JPH08124153A - 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 12
- 238000010828 elution Methods 0.000 abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000005048 flame photometry Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
- C03C21/002—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions to perform ion-exchange between alkali ions
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面平滑性に優れると共に、イオン交換処理
により置換したイオンの溶出の問題がない磁気記録媒体
用ガラス基板により低浮上性で耐候性に優れた磁気記録
媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板表面をイオン交換処理した後研磨
処理する。 【効果】 イオン交換処理後のガラス基板を研磨処理す
ることにより、著しく平滑性の高いガラス基板とするこ
とができる。交換イオン濃度が著しく高い最表面層を研
磨処理で除去することにより、交換イオン濃度がさほど
高くない表面近傍層が表出し、交換イオンの溶出が著し
く少なくなる。これにより、得られる磁気記録媒体の耐
久性が大幅に向上する。
により置換したイオンの溶出の問題がない磁気記録媒体
用ガラス基板により低浮上性で耐候性に優れた磁気記録
媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板表面をイオン交換処理した後研磨
処理する。 【効果】 イオン交換処理後のガラス基板を研磨処理す
ることにより、著しく平滑性の高いガラス基板とするこ
とができる。交換イオン濃度が著しく高い最表面層を研
磨処理で除去することにより、交換イオン濃度がさほど
高くない表面近傍層が表出し、交換イオンの溶出が著し
く少なくなる。これにより、得られる磁気記録媒体の耐
久性が大幅に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体用ガラス
基板及びその製造方法、並びに、このガラス基板を用い
た磁気記録媒体に関する。
基板及びその製造方法、並びに、このガラス基板を用い
た磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体のより一層の高密度
化に伴い、ウィンチェスター型磁気記録装置における磁
気ヘッドの浮上量は、年々低くなっており、現在では５
０ｎｍ以下の要求もある。
化に伴い、ウィンチェスター型磁気記録装置における磁
気ヘッドの浮上量は、年々低くなっており、現在では５
０ｎｍ以下の要求もある。
【０００３】基板の浮上高さに対する潜在的な能力はタ
ッチダウンハイト（以下「ＴＤＨ」という）によって表
され、理論的にはこの値のわずか上まで浮上高さを下げ
ることができる。ＴＤＨは基板表面の平滑性（凹凸高
さ）に主に支配され、基板表面の平滑性を良くするとＴ
ＤＨを下げることができる。
ッチダウンハイト（以下「ＴＤＨ」という）によって表
され、理論的にはこの値のわずか上まで浮上高さを下げ
ることができる。ＴＤＨは基板表面の平滑性（凹凸高
さ）に主に支配され、基板表面の平滑性を良くするとＴ
ＤＨを下げることができる。
【０００４】しかして、ガラスはアルミニウム等に比べ
て、容易に平滑性良く研磨することが可能であることか
ら、低浮上性基板に好適な材料である。一方、ガラスは
その脆さゆえに、一般に、表面に低温型イオン交換処理
を施して、ガラス中のアルカリ金属イオンをそれよりも
イオン半径の大きいアルカリ金属イオンと置換すること
により、強化することが必要とされる。
て、容易に平滑性良く研磨することが可能であることか
ら、低浮上性基板に好適な材料である。一方、ガラスは
その脆さゆえに、一般に、表面に低温型イオン交換処理
を施して、ガラス中のアルカリ金属イオンをそれよりも
イオン半径の大きいアルカリ金属イオンと置換すること
により、強化することが必要とされる。
【０００５】このようなことから、従来、ガラス基板の
主表面を表面粗さＲｍａｘ２００Å以下に研磨した後、
そのガラス基板を低温型イオン交換処理により、ガラス
中のＮａ+ イオンをＫ+ イオンに置換し、次に、そのガ
ラス基板の主表面に磁性膜を含む薄膜を被着する磁気記
録媒体の製造方法が提案されている（特公平３−５２１
３０号公報）。この方法では、低温型イオン交換に先立
ち、ガラス基板表面をＲｍａｘ２００Å以下に研磨する
ことによって、表面平滑化による低浮上性及び基板強度
を確保している。
主表面を表面粗さＲｍａｘ２００Å以下に研磨した後、
そのガラス基板を低温型イオン交換処理により、ガラス
中のＮａ+ イオンをＫ+ イオンに置換し、次に、そのガ
ラス基板の主表面に磁性膜を含む薄膜を被着する磁気記
録媒体の製造方法が提案されている（特公平３−５２１
３０号公報）。この方法では、低温型イオン交換に先立
ち、ガラス基板表面をＲｍａｘ２００Å以下に研磨する
ことによって、表面平滑化による低浮上性及び基板強度
を確保している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの研究により、低温型イオン交換処理されたガラス
基板は、その表面凹凸の値が処理前よりも大きくなり、
これによりＴＤＨが高くなることが確認された。
者らの研究により、低温型イオン交換処理されたガラス
基板は、その表面凹凸の値が処理前よりも大きくなり、
これによりＴＤＨが高くなることが確認された。
【０００７】また、イオン交換処理した場合、即ち、例
えば、ガラス中のＮａ+ イオンをＫ+ イオンにイオン交
換処理した場合、ガラス基板表面層のうち、最も表面に
近い部分（以下、この部分を「最表面層」と称し、表面
層のうち、この最表面層に続く内側の層を「表面近傍
層」と称す。）のＫ+ イオン濃度が著しく高いものとな
る。しかして、このようにＫ+ イオン濃度が高いと、Ｋ
+ イオンが溶出し易くなり、これにより、磁気記録媒体
の耐候性が損なわれる場合がある。
えば、ガラス中のＮａ+ イオンをＫ+ イオンにイオン交
換処理した場合、ガラス基板表面層のうち、最も表面に
近い部分（以下、この部分を「最表面層」と称し、表面
層のうち、この最表面層に続く内側の層を「表面近傍
層」と称す。）のＫ+ イオン濃度が著しく高いものとな
る。しかして、このようにＫ+ イオン濃度が高いと、Ｋ
+ イオンが溶出し易くなり、これにより、磁気記録媒体
の耐候性が損なわれる場合がある。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、表面
平滑性に優れると共に、イオン交換処理により置換した
イオンの溶出の問題がない磁気記録媒体用ガラス基板及
びその製造方法並びにこのようなガラス基板を用いた、
低浮上性で耐候性に優れた磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
平滑性に優れると共に、イオン交換処理により置換した
イオンの溶出の問題がない磁気記録媒体用ガラス基板及
びその製造方法並びにこのようなガラス基板を用いた、
低浮上性で耐候性に優れた磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の磁気記録媒体
用ガラス基板は、表面がイオン交換処理された後、研磨
処理されたガラス基板よりなることを特徴とする。
用ガラス基板は、表面がイオン交換処理された後、研磨
処理されたガラス基板よりなることを特徴とする。
【００１０】請求項２の磁気記録媒体用ガラス基板の製
造方法は、ガラス基板の表面をイオン交換処理した後、
研磨による厚さの減少が１つの面において０．７μｍよ
りも大きくなるように研磨処理を行うことを特徴とす
る。
造方法は、ガラス基板の表面をイオン交換処理した後、
研磨による厚さの減少が１つの面において０．７μｍよ
りも大きくなるように研磨処理を行うことを特徴とす
る。
【００１１】請求項３の磁気記録媒体は、請求項１のガ
ラス基板上に磁性層を形成してなることを特徴とする。
ラス基板上に磁性層を形成してなることを特徴とする。
【００１２】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１３】なお、本発明において、研磨により減少す
る基板の厚さ分を「削減厚さ」と称する。
る基板の厚さ分を「削減厚さ」と称する。
【００１４】本発明で用いるガラス基板の板ガラス材料
としては、イオン交換処理による強化処理が可能なもの
であれば良く、特に制限はないが、例えば、ソーダライ
ムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等
を用いることができる。このうち、ソーダライムガラス
組成としては、例えば、ＳｉＯ2 ：５０〜７５重量％，
Ａｌ2 Ｏ3 ：０．５〜２．５重量％，Ｆｅ2 Ｏ3 ：０〜
１．０重量％，ＣａＯ：５．０〜１４．０重量％，Ｍｇ
Ｏ：０〜４．５重量％，Ｎａ2 Ｏ：５．０〜１６．０重
量％，Ｋ2 Ｏ：０〜２．０重量％，ＴｉＯ2 ：０〜０．
５重量％，ＳＯ3 ：０〜０．５重量％が挙げられる。
としては、イオン交換処理による強化処理が可能なもの
であれば良く、特に制限はないが、例えば、ソーダライ
ムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等
を用いることができる。このうち、ソーダライムガラス
組成としては、例えば、ＳｉＯ2 ：５０〜７５重量％，
Ａｌ2 Ｏ3 ：０．５〜２．５重量％，Ｆｅ2 Ｏ3 ：０〜
１．０重量％，ＣａＯ：５．０〜１４．０重量％，Ｍｇ
Ｏ：０〜４．５重量％，Ｎａ2 Ｏ：５．０〜１６．０重
量％，Ｋ2 Ｏ：０〜２．０重量％，ＴｉＯ2 ：０〜０．
５重量％，ＳＯ3 ：０〜０．５重量％が挙げられる。
【００１５】このような板ガラスは一般に、常法に従っ
て所定の円盤形状に加工し、内外周の面取加工を行った
後、所定の板厚にラップ加工し、その後更に表面を研磨
して平滑化した後、イオン交換処理による強化処理に供
される。
て所定の円盤形状に加工し、内外周の面取加工を行った
後、所定の板厚にラップ加工し、その後更に表面を研磨
して平滑化した後、イオン交換処理による強化処理に供
される。
【００１６】本発明において、イオン交換処理前の研磨
処理は、表面粗さＲｍａｘが５００Å以下、特に５０〜
３００Åとなるように、片面の削減厚さ１０〜３００μ
ｍで行うのが好ましい。
処理は、表面粗さＲｍａｘが５００Å以下、特に５０〜
３００Åとなるように、片面の削減厚さ１０〜３００μ
ｍで行うのが好ましい。
【００１７】上記研磨処理後は、イオン交換処理を行
う。即ち、例えば、ガラス基板を４２０〜４７０℃に加
熱した硝酸カリウム等の溶融塩中に１〜５０時間浸漬し
て、ガラス中のＮａ+ イオンを、Ｋ+ イオンとイオン交
換することにより、表面に圧縮応力層を形成する。この
イオン交換処理によれば、通常の場合、厚さ２〜４０μ
ｍの表面層にＫ+ イオン等の交換イオン濃度の高い、圧
縮応力層が形成される。
う。即ち、例えば、ガラス基板を４２０〜４７０℃に加
熱した硝酸カリウム等の溶融塩中に１〜５０時間浸漬し
て、ガラス中のＮａ+ イオンを、Ｋ+ イオンとイオン交
換することにより、表面に圧縮応力層を形成する。この
イオン交換処理によれば、通常の場合、厚さ２〜４０μ
ｍの表面層にＫ+ イオン等の交換イオン濃度の高い、圧
縮応力層が形成される。
【００１８】本発明においては、このイオン交換処理後
のガラス基板を、再度研磨処理する。この研磨処理は、
上記表面層の圧縮応力層のうち、Ｋ+ イオン等の交換イ
オン濃度が特に高い、厚さ０．７μｍ以上、好ましくは
厚さ１〜５μｍの最表面層を研磨除去する。即ち、片面
の削減厚さ０．７μｍ以上、好ましくは１〜５μｍと
し、好ましくは、ガラス基板の表面粗さの最大最小値の
平均（表面粗さの最大値と最小値との平均値）が１０〜
４０ｎｍとなるような条件で研磨処理する。
のガラス基板を、再度研磨処理する。この研磨処理は、
上記表面層の圧縮応力層のうち、Ｋ+ イオン等の交換イ
オン濃度が特に高い、厚さ０．７μｍ以上、好ましくは
厚さ１〜５μｍの最表面層を研磨除去する。即ち、片面
の削減厚さ０．７μｍ以上、好ましくは１〜５μｍと
し、好ましくは、ガラス基板の表面粗さの最大最小値の
平均（表面粗さの最大値と最小値との平均値）が１０〜
４０ｎｍとなるような条件で研磨処理する。
【００１９】この削減厚さが０．７μｍ未満では、十分
な表面平滑化がなされず、また、交換イオン濃度の著し
く高い最表面層の除去が不十分であり、交換イオンの溶
出を確実に防止し得ない。
な表面平滑化がなされず、また、交換イオン濃度の著し
く高い最表面層の除去が不十分であり、交換イオンの溶
出を確実に防止し得ない。
【００２０】なお、本発明において、イオン交換処理前
後の研磨処理は、酸化セリウム、アルミナ砥粒、ダイヤ
モンド砥粒、コロイダルシリカ砥粒、酸化ジルコニウム
砥粒等の研磨材、特に、平滑性向上のためには、無水珪
酸の超微粒子をコロイド溶液としたコロイダルシリカ、
酸化ジルコニウムの超微粒子等の遊離砥粒を用い、スエ
ードパッド，ウレタンパッド等で研磨することにより行
うことができる。
後の研磨処理は、酸化セリウム、アルミナ砥粒、ダイヤ
モンド砥粒、コロイダルシリカ砥粒、酸化ジルコニウム
砥粒等の研磨材、特に、平滑性向上のためには、無水珪
酸の超微粒子をコロイド溶液としたコロイダルシリカ、
酸化ジルコニウムの超微粒子等の遊離砥粒を用い、スエ
ードパッド，ウレタンパッド等で研磨することにより行
うことができる。
【００２１】本発明においては、このようにして、イオ
ン交換処理後、再度研磨処理を施したガラス基板を、磁
気記録媒体用基板とする。
ン交換処理後、再度研磨処理を施したガラス基板を、磁
気記録媒体用基板とする。
【００２２】このガラス基板を用いて磁気記録媒体を製
造するには、例えば、図１（断面図），図２（平面図）
に示す如く、ガラス基板１の表面に、Ｔｉ等の第１の下
地膜２を形成し、その後、アルミニウム３等の金属微粒
子によるデポジションによりテクスチャー加工した後、
図３（断面図）に示す如く、Ｃｒ等の第２の下地膜４、
Ｃｏ合金等の磁性膜５、カーボン等の保護膜６を順次ス
パッタリングにより成膜し、更に潤滑剤を塗布して潤滑
油膜７を形成すれば良い。なお、テクスチャー加工は、
フッ酸によるエッチング処理で行うこともできる。
造するには、例えば、図１（断面図），図２（平面図）
に示す如く、ガラス基板１の表面に、Ｔｉ等の第１の下
地膜２を形成し、その後、アルミニウム３等の金属微粒
子によるデポジションによりテクスチャー加工した後、
図３（断面図）に示す如く、Ｃｒ等の第２の下地膜４、
Ｃｏ合金等の磁性膜５、カーボン等の保護膜６を順次ス
パッタリングにより成膜し、更に潤滑剤を塗布して潤滑
油膜７を形成すれば良い。なお、テクスチャー加工は、
フッ酸によるエッチング処理で行うこともできる。
【００２３】
【作用】イオン交換処理により、ガラス基板表面が荒れ
て、イオン交換処理前のものよりも平滑性が損なわれる
が、イオン交換処理後のガラス基板を研磨処理すること
により、著しく平滑性の高いガラス基板とすることがで
きる。
て、イオン交換処理前のものよりも平滑性が損なわれる
が、イオン交換処理後のガラス基板を研磨処理すること
により、著しく平滑性の高いガラス基板とすることがで
きる。
【００２４】また、イオン交換処理により、Ｋ+ イオン
等の交換イオンがガラス基板の表面に浸透するが、その
濃度は、表面層のうちの最表面層において著しく高い。
このＫ+ イオン等の交換イオン濃度が著しく高い最表面
層を研磨処理で除去することにより、交換イオン濃度が
さほど高くない表面近傍層が表出し、交換イオンの溶出
が著しく少なくなる。これにより、得られる磁気記録媒
体の耐久性が大幅に向上する。
等の交換イオンがガラス基板の表面に浸透するが、その
濃度は、表面層のうちの最表面層において著しく高い。
このＫ+ イオン等の交換イオン濃度が著しく高い最表面
層を研磨処理で除去することにより、交換イオン濃度が
さほど高くない表面近傍層が表出し、交換イオンの溶出
が著しく少なくなる。これにより、得られる磁気記録媒
体の耐久性が大幅に向上する。
【００２５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２６】実施例１ ５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．５ｍｍ（厚さ）のソーダライ
ムガラス（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝７２．４，Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１．４，Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．１，ＣａＯ＝８．
０，ＭｇＯ＝４．１，Ｎａ2 Ｏ＝１３．１，Ｋ2 Ｏ＝
０．７，ＳＯ3 ＝０．２）を加工して、外径（直径）３
４ｍｍ、内径（中心孔の直径）８ｍｍの円盤を複数枚採
り、各々内外周の面取加工を行った後、４ｗａｙ方式の
両面研磨機を用いて＃１２００のアルミナ砥粒でラップ
加工をし、厚味０．４２ｍｍとした。その後、同様の研
磨機でスエードパッドと酸化セリウムを用いて更に厚味
０．３８５ｍｍに加工した。
ムガラス（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝７２．４，Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１．４，Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．１，ＣａＯ＝８．
０，ＭｇＯ＝４．１，Ｎａ2 Ｏ＝１３．１，Ｋ2 Ｏ＝
０．７，ＳＯ3 ＝０．２）を加工して、外径（直径）３
４ｍｍ、内径（中心孔の直径）８ｍｍの円盤を複数枚採
り、各々内外周の面取加工を行った後、４ｗａｙ方式の
両面研磨機を用いて＃１２００のアルミナ砥粒でラップ
加工をし、厚味０．４２ｍｍとした。その後、同様の研
磨機でスエードパッドと酸化セリウムを用いて更に厚味
０．３８５ｍｍに加工した。
【００２７】得られたガラス基板の複数枚を、４６０℃
で溶融させた硝酸カリウム液の中に４時間浸漬して低温
型イオン交換処理を施した後、上記と同様の研磨機及び
パッド、研磨材を用いて基板上下面の取代の差が０．７
μｍ以下、上下定盤とガラス基板の相対速度が一定とな
るように設定し、各々、両面の合計削減厚さ４μｍ（片
面の削減厚さ２μｍずつ）となるだけ研磨した。
で溶融させた硝酸カリウム液の中に４時間浸漬して低温
型イオン交換処理を施した後、上記と同様の研磨機及び
パッド、研磨材を用いて基板上下面の取代の差が０．７
μｍ以下、上下定盤とガラス基板の相対速度が一定とな
るように設定し、各々、両面の合計削減厚さ４μｍ（片
面の削減厚さ２μｍずつ）となるだけ研磨した。
【００２８】得られたガラス基板について、下記方法に
より表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試
験を行い、結果を表１に示した。
より表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試
験を行い、結果を表１に示した。
【００２９】 基板の表面粗さの測定 ガラス基板の数枚について、原子間力顕微鏡を用いて表
面粗さを測定し、最大最小値の平均を求めた。
面粗さを測定し、最大最小値の平均を求めた。
【００３０】 磁気ディスクのＴＤＨの測定 図１，２に示す如く、ガラス基板１に第１の下地膜２と
してＴｉ膜（厚さ１０００Å）、テクスチャー膜として
Ａｌ膜３（厚さ１０Å）を施し、次に、図３に示す如
く、第２の下地膜４としてＣｒ膜（厚さ２００Å）、磁
性膜５としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜（厚さ５００
Å）、保護膜６としてカーボン膜（厚さ２００Å）を順
次スパッタリングにより成膜し、更に、パーフロロポリ
エーテル系の潤滑油膜７を表面に塗布形成して磁気ディ
スク１０を製造した。この磁気ディスク数枚について、
グライドハイトテスターを用いてＴＤＨを測定した。
してＴｉ膜（厚さ１０００Å）、テクスチャー膜として
Ａｌ膜３（厚さ１０Å）を施し、次に、図３に示す如
く、第２の下地膜４としてＣｒ膜（厚さ２００Å）、磁
性膜５としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜（厚さ５００
Å）、保護膜６としてカーボン膜（厚さ２００Å）を順
次スパッタリングにより成膜し、更に、パーフロロポリ
エーテル系の潤滑油膜７を表面に塗布形成して磁気ディ
スク１０を製造した。この磁気ディスク数枚について、
グライドハイトテスターを用いてＴＤＨを測定した。
【００３１】 溶出試験 ガラス基板を６０℃の純水に１２０時間浸漬し、溶出成
分を炎光光度法並びにＩＰＣ発光分光分析法で定量し、
ガラス基板表面当りのＮａ2 ＯとＫ2 Ｏ溶出量の和（μ
ｇ／ｃｍ2 ）が２．０以下を◎，２．１〜４．０を○，
４．１〜８．０を△，８．０以上を×で評価した。
分を炎光光度法並びにＩＰＣ発光分光分析法で定量し、
ガラス基板表面当りのＮａ2 ＯとＫ2 Ｏ溶出量の和（μ
ｇ／ｃｍ2 ）が２．０以下を◎，２．１〜４．０を○，
４．１〜８．０を△，８．０以上を×で評価した。
【００３２】比較例１ 実施例１において、イオン交換処理及びイオン交換処理
後の研磨処理を行わなかったこと以外は同様にして製造
したガラス基板について、実施例１と同様にして表面粗
さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試験を行い、
結果を表１に示した。
後の研磨処理を行わなかったこと以外は同様にして製造
したガラス基板について、実施例１と同様にして表面粗
さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試験を行い、
結果を表１に示した。
【００３３】比較例２ 実施例１において、イオン交換処理後、研磨処理を行わ
なかったこと以外は同様にして製造したガラス基板につ
いて、実施例１と同様にして表面粗さ及び磁気ディスク
のＴＤＨの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示し
た。
なかったこと以外は同様にして製造したガラス基板につ
いて、実施例１と同様にして表面粗さ及び磁気ディスク
のＴＤＨの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示し
た。
【００３４】実施例２ ８０ｍｍ×８０ｍｍ×１．１ｍｍ（厚さ）のソーダライ
ムガラス（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝７２．４，Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１．４，Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．１，ＣａＯ＝８．
０，ＭｇＯ＝４．１，Ｎａ2 Ｏ＝１３．１，Ｋ2 Ｏ＝
０．７，ＳＯ3 ＝０．２）を加工して、外径（直径）６
５ｍｍ、内径（中心孔の直径）２０ｍｍの円盤を複数枚
採り、各々内外周の面取加工を行った後、４ｗａｙ方式
の両面研磨機を用いて＃１２００のアルミナ砥粒でラッ
プ加工をし、厚味０．６８ｍｍとした。その後、同様の
研磨機でウレタンパッドと酸化セリウムを用いて更に厚
味０．６４０ｍｍに加工した。
ムガラス（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝７２．４，Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１．４，Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．１，ＣａＯ＝８．
０，ＭｇＯ＝４．１，Ｎａ2 Ｏ＝１３．１，Ｋ2 Ｏ＝
０．７，ＳＯ3 ＝０．２）を加工して、外径（直径）６
５ｍｍ、内径（中心孔の直径）２０ｍｍの円盤を複数枚
採り、各々内外周の面取加工を行った後、４ｗａｙ方式
の両面研磨機を用いて＃１２００のアルミナ砥粒でラッ
プ加工をし、厚味０．６８ｍｍとした。その後、同様の
研磨機でウレタンパッドと酸化セリウムを用いて更に厚
味０．６４０ｍｍに加工した。
【００３５】得られたガラス基板の複数枚を、４６０℃
で溶融させた硝酸カリウム液の中に４時間浸漬して低温
型イオン交換処理を施した後、上記と同様の研磨機、研
磨材とスエードパッドを用いて基板上下面の取代の差が
０．７μｍ以下、上下定盤とガラス基板の相対速度が一
定となるように設定し、各々、両面の削減厚さ６μｍ
（片面の削減厚さ３μｍずつ）となるだけ研磨した。
で溶融させた硝酸カリウム液の中に４時間浸漬して低温
型イオン交換処理を施した後、上記と同様の研磨機、研
磨材とスエードパッドを用いて基板上下面の取代の差が
０．７μｍ以下、上下定盤とガラス基板の相対速度が一
定となるように設定し、各々、両面の削減厚さ６μｍ
（片面の削減厚さ３μｍずつ）となるだけ研磨した。
【００３６】得られたガラス基板について、実施例１と
同様にして表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と
溶出試験を行い、結果を表１に示した。
同様にして表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と
溶出試験を行い、結果を表１に示した。
【００３７】比較例３ 実施例２において、イオン交換処理及びイオン交換処理
後の研磨処理を行わなかったこと以外は同様にして製造
したガラス基板について、実施例１と同様にして表面粗
さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試験を行い、
結果を表１に示した。
後の研磨処理を行わなかったこと以外は同様にして製造
したガラス基板について、実施例１と同様にして表面粗
さ及び磁気ディスクのＴＤＨの測定と溶出試験を行い、
結果を表１に示した。
【００３８】比較例４ 実施例２において、イオン交換処理後、研磨処理を行わ
なかったこと以外は同様にして製造したガラス基板につ
いて、実施例２と同様にして表面粗さ及び磁気ディスク
のＴＤＨの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示し
た。
なかったこと以外は同様にして製造したガラス基板につ
いて、実施例２と同様にして表面粗さ及び磁気ディスク
のＴＤＨの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示し
た。
【００３９】実施例３ 実施例２において、イオン交換処理の研磨処理を、枚葉
式研磨機により、スエードパッドとコロイダルシリカを
用いて両面研磨して、両面の削減厚さが１．４μｍ（片
面の削減厚さ０．７μｍずつ）研磨することにより行っ
たこと以外は同様にして製造したガラス基板について、
実施例１と同様にして表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤ
Ｈの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示した。
式研磨機により、スエードパッドとコロイダルシリカを
用いて両面研磨して、両面の削減厚さが１．４μｍ（片
面の削減厚さ０．７μｍずつ）研磨することにより行っ
たこと以外は同様にして製造したガラス基板について、
実施例１と同様にして表面粗さ及び磁気ディスクのＴＤ
Ｈの測定と溶出試験を行い、結果を表１に示した。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１より、イオン交換処理後に研磨処理を
施すことにより、ガラス基板の平滑性は、著しく高めら
れ、イオンの溶出も防止されることから、ＴＤＨが低
く、耐候性に優れた磁気記録媒体が提供されることが明
らかである。
施すことにより、ガラス基板の平滑性は、著しく高めら
れ、イオンの溶出も防止されることから、ＴＤＨが低
く、耐候性に優れた磁気記録媒体が提供されることが明
らかである。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体用ガラス基板及びその製造方法によれば、イオン交換
処理により強化したガラスよりなるガラス基板であっ
て、表面の平滑性が著しく良好で、しかも、イオン交換
処理で置換したイオンの溶出の問題もない高特性ガラス
基板が提供される。
体用ガラス基板及びその製造方法によれば、イオン交換
処理により強化したガラスよりなるガラス基板であっ
て、表面の平滑性が著しく良好で、しかも、イオン交換
処理で置換したイオンの溶出の問題もない高特性ガラス
基板が提供される。
【００４３】従って、このようなガラス基板を用いた本
発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドの浮上高さが低く、
記録の高密度化に有効であり、しかも、耐候性、耐久性
に著しく優れる。
発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドの浮上高さが低く、
記録の高密度化に有効であり、しかも、耐候性、耐久性
に著しく優れる。
【図１】ガラス基板上のテクスチャー加工を示す断面図
である。
である。
【図２】ガラス基板上のテクスチャー加工を示す平面図
である。
である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す断面図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ 第１の下地膜 ３ アルミニウム ４ 第２の下地膜 ５ 磁性膜 ６ 保護膜 ７ 潤滑油膜 １０ 磁気ディスク
Claims (3)
- 【請求項１】 表面がイオン交換処理された後、研磨処
理されたガラス基板よりなる磁気記録媒体用ガラス基
板。 - 【請求項２】 ガラス基板の表面をイオン交換処理した
後、研磨による厚さの減少が１つの面において０．７μ
ｍよりも大きくなるように研磨処理を行うことを特徴と
する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１のガラス基板上に磁性層を形成
してなる磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258125A JPH08124153A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258125A JPH08124153A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124153A true JPH08124153A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17315862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258125A Pending JPH08124153A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 磁気記録媒体用ガラス基板、その製造方法及び磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124153A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2744440A1 (fr) * | 1996-02-07 | 1997-08-08 | Saint Gobain Vitrage | Procede de traitement de substrats en verre |
| US6668587B2 (en) | 2000-05-26 | 2003-12-30 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Method for the production of glass substrates for magnetic recording mediums |
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
| WO2008047609A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Konica Minolta Opto, Inc. | Glass substrate for information recording medium, magnetic recording medium, and method for manufacturing glass substrate for information recording medium |
| JP2009123327A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009176415A (ja) * | 2009-04-30 | 2009-08-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| WO2011096310A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体 |
| US8304078B2 (en) | 2005-09-12 | 2012-11-06 | Saxon Glass Technologies, Inc. | Chemically strengthened lithium aluminosilicate glass having high strength effective to resist fracture upon flexing |
| WO2013001841A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP6258125A patent/JPH08124153A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2744440A1 (fr) * | 1996-02-07 | 1997-08-08 | Saint Gobain Vitrage | Procede de traitement de substrats en verre |
| WO1997029058A1 (fr) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Saint-Gobain Vitrage | Procede de traitement de substrats en verre |
| US6114039A (en) * | 1996-02-07 | 2000-09-05 | Saint Gobain Vitrage | Process for treating glass substrates |
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
| US6668587B2 (en) | 2000-05-26 | 2003-12-30 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Method for the production of glass substrates for magnetic recording mediums |
| US8304078B2 (en) | 2005-09-12 | 2012-11-06 | Saxon Glass Technologies, Inc. | Chemically strengthened lithium aluminosilicate glass having high strength effective to resist fracture upon flexing |
| WO2008047609A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Konica Minolta Opto, Inc. | Glass substrate for information recording medium, magnetic recording medium, and method for manufacturing glass substrate for information recording medium |
| JP2009123327A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009176415A (ja) * | 2009-04-30 | 2009-08-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
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| JPWO2011096310A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2013-06-10 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体 |
| WO2013001841A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法 |
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