JPH08124863A - 熱反応処理装置 - Google Patents
熱反応処理装置Info
- Publication number
- JPH08124863A JPH08124863A JP26300194A JP26300194A JPH08124863A JP H08124863 A JPH08124863 A JP H08124863A JP 26300194 A JP26300194 A JP 26300194A JP 26300194 A JP26300194 A JP 26300194A JP H08124863 A JPH08124863 A JP H08124863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- pressure control
- reaction
- exhaust
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 圧力コントロールバルブのオリフィスに反応
生成物による詰まりを生じさせるのを防止する。 【構成】 加熱手段と、この加熱手段によって加熱され
かつ供給されてくる反応ガスを熱分解させる処理室と、
この処理室内を所定圧に減圧させるための圧力コントロ
ールバルブ８，９，１０を介した排気手段とを備える熱
反応処理装置において、前記処理室から前記圧力コント
ロールバルブに至る排気経路内に反応生成物をトラップ
するトラップ手段７が備えられているとともに、このト
ラップ手段は、前記処理室からの排気ガスを冷却する冷
却手段１７と、この冷却手段によって冷却された排気ガ
スを通過させる複数の粒状物の集合体からなる充填材１
４とから構成されている。
生成物による詰まりを生じさせるのを防止する。 【構成】 加熱手段と、この加熱手段によって加熱され
かつ供給されてくる反応ガスを熱分解させる処理室と、
この処理室内を所定圧に減圧させるための圧力コントロ
ールバルブ８，９，１０を介した排気手段とを備える熱
反応処理装置において、前記処理室から前記圧力コント
ロールバルブに至る排気経路内に反応生成物をトラップ
するトラップ手段７が備えられているとともに、このト
ラップ手段は、前記処理室からの排気ガスを冷却する冷
却手段１７と、この冷却手段によって冷却された排気ガ
スを通過させる複数の粒状物の集合体からなる充填材１
４とから構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱反応処理装置に係り、
たとえばＣＶＤ装置等の熱反応処理装置に関する。
たとえばＣＶＤ装置等の熱反応処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置は、たとえば半導体装置（Ｉ
Ｃ等）の製造過程において、半導体ウェーハの表面にた
とえば酸化膜あるいは窒化膜等の絶縁膜を形成するため
に用いられる装置である。
Ｃ等）の製造過程において、半導体ウェーハの表面にた
とえば酸化膜あるいは窒化膜等の絶縁膜を形成するため
に用いられる装置である。
【０００３】すなわち、半導体ウェーハが収納される処
理室があり、この処理室内はたとえばヒータからなる加
熱手段によって加熱されるようになっている。
理室があり、この処理室内はたとえばヒータからなる加
熱手段によって加熱されるようになっている。
【０００４】また、この処理室には反応ガスが供給され
るようになっており、このように反応ガスが供給された
処理室内は圧力コントロールバルブを介した排気手段に
よって所定の圧力に減圧されるようになっている。
るようになっており、このように反応ガスが供給された
処理室内は圧力コントロールバルブを介した排気手段に
よって所定の圧力に減圧されるようになっている。
【０００５】これにより、処理室内の反応ガスは熱分解
され、必要とする反応生成物が生成され、この反応生成
物は半導体ウェーハ面に堆積されることによって酸化膜
等が形成されるようになっている。
され、必要とする反応生成物が生成され、この反応生成
物は半導体ウェーハ面に堆積されることによって酸化膜
等が形成されるようになっている。
【０００６】そして、このように酸化膜等が形成された
後は、処理室内の反応ガスを前記排気手段によって排気
させるようになっている。
後は、処理室内の反応ガスを前記排気手段によって排気
させるようになっている。
【０００７】この場合、排気される反応ガスは、それと
ともにいまだ半導体ウェーハに堆積されることなく残存
されている反応生成物ガスが含まれており、しかも、こ
の反応生成物ガスは圧力コントロールバルブを通して排
気されるようになっている。
ともにいまだ半導体ウェーハに堆積されることなく残存
されている反応生成物ガスが含まれており、しかも、こ
の反応生成物ガスは圧力コントロールバルブを通して排
気されるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたＣＶＤ装置は、近年における半導体装置
の微細化にともなって、処理室内の減圧度は極めて高く
なるとともに供給させる反応ガスの量も段差的に多くな
る傾向になってきている。
うに構成されたＣＶＤ装置は、近年における半導体装置
の微細化にともなって、処理室内の減圧度は極めて高く
なるとともに供給させる反応ガスの量も段差的に多くな
る傾向になってきている。
【０００９】そして、それが原因で、処理室内の反応ガ
スの排気の段階で、その反応ガスに含まれている反応生
成物ガスが固体化されて圧力コントロールバルブのオリ
フィスに詰まりを生じさせてしまうという弊害が指摘さ
れるに至った。
スの排気の段階で、その反応ガスに含まれている反応生
成物ガスが固体化されて圧力コントロールバルブのオリ
フィスに詰まりを生じさせてしまうという弊害が指摘さ
れるに至った。
【００１０】従来の装置では、前記処理室から前記圧力
コントロールバルブに至る排気経路内にトラップと称さ
れる装置が備えられたものも知られてはいたが、このト
ラップは、専ら半導体ウェーハの欠け等によって生じる
片鱗を取り除くためのメッシュフィルタを内蔵する構成
となっており、この構成では上記反応生成物までも取り
除ける構成とはなっていないものであった。
コントロールバルブに至る排気経路内にトラップと称さ
れる装置が備えられたものも知られてはいたが、このト
ラップは、専ら半導体ウェーハの欠け等によって生じる
片鱗を取り除くためのメッシュフィルタを内蔵する構成
となっており、この構成では上記反応生成物までも取り
除ける構成とはなっていないものであった。
【００１１】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、圧力コントロールバルブ
のオリフィスに反応生成物による詰まりを生じさせるこ
とのない熱反応処理装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、圧力コントロールバルブ
のオリフィスに反応生成物による詰まりを生じさせるこ
とのない熱反応処理装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、加熱手段と、この加
熱手段によって加熱されかつ供給されてくる反応ガスを
熱分解させる処理室と、この処理室内を所定圧に減圧さ
せるための圧力コントロールバルブを介した排気手段と
を備える熱反応処理装置において、前記処理室から前記
圧力コントロールバルブに至る排気経路内に反応生成物
をトラップするトラップ手段が備えられているととも
に、このトラップ手段は、前記処理室からの排気ガスを
冷却する冷却手段と、この冷却手段によって冷却された
排気ガスを通過させる複数の粒状物の集合体からなる充
填材とから構成されていることを特徴とするものであ
る。
るために、本発明は、基本的には、加熱手段と、この加
熱手段によって加熱されかつ供給されてくる反応ガスを
熱分解させる処理室と、この処理室内を所定圧に減圧さ
せるための圧力コントロールバルブを介した排気手段と
を備える熱反応処理装置において、前記処理室から前記
圧力コントロールバルブに至る排気経路内に反応生成物
をトラップするトラップ手段が備えられているととも
に、このトラップ手段は、前記処理室からの排気ガスを
冷却する冷却手段と、この冷却手段によって冷却された
排気ガスを通過させる複数の粒状物の集合体からなる充
填材とから構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１３】
【作用】このような熱反応処理装置によれば、排気の段
階にて、その排気ガス内にたとえば反応生成物ガスが混
入されていても、トラップ手段内の冷却手段によって冷
却されることによって反応生成物が固体化されることに
なる。
階にて、その排気ガス内にたとえば反応生成物ガスが混
入されていても、トラップ手段内の冷却手段によって冷
却されることによって反応生成物が固体化されることに
なる。
【００１４】そして、この固体化された反応生成物は充
填材の表面に付着されることによって充分捕獲されるこ
とになる。
填材の表面に付着されることによって充分捕獲されるこ
とになる。
【００１５】このため、圧力コントロールバルブを通過
する排気ガスには、ほとんど反応生成物が存在しないも
のとなり、したがって、圧力コントロールバルブのオリ
フィスにこの反応生成物に原因する詰まりは発生しなく
なる。
する排気ガスには、ほとんど反応生成物が存在しないも
のとなり、したがって、圧力コントロールバルブのオリ
フィスにこの反応生成物に原因する詰まりは発生しなく
なる。
【００１６】
【実施例】図２は、本発明による熱反応処理装置の一実
施例であるＣＶＤ装置を示す概略構成図である。
施例であるＣＶＤ装置を示す概略構成図である。
【００１７】同図において、たとえば円筒形状からなる
プロセスチューブ４があり、このプロセスチューブ４の
両端は、取リ外し可能なフロントフランジ２およびエン
ドフランジ６によって閉塞されている。
プロセスチューブ４があり、このプロセスチューブ４の
両端は、取リ外し可能なフロントフランジ２およびエン
ドフランジ６によって閉塞されている。
【００１８】また、プロセスチューブ４の周囲にはヒー
タ３が配置されており、このヒータ３の加熱によってプ
ロセスチューブ４内には一定かつ均一な温度分布に保持
されるようになっている。
タ３が配置されており、このヒータ３の加熱によってプ
ロセスチューブ４内には一定かつ均一な温度分布に保持
されるようになっている。
【００１９】さらに、プロセスチューブ４内には、フロ
ントフランジ２の取外しによって挿入される半導体ウェ
ーハ５が配置されるようになっている。この半導体ウェ
ーハ５は、たとえばプロセスチューブ４とほぼ同軸に複
数個互いに離間させた状態で配置されている。
ントフランジ２の取外しによって挿入される半導体ウェ
ーハ５が配置されるようになっている。この半導体ウェ
ーハ５は、たとえばプロセスチューブ４とほぼ同軸に複
数個互いに離間させた状態で配置されている。
【００２０】この実施例では、各半導体ウェーハ５は、
その表面にたとえば酸化膜等の絶縁膜を形成するために
配置されたものとなっている。
その表面にたとえば酸化膜等の絶縁膜を形成するために
配置されたものとなっている。
【００２１】また、フロントフランジ２側からは、反応
ガス供給管１を通して反応ガスがプロセスチューブ４内
に流入されるようになっている。
ガス供給管１を通して反応ガスがプロセスチューブ４内
に流入されるようになっている。
【００２２】さらに、エンドフランジ６には排気管１２
が設けられ、この排気管１２を通してフロントフランジ
２内を一定の減圧状態にできるようになっている。
が設けられ、この排気管１２を通してフロントフランジ
２内を一定の減圧状態にできるようになっている。
【００２３】すなわち、排気管１２には、エンドフラン
ジ６側から順次トラップ７、圧力コントロールバルブ
８、９、１０、および真空ポンプ１１が接続され、該真
空ポンプによってプロセスチューブ４内を減圧するとと
もに、その減圧値を圧力コントロールバルブ８、９、１
０によって調整できるようになっている。
ジ６側から順次トラップ７、圧力コントロールバルブ
８、９、１０、および真空ポンプ１１が接続され、該真
空ポンプによってプロセスチューブ４内を減圧するとと
もに、その減圧値を圧力コントロールバルブ８、９、１
０によって調整できるようになっている。
【００２４】なお、ここで、前記圧力コントロールバル
ブは、粗びき用の配管バルブであるサブバルブ９と、真
空にするための配管バルブであるメインバルブ８と、減
圧された圧力を一定に保持するための自動圧力コントロ
ールバルブ１０とから構成されている。
ブは、粗びき用の配管バルブであるサブバルブ９と、真
空にするための配管バルブであるメインバルブ８と、減
圧された圧力を一定に保持するための自動圧力コントロ
ールバルブ１０とから構成されている。
【００２５】このようにして、所定の温度および減圧が
なされたプロセスチューブ４内に供給されてくる反応ガ
スは熱分解によって反応生成物が生成され、この反応生
成物は各半導体ウェーハ５の表面に堆積され、酸化膜等
の絶縁膜（図示せず）が形成されるようになっている。
なされたプロセスチューブ４内に供給されてくる反応ガ
スは熱分解によって反応生成物が生成され、この反応生
成物は各半導体ウェーハ５の表面に堆積され、酸化膜等
の絶縁膜（図示せず）が形成されるようになっている。
【００２６】ここで、前記トラップ７の一実施例を図１
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００２７】同図において、エンドフランジ６に直接に
接続された排気管からの排気ガスは、まず、メッシュフ
ィルタ１３を通過するようになっている。
接続された排気管からの排気ガスは、まず、メッシュフ
ィルタ１３を通過するようになっている。
【００２８】このメッシュフィルタ１３は半導体ウェー
ハ５の欠け等によって生じる片鱗を取り除くためのフィ
ルタであり、このことから、そのメッシュの径も適当な
値に設定されたものとなっている。
ハ５の欠け等によって生じる片鱗を取り除くためのフィ
ルタであり、このことから、そのメッシュの径も適当な
値に設定されたものとなっている。
【００２９】メッシュフィルタ１３を通過した排気ガス
は、たとえばステン系等の金属からなる複数の粒状物を
容器１５に充填させた充填材１４の間を通過するように
なっている。
は、たとえばステン系等の金属からなる複数の粒状物を
容器１５に充填させた充填材１４の間を通過するように
なっている。
【００３０】ここで、容器１５はその側面に複数の透孔
１６が設けられ、真空ポンプ１１によって排気すること
によって、前記メッシュフィルタ１３を通過した排気ガ
スは前記充填材１４の間を充分通過して圧力コントロー
ルバルブ８、９、１０側に排気できるようになってい
る。
１６が設けられ、真空ポンプ１１によって排気すること
によって、前記メッシュフィルタ１３を通過した排気ガ
スは前記充填材１４の間を充分通過して圧力コントロー
ルバルブ８、９、１０側に排気できるようになってい
る。
【００３１】また、容器１５の側面にはたとえば螺旋状
に回巻された冷却管１７が配置されており、排気の工程
の際に、その供給口１７ａから排出口１７ｂに至って冷
却水が流れるようになっている。
に回巻された冷却管１７が配置されており、排気の工程
の際に、その供給口１７ａから排出口１７ｂに至って冷
却水が流れるようになっている。
【００３２】なお、このように容器１５の側面に回巻さ
れた冷却管１７は該側面に形成された透孔１６を塞いで
しまうことなく配置されているものとする。
れた冷却管１７は該側面に形成された透孔１６を塞いで
しまうことなく配置されているものとする。
【００３３】このような実施例に示したＣＶＤ装置の構
成によれば、排気の段階にて、その排気ガス内にたとえ
ば反応生成物ガスが混入されていても、冷却水が流入さ
れている冷却各１７によって冷却されることによって反
応生成物が固体化されることになる。
成によれば、排気の段階にて、その排気ガス内にたとえ
ば反応生成物ガスが混入されていても、冷却水が流入さ
れている冷却各１７によって冷却されることによって反
応生成物が固体化されることになる。
【００３４】そして、この固体化された反応生成物は充
填材１４の表面に付着されることによって捕獲されるこ
とになる。
填材１４の表面に付着されることによって捕獲されるこ
とになる。
【００３５】このため、圧力コントロールバルブ８、
９、１０を通過する排気ガスには、ほとんど反応生成物
が存在しないものとなり、したがって、圧力コントロー
ルバルブ８、９、１０のオリフィスにこの反応生成物に
原因する詰まりは発生しなくなる。
９、１０を通過する排気ガスには、ほとんど反応生成物
が存在しないものとなり、したがって、圧力コントロー
ルバルブ８、９、１０のオリフィスにこの反応生成物に
原因する詰まりは発生しなくなる。
【００３６】上述した実施例では、充填剤１４の材料と
してステン系の金属を用いたものであるが、これに限定
されることなく他の材料であってもよいことはいうまで
もない。要は排気ガス内に含まれる反応生成物が付着さ
れ易い材料であればなんでもよい。
してステン系の金属を用いたものであるが、これに限定
されることなく他の材料であってもよいことはいうまで
もない。要は排気ガス内に含まれる反応生成物が付着さ
れ易い材料であればなんでもよい。
【００３７】また、上述した実施例では、充填剤１４は
粒状物として説明したものであるが、要はその表面積が
充分に大きければよく、いびつな形状のものであっても
この粒状物の概念に含まれるものとする。
粒状物として説明したものであるが、要はその表面積が
充分に大きければよく、いびつな形状のものであっても
この粒状物の概念に含まれるものとする。
【００３８】また、上述した実施例では、冷却管１７に
冷却水を流入させて冷却手段を構成したものであるが、
要は、充填材１４を冷却するための手段であれば、必ず
しもこの構成に限定されることはないことはいうまでも
ない。
冷却水を流入させて冷却手段を構成したものであるが、
要は、充填材１４を冷却するための手段であれば、必ず
しもこの構成に限定されることはないことはいうまでも
ない。
【００３９】さらに、上述した実施例では、ＣＶＤ装置
について説明したものであるが、必ずしも、これに限定
されることはないことはいうまでもない。要は、反応ガ
スが供給される処理室と、この処理室内に供給された反
応ガスを熱分解するための加熱手段と、この加熱手段に
よって熱分解されたガスを該処理室から排気する排気手
段とを備える熱反応処理装置の全てに適用できるもので
ある。
について説明したものであるが、必ずしも、これに限定
されることはないことはいうまでもない。要は、反応ガ
スが供給される処理室と、この処理室内に供給された反
応ガスを熱分解するための加熱手段と、この加熱手段に
よって熱分解されたガスを該処理室から排気する排気手
段とを備える熱反応処理装置の全てに適用できるもので
ある。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による熱反応処理装置によれば、圧力コントロー
ルバルブのオリフィスに反応生成物による詰まりを生じ
させるのを防止することができる。
本発明による熱反応処理装置によれば、圧力コントロー
ルバルブのオリフィスに反応生成物による詰まりを生じ
させるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による熱反応処理装置に備えられるトラ
ップの一実施例を示す構成図である。
ップの一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による熱反応処理装置の一実施例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【符号の説明】 ７……………………トラップ ８、９、１０………圧力コントロールバルブ １４…………………充填材 １７…………………冷却管
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱手段と、この加熱手段によって加熱
されかつ供給されてくる反応ガスを熱分解させる処理室
と、この処理室内を所定圧に減圧させるための圧力コン
トロールバルブを介した排気手段とを備える熱反応処理
装置において、 前記処理室から前記圧力コントロールバルブに至る排気
経路内に反応生成物をトラップするトラップ手段が備え
られているとともに、 このトラップ手段は、前記処理室からの排気ガスを冷却
する冷却手段と、この冷却手段によって冷却された排気
ガスを通過させる複数の粒状物の集合体からなる充填材
とから構成されていることを特徴とする熱反応処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26300194A JPH08124863A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 熱反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26300194A JPH08124863A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 熱反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124863A true JPH08124863A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17383520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26300194A Pending JPH08124863A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 熱反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100553194B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2006-02-22 | 다나까 기낀조꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｌｐｃｖｄ 장치 및 박막 제조방법 |
| WO2010020446A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Trap |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP26300194A patent/JPH08124863A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100553194B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2006-02-22 | 다나까 기낀조꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｌｐｃｖｄ 장치 및 박막 제조방법 |
| WO2010020446A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Trap |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100257305B1 (ko) | 열처리장치 및 그의 크리닝 방법 | |
| DE19641058C2 (de) | Verfahren zur Bildung eines ferroelektrischen Dünnfilms und Vorrichtung dafür | |
| US6770145B2 (en) | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film | |
| DE112007001223T5 (de) | In-situ Reinigung eines CVD-Systemablasses | |
| US7862638B2 (en) | Gas supply system for semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH08124863A (ja) | 熱反応処理装置 | |
| JPH0824503A (ja) | コールドトラップ及び半導体装置の製造装置 | |
| JP2787979B2 (ja) | 超高純度ガスの供給方法 | |
| JPH0686661B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4111803B2 (ja) | Ｌｐｃｖｄ装置及び薄膜製造方法 | |
| JPS6350272Y2 (ja) | ||
| JPH08176829A (ja) | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3167523B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2002118065A (ja) | 半導体ガスの処理方法およびフィルタ装置 | |
| JPH04330388A (ja) | 真空ポンプ装置 | |
| JPH11243059A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4580833B2 (ja) | 基板処理システム及びトラップ装置 | |
| JP3545498B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2841593B2 (ja) | 真空炉を用いての脱バインダー方法 | |
| KR100790408B1 (ko) | 기화장치 | |
| JPH06163418A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH03185715A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3027778B2 (ja) | 減圧装置昇圧用パージガス導入装置 | |
| KR19980045853A (ko) | 반도체 화학기상증착장비의 이물포집장치 | |
| JPH02214112A (ja) | 薄膜製造装置 |