JPH08130190A - ウエハ縦置き型縦型炉 - Google Patents
ウエハ縦置き型縦型炉Info
- Publication number
- JPH08130190A JPH08130190A JP29058594A JP29058594A JPH08130190A JP H08130190 A JPH08130190 A JP H08130190A JP 29058594 A JP29058594 A JP 29058594A JP 29058594 A JP29058594 A JP 29058594A JP H08130190 A JPH08130190 A JP H08130190A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- wafers
- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの自重による反りの発生やウエハ表面
へのダストの付着を防止し、ウエハ品質の向上を図った
縦型炉を提供する。 【構成】 反応管３を縦置きにしてウエハ７を搭載する
ボート６を垂直方向から出し入れする半導体製造用縦型
炉１において、前記ウエハ７は前記ボート６内で垂直に
立てた状態で搭載される。
へのダストの付着を防止し、ウエハ品質の向上を図った
縦型炉を提供する。 【構成】 反応管３を縦置きにしてウエハ７を搭載する
ボート６を垂直方向から出し入れする半導体製造用縦型
炉１において、前記ウエハ７は前記ボート６内で垂直に
立てた状態で搭載される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスで用
いるウエハの熱処理炉に関し、特に炉心管（反応管）を
垂直方向に設置してボートを垂直方向から出し入れする
縦型炉に関するものである。
いるウエハの熱処理炉に関し、特に炉心管（反応管）を
垂直方向に設置してボートを垂直方向から出し入れする
縦型炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、ウエハ上
にＣＶＤによる酸化膜等を形成したり拡散やアニール等
の熱処理を施す場合に、複数枚のウエハをボートにセッ
トし、このボートを石英管からなる反応炉（石英反応
管）内に装填して加熱処理を施す熱処理炉が用いられて
いる。このような熱処理炉において、炉内の熱分布を均
一化しまたスペースを効率的に利用し構造を簡素化する
ために、石英反応管を垂直に立ててボートを下から出し
入れする縦型炉が採用されている。
にＣＶＤによる酸化膜等を形成したり拡散やアニール等
の熱処理を施す場合に、複数枚のウエハをボートにセッ
トし、このボートを石英管からなる反応炉（石英反応
管）内に装填して加熱処理を施す熱処理炉が用いられて
いる。このような熱処理炉において、炉内の熱分布を均
一化しまたスペースを効率的に利用し構造を簡素化する
ために、石英反応管を垂直に立ててボートを下から出し
入れする縦型炉が採用されている。
【０００３】従来の縦型炉を図３に示す。（Ａ）は縦断
面図、（Ｂ）はボートの要部構成図である。この縦型炉
１は、二重管構造の石英管からなるプロセスチューブ
（石英反応管）３の内部を反応室２としたものである。
このプロセスチューブ３にはガス供給管４およびガス排
出管５が接続され、点線矢印で示すように、ガス供給管
４から反応ガスを二重管の外管と内管の間に供給し、内
管上面の孔（図示しない）を通して反応室２内に点線矢
印のように流通させ、ガス排出管５を通して外部に排気
する。
面図、（Ｂ）はボートの要部構成図である。この縦型炉
１は、二重管構造の石英管からなるプロセスチューブ
（石英反応管）３の内部を反応室２としたものである。
このプロセスチューブ３にはガス供給管４およびガス排
出管５が接続され、点線矢印で示すように、ガス供給管
４から反応ガスを二重管の外管と内管の間に供給し、内
管上面の孔（図示しない）を通して反応室２内に点線矢
印のように流通させ、ガス排出管５を通して外部に排気
する。
【０００４】反応室２内には、ボート６が保温筒８上に
搭載された状態で縦置きのプロセスチューブ３の下側か
ら挿入される。このボート６には、（Ｂ）図に示すよう
に、水平配置の複数枚のウエハ７が並列して各ボート溝
９に多段に積層されてセットされている。このような構
成の縦型炉において、ガス供給管４から所定の反応ガス
を供給しつつ反応室２内部を所定の真空圧に保ちなが
ら、プロセスチューブ３の周囲に巻回した加熱コイル
（図示しない）に通電して反応室２内を加熱して、ボー
ト６にセットされた各ウエハ７上にＣＶＤ膜等を形成す
る。
搭載された状態で縦置きのプロセスチューブ３の下側か
ら挿入される。このボート６には、（Ｂ）図に示すよう
に、水平配置の複数枚のウエハ７が並列して各ボート溝
９に多段に積層されてセットされている。このような構
成の縦型炉において、ガス供給管４から所定の反応ガス
を供給しつつ反応室２内部を所定の真空圧に保ちなが
ら、プロセスチューブ３の周囲に巻回した加熱コイル
（図示しない）に通電して反応室２内を加熱して、ボー
ト６にセットされた各ウエハ７上にＣＶＤ膜等を形成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の縦型炉においては、ボート６にウエハ７が水平にセ
ットされているため、ウエハの自重によりウエハに反り
を生ずる。このような反りはウエハの径が大きくなる程
大きくなり問題となる。また、上から下への反応ガスの
フローに伴い、ダストがウエハ上面に付着しやすく品質
の劣化を来すおそれがあった。
来の縦型炉においては、ボート６にウエハ７が水平にセ
ットされているため、ウエハの自重によりウエハに反り
を生ずる。このような反りはウエハの径が大きくなる程
大きくなり問題となる。また、上から下への反応ガスの
フローに伴い、ダストがウエハ上面に付着しやすく品質
の劣化を来すおそれがあった。
【０００６】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、ウエハの自重による反りの発生やウエ
ハ表面へのダストの付着を防止し、ウエハ品質の向上を
図った縦型炉の提供を目的とする。
たものであって、ウエハの自重による反りの発生やウエ
ハ表面へのダストの付着を防止し、ウエハ品質の向上を
図った縦型炉の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、反応管を縦置きにしてウエハを搭載す
るボートを垂直方向から出し入れする半導体製造用縦型
炉において、前記ウエハは前記ボート内で垂直に立てた
状態で搭載されることを特徴とするウエハ縦置き型縦型
炉を提供する。
め、本発明では、反応管を縦置きにしてウエハを搭載す
るボートを垂直方向から出し入れする半導体製造用縦型
炉において、前記ウエハは前記ボート内で垂直に立てた
状態で搭載されることを特徴とするウエハ縦置き型縦型
炉を提供する。
【０００８】好ましい実施例においては、前記ボートは
縦方向に複数段のウエハ搭載部を有し、各ウエハ搭載部
に複数枚のウエハを縦置きに平行にセットするととも
に、上下のウエハ搭載部間でウエハ面の方向が異なるこ
とを特徴としている。
縦方向に複数段のウエハ搭載部を有し、各ウエハ搭載部
に複数枚のウエハを縦置きに平行にセットするととも
に、上下のウエハ搭載部間でウエハ面の方向が異なるこ
とを特徴としている。
【０００９】本発明ではさらに、複数枚のウエハを水平
に多段に並列して収容したキャリアからウエハを１枚ず
つ取り出してこれを搬送し縦型炉のボートにセットする
ための搬送装置であって、前記キャリアから水平方向の
ウエハを取り出して保持するためのハンドを備え、この
ハンドは水平方向のウエハを保持した状態で水平軸廻り
に９０度回転してウエハを垂直状態にして保持可能であ
ることを特徴とする縦型炉用ウエハ搬送装置を提供す
る。
に多段に並列して収容したキャリアからウエハを１枚ず
つ取り出してこれを搬送し縦型炉のボートにセットする
ための搬送装置であって、前記キャリアから水平方向の
ウエハを取り出して保持するためのハンドを備え、この
ハンドは水平方向のウエハを保持した状態で水平軸廻り
に９０度回転してウエハを垂直状態にして保持可能であ
ることを特徴とする縦型炉用ウエハ搬送装置を提供す
る。
【００１０】
【作用】ウエハは縦置き状態（ウエハ面を垂直にした状
態）でボートにセットされるため、自重による反りや変
形が生じにくい。また反応ガスのフローはウエハ垂直面
を円滑に流れるとともにウエハ表面へのダストの付着が
抑制される。
態）でボートにセットされるため、自重による反りや変
形が生じにくい。また反応ガスのフローはウエハ垂直面
を円滑に流れるとともにウエハ表面へのダストの付着が
抑制される。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る縦型炉の構成を
示す図であり、（Ａ）は全体構成図、（Ｂ）はウエハ搭
載ボートの要部構成図である。この実施例に係る縦型炉
１は、二重管構造の石英管からなるプロセスチューブ
（石英反応管）３を垂直方向に縦置きにした縦型炉であ
り、プロセスチューブ３の内部を反応室２としたもので
ある。このプロセスチューブ３にはガス供給管４および
ガス排出管５が接続され、点線矢印で示すように、ガス
供給管４から反応ガスを二重管の外管と内管の間に供給
し、内管上面の孔（図示しない）を通して反応室２内に
点線矢印のように流通させ、ガス排出管５を通して外部
に排気する。
示す図であり、（Ａ）は全体構成図、（Ｂ）はウエハ搭
載ボートの要部構成図である。この実施例に係る縦型炉
１は、二重管構造の石英管からなるプロセスチューブ
（石英反応管）３を垂直方向に縦置きにした縦型炉であ
り、プロセスチューブ３の内部を反応室２としたもので
ある。このプロセスチューブ３にはガス供給管４および
ガス排出管５が接続され、点線矢印で示すように、ガス
供給管４から反応ガスを二重管の外管と内管の間に供給
し、内管上面の孔（図示しない）を通して反応室２内に
点線矢印のように流通させ、ガス排出管５を通して外部
に排気する。
【００１２】反応室２内には、ボート６が保温筒８上に
搭載された状態で縦置きのプロセスチューブ３の下側か
ら挿入される。このボート６には、（Ｂ）図に示すよう
に、垂直配置の複数枚のウエハ７が並列してボート溝９
にセットされている。このような縦置きの複数枚のウエ
ハ７を並列させたウエハ搭載部１３はボート６内に複数
段に設けられる。上下の各ウエハ搭載部１３間には開口
部（図示しない）が形成され反応ガスは点線矢印のよう
に上下のウエハ搭載部１３間を通して流通する。この場
合、上下のウエハ搭載部１３のウエハ面の向きを例えば
９０度ずらせる等により異ならせておくことが望まし
い。これにより上下のウエハ７間を反応ガスが円滑に流
通する。
搭載された状態で縦置きのプロセスチューブ３の下側か
ら挿入される。このボート６には、（Ｂ）図に示すよう
に、垂直配置の複数枚のウエハ７が並列してボート溝９
にセットされている。このような縦置きの複数枚のウエ
ハ７を並列させたウエハ搭載部１３はボート６内に複数
段に設けられる。上下の各ウエハ搭載部１３間には開口
部（図示しない）が形成され反応ガスは点線矢印のよう
に上下のウエハ搭載部１３間を通して流通する。この場
合、上下のウエハ搭載部１３のウエハ面の向きを例えば
９０度ずらせる等により異ならせておくことが望まし
い。これにより上下のウエハ７間を反応ガスが円滑に流
通する。
【００１３】このような構成のウエハ縦置き型の縦型炉
において、ガス供給管４から所定の反応ガスを供給しつ
つ反応室２内部を所定の真空圧に保ちながら、プロセス
チューブ３の周囲に巻回した加熱コイル（図示しない）
に通電して反応室２内を加熱して、ボート６にセットさ
れた各ウエハ７上にＣＶＤ膜等を形成する。
において、ガス供給管４から所定の反応ガスを供給しつ
つ反応室２内部を所定の真空圧に保ちながら、プロセス
チューブ３の周囲に巻回した加熱コイル（図示しない）
に通電して反応室２内を加熱して、ボート６にセットさ
れた各ウエハ７上にＣＶＤ膜等を形成する。
【００１４】図２は、上記構成の本発明に係る縦型炉に
対しウエハを搬送して出し入れするための搬送機（ロー
ダー・アンローダー）の概略図である。キャリア１０内
に複数枚のウエハ７が水平に収納される。搬送機１１は
垂直軸Ｙ廻りに矢印Ａのように回転可能でかつ伸縮可能
なロボットハンド１２を備える。キャリア１０から取り
出された１枚のウエハ７は、ロボットハンド１２の先端
部に例えば真空チャック（図示しない）により保持され
る。続いて搬送機１１が矢印Ａのように例えば１８０度
回転してロボットハンド１２をボート６（（Ｂ）図）に
対向した位置に向ける。ここでロボットハンド１２がそ
の軸Ｘ廻りに矢印Ｂのように９０度回転してウエハ７を
垂直にして保持する。この状態でウエハ７をボート６内
に挿入する（（Ｂ）図）。このようにしてボート６内に
ウエハ７を縦置き状態で装填した後、このボート６を縦
型に配置された石英反応管（プロセスチューブ）内にそ
の底部から挿入し加熱処理を施す。
対しウエハを搬送して出し入れするための搬送機（ロー
ダー・アンローダー）の概略図である。キャリア１０内
に複数枚のウエハ７が水平に収納される。搬送機１１は
垂直軸Ｙ廻りに矢印Ａのように回転可能でかつ伸縮可能
なロボットハンド１２を備える。キャリア１０から取り
出された１枚のウエハ７は、ロボットハンド１２の先端
部に例えば真空チャック（図示しない）により保持され
る。続いて搬送機１１が矢印Ａのように例えば１８０度
回転してロボットハンド１２をボート６（（Ｂ）図）に
対向した位置に向ける。ここでロボットハンド１２がそ
の軸Ｘ廻りに矢印Ｂのように９０度回転してウエハ７を
垂直にして保持する。この状態でウエハ７をボート６内
に挿入する（（Ｂ）図）。このようにしてボート６内に
ウエハ７を縦置き状態で装填した後、このボート６を縦
型に配置された石英反応管（プロセスチューブ）内にそ
の底部から挿入し加熱処理を施す。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る縦型
炉においては、ウエハを縦置きにして（ウエハ表面を垂
直にして）ボートに収容しているため、ウエハ自重によ
る反りや変形が発生しにくくなり半導体製品の品質の向
上が図られる。特にウエハの大口径化に伴い自重が増加
した場合に効果が顕著になる。また、ウエハ面が垂直で
あるため、反応管内での上から下への反応ガスの流れが
円滑になりウエハと充分に接触し反応が確実に行われる
とともに、ウエハ表面へダストや不純物が付着しにくく
なりダスト等による半導体特性への影響を防止して安定
した良好な特性の半導体製品を得ることができる。
炉においては、ウエハを縦置きにして（ウエハ表面を垂
直にして）ボートに収容しているため、ウエハ自重によ
る反りや変形が発生しにくくなり半導体製品の品質の向
上が図られる。特にウエハの大口径化に伴い自重が増加
した場合に効果が顕著になる。また、ウエハ面が垂直で
あるため、反応管内での上から下への反応ガスの流れが
円滑になりウエハと充分に接触し反応が確実に行われる
とともに、ウエハ表面へダストや不純物が付着しにくく
なりダスト等による半導体特性への影響を防止して安定
した良好な特性の半導体製品を得ることができる。
【図１】 （Ａ）（Ｂ）はそれぞれ本発明の実施例に係
る縦型炉の縦断面図およびボートの要部構成図である。
る縦型炉の縦断面図およびボートの要部構成図である。
【図２】 本発明の実施例に係るウエハ縦置き型縦型炉
のローダー・アンローダーの構成説明図である。
のローダー・アンローダーの構成説明図である。
【図３】 （Ａ）（Ｂ）はそれぞれ従来の縦型炉の縦断
面図およびボートの要部構成図である。
面図およびボートの要部構成図である。
１：縦型炉、 ２：反応室、 ３：プロセスチューブ
（石英反応管）、 ６：ボート、 ７：ウエハ、 １
１：搬送機（ローダー・アンローダー）、 １２：ロボ
ットハンド、 １３：ウエハ搭載部。
（石英反応管）、 ６：ボート、 ７：ウエハ、 １
１：搬送機（ローダー・アンローダー）、 １２：ロボ
ットハンド、 １３：ウエハ搭載部。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応管を縦置きにしてウエハを搭載する
ボートを垂直方向から出し入れする半導体製造用縦型炉
において、前記ウエハは前記ボート内で垂直に立てた状
態で搭載されることを特徴とするウエハ縦置き型縦型
炉。 - 【請求項２】 前記ボートは縦方向に複数段のウエハ搭
載部を有し、各ウエハ搭載部に複数枚のウエハを縦置き
に平行にセットするとともに、上下のウエハ搭載部間で
ウエハ面の方向が異なることを特徴とする請求項１に記
載のウエハ縦置き型縦型炉。 - 【請求項３】 複数枚のウエハを水平に多段に並列して
収容したキャリアからウエハを１枚ずつ取り出してこれ
を搬送しボートにセットするための搬送装置であって、
前記キャリアから水平方向のウエハを取り出して保持す
るハンドを備え、このハンドは水平方向のウエハを保持
した状態で水平軸廻りに９０度回転してウエハを垂直状
態にして保持可能であることを特徴とする縦型炉用ウエ
ハ搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29058594A JPH08130190A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | ウエハ縦置き型縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29058594A JPH08130190A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | ウエハ縦置き型縦型炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130190A true JPH08130190A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17757929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29058594A Pending JPH08130190A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | ウエハ縦置き型縦型炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130190A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081186A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Ricoh Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JP2008235934A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、ボート、熱処理方法、及び半導体の製造方法 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
| JP2020193381A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | キヤノン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP29058594A patent/JPH08130190A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081186A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Ricoh Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JP2008235934A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、ボート、熱処理方法、及び半導体の製造方法 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
| JP2020193381A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | キヤノン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
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