JPH08124846A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
- Publication number
- JPH08124846A JPH08124846A JP7233456A JP23345695A JPH08124846A JP H08124846 A JPH08124846 A JP H08124846A JP 7233456 A JP7233456 A JP 7233456A JP 23345695 A JP23345695 A JP 23345695A JP H08124846 A JPH08124846 A JP H08124846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- processing
- liquid
- cylindrical wall
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の裏面側への処理液の侵入を阻止し
て、処理能率の向上及び歩留まりの向上を図ること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを回転保持するスピンチ
ャック２１と、半導体ウエハＷの表面に現像液Ｌを供給
する処理液供給ノズル２３と、半導体ウエハＷの表面及
び裏面にリンス液Ｒを供給する第１及び第２の洗浄液噴
射ノズル３１，３２と、半導体ウエハＷの裏面周縁部側
に近接する部位に配置される円筒壁２４とを具備する処
理装置において、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａを５〜
１５ｍｍに形成する。これにより、現像処理前に、半導
体ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの
間にリンス液Ｒの液膜を形成することができ、この液膜
によって現像液Ｌの裏面回り込みを阻止することができ
る。
て、処理能率の向上及び歩留まりの向上を図ること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを回転保持するスピンチ
ャック２１と、半導体ウエハＷの表面に現像液Ｌを供給
する処理液供給ノズル２３と、半導体ウエハＷの表面及
び裏面にリンス液Ｒを供給する第１及び第２の洗浄液噴
射ノズル３１，３２と、半導体ウエハＷの裏面周縁部側
に近接する部位に配置される円筒壁２４とを具備する処
理装置において、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａを５〜
１５ｍｍに形成する。これにより、現像処理前に、半導
体ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの
間にリンス液Ｒの液膜を形成することができ、この液膜
によって現像液Ｌの裏面回り込みを阻止することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は被処理体の表面に
処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理方法及
び処理装置に関するものである。
処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理方法及
び処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。
【０００３】上記現像処理を行う場合、ウエハを回転保
持手段であるスピンチャックにて吸着保持して、ウエハ
を水平方向に回転させながら、ウエハの表面に現像液を
供給して現像処理を行う。この場合、ウエハの裏面に現
像液が回り込んでウエハに付着したり、スピンチャック
の回転部に現像液が侵入するのを防止するために、ウエ
ハの裏面に洗浄液を吹き当てる方法が知られている（特
開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１４７４７
８号公報等参照）。
持手段であるスピンチャックにて吸着保持して、ウエハ
を水平方向に回転させながら、ウエハの表面に現像液を
供給して現像処理を行う。この場合、ウエハの裏面に現
像液が回り込んでウエハに付着したり、スピンチャック
の回転部に現像液が侵入するのを防止するために、ウエ
ハの裏面に洗浄液を吹き当てる方法が知られている（特
開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１４７４７
８号公報等参照）。
【０００４】また、ウエハの回転中心とほぼ同心の筒体
壁の頂面をウエハの裏面周縁部に微小な隙間をもって対
向させ、ウエハの周縁部から裏面側へ回り込む現像液を
上記隙間部に毛管現象によって保持して、現像液がそれ
以上の内方へ侵入することを阻止する方法が知られてい
る（特公平３−３４２０７号公報参照）。
壁の頂面をウエハの裏面周縁部に微小な隙間をもって対
向させ、ウエハの周縁部から裏面側へ回り込む現像液を
上記隙間部に毛管現象によって保持して、現像液がそれ
以上の内方へ侵入することを阻止する方法が知られてい
る（特公平３−３４２０７号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち特開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１
４７４７８号公報等に記載の技術は、処理液の裏回りを
防ぐため、ウエハ裏面全面に連続的に洗浄液等を噴射し
続ける必要がある。そのため、ウエハの表面に塗布した
フォトレジストにパターンを露光し、現像処理する場合
等においては、現像温度を所望値に保持しながら、現像
液をウエハに連続して供給しなければならないが、ウエ
ハの下面に連続的に噴射される洗浄液等の温度により、
ウエハの温度が変化し現像液温度が変動して、現像処理
むらが発生するという問題があった。
なわち特開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１
４７４７８号公報等に記載の技術は、処理液の裏回りを
防ぐため、ウエハ裏面全面に連続的に洗浄液等を噴射し
続ける必要がある。そのため、ウエハの表面に塗布した
フォトレジストにパターンを露光し、現像処理する場合
等においては、現像温度を所望値に保持しながら、現像
液をウエハに連続して供給しなければならないが、ウエ
ハの下面に連続的に噴射される洗浄液等の温度により、
ウエハの温度が変化し現像液温度が変動して、現像処理
むらが発生するという問題があった。
【０００６】後者すなわち特公平３−３４２０７号公報
に記載の技術は、ウエハの裏面と円筒壁の頂面とを近付
ければ近付ける程裏回りを防止できるが、現像液を振り
切る高速回転時にウエハと円筒壁が擦れる場合があり、
パーティクルが発生してウエハに付着してウエハの歩留
まりを低下させたり、更にはウエハが破損をきたすとい
う問題があった。
に記載の技術は、ウエハの裏面と円筒壁の頂面とを近付
ければ近付ける程裏回りを防止できるが、現像液を振り
切る高速回転時にウエハと円筒壁が擦れる場合があり、
パーティクルが発生してウエハに付着してウエハの歩留
まりを低下させたり、更にはウエハが破損をきたすとい
う問題があった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の裏面内方側への処理液の侵入を阻止し
て、処理能率の向上及び製品歩留りの向上を図れるよう
にした処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。
で、被処理体の裏面内方側への処理液の侵入を阻止し
て、処理能率の向上及び製品歩留りの向上を図れるよう
にした処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理方法は、回転保持手段にて保
持される被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の
表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処理体の表
面に処理液を供給する前に、被処理体の裏面周縁部と被
処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の
液膜を形成することを特徴とするものである（請求項
１）。
に、この発明の第１の処理方法は、回転保持手段にて保
持される被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の
表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処理体の表
面に処理液を供給する前に、被処理体の裏面周縁部と被
処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の
液膜を形成することを特徴とするものである（請求項
１）。
【０００９】また、この発明の第２の処理方法は、上記
第１の処理方法と同様に、回転保持手段にて保持される
被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の表面を処
理する処理方法を前提とし、上記被処理体の裏面周縁部
と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄
液の液膜を形成する工程と、上記被処理体の表面に処理
液を供給する工程と、上記被処理体を回転して処理液を
被処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体の表面
及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有すること
を特徴とするものである（請求項２）。
第１の処理方法と同様に、回転保持手段にて保持される
被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の表面を処
理する処理方法を前提とし、上記被処理体の裏面周縁部
と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄
液の液膜を形成する工程と、上記被処理体の表面に処理
液を供給する工程と、上記被処理体を回転して処理液を
被処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体の表面
及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有すること
を特徴とするものである（請求項２）。
【００１０】また、この発明の第３の処理方法は、上記
第１及び第２の処理方法と同様に、回転保持手段にて保
持される被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の
表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処理体の裏
面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との
間に洗浄液の液膜を形成する工程と、上記被処理体の表
面に処理液を供給する工程と、上記被処理体を静止させ
ると共に、処理雰囲気を上記処理液の蒸気雰囲気に維持
して処理液を被処理体全面に拡散させる工程と、上記被
処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程と
を有することを特徴とするものである（請求項３）。
第１及び第２の処理方法と同様に、回転保持手段にて保
持される被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の
表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処理体の裏
面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との
間に洗浄液の液膜を形成する工程と、上記被処理体の表
面に処理液を供給する工程と、上記被処理体を静止させ
ると共に、処理雰囲気を上記処理液の蒸気雰囲気に維持
して処理液を被処理体全面に拡散させる工程と、上記被
処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程と
を有することを特徴とするものである（請求項３）。
【００１１】上記処理方法において、上記被処理体を回
転させながら被処理体の裏面周縁部と円筒壁の頂面との
間に洗浄液を供給することにより、被処理体の裏面周縁
部と円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成すること
ができる。
転させながら被処理体の裏面周縁部と円筒壁の頂面との
間に洗浄液を供給することにより、被処理体の裏面周縁
部と円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成すること
ができる。
【００１２】また、被処理体の裏面周縁部と被処理体の
裏面に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの
幅の洗浄液の液膜を形成する方が好ましい（請求項
４）。また、被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に
近接する円筒壁の頂面との間隔を０．５〜１．５ｍｍと
する方が好ましい（請求項５）。
裏面に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの
幅の洗浄液の液膜を形成する方が好ましい（請求項
４）。また、被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に
近接する円筒壁の頂面との間隔を０．５〜１．５ｍｍと
する方が好ましい（請求項５）。
【００１３】この発明の第１の処理装置は、被処理体を
回転させる回転保持手段と、被処理体の表面に処理液を
供給する処理液供給手段と、被処理体の表面及び裏面に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、被処理体の裏面周
縁部側に近接する部位に配置される円筒壁とを具備する
処理装置を前提とし、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５
ｍｍに形成したことを特徴とするものである（請求項
６）。
回転させる回転保持手段と、被処理体の表面に処理液を
供給する処理液供給手段と、被処理体の表面及び裏面に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、被処理体の裏面周
縁部側に近接する部位に配置される円筒壁とを具備する
処理装置を前提とし、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５
ｍｍに形成したことを特徴とするものである（請求項
６）。
【００１４】また、この発明の第２の処理装置は、上記
第１の処理装置と同様に、被処理体を回転させる回転保
持手段と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供
給手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する
洗浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する
部位に配置される円筒壁とを具備する処理装置を前提と
し、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成し、上
記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔を０．５〜
１．５ｍｍとしたことを特徴とするものである（請求項
７）。
第１の処理装置と同様に、被処理体を回転させる回転保
持手段と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供
給手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する
洗浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する
部位に配置される円筒壁とを具備する処理装置を前提と
し、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成し、上
記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔を０．５〜
１．５ｍｍとしたことを特徴とするものである（請求項
７）。
【００１５】この発明の処理装置において、上記円筒壁
の頂面は平坦面であってもよく、あるいは、円筒壁の頂
面に凹凸条を形成してもよく（請求項８）、また円筒壁
の頂面に凹部を形成してもよい（請求項９）。更には、
円筒壁の頂面を外周に向って下り勾配の傾斜面としても
よい（請求項１０）。
の頂面は平坦面であってもよく、あるいは、円筒壁の頂
面に凹凸条を形成してもよく（請求項８）、また円筒壁
の頂面に凹部を形成してもよい（請求項９）。更には、
円筒壁の頂面を外周に向って下り勾配の傾斜面としても
よい（請求項１０）。
【００１６】また、この発明の第３の処理装置は、被処
理体を回転させる回転保持手段と、被処理体の表面に処
理液を供給する処理液供給手段と、被処理体の裏面周縁
部側に近接する部位に配置される円筒壁とを具備する処
理装置を前提とし、上記円筒壁の頂面に、内周側壁に対
して外周側壁が外周方向へ傾斜する複数の略Ｖ字形凹条
部を形成したことを特徴とするものである（請求項１
１）。
理体を回転させる回転保持手段と、被処理体の表面に処
理液を供給する処理液供給手段と、被処理体の裏面周縁
部側に近接する部位に配置される円筒壁とを具備する処
理装置を前提とし、上記円筒壁の頂面に、内周側壁に対
して外周側壁が外周方向へ傾斜する複数の略Ｖ字形凹条
部を形成したことを特徴とするものである（請求項１
１）。
【００１７】また、この発明の第４の処理装置は、上記
第３の処理装置と同様に被処理体を回転させる回転保持
手段と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備する処理装置を前提とし、上記円
筒壁の頂面に、凹溝を形成すると共に、この凹溝に関し
て内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層及び
外壁層を形成したことを特徴とするものである（請求項
１２）。この場合、内壁層及び外壁層の凹凸条の形状は
任意でよいが、好ましくは凹条部が、内周側壁に対して
外周側壁が外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝である方がよ
い（請求項１３）。また、上記凹溝の底部に排液口を設
ける方が好ましい（請求項１４）。
第３の処理装置と同様に被処理体を回転させる回転保持
手段と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備する処理装置を前提とし、上記円
筒壁の頂面に、凹溝を形成すると共に、この凹溝に関し
て内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層及び
外壁層を形成したことを特徴とするものである（請求項
１２）。この場合、内壁層及び外壁層の凹凸条の形状は
任意でよいが、好ましくは凹条部が、内周側壁に対して
外周側壁が外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝である方がよ
い（請求項１３）。また、上記凹溝の底部に排液口を設
ける方が好ましい（請求項１４）。
【００１８】請求項１ないし１０記載の発明によれば、
回転保持手段にて保持される被処理体の表面に処理液を
供給して被処理体の表面を処理するに当って、被処理体
の表面に処理液を供給する前に、被処理体の裏面周縁部
と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄
液の液膜を形成することにより、処理工程時に処理液が
被処理体の表面に供給されて表面に拡散され、被処理体
の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液膜によって阻止
することができる。また、液膜は洗浄液によって形成さ
れるので、処理後の洗浄工程で使用される洗浄液と相俟
って被処理体の裏面洗浄に供することができる。
回転保持手段にて保持される被処理体の表面に処理液を
供給して被処理体の表面を処理するに当って、被処理体
の表面に処理液を供給する前に、被処理体の裏面周縁部
と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄
液の液膜を形成することにより、処理工程時に処理液が
被処理体の表面に供給されて表面に拡散され、被処理体
の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液膜によって阻止
することができる。また、液膜は洗浄液によって形成さ
れるので、処理後の洗浄工程で使用される洗浄液と相俟
って被処理体の裏面洗浄に供することができる。
【００１９】また、請求項１１記載の発明によれば、円
筒壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ
傾斜する複数の略Ｖ字形凹条を形成することにより、処
理時に処理液が被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入す
るのを内周側壁によって阻止することができ、また、円
筒壁の頂面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処
理体裏面との間に容易に液膜を形成することができ、こ
の液膜によって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を
抑制することができる。また、処理後の処理液の振り切
り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易
に外方に排出することができる。
筒壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ
傾斜する複数の略Ｖ字形凹条を形成することにより、処
理時に処理液が被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入す
るのを内周側壁によって阻止することができ、また、円
筒壁の頂面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処
理体裏面との間に容易に液膜を形成することができ、こ
の液膜によって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を
抑制することができる。また、処理後の処理液の振り切
り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易
に外方に排出することができる。
【００２０】また、請求項１２記載の処理装置によれ
ば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側にそれぞれ
複数の凹凸条を有する内壁層及び外壁層を形成すること
により、被処理体裏面へ回り込む処理液の侵入をまず外
壁層にて阻止し、外壁層を通過する処理液を、凹溝，内
壁層にて阻止することができるので、処理液の侵入を確
実に阻止することができる。この場合、処理液を供給す
る前に、予め内壁層の頂面と被処理体の裏面周縁部との
間に洗浄液の液膜を形成してもよい。
ば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側にそれぞれ
複数の凹凸条を有する内壁層及び外壁層を形成すること
により、被処理体裏面へ回り込む処理液の侵入をまず外
壁層にて阻止し、外壁層を通過する処理液を、凹溝，内
壁層にて阻止することができるので、処理液の侵入を確
実に阻止することができる。この場合、処理液を供給す
る前に、予め内壁層の頂面と被処理体の裏面周縁部との
間に洗浄液の液膜を形成してもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施形態を図面
に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れて使用される現像装置に適用した場合について説明す
る。
に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れて使用される現像装置に適用した場合について説明す
る。
【００２２】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置可能
に構成したキャリアステーション３を有し、このキャリ
アステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬出及
びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けられて
いる。また、塗布・現像処理システム１の中央部にてそ
の長さ方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム
４からウエハＷを受け渡されるメインアーム５が設けら
れており、このメインアーム５の移送路の両側には各種
処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理
機構としてはキャリアステーション３側の側方には、プ
ロセスステーション６として例えばウエハＷをブラシ洗
浄するためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水によ
り洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機７Ａが並設さ
れ、その隣には、２基の加熱装置９が積み重ねて設けら
れると共に、メインアーム５の移送路の反対側にはこの
発明の処理装置である現像装置８が２基並設されてい
る。
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置可能
に構成したキャリアステーション３を有し、このキャリ
アステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬出及
びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けられて
いる。また、塗布・現像処理システム１の中央部にてそ
の長さ方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム
４からウエハＷを受け渡されるメインアーム５が設けら
れており、このメインアーム５の移送路の両側には各種
処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理
機構としてはキャリアステーション３側の側方には、プ
ロセスステーション６として例えばウエハＷをブラシ洗
浄するためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水によ
り洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機７Ａが並設さ
れ、その隣には、２基の加熱装置９が積み重ねて設けら
れると共に、メインアーム５の移送路の反対側にはこの
発明の処理装置である現像装置８が２基並設されてい
る。
【００２３】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。
【００２４】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１３が２台並設されている。なお、図示されな
いがこれらレジスト塗布装置１３の側部には、インター
フェースユニットを介してレジスト膜に所定の微細パタ
ーンを露光するための露光装置等が設けられている。
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１３が２台並設されている。なお、図示されな
いがこれらレジスト塗布装置１３の側部には、インター
フェースユニットを介してレジスト膜に所定の微細パタ
ーンを露光するための露光装置等が設けられている。
【００２５】上記のように構成された塗布・現像処理シ
ステム１に組み込まれるこの発明の現像装置８は、図２
に示すように、ウエハＷを収容する筒状の処理容器２０
と、ウエハＷを水平状態に吸着保持する回転保持手段と
してのスピンチャック２１と、スピンチャック２１の上
方に位置して、処理液としての現像液の供給源２２から
供給される現像液ＬをウエハＷの表面（上面）に供給す
る処理液供給手段としての処理液供給ノズル２３とを具
備してなり、処理容器２０におけるウエハＷの裏面周縁
部の近傍位置に現像液Ｌのウエハ裏面側への侵入を阻止
するための筒状部分の厚さ（幅）Ａが５〜１５mm程度の
平坦状の頂面２４ａを有する円筒壁２４を周設してなる
（図３参照）。この円筒壁２４は例えば塩化ビニールあ
るいはセラミックス等のような耐水性及び耐蝕性を有す
る部材にて形成されている。この円筒壁２４の外径直径
方向の大きさは、頂面２４ａの直径が、ウエハＷの直径
よりも１０ｍｍ程度内側つまりウエハＷの例えばオリエ
ンテーションフラットよりも内側になるような直径とさ
れており、また、円筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの
裏面との対向間隔Ｂが０．５〜１．５mm程度となるよう
に配置されている（図３参照）。
ステム１に組み込まれるこの発明の現像装置８は、図２
に示すように、ウエハＷを収容する筒状の処理容器２０
と、ウエハＷを水平状態に吸着保持する回転保持手段と
してのスピンチャック２１と、スピンチャック２１の上
方に位置して、処理液としての現像液の供給源２２から
供給される現像液ＬをウエハＷの表面（上面）に供給す
る処理液供給手段としての処理液供給ノズル２３とを具
備してなり、処理容器２０におけるウエハＷの裏面周縁
部の近傍位置に現像液Ｌのウエハ裏面側への侵入を阻止
するための筒状部分の厚さ（幅）Ａが５〜１５mm程度の
平坦状の頂面２４ａを有する円筒壁２４を周設してなる
（図３参照）。この円筒壁２４は例えば塩化ビニールあ
るいはセラミックス等のような耐水性及び耐蝕性を有す
る部材にて形成されている。この円筒壁２４の外径直径
方向の大きさは、頂面２４ａの直径が、ウエハＷの直径
よりも１０ｍｍ程度内側つまりウエハＷの例えばオリエ
ンテーションフラットよりも内側になるような直径とさ
れており、また、円筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの
裏面との対向間隔Ｂが０．５〜１．５mm程度となるよう
に配置されている（図３参照）。
【００２６】上記処理容器２０は、スピンチャック２１
及びこのスピンチャック２１にて保持されるウエハＷの
外周を包囲する有底筒状の外容器２５と、ウエハＷの下
方側に配置される内容器２６とで構成されており、内容
器２６の上面に上記円筒壁２４が周設されている。この
場合、円筒壁２４の下部から外向きに突設するフランジ
部２４ｂの周方向に設けられた４つの取付部２４ｃの取
付孔２４ｄにボルト（図示せず）をもって処理容器２０
の内容器２６の上面側に固定される（図３参照）。ま
た、処理容器２０の底部には排気ポンプ２７に接続する
排気口２８が設けられると共に、図示しない排液装置に
接続する排液口２９が設けられている。
及びこのスピンチャック２１にて保持されるウエハＷの
外周を包囲する有底筒状の外容器２５と、ウエハＷの下
方側に配置される内容器２６とで構成されており、内容
器２６の上面に上記円筒壁２４が周設されている。この
場合、円筒壁２４の下部から外向きに突設するフランジ
部２４ｂの周方向に設けられた４つの取付部２４ｃの取
付孔２４ｄにボルト（図示せず）をもって処理容器２０
の内容器２６の上面側に固定される（図３参照）。ま
た、処理容器２０の底部には排気ポンプ２７に接続する
排気口２８が設けられると共に、図示しない排液装置に
接続する排液口２９が設けられている。
【００２７】一方、スピンチャック２１の上方には、洗
浄液としてのリンス液Ｒの供給源３０に接続する洗浄液
供給手段としての第１の洗浄液噴射ノズル３１が配設さ
れており、また、円筒壁２４の内方側にはウエハＷの裏
面周縁部に向ってリンス液を噴射する複数例えば４個の
第２の洗浄液噴射ノズル３２が配設されている。この第
２の洗浄液噴射ノズル３２の噴口（図示せず）は円筒壁
２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に向っ
てリンス液を噴射するように設けられており、この第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを噴射すると共
に、スピンチャック２１を駆動してウエハＷを回転する
ことにより、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面
２４ａとの間に、毛管現象によってリンス液Ｒの液膜
（液溜り）が形成されるようになっている。
浄液としてのリンス液Ｒの供給源３０に接続する洗浄液
供給手段としての第１の洗浄液噴射ノズル３１が配設さ
れており、また、円筒壁２４の内方側にはウエハＷの裏
面周縁部に向ってリンス液を噴射する複数例えば４個の
第２の洗浄液噴射ノズル３２が配設されている。この第
２の洗浄液噴射ノズル３２の噴口（図示せず）は円筒壁
２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に向っ
てリンス液を噴射するように設けられており、この第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを噴射すると共
に、スピンチャック２１を駆動してウエハＷを回転する
ことにより、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面
２４ａとの間に、毛管現象によってリンス液Ｒの液膜
（液溜り）が形成されるようになっている。
【００２８】また、上記スピンチャック２１の駆動モー
タ３３、昇降機構３４、現像液供給源２２、処理液供給
ノズル２３、リンス液供給源３０及び第１，第２の洗浄
液噴射ノズル３１，３２は、それぞれ回転数、昇降位
置、現像液供給量及びリンス液供給量を制御するための
制御部３５に接続されており、相対的な制御が可能に構
成されている。
タ３３、昇降機構３４、現像液供給源２２、処理液供給
ノズル２３、リンス液供給源３０及び第１，第２の洗浄
液噴射ノズル３１，３２は、それぞれ回転数、昇降位
置、現像液供給量及びリンス液供給量を制御するための
制御部３５に接続されており、相対的な制御が可能に構
成されている。
【００２９】なお、上記現像装置８を構成する処理容器
２０、スピンチャック２１、処理液供給ノズル２３及び
第１，第２の洗浄液噴射ノズル３１，３２は処理室３６
内に収容されている。また、処理容器２０の上方位置に
は、温度、湿度を予め定めた設定値に調整された気流を
処理容器２０内に向って供給可能に構成された図示しな
い温度湿度調整機構が配置されている。
２０、スピンチャック２１、処理液供給ノズル２３及び
第１，第２の洗浄液噴射ノズル３１，３２は処理室３６
内に収容されている。また、処理容器２０の上方位置に
は、温度、湿度を予め定めた設定値に調整された気流を
処理容器２０内に向って供給可能に構成された図示しな
い温度湿度調整機構が配置されている。
【００３０】上記実施形態では円筒壁２４の頂面２４ａ
が平坦状に形成される場合について説明したが、リンス
液Ｒの液膜を更に容易に形成させるためには、以下のよ
うな構造する方がよい。すなわち、図４（ａ）に示すよ
うに、円筒壁２４の頂面２４ａに適宜間隔をおいて複数
の凹凸条２４ｅを設けるか、図４（ｂ）に示すように、
円筒壁２４の頂面２４ａに例えば円弧状の凹部２４ｆを
設けるか、あるいは、図４（ｃ）に示すように、円筒壁
２４の頂面２４ａを外周に向って下り勾配の傾斜面２４
ｇにする（傾斜角θ：１°〜５°好ましくは２°）など
によって、円筒壁２４の頂面２４ａのリンス液Ｒとの接
触面積等を大きくすることができ、円筒壁２４の頂面２
４ａとウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒの液膜
を確実に形成することができる。なお、円筒壁２４の頂
面２４ａを外周に向って下り勾配の傾斜面２４ｇとする
ことにより、円筒壁２４の外周部付近の液は流下し易く
なり、ウエハＷの裏面周縁部に回り込む現像液Ｌを積極
的に外方に排出することができる。
が平坦状に形成される場合について説明したが、リンス
液Ｒの液膜を更に容易に形成させるためには、以下のよ
うな構造する方がよい。すなわち、図４（ａ）に示すよ
うに、円筒壁２４の頂面２４ａに適宜間隔をおいて複数
の凹凸条２４ｅを設けるか、図４（ｂ）に示すように、
円筒壁２４の頂面２４ａに例えば円弧状の凹部２４ｆを
設けるか、あるいは、図４（ｃ）に示すように、円筒壁
２４の頂面２４ａを外周に向って下り勾配の傾斜面２４
ｇにする（傾斜角θ：１°〜５°好ましくは２°）など
によって、円筒壁２４の頂面２４ａのリンス液Ｒとの接
触面積等を大きくすることができ、円筒壁２４の頂面２
４ａとウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒの液膜
を確実に形成することができる。なお、円筒壁２４の頂
面２４ａを外周に向って下り勾配の傾斜面２４ｇとする
ことにより、円筒壁２４の外周部付近の液は流下し易く
なり、ウエハＷの裏面周縁部に回り込む現像液Ｌを積極
的に外方に排出することができる。
【００３１】次に、この発明の処理方法について、図５
及び図６を参照して説明する。
及び図６を参照して説明する。
【００３２】★第１処理方法 まず、メインアーム５によってウエハＷをスピンチャッ
ク２１に自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウ
エハＷが８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好
ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円筒壁２４の
頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に供給して、
現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４の頂面２４
ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリ
ンス液Ｒの液膜を形成する（図５（ａ）参照）。
ク２１に自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウ
エハＷが８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好
ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円筒壁２４の
頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に供給して、
現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４の頂面２４
ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリ
ンス液Ｒの液膜を形成する（図５（ａ）参照）。
【００３３】次に、ウエハＷを例えば２０００ｒｐｍに
て高速回転させながら、ウエハＷの上面（表面）に処理
液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例えば
０．５秒間供給した後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転さ
せながら例えば２秒間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面
に現像液Ｌを液盛りすると共に（図５（ｂ）参照）、ウ
エハＷ表面上の現像液Ｌを遠心力により周辺に向って拡
散させてウエハＷの表面に現像液膜を形成する（図５
（ｃ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆
動して処理容器２０内の排気及び排液を外部に排出す
る。このようにして、ウエハＷ表面に現像液を液盛りし
た後、ウエハＷの回転を停止して例えば５０秒間現像処
理を行う。また、この処理雰囲気の温度、湿度は、予め
定めた設定値に自動制御されている。
て高速回転させながら、ウエハＷの上面（表面）に処理
液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例えば
０．５秒間供給した後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転さ
せながら例えば２秒間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面
に現像液Ｌを液盛りすると共に（図５（ｂ）参照）、ウ
エハＷ表面上の現像液Ｌを遠心力により周辺に向って拡
散させてウエハＷの表面に現像液膜を形成する（図５
（ｃ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆
動して処理容器２０内の排気及び排液を外部に排出す
る。このようにして、ウエハＷ表面に現像液を液盛りし
た後、ウエハＷの回転を停止して例えば５０秒間現像処
理を行う。また、この処理雰囲気の温度、湿度は、予め
定めた設定値に自動制御されている。
【００３４】この現像処理時に、ウエハＷの裏面周縁部
と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に、ウエハＷの周縁か
ら裏回りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込ん
でくるが、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２
４ａとの間にリンス液Ｒの液膜が形成されているため、
この液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方
へは現像液Ｌが侵入することを阻止することができると
共に、回り込んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ
落ち、処理容器２０の底部に溜り、排液口２９を介して
外部に排出される。
と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に、ウエハＷの周縁か
ら裏回りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込ん
でくるが、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２
４ａとの間にリンス液Ｒの液膜が形成されているため、
この液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方
へは現像液Ｌが侵入することを阻止することができると
共に、回り込んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ
落ち、処理容器２０の底部に溜り、排液口２９を介して
外部に排出される。
【００３５】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図５
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図５
（ｄ）参照）。
【００３６】★第２処理方法 まず、上記第１処理方法と同様に、メインアーム５によ
ってウエハＷをスピンチャック２１に自動的に搬送し位
置決め保持する。そして、ウエハＷを例えば１０〜１０
０ｒｐｍ好ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させ
ながら第２の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円
筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に
供給して、現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４
の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象
によってリンス液Ｒの液膜を形成する（図６（ａ）参
照）。
ってウエハＷをスピンチャック２１に自動的に搬送し位
置決め保持する。そして、ウエハＷを例えば１０〜１０
０ｒｐｍ好ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させ
ながら第２の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円
筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に
供給して、現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４
の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象
によってリンス液Ｒの液膜を形成する（図６（ａ）参
照）。
【００３７】次に、ウエハＷを停止させた状態で、ウエ
ハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３からスプレ
ー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給してウエハＷ表
面に現像液Ｌを供給する（図６（ｂ）参照）。この際、
排気ポンプ及び排液ポンプをの駆動を停止して、例えば
１分間処理室３６内の処理雰囲気を現像液Ｌの蒸気雰囲
気に維持して、表面張力によって現像液ＬをウエハＷの
表面に保持させて現像液膜を形成し現像処理する（図６
（ｃ）参照）。このようにウエハＷを停止し、排気等を
停止して現像液の蒸気雰囲気の下で現像処理を行うこと
により、排気動作による気流の発生もなく均一なスプレ
ー状態で現像液Ｌを供給できるため、均一な現像液膜を
形成することができる。なお、この処理雰囲気の温度、
湿度は、予め定めた設定値に自動制御されている。
ハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３からスプレ
ー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給してウエハＷ表
面に現像液Ｌを供給する（図６（ｂ）参照）。この際、
排気ポンプ及び排液ポンプをの駆動を停止して、例えば
１分間処理室３６内の処理雰囲気を現像液Ｌの蒸気雰囲
気に維持して、表面張力によって現像液ＬをウエハＷの
表面に保持させて現像液膜を形成し現像処理する（図６
（ｃ）参照）。このようにウエハＷを停止し、排気等を
停止して現像液の蒸気雰囲気の下で現像処理を行うこと
により、排気動作による気流の発生もなく均一なスプレ
ー状態で現像液Ｌを供給できるため、均一な現像液膜を
形成することができる。なお、この処理雰囲気の温度、
湿度は、予め定めた設定値に自動制御されている。
【００３８】この現像処理時には、上記第１の処理方法
と同様、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４
ａとの間に、ウエハＷの周縁から裏回りにより、現像液
ＬがウエハＷの裏面に回り込んでくるが、ウエハＷの裏
面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に既にリンス
液Ｒの液膜が形成されているため、この液膜の自己保持
力の作用により、円筒壁２４の内方へは現像液Ｌが侵入
することを阻止することができると共に、回り込んだ現
像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ちる。
と同様、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４
ａとの間に、ウエハＷの周縁から裏回りにより、現像液
ＬがウエハＷの裏面に回り込んでくるが、ウエハＷの裏
面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に既にリンス
液Ｒの液膜が形成されているため、この液膜の自己保持
力の作用により、円筒壁２４の内方へは現像液Ｌが侵入
することを阻止することができると共に、回り込んだ現
像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ちる。
【００３９】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図６
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図６
（ｄ）参照）。
【００４０】次に、上記円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａ
と現像液Ｌの裏面回り込みとの関係、ウエハＷの裏面周
縁部と円筒壁２４の頂面との隙間Ｂと現像液Ｌの裏面回
り込みとの関係について、実験に基いて説明する。
と現像液Ｌの裏面回り込みとの関係、ウエハＷの裏面周
縁部と円筒壁２４の頂面との隙間Ｂと現像液Ｌの裏面回
り込みとの関係について、実験に基いて説明する。
【００４１】円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａを５ｍｍ〜
２０ｍｍ内の適宜寸法にかえて、以下の条件の下で、ウ
エハＷの裏面周縁部の回り込み発生数を求める実験を行
った。
２０ｍｍ内の適宜寸法にかえて、以下の条件の下で、ウ
エハＷの裏面周縁部の回り込み発生数を求める実験を行
った。
【００４２】☆条件 ウエハＷ：６インチウエハを使用し、親和性をもたせる
ために表面にレジストを塗布した。 円筒壁２４の頂面２４ａ：平坦状頂面 ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの隙
間Ｂ：１ｍｍ 現像液Ｌ：実際の現像液より回り込み易い状況を作るた
めに界面活性剤入り現像液を使用し、ウエハＷの裏面の
接触角を３°以下とした。 現像液Ｌの吐出条件：１．８Ｋｇ／ｃｍ2 ，２８．０ｃ
ｃ ウエハＷの処理枚数：１５枚 洗浄液：純水。
ために表面にレジストを塗布した。 円筒壁２４の頂面２４ａ：平坦状頂面 ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの隙
間Ｂ：１ｍｍ 現像液Ｌ：実際の現像液より回り込み易い状況を作るた
めに界面活性剤入り現像液を使用し、ウエハＷの裏面の
接触角を３°以下とした。 現像液Ｌの吐出条件：１．８Ｋｇ／ｃｍ2 ，２８．０ｃ
ｃ ウエハＷの処理枚数：１５枚 洗浄液：純水。
【００４３】上記条件の下で実験を行ったところ、図７
に示すような結果が得られ、円筒壁２４の頂面２４ａの
幅Ａが５〜１５ｍｍの範囲内のとき、現像液Ｌの回り込
みを阻止することができ、６〜１４ｍｍの範囲内のとき
の回り込み発生数を１０枚以下にすることができた。ま
た、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａが８〜１２ｍｍの範
囲内では回り込み発生数を６枚以下にすることができ、
回り込みの阻止を有効に行えることが判った。また、幅
Ａが１０ｍｍのときには回り込み発生数が５枚であり、
最も回り込み発生数が少なかった。なお、幅Ａが２０ｍ
ｍの場合には回り込み発生数が９枚と少ないが、この場
合には幅Ａが広いため、現像処理後の洗浄処理後に現像
液Ｌがウエハ裏面に残こるという別の問題があった。
に示すような結果が得られ、円筒壁２４の頂面２４ａの
幅Ａが５〜１５ｍｍの範囲内のとき、現像液Ｌの回り込
みを阻止することができ、６〜１４ｍｍの範囲内のとき
の回り込み発生数を１０枚以下にすることができた。ま
た、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａが８〜１２ｍｍの範
囲内では回り込み発生数を６枚以下にすることができ、
回り込みの阻止を有効に行えることが判った。また、幅
Ａが１０ｍｍのときには回り込み発生数が５枚であり、
最も回り込み発生数が少なかった。なお、幅Ａが２０ｍ
ｍの場合には回り込み発生数が９枚と少ないが、この場
合には幅Ａが広いため、現像処理後の洗浄処理後に現像
液Ｌがウエハ裏面に残こるという別の問題があった。
【００４４】上記実験では、ウエハＷの裏面周縁部と円
筒壁２４の頂面２４ａとの隙間Ｂが１ｍｍの場合につい
ての実験であるが、この間隙Ｂを０．５〜１．５ｍｍの
範囲で適宜かえて同様な実験を行ったところ、幅Ａが１
４〜６ｍｍ（間隙Ｂが０．５ｍｍに対して幅Ａが１４ｍ
ｍ〜間隙がＢ１．５ｍｍに対して幅Ａが６ｍｍ）の場合
には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られ、間隙Ｂを
０．６７〜１．３ｍｍと狭く設定した場合には幅Ａが１
５〜５ｍｍ（間隙Ｂが０．６７ｍｍに対して幅Ａが１５
ｍｍ〜間隙Ｂが１．３ｍｍに対して幅Ａが５ｍｍ）の場
合には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られた。
筒壁２４の頂面２４ａとの隙間Ｂが１ｍｍの場合につい
ての実験であるが、この間隙Ｂを０．５〜１．５ｍｍの
範囲で適宜かえて同様な実験を行ったところ、幅Ａが１
４〜６ｍｍ（間隙Ｂが０．５ｍｍに対して幅Ａが１４ｍ
ｍ〜間隙がＢ１．５ｍｍに対して幅Ａが６ｍｍ）の場合
には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られ、間隙Ｂを
０．６７〜１．３ｍｍと狭く設定した場合には幅Ａが１
５〜５ｍｍ（間隙Ｂが０．６７ｍｍに対して幅Ａが１５
ｍｍ〜間隙Ｂが１．３ｍｍに対して幅Ａが５ｍｍ）の場
合には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られた。
【００４５】次に、別の実施形態の円筒壁２４について
図８を参照して説明する。図８に示す実施形態は、円筒
壁２４の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間の液膜を更
に確実に形成することができるようにすると共に、現像
液ＬのウエハＷ裏面内方への侵入抑制及び処理後の現像
液Ｌの振り切り時の現像液Ｌの排出促進を図れるように
した場合である。
図８を参照して説明する。図８に示す実施形態は、円筒
壁２４の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間の液膜を更
に確実に形成することができるようにすると共に、現像
液ＬのウエハＷ裏面内方への侵入抑制及び処理後の現像
液Ｌの振り切り時の現像液Ｌの排出促進を図れるように
した場合である。
【００４６】すなわち、図４（ａ）に示した凹凸条２４
ｅに代えて、円筒壁２４の頂面に、略垂直状の内周側壁
４０ａとこの内周側壁４０ａの下端から外方に向って上
り傾斜する外周側壁４０ｂとからなる複数（図面では２
つの場合を示す）の略断面Ｖ字形の凹条４０を形成した
場合である。この凹条４０を有する円筒壁２４の頂面の
幅Ａは上記実施形態と同様に５〜１５ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。この
ように、円筒壁２４の頂面に、複数の略断面Ｖ字形の凹
条４０を形成することにより、円筒壁２４の頂面の表面
積を増大させて液膜の形成を容易にすることができ、か
つ、現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入抑制及び円筒壁
２４の頂面とウエハ裏面周縁部との間の液膜の現像処理
後の排出促進を図ることができる。つまり、内周側壁４
０ａを略垂直状に形成することにより、液の流れに対す
る抵抗力が大きくなるので、ウエハ裏面に回り込む現像
液Ｌの内方への侵入を抑制することができ（図８（ｂ）
参照）、また、処理後に現像液Ｌの振り切りを行う際に
は、外周側壁４０ｂの上り傾斜面の、液の流れに対する
抵抗力は小さいので、液は流れ易くなり、この傾斜面を
利用して液膜の液滴Ｍの排出を促進することができる
（図８（ｃ）参照）。
ｅに代えて、円筒壁２４の頂面に、略垂直状の内周側壁
４０ａとこの内周側壁４０ａの下端から外方に向って上
り傾斜する外周側壁４０ｂとからなる複数（図面では２
つの場合を示す）の略断面Ｖ字形の凹条４０を形成した
場合である。この凹条４０を有する円筒壁２４の頂面の
幅Ａは上記実施形態と同様に５〜１５ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。この
ように、円筒壁２４の頂面に、複数の略断面Ｖ字形の凹
条４０を形成することにより、円筒壁２４の頂面の表面
積を増大させて液膜の形成を容易にすることができ、か
つ、現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入抑制及び円筒壁
２４の頂面とウエハ裏面周縁部との間の液膜の現像処理
後の排出促進を図ることができる。つまり、内周側壁４
０ａを略垂直状に形成することにより、液の流れに対す
る抵抗力が大きくなるので、ウエハ裏面に回り込む現像
液Ｌの内方への侵入を抑制することができ（図８（ｂ）
参照）、また、処理後に現像液Ｌの振り切りを行う際に
は、外周側壁４０ｂの上り傾斜面の、液の流れに対する
抵抗力は小さいので、液は流れ易くなり、この傾斜面を
利用して液膜の液滴Ｍの排出を促進することができる
（図８（ｃ）参照）。
【００４７】なお、図８に示す実施形態における円筒壁
２４を使用する場合、上記実施形態と同様に現像液Ｌを
供給する前に、図８（ａ）に想像線で示すように、第２
の洗浄液噴射ノズル３２から予め円筒壁２４の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒを噴射して液膜
を形成するようにしてもよい。なお、図８に示す実施形
態において、その他の部分は上記実施形態と同じである
ので、その説明は省略する。
２４を使用する場合、上記実施形態と同様に現像液Ｌを
供給する前に、図８（ａ）に想像線で示すように、第２
の洗浄液噴射ノズル３２から予め円筒壁２４の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒを噴射して液膜
を形成するようにしてもよい。なお、図８に示す実施形
態において、その他の部分は上記実施形態と同じである
ので、その説明は省略する。
【００４８】次に、更に別の実施形態の円筒壁２４を用
いた処理装置について図９及び図１０を参照して説明す
る。この実施形態は、円筒壁２４の頂面とウエハＷの裏
面周縁部との間の液膜を更に確実に形成することができ
るようにすると共に、現像液ＬのウエハＷ裏面内方への
侵入抑制及び処理後の現像液Ｌの振り切り時の現像液Ｌ
の排出促進を図れるようにし、かつ現像液Ｌ及びリンス
液Ｒの排液を確実に行えるようにした場合である。
いた処理装置について図９及び図１０を参照して説明す
る。この実施形態は、円筒壁２４の頂面とウエハＷの裏
面周縁部との間の液膜を更に確実に形成することができ
るようにすると共に、現像液ＬのウエハＷ裏面内方への
侵入抑制及び処理後の現像液Ｌの振り切り時の現像液Ｌ
の排出促進を図れるようにし、かつ現像液Ｌ及びリンス
液Ｒの排液を確実に行えるようにした場合である。
【００４９】すなわち、図９に示すように、上記実施形
態と同様に、処理容器２０の内容器２６の上面に周設さ
れる円筒壁２４の頂面に、凹溝４１と、この凹溝４１に
関して内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層
４２及び外壁層４３を形成した場合である。この場合、
内壁層４２及び外壁層４３の凹凸条の凹条部は、上記図
８に示した実施形態と同様に内周側壁４０ａに対して外
周側壁４０ｂが外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝にて形成
されている。また、凹溝４１の底部には適宜間隔をおい
て複数例えば６個の排液口４４が形成されている（図１
０参照）。この内壁層４２，外壁層４３及び凹溝４１を
有する円筒壁２４の頂面の幅Ａ′は１５〜１７ｍｍ程度
に設定され凹溝４１の幅Ａ1は３〜５ｍｍ程度，内壁層
４２及び外壁層４３の幅Ａ2は５〜７ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。
態と同様に、処理容器２０の内容器２６の上面に周設さ
れる円筒壁２４の頂面に、凹溝４１と、この凹溝４１に
関して内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層
４２及び外壁層４３を形成した場合である。この場合、
内壁層４２及び外壁層４３の凹凸条の凹条部は、上記図
８に示した実施形態と同様に内周側壁４０ａに対して外
周側壁４０ｂが外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝にて形成
されている。また、凹溝４１の底部には適宜間隔をおい
て複数例えば６個の排液口４４が形成されている（図１
０参照）。この内壁層４２，外壁層４３及び凹溝４１を
有する円筒壁２４の頂面の幅Ａ′は１５〜１７ｍｍ程度
に設定され凹溝４１の幅Ａ1は３〜５ｍｍ程度，内壁層
４２及び外壁層４３の幅Ａ2は５〜７ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。
【００５０】上記のように構成することにより、ウエハ
Ｗ裏面へ回り込む現像液Ｌの侵入をまず外壁層４３にて
抑制（阻止）し、次に外壁層４３を通過する現像液Ｌが
あった場合には、この現像液Ｌを内壁層４２にて抑制
（阻止）することができるので、処理時にウエハＷの裏
面に回り込む現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入を更に
確実に阻止することができる。また、凹溝４１において
現像液Ｌや洗浄に供されるリンス液Ｒの一部を受け止め
て内壁層４２側への侵入を抑制することができると共
に、排液口４４を介して外部へ排出することができる。
なお、内容器２６には第２の洗浄液噴射ノズル３２が
組込まれており、このノズル３２から内壁層４２の頂面
とウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒが噴射され
てリンス液Ｒの液膜が形成されるように構成されてい
る。また、処理容器２０の上部開口部は図示しない昇降
機構によって処理容器２０に対して進退可能な蓋体５０
が設けられており、現像処理時にこの蓋体５０がウエハ
Ｗの上方の所定距離位置まで下降し、処理容器２０と共
働して処理雰囲気空間を形成し得るように構成されてい
る。
Ｗ裏面へ回り込む現像液Ｌの侵入をまず外壁層４３にて
抑制（阻止）し、次に外壁層４３を通過する現像液Ｌが
あった場合には、この現像液Ｌを内壁層４２にて抑制
（阻止）することができるので、処理時にウエハＷの裏
面に回り込む現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入を更に
確実に阻止することができる。また、凹溝４１において
現像液Ｌや洗浄に供されるリンス液Ｒの一部を受け止め
て内壁層４２側への侵入を抑制することができると共
に、排液口４４を介して外部へ排出することができる。
なお、内容器２６には第２の洗浄液噴射ノズル３２が
組込まれており、このノズル３２から内壁層４２の頂面
とウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒが噴射され
てリンス液Ｒの液膜が形成されるように構成されてい
る。また、処理容器２０の上部開口部は図示しない昇降
機構によって処理容器２０に対して進退可能な蓋体５０
が設けられており、現像処理時にこの蓋体５０がウエハ
Ｗの上方の所定距離位置まで下降し、処理容器２０と共
働して処理雰囲気空間を形成し得るように構成されてい
る。
【００５１】次に、上記実施形態を用いた処理方法につ
いて、図１１を参照して説明する。
いて、図１１を参照して説明する。
【００５２】まず、上記第１，２処理方法と同様に、メ
インアーム５によってウエハＷをスピンチャック２１に
自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウエハＷが
８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好ましくは
３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２の洗浄液
噴射ノズル３２からリンス液Ｒを内壁層４２の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間に供給して、現像液Ｌの供給
に先立って予め、円筒壁２４の内壁層４２の頂面とウエ
ハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリンス液Ｒ
の液膜を形成する（図１１（ａ）参照）。
インアーム５によってウエハＷをスピンチャック２１に
自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウエハＷが
８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好ましくは
３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２の洗浄液
噴射ノズル３２からリンス液Ｒを内壁層４２の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間に供給して、現像液Ｌの供給
に先立って予め、円筒壁２４の内壁層４２の頂面とウエ
ハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリンス液Ｒ
の液膜を形成する（図１１（ａ）参照）。
【００５３】次に、ウエハＷを例えば２０００ｒｐｍに
て高速回転させながら、ウエハＷの上面（表面）に処理
液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例えば
０．５秒間供給した後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転さ
せながら例えば２秒間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面
に現像液Ｌを液盛りすると共に（図１１（ｂ）参照）、
ウエハＷ表面上の現像液Ｌを遠心力により周辺に向って
拡散させてウエハＷの表面に現像液膜を形成する（図１
１（ｃ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポンプを
駆動して処理容器２０内の排気及び排液を外部に排出す
る。このようにして、ウエハＷ表面に現像液を液盛りし
た後、ウエハＷの回転を停止して例えば５０秒間現像処
理を行う。この処理雰囲気の温度、湿度は、上記実施形
態と同様予め定めた設定値に自動制御されている。
て高速回転させながら、ウエハＷの上面（表面）に処理
液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例えば
０．５秒間供給した後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転さ
せながら例えば２秒間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面
に現像液Ｌを液盛りすると共に（図１１（ｂ）参照）、
ウエハＷ表面上の現像液Ｌを遠心力により周辺に向って
拡散させてウエハＷの表面に現像液膜を形成する（図１
１（ｃ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポンプを
駆動して処理容器２０内の排気及び排液を外部に排出す
る。このようにして、ウエハＷ表面に現像液を液盛りし
た後、ウエハＷの回転を停止して例えば５０秒間現像処
理を行う。この処理雰囲気の温度、湿度は、上記実施形
態と同様予め定めた設定値に自動制御されている。
【００５４】この現像処理時に、ウエハＷの裏面周縁部
と円筒壁２４の頂面との間に、ウエハＷの周縁から裏回
りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込んできた
場合には、ウエハＷの裏面周縁部に近接する円筒壁２４
の外壁層４３によって受け止め、毛管現象によって現像
液Ｌの液膜を形成し、この液膜の自己保持力の作用によ
ってそれ以上内方への侵入を抑制する。また、この液膜
を通過して更に内方へ侵入する現像液Ｌは凹溝４１に受
け止められ、更に内方へ侵入する現像液ＬはウエハＷの
裏面周縁部と内壁層４２との間に形成されたリンス液Ｒ
の液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方へ
の侵入が阻止される。また、ウエハＷの裏面側へ回り込
んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ち、また凹
溝４１に設けられた排液口４４から流れて処理容器２０
の底部に溜り、排液口２９を介して外部に排出される。
と円筒壁２４の頂面との間に、ウエハＷの周縁から裏回
りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込んできた
場合には、ウエハＷの裏面周縁部に近接する円筒壁２４
の外壁層４３によって受け止め、毛管現象によって現像
液Ｌの液膜を形成し、この液膜の自己保持力の作用によ
ってそれ以上内方への侵入を抑制する。また、この液膜
を通過して更に内方へ侵入する現像液Ｌは凹溝４１に受
け止められ、更に内方へ侵入する現像液ＬはウエハＷの
裏面周縁部と内壁層４２との間に形成されたリンス液Ｒ
の液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方へ
の侵入が阻止される。また、ウエハＷの裏面側へ回り込
んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ち、また凹
溝４１に設けられた排液口４４から流れて処理容器２０
の底部に溜り、排液口２９を介して外部に排出される。
【００５５】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図１１
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図１１
（ｄ）参照）。
【００５６】上記のようにして洗浄処理が終了した後、
ウエハＷを例えば５０００〜６０００ｒｐｍにて回転さ
せてウエハＷに付着するリンス液Ｒを遠心力によって振
り切る。この際、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の
頂面すなわち内壁層４２及び外壁層４３との間に形成さ
れた液膜は内壁層４２及び外壁層４３外周側壁４０ｂの
傾斜面を利用して液滴Ｍとして外方へ飛散される（図８
（ｃ）参照）。
ウエハＷを例えば５０００〜６０００ｒｐｍにて回転さ
せてウエハＷに付着するリンス液Ｒを遠心力によって振
り切る。この際、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の
頂面すなわち内壁層４２及び外壁層４３との間に形成さ
れた液膜は内壁層４２及び外壁層４３外周側壁４０ｂの
傾斜面を利用して液滴Ｍとして外方へ飛散される（図８
（ｃ）参照）。
【００５７】上記処理方法では、現像液Ｌの供給前に、
予めウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の内壁層４２の
頂面との間にリンス液Ｒの液膜を形成する場合について
説明したが、必ずしも現像液の供給前にこのような液膜
を形成しなくても、現像処理時にウエハＷの裏面に回り
込む現像液Ｌを外壁層４３，凹溝４１及び内壁層４２に
よって阻止することができる。
予めウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の内壁層４２の
頂面との間にリンス液Ｒの液膜を形成する場合について
説明したが、必ずしも現像液の供給前にこのような液膜
を形成しなくても、現像処理時にウエハＷの裏面に回り
込む現像液Ｌを外壁層４３，凹溝４１及び内壁層４２に
よって阻止することができる。
【００５８】なお、上記実施形態では、この発明の処理
装置を半導体ウエハの現像装置に適用した場合について
説明したが、スピンコーティングによるレジスト塗布で
も、その他処理液の塗布であればいずれにも適用でき
る。また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板やＣＤ等の被
処理体の処理にも適用できることは勿論である。例え
ば、方形状のＬＣＤ基板の場合には、上記円筒壁２４の
形状をＬＣＤ基板より小さい角筒壁に形成する。
装置を半導体ウエハの現像装置に適用した場合について
説明したが、スピンコーティングによるレジスト塗布で
も、その他処理液の塗布であればいずれにも適用でき
る。また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板やＣＤ等の被
処理体の処理にも適用できることは勿論である。例え
ば、方形状のＬＣＤ基板の場合には、上記円筒壁２４の
形状をＬＣＤ基板より小さい角筒壁に形成する。
【００５９】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１ないし
１０記載の発明によれば、被処理体の裏面周縁部と被処
理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の液
膜を有効に形成することができるので、処理工程時に処
理液が被処理体の表面に供給されて表面に拡散され、被
処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液膜によっ
て阻止することができる。また、上記液膜は洗浄液によ
って形成されるので、処理後の洗浄工程で使用される洗
浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。
１０記載の発明によれば、被処理体の裏面周縁部と被処
理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の液
膜を有効に形成することができるので、処理工程時に処
理液が被処理体の表面に供給されて表面に拡散され、被
処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液膜によっ
て阻止することができる。また、上記液膜は洗浄液によ
って形成されるので、処理後の洗浄工程で使用される洗
浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。
【００６０】また、請求項１１記載の発明によれば、処
理時に処理液が被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入す
るのを内周側壁によって阻止することができ、また、円
筒壁の頂面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処
理体裏面との間に容易に液膜を形成することができ、こ
の液膜によって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を
抑制することができる。また、処理後の処理液の振り切
り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易
に外方に排出することができるので、処理能率の向上及
び歩留まりの向上を図ることができる。
理時に処理液が被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入す
るのを内周側壁によって阻止することができ、また、円
筒壁の頂面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処
理体裏面との間に容易に液膜を形成することができ、こ
の液膜によって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を
抑制することができる。また、処理後の処理液の振り切
り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易
に外方に排出することができるので、処理能率の向上及
び歩留まりの向上を図ることができる。
【００６１】また、請求項１２記載の発明によれば、被
処理体裏面へ回り込む処理液の侵入をまず外壁層にて阻
止し、外壁層を通過する処理液を内壁層にて阻止するこ
とができるので、処理液の侵入を確実に阻止することが
でき、更に歩留まりの向上を図ることができる。
処理体裏面へ回り込む処理液の侵入をまず外壁層にて阻
止し、外壁層を通過する処理液を内壁層にて阻止するこ
とができるので、処理液の侵入を確実に阻止することが
でき、更に歩留まりの向上を図ることができる。
【図１】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハの
塗布・現像処理システムの斜視図である。
塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】この発明の処理装置の断面図である。
【図３】この発明における被処理体と円筒壁の拡大断面
図である。
図である。
【図４】この発明における円筒壁の別の形態を示す断面
斜視図である。
斜視図である。
【図５】この発明の処理方法を示す説明図である。
【図６】この発明の別の処理方法を示す説明図である。
【図７】この発明における円筒壁の幅と回り込み発生数
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図８】この発明における円筒壁の別の実施形態の要部
断面図（ａ）、処理液の侵入抑制状態を示す概略断面図
（ｂ）及び処理液の排出状態を示す概略断面図（ｃ）で
ある。
断面図（ａ）、処理液の侵入抑制状態を示す概略断面図
（ｂ）及び処理液の排出状態を示す概略断面図（ｃ）で
ある。
【図９】この発明における円筒壁の更に別の実施形態を
用いた処理装置の概略断面図である。
用いた処理装置の概略断面図である。
【図１０】上記円筒壁の平面図（ａ）及びそのＩ−Ｉ線
に沿う拡大断面図（ｂ）である。
に沿う拡大断面図（ｂ）である。
【図１１】上記円筒壁を有する処理装置を用いた処理方
法の一例を示す説明図である。
法の一例を示す説明図である。
２０ 処理容器 ２１ スピンチャック（回転保持手段） ２３ 処理液供給ノズル（処理液供給手段） ２４ 円筒壁 ２４ａ 頂面 ２４ｅ 凹凸条 ２４ｆ 凹部 ２４ｇ 傾斜面 ３１ 第１の洗浄液噴射ノズル ３２ 第２の洗浄液噴射ノズル ３６ 処理室 ４０ 凹条 ４０ａ 内周側壁 ４０ｂ 外周側壁 ４１ 凹溝 ４２ 内壁層 ４３ 外壁層 ４４ 排液口 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ 現像液（処理液） Ｒ リンス液（洗浄液）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｎ (72)発明者 吉原 孝介 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内
Claims (14)
- 【請求項１】 回転保持手段にて保持される被処理体の
表面に処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理
方法において、 上記被処理体の表面に処理液を供給する前に、被処理体
の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面
との間に洗浄液の液膜を形成することを特徴とする処理
方法。 - 【請求項２】 回転保持手段にて保持される被処理体の
表面に処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理
方法において、 上記被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する
円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成する工程と、 上記被処理体の表面に処理液を供給する工程と、 上記被処理体を回転して処理液を被処理体全面に拡散さ
せる工程と、 上記被処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する
工程とを有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】 回転保持手段にて保持される被処理体の
表面に処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理
方法において、 上記被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する
円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成する工程と、 上記被処理体の表面に処理液を供給する工程と、 上記被処理体を静止させると共に、処理雰囲気を上記処
理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理体全面に拡
散させる工程と、 上記被処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する
工程とを有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面
に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの幅の
洗浄液の液膜を形成することを特徴とする請求項１ない
し３のいずれかに記載の処理方法。 - 【請求項５】 被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面
に近接する円筒壁の頂面との間隔を、０．５〜１．５ｍ
ｍとしたことを特徴とする請求項４記載の処理方法。 - 【請求項６】 被処理体を回転させる回転保持手段と、
被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備する処理装置において、 上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成したことを
特徴とする処理装置。 - 【請求項７】 被処理体を回転させる回転保持手段と、
被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備する処理装置において、 上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成し、 上記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔を０．５〜
１．５ｍｍとしたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項８】 円筒壁の頂面に凹凸条を形成したことを
特徴とする請求項６又は７記載の処理装置。 - 【請求項９】 円筒壁の頂面に凹部を形成したことを特
徴とする請求項６又は７記載の処理装置。 - 【請求項１０】 円筒壁の頂面を外周に向って下り勾配
の傾斜面としたことを特徴とする請求項６又は７記載の
処理装置。 - 【請求項１１】 被処理体を回転させる回転保持手段
と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段
と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置され
る円筒壁とを具備する処理装置において、 上記円筒壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周
方向へ傾斜する複数の略Ｖ字形凹条を形成したことを特
徴とする処理装置。 - 【請求項１２】 被処理体を回転させる回転保持手段
と、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段
と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置され
る円筒壁とを具備する処理装置において、 上記円筒壁の頂面に、凹溝を形成すると共に、この凹溝
に関して内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁
層及び外壁層を形成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項１３】 内壁層及び外壁層の凹凸条の凹条部
が、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する略
Ｖ字形溝であることを特徴とする請求項１２記載の処理
装置。 - 【請求項１４】 凹溝の底部に排液口を設けたことを特
徴とする請求項１２又は１３記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23345695A JP3198377B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-18 | 処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-230627 | 1994-08-31 | ||
| JP23062794 | 1994-08-31 | ||
| JP23345695A JP3198377B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-18 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124846A true JPH08124846A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3198377B2 JP3198377B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=26529444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23345695A Expired - Fee Related JP3198377B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-18 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198377B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998022230A1 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Spinning device and spinning method |
| KR100493251B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-08-05 | 세즈 아게 | 웨이퍼형물품처리장치 |
| JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR100800961B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토리소그래피 공정에서의 현상 시스템 및 현상 방법 |
| KR100841344B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 스핀 장치 |
| KR100858240B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-09-12 | 세메스 주식회사 | 기판 스핀 장치 |
| KR100885179B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-02-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2009194034A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
| JP2009277872A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2010507226A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 流体メニスカスを使う湿式処理装置および方法 |
| US7799695B2 (en) | 2000-10-31 | 2010-09-21 | Lam Research Ag | Device for liquid treatment of wafer-shaped articles |
| JP2013004614A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
| US8419891B2 (en) * | 2006-02-16 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor development apparatus and method using same |
| JP2014165281A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄方法および剥離システム |
| JP2015076534A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP2020004869A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332637A (ja) | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Nec Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP4043455B2 (ja) | 2004-05-28 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP23345695A patent/JP3198377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6192903B1 (en) | 1996-11-15 | 2001-02-27 | Shibaura Mechatronics Corporation | Spin-processing apparatus and spin-processing method |
| CN1097490C (zh) * | 1996-11-15 | 2003-01-01 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 旋转处理装置 |
| EP0976460A4 (en) * | 1996-11-15 | 2004-06-23 | Shibaura Mechatronics Corp | ROTATING DEVICE AND ROTATING METHOD |
| KR100509800B1 (ko) * | 1996-11-15 | 2005-08-23 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법 |
| WO1998022230A1 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Spinning device and spinning method |
| KR100493251B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-08-05 | 세즈 아게 | 웨이퍼형물품처리장치 |
| US8852383B2 (en) | 1999-09-29 | 2014-10-07 | Materials And Technologies Corporation | Wet processing using a fluid meniscus apparatus |
| US7799695B2 (en) | 2000-10-31 | 2010-09-21 | Lam Research Ag | Device for liquid treatment of wafer-shaped articles |
| US7988818B2 (en) | 2000-10-31 | 2011-08-02 | Lam Research Ag | Device for liquid treatment of wafer-shaped articles |
| KR100800961B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토리소그래피 공정에서의 현상 시스템 및 현상 방법 |
| JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US8419891B2 (en) * | 2006-02-16 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor development apparatus and method using same |
| US8834672B2 (en) | 2006-02-16 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor development apparatus and method using same |
| JP2015195411A (ja) * | 2006-10-16 | 2015-11-05 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 流体メニスカスを使う湿式処理装置および方法 |
| JP2010507226A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 流体メニスカスを使う湿式処理装置および方法 |
| KR100841344B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 스핀 장치 |
| KR100858240B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-09-12 | 세메스 주식회사 | 기판 스핀 장치 |
| KR100885179B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-02-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2009194034A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
| JP2009277872A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2013004614A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
| JP2014165281A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄方法および剥離システム |
| JP2015076534A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP2020004869A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3198377B2 (ja) | 2001-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3198377B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| US5826130A (en) | Apparatus and method for developing resist coated on substrate | |
| KR100224462B1 (ko) | 세정장치 및 세정방법 | |
| US8053180B2 (en) | Developing method and developing unit | |
| JP2003209087A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3177728B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3625752B2 (ja) | 液処理装置 | |
| US20100108095A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate cleaning method | |
| JP2886382B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JP2903284B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3180209B2 (ja) | 現像装置及び現像処理方法 | |
| JP2002124501A (ja) | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 | |
| JP3652596B2 (ja) | 液処理装置 | |
| JP2936505B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JP3289208B2 (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 | |
| JP3210893B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| KR102682854B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| TW200425224A (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
| JP3934745B2 (ja) | 基板授受ユニット及びこれを用いたウエット処理装置 | |
| JP2964113B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3266229B2 (ja) | 処理方法 | |
| JP3773626B2 (ja) | 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置 | |
| JP4023907B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3492546B2 (ja) | 液処理装置及びその方法 | |
| JP3290773B2 (ja) | 処理装置および処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000613 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010517 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |