JPH08124822A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH08124822A JPH08124822A JP25493994A JP25493994A JPH08124822A JP H08124822 A JPH08124822 A JP H08124822A JP 25493994 A JP25493994 A JP 25493994A JP 25493994 A JP25493994 A JP 25493994A JP H08124822 A JPH08124822 A JP H08124822A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜から形成されたペリクルに換えて、ガラ
ス板を使用してマスクパターン面に塵埃が付着するのを
防止すること。 【構成】 光照射部１、マスクＭ、マスクステージ２、
投影レンズ３、ワークＷ等から構成される投影露光装置
において、投影レンズ３を両テレセントリックレンズと
し、また、上記マスクステージ２にマスクＭと平行にガ
ラス板１１を配置してマスクのパターンを形成された面
とガラス板とで閉空間を形成し、マスクパターン面への
塵埃の付着を防止する。投影レンズ３を両テレセントリ
ックレンズとしているので、主光線がガラス板１１を垂
直に通過し、厚いガラス板を用いても光学的収差が発生
しない。また、上記閉空間にガスを流したり、また、イ
オン化されたガスを上記閉空間に導入してマスクの帯電
を防止する等の手段を併用することにより、塵埃の付着
を大幅に減少させることができる。
ス板を使用してマスクパターン面に塵埃が付着するのを
防止すること。 【構成】 光照射部１、マスクＭ、マスクステージ２、
投影レンズ３、ワークＷ等から構成される投影露光装置
において、投影レンズ３を両テレセントリックレンズと
し、また、上記マスクステージ２にマスクＭと平行にガ
ラス板１１を配置してマスクのパターンを形成された面
とガラス板とで閉空間を形成し、マスクパターン面への
塵埃の付着を防止する。投影レンズ３を両テレセントリ
ックレンズとしているので、主光線がガラス板１１を垂
直に通過し、厚いガラス板を用いても光学的収差が発生
しない。また、上記閉空間にガスを流したり、また、イ
オン化されたガスを上記閉空間に導入してマスクの帯電
を防止する等の手段を併用することにより、塵埃の付着
を大幅に減少させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクを通して光をワ
ークに照射する露光装置に関し、さらに詳細には、紫外
線を用いてマスクのパターンの像を投影レンズによりフ
ォトレジストを塗布したワークに投影露光する投影露光
装置に関するものである。
ークに照射する露光装置に関し、さらに詳細には、紫外
線を用いてマスクのパターンの像を投影レンズによりフ
ォトレジストを塗布したワークに投影露光する投影露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶画面、インクジェット
方式のプリンターヘッド、一枚の基板の上に多種多数の
電気素子を製作して一つのモジュールにするマルチチッ
プモジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様
々な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。
方式のプリンターヘッド、一枚の基板の上に多種多数の
電気素子を製作して一つのモジュールにするマルチチッ
プモジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様
々な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。
【０００３】この露光工程とはガラス等の透明基板上に
クロム等の金属を蒸着・エッチングしてパターンを形成
したマスクを使用し、このマスクを通して紫外線をワー
クに照射し、ワーク上に塗布されているフォトレジスト
にマスクのパターンを転写するものである。露光方式は
マスクの像を投影レンズでワーク上に結像させる投影露
光方式、マスクとワークを密着させた状態で平行光を照
射する密着露光方式、マスクとワークの間にわずかな間
隙を設けた状態で平行光を照射するプロキシミティ露光
方式に大別される。
クロム等の金属を蒸着・エッチングしてパターンを形成
したマスクを使用し、このマスクを通して紫外線をワー
クに照射し、ワーク上に塗布されているフォトレジスト
にマスクのパターンを転写するものである。露光方式は
マスクの像を投影レンズでワーク上に結像させる投影露
光方式、マスクとワークを密着させた状態で平行光を照
射する密着露光方式、マスクとワークの間にわずかな間
隙を設けた状態で平行光を照射するプロキシミティ露光
方式に大別される。
【０００４】投影露光方式は、密着露光方式およびプロ
キシミティ露光方式に比べ解像度が良いという利点をも
つ。さらに、密着露光方式に比べ、マスクとワークが接
触しないためにマスクに汚れが付きにくく、マスクが長
寿命であるという利点をもつ。図６は上記した投影露光
装置の構成を示す図である。同図において、１は光照射
装置であり、１ａはシャッタ、１ｂは光学フィルタ、１
ｃはコンデンサレンズ、１ｄはランプ、１ｅは集光鏡で
ある。
キシミティ露光方式に比べ解像度が良いという利点をも
つ。さらに、密着露光方式に比べ、マスクとワークが接
触しないためにマスクに汚れが付きにくく、マスクが長
寿命であるという利点をもつ。図６は上記した投影露光
装置の構成を示す図である。同図において、１は光照射
装置であり、１ａはシャッタ、１ｂは光学フィルタ、１
ｃはコンデンサレンズ、１ｄはランプ、１ｅは集光鏡で
ある。
【０００５】また、２はマスクステージであり、マスク
ステージ２には真空チャック等によりマスクＭが固定さ
れ、マスクステージ２は図示しない駆動装置によりＸ，
Ｙ，Ｚ，θ（Ｘ，Ｙ軸：マスク面に平行な平面上の直交
軸、Ｚ軸：同図の上下方向の軸、θ：Ｚ軸を中心とした
回転軸）に駆動される。３は投影レンズ、Ｗはワーク、
４はワークステージであり、ワークステージ４には真空
チャック等によりワークＷが固定され、ワーク駆動ステ
ージ４は図示しない駆動装置により駆動される。
ステージ２には真空チャック等によりマスクＭが固定さ
れ、マスクステージ２は図示しない駆動装置によりＸ，
Ｙ，Ｚ，θ（Ｘ，Ｙ軸：マスク面に平行な平面上の直交
軸、Ｚ軸：同図の上下方向の軸、θ：Ｚ軸を中心とした
回転軸）に駆動される。３は投影レンズ、Ｗはワーク、
４はワークステージであり、ワークステージ４には真空
チャック等によりワークＷが固定され、ワーク駆動ステ
ージ４は図示しない駆動装置により駆動される。
【０００６】５はアライメント・ユニットであり、アラ
イメント・ユニット５により、ワークＷに印されたアラ
イメント・マークとマスクに印されたアライメント・マ
ーク（図示せず）を観察する。なお、アライメント・ユ
ニットは同図のＡの位置以外に同図のＢまたはＣの位置
に設けることもできる。同図において、ワークＷ上に露
光処理を行う際には、まず、アライメント・ユニット５
により、ワークとマスクのアライメント・マークを観察
し、両者が一致するように、マスクＭもしくはワークＷ
をＸ，Ｙ，θ方向に移動させる。そして、位置合わせ終
了後、光照射装置１から紫外線を照射し、マスクパター
ンＭＰをワークＷ上に投影して露光を行う。
イメント・ユニット５により、ワークＷに印されたアラ
イメント・マークとマスクに印されたアライメント・マ
ーク（図示せず）を観察する。なお、アライメント・ユ
ニットは同図のＡの位置以外に同図のＢまたはＣの位置
に設けることもできる。同図において、ワークＷ上に露
光処理を行う際には、まず、アライメント・ユニット５
により、ワークとマスクのアライメント・マークを観察
し、両者が一致するように、マスクＭもしくはワークＷ
をＸ，Ｙ，θ方向に移動させる。そして、位置合わせ終
了後、光照射装置１から紫外線を照射し、マスクパター
ンＭＰをワークＷ上に投影して露光を行う。
【０００７】ところで、上記した投影露光装置における
マスクＭの材料には、通常、ガラス板が使用されること
が多い。ガラス板は絶縁体であるため静電気を帯びやす
い。このため、使用してる間に帯電した静電気により空
気中に浮遊する塵埃を吸い寄せ、マスクが汚れるという
問題がある。マスクの汚れ、特に、パターンを形成した
面に付着した汚れは、その像がそのままワークに投影さ
れてしまうため製品不良の原因となる。
マスクＭの材料には、通常、ガラス板が使用されること
が多い。ガラス板は絶縁体であるため静電気を帯びやす
い。このため、使用してる間に帯電した静電気により空
気中に浮遊する塵埃を吸い寄せ、マスクが汚れるという
問題がある。マスクの汚れ、特に、パターンを形成した
面に付着した汚れは、その像がそのままワークに投影さ
れてしまうため製品不良の原因となる。
【０００８】この問題を解決する方法として、ペリクル
と呼ばれる透明な薄膜でマスクのパターンが形成された
面を覆う技術が開発された。これはミクロンサイズの微
細なパターン露光用の投影レンズの焦点深度が極端に浅
いことを利用したものである。図７は上記したペリクル
で覆われたマスクを示す図である。同図において、２は
マスクＭを載置するマスクステージ、Ｍはマスクであ
り、同図に示すように、マスクＭの外周部に高さ数ｍｍ
のスペーサＳＰをマスクＭのパターンＭＰを囲むように
形成し、その上にニトロセルロース等の透明な薄膜でで
きたペリクルＰを被せて密閉する。これにより、塵埃が
直接マスクＭのパターン面に付着することを防止するこ
とができる。
と呼ばれる透明な薄膜でマスクのパターンが形成された
面を覆う技術が開発された。これはミクロンサイズの微
細なパターン露光用の投影レンズの焦点深度が極端に浅
いことを利用したものである。図７は上記したペリクル
で覆われたマスクを示す図である。同図において、２は
マスクＭを載置するマスクステージ、Ｍはマスクであ
り、同図に示すように、マスクＭの外周部に高さ数ｍｍ
のスペーサＳＰをマスクＭのパターンＭＰを囲むように
形成し、その上にニトロセルロース等の透明な薄膜でで
きたペリクルＰを被せて密閉する。これにより、塵埃が
直接マスクＭのパターン面に付着することを防止するこ
とができる。
【０００９】また、ペリクル面に塵埃が付着しても、投
影レンズの焦点深度が極端に浅いため、マスクのパター
ン形成面から数ｍｍ離れたペリクル上の塵埃はボケてし
まい、ワーク面に結像しない。
影レンズの焦点深度が極端に浅いため、マスクのパター
ン形成面から数ｍｍ離れたペリクル上の塵埃はボケてし
まい、ワーク面に結像しない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ペリクルを
使った従来の方法では、ペリクルの厚さは薄くかつ高精
度な厚みの均一性が必要とされ非常に高価であるという
問題があった。これは投影レンズとして、片テレセント
リック・レンズを使用すると、主光線がペリクルを斜め
に通過するため、ペリクルが厚かったり厚さが均一でな
いと、光学的収差が発生するためである。
使った従来の方法では、ペリクルの厚さは薄くかつ高精
度な厚みの均一性が必要とされ非常に高価であるという
問題があった。これは投影レンズとして、片テレセント
リック・レンズを使用すると、主光線がペリクルを斜め
に通過するため、ペリクルが厚かったり厚さが均一でな
いと、光学的収差が発生するためである。
【００１１】片テレセントリック・レンズは、投影レン
ズに通常用いられているレンズで、図８に示すように、
投影レンズ３の主光線が出射側（ワーク側）では平行、
入射側（マスク側）では非平行なレンズであり、片テレ
セントリック・レンズを使用する場合、マスクＭを通過
する主光線の各光軸は非平行と見なすので、ペリクルが
厚いと、図９に示すようにペリクルを通過する光はｄだ
けシフトし、ワークＷ上に投影される像がずれる。
ズに通常用いられているレンズで、図８に示すように、
投影レンズ３の主光線が出射側（ワーク側）では平行、
入射側（マスク側）では非平行なレンズであり、片テレ
セントリック・レンズを使用する場合、マスクＭを通過
する主光線の各光軸は非平行と見なすので、ペリクルが
厚いと、図９に示すようにペリクルを通過する光はｄだ
けシフトし、ワークＷ上に投影される像がずれる。
【００１２】これを避けるため、ペリクルとしては厚さ
が数μｍという極薄いものが要求され、ガラス板のよう
に厚いものは使用することができなかった。以上のよう
にペリクルは厚さが非常に薄いため、破損し易く、取扱
いが難しいという問題をもっていた。また、ペリクルは
ニトロセルロースを代表とする有機薄膜でできているた
め、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質（主に工場内で
使用する化学薬品が空気中に揮発したもの）による劣化
が起こり、定期的に新しいものと取り替える必要がある
といった問題があった。
が数μｍという極薄いものが要求され、ガラス板のよう
に厚いものは使用することができなかった。以上のよう
にペリクルは厚さが非常に薄いため、破損し易く、取扱
いが難しいという問題をもっていた。また、ペリクルは
ニトロセルロースを代表とする有機薄膜でできているた
め、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質（主に工場内で
使用する化学薬品が空気中に揮発したもの）による劣化
が起こり、定期的に新しいものと取り替える必要がある
といった問題があった。
【００１３】さらに、ペリクルによりマスクのパターン
面を閉空間で密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を
ゼロにすることは実際上難しく、ペリクルの交換時等に
わずかな量の塵埃が入り込むことがあり、マスクの静電
気に吸い寄せられてマスク面に付着し、製品不良の原因
となる場合があった。本発明は上記した従来技術の問題
点を考慮してなされたものであって、本発明の第１の目
的は、上記した薄膜から形成されたペリクルに換えて、
ガラス板を使用することができ、薄膜から形成されたペ
リクルを使用する場合に生ずる上記各種の問題点を解消
することが可能な投影露光装置を提供することである。
面を閉空間で密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を
ゼロにすることは実際上難しく、ペリクルの交換時等に
わずかな量の塵埃が入り込むことがあり、マスクの静電
気に吸い寄せられてマスク面に付着し、製品不良の原因
となる場合があった。本発明は上記した従来技術の問題
点を考慮してなされたものであって、本発明の第１の目
的は、上記した薄膜から形成されたペリクルに換えて、
ガラス板を使用することができ、薄膜から形成されたペ
リクルを使用する場合に生ずる上記各種の問題点を解消
することが可能な投影露光装置を提供することである。
【００１４】本発明の第２の目的は、上記閉空間に入り
込む塵埃の影響を大幅に減少させることができる投影露
光装置を提供することである。
込む塵埃の影響を大幅に減少させることができる投影露
光装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１の発明は、紫外線を照射する光照
射部と、マスクと、該マスクを保持するマスクステージ
を含むマスクステージ部と、投影レンズと、ワークと、
該ワークを保持するワークステージを含むワークステー
ジ部とからなる投影露光装置において、上記投影レンズ
を両テレセントリックレンズとし、また、上記マスクス
テージにマスクと平行に配置されたガラス板を設け、上
記マスクのパターンを形成された面と上記マスクステー
ジと上記ガラス板とで閉空間を形成したものである。
め、本発明の請求項１の発明は、紫外線を照射する光照
射部と、マスクと、該マスクを保持するマスクステージ
を含むマスクステージ部と、投影レンズと、ワークと、
該ワークを保持するワークステージを含むワークステー
ジ部とからなる投影露光装置において、上記投影レンズ
を両テレセントリックレンズとし、また、上記マスクス
テージにマスクと平行に配置されたガラス板を設け、上
記マスクのパターンを形成された面と上記マスクステー
ジと上記ガラス板とで閉空間を形成したものである。
【００１６】本発明の請求項２の発明は、請求項１の発
明において、マスクステージに、マスクのパターンを形
成された面とマスクステージとガラス板で形成された閉
空間に空気または不活性ガスを供給するガス導入口と、
導入した上記空気または不活性ガスを排出するガス排気
口を設けたものである。本発明の請求項３の発明は、請
求項２の発明において、空気または不活性ガスをガス導
入口に導く流路中に、一対または複数対の放電電極を設
け、該放電電極に交流または直流電圧を印加して、空気
または不活性ガスをイオン化させるようにしたものであ
る。
明において、マスクステージに、マスクのパターンを形
成された面とマスクステージとガラス板で形成された閉
空間に空気または不活性ガスを供給するガス導入口と、
導入した上記空気または不活性ガスを排出するガス排気
口を設けたものである。本発明の請求項３の発明は、請
求項２の発明において、空気または不活性ガスをガス導
入口に導く流路中に、一対または複数対の放電電極を設
け、該放電電極に交流または直流電圧を印加して、空気
または不活性ガスをイオン化させるようにしたものであ
る。
【００１７】本発明の請求項４の発明は、請求項２また
は請求項３の発明において、ガス導入口およびガス排出
口の閉空間側における穴の形状をスリット状とし、該ス
リットの長辺をマスク面と平行としたものである。
は請求項３の発明において、ガス導入口およびガス排出
口の閉空間側における穴の形状をスリット状とし、該ス
リットの長辺をマスク面と平行としたものである。
【００１８】
【作用】本発明の請求項１の発明においては、上記のよ
うに、投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。
うに、投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。
【００１９】特に、ガラス板は前記したペリクルに比べ
厚く破損しにくく取扱いも容易であり、また、紫外線や
雰囲気に含まれる化学物質による劣化を起こしにくいの
で定期的に交換する必要もない。さらに、石英ガラスを
使用することにより、３００ｎｍより短波長の紫外線を
露光に使用することが可能となる。本発明の請求項２の
発明においては、上記閉空間に空気または不活性ガスを
供給するガス導入口と、導入した上記空気または不活性
ガスを排出するガス排気口を設けたので、閉空間に存在
するわずかな塵埃をも流し去ることができ、マスク面へ
の塵埃の付着を大幅に改善することができる。
厚く破損しにくく取扱いも容易であり、また、紫外線や
雰囲気に含まれる化学物質による劣化を起こしにくいの
で定期的に交換する必要もない。さらに、石英ガラスを
使用することにより、３００ｎｍより短波長の紫外線を
露光に使用することが可能となる。本発明の請求項２の
発明においては、上記閉空間に空気または不活性ガスを
供給するガス導入口と、導入した上記空気または不活性
ガスを排出するガス排気口を設けたので、閉空間に存在
するわずかな塵埃をも流し去ることができ、マスク面へ
の塵埃の付着を大幅に改善することができる。
【００２０】本発明の請求項３の発明においては、空気
または不活性ガスの流路中に、一対または複数対の放電
電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧を印加し
て、空気または不活性ガスをイオン化させるようにした
ので、マスクの帯電を除電することができ、マスクに塵
埃が付着する確率を低くすることができる。また乾燥し
たガスを使用することができるので、結露や金属部の腐
食の心配もない。
または不活性ガスの流路中に、一対または複数対の放電
電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧を印加し
て、空気または不活性ガスをイオン化させるようにした
ので、マスクの帯電を除電することができ、マスクに塵
埃が付着する確率を低くすることができる。また乾燥し
たガスを使用することができるので、結露や金属部の腐
食の心配もない。
【００２１】本発明の請求項４の発明においては、ガス
導入口およびガス排出口の閉空間側における穴の形状を
スリット状とし、該スリットの長辺をマスク面と平行と
したので、閉空間におけるガスの流れを均一化すること
ができ、塵埃が滞留することがないので、マスクの塵埃
の付着を減少させることができる。
導入口およびガス排出口の閉空間側における穴の形状を
スリット状とし、該スリットの長辺をマスク面と平行と
したので、閉空間におけるガスの流れを均一化すること
ができ、塵埃が滞留することがないので、マスクの塵埃
の付着を減少させることができる。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の投影露光装置
の構成を示す図である。同図において、図６に示したも
のと同一のものには同一の符号が付されており、１は光
照射装置、１ａはシャッタ、１ｂは光学フィルタ、１ｃ
はコンデンサレンズ、１ｄは超高圧水銀ランプ、１ｅは
集光鏡である。
の構成を示す図である。同図において、図６に示したも
のと同一のものには同一の符号が付されており、１は光
照射装置、１ａはシャッタ、１ｂは光学フィルタ、１ｃ
はコンデンサレンズ、１ｄは超高圧水銀ランプ、１ｅは
集光鏡である。
【００２３】２はマスクステージであり、マスクステー
ジ２にはマスクＭが固定され、光照射装置１からマスク
Ｍに光が平行に入射する。また、マスクステージ２に
は、マスクＭのマスクパターンＭＰ側にマスクと平行に
石英ガラス等からなるガラス板１１が取り付けられ、マ
スクＭのマスクパターン面、マスクステージ２およびガ
ラス板１１により閉空間を形成している。
ジ２にはマスクＭが固定され、光照射装置１からマスク
Ｍに光が平行に入射する。また、マスクステージ２に
は、マスクＭのマスクパターンＭＰ側にマスクと平行に
石英ガラス等からなるガラス板１１が取り付けられ、マ
スクＭのマスクパターン面、マスクステージ２およびガ
ラス板１１により閉空間を形成している。
【００２４】３は投影レンズであり、本実施例における
投影レンズ３としては、両テレセントリックレンズが使
用される。両テレセントリックレンズは、同図に示すよ
うに、レンズの主光線が出射側（ワーク側）、入射側
（マスク側）の両方で平行であるレンズであり、投影レ
ンズ３として両テレセントリックレンズを用いることに
より、主光線は上記ガラス板１１を垂直に通過し、ガラ
ス板１１が厚くても光学的収差によりワークＷ上に投影
される像がずれることがない。
投影レンズ３としては、両テレセントリックレンズが使
用される。両テレセントリックレンズは、同図に示すよ
うに、レンズの主光線が出射側（ワーク側）、入射側
（マスク側）の両方で平行であるレンズであり、投影レ
ンズ３として両テレセントリックレンズを用いることに
より、主光線は上記ガラス板１１を垂直に通過し、ガラ
ス板１１が厚くても光学的収差によりワークＷ上に投影
される像がずれることがない。
【００２５】また、Ｗはワーク、４はワークステージ、
５はアライメント・ユニットであり、アライメント・ユ
ニット５により、ワークＷに印されたアライメント・マ
ークとマスクに印されたアライメント・マーク（図示せ
ず）が観察され図６で説明したように両者の位置合わせ
が行われる。本実施例においては、上記のように投影レ
ンズとして両テレセントリックレンズを使用し、また、
薄膜のペリクルに換えガラス板を用いているので、従来
例のように、薄くかつ高精度な厚みの均一性が必要とさ
れる非常に高価なペリクルを用いることなく、塵埃がマ
スクＭのパターン面に付着することを防止することがで
きる。
５はアライメント・ユニットであり、アライメント・ユ
ニット５により、ワークＷに印されたアライメント・マ
ークとマスクに印されたアライメント・マーク（図示せ
ず）が観察され図６で説明したように両者の位置合わせ
が行われる。本実施例においては、上記のように投影レ
ンズとして両テレセントリックレンズを使用し、また、
薄膜のペリクルに換えガラス板を用いているので、従来
例のように、薄くかつ高精度な厚みの均一性が必要とさ
れる非常に高価なペリクルを用いることなく、塵埃がマ
スクＭのパターン面に付着することを防止することがで
きる。
【００２６】また、ガラス板は厚いため破損しにくく、
取扱も容易であり、さらに、紫外線や雰囲気に含まれる
化学物質による劣化を起こしにくいので定期的に交換す
る必要がない。特に、石英ガラスを使用した場合には、
３００ｎｍより短波長の紫外線を露光に使用することが
可能となる。図２は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。
取扱も容易であり、さらに、紫外線や雰囲気に含まれる
化学物質による劣化を起こしにくいので定期的に交換す
る必要がない。特に、石英ガラスを使用した場合には、
３００ｎｍより短波長の紫外線を露光に使用することが
可能となる。図２は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。
【００２７】本実施例は第１の実施例において、マスク
ステージ２にガス導入管２ａとガス排出管２ｂを取り付
け、マスクステージ２に設けた穴を介して、マスクパタ
ーン面、マスクステージ２とガラス板で形成された閉空
間にガスを導入するように構成したものである。すなわ
ち、マスクパターン面を第１の実施例のように閉空間で
密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を皆無にするこ
とは実際上困難であり、マスクの交換時等にわずかな量
の塵埃が入り込む。そして、入り込んだ塵埃は、いずれ
マスクの静電気に吸い寄せられるマスク面に付着する。
ステージ２にガス導入管２ａとガス排出管２ｂを取り付
け、マスクステージ２に設けた穴を介して、マスクパタ
ーン面、マスクステージ２とガラス板で形成された閉空
間にガスを導入するように構成したものである。すなわ
ち、マスクパターン面を第１の実施例のように閉空間で
密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を皆無にするこ
とは実際上困難であり、マスクの交換時等にわずかな量
の塵埃が入り込む。そして、入り込んだ塵埃は、いずれ
マスクの静電気に吸い寄せられるマスク面に付着する。
【００２８】そこで、図２に示すように、清浄な空気ま
たは不活性ガスをガス導入管２ａから上記閉空間に流し
込み、ガス排出管２ｂから排出させる。これにより、上
記閉空間に入り込んだわずかな塵埃を流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。ところで、上記第２の実施例のように、マスクパ
ターン面、マスクステージとガラス板で形成された閉空
間にガスを導入することにより、塵埃の影響を大幅に改
善することができるが、上記閉空間に導入するガスが乾
燥している場合には、ガスとマスクとの摩擦でマスクが
帯電する。
たは不活性ガスをガス導入管２ａから上記閉空間に流し
込み、ガス排出管２ｂから排出させる。これにより、上
記閉空間に入り込んだわずかな塵埃を流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。ところで、上記第２の実施例のように、マスクパ
ターン面、マスクステージとガラス板で形成された閉空
間にガスを導入することにより、塵埃の影響を大幅に改
善することができるが、上記閉空間に導入するガスが乾
燥している場合には、ガスとマスクとの摩擦でマスクが
帯電する。
【００２９】通常、電子素子や半導体素子の製造工場内
で使用される清浄な空気または窒素やアルゴン等の不活
性ガスは、露点が−４０°程度もしくはそれ以下の非常
に乾燥したものであり、このような乾燥したガスを流す
とマスクとの摩擦で静電気が発生し、ガスに含まれる塵
埃が極微量であってもマスクが帯電していると塵埃が付
着する確率が高くなる。一方、湿ったガスは結露や金属
部の腐食の原因となるので使用することができない。
で使用される清浄な空気または窒素やアルゴン等の不活
性ガスは、露点が−４０°程度もしくはそれ以下の非常
に乾燥したものであり、このような乾燥したガスを流す
とマスクとの摩擦で静電気が発生し、ガスに含まれる塵
埃が極微量であってもマスクが帯電していると塵埃が付
着する確率が高くなる。一方、湿ったガスは結露や金属
部の腐食の原因となるので使用することができない。
【００３０】本発明の第３の実施例は上記したマスクの
帯電による塵埃の付着を防止するようにしたものであ
り、本実施例においては、図２に示したガス導入管２ａ
へのガス流路中に、図３に示すように一対の放電電極２
２、２３を設ける。そして、電源２１から上記放電電極
２２，２３に交流もしくは直流の電圧を印加し、コロナ
放電を発生させて流路中のガスをイオン化する。
帯電による塵埃の付着を防止するようにしたものであ
り、本実施例においては、図２に示したガス導入管２ａ
へのガス流路中に、図３に示すように一対の放電電極２
２、２３を設ける。そして、電源２１から上記放電電極
２２，２３に交流もしくは直流の電圧を印加し、コロナ
放電を発生させて流路中のガスをイオン化する。
【００３１】これにより、前記閉空間にはイオン化した
ガスが導入され、マスクＭとガスにより静電気が発生す
ることがない。また、マスクＭが最初から帯電していて
も、それを除去することができる。したがって、前記閉
空間に導入されるガスに極微量な塵埃が含まれていて
も、マスクに付着する確率を低くすることができる。ま
た、乾燥したガスを使用することができるので、結露や
金属腐食の心配もない。
ガスが導入され、マスクＭとガスにより静電気が発生す
ることがない。また、マスクＭが最初から帯電していて
も、それを除去することができる。したがって、前記閉
空間に導入されるガスに極微量な塵埃が含まれていて
も、マスクに付着する確率を低くすることができる。ま
た、乾燥したガスを使用することができるので、結露や
金属腐食の心配もない。
【００３２】なお、図３では一対の電極を設けた例を示
したが、複数対の電極を設けてもよい。図４は本発明の
第４の実施例を示す図であり、本実施例は上記第２また
は第３の実施例において、前記閉空間へのガス導入口、
およびガス排出口をスリット状に形成するとともに、ガ
ス導入流路中にガス溜まりを設け、前記閉空間における
ガス流の均一化を図ったものである。
したが、複数対の電極を設けてもよい。図４は本発明の
第４の実施例を示す図であり、本実施例は上記第２また
は第３の実施例において、前記閉空間へのガス導入口、
およびガス排出口をスリット状に形成するとともに、ガ
ス導入流路中にガス溜まりを設け、前記閉空間における
ガス流の均一化を図ったものである。
【００３３】図４において、図２に示したものと同一の
ものには同一の符号が付されており、本実施例において
は、同図に示すようにマスクステージ２に設けられたガ
ス流路に、スリットから放出されるガスの流速分布を均
一にするガス溜まり２ｃを設け、また、閉空間へのガス
導入口およびガス排出口をスリット状に形成している。
ものには同一の符号が付されており、本実施例において
は、同図に示すようにマスクステージ２に設けられたガ
ス流路に、スリットから放出されるガスの流速分布を均
一にするガス溜まり２ｃを設け、また、閉空間へのガス
導入口およびガス排出口をスリット状に形成している。
【００３４】図５は上記マスクステージ２の斜視図であ
り（同図ではマスクＭが載置されていない状態が示され
ている）、同図に示すように、上記スリット２ｄの長辺
はマスク面と平行でかつその長さは閉空間の一辺の長さ
に略等しい。本実施例においては、上記のように、ガス
溜まり２ｃを設けるとともに閉空間へのガス導入口およ
びガス排出口をスリット状に形成しているので、閉空間
におけるガスの流れに淀みができることがない。このた
め、該淀み部に塵埃が滞留し、部分的に塵埃濃度の高い
部分が生成することがなく、マスクへの塵埃の付着を減
少させることができる。
り（同図ではマスクＭが載置されていない状態が示され
ている）、同図に示すように、上記スリット２ｄの長辺
はマスク面と平行でかつその長さは閉空間の一辺の長さ
に略等しい。本実施例においては、上記のように、ガス
溜まり２ｃを設けるとともに閉空間へのガス導入口およ
びガス排出口をスリット状に形成しているので、閉空間
におけるガスの流れに淀みができることがない。このた
め、該淀み部に塵埃が滞留し、部分的に塵埃濃度の高い
部分が生成することがなく、マスクへの塵埃の付着を減
少させることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。 (1) 投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。また、ガラス板
は前記したペリクルに比べ厚く破損しにくく取扱いも容
易であり、また、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質に
よる劣化を起こしにくいので定期的に交換する必要もな
い。
以下の効果を得ることができる。 (1) 投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。また、ガラス板
は前記したペリクルに比べ厚く破損しにくく取扱いも容
易であり、また、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質に
よる劣化を起こしにくいので定期的に交換する必要もな
い。
【００３６】このため、従来のものに比して、保守・管
理を容易にすることができ、また、コストダウンを図る
ことができる。 (2) 上記閉空間に空気または不活性ガスを供給するガス
導入口と、導入した上記空気または不活性ガスを排出す
るガス排気口を設け、閉空間にガスを流すことにより、
閉空間に存在するわずかな塵埃をも流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。 (3) 空気または不活性ガスの流路中に、一対または複数
対の放電電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧
を印加して、空気または不活性ガスをイオン化させるこ
とにより、マスクの帯電を除電することができ、マスク
に塵埃が付着する確率を低くすることができる。また乾
燥したガスを使用することができるので、結露や金属部
の腐食の心配もない。 (4) ガス導入口およびガス排出口の閉空間側における穴
の形状をスリット状とし、スリットの長辺をマスク面と
平行とすることにより、塵埃の滞留を防止し、マスクの
塵埃の付着を減少させることができる。
理を容易にすることができ、また、コストダウンを図る
ことができる。 (2) 上記閉空間に空気または不活性ガスを供給するガス
導入口と、導入した上記空気または不活性ガスを排出す
るガス排気口を設け、閉空間にガスを流すことにより、
閉空間に存在するわずかな塵埃をも流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。 (3) 空気または不活性ガスの流路中に、一対または複数
対の放電電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧
を印加して、空気または不活性ガスをイオン化させるこ
とにより、マスクの帯電を除電することができ、マスク
に塵埃が付着する確率を低くすることができる。また乾
燥したガスを使用することができるので、結露や金属部
の腐食の心配もない。 (4) ガス導入口およびガス排出口の閉空間側における穴
の形状をスリット状とし、スリットの長辺をマスク面と
平行とすることにより、塵埃の滞留を防止し、マスクの
塵埃の付着を減少させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図５】第４の実施例のマスクステージの斜視図であ
る。
る。
【図６】投影露光装置の構成を示す図である。
【図７】ペリクルを用いた従来のマスクの防塵方法を示
す図である。
す図である。
【図８】片テレセントリック・レンズの特性を説明する
図である。
図である。
【図９】光が斜めに入射することにより生ずる光学的収
差を説明する図である。
差を説明する図である。
１ 光照射装置 １ａ シャッタ １ｂ 光学フィルタ １ｃ コンデンサレンズ １ｄ ランプ １ｅ 集光鏡 ２ マスクステージ ２ａ ガス導入管 ２ｂ ガス排出管 ２ｃ ガス溜まり ２ｄ スリット ３ 投影レンズ ４ ワークステージ ５ アライメント・ユニット １１ ガラス板 ２１ 電源 ２２，２３ 放電電極 Ｍ マスク ＭＰ マスクパターン Ｗ ワーク Ｐ ペリクル ＳＰ スペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 紫外線を照射する光照射部と、 マスクと、該マスクを保持するマスクステージを含むマ
スクステージ部と、 投影レンズと、 ワークと、該ワークを保持するワークステージを含むワ
ークステージ部とからなる投影露光装置において、 上記投影レンズは両テレセントリックレンズであり、 上記マスクステージは、マスクと平行に配置されたガラ
ス板を含み、 上記マスクのパターンを形成された面と、上記マスクス
テージと、上記ガラス板とで閉空間を形成することを特
徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 マスクステージは、マスクのパターンを
形成された面とマスクステージとガラス板で形成された
閉空間に空気または不活性ガスを供給するガス導入口
と、導入した上記空気または不活性ガスを排出するガス
排気口を持つことを特徴とする請求項１の投影露光装
置。 - 【請求項３】 空気または不活性ガスをガス導入口に導
く流路中に、一対または複数対の放電電極を設け、該放
電電極に交流または直流電圧を印加して、空気または不
活性ガスをイオン化させることを特徴とする請求項２の
投影露光装置。 - 【請求項４】 ガス導入口およびガス排出口の閉空間側
における穴の形状がスリット状であり、該スリットの長
辺がマスク面と平行であることを特徴とする請求項２ま
たは請求項３の投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25493994A JP3158892B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25493994A JP3158892B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124822A true JPH08124822A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3158892B2 JP3158892B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=17271961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25493994A Expired - Fee Related JP3158892B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158892B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| JP2005010700A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Toppan Printing Co Ltd | 露光用原板の検査装置及び検査方法 |
| KR100842479B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-07-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 스캐너의 렌즈계의 오염 방지 방법 및 장치 |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| JP2010501999A (ja) * | 2006-12-08 | 2010-01-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US7911588B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and original |
| JP2015126044A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外光照射処理装置 |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP25493994A patent/JP3158892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| KR100496072B1 (ko) * | 2000-01-14 | 2005-06-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 장치 |
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| US6396563B2 (en) | 2000-01-14 | 2002-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus |
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| US6589354B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-07-08 | Paul B. Reid | Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning |
| KR100722905B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2007-05-30 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 현장에서의 리소그래피 마스크 세척을 위한 방법 및 장치 |
| JP2005010700A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Toppan Printing Co Ltd | 露光用原板の検査装置及び検査方法 |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US8064038B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample |
| JP2010501999A (ja) * | 2006-12-08 | 2010-01-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| KR100842479B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-07-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 스캐너의 렌즈계의 오염 방지 방법 및 장치 |
| US7911588B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and original |
| JP2015126044A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外光照射処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3158892B2 (ja) | 2001-04-23 |
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