JPH08129787A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH08129787A JPH08129787A JP26586894A JP26586894A JPH08129787A JP H08129787 A JPH08129787 A JP H08129787A JP 26586894 A JP26586894 A JP 26586894A JP 26586894 A JP26586894 A JP 26586894A JP H08129787 A JPH08129787 A JP H08129787A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 iron group transition metal Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YABNZXGMDMFJCX-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ti].[Fe] Chemical compound [Co].[Ti].[Fe] YABNZXGMDMFJCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 99
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Tb] Chemical compound [Fe].[Co].[Tb] FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLYABUZMNHSXPN-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Co].[Fe].[Tb] Chemical compound [Ti].[Co].[Fe].[Tb] WLYABUZMNHSXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】再生信号の低周波数領域での媒体ノイズを低減
することにより、再生信号のジッタ特性を改善し、再生
信号の品質を向上させる。 【構成】表面が約０．５［ｎｍ］以下の範囲でスパッタ
エッチングされた有機樹脂基板１と、窒化シリコンから
成る第１の誘電体層２と、表面が約３［ｎｍ］以上の範
囲でスパッタエッチングされたタンタル酸化物から成る
第２の誘電体層３と、非晶質磁性合金から成る記録層４
と、第３の誘電体層５と、金属反射膜６とを順次積層
し、かつ第１の誘電体層２および第２の誘電体層３の膜
厚の総和が約１００〜１５０［ｎｍ］の範囲内となるよ
うに光磁気記録媒体を形成している。
することにより、再生信号のジッタ特性を改善し、再生
信号の品質を向上させる。 【構成】表面が約０．５［ｎｍ］以下の範囲でスパッタ
エッチングされた有機樹脂基板１と、窒化シリコンから
成る第１の誘電体層２と、表面が約３［ｎｍ］以上の範
囲でスパッタエッチングされたタンタル酸化物から成る
第２の誘電体層３と、非晶質磁性合金から成る記録層４
と、第３の誘電体層５と、金属反射膜６とを順次積層
し、かつ第１の誘電体層２および第２の誘電体層３の膜
厚の総和が約１００〜１５０［ｎｍ］の範囲内となるよ
うに光磁気記録媒体を形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を照射するこ
とによりデータの記録、消去および再生を行う光磁気記
録媒体に関し、特に高密度記録に優れ、かつ読み出し信
号の低周波数領域で媒体ノイズを低減できる光磁気記録
媒体およびその製造方法に関する。
とによりデータの記録、消去および再生を行う光磁気記
録媒体に関し、特に高密度記録に優れ、かつ読み出し信
号の低周波数領域で媒体ノイズを低減できる光磁気記録
媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光磁気記録媒体は高密度、大容
量かつ高速アクセス可能であるため、現在頻繁に使用さ
れている磁気記録媒体に代わる新規な記憶媒体として注
目されている。さらに、光磁気記録媒体は一度記録され
た情報の書き換えが可能であるため、コードデータ、画
像データ等の記憶装置として広範囲な応用分野で活発に
研究されている。
量かつ高速アクセス可能であるため、現在頻繁に使用さ
れている磁気記録媒体に代わる新規な記憶媒体として注
目されている。さらに、光磁気記録媒体は一度記録され
た情報の書き換えが可能であるため、コードデータ、画
像データ等の記憶装置として広範囲な応用分野で活発に
研究されている。
【０００３】例えば、図６を参照すると従来の光磁気記
録媒体は、表面に所定の幅およびピッチを有する渦巻状
溝部を設けた透明なポリカーボネート樹脂から成る有機
樹脂基板１１と、この有機樹脂基板１１上に厚さ８０
［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る誘電体層１
２と、この誘電体層１２上に厚さ８０［ｎｍ］で形成さ
れ、原子比が２２：７０：８のテルビウム・鉄・コバル
ト合金から成る記録層１３と、この記録層１３上に厚さ
８０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る保護層
１４とから構成される。
録媒体は、表面に所定の幅およびピッチを有する渦巻状
溝部を設けた透明なポリカーボネート樹脂から成る有機
樹脂基板１１と、この有機樹脂基板１１上に厚さ８０
［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る誘電体層１
２と、この誘電体層１２上に厚さ８０［ｎｍ］で形成さ
れ、原子比が２２：７０：８のテルビウム・鉄・コバル
ト合金から成る記録層１３と、この記録層１３上に厚さ
８０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る保護層
１４とから構成される。
【０００４】この従来の光磁気記録媒体は、ＲＦスパッ
タリング装置を用い、チャンバー内部を５．０＊１０-5
［Ｐａ］以下に真空排気した後順次成膜されている。例
えば、誘電体層１２および保護層１４はそれぞれ純度９
９．９９％のシリコン焼結体をターゲットとして用い
て、アルゴンガスと窒素との混合ガス雰囲気中で形成さ
れている。また、記録層１３は原子比が９０：１０の鉄
・コバルト合金シート上にテルビウムチップを配置した
複合ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で形成
されている。
タリング装置を用い、チャンバー内部を５．０＊１０-5
［Ｐａ］以下に真空排気した後順次成膜されている。例
えば、誘電体層１２および保護層１４はそれぞれ純度９
９．９９％のシリコン焼結体をターゲットとして用い
て、アルゴンガスと窒素との混合ガス雰囲気中で形成さ
れている。また、記録層１３は原子比が９０：１０の鉄
・コバルト合金シート上にテルビウムチップを配置した
複合ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で形成
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の成膜方法で作製された光磁気記録媒体について
レーザー光を照射して得られる再生信号と媒体ノイズと
の関係を調べてみると、再生信号の低周波数領域、特に
５［ＭＨｚ］以下の周波数領域での媒体ノイズが大きく
なることが分かった。それゆえ、再生信号のジッタ特性
の劣化および再生信号の品質の著しい低下を招いてい
た。
た従来の成膜方法で作製された光磁気記録媒体について
レーザー光を照射して得られる再生信号と媒体ノイズと
の関係を調べてみると、再生信号の低周波数領域、特に
５［ＭＨｚ］以下の周波数領域での媒体ノイズが大きく
なることが分かった。それゆえ、再生信号のジッタ特性
の劣化および再生信号の品質の著しい低下を招いてい
た。
【０００６】本発明の主な目的は、上記問題点を解決
し、再生信号の低周波数領域、特に５［ＭＨｚ］以下の
周波数領域での媒体ノイズを低減することにより、再生
信号のジッタ特性を改善し、再生信号の品質を向上でき
る光磁気記録媒体およびその製造方法を提供することに
ある。
し、再生信号の低周波数領域、特に５［ＭＨｚ］以下の
周波数領域での媒体ノイズを低減することにより、再生
信号のジッタ特性を改善し、再生信号の品質を向上でき
る光磁気記録媒体およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、表面が第１の規定値以下の範囲でスパッタエッチン
グされた有機樹脂基板と、窒化シリコンから成る第１の
誘電体層と、表面が第２の規定値以上の範囲でスパッタ
エッチングされたタンタル酸化物から成る第２の誘電体
層と、非晶質磁性合金から成る記録層と、第３の誘電体
層と、金属反射膜とが順次積層され、かつ第１の誘電体
層および第２の誘電体層の膜厚の総和が予め定めた厚さ
の範囲内となるように形成されている。ここで、上記第
１の規定値は０．５［ｎｍ］であり、上記第２の規定値
は３［ｎｍ］であり、上記予め定めた厚さは１００〜１
５０［ｎｍ］である。
は、表面が第１の規定値以下の範囲でスパッタエッチン
グされた有機樹脂基板と、窒化シリコンから成る第１の
誘電体層と、表面が第２の規定値以上の範囲でスパッタ
エッチングされたタンタル酸化物から成る第２の誘電体
層と、非晶質磁性合金から成る記録層と、第３の誘電体
層と、金属反射膜とが順次積層され、かつ第１の誘電体
層および第２の誘電体層の膜厚の総和が予め定めた厚さ
の範囲内となるように形成されている。ここで、上記第
１の規定値は０．５［ｎｍ］であり、上記第２の規定値
は３［ｎｍ］であり、上記予め定めた厚さは１００〜１
５０［ｎｍ］である。
【０００８】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、有機樹脂基板の表面を第１の規定値以下の範囲でス
パッタエッチングし、この有機樹脂基板上に窒化シリコ
ンから成る第１の誘電体層を形成する第１の工程と、こ
の第１の誘電体層上にこの第１の誘電体層との膜厚の総
和が予め定めた厚さの範囲内となるようにタンタル酸化
物から成る第２の誘電体層を形成し、この第２の誘電体
層の表面を第２の規定値以上の範囲でスパッタエッチン
グする第２の工程と、この第２の誘電体層上に非晶質磁
性合金から成る記録層、第３の誘電体層および金属反射
膜を順次積層する第３の工程とを含んでいる。
は、有機樹脂基板の表面を第１の規定値以下の範囲でス
パッタエッチングし、この有機樹脂基板上に窒化シリコ
ンから成る第１の誘電体層を形成する第１の工程と、こ
の第１の誘電体層上にこの第１の誘電体層との膜厚の総
和が予め定めた厚さの範囲内となるようにタンタル酸化
物から成る第２の誘電体層を形成し、この第２の誘電体
層の表面を第２の規定値以上の範囲でスパッタエッチン
グする第２の工程と、この第２の誘電体層上に非晶質磁
性合金から成る記録層、第３の誘電体層および金属反射
膜を順次積層する第３の工程とを含んでいる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１０】図１を参照すると、本発明の一実施例の光
磁気記録媒体は、表面に所定の幅およびピッチを有する
渦巻状溝部を有し、透明なポリカーボネート樹脂から成
る厚さ１．２［ｍｍ］および直径１３０［ｍｍ］の有機
樹脂基板１と、この有機樹脂基板１上に厚さ３０ないし
１４０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る第１
の誘電体層２と、この第１の誘電体層２上に厚さ１０な
いし１２０［ｎｍ］で形成されたタンタル酸化物から成
る第２の誘電体層３と、この第２の誘電体層３上に厚さ
２５［ｎｍ］で形成されたテルビウム・鉄・コバルト・
チタン合金から成る記録層４と、この記録層４上に厚さ
３０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る第３の
誘電体層５と、この第３の誘電体層５上に厚さ３０［ｎ
ｍ］で形成されたアルミニウム・チタン合金から成る金
属反射層６とから構成される。
磁気記録媒体は、表面に所定の幅およびピッチを有する
渦巻状溝部を有し、透明なポリカーボネート樹脂から成
る厚さ１．２［ｍｍ］および直径１３０［ｍｍ］の有機
樹脂基板１と、この有機樹脂基板１上に厚さ３０ないし
１４０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る第１
の誘電体層２と、この第１の誘電体層２上に厚さ１０な
いし１２０［ｎｍ］で形成されたタンタル酸化物から成
る第２の誘電体層３と、この第２の誘電体層３上に厚さ
２５［ｎｍ］で形成されたテルビウム・鉄・コバルト・
チタン合金から成る記録層４と、この記録層４上に厚さ
３０［ｎｍ］で形成された窒化シリコンから成る第３の
誘電体層５と、この第３の誘電体層５上に厚さ３０［ｎ
ｍ］で形成されたアルミニウム・チタン合金から成る金
属反射層６とから構成される。
【００１１】本実施例の光磁気記録媒体は、インライン
スパッタ装置を用いてチャンバー内を１．０＊１０
-5［Ｐａ］以下に真空排気した後、各層を順次形成する
ことにより製造される。
スパッタ装置を用いてチャンバー内を１．０＊１０
-5［Ｐａ］以下に真空排気した後、各層を順次形成する
ことにより製造される。
【００１２】まず初めに、有機樹脂基板１の表面をガス
圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中で約０．５
［ｎｍ］以下の範囲でスパッタエッチングする。このと
き、スパッタ装置のパワー密度は０．１５［Ｗ／ｃ
ｍ2 ］で、アルゴンガスの流量は２５［ＳＣＣＭ］であ
る。本実施例の有機樹脂基板１に対するスパッタエッチ
ング量は、図２に示された有機樹脂基板１に対するスパ
ッタエッチング量と媒体ノイズとの実験結果から設定さ
れている。これら実験データは、スパッタエッチング量
をパラメータとした幾つかの基板上に同じ層構造を形成
した幾つかの光磁気記録媒体について媒体ノイズを測定
することにより得ている。これによると、有機樹脂基板
１に対するスパッタエッチング量が約０．５［ｎｍ］以
上では再生信号の低周波数領域における媒体ノイズが大
きくなってしまう。そのため、再生信号の低周波数領域
における媒体ノイズを低減するには有機樹脂基板１に対
するスパッタエッチング量を約０．５［ｎｍ］以下に設
定する必要がある。
圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中で約０．５
［ｎｍ］以下の範囲でスパッタエッチングする。このと
き、スパッタ装置のパワー密度は０．１５［Ｗ／ｃ
ｍ2 ］で、アルゴンガスの流量は２５［ＳＣＣＭ］であ
る。本実施例の有機樹脂基板１に対するスパッタエッチ
ング量は、図２に示された有機樹脂基板１に対するスパ
ッタエッチング量と媒体ノイズとの実験結果から設定さ
れている。これら実験データは、スパッタエッチング量
をパラメータとした幾つかの基板上に同じ層構造を形成
した幾つかの光磁気記録媒体について媒体ノイズを測定
することにより得ている。これによると、有機樹脂基板
１に対するスパッタエッチング量が約０．５［ｎｍ］以
上では再生信号の低周波数領域における媒体ノイズが大
きくなってしまう。そのため、再生信号の低周波数領域
における媒体ノイズを低減するには有機樹脂基板１に対
するスパッタエッチング量を約０．５［ｎｍ］以下に設
定する必要がある。
【００１３】続いて、窒化シリコンから成る第１の誘電
体層２は、シリコンターゲットを用いて、ターゲット基
板間距離１５［ｃｍ］、ガス圧０．３［Ｐａ］のアルゴ
ンおよび窒素の混合ガス雰囲気中で成膜される。このと
き、スパッタ装置のパワー密度は８．０［Ｗ／ｃｍ2 ］
で、アルゴンガスおよび窒素ガスの流量はそれぞれ１０
０および５５［ＳＣＣＭ］である。
体層２は、シリコンターゲットを用いて、ターゲット基
板間距離１５［ｃｍ］、ガス圧０．３［Ｐａ］のアルゴ
ンおよび窒素の混合ガス雰囲気中で成膜される。このと
き、スパッタ装置のパワー密度は８．０［Ｗ／ｃｍ2 ］
で、アルゴンガスおよび窒素ガスの流量はそれぞれ１０
０および５５［ＳＣＣＭ］である。
【００１４】次に、タンタル酸化物から成る第２の誘電
体層３は、アルゴンおよび酸素の混合ガス雰囲気中で成
膜される。このとき、スパッタ装置のパワー密度は８．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスおよび酸素ガスの流
量はそれぞれ７０および３０［ＳＣＣＭ］である。この
後、本実施例ではガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス
雰囲気中で第２の誘電体層３の表面を約３［ｎｍ］以上
の範囲でスパッタエッチングする。このとき、スパッタ
装置のパワー密度は０．１５［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴ
ンガスの流量は２５［ＳＣＣＭ］である。本実施例の第
２の誘電体層３に対するスパッタエッチング量は、図３
に示された第２の誘電体層３に対するスパッタエッチン
グ量と媒体ノイズとの実験結果から設定されている。こ
れら実験データは、スパッタエッチング量をパラメータ
とした同じ層構造を有する幾つかの光磁気記録媒体につ
いて媒体ノイズを測定することにより得ている。これに
よると、第２の誘電体層３に対するスパッタエッチング
量が約３［ｎｍ］以下になると再生信号の低周波数領域
における媒体ノイズが大きくなってしまう。そのため、
再生信号の低周波数領域における媒体ノイズを低減する
には第２の誘電体層３に対するスパッタエッチング量を
約３［ｎｍ］以上に設定する必要がある。
体層３は、アルゴンおよび酸素の混合ガス雰囲気中で成
膜される。このとき、スパッタ装置のパワー密度は８．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスおよび酸素ガスの流
量はそれぞれ７０および３０［ＳＣＣＭ］である。この
後、本実施例ではガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス
雰囲気中で第２の誘電体層３の表面を約３［ｎｍ］以上
の範囲でスパッタエッチングする。このとき、スパッタ
装置のパワー密度は０．１５［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴ
ンガスの流量は２５［ＳＣＣＭ］である。本実施例の第
２の誘電体層３に対するスパッタエッチング量は、図３
に示された第２の誘電体層３に対するスパッタエッチン
グ量と媒体ノイズとの実験結果から設定されている。こ
れら実験データは、スパッタエッチング量をパラメータ
とした同じ層構造を有する幾つかの光磁気記録媒体につ
いて媒体ノイズを測定することにより得ている。これに
よると、第２の誘電体層３に対するスパッタエッチング
量が約３［ｎｍ］以下になると再生信号の低周波数領域
における媒体ノイズが大きくなってしまう。そのため、
再生信号の低周波数領域における媒体ノイズを低減する
には第２の誘電体層３に対するスパッタエッチング量を
約３［ｎｍ］以上に設定する必要がある。
【００１５】さらに、本実施例では、第１の誘電体層２
および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約１００ないし
１５０［ｎｍ］となるように設定されている。これら第
１の誘電体層２および第２の誘電体層の膜厚の総和は、
図４に示された第１の誘電体層２および第２の誘電体層
の膜厚の総和と媒体ノイズとの実験結果から設定されて
いる。これら実験データは、第１の誘電体層２および第
２の誘電体層３の膜厚の総和をパラメータとした同じ層
構造を有する幾つかの光磁気記録媒体について媒体ノイ
ズを測定することにより得ている。これによると、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約
１００［ｎｍ］以下または約１５０［ｎｍ］以上では再
生信号の低周波数領域における媒体ノイズが大きくなっ
てしまう。そのため、再生信号の低周波数領域における
媒体ノイズを低減するには第１の誘電体層２および第２
の誘電体層３の膜厚の総和が約１００［ｎｍ］以上約１
５０［ｎｍ］以下に設定する必要がある。ここで、膜厚
の総和が約１００［ｎｍ］以下の領域で媒体ノイズが増
加する理由は、第１の誘電体層２および第２の誘電体層
３の膜厚の総和が薄いので、有機樹脂基板１表面の凹凸
が記録層４に直接影響を及ぼして歪みが生じるためと考
えられる。また、膜厚の総和が約１５０［ｎｍ］以上の
領域で媒体ノイズが増加する理由は、第１の誘電体層２
および第２の誘電体層３と有機樹脂基板１との間でスト
レスが大きくなり有機樹脂基板１側に変形が生じるため
と考えられる。
および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約１００ないし
１５０［ｎｍ］となるように設定されている。これら第
１の誘電体層２および第２の誘電体層の膜厚の総和は、
図４に示された第１の誘電体層２および第２の誘電体層
の膜厚の総和と媒体ノイズとの実験結果から設定されて
いる。これら実験データは、第１の誘電体層２および第
２の誘電体層３の膜厚の総和をパラメータとした同じ層
構造を有する幾つかの光磁気記録媒体について媒体ノイ
ズを測定することにより得ている。これによると、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約
１００［ｎｍ］以下または約１５０［ｎｍ］以上では再
生信号の低周波数領域における媒体ノイズが大きくなっ
てしまう。そのため、再生信号の低周波数領域における
媒体ノイズを低減するには第１の誘電体層２および第２
の誘電体層３の膜厚の総和が約１００［ｎｍ］以上約１
５０［ｎｍ］以下に設定する必要がある。ここで、膜厚
の総和が約１００［ｎｍ］以下の領域で媒体ノイズが増
加する理由は、第１の誘電体層２および第２の誘電体層
３の膜厚の総和が薄いので、有機樹脂基板１表面の凹凸
が記録層４に直接影響を及ぼして歪みが生じるためと考
えられる。また、膜厚の総和が約１５０［ｎｍ］以上の
領域で媒体ノイズが増加する理由は、第１の誘電体層２
および第２の誘電体層３と有機樹脂基板１との間でスト
レスが大きくなり有機樹脂基板１側に変形が生じるため
と考えられる。
【００１６】続いて、テルビウム・鉄・コバルト・チタ
ン合金から成る厚さ２５［ｎｍ］の記録層４は、テルビ
ウムターゲットおよび鉄・コバルト・チタン合金ターゲ
ットを用いた２元マグネトロンスパッタ法により、基板
を回転させながらターゲット基板間距離１０［ｃｍ］、
ガス圧０．５５［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中で成膜
される。このとき、スパッタ装置におけるテルビウムタ
ーゲットおよび鉄・コバルト・チタン合金ターゲットの
パワー密度はそれぞれ１．５［Ｗ／ｃｍ2 ］および３．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスの流量は５０［ＳＣ
ＣＭ］である。
ン合金から成る厚さ２５［ｎｍ］の記録層４は、テルビ
ウムターゲットおよび鉄・コバルト・チタン合金ターゲ
ットを用いた２元マグネトロンスパッタ法により、基板
を回転させながらターゲット基板間距離１０［ｃｍ］、
ガス圧０．５５［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中で成膜
される。このとき、スパッタ装置におけるテルビウムタ
ーゲットおよび鉄・コバルト・チタン合金ターゲットの
パワー密度はそれぞれ１．５［Ｗ／ｃｍ2 ］および３．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスの流量は５０［ＳＣ
ＣＭ］である。
【００１７】次に、窒化シリコンから成る厚さ３０［ｎ
ｍ］の第３の誘電体層５は、シリコンターゲットを用い
て、ターゲット基板間距離１５［ｃｍ］、ガス圧０．３
［Ｐａ］のアルゴンおよび窒素の混合ガス雰囲気中で成
膜される。このとき、スパッタ装置のパワー密度は８．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスおよび窒素ガスの流
量はそれぞれ１００および５５［ＳＣＣＭ］である。
ｍ］の第３の誘電体層５は、シリコンターゲットを用い
て、ターゲット基板間距離１５［ｃｍ］、ガス圧０．３
［Ｐａ］のアルゴンおよび窒素の混合ガス雰囲気中で成
膜される。このとき、スパッタ装置のパワー密度は８．
０［Ｗ／ｃｍ2 ］で、アルゴンガスおよび窒素ガスの流
量はそれぞれ１００および５５［ＳＣＣＭ］である。
【００１８】最後に、アルミニウム・チタン合金から成
る厚さ３０［ｎｍ］の金属反射層６は、アルミニウム・
チタン合金ターゲットを用いて、ターゲット基板間距離
１５［ｃｍ］、ガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰
囲気中で成膜される。このとき、スパッタ装置のパワー
密度は３．０［Ｗ／ｃｍ2 ］である。
る厚さ３０［ｎｍ］の金属反射層６は、アルミニウム・
チタン合金ターゲットを用いて、ターゲット基板間距離
１５［ｃｍ］、ガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰
囲気中で成膜される。このとき、スパッタ装置のパワー
密度は３．０［Ｗ／ｃｍ2 ］である。
【００１９】図５は本実施例の磁気記録媒体における媒
体ノイズと再生信号の周波数との関係を示している。こ
れによると、従来の光磁気記録媒体における媒体ノイズ
のグラフ８に比べて本実施例の光磁気記録媒体のおける
媒体ノイズのグラフ７は、再生信号の低周波数領域、特
に５［ＭＨｚ］以下の周波数領域でもほとんど変化がな
い。つまり、媒体ノイズがかなり低下していることが分
かる。よって、本実施例の磁気記録媒体を用いることに
より、再生信号のジッタ特性を改善でき、再生信号の品
質をより一層向上できる。ここで、媒体ノイズが低減で
きる理由は、媒体ノイズに最も起因する記録層の下に形
成された第２の誘電体層の表面形状にあると考えられ
る。すなわち、本実施例では第２の誘電体層を形成した
後、アルゴンガス雰囲気中で約３［ｎｍ］以上の範囲で
スパッタエッチングしているため、第２の誘電体層の表
面形状が均一かつ滑らかとなり、記録層成膜時における
記録層成長初期層の磁化の分散方向を小さくできるから
と考えられる。
体ノイズと再生信号の周波数との関係を示している。こ
れによると、従来の光磁気記録媒体における媒体ノイズ
のグラフ８に比べて本実施例の光磁気記録媒体のおける
媒体ノイズのグラフ７は、再生信号の低周波数領域、特
に５［ＭＨｚ］以下の周波数領域でもほとんど変化がな
い。つまり、媒体ノイズがかなり低下していることが分
かる。よって、本実施例の磁気記録媒体を用いることに
より、再生信号のジッタ特性を改善でき、再生信号の品
質をより一層向上できる。ここで、媒体ノイズが低減で
きる理由は、媒体ノイズに最も起因する記録層の下に形
成された第２の誘電体層の表面形状にあると考えられ
る。すなわち、本実施例では第２の誘電体層を形成した
後、アルゴンガス雰囲気中で約３［ｎｍ］以上の範囲で
スパッタエッチングしているため、第２の誘電体層の表
面形状が均一かつ滑らかとなり、記録層成膜時における
記録層成長初期層の磁化の分散方向を小さくできるから
と考えられる。
【００２０】なお、本発明では有機樹脂基板１はポリカ
ーボネート樹脂の他にアクリル樹脂を用いることができ
る。また、記録層４はテルビウム・鉄・コバルト・チタ
ン合金の他に、テルビウム、ガドリニウム、ジスプロシ
ウム、ホルミウム等の希土類金属と、鉄、コバルト、ニ
ッケル等の鉄族遷移金属との組み合わせから作成された
非晶質磁性合金であればどのようなものでも使用でき
る。さらに、第３の誘電体層は窒化シリコンの他に、二
酸化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム等を用い
ることができる。また、金属反射層はアルミニウム・チ
タン合金の他に、アルミニウム、クロム、金、クロム化
アルミニウム等を用いることができる。
ーボネート樹脂の他にアクリル樹脂を用いることができ
る。また、記録層４はテルビウム・鉄・コバルト・チタ
ン合金の他に、テルビウム、ガドリニウム、ジスプロシ
ウム、ホルミウム等の希土類金属と、鉄、コバルト、ニ
ッケル等の鉄族遷移金属との組み合わせから作成された
非晶質磁性合金であればどのようなものでも使用でき
る。さらに、第３の誘電体層は窒化シリコンの他に、二
酸化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム等を用い
ることができる。また、金属反射層はアルミニウム・チ
タン合金の他に、アルミニウム、クロム、金、クロム化
アルミニウム等を用いることができる。
【００２１】さらに、本実施例では媒体ノイズを測定す
るため、波長８３０［ｎｍ］の光磁気ディスク用光ヘッ
ドを用いた。この測定に先立ち、有機樹脂基板上の溝部
が媒体ノイズに与える影響を避けるため、溝部のない全
面平坦な有機樹脂基板上に同じ層構造を形成した後、媒
体の全領域にＤＣ光を照射すると同時に消去方向に外部
磁界を印加して消去を行った。また、光ヘッド検出器か
らの差信号出力をスペクトラムアナライザに取り込み、
各周波数における媒体ノイズレベルの測定を行った。さ
らに、媒体ノイズを測定する際に、媒体の反射率が変化
しても光ヘッド検出器への戻り光量が一定になるように
媒体に照射する光磁気ディスク用光ヘッドのレーザー光
の照射パワーを調節してノイズレベルの測定を行った。
るため、波長８３０［ｎｍ］の光磁気ディスク用光ヘッ
ドを用いた。この測定に先立ち、有機樹脂基板上の溝部
が媒体ノイズに与える影響を避けるため、溝部のない全
面平坦な有機樹脂基板上に同じ層構造を形成した後、媒
体の全領域にＤＣ光を照射すると同時に消去方向に外部
磁界を印加して消去を行った。また、光ヘッド検出器か
らの差信号出力をスペクトラムアナライザに取り込み、
各周波数における媒体ノイズレベルの測定を行った。さ
らに、媒体ノイズを測定する際に、媒体の反射率が変化
しても光ヘッド検出器への戻り光量が一定になるように
媒体に照射する光磁気ディスク用光ヘッドのレーザー光
の照射パワーを調節してノイズレベルの測定を行った。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、表面
が約０．５［ｎｍ］以下の範囲でスパッタエッチングさ
れた有機樹脂基板１と、窒化シリコンから成る第１の誘
電体層２と、表面が約３［ｎｍ］以上の範囲でスパッタ
エッチングされたタンタル酸化物から成る第２の誘電体
層３と、非晶質磁性合金から成る記録層４と、第３の誘
電体層５と、金属反射膜６とを順次積層し、かつ第１の
誘電体層２および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約１
００〜１５０［ｎｍ］の範囲内となるように光磁気記録
媒体を形成しているため、再生信号の低周波数領域、特
に５［ＭＨｚ］以下の周波数領域での媒体ノイズを低減
することができる。それゆえ、再生信号のジッタ特性を
改善でき、再生信号の品質をより一層向上できる。
が約０．５［ｎｍ］以下の範囲でスパッタエッチングさ
れた有機樹脂基板１と、窒化シリコンから成る第１の誘
電体層２と、表面が約３［ｎｍ］以上の範囲でスパッタ
エッチングされたタンタル酸化物から成る第２の誘電体
層３と、非晶質磁性合金から成る記録層４と、第３の誘
電体層５と、金属反射膜６とを順次積層し、かつ第１の
誘電体層２および第２の誘電体層３の膜厚の総和が約１
００〜１５０［ｎｍ］の範囲内となるように光磁気記録
媒体を形成しているため、再生信号の低周波数領域、特
に５［ＭＨｚ］以下の周波数領域での媒体ノイズを低減
することができる。それゆえ、再生信号のジッタ特性を
改善でき、再生信号の品質をより一層向上できる。
【図１】本発明の一実施例の光磁気記録媒体の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本実施例における有機樹脂基板１に対するスパ
ッタエッチング量と媒体ノイズとの関係を示すグラフで
ある。
ッタエッチング量と媒体ノイズとの関係を示すグラフで
ある。
【図３】本実施例における第２の誘電体層３に対するス
パッタエッチング量と媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
パッタエッチング量と媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
【図４】本実施例における第１の誘電体層２および第２
の誘電体層３の膜厚の総和と媒体ノイズとの関係を示す
グラフである。
の誘電体層３の膜厚の総和と媒体ノイズとの関係を示す
グラフである。
【図５】本実施例で製造された光磁気記録媒体における
再生信号の周波数領域と媒体ノイズとの関係を示すグラ
フである。
再生信号の周波数領域と媒体ノイズとの関係を示すグラ
フである。
【図６】従来の光磁気記録媒体の構造を示す断面図であ
る。
る。
１ 有機樹脂基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 第２の誘電体層 ４ 記録層 ５ 第３の誘電体層 ６ 金属反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 Ｇ 9075−5Ｄ
Claims (20)
- 【請求項１】 表面が第１の規定値以下の範囲でスパッ
タエッチングされた有機樹脂基板と、窒化シリコンから
成る第１の誘電体層と、表面が第２の規定値以上の範囲
でスパッタエッチングされたタンタル酸化物から成る第
２の誘電体層と、非晶質磁性合金から成る記録層と、第
３の誘電体層と、金属反射膜とが順次積層され、かつ前
記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層の膜厚の総
和が予め定めた厚さの範囲内となるように形成されたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の規定値は０．５［ｎｍ］であ
ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第２の規定値は３［ｎｍ］であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記予め定めた厚さは１００〜１５０
［ｎｍ］であることを特徴とする請求項１記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項５】 前記有機樹脂基板はポリカーボネート樹
脂から成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項６】 前記有機樹脂基板はアクリル樹脂から成
ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記非晶質磁性合金はテルビウム、ガド
リニウム、ジスプロシウムまたはホルミウムを含む希土
類金属と、鉄、コバルトまたはニッケルを含む鉄族遷移
金属との組み合わせから作製されることを特徴とする請
求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第３の誘電体層は窒化シリコンから
成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第３の誘電体層は二酸化ケイ素から
成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第３の誘電体層はタンタル酸化物
から成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項１１】 前記第３の誘電体層は窒化アルミニウ
ムから成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項１２】 前記金属反射層はアルミニウム・チタ
ン合金から成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項１３】 前記金属反射層はアルミニウムから成
ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 前記金属反射層はクロムから成ること
を特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 前記金属反射層は金から成ることを特
徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 前記金属反射層はクロム化アルミニウ
ムから成ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項１７】 有機樹脂基板の表面を第１の規定値以
下の範囲でスパッタエッチングし、該有機樹脂基板上に
窒化シリコンから成る第１の誘電体層を形成する第１の
工程と、 前記第１の誘電体層上に該第１の誘電体層との膜厚の総
和が予め定めた厚さの範囲内となるようにタンタル酸化
物から成る第２の誘電体層を形成し、該第２の誘電体層
の表面を第２の規定値以上の範囲でスパッタエッチング
する第２の工程と、 前記第２の誘電体層上に非晶質磁性合金から成る記録
層、第３の誘電体層および金属反射膜を順次積層する第
３の工程とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項１８】 前記第１の工程は、有機樹脂基板の表
面をガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中で
０．５［ｎｍ］以下の範囲でスパッタエッチングした
後、シリコンターゲットを用いてターゲット基板間距離
１５［ｃｍ］、ガス圧０．３［Ｐａ］のアルゴンおよび
窒素の混合ガス雰囲気中で窒化シリコンから成る第１の
誘電体層を形成する工程であることを特徴とする請求項
１７記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】 前記第２の工程は、アルゴンおよび酸
素の混合ガス雰囲気中でタンタル酸化物から成る第２の
誘電体層を前記第１の誘電体層との膜厚の総和が１００
〜１５０［ｎｍ］の範囲内となるように形成した後、ガ
ス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中でこの第２
の誘電体層の表面を３［ｎｍ］以上の範囲でスパッタエ
ッチングする工程であることを特徴とする請求項１７記
載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 前記第３の工程は、テルビウムターゲ
ットおよび鉄・コバルト・チタン合金ターゲットを用い
てターゲット基板間距離１０［ｃｍ］、ガス圧０．５５
［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気中でテルビウム・鉄・コ
バルト・チタン合金から成る厚さ２５［ｎｍ］の記録層
と、シリコンターゲットを用いてターゲット基板間距離
１５［ｃｍ］、ガス圧０．３［Ｐａ］のアルゴンおよび
窒素の混合ガス雰囲気中で窒化シリコンから成る厚さ３
０［ｎｍ］の第３の誘電体層と、アルミニウム・チタン
合金ターゲットを用いて、ターゲット基板間距離１５
［ｃｍ］、ガス圧０．１［Ｐａ］のアルゴンガス雰囲気
中でアルミニウム・チタン合金から成る厚さ３０［ｎ
ｍ］の金属反射層とを順次積層する工程であることを特
徴とする請求項１７記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26586894A JP2663881B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26586894A JP2663881B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129787A true JPH08129787A (ja) | 1996-05-21 |
| JP2663881B2 JP2663881B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17423215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26586894A Expired - Fee Related JP2663881B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663881B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100849834B1 (ko) * | 2000-12-06 | 2008-08-01 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광 디스크 |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP26586894A patent/JP2663881B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100849834B1 (ko) * | 2000-12-06 | 2008-08-01 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광 디스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663881B2 (ja) | 1997-10-15 |
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