JPH08129070A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPH08129070A JPH08129070A JP6265759A JP26575994A JPH08129070A JP H08129070 A JPH08129070 A JP H08129070A JP 6265759 A JP6265759 A JP 6265759A JP 26575994 A JP26575994 A JP 26575994A JP H08129070 A JPH08129070 A JP H08129070A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積密度を高めることができると共に、信号
検知特性がよく出力電圧が飽和しにくい半導体Ｘ線検出
器を提供する。 【構成】 センサ素子１に入射したＸ線フォトンの数に
応じた電荷Ｑが積分回路Ｓのキャパシタ３に貯えられ、
その電荷Ｑに応じた電圧Ｖが出力される。この際、トラ
ンジスタであるＭＯＳＦＥＴ４１には、センサ素子１の
リーク電流Ｉ1 とＸ線フォトンの入射レートに応じた直
流電流Ｉ2 を合わせたＩが流れるが、この電流は、ＭＯ
ＳＦＥＴ４１の弱反転領域内で動作するため、ドレイン
Ｄ、ソースＳ間に流れる電流Ｉに反比例してＭＯＳＦＥ
Ｔ４１の抵抗が変化する。このため、キャパシタ３に電
荷が貯えられていない状態では、抵抗値が高く検出特性
がよくなる、一方、キャパシタ３に電荷が貯えられてく
ると、抵抗値が下がりキャパシタ３に貯えられた電荷の
放電量が増し、増幅器２の出力電圧は飽和しにくくな
る。
検知特性がよく出力電圧が飽和しにくい半導体Ｘ線検出
器を提供する。 【構成】 センサ素子１に入射したＸ線フォトンの数に
応じた電荷Ｑが積分回路Ｓのキャパシタ３に貯えられ、
その電荷Ｑに応じた電圧Ｖが出力される。この際、トラ
ンジスタであるＭＯＳＦＥＴ４１には、センサ素子１の
リーク電流Ｉ1 とＸ線フォトンの入射レートに応じた直
流電流Ｉ2 を合わせたＩが流れるが、この電流は、ＭＯ
ＳＦＥＴ４１の弱反転領域内で動作するため、ドレイン
Ｄ、ソースＳ間に流れる電流Ｉに反比例してＭＯＳＦＥ
Ｔ４１の抵抗が変化する。このため、キャパシタ３に電
荷が貯えられていない状態では、抵抗値が高く検出特性
がよくなる、一方、キャパシタ３に電荷が貯えられてく
ると、抵抗値が下がりキャパシタ３に貯えられた電荷の
放電量が増し、増幅器２の出力電圧は飽和しにくくな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、被検体を透過
した放射線、特に被検体を透過したＸ線からＸ線像を撮
影するＸ線撮像装置に用いられる半導体放射線検出器に
関する。
した放射線、特に被検体を透過したＸ線からＸ線像を撮
影するＸ線撮像装置に用いられる半導体放射線検出器に
関する。
【０００２】
【従来技術】近年、胸部用のＸ線撮像装置として、直接
フィルムに透過Ｘ線を照射することでＸ線撮影像を得る
方式に代わり、多数の半導体Ｘ線検出素子を並べて配置
したラインセンサまたは２次元センサにより透過Ｘ線を
電気信号に変換することでＸ線撮影像を得る方式が開発
されている。
フィルムに透過Ｘ線を照射することでＸ線撮影像を得る
方式に代わり、多数の半導体Ｘ線検出素子を並べて配置
したラインセンサまたは２次元センサにより透過Ｘ線を
電気信号に変換することでＸ線撮影像を得る方式が開発
されている。
【０００３】この半導体Ｘ線検出器は、図６に示される
ように、Ｘ線を検出するセンサ素子１１と、オペアンプ
等からなる増幅器１２と、これに並列接続したキャパシ
タ１３及び抵抗１４からなる積分回路Ｓ’とで構成され
る。そして、Ｘ線がセンサ素子１１に入射する度に、キ
ャパシタ１３に所定量の電荷Ｑが貯えられ、図７に示さ
れるように、増幅器１２の出力電圧がステップ状に上昇
する。増幅器１２の出力電圧は、次段に接続される不図
示のシェーピングアンプ等により微分され、カウントパ
ルスとして出力され、このカウント値からＸ線入射量の
測定がなされる。一方、キャパシタ１３に貯えられた電
荷Ｑは抵抗１４を通じて徐々に放電され、キャパシタ１
３の蓄積電荷、すなわち増幅器１２の出力電圧が飽和す
ることを防止している。
ように、Ｘ線を検出するセンサ素子１１と、オペアンプ
等からなる増幅器１２と、これに並列接続したキャパシ
タ１３及び抵抗１４からなる積分回路Ｓ’とで構成され
る。そして、Ｘ線がセンサ素子１１に入射する度に、キ
ャパシタ１３に所定量の電荷Ｑが貯えられ、図７に示さ
れるように、増幅器１２の出力電圧がステップ状に上昇
する。増幅器１２の出力電圧は、次段に接続される不図
示のシェーピングアンプ等により微分され、カウントパ
ルスとして出力され、このカウント値からＸ線入射量の
測定がなされる。一方、キャパシタ１３に貯えられた電
荷Ｑは抵抗１４を通じて徐々に放電され、キャパシタ１
３の蓄積電荷、すなわち増幅器１２の出力電圧が飽和す
ることを防止している。
【０００４】ここで、上記抵抗１４の抵抗値が小さすぎ
ると、図８に示されるようにキャパシタ１３に貯えられ
た電荷の放電が急激に生じるため、次段のシェーピング
アンプ等によって、増幅器１２の電圧変化を検知できな
くなる。一方、上記抵抗１４の抵抗値が大きすぎると、
増幅器１２の電圧Ｖがすぐに飽和してしまい正確な入射
Ｘ線の検出が不可能になる。このため、増幅器１２に接
続するための抵抗は、数百Ｋオウムから数十Ｍオウムが
望ましいとされている。
ると、図８に示されるようにキャパシタ１３に貯えられ
た電荷の放電が急激に生じるため、次段のシェーピング
アンプ等によって、増幅器１２の電圧変化を検知できな
くなる。一方、上記抵抗１４の抵抗値が大きすぎると、
増幅器１２の電圧Ｖがすぐに飽和してしまい正確な入射
Ｘ線の検出が不可能になる。このため、増幅器１２に接
続するための抵抗は、数百Ｋオウムから数十Ｍオウムが
望ましいとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積回
路上に数百Ｋオウムから数十Ｍオウムの抵抗を形成する
には大きな面積が必要となるため、このような抵抗を形
成すると、半導体Ｘ線検出器の集積密度を高めることが
非常に困難となる。
路上に数百Ｋオウムから数十Ｍオウムの抵抗を形成する
には大きな面積が必要となるため、このような抵抗を形
成すると、半導体Ｘ線検出器の集積密度を高めることが
非常に困難となる。
【０００６】一方、増幅器１２に並列接続する抵抗は、
上述したように信号検知という観点からは抵抗値が大き
いものが好ましく、また、増幅器１２の電圧を飽和させ
ないためには、抵抗値が小さいものが好ましいのである
が、従来のように固定抵抗を用いた場合には、両者の要
求を満足する中間的な抵抗値とせざるを得なかった。そ
こで、本発明はかかる課題を解消するため、集積密度を
高めることができると共に、信号検知特性がよく、しか
も出力電圧が飽和しにくい半導体放射線検出器を提供す
ることを目的とする。
上述したように信号検知という観点からは抵抗値が大き
いものが好ましく、また、増幅器１２の電圧を飽和させ
ないためには、抵抗値が小さいものが好ましいのである
が、従来のように固定抵抗を用いた場合には、両者の要
求を満足する中間的な抵抗値とせざるを得なかった。そ
こで、本発明はかかる課題を解消するため、集積密度を
高めることができると共に、信号検知特性がよく、しか
も出力電圧が飽和しにくい半導体放射線検出器を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、放射線を検出するセンサ素子と、このセ
ンサ素子の信号を積分する積分回路とからなる半導体放
射線検出器において、前記積分回路は、前記センサ素子
の信号を増幅する増幅器と、この増幅器に並列接続され
るキャパシタと、このキャパシタに並列接続され可変抵
抗として動作するトランジスタと、からなることを特徴
とする。
に、本発明は、放射線を検出するセンサ素子と、このセ
ンサ素子の信号を積分する積分回路とからなる半導体放
射線検出器において、前記積分回路は、前記センサ素子
の信号を増幅する増幅器と、この増幅器に並列接続され
るキャパシタと、このキャパシタに並列接続され可変抵
抗として動作するトランジスタと、からなることを特徴
とする。
【０００８】
【作用】本発明の作用を図１に基づいて説明すると、セ
ンサ素子１に入射したＸ線のフォトンのエネルギーに応
じた電荷Ｑが積分回路Ｓのキャパシタ３に貯えられ、そ
の電荷Ｑに応じた電圧が出力される。この際、トランジ
スタであるＭＯＳＦＥＴ４１には、センサ素子１のリー
ク電流Ｉ1 とＸ線フォトンの入射レートに応じた直流電
流Ｉ2 を合わせた直流電流Ｉが流れるが、この電流Ｉは
図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴ４１の弱反転領域内の
大きさとなるため、ＭＯＳＦＥＴ４１のドレインＤ及び
ソースＳ間の抵抗Ｒｍは、 Ｒｍ＝ｎ・ＵT ／Ｉ ＵT ＝ｋＴ／ｑ ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温
度、ｑ：電気素量 ｎ ＝１〜２（デバイスに応じて定まる定数） で規定され、室温Ｔ＝３００ｋ、センサ素子１のリーク
電流Ｉ1 ＝１０ｎＡ、ｎ＝１．７とすると、Ｘ線がセン
サ素子１に入射しない状態では、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵
抗Ｒｍは約４．４Ｍオウムとなり、Ｘ線がセンサ素子１
に入射し、Ｘ線フォトンの入射レートに応じて定まる直
流電流Ｉ2 が２０ｎＡになると、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵
抗Ｒｍは約１．５Ｍオウムとなる。
ンサ素子１に入射したＸ線のフォトンのエネルギーに応
じた電荷Ｑが積分回路Ｓのキャパシタ３に貯えられ、そ
の電荷Ｑに応じた電圧が出力される。この際、トランジ
スタであるＭＯＳＦＥＴ４１には、センサ素子１のリー
ク電流Ｉ1 とＸ線フォトンの入射レートに応じた直流電
流Ｉ2 を合わせた直流電流Ｉが流れるが、この電流Ｉは
図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴ４１の弱反転領域内の
大きさとなるため、ＭＯＳＦＥＴ４１のドレインＤ及び
ソースＳ間の抵抗Ｒｍは、 Ｒｍ＝ｎ・ＵT ／Ｉ ＵT ＝ｋＴ／ｑ ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温
度、ｑ：電気素量 ｎ ＝１〜２（デバイスに応じて定まる定数） で規定され、室温Ｔ＝３００ｋ、センサ素子１のリーク
電流Ｉ1 ＝１０ｎＡ、ｎ＝１．７とすると、Ｘ線がセン
サ素子１に入射しない状態では、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵
抗Ｒｍは約４．４Ｍオウムとなり、Ｘ線がセンサ素子１
に入射し、Ｘ線フォトンの入射レートに応じて定まる直
流電流Ｉ2 が２０ｎＡになると、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵
抗Ｒｍは約１．５Ｍオウムとなる。
【０００９】このため、このＭＯＳＦＥＴ４１を含む半
導体Ｘ線検出器はキャパシタ３に電荷が貯えられていな
い状態では、抵抗Ｒｍの抵抗値は非常に大きい値となる
ため信号検出特性がよく、しかも、入射フォトン数が増
加しキャパシタ３の蓄積電荷が増加するにつれて抵抗Ｒ
ｍの抵抗値は小さい値となり、蓄積電荷の放電が促進さ
れるため、増幅器２の出力電圧Ｖは飽和しにくいものと
なる。また、固定抵抗に換えてＭＯＳＦＥＴ４１を用い
るため大抵抗にも拘わらず集積密度を非常に高めること
ができる。
導体Ｘ線検出器はキャパシタ３に電荷が貯えられていな
い状態では、抵抗Ｒｍの抵抗値は非常に大きい値となる
ため信号検出特性がよく、しかも、入射フォトン数が増
加しキャパシタ３の蓄積電荷が増加するにつれて抵抗Ｒ
ｍの抵抗値は小さい値となり、蓄積電荷の放電が促進さ
れるため、増幅器２の出力電圧Ｖは飽和しにくいものと
なる。また、固定抵抗に換えてＭＯＳＦＥＴ４１を用い
るため大抵抗にも拘わらず集積密度を非常に高めること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図５に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１は本発明にかかる半導体Ｘ線検出器の
一実施例を示す概略図である。同図において、１はＸ線
を検出するとセンサ素子である。Ｓは積分回路で、オペ
アンプ等からなる増幅器２と、これに並列接続されたキ
ャパシタ３と、このキャパシタ３に並列接続されたトラ
ンジスタであるＭＯＳＦＥＴ４１から構成される。ＭＯ
ＳＦＥＴ４１のゲートＧはドレインＤに短絡され、ドレ
インＤは増幅器２の出力に、また、ソースＳは増幅器２
の反転入力にぞれぞれ接続されている。
一実施例を示す概略図である。同図において、１はＸ線
を検出するとセンサ素子である。Ｓは積分回路で、オペ
アンプ等からなる増幅器２と、これに並列接続されたキ
ャパシタ３と、このキャパシタ３に並列接続されたトラ
ンジスタであるＭＯＳＦＥＴ４１から構成される。ＭＯ
ＳＦＥＴ４１のゲートＧはドレインＤに短絡され、ドレ
インＤは増幅器２の出力に、また、ソースＳは増幅器２
の反転入力にぞれぞれ接続されている。
【００１２】そして、Ｘ線がセンサ素子１に入射する
と、入射したＸ線のフォトンエネルギーに応じてキャパ
シタ３に所定量の電荷Ｑが貯えられ、従来例で示した図
７と同様に、増幅器２の出力電圧がステップ状に上昇
し、この出力電圧は次段に接続された不図示のシェーピ
ングアンプ等により微分され、そのカウントパルス数か
らＸ線入射量が測定される。
と、入射したＸ線のフォトンエネルギーに応じてキャパ
シタ３に所定量の電荷Ｑが貯えられ、従来例で示した図
７と同様に、増幅器２の出力電圧がステップ状に上昇
し、この出力電圧は次段に接続された不図示のシェーピ
ングアンプ等により微分され、そのカウントパルス数か
らＸ線入射量が測定される。
【００１３】ここで、トランジスタであるＭＯＳＦＥＴ
４１には、センサ素子１のリーク電流Ｉ1 とＸ線フォト
ンの入射レートに応じた直流電流Ｉ2 を合わせた電流Ｉ
が流れるが、この電流Ｉはセンサ素子１の特性上微小な
電流となるため、図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴ４１
は弱反転領域内で動作することとなる。かかる弱反転領
域内では、ＭＯＳＦＥＴ４１のドレインＤ及びソースＳ
間の抵抗Ｒｍは、次式 Ｒｍ＝ｎ・ＵT ／Ｉ と規定されることが知られている。ここで、 ＵT ＝ｋＴ／ｑ（ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、
ｑ：電気素量（ｑ＝１．６×１０-9クーロン） ｎは、デバイスに応じて定まる定数で１〜２の値を示
す。
４１には、センサ素子１のリーク電流Ｉ1 とＸ線フォト
ンの入射レートに応じた直流電流Ｉ2 を合わせた電流Ｉ
が流れるが、この電流Ｉはセンサ素子１の特性上微小な
電流となるため、図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴ４１
は弱反転領域内で動作することとなる。かかる弱反転領
域内では、ＭＯＳＦＥＴ４１のドレインＤ及びソースＳ
間の抵抗Ｒｍは、次式 Ｒｍ＝ｎ・ＵT ／Ｉ と規定されることが知られている。ここで、 ＵT ＝ｋＴ／ｑ（ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、
ｑ：電気素量（ｑ＝１．６×１０-9クーロン） ｎは、デバイスに応じて定まる定数で１〜２の値を示
す。
【００１４】例えば、キャパシタ３が完全に放電した状
態を考え、室温Ｔ＝３００ｋ、センサ素子１のリーク電
流Ｉ1 が１０ｎＡ、ｎ＝１．７とすると、ＭＯＳＦＥＴ
４１の抵抗Ｒｍは約４．４Ｍオウムとなり、従来例でも
説明したように、半導体Ｘ線検出器において信号検知特
性がよく及び出力電圧Ｖが飽和しにくい、という観点か
ら、増幅器２に並列接続する抵抗として好ましいものと
なる。一方、Ｘ線がセンサ素子１に入射し、キャパシタ
に電荷が貯えられ、増幅器２の出力電圧Ｖが上昇し、増
幅器２から電流Ｉがリーク電流Ｉ1 と合わせて３０ｎＡ
になったとすると、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵抗Ｒｍは約
１．５Ｍオウムとなる。
態を考え、室温Ｔ＝３００ｋ、センサ素子１のリーク電
流Ｉ1 が１０ｎＡ、ｎ＝１．７とすると、ＭＯＳＦＥＴ
４１の抵抗Ｒｍは約４．４Ｍオウムとなり、従来例でも
説明したように、半導体Ｘ線検出器において信号検知特
性がよく及び出力電圧Ｖが飽和しにくい、という観点か
ら、増幅器２に並列接続する抵抗として好ましいものと
なる。一方、Ｘ線がセンサ素子１に入射し、キャパシタ
に電荷が貯えられ、増幅器２の出力電圧Ｖが上昇し、増
幅器２から電流Ｉがリーク電流Ｉ1 と合わせて３０ｎＡ
になったとすると、ＭＯＳＦＥＴ４１の抵抗Ｒｍは約
１．５Ｍオウムとなる。
【００１５】このように、ＭＯＳＦＥＴ４１は、弱反転
領域においてはドレインＤ、ソースＳ間に流れる電流Ｉ
に反比例して抵抗が変化するため、キャパシタ３に電荷
が貯えられていない状態では、抵抗値が高く検出特性が
よくなる。一方、キャパシタ３に電荷が貯えられてくる
と、抵抗値が下がりキャパシタ３に貯えられた電荷の放
電量が増し、増幅器２の出力電圧は飽和しにくくなる。
また、抵抗に換えてトランジスタを用いたため、小面積
で非常に高い抵抗の形成が可能となり、半導体検出器の
集積密度を高めることができる。
領域においてはドレインＤ、ソースＳ間に流れる電流Ｉ
に反比例して抵抗が変化するため、キャパシタ３に電荷
が貯えられていない状態では、抵抗値が高く検出特性が
よくなる。一方、キャパシタ３に電荷が貯えられてくる
と、抵抗値が下がりキャパシタ３に貯えられた電荷の放
電量が増し、増幅器２の出力電圧は飽和しにくくなる。
また、抵抗に換えてトランジスタを用いたため、小面積
で非常に高い抵抗の形成が可能となり、半導体検出器の
集積密度を高めることができる。
【００１６】なお、図３に示すように、増幅器２に並列
接続するトランジスタとして図１のＭＯＳＦＥＴに換え
てバイポーラトランジスタ４２を用いても良く、また図
４に示されるように、ダイオード４３を用いてもよい。
接続するトランジスタとして図１のＭＯＳＦＥＴに換え
てバイポーラトランジスタ４２を用いても良く、また図
４に示されるように、ダイオード４３を用いてもよい。
【００１７】図５は図１の実施例において、増幅器２の
ＭＯＳＦＥＴ４１への出力端２ｂをキャパシタ３への出
力端２ｃとは別個にバッファ２ａを介して取り出した例
であり、ＭＯＳＦＥＴ４１及びキャパシタ３は、必ずし
も同一の増幅器出力に接続させなくてもよい。かかる構
成は、回路を作動ではなく片側のみで構成する場合に必
要不可欠となりうることがあるもので、直流のフィード
バックでは、入出力がある程度同電位にする必要がある
ことに対応させたものである。
ＭＯＳＦＥＴ４１への出力端２ｂをキャパシタ３への出
力端２ｃとは別個にバッファ２ａを介して取り出した例
であり、ＭＯＳＦＥＴ４１及びキャパシタ３は、必ずし
も同一の増幅器出力に接続させなくてもよい。かかる構
成は、回路を作動ではなく片側のみで構成する場合に必
要不可欠となりうることがあるもので、直流のフィード
バックでは、入出力がある程度同電位にする必要がある
ことに対応させたものである。
【００１８】なお、上述の実施例では、放射線として最
も代表的なＸ線について説明したが、本発明はこれに限
定されることはなく、α線やγ線等の放射線であっても
よい。
も代表的なＸ線について説明したが、本発明はこれに限
定されることはなく、α線やγ線等の放射線であっても
よい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、積分回路に用いる放電
用の抵抗としてのトランジスタが弱反転領域において動
作するため、ドレインＤ、ソースＳ間に流れる電流Ｉに
反比例して抵抗が変化する。このため、キャパシタに電
荷が貯えられていない状態では、抵抗値が高くなって信
号検出特性が向上し、キャパシタに電荷が貯えられてく
ると、抵抗値が下がりキャパシタに貯えられた電荷の放
電量が増し、積分回路の出力電圧は飽和しにくくなる。
したがって、本発明によれば、信号検知特性がよく、し
かも出力電圧が飽和しにくい半導体放射線検出器が得ら
れる。
用の抵抗としてのトランジスタが弱反転領域において動
作するため、ドレインＤ、ソースＳ間に流れる電流Ｉに
反比例して抵抗が変化する。このため、キャパシタに電
荷が貯えられていない状態では、抵抗値が高くなって信
号検出特性が向上し、キャパシタに電荷が貯えられてく
ると、抵抗値が下がりキャパシタに貯えられた電荷の放
電量が増し、積分回路の出力電圧は飽和しにくくなる。
したがって、本発明によれば、信号検知特性がよく、し
かも出力電圧が飽和しにくい半導体放射線検出器が得ら
れる。
【００２０】また、抵抗に換えてトランジスタを用いた
ため、小面積で非常に高い抵抗が形成でき、半導体放射
線検出器の集積密度を非常に高めることができる。
ため、小面積で非常に高い抵抗が形成でき、半導体放射
線検出器の集積密度を非常に高めることができる。
【図１】本発明にかかる半導体Ｘ線検出器の一実施例で
ある。
ある。
【図２】トランジスタの入力電圧と出力電流との関係を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明にかかる半導体Ｘ線検出器の他の実施例
である。
である。
【図４】本発明にかかる半導体Ｘ線検出器の他の実施例
である。
である。
【図５】本発明にかかる半導体Ｘ線検出器の他の実施例
である。
である。
【図６】従来の半導体Ｘ線検出器を示す図である。
【図７】Ｘ線がセンサ素子に入射した場合の積分回路の
出力電圧と時間との関係を示す図である。
出力電圧と時間との関係を示す図である。
【図８】Ｘ線がセンサ素子に入射した場合の積分回路の
出力電圧と時間との関係を示す図である。
出力電圧と時間との関係を示す図である。
１・・・・・・センサ素子 ２・・・・・・増幅器 ３・・・・・・キャパシタ ４１・・・・・ＭＯＳＦＥＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線を検出するセンサ素子と、このセ
ンサ素子の信号を積分して出力する積分回路とからなる
半導体放射線検出器において、 前記積分回路は、前記センサ素子の信号を増幅する増幅
器と、この増幅器に並列接続されるキャパシタと、この
キャパシタに並列接続され可変抵抗として動作するトラ
ンジスタと、からなることを特徴とする半導体放射線検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265759A JPH08129070A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265759A JPH08129070A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129070A true JPH08129070A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17421626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6265759A Pending JPH08129070A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129070A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277593A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Konica Corp | 対数変換回路及び放射線画像読取装置 |
| JP2006140289A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Olympus Corp | 受光装置 |
| JP6310171B1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトン検出器 |
| WO2021016796A1 (en) | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Amplifier for dark noise compensation |
| WO2022122378A1 (en) * | 2020-12-09 | 2022-06-16 | Ams International Ag | Front-end electronic circuitry for a photon counting application |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6265759A patent/JPH08129070A/ja active Pending
Cited By (13)
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