JPH08124842A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH08124842A JPH08124842A JP6282872A JP28287294A JPH08124842A JP H08124842 A JPH08124842 A JP H08124842A JP 6282872 A JP6282872 A JP 6282872A JP 28287294 A JP28287294 A JP 28287294A JP H08124842 A JPH08124842 A JP H08124842A
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- JP
- Japan
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- mask
- photosensitive substrate
- stage
- positional relationship
- optical system
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は露光装置において、スループツトを低
下させることなく位置検出手段の検出特性の変動に起因
した結像特性の劣化を除去する。 【構成】マスク（２）と感光基板（３）を投影光学系
（４）に対して対面するように一体的に保持するステー
ジ保持台（５）に一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）
を所定の位置関係となるように保持させる。そしてこの
一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）についての光軸方
向に関する位置関係を定期的に検出することにより位置
検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の検出特性に生じた経時変
動を検出する。また検出された変動量に応じて駆動手段
に与える駆動信号を補正するようにしたことにより安定
した結像特性とスループツトを両立する。
下させることなく位置検出手段の検出特性の変動に起因
した結像特性の劣化を除去する。 【構成】マスク（２）と感光基板（３）を投影光学系
（４）に対して対面するように一体的に保持するステー
ジ保持台（５）に一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）
を所定の位置関係となるように保持させる。そしてこの
一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）についての光軸方
向に関する位置関係を定期的に検出することにより位置
検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の検出特性に生じた経時変
動を検出する。また検出された変動量に応じて駆動手段
に与える駆動信号を補正するようにしたことにより安定
した結像特性とスループツトを両立する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に自
動焦点調整機能を有する露光装置に適用して好適なもの
である。
動焦点調整機能を有する露光装置に適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、露光装置にはマスクと感光基板の
結像面で常に最適な解像力が得られるようにマスクと感
光基板とのそれぞれについて投影光学系の光軸方向の位
置を自動調整する機能、すなわち自動焦点調整機能が設
けられており、結像性能を安定させるようになされてい
る。
結像面で常に最適な解像力が得られるようにマスクと感
光基板とのそれぞれについて投影光学系の光軸方向の位
置を自動調整する機能、すなわち自動焦点調整機能が設
けられており、結像性能を安定させるようになされてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが通常マスクや
感光基板の、投影光学系の光軸方向の位置を計測する検
出器（フオーカスセンサ）には検出特性の経時的な変動
があり、解像力が劣化する要因となつている。このため
定期的にこれらの変動を計測して解像力の劣化を取り除
く作業が必要となつている。このため、定期的に試験露
光して感光基板上に形成されたパターンを顕微鏡等を用
いて実際に観察することにより変動を計測する方法が一
般に用いられている。ところがこれは人力に頼る作業で
あり多くの手間を要するため作業効率上好ましくない。
感光基板の、投影光学系の光軸方向の位置を計測する検
出器（フオーカスセンサ）には検出特性の経時的な変動
があり、解像力が劣化する要因となつている。このため
定期的にこれらの変動を計測して解像力の劣化を取り除
く作業が必要となつている。このため、定期的に試験露
光して感光基板上に形成されたパターンを顕微鏡等を用
いて実際に観察することにより変動を計測する方法が一
般に用いられている。ところがこれは人力に頼る作業で
あり多くの手間を要するため作業効率上好ましくない。
【０００４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、位置検出センサの検出結果の経時的な変動を装置自
身で計測し、自動的に校正することができる露光装置を
提案しようとするものである。
で、位置検出センサの検出結果の経時的な変動を装置自
身で計測し、自動的に校正することができる露光装置を
提案しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、マスク（２）と感光基板（３）と
を投影光学系（４）を挟んで対面するように一体的に保
持するステージ保持台（５）と、マスク（２）と感光基
板（３）との投影光学系（４）の光軸方向に関する位置
関係を検出する位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）と、該
位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の検出結果に基づいて
マスク（２）及び又は感光基板（３）を光軸方向に駆動
してマスク（２）と感光基板（３）を所定の位置関係に
位置決めする駆動手段とを備えた露光装置において、ス
テージ保持台（５）に所定の位置関係で配置された面を
有する一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）と、基準板
（１１Ａ）、（１１Ｂ）について検出された光軸方向に
関する位置関係に基づいて位置検出手段（４Ａ）〜（４
Ｄ）の検出特性に生じた経時変動を検出し、該検出結果
に基づいて駆動手段に与える駆動量を補正する制御手段
（１０）とを設けるようにする。
め本発明においては、マスク（２）と感光基板（３）と
を投影光学系（４）を挟んで対面するように一体的に保
持するステージ保持台（５）と、マスク（２）と感光基
板（３）との投影光学系（４）の光軸方向に関する位置
関係を検出する位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）と、該
位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の検出結果に基づいて
マスク（２）及び又は感光基板（３）を光軸方向に駆動
してマスク（２）と感光基板（３）を所定の位置関係に
位置決めする駆動手段とを備えた露光装置において、ス
テージ保持台（５）に所定の位置関係で配置された面を
有する一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）と、基準板
（１１Ａ）、（１１Ｂ）について検出された光軸方向に
関する位置関係に基づいて位置検出手段（４Ａ）〜（４
Ｄ）の検出特性に生じた経時変動を検出し、該検出結果
に基づいて駆動手段に与える駆動量を補正する制御手段
（１０）とを設けるようにする。
【０００６】
【作用】制御手段（１０）には予め試験露光を行うと共
に、位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）によつて検出され
た一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）の位置関係と、
さらに試験露光時に作業者によつて測定された補正値と
を入力しておく。以後、制御手段（１０）は露光の度、
又は定期的に一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）につ
いて求めた位置関係と予め求めた位置関係とを比較して
位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の出力に生じた経時的
な変動を検出し、変動に応じて駆動手段に与える駆動信
号を補正する。これにより露光の度、又は定期的に試験
露光を繰り返さなくても位置検出手段（４Ａ）〜（４
Ｄ）の検出特性に生じた経時変動を測定し、かつ補正す
ることができる。かくして安定した結像特性を実現する
ことができる。
に、位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）によつて検出され
た一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）の位置関係と、
さらに試験露光時に作業者によつて測定された補正値と
を入力しておく。以後、制御手段（１０）は露光の度、
又は定期的に一対の基準板（１１Ａ）、（１１Ｂ）につ
いて求めた位置関係と予め求めた位置関係とを比較して
位置検出手段（４Ａ）〜（４Ｄ）の出力に生じた経時的
な変動を検出し、変動に応じて駆動手段に与える駆動信
号を補正する。これにより露光の度、又は定期的に試験
露光を繰り返さなくても位置検出手段（４Ａ）〜（４
Ｄ）の検出特性に生じた経時変動を測定し、かつ補正す
ることができる。かくして安定した結像特性を実現する
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【０００８】図１において１は全体として自動焦点調整
機構付き走査型露光装置を示している。この走査型露光
装置１はマスク２と感光基板３とを保持したままの状態
でステージ保持台５を投影光学系４に対して矢印Ａの方
向に相対移動させることによりマスク２の全面を感光基
板３上に転写するようになされている。因にここで用い
る投影光学系４は等倍系であり、照明光学系６によつて
照明されたマスクパターンを等倍で感光基板３上に結像
することができる。
機構付き走査型露光装置を示している。この走査型露光
装置１はマスク２と感光基板３とを保持したままの状態
でステージ保持台５を投影光学系４に対して矢印Ａの方
向に相対移動させることによりマスク２の全面を感光基
板３上に転写するようになされている。因にここで用い
る投影光学系４は等倍系であり、照明光学系６によつて
照明されたマスクパターンを等倍で感光基板３上に結像
することができる。
【０００９】ここで投影光学系４には図２に示す構成の
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄが４組配置されている。各
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄは、図２に示すように、光
源（例えばＬＥＤ）７から射出された照明光をスリツト
形状に整形して検出面（マスク面及び感光基板面）上に
結像させると共に、検出面で反射された反射光を再度結
像させる光学系８と検出器９とによつてなる。因に検出
器９は１次元のＣＣＤや光位置検出器でなり、図３
（Ａ）に示すように入射されるスリツト像の結像位置Ｐ
１及びＰ２を検出することにより検出面の位置を間接的
に検出するようになされている。
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄが４組配置されている。各
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄは、図２に示すように、光
源（例えばＬＥＤ）７から射出された照明光をスリツト
形状に整形して検出面（マスク面及び感光基板面）上に
結像させると共に、検出面で反射された反射光を再度結
像させる光学系８と検出器９とによつてなる。因に検出
器９は１次元のＣＣＤや光位置検出器でなり、図３
（Ａ）に示すように入射されるスリツト像の結像位置Ｐ
１及びＰ２を検出することにより検出面の位置を間接的
に検出するようになされている。
【００１０】制御部１０はこれら４組のフオーカスセン
サ４Ａ〜４Ｄの測定結果からマスク面と感光基板面との
間隔を検出し、基板ステージ３Ａの光軸方向の位置をフ
イードバツク制御することにより最適な結像特性を得る
ことができる位置関係が得られるようにようになされて
いる。このとき制御部７は基板ステージ３Ａに設けられ
ている３つの駆動機構（感光基板３を投影光学系４の光
軸方向へ移動させるＺ方向駆動機構、感光基板３を投影
光学系４の光軸方向及び走査方向に対して直交するＹ軸
まわりに回転させるＺθ１駆動機構、及び感光基板３を
走査方向のＸ軸まわりに回転させるＺθ２駆動機構）を
制御し、マスク面の高さと傾斜に対して感光基板面の高
さと傾斜が一定かつ、投影光学系４に対して共役になる
ように制御する。
サ４Ａ〜４Ｄの測定結果からマスク面と感光基板面との
間隔を検出し、基板ステージ３Ａの光軸方向の位置をフ
イードバツク制御することにより最適な結像特性を得る
ことができる位置関係が得られるようにようになされて
いる。このとき制御部７は基板ステージ３Ａに設けられ
ている３つの駆動機構（感光基板３を投影光学系４の光
軸方向へ移動させるＺ方向駆動機構、感光基板３を投影
光学系４の光軸方向及び走査方向に対して直交するＹ軸
まわりに回転させるＺθ１駆動機構、及び感光基板３を
走査方向のＸ軸まわりに回転させるＺθ２駆動機構）を
制御し、マスク面の高さと傾斜に対して感光基板面の高
さと傾斜が一定かつ、投影光学系４に対して共役になる
ように制御する。
【００１１】ただしこのフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの
測定結果には経時的に見ると検出器９の出力や光学系８
の物理的な変動により検出結果が変動することが予想さ
れる。そこでこの実施例の場合、剛体であるステージ保
持台５に一対の平板１１Ａと１１Ｂとを対面させて固定
し、定期的にこれら一対の平板１１Ａ及び１１Ｂの絶対
位置をフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄによつて測定するこ
とにより経時変動を測定できるようになされている。こ
れは平板１１Ａ及び１１Ｂの位置が常に一定であるため
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの出力に図３（Ｂ）に示す
ような変動があつた場合、変動要因をフオーカスセンサ
４Ａ〜４Ｄ自体に特定できることによる。
測定結果には経時的に見ると検出器９の出力や光学系８
の物理的な変動により検出結果が変動することが予想さ
れる。そこでこの実施例の場合、剛体であるステージ保
持台５に一対の平板１１Ａと１１Ｂとを対面させて固定
し、定期的にこれら一対の平板１１Ａ及び１１Ｂの絶対
位置をフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄによつて測定するこ
とにより経時変動を測定できるようになされている。こ
れは平板１１Ａ及び１１Ｂの位置が常に一定であるため
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの出力に図３（Ｂ）に示す
ような変動があつた場合、変動要因をフオーカスセンサ
４Ａ〜４Ｄ自体に特定できることによる。
【００１２】以上の構成において、この一対の平板１１
Ａ及び１１Ｂを用いた自動焦点調整機構の自動校正動作
について説明する。ただしこの走査型露光装置１におけ
るステージ保持台５の走査精度は高い精度に維持されて
いるものとする。具体的には走査範囲における結像面に
対する傾き（倒れ）が常に微小量であることが必須であ
り、これを達成するために様々な角度からレーザ干渉計
等を利用した計測と調整が行われているものとする。
Ａ及び１１Ｂを用いた自動焦点調整機構の自動校正動作
について説明する。ただしこの走査型露光装置１におけ
るステージ保持台５の走査精度は高い精度に維持されて
いるものとする。具体的には走査範囲における結像面に
対する傾き（倒れ）が常に微小量であることが必須であ
り、これを達成するために様々な角度からレーザ干渉計
等を利用した計測と調整が行われているものとする。
【００１３】まず初期設定時（時点ｔ0 ）、図１に示す
ように、ステージ保持台５を移動してマスク側の平板１
１Ａと感光基板側の平板１１Ｂに照明光を照射し、その
スリツト像を検出器９上に結像させる。そして平板１１
Ａ及び１１Ｂの光軸方向における絶対位置を測定する。
因にこのように測定位置に移動されるステージ保持台５
の設定再現精度は少なくとも計測用のスリツト像の巾よ
りも十分に小さく抑えられており、スリツト像が結像さ
れる位置の面精度による影響を極力除去し得るようにな
されている。
ように、ステージ保持台５を移動してマスク側の平板１
１Ａと感光基板側の平板１１Ｂに照明光を照射し、その
スリツト像を検出器９上に結像させる。そして平板１１
Ａ及び１１Ｂの光軸方向における絶対位置を測定する。
因にこのように測定位置に移動されるステージ保持台５
の設定再現精度は少なくとも計測用のスリツト像の巾よ
りも十分に小さく抑えられており、スリツト像が結像さ
れる位置の面精度による影響を極力除去し得るようにな
されている。
【００１４】このとき検出器９上に再結像されるスリツ
ト像Ｐ１及びＰ２の位置が図３（Ａ）に示す位置関係で
あるとすると、制御部１０は検出器９のどちらか一端を
原点としてスリツト像Ｐ１及びＰ２の位置を個々計測
し、その絶対位置ａ及びｂを記憶する。因にこの初期設
定の際には従来の場合と同様、フオーカスセンサ４Ａ〜
４Ｄを用いた試験露光が必要であり、形成されたパター
ン像の観察結果を基に設定されたフオーカスセンサ４Ａ
〜４Ｄの補正値を制御部１０に入力する作業を要する。
このような初期設定処理の終了後、走査露光を開始す
る。
ト像Ｐ１及びＰ２の位置が図３（Ａ）に示す位置関係で
あるとすると、制御部１０は検出器９のどちらか一端を
原点としてスリツト像Ｐ１及びＰ２の位置を個々計測
し、その絶対位置ａ及びｂを記憶する。因にこの初期設
定の際には従来の場合と同様、フオーカスセンサ４Ａ〜
４Ｄを用いた試験露光が必要であり、形成されたパター
ン像の観察結果を基に設定されたフオーカスセンサ４Ａ
〜４Ｄの補正値を制御部１０に入力する作業を要する。
このような初期設定処理の終了後、走査露光を開始す
る。
【００１５】やがてこの初期設定時からある時間が経過
すると（この時間をｔ1 とする）、制御部１０は再度、
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄによる平板１１Ａ及び１１
Ｂの測定を指示し、初期設定時（ｔ0 ）に得られた結像
位置ａ及びｂに対する変位量（若しくは、結像位置ａ、
ｂの間隔の変動量）を求める。この量が０である場合は
変動がないためそのまま走査露光を継続する。
すると（この時間をｔ1 とする）、制御部１０は再度、
フオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄによる平板１１Ａ及び１１
Ｂの測定を指示し、初期設定時（ｔ0 ）に得られた結像
位置ａ及びｂに対する変位量（若しくは、結像位置ａ、
ｂの間隔の変動量）を求める。この量が０である場合は
変動がないためそのまま走査露光を継続する。
【００１６】これに対して検出対象である平板１１Ａ及
び１１Ｂの間隔が変化していないにも関わらず、図３
（Ｂ）に示すようにスリツト像の結像位置にΔａ及びΔ
ｂの変動（若しくは、間隔の変動）があつた場合には制
御部１０はフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの出力に変動が
あつたとしてマスク面及び感光基板面の基準位置を結像
位置ａ’及びｂ’に（若しくは、基準後の間隔を変動後
の間隔に）変更する。
び１１Ｂの間隔が変化していないにも関わらず、図３
（Ｂ）に示すようにスリツト像の結像位置にΔａ及びΔ
ｂの変動（若しくは、間隔の変動）があつた場合には制
御部１０はフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの出力に変動が
あつたとしてマスク面及び感光基板面の基準位置を結像
位置ａ’及びｂ’に（若しくは、基準後の間隔を変動後
の間隔に）変更する。
【００１７】そして制御部１０は新たに得られた結像位
置ａ’及びｂ’（若しくは、変動後の間隔）を基準とし
てマスク面及び感光基板面の間隔が一定となるように基
板ステージ３Ａを駆動制御して走査露光を継続する。こ
れによりフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの検出特性の経時
変動による結像特性の劣化を抑制することができる。ま
たこの際従来のような試験は必要ないため、スループツ
トを低下させることなく走査露光を継続することができ
る。
置ａ’及びｂ’（若しくは、変動後の間隔）を基準とし
てマスク面及び感光基板面の間隔が一定となるように基
板ステージ３Ａを駆動制御して走査露光を継続する。こ
れによりフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄの検出特性の経時
変動による結像特性の劣化を抑制することができる。ま
たこの際従来のような試験は必要ないため、スループツ
トを低下させることなく走査露光を継続することができ
る。
【００１８】因に従来方式の場合であれば、フオーカス
センサ４Ａ〜４Ｄの出力に変動があつた場合にも、走査
露光中におけるマスク面と感光基板面の位置は時点（ｔ
0 ）に求められた結像位置ａ及びｂに対する変位として
認識され続けられることになるため変動分Δａ及びΔｂ
に基づく結像特性の劣化を避け得ない。
センサ４Ａ〜４Ｄの出力に変動があつた場合にも、走査
露光中におけるマスク面と感光基板面の位置は時点（ｔ
0 ）に求められた結像位置ａ及びｂに対する変位として
認識され続けられることになるため変動分Δａ及びΔｂ
に基づく結像特性の劣化を避け得ない。
【００１９】以上の構成によれば、ステージ保持台２に
経時的な間隔変動のない一対の平板１１Ａ及び１１Ｂを
取り付け、これら一対の平板１１Ａ及び１１Ｂの間隔を
定期的に測定してフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄに生じた
出力特性の経時変動を計測し、基板ステージ３Ａに与え
る制御量を自動的に補正できるようにしたことにより、
スループツトを低下させずにフオーカス精度を維持する
ことができる走査型露光装置を実現することができる。
経時的な間隔変動のない一対の平板１１Ａ及び１１Ｂを
取り付け、これら一対の平板１１Ａ及び１１Ｂの間隔を
定期的に測定してフオーカスセンサ４Ａ〜４Ｄに生じた
出力特性の経時変動を計測し、基板ステージ３Ａに与え
る制御量を自動的に補正できるようにしたことにより、
スループツトを低下させずにフオーカス精度を維持する
ことができる走査型露光装置を実現することができる。
【００２０】なお上述の実施例においては、マスク２の
平面度が良好であることと縦型保持により歪みや傾斜の
影響が少ないことを考慮して基板ステージ３Ａ側にのみ
Ｚ駆動機構、Ｚθ１駆動機構、及びＺθ２駆動機構を設
ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スクステージ２Ａ側に設けても良く、また両方に設けて
も良い。
平面度が良好であることと縦型保持により歪みや傾斜の
影響が少ないことを考慮して基板ステージ３Ａ側にのみ
Ｚ駆動機構、Ｚθ１駆動機構、及びＺθ２駆動機構を設
ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スクステージ２Ａ側に設けても良く、また両方に設けて
も良い。
【００２１】また上述の実施例においては、一対の平板
１１Ａ及び１１Ｂの間隔を定期的に測定するとしたが、
これは感光基板を交換するごとであつても良く、感光基
板を収納するカセツトを交換するごとであつても良い。
またこれに限らず指定枚数の露光動作が終了するごとに
測定するようにしても良く、指定時間ごとに測定する場
合であつても良い。
１１Ａ及び１１Ｂの間隔を定期的に測定するとしたが、
これは感光基板を交換するごとであつても良く、感光基
板を収納するカセツトを交換するごとであつても良い。
またこれに限らず指定枚数の露光動作が終了するごとに
測定するようにしても良く、指定時間ごとに測定する場
合であつても良い。
【００２２】さらに上述の実施例においては、投影光学
系４として等倍系を用いる場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、縮小光学系を用いる場合にも適用し
得る。さらに上述の実施例においては、走査型露光装置
に適用する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、いわゆるステツパにも適用し得る。
系４として等倍系を用いる場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、縮小光学系を用いる場合にも適用し
得る。さらに上述の実施例においては、走査型露光装置
に適用する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、いわゆるステツパにも適用し得る。
【００２３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ステージ
保持台に配置された一対の基準板について光軸方向に関
する位置関係を定期的に検出することにより位置検出手
段の検出特性に生じた経時変動を検出し、検出された変
動に応じて駆動手段に与える駆動信号を補正するように
したことにより安定した結像特性とスループツトを両立
することができる露光装置を容易に実現することができ
る。
保持台に配置された一対の基準板について光軸方向に関
する位置関係を定期的に検出することにより位置検出手
段の検出特性に生じた経時変動を検出し、検出された変
動に応じて駆動手段に与える駆動信号を補正するように
したことにより安定した結像特性とスループツトを両立
することができる露光装置を容易に実現することができ
る。
【図１】本発明による露光装置の一実施例を示す略線的
斜視図である。
斜視図である。
【図２】フオーカスセンサの構成を示す光路図である。
【図３】検出器で測定されるスリツト像とその位置の経
時変動を示す図である。
時変動を示す図である。
１……走査型露光装置、２……マスク、２Ａ……マスク
ステージ、３……感光基板、３Ａ……基板ステージ、４
……投影光学系、４Ａ〜４Ｄ……フオーカスセンサ、５
……ステージ保持台、６……照明光学系、７……光源、
８……光学系、９……検出器、１０……制御部、１１
Ａ、１１Ｂ……平板。
ステージ、３……感光基板、３Ａ……基板ステージ、４
……投影光学系、４Ａ〜４Ｄ……フオーカスセンサ、５
……ステージ保持台、６……照明光学系、７……光源、
８……光学系、９……検出器、１０……制御部、１１
Ａ、１１Ｂ……平板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奈良部 毅 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号株式 会社ニコン内
Claims (5)
- 【請求項１】マスクと感光基板とを投影光学系を挟んで
対面するように一体的に保持するステージ保持台と、前
記マスクと前記感光基板との前記投影光学系の光軸方向
に関する位置関係を検出する位置検出手段と、該位置検
出手段の検出結果に基づいて前記マスク及び又は前記感
光基板を前記光軸方向に駆動して前記マスクと前記感光
基板を所定の位置関係に位置決めする駆動手段とを備え
た露光装置において、 前記ステージ保持台に前記所定の位置関係で配置された
面を有する一対の基準板と、 前記基準板について検出された前記光軸方向に関する位
置関係に基づいて前記位置検出手段の検出特性に生じた
経時変動を検出し、該検出結果に基づいて前記駆動手段
に与える駆動量を補正する制御手段とを具えることを特
徴とする露光装置。 - 【請求項２】前記投影光学系は等倍光学系であり、前記
位置検出手段は前記位置関係として前記マスクと前記感
光基板との間隔を検出することを特徴とする請求項１に
記載の露光装置。 - 【請求項３】前記ステージ保持台は前記投影光学系に対
して相対移動し、該相対移動によつて前記マスクの全面
が前記感光基板上に露光されることを特徴とする請求項
１に記載の露光装置。 - 【請求項４】前記マスクを前記ステージ保持台に対して
移動可能に載置するマスクステージと前記感光基板を前
記ステージ保持台に対して移動可能に載置する基板ステ
ージとのいずれか一方を少なくとも備え、前記駆動手段
は前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも
一方を制御することにより前記マスクと前記感光基板と
の位置関係を調整することを特徴とする請求項３に記載
の露光装置。 - 【請求項５】前記制御手段は、前記検出結果に基づいて
前記位置検出手段による検出結果を補正することを特徴
とする請求項１に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6282872A JPH08124842A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 露光装置 |
| KR1019950036423A KR960015094A (ko) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | 노광장치 |
| US08/950,964 US5798822A (en) | 1994-10-21 | 1997-10-15 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6282872A JPH08124842A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124842A true JPH08124842A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17658183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6282872A Pending JPH08124842A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5798822A (ja) |
| JP (1) | JPH08124842A (ja) |
| KR (1) | KR960015094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980005341A (ko) * | 1996-06-25 | 1998-03-30 | 고노 시게오 | 노광 장치 |
| EP0834773A3 (en) * | 1996-10-07 | 1999-07-28 | Nikon Corporation | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JPWO2016159295A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-02-01 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399813B1 (ko) * | 1994-12-14 | 2004-06-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 |
| US6049372A (en) * | 1996-06-25 | 2000-04-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US6317196B1 (en) | 1996-06-25 | 2001-11-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6509953B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning |
| US6260282B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-07-17 | Nikon Corporation | Stage control with reduced synchronization error and settling time |
| US6211945B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-03 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
| US6621553B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-09-16 | Perkinelmer, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
| JP5986646B2 (ja) | 2012-02-07 | 2016-09-06 | マテリアリティクス，エルエルシー | 試料を分析する方法およびシステム |
| WO2014150696A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Materialytics, LLC | Methods and systems for analyzing samples |
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|---|---|---|---|---|
| JPH07142325A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-06-02 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JPH07326567A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nikon Corp | 等倍投影型露光装置 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP6282872A patent/JPH08124842A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-20 KR KR1019950036423A patent/KR960015094A/ko not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-10-15 US US08/950,964 patent/US5798822A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0834773A3 (en) * | 1996-10-07 | 1999-07-28 | Nikon Corporation | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JPWO2016159295A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-02-01 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5798822A (en) | 1998-08-25 |
| KR960015094A (ko) | 1996-05-22 |
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