお
いては、微細接続ピッチが可能となった。また、その製
造方法は、量産性、経済性に優れている。
【０４２２】
【発明の効果】本発明によれば、様々な分野において重
要な、微細接続ピッチの配線構造体の、信頼性の高い実
装が実現できる。また、本発明の製造方法は、量産性、
経済性に優れた方法であり工業的意義が大きい。特に、
近年ますます重要性を増している、超高精細画像の液晶
表示素子、高密度実装回路等の開発において有効であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図１０】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
【図１１】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
【図１２】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
【図１３】従来の実装方法を示す断面図である。
【図１４】従来の実装方法を示す断面図である。
【図１５】従来の実装方法を示す断面図である。
【図１６】従来の実装方法を示す断面図である。
【図１７】従来の実装方法を示す断面図である。
【図１８】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
【図１９】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
【図２０】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
【図２１】異方性導電性フィルム中における導電粒子の
分散状態を示す断面図である。
【図２２】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２３】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２４】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２５】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２６】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２７】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２８】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図２９】本発明の実装方法を示す断面図である。
【図３０】本発明の実装方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１……回路基板、２……ＬＳＩチップ、３……異方性導
電性フィルム、４……金ワイヤ、５……樹脂、６……接
着剤、７……導電粒子、９……フォトマスク、１１……
基板、１２……接続端子、２１……接続端子、２３……
金バンプ、３１……導電粒子、３２……高分子材料、３
３……導電粒子の接触状態、３４……導電粒子のない領
域、７１……熱可塑性高分子、８１……導電性高分子、
８１０……導電性部分、８２０……高抵抗化部分、９１
……導電性高分子前駆体、９１０……導電化部分、９２
０……高抵抗性部分。

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】導体からなる接続端子を有する少なくとも
    ２つの部材を備え、第１の部材に設けられた接続端子
    と、第２の部材に設けられた接続端子とが、導電性材料
    を用いて接続され、第１の部材の導体以外の部分と第２
    の部材の導体以外の部分とが、非導電性材料により接着
    された導体接続構造体において、 上記導電性材料は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分子を
    含み、 上記非導電性材料は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する非導電性の高分子
    を含む接続層と、 熱可塑性高分子を含む接着層とを備えることを特徴とす
    る導体接続構造体。
  2. 【請求項２】請求項１において、 上記非導電性の高分子は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分子の
    共役二重結合のうち、少なくとも一部が非共役化するこ
    とにより非導電性となった高分子であることを特徴とす
    る導体接続構造体。
  3. 【請求項３】請求項１において、 上記非導電性の高分子は、共役二重結合を主鎖骨格とし
    て有する導電性の高分子の共役二重結合のうち、少なく
    とも一部が切断された高分子であることを特徴とする導
    体接続構造体。
  4. 【請求項４】請求項１において、 上記導電性材料は、酸化状態または還元状態にある上記
    導電性の高分子を含み、 上記非導電性材料の接続層は、中性状態にある上記非導
    電性の高分子を含むことを特徴とする導体接続構造体。
  5. 【請求項５】請求項１において、 上記非導電性の高分子は、塩基状態にあるエメラルジン
    構造のポリアニリンを含み、 上記導電性の高分子は、塩状態にあるエメラルジン構造
    のポリアニリンを含むことを特徴とする導体接続構造
    体。
  6. 【請求項６】請求項４において、 上記非導電性の高分子を含む上記接続層は、 光を受けると酸化剤を発生する物質である潜在性酸化剤
    を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
  7. 【請求項７】請求項４において、 上記導電性材料は、 光を受けると還元剤を発生する物質である潜在性還元剤
    を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
  8. 【請求項８】請求項５において、 上記非導電性の高分子を含む接続層は、 光を受けると酸を発生する物質である酸発生剤を、さら
    に含むことを特徴とする導体接続構造体。
  9. 【請求項９】請求項５において、 上記導電性材料は、 光を受けると塩基を発生する物質である塩基発生剤を、
    さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
  10. 【請求項１０】請求項１において、 上記導電性材料は、 上記導電性の高分子と光反応を起こす物質である光反応
    剤を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
  11. 【請求項１１】請求項６において、 上記非導電性の高分子の重量を１としたとき、 上記潜在性酸化剤の重量は、０．１〜１０であることを
    特徴とする導体接続構造体。
  12. 【請求項１２】請求項８において、 上記非導電性の高分子の重量を１としたとき、 上記酸発生剤の重量は、０．１〜１０であることを特徴
    とする導体接続構造体。
  13. 【請求項１３】請求項７において、 上記導電性の高分子の重量を１としたとき、 上記潜在性還元剤の重量は、０．１〜１０であることを
    特徴とする導体接続構造体。
  14. 【請求項１４】請求項９において、 上記導電性の高分子の重量を１としたとき、 上記塩基発生剤の重量は、０．１〜１０であることを特
    徴とする導体接続構造体。
  15. 【請求項１５】請求項１０において、 上記導電性の高分子の重量を１としたとき、 上記光反応剤の重量は、０．１〜１０であることを特徴
    とする導体接続構造体。
  16. 【請求項１６】請求項１において、 上記導電性材料および上記非導電性材料の接続層は、熱
    可塑性高分子および熱硬化性高分子のすくなくともいず
    れかを含むことを特徴とする導体接続構造体。
  17. 【請求項１７】請求項６において、 上記潜在性酸化剤は、 ペンタアンミンヨードコバルト(III)イオンおよびペン
    タアンミンアジドコバルト(III)イオンのうちの少なく
    とも一方の塩を含むことを特徴とする導体接続構造体。
  18. 【請求項１８】請求項７において、 上記潜在性還元剤は、 トリカルボニル（シクロペンタジエニル）マンガン
    （Ｉ）およびトリカルボニル（シクロオクタテトラエ
    ン）鉄（０）のうちの少なくとも一方を含むことを特徴
    とする導体接続構造体。
  19. 【請求項１９】請求項８において、 上記酸発生剤は、 ２，２，２−トリブロモエタノ−ルであることを特徴と
    する導体接続構造体。
  20. 【請求項２０】請求項９において、 上記塩基発生剤は、 Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸−２−ニトロベンジル
    エステル、Ｎ−シクロヘキシルカルバミン酸−２−ニト
    ロ−α−メチルベンジルエステル、Ｎ−シクロヘキシル
    カルバミン酸−２、６−ジニトロベンジルエステル、Ｎ
    −シクロヘキシルカルバミン酸−２、６−ジニトロ−α
    −メチルベンジルエステル、Ｎ−メチルカルバミン酸−
    ２−ニトロベンジルエステル、およびＮ−エチルカルバ
    ミン酸−２−ニトロベンジルエステルのうちの少なくと
    も一つを含むことを特徴とする導体接続構造体。
  21. 【請求項２１】請求項１０において、 上記光反応剤は、 アジド化合物、シンナモイル化合物、アクリル化合物、
    ジアゾ化合物、カルボニル化合物、ベンジル、ベンゾイ
    ン、ベンゾインアルキルエ−テル類、およびジスルフィ
    ド化合物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とす
    る導体接続構造体。
  22. 【請求項２２】請求項２１において、 上記光反応剤は、ベンゾインイソプロピルエ−テルであ
    ることを特徴とする導体接続構造体。
  23. 【請求項２３】請求項１において、 上記接着層の熱可塑性高分子は、 ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリビ
    ニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
    マール、ポリスチレン、アルリル樹脂、メタクリル樹
    脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニ
    ル、プロピオン酸ビニル、エチレン酢酸ビニルコポリ
    マ、エチレン塩化ビニルコポリマ、ケトン樹脂、ポリブ
    タジエン、ポリアセタール、ポリサルホン、ポリアミ
    ド、共重合ナイロンおよび熱可塑性ポリイミドのうちの
    いずれかであることを特徴とする導体接続構造体。
  24. 【請求項２４】共役二重結合を主鎖骨格として有する高
    分子を含む接続層と、 熱可塑性高分子からなる接着層とを備え、 上記接続層の高分子は、光の照射により導電性が変化す
    る性質を有することを特徴とする接続部材。
  25. 【請求項２５】請求項２４において、 上記接着層と接続層とが積層されていることを特徴とす
    る接続部材。
  26. 【請求項２６】請求項２４において、 上記接着層を２層備え、 第１の上記接着層と、接続層と、第２の上記接着層との
    ３層が、この順で積層されていることを特徴とする接続
    部材。
  27. 【請求項２７】導体からなる接続端子を有する２つの部
    材の接続端子を接続する導体接続構造体の製造方法にお
    いて、 第１の部材の上記接続端子を備える面と、第２の部材の
    上記接続端子を備える面との間に、 共役二重結合を主鎖骨格として有し、光の照射により導
    電性が変化する性質を備える高分子を含む接続層と、熱
    可塑性高分子からなる接着層とを備える接続部材を挾持
    させる工程と、 上記第１の部材と第２の部材とを熱圧着する工程と、 上記接続層の少なくとも一部に光を照射する工程とを有
    することを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
  28. 【請求項２８】請求項２７において、 上記接続部材は、あらかじめ作製された接続層と接着層
    とを備えるフィルムであることを特徴とする導体接続構
    造体の製造方法。
  29. 【請求項２９】請求項２７において、 上記接続部材は、 上記第１の部材の上記接続端子を備える面に、上記接続
    層を形成する工程と、 上記接続層の表面に、上記接着層を形成する工程とによ
    り形成されることを特徴とする導体接続構造体の製造方
    法。
  30. 【請求項３０】請求項２７において、 上記接続部材は、 上記第１の部材の上記接続端子を備える面に、上記接続
    層を形成する工程と、 上記第２の部材の上記接続端子を備える面に、上記接着
    層を形成する工程とにより形成されることを特徴とする
    導体接続構造体の製造方法。
  31. 【請求項３１】請求項２７において、 上記接着層は２層備えられ、 上記接続部材は、 上記第１の部材の上記接続端子を備える面に、第１の上
    記接着層を形成する工程と、 上記第１の接着層の表面に、上接続層を形成する工程
    と、 上記第２の部材の上記接続端子を備える面に、第２の上
    記接着層を形成する工程と、 上記接続層と上記第２の接着層とを接合することにより
    形成されることを特徴とする導体接続構造体の製造方
    法。
  32. 【請求項３２】請求項２７において、 上記第１の部材および第２の部材の少なくともいずれか
    は、光を透過し、 上記光を照射する工程は、光を、上記光を透過する部材
    を通して照射する工程であることを特徴とする導体接続
    構造体の製造方法。
  33. 【請求項３３】請求項２７において、 上記熱圧着する工程は、上記光を照射する工程の後に行
    われることを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
  34. 【請求項３４】請求項３２において、 上記光を照射する工程は、上記熱圧着する工程の後に行
    われることを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
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