JPH08129738A - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記録再生装置Info
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- JPH08129738A JPH08129738A JP26903694A JP26903694A JPH08129738A JP H08129738 A JPH08129738 A JP H08129738A JP 26903694 A JP26903694 A JP 26903694A JP 26903694 A JP26903694 A JP 26903694A JP H08129738 A JPH08129738 A JP H08129738A
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- recording medium
- magnetic film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録再生したとき優れた低ノイズ特性を
有し超高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板１上に下地層２、磁性膜３及び保
護層４を積層してなる磁気記録媒体において、非磁性基
板、下地層又は磁性膜のうち少なくとも１つの選択され
た領域にイオン打込み領域５を形成する。選択された領
域は同心円状、らせん状、又は中心から外周部に向かう
放射状とする。磁性膜３は非磁性中間層を介して多層に
積層してもよい。また、多層に積層した磁性膜の少なく
とも１層の全面にイオン打ち込み領域を形成する。 【効果】 基板にテクスチャ溝を形成することなく磁性
膜の結晶配向や磁気異方性、あるいは磁性粒子間の相互
作用を制御することができる。
有し超高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板１上に下地層２、磁性膜３及び保
護層４を積層してなる磁気記録媒体において、非磁性基
板、下地層又は磁性膜のうち少なくとも１つの選択され
た領域にイオン打込み領域５を形成する。選択された領
域は同心円状、らせん状、又は中心から外周部に向かう
放射状とする。磁性膜３は非磁性中間層を介して多層に
積層してもよい。また、多層に積層した磁性膜の少なく
とも１層の全面にイオン打ち込み領域を形成する。 【効果】 基板にテクスチャ溝を形成することなく磁性
膜の結晶配向や磁気異方性、あるいは磁性粒子間の相互
作用を制御することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に好適
な磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置に関す
る。
な磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、実用的に用いられている磁気記録
方式は、磁気記録媒体面に平行に、かつ磁極のＮ極とＮ
極、Ｓ極とＳ極を互いに突き合わせる方向に磁化して磁
気記録を行う面内磁気記録方式である。この方式で記録
密度を上げるには、記録時の反磁界の影響を減少するた
めに記録磁性膜の膜厚を薄くし、保磁力を約３ｋＯｅ
（キロエルステッド）以上に増大する必要があるが、こ
れにより将来の数Ｇｂ／ｉｎ2 オーダの高密度磁気記録
の有力な記録方式の一つと考えられている。
方式は、磁気記録媒体面に平行に、かつ磁極のＮ極とＮ
極、Ｓ極とＳ極を互いに突き合わせる方向に磁化して磁
気記録を行う面内磁気記録方式である。この方式で記録
密度を上げるには、記録時の反磁界の影響を減少するた
めに記録磁性膜の膜厚を薄くし、保磁力を約３ｋＯｅ
（キロエルステッド）以上に増大する必要があるが、こ
れにより将来の数Ｇｂ／ｉｎ2 オーダの高密度磁気記録
の有力な記録方式の一つと考えられている。
【０００３】また、垂直磁気記録方式は、記録媒体面に
垂直方向に、かつ隣合う記録ビットが互いに反平行にな
るように磁区を形成する記録方式であり、高密度記録に
際して磁区の境界での反磁界が小さいため、先鋭な記録
磁区が形成され、高密度磁気記録の有力な手段の一つで
ある。面内磁気記録や垂直磁気記録用媒体の磁性膜とし
ては、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ
などのＣｏ基合金薄膜が用いられ、中でもＣｏ−Ｃｒを
主成分とする合金にＴａ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｆ
ｅ，Ｒｈ，Ｏなどを添加した合金が用いられている。こ
れらＣｏ基合金は六方稠密構造（ｈｃｐ構造）をもち、
この結晶のｃ軸、＜００１＞方向に磁化容易軸がある。
垂直方向に、かつ隣合う記録ビットが互いに反平行にな
るように磁区を形成する記録方式であり、高密度記録に
際して磁区の境界での反磁界が小さいため、先鋭な記録
磁区が形成され、高密度磁気記録の有力な手段の一つで
ある。面内磁気記録や垂直磁気記録用媒体の磁性膜とし
ては、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ
などのＣｏ基合金薄膜が用いられ、中でもＣｏ−Ｃｒを
主成分とする合金にＴａ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｆ
ｅ，Ｒｈ，Ｏなどを添加した合金が用いられている。こ
れらＣｏ基合金は六方稠密構造（ｈｃｐ構造）をもち、
この結晶のｃ軸、＜００１＞方向に磁化容易軸がある。
【０００４】面内磁気記録媒体は、ＮｉＰ被覆したＡｌ
基板、ガラス基板、あるいはポリイミド、ポリエチレン
テレフタレートなどのプラスチックフィルムなどの非磁
性基板上に前述のＣｏ合金薄膜を形成して用いられる。
面内記録では、前記Ｃｏ合金磁性結晶のｃ軸を基板面内
に高配向する必要があり、この目的から前記基板上に体
心立方（ｂｃｃ）格子構造のＣｒ等の下地層を形成し、
この上に上記Ｃｏ合金磁性薄膜を形成する方法が提案さ
れている。また磁性薄膜に磁気的な配向性を与えるため
に、基板上にテクスチャ溝を設け、この溝に沿った方向
と、これに直交する方向で異なる磁気異方性を付加する
方法も知られている。
基板、ガラス基板、あるいはポリイミド、ポリエチレン
テレフタレートなどのプラスチックフィルムなどの非磁
性基板上に前述のＣｏ合金薄膜を形成して用いられる。
面内記録では、前記Ｃｏ合金磁性結晶のｃ軸を基板面内
に高配向する必要があり、この目的から前記基板上に体
心立方（ｂｃｃ）格子構造のＣｒ等の下地層を形成し、
この上に上記Ｃｏ合金磁性薄膜を形成する方法が提案さ
れている。また磁性薄膜に磁気的な配向性を与えるため
に、基板上にテクスチャ溝を設け、この溝に沿った方向
と、これに直交する方向で異なる磁気異方性を付加する
方法も知られている。
【０００５】垂直磁気記録媒体は、ＮｉＰ被覆したＡｌ
基板、ガラス基板、あるいはポリイミド、ポリエチレン
テレフタレートなどのプラスチックフィルムなどの非磁
性基板上に前述のＣｏ合金薄膜を形成して用いられる。
垂直記録では、磁気記録したときの記録密度や再生出
力、再生ノイズ特性などの磁気記録特性を向上するため
に、前記Ｃｏ合金磁性結晶のｃ軸を基板面に垂直に高配
向する必要がある。この目的から前記基板上にＴｉなど
のｈｃｐ構造の下地層、又はＳｉ，Ｇｅなどの非晶質下
地層を形成し、この上に上記Ｃｏ合金磁性薄膜を形成す
る方法が提案されている。また再生感度を上げるため
に、前記Ｃｏ合金磁性薄膜の下部にパーマロイなどの軟
磁性材料薄膜を設ける方法が IEEE Trans. Magnetics,
MAG-15, 1456(1979)の“複合異方性膜による垂直磁気記
録（Perpendicular Magnetic Recording with Composit
e Anisotropy Film)”と題する論文に掲載されている。
基板、ガラス基板、あるいはポリイミド、ポリエチレン
テレフタレートなどのプラスチックフィルムなどの非磁
性基板上に前述のＣｏ合金薄膜を形成して用いられる。
垂直記録では、磁気記録したときの記録密度や再生出
力、再生ノイズ特性などの磁気記録特性を向上するため
に、前記Ｃｏ合金磁性結晶のｃ軸を基板面に垂直に高配
向する必要がある。この目的から前記基板上にＴｉなど
のｈｃｐ構造の下地層、又はＳｉ，Ｇｅなどの非晶質下
地層を形成し、この上に上記Ｃｏ合金磁性薄膜を形成す
る方法が提案されている。また再生感度を上げるため
に、前記Ｃｏ合金磁性薄膜の下部にパーマロイなどの軟
磁性材料薄膜を設ける方法が IEEE Trans. Magnetics,
MAG-15, 1456(1979)の“複合異方性膜による垂直磁気記
録（Perpendicular Magnetic Recording with Composit
e Anisotropy Film)”と題する論文に掲載されている。
【０００６】再生信号における媒体ノイズは記録磁区の
境界（磁化遷移領域）の構造や記録ビット内部の磁区構
造と密接な関係があり、これには磁性膜を構成する粒子
間の磁気的な相互作用の強さや磁気異方性の分散などが
関係している。媒体ノイズの低減のために従来試みられ
ている方法としては、（１）ＣｏＣｒ系合金中の非磁性
Ｃｒを結晶粒界に偏折させて磁性粒子間の磁気的相互作
用を小さくする方法、（２）スパッタリングガスの圧力
を制御して構造制御用の下地層や磁性膜を形態的に孤立
させる方法などがある。さらに、磁性膜の平面方向だけ
でなく、膜厚方向においても磁性粒子間の相互作用を小
さくする方法、例えばＣｏＣｒ系合金磁性膜の間にＣｒ
のような非磁性中間膜を設ける方法が提案されている。
境界（磁化遷移領域）の構造や記録ビット内部の磁区構
造と密接な関係があり、これには磁性膜を構成する粒子
間の磁気的な相互作用の強さや磁気異方性の分散などが
関係している。媒体ノイズの低減のために従来試みられ
ている方法としては、（１）ＣｏＣｒ系合金中の非磁性
Ｃｒを結晶粒界に偏折させて磁性粒子間の磁気的相互作
用を小さくする方法、（２）スパッタリングガスの圧力
を制御して構造制御用の下地層や磁性膜を形態的に孤立
させる方法などがある。さらに、磁性膜の平面方向だけ
でなく、膜厚方向においても磁性粒子間の相互作用を小
さくする方法、例えばＣｏＣｒ系合金磁性膜の間にＣｒ
のような非磁性中間膜を設ける方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】数Ｇｂ／ｉｎ2 以上の
超高密度磁気記録装置では、媒体と磁気ヘッド間のスペ
ーシングは数十ｎｍ以下に接近する。このため、従来の
ごとくテクスチャ溝を設けた基板では表面の平滑性が悪
く、媒体と磁気ヘッド間のスペーシングを十分接近する
ことが困難になり、動作中に媒体と磁気ヘッドが衝突し
て破壊の原因となる。
超高密度磁気記録装置では、媒体と磁気ヘッド間のスペ
ーシングは数十ｎｍ以下に接近する。このため、従来の
ごとくテクスチャ溝を設けた基板では表面の平滑性が悪
く、媒体と磁気ヘッド間のスペーシングを十分接近する
ことが困難になり、動作中に媒体と磁気ヘッドが衝突し
て破壊の原因となる。
【０００８】また、媒体ノイズ低減のために単に磁性膜
の間に非磁性中間膜を設けた場合、同じ厚さの単層磁性
膜に比べて保磁力が低下し、超高密度記録に必要とされ
る２ｋＯｅ以上の高保磁力の実現が困難である。本発明
の第１の目的は、上述の従来技術の欠点を解消し、基板
にテクスチャ溝を形成することなく磁性膜に磁気的な異
方性を付与する方法を提供することにある。本発明の第
２の目的は、基板上に形成する磁性膜の結晶配向や磁気
異方性、あるいは磁性粒子間の相互作用を制御すること
によって、磁気記録再生したとき優れた低ノイズ特性を
有し超高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供すること
にある。
の間に非磁性中間膜を設けた場合、同じ厚さの単層磁性
膜に比べて保磁力が低下し、超高密度記録に必要とされ
る２ｋＯｅ以上の高保磁力の実現が困難である。本発明
の第１の目的は、上述の従来技術の欠点を解消し、基板
にテクスチャ溝を形成することなく磁性膜に磁気的な異
方性を付与する方法を提供することにある。本発明の第
２の目的は、基板上に形成する磁性膜の結晶配向や磁気
異方性、あるいは磁性粒子間の相互作用を制御すること
によって、磁気記録再生したとき優れた低ノイズ特性を
有し超高密度記録に好適な磁気記録媒体を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明においては、非磁
性基板上に磁性膜の構造制御用の下地層を形成し、この
上に１層以上の磁性膜、保護層を形成してなる磁気記録
媒体において、基板、下地層、及び磁性膜のうち少なく
とも１つの選択された領域にイオン打ち込み領域を設け
ることにより前記第１の目的を達成する。選択されたイ
オン打ち込み領域は同心円状、らせん状、又は円形基板
の中心から外周に向かって放射状に設定するのが好都合
である。
性基板上に磁性膜の構造制御用の下地層を形成し、この
上に１層以上の磁性膜、保護層を形成してなる磁気記録
媒体において、基板、下地層、及び磁性膜のうち少なく
とも１つの選択された領域にイオン打ち込み領域を設け
ることにより前記第１の目的を達成する。選択されたイ
オン打ち込み領域は同心円状、らせん状、又は円形基板
の中心から外周に向かって放射状に設定するのが好都合
である。
【００１０】また、本発明においては、非磁性基板上に
下地層、非磁性層を介した複数の磁性膜及び保護層を積
層してなる磁気記録媒体において、最上層以外の少なく
とも１層の磁性膜の全面にイオン打込み領域を形成する
ことにより前記第２の目的を達成する。全面にイオン打
ち込み領域を形成した磁性膜以外の磁性膜の選択された
領域、たとえば同心円状、らせん状、あるいは中心から
外周部に向かう放射状にイオン打ち込み領域を形成して
もよい。
下地層、非磁性層を介した複数の磁性膜及び保護層を積
層してなる磁気記録媒体において、最上層以外の少なく
とも１層の磁性膜の全面にイオン打込み領域を形成する
ことにより前記第２の目的を達成する。全面にイオン打
ち込み領域を形成した磁性膜以外の磁性膜の選択された
領域、たとえば同心円状、らせん状、あるいは中心から
外周部に向かう放射状にイオン打ち込み領域を形成して
もよい。
【００１１】イオン打ち込み領域に打ち込むイオンは、
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ元素の中
から選ばれる少なくとも１種類以上の元素とすることが
でき、イオン打ち込み領域の厚さは１原子層以上、下地
層又は磁性膜の厚さの範囲内で任意に設定できる。磁性
膜は、Ｃｏを主成分とし、これにＣｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，ＣｏＯ及び希土類元素の中から選ばれる少な
くとも１種類の元素又は化合物を含む材料からなる六方
稠密構造を有する。前記磁性膜は構造制御用の下地層の
上にエピタキシャル的に成長した薄膜である。磁性膜を
多層に積層する場合、各磁性膜は同一組成とすることも
異なる組成とすることもできる。
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ元素の中
から選ばれる少なくとも１種類以上の元素とすることが
でき、イオン打ち込み領域の厚さは１原子層以上、下地
層又は磁性膜の厚さの範囲内で任意に設定できる。磁性
膜は、Ｃｏを主成分とし、これにＣｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，ＣｏＯ及び希土類元素の中から選ばれる少な
くとも１種類の元素又は化合物を含む材料からなる六方
稠密構造を有する。前記磁性膜は構造制御用の下地層の
上にエピタキシャル的に成長した薄膜である。磁性膜を
多層に積層する場合、各磁性膜は同一組成とすることも
異なる組成とすることもできる。
【００１２】磁性膜の磁化容易軸は、基板面に対して平
行もしくは垂直とし、あるいは多層磁性膜の場合には第
１層と第２層以降の磁性膜の磁化容易軸が基板面に対し
ていずれも平行、もしくは平行な膜と垂直膜の組合せで
構成する。磁化容易軸の向きは磁性膜の下層に設ける下
地層又は非磁性層を選択することによって任意に制御で
きる。さらに前記多層磁性膜において、第１層と第２層
以降の磁性膜の間にイオン打ち込み領域を設けることに
より、第１層と第２層以降の磁性膜の磁化容易軸を独立
に制御することができる。
行もしくは垂直とし、あるいは多層磁性膜の場合には第
１層と第２層以降の磁性膜の磁化容易軸が基板面に対し
ていずれも平行、もしくは平行な膜と垂直膜の組合せで
構成する。磁化容易軸の向きは磁性膜の下層に設ける下
地層又は非磁性層を選択することによって任意に制御で
きる。さらに前記多層磁性膜において、第１層と第２層
以降の磁性膜の間にイオン打ち込み領域を設けることに
より、第１層と第２層以降の磁性膜の磁化容易軸を独立
に制御することができる。
【００１３】構造制御用の下地層及び非磁性層は、この
上に形成する磁性膜と結晶格子の整合性の良い材料を選
択する。例えばＣｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なくとも１種類を含む面心
立方構造、体心立方構造もしくは非晶質構造の材料、あ
るいはＣｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なく
とも１種類を含む六方稠密格子構造、又は非晶質構造の
材料を選択する。薄膜の形成には、真空蒸着法、高周波
スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法ある
いは電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法などの物
理蒸着法を用いることができる。
上に形成する磁性膜と結晶格子の整合性の良い材料を選
択する。例えばＣｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なくとも１種類を含む面心
立方構造、体心立方構造もしくは非晶質構造の材料、あ
るいはＣｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なく
とも１種類を含む六方稠密格子構造、又は非晶質構造の
材料を選択する。薄膜の形成には、真空蒸着法、高周波
スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法ある
いは電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法などの物
理蒸着法を用いることができる。
【００１４】
【作用】六方稠密格子（ｈｃｐ）構造のＣｏ基合金はそ
のｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有し、面内磁気記
録媒体はこのｃ軸を基板面内に配向させ、また垂直磁気
記録媒体はｃ軸を基板面に垂直配向させる。構造制御用
の下地層や非磁性層はこのｃ軸を高配向させるために用
いる。例えばＣｒ合金などの体心立方格子（ｂｃｃ）構
造の下地層は、この上に形成するＣｏ基合金磁性膜結晶
の面内配向性や結晶粒径を制御する作用をし、またＴｉ
合金などのｈｃｐ構造の下地層は、この上に形成するＣ
ｏ基合金磁性膜結晶の垂直配向性や結晶粒径を制御する
作用をする。また、構造制御用の下地層や非磁性層は、
合金薄膜を用いることにより、単一の材料を用いた薄膜
の場合に比べて結晶粒径を小さくでき、従ってこの上に
形成する磁性膜の結晶粒径も小さくでき、記録密度や再
生ノイズなどの磁気記録特性を向上できる。
のｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有し、面内磁気記
録媒体はこのｃ軸を基板面内に配向させ、また垂直磁気
記録媒体はｃ軸を基板面に垂直配向させる。構造制御用
の下地層や非磁性層はこのｃ軸を高配向させるために用
いる。例えばＣｒ合金などの体心立方格子（ｂｃｃ）構
造の下地層は、この上に形成するＣｏ基合金磁性膜結晶
の面内配向性や結晶粒径を制御する作用をし、またＴｉ
合金などのｈｃｐ構造の下地層は、この上に形成するＣ
ｏ基合金磁性膜結晶の垂直配向性や結晶粒径を制御する
作用をする。また、構造制御用の下地層や非磁性層は、
合金薄膜を用いることにより、単一の材料を用いた薄膜
の場合に比べて結晶粒径を小さくでき、従ってこの上に
形成する磁性膜の結晶粒径も小さくでき、記録密度や再
生ノイズなどの磁気記録特性を向上できる。
【００１５】イオン打ち込みは、打ち込まれた領域に局
所的なストレスを付与する作用をする。従って、基板や
下地層あるいは磁性膜のうちの選択された領域に、円周
方向又は放射状にイオン打ち込み領域を設けることによ
り、磁性膜に円周方向又は半径方向に磁気的な異方性を
与えることができる。磁性薄膜は下層に設けた下地層又
は非磁性層の上にエピタキシャル的に成長し、Ｃｏ基合
金磁性膜のｃ軸は下層の下地層又は非磁性層の材料の性
質を反映して面内又は垂直方向に配向する。
所的なストレスを付与する作用をする。従って、基板や
下地層あるいは磁性膜のうちの選択された領域に、円周
方向又は放射状にイオン打ち込み領域を設けることによ
り、磁性膜に円周方向又は半径方向に磁気的な異方性を
与えることができる。磁性薄膜は下層に設けた下地層又
は非磁性層の上にエピタキシャル的に成長し、Ｃｏ基合
金磁性膜のｃ軸は下層の下地層又は非磁性層の材料の性
質を反映して面内又は垂直方向に配向する。
【００１６】前記磁性膜は、非磁性層を介して多層に積
層して用いることができ、これにより磁性粒子間の相互
作用の強さを面内方向に加えて、膜厚方向にも制御する
機能を付与でき再生ノイズを低減することができる。さ
らに第１層目の磁性膜の上に非磁性層を介して第２層目
以降の磁性膜を形成するに際して、前記第１層目の磁性
膜の全面に前記イオン打ち込み領域を形成し、この上に
非磁性層を介して第２層目以降の磁性膜を形成すること
ができる。このイオン打ち込み領域の厚さは単原子層以
上、１０ｎｍ以下が望ましく、イオン打ち込み領域の形
成によりこの上に積層する第２層目以降の磁性膜の結晶
の面内配向を第１層目の磁性膜の配向と変化して形成す
ることができる。これにより第１層目の磁性膜と第２層
目以降の磁性膜の静磁気的な結合を弱めることができ、
単に非磁性層を介して第１磁性膜から第２磁性膜以降を
エピタキシャル的に成長させた多層磁性膜媒体に比べて
再生ノイズを低減する効果はさらに大きくなる。
層して用いることができ、これにより磁性粒子間の相互
作用の強さを面内方向に加えて、膜厚方向にも制御する
機能を付与でき再生ノイズを低減することができる。さ
らに第１層目の磁性膜の上に非磁性層を介して第２層目
以降の磁性膜を形成するに際して、前記第１層目の磁性
膜の全面に前記イオン打ち込み領域を形成し、この上に
非磁性層を介して第２層目以降の磁性膜を形成すること
ができる。このイオン打ち込み領域の厚さは単原子層以
上、１０ｎｍ以下が望ましく、イオン打ち込み領域の形
成によりこの上に積層する第２層目以降の磁性膜の結晶
の面内配向を第１層目の磁性膜の配向と変化して形成す
ることができる。これにより第１層目の磁性膜と第２層
目以降の磁性膜の静磁気的な結合を弱めることができ、
単に非磁性層を介して第１磁性膜から第２磁性膜以降を
エピタキシャル的に成長させた多層磁性膜媒体に比べて
再生ノイズを低減する効果はさらに大きくなる。
【００１７】また、面内配向させた下層の磁性層の全面
にイオンを打ち込み、その上に結晶配向制御用の非磁性
層を介して磁性層を積層することにより、２層の磁性層
の結晶配向性を独立に制御することができる。この方法
によると、下層の磁性層が面内配向し、その上の磁性層
が垂直配向した、高再生出力化に適した多層磁性膜を容
易に作製することが可能となる。
にイオンを打ち込み、その上に結晶配向制御用の非磁性
層を介して磁性層を積層することにより、２層の磁性層
の結晶配向性を独立に制御することができる。この方法
によると、下層の磁性層が面内配向し、その上の磁性層
が垂直配向した、高再生出力化に適した多層磁性膜を容
易に作製することが可能となる。
【００１８】
【実施例】以下に本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。図において同一符号を付した
部分は、同じ機能を有する部分を表す。 〔実施例１〕洗浄したガラス基板１をスパッタリング装
置に設置し、２×１０-7Ｔｏｒｒの真空度まで排気し
た。続いて基板を２５０℃に加熱して、磁性膜の構造制
御用として厚さ５０ｎｍの下地層２を形成した。ここで
はＣｒを下地層２として用いた例で説明するが、Ｃｒを
主成分としてこれにＶ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｂ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ
などの元素を０〜２０ａｔ％の範囲で添加して用いるこ
とも可能である。Ｘ線回折法で測定したところ、上記下
地層２は体心立方格子（ｂｃｃ）構造を有し、その成長
方位は＜１１０＞もしくは＜１００＞方位であった。こ
の下地層の上に磁性膜３を形成し、さらにその上に保護
層４として膜厚１０ｎｍのカーボン膜を形成した。
しながら詳細に説明する。図において同一符号を付した
部分は、同じ機能を有する部分を表す。 〔実施例１〕洗浄したガラス基板１をスパッタリング装
置に設置し、２×１０-7Ｔｏｒｒの真空度まで排気し
た。続いて基板を２５０℃に加熱して、磁性膜の構造制
御用として厚さ５０ｎｍの下地層２を形成した。ここで
はＣｒを下地層２として用いた例で説明するが、Ｃｒを
主成分としてこれにＶ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｂ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ
などの元素を０〜２０ａｔ％の範囲で添加して用いるこ
とも可能である。Ｘ線回折法で測定したところ、上記下
地層２は体心立方格子（ｂｃｃ）構造を有し、その成長
方位は＜１１０＞もしくは＜１００＞方位であった。こ
の下地層の上に磁性膜３を形成し、さらにその上に保護
層４として膜厚１０ｎｍのカーボン膜を形成した。
【００１９】本実施例では、イオン打ち込みの効果を調
べるために、次の４種類の媒体を作成した。１つは、図
１（ａ）に断面略図を示すように、基板１の表面に図２
のごとく同心円状にイオン打ち込み領域５を形成し、こ
の上に下地層２、磁性膜３、及び保護層４の順に形成し
た媒体Ａである。２つめの媒体は、図１（ｂ）に断面略
図を示すように、基板１上に下地層２を形成した後、下
地層２の表面に図２のごとく同心円状のイオン打ち込み
領域５を形成し、この上に磁性膜３、及び保護層４の順
に形成した媒体Ｂである。３つめの媒体は、図１（ｃ）
に断面略図を示すように、基板１上に下地層２、磁性膜
３を形成した後、磁性膜３の表面に図２のごとく同心円
状にイオン打ち込み領域５を形成し、この上に保護層４
を形成した媒体Ｃである。比較用として、基板、下地層
及び磁性膜のいずれにもイオン打ち込み領域を設けない
媒体を作成した。
べるために、次の４種類の媒体を作成した。１つは、図
１（ａ）に断面略図を示すように、基板１の表面に図２
のごとく同心円状にイオン打ち込み領域５を形成し、こ
の上に下地層２、磁性膜３、及び保護層４の順に形成し
た媒体Ａである。２つめの媒体は、図１（ｂ）に断面略
図を示すように、基板１上に下地層２を形成した後、下
地層２の表面に図２のごとく同心円状のイオン打ち込み
領域５を形成し、この上に磁性膜３、及び保護層４の順
に形成した媒体Ｂである。３つめの媒体は、図１（ｃ）
に断面略図を示すように、基板１上に下地層２、磁性膜
３を形成した後、磁性膜３の表面に図２のごとく同心円
状にイオン打ち込み領域５を形成し、この上に保護層４
を形成した媒体Ｃである。比較用として、基板、下地層
及び磁性膜のいずれにもイオン打ち込み領域を設けない
媒体を作成した。
【００２０】図２に示したイオン打ち込み領域は、線幅
０．１〜１μｍに収束したイオンビームを上記円板状の
媒体の所定の位置に照射し、これと共に媒体を中心軸の
回りに回転することによって形成できる。半径方向に隣
接する同心円状のイオン打ち込み領域間の間隔は０．２
〜２μｍとした。イオン打ち込み領域の深さや打ち込み
量は、イオンビーム照射時の加速電圧やビーム電流、も
しくは円板の回転速度を調整することによって制御可能
である。本実施例では、加速電圧１００Ｖ〜３０ｋＶ、
ビーム電流１μＡ〜１０ｍＡの範囲で実験を行った。加
速電圧が５００Ｖ以下ではイオン打ち込みの効果が少な
く、また２０ｋＶ以上では試料表面が加工され、凹凸が
形成される場合があった。
０．１〜１μｍに収束したイオンビームを上記円板状の
媒体の所定の位置に照射し、これと共に媒体を中心軸の
回りに回転することによって形成できる。半径方向に隣
接する同心円状のイオン打ち込み領域間の間隔は０．２
〜２μｍとした。イオン打ち込み領域の深さや打ち込み
量は、イオンビーム照射時の加速電圧やビーム電流、も
しくは円板の回転速度を調整することによって制御可能
である。本実施例では、加速電圧１００Ｖ〜３０ｋＶ、
ビーム電流１μＡ〜１０ｍＡの範囲で実験を行った。加
速電圧が５００Ｖ以下ではイオン打ち込みの効果が少な
く、また２０ｋＶ以上では試料表面が加工され、凹凸が
形成される場合があった。
【００２１】表１に、打ち込みイオンとしてＢイオンを
用い、イオンビームの加速電圧１０ｋＶ、ビーム電流５
０μＡの条件でイオン打ち込み領域を形成した時の各媒
体の円周方向の保磁力Ｈｃ（θ）と半径方向の保磁力Ｈ
ｃ（Ｒ）で示す。磁性膜３は、Ｃｏを主成分とし、これ
にＣｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉ
ｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＣｏＯ及び希土類元
素の中の少なくとも１つを添加した材料を用いることが
でき、ここではＣｏＣｒ16Ｔａ6 ，ＣｏＣｒ20Ｐｔ12，
及びＣｏＣｒ20Ｐｔ12Ｔａ6 を用い、膜厚２０ｎｍとし
た例を示す。
用い、イオンビームの加速電圧１０ｋＶ、ビーム電流５
０μＡの条件でイオン打ち込み領域を形成した時の各媒
体の円周方向の保磁力Ｈｃ（θ）と半径方向の保磁力Ｈ
ｃ（Ｒ）で示す。磁性膜３は、Ｃｏを主成分とし、これ
にＣｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉ
ｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＣｏＯ及び希土類元
素の中の少なくとも１つを添加した材料を用いることが
でき、ここではＣｏＣｒ16Ｔａ6 ，ＣｏＣｒ20Ｐｔ12，
及びＣｏＣｒ20Ｐｔ12Ｔａ6 を用い、膜厚２０ｎｍとし
た例を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から明らかなように、基板、下地層又
は磁性膜に円周方向に沿ってイオン打ち込み領域を形成
することにより、基板上に形成した下地層や磁性膜結晶
に歪を与えることができ、その結果半径方向の保磁力に
比べて、円周方向の保磁力が大きい、いわゆる磁気的な
異方性をもつ面内磁気記録媒体を得ることができた。打
ち込みイオン種としては、Ｂ以外にも、Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｉ，Ｇａ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどの元素、又
はこれらのうちの２種以上の元素を同時に用いることが
でき、いずれの場合でも同様の効果が得られる。打ち込
みイオン種として２種以上の元素を用いる場合には、ガ
ス状のイオン種を混合して収束イオンビームを作成して
用いる。また、イオン打ち込み領域は、らせん状として
も同様の効果を得ることができる。
は磁性膜に円周方向に沿ってイオン打ち込み領域を形成
することにより、基板上に形成した下地層や磁性膜結晶
に歪を与えることができ、その結果半径方向の保磁力に
比べて、円周方向の保磁力が大きい、いわゆる磁気的な
異方性をもつ面内磁気記録媒体を得ることができた。打
ち込みイオン種としては、Ｂ以外にも、Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｉ，Ｇａ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどの元素、又
はこれらのうちの２種以上の元素を同時に用いることが
でき、いずれの場合でも同様の効果が得られる。打ち込
みイオン種として２種以上の元素を用いる場合には、ガ
ス状のイオン種を混合して収束イオンビームを作成して
用いる。また、イオン打ち込み領域は、らせん状として
も同様の効果を得ることができる。
【００２４】〔実施例２〕実施例１と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、円板状の媒体に図３のごとく中心か
ら外周に向かって放射状にイオン打ち込み領域５を形成
した媒体を作成した。イオン打ち込みの効果を調べるた
めに、次の４種類の媒体を作成した。１つは、図１
（ａ）に断面略図を示すように、基板１の表面に図３の
ごとく放射状にイオン打ち込み領域５を形成し、その上
に下地層２、磁性膜３、及び保護層４の順に形成した媒
体ＡＡである。２つめの媒体は、図１（ｂ）に断面略図
を示すように、基板１上に下地層２を形成した後、下地
層２の表面に図３のごとく放射状にイオン打ち込み領域
５を形成し、その上に磁性膜３及び保護層４を形成した
媒体ＢＢである。３つめの媒体は、図１（ｃ）に断面略
図を示すように、基板１上に下地層２、磁性膜３を形成
した後、磁性膜３の表面に図３のごとく放射状にイオン
打ち込み領域５を形成し、この上に保護層４を形成した
媒体ＣＣである。比較用として、基板、下地層及び磁性
膜のいずれにもイオン打ち込み領域を設けない媒体を作
成した。
ング装置を用いて、円板状の媒体に図３のごとく中心か
ら外周に向かって放射状にイオン打ち込み領域５を形成
した媒体を作成した。イオン打ち込みの効果を調べるた
めに、次の４種類の媒体を作成した。１つは、図１
（ａ）に断面略図を示すように、基板１の表面に図３の
ごとく放射状にイオン打ち込み領域５を形成し、その上
に下地層２、磁性膜３、及び保護層４の順に形成した媒
体ＡＡである。２つめの媒体は、図１（ｂ）に断面略図
を示すように、基板１上に下地層２を形成した後、下地
層２の表面に図３のごとく放射状にイオン打ち込み領域
５を形成し、その上に磁性膜３及び保護層４を形成した
媒体ＢＢである。３つめの媒体は、図１（ｃ）に断面略
図を示すように、基板１上に下地層２、磁性膜３を形成
した後、磁性膜３の表面に図３のごとく放射状にイオン
打ち込み領域５を形成し、この上に保護層４を形成した
媒体ＣＣである。比較用として、基板、下地層及び磁性
膜のいずれにもイオン打ち込み領域を設けない媒体を作
成した。
【００２５】図３に示したイオン打ち込み領域５は、線
幅０．１〜１μｍに収束したイオンビームを上記円板状
の媒体の所定の位置に照射し、イオンビームを半径方向
に走査すると共に前記円板の回転中心を軸に円板を回す
ことによって形成できる。また複数のイオンビームを同
時に照射することも可能である。イオン打ち込み領域５
の間隔は、イオンビームの線幅と送り間隔をイオンビー
ムの線幅の１倍以上の範囲で任意に設定することによっ
て制御できる。
幅０．１〜１μｍに収束したイオンビームを上記円板状
の媒体の所定の位置に照射し、イオンビームを半径方向
に走査すると共に前記円板の回転中心を軸に円板を回す
ことによって形成できる。また複数のイオンビームを同
時に照射することも可能である。イオン打ち込み領域５
の間隔は、イオンビームの線幅と送り間隔をイオンビー
ムの線幅の１倍以上の範囲で任意に設定することによっ
て制御できる。
【００２６】表２は、一例として基板１に超平滑ＮｉＰ
被覆Ａｌ基板を用い、下地層２としてＣｒ−１５ａｔ％
Ｔｉを５０ｎｍ厚、磁性膜３として実施例１と同様のＣ
ｏＣｒ16Ｔａ6 ，ＣｏＣｒ20Ｐｔ12，及びＣｏＣｒ20Ｐ
ｔ12Ｔａ6 を膜厚２０ｎｍ形成し、イオン種としてＣａ
を用いた場合の各媒体の磁気特性を示す。
被覆Ａｌ基板を用い、下地層２としてＣｒ−１５ａｔ％
Ｔｉを５０ｎｍ厚、磁性膜３として実施例１と同様のＣ
ｏＣｒ16Ｔａ6 ，ＣｏＣｒ20Ｐｔ12，及びＣｏＣｒ20Ｐ
ｔ12Ｔａ6 を膜厚２０ｎｍ形成し、イオン種としてＣａ
を用いた場合の各媒体の磁気特性を示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２から明らかなように、基板又、下地
層、又は磁性膜の半径方向に放射状にイオン打ち込み領
域を形成することにより、基板上に形成した下地層や磁
性膜結晶に歪を与えることができ、その結果円周方向の
保磁力に比べて、半径方向の保磁力が大きい、いわゆる
磁気的な異方性をもつ面内磁気記録媒体を得ることがで
きた。
層、又は磁性膜の半径方向に放射状にイオン打ち込み領
域を形成することにより、基板上に形成した下地層や磁
性膜結晶に歪を与えることができ、その結果円周方向の
保磁力に比べて、半径方向の保磁力が大きい、いわゆる
磁気的な異方性をもつ面内磁気記録媒体を得ることがで
きた。
【００２９】〔実施例３〕実施例１と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、図４（ａ）に示すように、非磁性層
を介して多層に積層した磁性膜を有する媒体Ｄを作製し
た。媒体Ｄの作製に当たっては、超平滑処理したＮｉＰ
被覆Ａｌ基板１の上に、磁性膜の構造制御用の下地層２
としてＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を膜厚５０ｎ
ｍ形成した。Ｘ線回折法で測定した結果、この下地層２
は、ｂｃｃ構造を有し、（１００）面が基板面に平行に
配向していた。この下地層２の表面に深さ約５ｎｍのイ
オン打ち込み領域５を、図２のごとく同心円状に形成し
た。この下地層２の上に第１磁性膜３１として膜厚１５
ｎｍのＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜を形成し、続いて下地層
と同じ組成のＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金膜からなる膜厚
２ｎｍの非磁性層６を形成した。引き続いて、非磁性層
６の上に第２磁性膜３２として第１磁性膜３１と同じ組
成のＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜を膜厚１５ｎｍ形成した。
第１、第２磁性膜及び非磁性層は、下地層上にエピタキ
シャル的に成長していた。さらに、この上に膜厚１０ｎ
ｍのカーボン保護層４を形成した。
ング装置を用いて、図４（ａ）に示すように、非磁性層
を介して多層に積層した磁性膜を有する媒体Ｄを作製し
た。媒体Ｄの作製に当たっては、超平滑処理したＮｉＰ
被覆Ａｌ基板１の上に、磁性膜の構造制御用の下地層２
としてＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を膜厚５０ｎ
ｍ形成した。Ｘ線回折法で測定した結果、この下地層２
は、ｂｃｃ構造を有し、（１００）面が基板面に平行に
配向していた。この下地層２の表面に深さ約５ｎｍのイ
オン打ち込み領域５を、図２のごとく同心円状に形成し
た。この下地層２の上に第１磁性膜３１として膜厚１５
ｎｍのＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜を形成し、続いて下地層
と同じ組成のＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金膜からなる膜厚
２ｎｍの非磁性層６を形成した。引き続いて、非磁性層
６の上に第２磁性膜３２として第１磁性膜３１と同じ組
成のＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜を膜厚１５ｎｍ形成した。
第１、第２磁性膜及び非磁性層は、下地層上にエピタキ
シャル的に成長していた。さらに、この上に膜厚１０ｎ
ｍのカーボン保護層４を形成した。
【００３０】比較のために、図４（ｂ）のごとく、下地
層２の表面にイオン打ち込み領域を形成せず、非磁性層
６を介して磁性膜を２層積層した媒体Ｅを作製した。こ
の媒体は、下地層２、第１磁性膜３１、非磁性層６、第
２磁性膜３２、及び保護層４は材料組成、膜厚ともに同
図（ａ）と同じにした。第１、第２磁性膜及び非磁性層
は、下地層上にエピタキシャル的に成長していた。
層２の表面にイオン打ち込み領域を形成せず、非磁性層
６を介して磁性膜を２層積層した媒体Ｅを作製した。こ
の媒体は、下地層２、第１磁性膜３１、非磁性層６、第
２磁性膜３２、及び保護層４は材料組成、膜厚ともに同
図（ａ）と同じにした。第１、第２磁性膜及び非磁性層
は、下地層上にエピタキシャル的に成長していた。
【００３１】更に比較のために、超平滑処理したＮｉＰ
被覆Ａｌ基板１の上に、磁性膜の構造制御用の下地層２
としてＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を膜厚５０ｎ
ｍ形成し、この上に同図（ａ），（ｂ）における第１磁
性膜と同じ組成のＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜からなる単一
層の磁性膜３１を形成し、この上に膜厚１０ｎｍのカー
ボン保護層４を形成した媒体Ｆを作製した。磁性膜３１
は、下地層２の上にエピタキシャル的に成長していた。
被覆Ａｌ基板１の上に、磁性膜の構造制御用の下地層２
としてＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を膜厚５０ｎ
ｍ形成し、この上に同図（ａ），（ｂ）における第１磁
性膜と同じ組成のＣｏＣｒ18Ｐｔ12合金膜からなる単一
層の磁性膜３１を形成し、この上に膜厚１０ｎｍのカー
ボン保護層４を形成した媒体Ｆを作製した。磁性膜３１
は、下地層２の上にエピタキシャル的に成長していた。
【００３２】表３に、上記３種類の媒体Ｄ，Ｅ，Ｆの保
磁力と、記録再生したときの再生ノイズの相対値比較を
線記録密度２０ｋＦＣＩ（FCI:Flux Change per Inc
h）、１００ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩについて行っ
た結果を示す。再生ノイズの相対値は、その値が小さい
程、媒体から発生するノイズが小さいことを示す。
磁力と、記録再生したときの再生ノイズの相対値比較を
線記録密度２０ｋＦＣＩ（FCI:Flux Change per Inc
h）、１００ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩについて行っ
た結果を示す。再生ノイズの相対値は、その値が小さい
程、媒体から発生するノイズが小さいことを示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３から明らかなように、媒体の円周方向
にイオン打ち込み領域を設け、かつ磁性膜を非磁性層で
分割して多層に積層した媒体Ｄは、半径方向に比べて円
周方向の保磁力が大きい、いわゆる円周方向に磁気的な
異方性が付与され、また磁気記録再生特性におけるノイ
ズの値も他の比較媒体に比べて小さく、性能が改善され
た。
にイオン打ち込み領域を設け、かつ磁性膜を非磁性層で
分割して多層に積層した媒体Ｄは、半径方向に比べて円
周方向の保磁力が大きい、いわゆる円周方向に磁気的な
異方性が付与され、また磁気記録再生特性におけるノイ
ズの値も他の比較媒体に比べて小さく、性能が改善され
た。
【００３５】ここでは磁性膜が２層の場合を例に説明し
たが、磁性膜を３層以上に多層化しても同様の効果が得
られた。また、非磁性層６としては、Ｃｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なくと
も１種類の材料を含む、ｂｃｃ，ｆｃｃ又は非晶質構造
の材料を用いても同様の効果を得ることができる。
たが、磁性膜を３層以上に多層化しても同様の効果が得
られた。また、非磁性層６としては、Ｃｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なくと
も１種類の材料を含む、ｂｃｃ，ｆｃｃ又は非晶質構造
の材料を用いても同様の効果を得ることができる。
【００３６】〔実施例４〕実施例１と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、図５（ａ）に断面略図を示す多層膜
構造の媒体Ｇを作製した。媒体Ｇの作製に当たっては、
ガラス基板１の上に膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地層
２、膜厚１５ｎｍの第１磁性膜３１を順次形成した。次
に、この第１磁性膜３１の表面に逆スパッタ法によって
一様に数原子層のイオン照射層５５を形成した。イオン
種は、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，
Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅな
どを用いることができる。ここでは１ｋｅＶに加速した
Ａｒイオンを第１磁性膜３１の表面全体に照射した。続
いてこのイオン照射層５５の上に膜厚２ｎｍの非磁性層
６、膜厚１５ｎｍの第２磁性膜３２及び膜厚１０ｎｍの
カーボン保護層４を順次形成した。
ング装置を用いて、図５（ａ）に断面略図を示す多層膜
構造の媒体Ｇを作製した。媒体Ｇの作製に当たっては、
ガラス基板１の上に膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地層
２、膜厚１５ｎｍの第１磁性膜３１を順次形成した。次
に、この第１磁性膜３１の表面に逆スパッタ法によって
一様に数原子層のイオン照射層５５を形成した。イオン
種は、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，
Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅな
どを用いることができる。ここでは１ｋｅＶに加速した
Ａｒイオンを第１磁性膜３１の表面全体に照射した。続
いてこのイオン照射層５５の上に膜厚２ｎｍの非磁性層
６、膜厚１５ｎｍの第２磁性膜３２及び膜厚１０ｎｍの
カーボン保護層４を順次形成した。
【００３７】ここでは、下地層２としてＣｒ−１０ａｔ
％Ｖ合金薄膜を、第１磁性膜３１としてＣｏＣｒ18Ｔａ
6 合金薄膜を、第２磁性膜３２としてＣｏＣｒ20Ｐｔ12
合金薄膜を、さらに非磁性層６として下地層２と同じＣ
ｒ−１０ａｔ％Ｖ合金薄膜を用いた例により説明する。
この媒体Ｇの構造をＸ線回折法と透過電子顕微鏡により
調べた結果、第１磁性膜３１は下地層２の上にエピタキ
シャル的に成長しており、また第２磁性膜３２は非磁性
層６の上にエピタキシャル的に成長していることが確認
された。しかし、第１磁性膜３１の磁性結晶と第２磁性
膜３２の磁性結晶は、エピタキシャル的には成長してい
なかった。すなわち、第２磁性膜３２の磁性結晶の磁化
容易軸は第１磁性膜３１の磁性結晶の磁化容易軸に対し
て平行でかつ面内でランダムであり、いわゆる面内で等
方的であつた。
％Ｖ合金薄膜を、第１磁性膜３１としてＣｏＣｒ18Ｔａ
6 合金薄膜を、第２磁性膜３２としてＣｏＣｒ20Ｐｔ12
合金薄膜を、さらに非磁性層６として下地層２と同じＣ
ｒ−１０ａｔ％Ｖ合金薄膜を用いた例により説明する。
この媒体Ｇの構造をＸ線回折法と透過電子顕微鏡により
調べた結果、第１磁性膜３１は下地層２の上にエピタキ
シャル的に成長しており、また第２磁性膜３２は非磁性
層６の上にエピタキシャル的に成長していることが確認
された。しかし、第１磁性膜３１の磁性結晶と第２磁性
膜３２の磁性結晶は、エピタキシャル的には成長してい
なかった。すなわち、第２磁性膜３２の磁性結晶の磁化
容易軸は第１磁性膜３１の磁性結晶の磁化容易軸に対し
て平行でかつ面内でランダムであり、いわゆる面内で等
方的であつた。
【００３８】比較用として、同様のスパッタリング装置
を用いて、図５（ｂ）に断面略図を示すように、ガラス
基板１の上に膜厚５０ｎｍの構造制御用のＣｒ−１０ａ
ｔ％Ｖ合金下地層２、膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ18Ｔａ6
合金薄膜からなる第１磁性膜３１、膜厚２ｎｍのＣｒ−
１０ａｔ％Ｖ合金非磁性層６、膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ
20Ｐｔ12合金薄膜からなる第２磁性膜３２及び膜厚１０
ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造
の媒体Ｈを作成した。この媒体ＨをＸ線回折法と透過電
子顕微鏡により調べた結果、第１磁性膜３１、第２磁性
膜３２は非磁性層６を介して下地層２の上にエピタキシ
ャル的に成長しており、さらに両磁性膜３１，３２の磁
化容易軸は面内で同一方向に揃っていた。表４に、前記
２種類の媒体Ｇ，Ｈの保磁力と、記録再生したときの再
生ノイズの相対値比較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１０
０ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩについて行った結果を示
す。
を用いて、図５（ｂ）に断面略図を示すように、ガラス
基板１の上に膜厚５０ｎｍの構造制御用のＣｒ−１０ａ
ｔ％Ｖ合金下地層２、膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ18Ｔａ6
合金薄膜からなる第１磁性膜３１、膜厚２ｎｍのＣｒ−
１０ａｔ％Ｖ合金非磁性層６、膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ
20Ｐｔ12合金薄膜からなる第２磁性膜３２及び膜厚１０
ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造
の媒体Ｈを作成した。この媒体ＨをＸ線回折法と透過電
子顕微鏡により調べた結果、第１磁性膜３１、第２磁性
膜３２は非磁性層６を介して下地層２の上にエピタキシ
ャル的に成長しており、さらに両磁性膜３１，３２の磁
化容易軸は面内で同一方向に揃っていた。表４に、前記
２種類の媒体Ｇ，Ｈの保磁力と、記録再生したときの再
生ノイズの相対値比較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１０
０ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩについて行った結果を示
す。
【００３９】
【表４】
【００４０】表４から明らかなように、第１磁性膜と非
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で等方的に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜
厚方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｇは、磁気
記録再生特性におけるノイズの値が比較媒体Ｈに比べて
小さく、性能が改善された。ここでは磁性膜が２層の場
合を例に説明したが、磁性膜を３層以上に多層化しても
同様の傾向があることを確認した。
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で等方的に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜
厚方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｇは、磁気
記録再生特性におけるノイズの値が比較媒体Ｈに比べて
小さく、性能が改善された。ここでは磁性膜が２層の場
合を例に説明したが、磁性膜を３層以上に多層化しても
同様の傾向があることを確認した。
【００４１】〔実施例５〕実施例４と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、図６に断面略図を示す多層磁性膜構
造の媒体Ｉを作製した。媒体Ｉの作製に当たっては、ガ
ラス基板１の上にＣｒ−１０ａｔ％Ｖ合金薄膜からなる
膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地層２を形成した。続い
て、この下地層の表面に収束したＢ（ボロン）イオンビ
ームを照射し、深さ約２ｎｍのイオン打ち込み領域５
を、図２のごとく同心円状に形成した。この下地層上に
第１磁性膜３１として膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ18Ｔａ6
合金薄膜を形成した。次に、この第１磁性膜３１の表面
に逆スパッタ法によって一様に数原子層のイオン照射層
５５を形成した。イオン種は、１ｋｅＶに加速したＡｒ
イオンを第１磁性膜３１の表面全体に照射した。続いて
このイオン照射層５５の上に膜厚２ｎｍのＣｒ−１０ａ
ｔ％Ｖ合金薄膜からなる非磁性層６、ＣｏＣｒ20Ｐｔ12
合金薄膜からなる膜厚１５ｎｍの第２磁性膜３２及び膜
厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。
ング装置を用いて、図６に断面略図を示す多層磁性膜構
造の媒体Ｉを作製した。媒体Ｉの作製に当たっては、ガ
ラス基板１の上にＣｒ−１０ａｔ％Ｖ合金薄膜からなる
膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地層２を形成した。続い
て、この下地層の表面に収束したＢ（ボロン）イオンビ
ームを照射し、深さ約２ｎｍのイオン打ち込み領域５
を、図２のごとく同心円状に形成した。この下地層上に
第１磁性膜３１として膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒ18Ｔａ6
合金薄膜を形成した。次に、この第１磁性膜３１の表面
に逆スパッタ法によって一様に数原子層のイオン照射層
５５を形成した。イオン種は、１ｋｅＶに加速したＡｒ
イオンを第１磁性膜３１の表面全体に照射した。続いて
このイオン照射層５５の上に膜厚２ｎｍのＣｒ−１０ａ
ｔ％Ｖ合金薄膜からなる非磁性層６、ＣｏＣｒ20Ｐｔ12
合金薄膜からなる膜厚１５ｎｍの第２磁性膜３２及び膜
厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。
【００４２】比較のために、基板１、下地層２、第１磁
性膜３１、第２磁性膜３２、非磁性層６、及びイオン照
射層５５の材料と膜厚等を同じに設定して、図５（ａ）
と同じ構成の媒体Ｊを作成した。表５に、前記２種類の
媒体Ｉ，Ｊ及び図５（ｂ）に示した媒体Ｈの保磁力と、
記録再生したときの再生ノイズの相対値比較を線記録密
度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩに
ついて行った結果を示す。
性膜３１、第２磁性膜３２、非磁性層６、及びイオン照
射層５５の材料と膜厚等を同じに設定して、図５（ａ）
と同じ構成の媒体Ｊを作成した。表５に、前記２種類の
媒体Ｉ，Ｊ及び図５（ｂ）に示した媒体Ｈの保磁力と、
記録再生したときの再生ノイズの相対値比較を線記録密
度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５０ｋＦＣＩに
ついて行った結果を示す。
【００４３】
【表５】
【００４４】表５から明らかなように、第１磁性膜と非
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で等方的に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜
厚方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｊは、磁気
記録再生特性におけるノイズの値が他の比較媒体Ｈに比
べて小さく、性能が改善されている。さらに、媒体の円
周方向にイオン打ち込み領域を設け、かつ磁性膜をイオ
ン照射層と非磁性層で分割して多層に構成した媒体Ｉ
は、半径方向に比べて円周方向の保磁力が大きい、いわ
ゆる円周方向に磁気的な異方性が付与され、記録再生特
性等の性能改善の効果は明らかである。ここでは磁性膜
が２層の場合を例に説明したが、磁性膜を３層以上に多
層化しても同様の効果が得られることを確認した。
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で等方的に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜
厚方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｊは、磁気
記録再生特性におけるノイズの値が他の比較媒体Ｈに比
べて小さく、性能が改善されている。さらに、媒体の円
周方向にイオン打ち込み領域を設け、かつ磁性膜をイオ
ン照射層と非磁性層で分割して多層に構成した媒体Ｉ
は、半径方向に比べて円周方向の保磁力が大きい、いわ
ゆる円周方向に磁気的な異方性が付与され、記録再生特
性等の性能改善の効果は明らかである。ここでは磁性膜
が２層の場合を例に説明したが、磁性膜を３層以上に多
層化しても同様の効果が得られることを確認した。
【００４５】〔実施例６〕実施例１と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、図７（ａ）に断面略図を示す多層磁
性膜構造の媒体Ｋを作製した。媒体Ｋの作製に当たって
は、ガラス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下
地層２、膜厚５０ｎｍの第１磁性膜３３を順次形成し
た。下地層２にはｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合
金薄膜を用いたが、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いることもできる。第１磁性膜３３
としては、Ｃｏを主成分とするｈｃｐ構造のＣｏ基合金
薄膜を用い、本実施例ではＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜を
用いた。次に、この第１磁性膜３３の表面に逆スパッタ
法によって一様に数原子層のイオン照射層５５を形成し
た。イオン種には、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどを用いることができる。ここでは
０．５ｋｅＶに加速したＫｒイオンを第１磁性膜３３の
表面全体に照射した。
ング装置を用いて、図７（ａ）に断面略図を示す多層磁
性膜構造の媒体Ｋを作製した。媒体Ｋの作製に当たって
は、ガラス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下
地層２、膜厚５０ｎｍの第１磁性膜３３を順次形成し
た。下地層２にはｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合
金薄膜を用いたが、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いることもできる。第１磁性膜３３
としては、Ｃｏを主成分とするｈｃｐ構造のＣｏ基合金
薄膜を用い、本実施例ではＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜を
用いた。次に、この第１磁性膜３３の表面に逆スパッタ
法によって一様に数原子層のイオン照射層５５を形成し
た。イオン種には、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどを用いることができる。ここでは
０．５ｋｅＶに加速したＫｒイオンを第１磁性膜３３の
表面全体に照射した。
【００４６】続いて、このイオン照射層５５の上に膜厚
２ｎｍの非磁性層６、膜厚５０ｎｍの第２磁性膜３４及
び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。非
磁性層６としては、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いる。ここでは、ｈｃｐ構造のＴｉ
−１０ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を用いた例により説明する。
第２磁性膜３４は、第１磁性膜３３と異なる組成の材料
を用いることができるが、ここでは第１磁性膜３３と同
じＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜を用いた例により説明す
る。
２ｎｍの非磁性層６、膜厚５０ｎｍの第２磁性膜３４及
び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。非
磁性層６としては、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いる。ここでは、ｈｃｐ構造のＴｉ
−１０ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を用いた例により説明する。
第２磁性膜３４は、第１磁性膜３３と異なる組成の材料
を用いることができるが、ここでは第１磁性膜３３と同
じＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜を用いた例により説明す
る。
【００４７】Ｘ線回折法や媒体断面の透過電子顕微鏡観
察の結果、第１磁性膜３３は下地層２の上に、第２磁性
膜３４は非磁性層６の上にそれぞれエピタキシャル的に
成長しており、ｈｃｐ構造の第１及び第２磁性膜の磁化
容易軸のｃ軸はそれぞれ基板面に垂直に配向していた。
またこの媒体薄膜の平面方向からの透過電子顕微鏡観察
の結果、第１磁性膜と第２磁性膜は、面内方向では独立
した結晶配向であった。
察の結果、第１磁性膜３３は下地層２の上に、第２磁性
膜３４は非磁性層６の上にそれぞれエピタキシャル的に
成長しており、ｈｃｐ構造の第１及び第２磁性膜の磁化
容易軸のｃ軸はそれぞれ基板面に垂直に配向していた。
またこの媒体薄膜の平面方向からの透過電子顕微鏡観察
の結果、第１磁性膜と第２磁性膜は、面内方向では独立
した結晶配向であった。
【００４８】比較のために、図７（ｂ）のごとく、ガラ
ス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下地層２、
膜厚５０ｎｍの第１磁性膜３３、膜厚２ｎｍの非磁性層
６、膜厚５０ｎｍの第２磁性膜３４及び膜厚１０ｎｍの
カーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造の媒体
Ｌを作製した。下地層、第１と第２磁性膜及び非磁性層
の材料組成は上記の媒体Ｋと同じにした。
ス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下地層２、
膜厚５０ｎｍの第１磁性膜３３、膜厚２ｎｍの非磁性層
６、膜厚５０ｎｍの第２磁性膜３４及び膜厚１０ｎｍの
カーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造の媒体
Ｌを作製した。下地層、第１と第２磁性膜及び非磁性層
の材料組成は上記の媒体Ｋと同じにした。
【００４９】この媒体Ｌの構造をＸ線回折法や媒体断面
の透過電子顕微鏡観察により調べた結果、第１磁性膜３
３と第２磁性膜３４は、非磁性層６を介して下地層２の
上にエピタキシャル的に成長しており、ｈｃｐ構造の磁
性膜の磁化容易軸のｃ軸が基板面に垂直に配向してい
た。また、この媒体薄膜の平面方向からの透過電子顕微
鏡観察の結果、第１磁性膜３３と第２磁性膜３４は、面
内方向でも結晶軸は一致していることが確認された。
の透過電子顕微鏡観察により調べた結果、第１磁性膜３
３と第２磁性膜３４は、非磁性層６を介して下地層２の
上にエピタキシャル的に成長しており、ｈｃｐ構造の磁
性膜の磁化容易軸のｃ軸が基板面に垂直に配向してい
た。また、この媒体薄膜の平面方向からの透過電子顕微
鏡観察の結果、第１磁性膜３３と第２磁性膜３４は、面
内方向でも結晶軸は一致していることが確認された。
【００５０】更に比較のために、図７（ｃ）のごとく、
ガラス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下地層
２を形成し、この上に膜厚１００ｎｍの磁性膜３３及び
膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した単層の
磁性膜からなる媒体Ｍを作製した。この媒体の下地層は
前記媒体Ｋの非磁性層と同じ材料を用い、磁性膜は、前
記媒体Ｋにおける第１磁性膜と同じＣｏＣｒ18Ｔａ6 合
金薄膜を用いた。
ガラス基板１の上に膜厚３０ｎｍの構造制御用の下地層
２を形成し、この上に膜厚１００ｎｍの磁性膜３３及び
膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した単層の
磁性膜からなる媒体Ｍを作製した。この媒体の下地層は
前記媒体Ｋの非磁性層と同じ材料を用い、磁性膜は、前
記媒体Ｋにおける第１磁性膜と同じＣｏＣｒ18Ｔａ6 合
金薄膜を用いた。
【００５１】この媒体Ｍの構造をＸ線回折法や媒体断面
の透過電子顕微鏡観察により調べた結果、磁性膜３３は
下地層２の上にエピタキシャル的に成長しており、ｈｃ
ｐ構造の磁性膜３３の磁化容易軸のｃ軸は基板面に垂直
に配向していた。表６に、上記３種類の媒体Ｋ，Ｌ，Ｍ
の膜面垂直方向の保磁力Ｈｃ（垂直）と、磁性粒子の平
均粒径、及び記録再生したときの再生ノイズの相対値比
較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５
０ｋＦＣＩについて行った結果を示す。磁性粒子の平均
粒径は走査電子顕微鏡観察により求めた。
の透過電子顕微鏡観察により調べた結果、磁性膜３３は
下地層２の上にエピタキシャル的に成長しており、ｈｃ
ｐ構造の磁性膜３３の磁化容易軸のｃ軸は基板面に垂直
に配向していた。表６に、上記３種類の媒体Ｋ，Ｌ，Ｍ
の膜面垂直方向の保磁力Ｈｃ（垂直）と、磁性粒子の平
均粒径、及び記録再生したときの再生ノイズの相対値比
較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５
０ｋＦＣＩについて行った結果を示す。磁性粒子の平均
粒径は走査電子顕微鏡観察により求めた。
【００５２】
【表６】
【００５３】表６から明らかなように、第１磁性膜と非
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で独立に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜厚
方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｋは、磁性膜
を非磁性層で単に分割した多層膜媒体Ｌや単層磁性膜媒
体Ｍなどに比べて、磁気記録再生特性におけるノイズを
小さくできる。これは磁性粒子の平均粒径を小さくで
き、また磁化した時の磁区サイズを小さくできることに
起因すると考えられる。ここでは磁性膜が２層の場合を
例に説明したが、磁性膜を３層以上に多層化しても同様
の効果が得られた。
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割して第１磁性膜と第２磁性膜の磁化容易軸を面
内で独立に配向させ静磁気的な相互作用を磁性膜の膜厚
方向でも弱めるように多層に構成した媒体Ｋは、磁性膜
を非磁性層で単に分割した多層膜媒体Ｌや単層磁性膜媒
体Ｍなどに比べて、磁気記録再生特性におけるノイズを
小さくできる。これは磁性粒子の平均粒径を小さくで
き、また磁化した時の磁区サイズを小さくできることに
起因すると考えられる。ここでは磁性膜が２層の場合を
例に説明したが、磁性膜を３層以上に多層化しても同様
の効果が得られた。
【００５４】〔実施例７〕実施例１と同様のスパッタリ
ング装置を用いて、図８（ａ）に断面略図を示す多層磁
性膜構造の媒体Ｎを作製した。媒体Ｎの作製に当たって
は、ガラス基板１上に膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地
層２、膜厚１５ｎｍの第１磁性膜３１を順次形成した。
下地層２にはＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を用い
た。この下地層はｂｃｃ構造を有し、（１００）面が基
板面に平行に配向していた。第１磁性膜３１としてＣｏ
Ｃｒ18Ｔａ6 合金薄膜を用いた。この磁性膜の磁化容易
軸は基板面に平行に配向していた。次に、この第１磁性
膜３１の表面に一様に数原子層のイオン照射層５５を形
成した。イオン種には、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，
Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどを用いることができる。ここでは
０．５ｋｅＶに加速したＡｒイオンを第１磁性膜３１の
表面全体に照射した。
ング装置を用いて、図８（ａ）に断面略図を示す多層磁
性膜構造の媒体Ｎを作製した。媒体Ｎの作製に当たって
は、ガラス基板１上に膜厚５０ｎｍの構造制御用の下地
層２、膜厚１５ｎｍの第１磁性膜３１を順次形成した。
下地層２にはＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ合金下地層２を用い
た。この下地層はｂｃｃ構造を有し、（１００）面が基
板面に平行に配向していた。第１磁性膜３１としてＣｏ
Ｃｒ18Ｔａ6 合金薄膜を用いた。この磁性膜の磁化容易
軸は基板面に平行に配向していた。次に、この第１磁性
膜３１の表面に一様に数原子層のイオン照射層５５を形
成した。イオン種には、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，
Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどを用いることができる。ここでは
０．５ｋｅＶに加速したＡｒイオンを第１磁性膜３１の
表面全体に照射した。
【００５５】続いて、このイオン照射層５５の上に膜厚
２ｎｍの非磁性層６、膜厚７０ｎｍの第２磁性膜３４及
び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。非
磁性層６としては、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いる。ここでは、ｈｃｐ構造のＴｉ
−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜を用いた。第２磁性膜３４に
は、ＣｏＣｒ18Ｐｔ12Ｔａ5 合金膜を用いた。
２ｎｍの非磁性層６、膜厚７０ｎｍの第２磁性膜３４及
び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次形成した。非
磁性層６としては、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造もしくは非
晶質構造の材料を用いる。ここでは、ｈｃｐ構造のＴｉ
−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜を用いた。第２磁性膜３４に
は、ＣｏＣｒ18Ｐｔ12Ｔａ5 合金膜を用いた。
【００５６】Ｘ線回折法と薄膜断面の透過電子顕微鏡観
察で調べたところ、上記非磁性層６はｈｃｐ構造のｃ軸
が基板面に垂直方向に配向しており、前記第２磁性膜３
４は、この非磁性層の上にエピタキシャル的に成長して
いて、その磁化容易軸は膜面垂直方向に配向していた。
すなわち、この媒体Ｎは、第１磁性膜の磁化容易軸は基
板面に平行、第２磁性膜の磁化容易軸は基板面に垂直に
配向した多層膜構造からなっている。
察で調べたところ、上記非磁性層６はｈｃｐ構造のｃ軸
が基板面に垂直方向に配向しており、前記第２磁性膜３
４は、この非磁性層の上にエピタキシャル的に成長して
いて、その磁化容易軸は膜面垂直方向に配向していた。
すなわち、この媒体Ｎは、第１磁性膜の磁化容易軸は基
板面に平行、第２磁性膜の磁化容易軸は基板面に垂直に
配向した多層膜構造からなっている。
【００５７】比較のために、図８（ｂ）のごとく、基板
１上にｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜から
なる膜厚５０ｎｍの下地層２を形成し、この上にＣｏＣ
ｒ18Ｔａ6 合金薄膜からなる膜厚１５ｎｍの第１磁性膜
３３、Ｔｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜からなる膜厚２ｎ
ｍの非磁性層６、ＣｏＣｒ18Ｐｔ12Ｔａ5 合金薄膜から
なる膜厚膜厚７０ｎｍの第２磁性膜３４及び膜厚１０ｎ
ｍのカーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造の
媒体Ｏを作成した。この媒体Ｏは、第１磁性膜３３及び
第２磁性膜３４が非磁性層６を介して下地層２の上にエ
ピタキシャル的に成長しており、第１磁性膜３３も第２
磁性膜３４も磁化容易軸は膜面垂直方向に配向してい
た。
１上にｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜から
なる膜厚５０ｎｍの下地層２を形成し、この上にＣｏＣ
ｒ18Ｔａ6 合金薄膜からなる膜厚１５ｎｍの第１磁性膜
３３、Ｔｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金薄膜からなる膜厚２ｎ
ｍの非磁性層６、ＣｏＣｒ18Ｐｔ12Ｔａ5 合金薄膜から
なる膜厚膜厚７０ｎｍの第２磁性膜３４及び膜厚１０ｎ
ｍのカーボン保護層４を順次形成した多層磁性膜構造の
媒体Ｏを作成した。この媒体Ｏは、第１磁性膜３３及び
第２磁性膜３４が非磁性層６を介して下地層２の上にエ
ピタキシャル的に成長しており、第１磁性膜３３も第２
磁性膜３４も磁化容易軸は膜面垂直方向に配向してい
た。
【００５８】さらに比較のために、図８（ｃ）のごと
く、基板１上にｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金
薄膜からなる膜厚５０ｎｍの下地層２を形成し、この上
にＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜からなる膜厚７０ｎｍの磁
性膜３３、及び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次
形成した単層磁性膜構造の媒体Ｐを作成した。この媒体
Ｐの磁性膜３３は下地層２の上にエピタキシャル的に成
長しており、磁化容易軸は膜面垂直方向に配向してい
た。
く、基板１上にｈｃｐ構造のＴｉ−１０ａｔ％Ｒｕ合金
薄膜からなる膜厚５０ｎｍの下地層２を形成し、この上
にＣｏＣｒ18Ｔａ6 合金薄膜からなる膜厚７０ｎｍの磁
性膜３３、及び膜厚１０ｎｍのカーボン保護層４を順次
形成した単層磁性膜構造の媒体Ｐを作成した。この媒体
Ｐの磁性膜３３は下地層２の上にエピタキシャル的に成
長しており、磁化容易軸は膜面垂直方向に配向してい
た。
【００５９】表７に、上記の３種類の媒体Ｎ，Ｏ，Ｐの
膜面垂直方向の保磁力Ｈｃ（垂直）と、線記録密度１０
０ｋＦＣＩにおける再生出力（信号振幅の電圧にて相対
比較）、及び記録再生したときの再生ノイズの相対値比
較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５
０ｋＦＣＩについて行った結果を示す。
膜面垂直方向の保磁力Ｈｃ（垂直）と、線記録密度１０
０ｋＦＣＩにおける再生出力（信号振幅の電圧にて相対
比較）、及び記録再生したときの再生ノイズの相対値比
較を線記録密度２０ｋＦＣＩ、１００ｋＦＣＩ及び２５
０ｋＦＣＩについて行った結果を示す。
【００６０】
【表７】
【００６１】表７から明らかなように、第１磁性膜と非
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割し、第１磁性膜の磁化容易軸を基板面内に配向
させ、第２磁性膜の磁化容易軸を膜面垂直方向に配向し
て多層に構成した媒体Ｎは、磁性膜を非磁性層で単に分
割した多層膜媒体Ｏや単層磁性膜媒体Ｐなどの比較媒体
に比べて、再生出力を大幅に増大でき、また磁化した時
の磁区サイズを他の比較媒体に比べて小さくできるた
め、磁気記録再生特性におけるノイズの値が他の比較媒
体に比べて小さく、性能改善の効果は明らかである。こ
こでは磁性膜が２層の場合を例に説明したが、磁性膜を
３層以上に多層化しても同様の効果が得られる。
磁性層の間にイオン照射層を設け、かつ磁性膜を非磁性
層で分割し、第１磁性膜の磁化容易軸を基板面内に配向
させ、第２磁性膜の磁化容易軸を膜面垂直方向に配向し
て多層に構成した媒体Ｎは、磁性膜を非磁性層で単に分
割した多層膜媒体Ｏや単層磁性膜媒体Ｐなどの比較媒体
に比べて、再生出力を大幅に増大でき、また磁化した時
の磁区サイズを他の比較媒体に比べて小さくできるた
め、磁気記録再生特性におけるノイズの値が他の比較媒
体に比べて小さく、性能改善の効果は明らかである。こ
こでは磁性膜が２層の場合を例に説明したが、磁性膜を
３層以上に多層化しても同様の効果が得られる。
【００６２】〔実施例８〕図９に、実施例１から７の例
で説明した本発明による面内、及び垂直磁気記録媒体を
組み込んだ磁気記録再生装置の模式図を示す。磁気ディ
スク６１は、モータにより回転する保持具により保持さ
れ、それぞれの各磁性膜に対応して情報の書き込み、読
み出しの磁気抵抗効果素子再生複合ヘッド６２が配置さ
れている。この磁気抵抗効果素子再生複合ヘッド６２の
磁気ディスク６１に対する位置は、アクチュエータ６３
とボイスコイルモータ６４により制御する。さらにこれ
らを制御するために記録再生回路６５、位置決め回路６
６、インターフェース制御回路６７が設けられている。
で説明した本発明による面内、及び垂直磁気記録媒体を
組み込んだ磁気記録再生装置の模式図を示す。磁気ディ
スク６１は、モータにより回転する保持具により保持さ
れ、それぞれの各磁性膜に対応して情報の書き込み、読
み出しの磁気抵抗効果素子再生複合ヘッド６２が配置さ
れている。この磁気抵抗効果素子再生複合ヘッド６２の
磁気ディスク６１に対する位置は、アクチュエータ６３
とボイスコイルモータ６４により制御する。さらにこれ
らを制御するために記録再生回路６５、位置決め回路６
６、インターフェース制御回路６７が設けられている。
【００６３】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の磁
気記録媒体によれば、基板上、磁性膜の構造制御用下地
層上、磁性膜上のいずれかの選択された位置にイオン打
ち込み領域を形成し、また組成が同じもしくは異なる磁
性膜を多層に積層してなる面内、もしくは垂直磁気記録
膜を用いることにより、記録再生ノイズが小さい超高密
度磁気記録に好敵な磁気記録媒体と磁気記録再生装置を
提供でき、工業上の利用価値は極めて高い。
気記録媒体によれば、基板上、磁性膜の構造制御用下地
層上、磁性膜上のいずれかの選択された位置にイオン打
ち込み領域を形成し、また組成が同じもしくは異なる磁
性膜を多層に積層してなる面内、もしくは垂直磁気記録
膜を用いることにより、記録再生ノイズが小さい超高密
度磁気記録に好敵な磁気記録媒体と磁気記録再生装置を
提供でき、工業上の利用価値は極めて高い。
【図１】イオン打ち込み領域を設けた磁気記録媒体の一
実施例の断面模式図。
実施例の断面模式図。
【図２】イオン打ち込み領域形成法の一実施例の説明
図。
図。
【図３】イオン打ち込み領域形成法の他の実施例の説明
図。
図。
【図４】イオン打ち込み領域を設けた多層面内磁気記録
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
【図５】イオン打ち込み領域を設けた多層面内磁気記録
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
【図６】イオン打ち込み領域を設けた多層面内磁気記録
媒体の一実施例の断面模式図。
媒体の一実施例の断面模式図。
【図７】イオン打ち込み領域を設けた多層垂直磁気記録
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
【図８】イオン打ち込み領域を設けた多層垂直磁気記録
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
媒体の一実施例及び比較例の断面模式図。
【図９】磁気記録再生装置の模式図。
１…基板、２…下地層、３…磁性膜、４…保護層、５…
イオン打ち込み領域、６…非磁性層、３１，３３…第１
磁性膜、３２，３４…第２磁性膜、５５…イオン照射
層、６１…磁気ディスク、６２…磁気抵抗効果素子再生
複合ヘッド、６３…アクチュエータ、６４…ボイスコイ
ルモータ、６５…記録再生回路、６６…位置決め回路、
６７…インターフェース制御回路
イオン打ち込み領域、６…非磁性層、３１，３３…第１
磁性膜、３２，３４…第２磁性膜、５５…イオン照射
層、６１…磁気ディスク、６２…磁気抵抗効果素子再生
複合ヘッド、６３…アクチュエータ、６４…ボイスコイ
ルモータ、６５…記録再生回路、６６…位置決め回路、
６７…インターフェース制御回路
Claims (20)
- 【請求項１】 非磁性基板上に下地層、磁性膜及び保護
層を積層してなる磁気記録媒体において、前記非磁性基
板、下地層又は磁性膜のうち少なくとも１つの選択され
た領域にイオン打込み領域を形成したことを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上に下地層、非磁性層を介し
て複数層積層された磁性膜、及び保護層を積層してなる
磁気記録媒体において、前記非磁性基板、下地層又は複
数層積層された磁性膜中の個々の磁性膜のうち少なくと
も１つの選択された領域にイオン打込み領域を形成した
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記イオン打ち込み領域は同心円状又は
らせん状であることを特徴とする請求項１又は２記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記イオン打ち込み領域は中心から外周
部に向かう放射状であることを特徴とする請求項１又は
２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板上に下地層、非磁性層を介し
た複数の磁性膜及び保護層を積層してなる磁気記録媒体
において、最上層以外の少なくとも１層の磁性膜の全面
にイオン打込み領域を形成したことを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項６】 前記全面にイオン打ち込み領域を形成し
た磁性膜以外の磁性膜の選択された領域にイオン打ち込
み領域を形成したことを特徴とする請求項５記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項７】 前記イオン打ち込み領域は同心円状又は
らせん状であることを特徴とする請求項６記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項８】 前記イオン打込み領域はＣｒ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｉ，Ｏ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ元素の中から選ばれる
少なくとも１種類以上の元素を含んでなることを特徴と
する請求項１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記磁性膜はＣｏを主成分とし、これに
Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，
Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＣｏＯ及び希土類元素の
中から選ばれる少なくとも１種類の元素又は化合物を含
む材料からなり、六方稠密構造を有することを特徴とす
る請求項１〜８のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記下地層及び非磁性層が面心立方構
造、体心立方構造、又は非晶質構造を有することを特徴
とする請求項２、５、６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記下地層及び非磁性層がＣｒ，Ｖ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少
なくとも１種類を含む材料、又はこれを含む合金材料か
らなることを特徴とする請求項２、５、６又は７記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 前記下地層が面心立方構造、体心立方
構造又は非晶質構造を有し、前記非磁性層が六方稠密構
造又は非晶質構造をすることを特徴とする請求項２、
５、６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 前記非磁性層がＴｉ，Ｒｕ，Ｃｏを主
成分とし、これにＣｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選
ばれた少なくとも１種類を含む六方稠密構造又は非晶質
構造の材料からなることを特徴とする請求項１２記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 前記下地層及び非磁性層が六方稠密構
造、又は非晶質構造を有することを特徴とする請求項
２、５、６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 前記下地層及び非磁性層がＣｏ，Ｔ
ｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂから選ばれた少なくとも１種類を含
む材料、又はこれを含む合金材料からなることを特徴と
する請求項１４記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 磁性膜が非磁性基板に近い側の第１磁
性膜及び基板から遠い側の第２磁性膜の少なくとも２層
からなり、前記第１磁性膜及び第２磁性膜の磁化容易軸
が基板面内方向に配向していることを特徴とする請求項
２、５、６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 前記第１磁性膜の磁化容易軸に対して
前記第２磁性膜の磁化容易軸が基板面内で等方的である
ことを特徴とする請求項１６項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１８】 磁性膜が非磁性基板に近い側の第１磁
性膜及び基板から遠い側の第２磁性膜の少なくとも２層
からなり、前記第１磁性膜が基板面内方向に磁化容易軸
を有し、前記第２磁性膜が基板面に対して垂直方向に磁
化容易軸を有することを特徴とする請求項２、５、６又
は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１９】 磁性膜が非磁性基板に近い側の第１磁
性膜及び基板から遠い側の第２磁性膜の少なくとも２層
からなり、前記第１磁性膜及び第２磁性膜が基板面に垂
直な磁化容易軸を有することを特徴とする請求項２、
５、６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に磁気情報を記録
再生するための磁気ヘッドと、前記磁気記録媒体と前記
磁気ヘッドを相対運動させる駆動機構と、前記磁気ヘッ
ドを前記磁気記録媒体上の適当な場所に位置決めするた
めのアクチュエータとを含むことを特徴とする磁気記録
再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26903694A JPH08129738A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26903694A JPH08129738A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129738A true JPH08129738A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17466786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26903694A Pending JPH08129738A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129738A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6638648B2 (en) | 2000-09-28 | 2003-10-28 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7108926B2 (en) | 2001-01-04 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| WO2008017233A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-14 | Fang Fang | A multifunctional digital violin |
| US8760787B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head having a thermal fly-height control (TFC) structure under a flat lower shield |
-
1994
- 1994-11-01 JP JP26903694A patent/JPH08129738A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US7166374B2 (en) | 1998-03-20 | 2007-01-23 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6638648B2 (en) | 2000-09-28 | 2003-10-28 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6881504B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US7108926B2 (en) | 2001-01-04 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| WO2008017233A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-14 | Fang Fang | A multifunctional digital violin |
| US8760787B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head having a thermal fly-height control (TFC) structure under a flat lower shield |
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