JPH08125213A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JPH08125213A JPH08125213A JP6262696A JP26269694A JPH08125213A JP H08125213 A JPH08125213 A JP H08125213A JP 6262696 A JP6262696 A JP 6262696A JP 26269694 A JP26269694 A JP 26269694A JP H08125213 A JPH08125213 A JP H08125213A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 雑音を拾いにくい、かつコンデンサー容量の
少ない、かつ製造し易い受光素子を提供するものであ
る。 【構成】 半導体基板と、半導体基板の略中央の表面内
部に設けられ第１導電型の不純物を含む拡散層と、拡散
層の周辺に位置し半導体基板の表面内部に設けられ第２
導電型の不純物を含む高濃度層と、拡散層上と高濃度層
上に各々位置する第１および第２透孔を有し半導体基板
上に設けられた絶縁層と、第１および第２透孔を通じて
拡散層と高濃度層に各々接触しかつ絶縁層上に互いに離
れて設けられた第１および第２電極とを備え、第１電極
を絶縁層上に略全体的に設け、第１電極を接続手段によ
り半導体基板と電気的に接続するものである。
少ない、かつ製造し易い受光素子を提供するものであ
る。 【構成】 半導体基板と、半導体基板の略中央の表面内
部に設けられ第１導電型の不純物を含む拡散層と、拡散
層の周辺に位置し半導体基板の表面内部に設けられ第２
導電型の不純物を含む高濃度層と、拡散層上と高濃度層
上に各々位置する第１および第２透孔を有し半導体基板
上に設けられた絶縁層と、第１および第２透孔を通じて
拡散層と高濃度層に各々接触しかつ絶縁層上に互いに離
れて設けられた第１および第２電極とを備え、第１電極
を絶縁層上に略全体的に設け、第１電極を接続手段によ
り半導体基板と電気的に接続するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光リモコンに好適な受光
モジュールに用いられる受光素子に関する。
モジュールに用いられる受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オーディオ装置、テレビジョン受
信機など多くの室内機器に於て、赤外光が雑音に強くか
つ多くの情報量を伝達できるので、発光ダイオードと受
光素子を利用した光リモコンが使用されている。その光
リモコンに用いられる受光モジュールは例えば、図３の
様に特開平３−７２７３０号公報に示されている。この
図に於て、受光素子３１と回路素子３２が回路基板３３
上に載置され、シールドケース３４に収納されている。
そして受光素子３１はフレーム３５、裏面電極３６、Ｐ
+層３７、半導体基板３８、Ｎ層３９、絶縁層４０、表
面電極４１により構成されている。
信機など多くの室内機器に於て、赤外光が雑音に強くか
つ多くの情報量を伝達できるので、発光ダイオードと受
光素子を利用した光リモコンが使用されている。その光
リモコンに用いられる受光モジュールは例えば、図３の
様に特開平３−７２７３０号公報に示されている。この
図に於て、受光素子３１と回路素子３２が回路基板３３
上に載置され、シールドケース３４に収納されている。
そして受光素子３１はフレーム３５、裏面電極３６、Ｐ
+層３７、半導体基板３８、Ｎ層３９、絶縁層４０、表
面電極４１により構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の受光モジュール
４２を例えばテレビジョン受信機に内蔵した場合、所定
の入力光信号が受信機のフライバックトランスの雑音
（１６．６ｋＨｚ）を拾い易い。そのためにシールドケ
ース３４にメッシュ構造４３を設け、かつフィルタ４４
を設けているが、これらの部品により入力光信号が減衰
しかつコスト高になる。この欠点を解消するために本発
明者は、メッシュ構造４３とフィルタ４４を廃止し、表
面電極４１と離れた半導体基板３８上にワイヤボンディ
ング用の電極４５（図示せず）を設け、それと接触して
透明電極４６を設け、電極４５に接続された金属細線
（図示すせず）を介して電圧を印加した。しかし実験の
結果、この構造に於ても、テレビジョン受信機の雑音を
拾い易い第１の欠点がある。また表面電極４１と電極４
５を設け、更に透明電極４６を設けるので、パターニン
グが２回必要となり、製造しにくい第２の欠点がある。
４２を例えばテレビジョン受信機に内蔵した場合、所定
の入力光信号が受信機のフライバックトランスの雑音
（１６．６ｋＨｚ）を拾い易い。そのためにシールドケ
ース３４にメッシュ構造４３を設け、かつフィルタ４４
を設けているが、これらの部品により入力光信号が減衰
しかつコスト高になる。この欠点を解消するために本発
明者は、メッシュ構造４３とフィルタ４４を廃止し、表
面電極４１と離れた半導体基板３８上にワイヤボンディ
ング用の電極４５（図示せず）を設け、それと接触して
透明電極４６を設け、電極４５に接続された金属細線
（図示すせず）を介して電圧を印加した。しかし実験の
結果、この構造に於ても、テレビジョン受信機の雑音を
拾い易い第１の欠点がある。また表面電極４１と電極４
５を設け、更に透明電極４６を設けるので、パターニン
グが２回必要となり、製造しにくい第２の欠点がある。
【０００４】更に、Ｎ層３９と絶縁層４０と透明電極４
６により平行平板コンデンサーを構成するので、入力光
信号の１部がコンデンサーに流れるため、光信号の出力
電流が小さくなる。そのため、受光できる到達距離が５
〜６ｍと小さくなる第３の欠点がある。故に本発明はこ
の様な従来の欠点を考慮して、雑音を拾いにくい、かつ
コンデンサー容量の少ない、かつ製造し易い受光素子を
提供するものである。
６により平行平板コンデンサーを構成するので、入力光
信号の１部がコンデンサーに流れるため、光信号の出力
電流が小さくなる。そのため、受光できる到達距離が５
〜６ｍと小さくなる第３の欠点がある。故に本発明はこ
の様な従来の欠点を考慮して、雑音を拾いにくい、かつ
コンデンサー容量の少ない、かつ製造し易い受光素子を
提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、半導体基板と、半導体基板の略中央の表
面内部に設けられ第１導電型の不純物を含む拡散層と、
拡散層の周辺に位置し半導体基板の表面内部に設けられ
第２導電型の不純物を含む高濃度層と、拡散層上と高濃
度層上に各々位置する第１および第２透孔を有し半導体
基板上に設けられた絶縁層と、第１および第２透孔を通
じて拡散層と高濃度層に各々接触しかつ絶縁層上に互い
に離れて設けられた第１および第２電極とを備え、第１
電極を絶縁層上に略全体的に設け、第１電極を接続手段
により半導体基板と電気的に接続するものである。
決するために、半導体基板と、半導体基板の略中央の表
面内部に設けられ第１導電型の不純物を含む拡散層と、
拡散層の周辺に位置し半導体基板の表面内部に設けられ
第２導電型の不純物を含む高濃度層と、拡散層上と高濃
度層上に各々位置する第１および第２透孔を有し半導体
基板上に設けられた絶縁層と、第１および第２透孔を通
じて拡散層と高濃度層に各々接触しかつ絶縁層上に互い
に離れて設けられた第１および第２電極とを備え、第１
電極を絶縁層上に略全体的に設け、第１電極を接続手段
により半導体基板と電気的に接続するものである。
【０００６】本発明は更に望ましくは、第２電極を前記
拡散層の上方を除いた範囲に於て絶縁層上に設けるもの
である。
拡散層の上方を除いた範囲に於て絶縁層上に設けるもの
である。
【０００７】
【作用】上述の様に本発明では、半導体基板の略中央に
設けられた第１導電型の拡散層と、半導体基板と、拡散
層の周辺に設けられた第２導電型の高濃度層によりＰＩ
Ｎホトダイオードが形成される。そして、受光素子の略
表面全体を第１電極で覆い、かつ受光素子の裏面となる
半導体基板と第１電極を電気的に接続する事により、受
光素子は略全体の表面が同一電位となる。故に、テレビ
ジョン受信機のフライバックトランス等による電磁場内
に置かれた受光素子は、この同一電位の保護表面により
電磁シールドされる。また、絶縁層上に第１及び第２電
極のみを設けるので、１回のパターニングで済み、かつ
従来の裏面電極を設けないので、構造が簡単であり、製
造し易い。
設けられた第１導電型の拡散層と、半導体基板と、拡散
層の周辺に設けられた第２導電型の高濃度層によりＰＩ
Ｎホトダイオードが形成される。そして、受光素子の略
表面全体を第１電極で覆い、かつ受光素子の裏面となる
半導体基板と第１電極を電気的に接続する事により、受
光素子は略全体の表面が同一電位となる。故に、テレビ
ジョン受信機のフライバックトランス等による電磁場内
に置かれた受光素子は、この同一電位の保護表面により
電磁シールドされる。また、絶縁層上に第１及び第２電
極のみを設けるので、１回のパターニングで済み、かつ
従来の裏面電極を設けないので、構造が簡単であり、製
造し易い。
【０００８】そして望ましくは、拡散層の上方を除いた
絶縁層上に第２電極を設けることにより、拡散層と絶縁
層と第２電極により構成されるコンデンサー容量は小さ
くなる。
絶縁層上に第２電極を設けることにより、拡散層と絶縁
層と第２電極により構成されるコンデンサー容量は小さ
くなる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１と図２に従い説
明する。図１は本実施例に係る受光素子を用いた受光モ
ジュールの断面図、図２は図１のＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、受光素子は例えばＰＩＮホトダイオー
ドからなり、不純物濃度４×１０12ｃｍ-3以下のＰ型不
純物を含むシリコンからなる半導体基板２の略中央の表
面内部に拡散層３が設けられている。拡散層３は第１導
電型の不純物、例えばボロン等の濃度が約１×１０20ｃ
ｍ-3になる様に拡散され、その深さは１〜２μｍであ
り、シート抵抗は１０〜５０Ω／□であり、約２０Ω／
□が望ましい。
明する。図１は本実施例に係る受光素子を用いた受光モ
ジュールの断面図、図２は図１のＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、受光素子は例えばＰＩＮホトダイオー
ドからなり、不純物濃度４×１０12ｃｍ-3以下のＰ型不
純物を含むシリコンからなる半導体基板２の略中央の表
面内部に拡散層３が設けられている。拡散層３は第１導
電型の不純物、例えばボロン等の濃度が約１×１０20ｃ
ｍ-3になる様に拡散され、その深さは１〜２μｍであ
り、シート抵抗は１０〜５０Ω／□であり、約２０Ω／
□が望ましい。
【００１０】高濃度層４は拡散層３の周辺に位置し、半
導体基板２の表面内部に設けられ第２導電型の不純物を
含んでいる。高濃度層４は例えば不純物濃度が約１×１
０20ｃｍ-3、深さ１〜２μｍの燐等が添加されたもので
ある。
導体基板２の表面内部に設けられ第２導電型の不純物を
含んでいる。高濃度層４は例えば不純物濃度が約１×１
０20ｃｍ-3、深さ１〜２μｍの燐等が添加されたもので
ある。
【００１１】阻止層５は高濃度層４の周辺に位置し、半
導体基板２の表面内部に設けられ、例えば不純物濃度が
約１×１０20ｃｍ-3になる様にボロン等の第１導電型不
純物が深さ２〜４μｍに添加されたものである。この様
にして平面から見れば、拡散層３は例えば、横２０００
μｍ、縦１０００μｍの略長方形に形成されている。そ
して、例えば幅が約２０μｍの高濃度層と阻止層５は略
額縁状に形成されている。
導体基板２の表面内部に設けられ、例えば不純物濃度が
約１×１０20ｃｍ-3になる様にボロン等の第１導電型不
純物が深さ２〜４μｍに添加されたものである。この様
にして平面から見れば、拡散層３は例えば、横２０００
μｍ、縦１０００μｍの略長方形に形成されている。そ
して、例えば幅が約２０μｍの高濃度層と阻止層５は略
額縁状に形成されている。
【００１２】第１電極６は例えばアルミニウムからな
り、拡散層３と接触する様に形成されている。第２電極
７は例えばアルミニウムからなり、高濃度層４と接触
し、かつ拡散層３の上方を除いた位置に形成されてい
る。
り、拡散層３と接触する様に形成されている。第２電極
７は例えばアルミニウムからなり、高濃度層４と接触
し、かつ拡散層３の上方を除いた位置に形成されてい
る。
【００１３】絶縁層８は、第１電極６と第２電極７を除
いた半導体基板２の表面上に形成され、例えば二酸化シ
リコンからなる。この絶縁層８は半導体基板２の表面を
保護し、かつ反射防止の役目を果たす。この様にして、
第１および第２電極６、７は絶縁層８の第１および第２
透孔６ａ、７ａを通じて、拡散層３と高濃度層４に各々
接触する様に、絶縁層８上に互いに離れて設けられてい
る。
いた半導体基板２の表面上に形成され、例えば二酸化シ
リコンからなる。この絶縁層８は半導体基板２の表面を
保護し、かつ反射防止の役目を果たす。この様にして、
第１および第２電極６、７は絶縁層８の第１および第２
透孔６ａ、７ａを通じて、拡散層３と高濃度層４に各々
接触する様に、絶縁層８上に互いに離れて設けられてい
る。
【００１４】そして、拡散層３と絶縁層８の境界を流れ
る漏れ電流は、高濃度層４の周辺に形成された阻止層５
により阻止される。
る漏れ電流は、高濃度層４の周辺に形成された阻止層５
により阻止される。
【００１５】また、第１電極６は平面から見れば、拡散
層３の上方を除いた範囲に於て、１部が欠けた略額縁状
に絶縁層８上に略全体的に形成されている。この様に、
阻止層５の上に位置する第１電極６の阻止により、入射
光が阻止層５にあたらないので、阻止層５の周辺で電流
が発生しない。故に、所定のダイオード特性（印加する
バイアス電圧に対する出力電流）が得られる。
層３の上方を除いた範囲に於て、１部が欠けた略額縁状
に絶縁層８上に略全体的に形成されている。この様に、
阻止層５の上に位置する第１電極６の阻止により、入射
光が阻止層５にあたらないので、阻止層５の周辺で電流
が発生しない。故に、所定のダイオード特性（印加する
バイアス電圧に対する出力電流）が得られる。
【００１６】そして、第２電極７は平面から見れば、第
１電極６と離れて絶縁層８上に略長方形に形成されてい
る。これらの部材により、受光素子１が構成されてい
る。また、高濃度層４と絶縁層８と第１電極６によりコ
ンデンサーを構成するが、その容量は従来に比べて極め
て小さい。何故ならば、高濃度層４の平面面積をＳ１と
し、拡散層３の平面面積をＳ２とすると、Ｓ１＝２０×
（２０００＋２０００＋１０００＋１０００）＝１２
０，０００μｍ、Ｓ２＝２０００×１０００＝２，００
０，０００μｍ2となる。故に、Ｓ１／Ｓ２＝６％とな
り、コンデンサーとなる平板面積が従来の６％であり、
コンデンサー容量も従来の６％となる。
１電極６と離れて絶縁層８上に略長方形に形成されてい
る。これらの部材により、受光素子１が構成されてい
る。また、高濃度層４と絶縁層８と第１電極６によりコ
ンデンサーを構成するが、その容量は従来に比べて極め
て小さい。何故ならば、高濃度層４の平面面積をＳ１と
し、拡散層３の平面面積をＳ２とすると、Ｓ１＝２０×
（２０００＋２０００＋１０００＋１０００）＝１２
０，０００μｍ、Ｓ２＝２０００×１０００＝２，００
０，０００μｍ2となる。故に、Ｓ１／Ｓ２＝６％とな
り、コンデンサーとなる平板面積が従来の６％であり、
コンデンサー容量も従来の６％となる。
【００１７】第１フレーム９は金属板からなり、導電性
接着剤１０を介して受光素子１が載置されている。接続
手段１１は例えば金等の金属細線からなり、第１電極６
と第１フレーム９との間に配線されている。すなわち接
続手段１１により、第１電極６と半導体基板２は電気的
に接続されている。
接着剤１０を介して受光素子１が載置されている。接続
手段１１は例えば金等の金属細線からなり、第１電極６
と第１フレーム９との間に配線されている。すなわち接
続手段１１により、第１電極６と半導体基板２は電気的
に接続されている。
【００１８】回路素子１２は、第１フレーム９上に導電
性接着剤１３を介して載置されている。回路素子１２は
裏面電極１４と、Ｐ型半導体基板１５と、複合層１６
と、表面電極１７、１８、１９、２０から構成されてい
る。
性接着剤１３を介して載置されている。回路素子１２は
裏面電極１４と、Ｐ型半導体基板１５と、複合層１６
と、表面電極１７、１８、１９、２０から構成されてい
る。
【００１９】金属細線２１は、回路素子１２の表面電極
１７と受光素子１の第２電極７との間に配線されてい
る。第２フレーム２２と第３フレーム２３は共に金属板
からなり、それぞれ表面電極１８、１９に接続されてい
る。
１７と受光素子１の第２電極７との間に配線されてい
る。第２フレーム２２と第３フレーム２３は共に金属板
からなり、それぞれ表面電極１８、１９に接続されてい
る。
【００２０】樹脂２４はエポキシ樹脂などからなり、受
光素子１と回路素子１２と第１、第２、第３フレーム
９、２２、２３の周辺を覆う様に設けられている。樹脂
２４は受光素子１の感度特性に合せ、赤外光を透過する
が可視光を減衰させるフィルタ染料が混入してある。ま
た望ましくは、樹脂２４の上面は凸レンズ状に形成され
より多くの光量が拡散層３に集まる様に設けられてい
る。これらの部材により、受光モジュール２５が構成さ
れている。
光素子１と回路素子１２と第１、第２、第３フレーム
９、２２、２３の周辺を覆う様に設けられている。樹脂
２４は受光素子１の感度特性に合せ、赤外光を透過する
が可視光を減衰させるフィルタ染料が混入してある。ま
た望ましくは、樹脂２４の上面は凸レンズ状に形成され
より多くの光量が拡散層３に集まる様に設けられてい
る。これらの部材により、受光モジュール２５が構成さ
れている。
【００２１】次に、この受光モジュール２５の動作を説
明する。光リモコンの発光モジュール（図示せず）から
送られ電気信号を変調され赤外光に重畳された入力光信
号２６が樹脂２４を介して、受光素子１の拡散層３に入
射する。この時、回路素子１２内のＡＢＬＣ（オートバ
イアスロジックレベルコントローラ）により、受光素子
１に一定の逆バイアス電圧が印加されている。入力光信
号２６の強度に従う光信号出力が金属細線２１を介して
回路素子１２に入る。光信号出力は、回路素子１２内の
増幅器と検波回路と波形整形回路等により、検波された
電気信号となり第２フレーム２２から出力される。
明する。光リモコンの発光モジュール（図示せず）から
送られ電気信号を変調され赤外光に重畳された入力光信
号２６が樹脂２４を介して、受光素子１の拡散層３に入
射する。この時、回路素子１２内のＡＢＬＣ（オートバ
イアスロジックレベルコントローラ）により、受光素子
１に一定の逆バイアス電圧が印加されている。入力光信
号２６の強度に従う光信号出力が金属細線２１を介して
回路素子１２に入る。光信号出力は、回路素子１２内の
増幅器と検波回路と波形整形回路等により、検波された
電気信号となり第２フレーム２２から出力される。
【００２２】なお上述の説明では、ＰＩＮホトダイオー
ドを例にとったが、本発明はこれに限られるものでな
く、一般のホトダイオード（受光素子）に適用でき、更
に本実施例と逆極性の受光素子についても適用できる。
ドを例にとったが、本発明はこれに限られるものでな
く、一般のホトダイオード（受光素子）に適用でき、更
に本実施例と逆極性の受光素子についても適用できる。
【００２３】
【発明の効果】上述の様に本発明では、半導体基板の略
中央に設けられた第１導電型の拡散層と、半導体基板
と、拡散層の周辺に設けられた第２導電型の高濃度層に
よりＰＩＮホトダイオードが形成される。そして、受光
素子の略表面全体を第１電極で覆い、かつ受光素子の裏
面となる半導体基板と第１電極を電気的に接続する事に
より、受光素子は略全体の表面が同一電位となる。故
に、テレビジョン受信機のフライバックトランス等によ
る電磁場内に置かれた受光素子は、この同一電位の保護
表面により電磁シールドされる。また、絶縁層上に第１
及び第２電極のみを設けるので、１回のパターニングで
済み、かつ従来の裏面電極を設けないので、構造が簡単
であり、製造し易い。
中央に設けられた第１導電型の拡散層と、半導体基板
と、拡散層の周辺に設けられた第２導電型の高濃度層に
よりＰＩＮホトダイオードが形成される。そして、受光
素子の略表面全体を第１電極で覆い、かつ受光素子の裏
面となる半導体基板と第１電極を電気的に接続する事に
より、受光素子は略全体の表面が同一電位となる。故
に、テレビジョン受信機のフライバックトランス等によ
る電磁場内に置かれた受光素子は、この同一電位の保護
表面により電磁シールドされる。また、絶縁層上に第１
及び第２電極のみを設けるので、１回のパターニングで
済み、かつ従来の裏面電極を設けないので、構造が簡単
であり、製造し易い。
【００２４】そして望ましくは、拡散層の上方を除いた
絶縁層上に第２電極を設けることにより、拡散層と絶縁
層と第２電極により構成されるコンデンサー容量は小さ
くなる。その結果、コンデンサーを通る入力光信号の量
が減るので、光信号の出力電流が大きくなり、受光モジ
ュール等に組込んだ時、受光の到達距離が８〜９と長く
なる。
絶縁層上に第２電極を設けることにより、拡散層と絶縁
層と第２電極により構成されるコンデンサー容量は小さ
くなる。その結果、コンデンサーを通る入力光信号の量
が減るので、光信号の出力電流が大きくなり、受光モジ
ュール等に組込んだ時、受光の到達距離が８〜９と長く
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る受光素子を用いた受光モ
ジュールの断面図である。
ジュールの断面図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】従来の受光モジュールの断面図である。
２ 半導体基板 ３ 拡散層 ４ 高濃度層 ６ 第１電極 ７ 第２電極 ８ 絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板と、その半導体基板の略中央
の表面内部に設けられ第１導電型の不純物を含む拡散層
と、その拡散層の周辺に位置し前記半導体基板の表面内
部に設けられ第２導電型の不純物を含む高濃度層と、前
記拡散層上と前記高濃度層上に各々位置する第１および
第２透孔を有し前記半導体基板上に設けられた絶縁層
と、前記第１および第２透孔を通じて前記拡散層と前記
高濃度層に各々接触しかつ前記絶縁層上に互いに離れて
設けられた第１および第２電極とを備え、前記第１電極
は前記絶縁層上に略全体的に設けられ、前記第１電極は
接続手段により前記半導体基板と電気的に接続された事
を特徴とする受光素子。 - 【請求項２】 前記第２電極は前記拡散層の上方を除い
た範囲に於て前記絶縁層上に設けられたことを特徴とす
る請求項１の受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26269694A JP3583815B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26269694A JP3583815B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 受光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004181472A Division JP4036850B2 (ja) | 2004-06-18 | 2004-06-18 | 受光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125213A true JPH08125213A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3583815B2 JP3583815B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=17379331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26269694A Expired - Fee Related JP3583815B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3583815B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201137A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
| CN100449575C (zh) * | 2004-11-05 | 2009-01-07 | 游志锋 | 红外遥控接收放大器的屏蔽方法及红外遥控接收放大装置 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26269694A patent/JP3583815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100449575C (zh) * | 2004-11-05 | 2009-01-07 | 游志锋 | 红外遥控接收放大器的屏蔽方法及红外遥控接收放大装置 |
| JP2007201137A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3583815B2 (ja) | 2004-11-04 |
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