JPH08134122A - 重合用触媒及びそれを用いたスチレン系重合体の製造方法 - Google Patents
重合用触媒及びそれを用いたスチレン系重合体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低
減、ポリマーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低
減及びポリマーの物性改良が可能な新たな重合用触媒、
及びシンジオタクチックポリスチレンを効率よく製造す
る方法を提供すること。 【構成】 （Ａ）一分子中に、一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・ （Ｉ） （Ｍ1 は３〜６族又はランタノイド系列の金属元素、又
は１５族元素）で表される結合を少なくとも一つ含む遷
移金属化合物、（Ｂ）（イ）該遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物又は（ロ）特定の
酸素含有化合物、及び場合により用いられる（Ｃ）アル
キル基含有金属化合物を含有してなる重合用触媒、並び
にこの重合用触媒を用いてスチレン系重合体、特に高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を
製造する方法である。
減、ポリマーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低
減及びポリマーの物性改良が可能な新たな重合用触媒、
及びシンジオタクチックポリスチレンを効率よく製造す
る方法を提供すること。 【構成】 （Ａ）一分子中に、一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・ （Ｉ） （Ｍ1 は３〜６族又はランタノイド系列の金属元素、又
は１５族元素）で表される結合を少なくとも一つ含む遷
移金属化合物、（Ｂ）（イ）該遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物又は（ロ）特定の
酸素含有化合物、及び場合により用いられる（Ｃ）アル
キル基含有金属化合物を含有してなる重合用触媒、並び
にこの重合用触媒を用いてスチレン系重合体、特に高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を
製造する方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、重合用触媒及びこれを
用いたスチレン系重合体の製造方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、高い活性を有し、ポリ
マー中の残留金属の低減，ポリマーの製造プロセスの簡
略化や製造コストの低減及びポリマーの物性改良などを
可能とする重合用触媒、及びこの重合用触媒を用いて高
度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
を効率よく製造する方法に関する。
用いたスチレン系重合体の製造方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、高い活性を有し、ポリ
マー中の残留金属の低減，ポリマーの製造プロセスの簡
略化や製造コストの低減及びポリマーの物性改良などを
可能とする重合用触媒、及びこの重合用触媒を用いて高
度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
を効率よく製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、遷移金属化合物と反応してイオン
性の錯体を形成しうる化合物や有機アルミニウム化合物
と水との反応生成物に、遷移金属化合物を作用させて得
られた触媒を用いて、高性能のスチレン系重合体やオレ
フィン系重合体などのポリマーを効率よく製造する方法
が開発され、注目されている。しかしながら、この触媒
系は活性が必ずしも充分ではなく、そのため、生成した
ポリマー中に多量の金属が残留し、ポリマー物性などに
悪影響を与え、その対応には煩雑な後処理工程が必要で
あった。ところで、ラジカル重合法などにより製造され
るスチレン系重合体は、その立体構造がアタクチック構
造を有しており、種々の成形法、例えば射出成形，押出
成形，中空成形，真空成形，注入成形などの方法によっ
て、様々な形状のものに成形され、家庭電気器具，事務
機器，家庭用品，包装容器，玩具，家具，合成紙，その
他産業資材などとして幅広く用いられている。しかしな
がら、このようなアタクチック構造のスチレン系重合体
は耐熱性や耐薬品性に劣るという欠点を有している。こ
れに対し、シンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体は、従来のアタクチックスチレン系重合体よりも
高い融点を有しており、耐熱性樹脂として各方面から期
待されている。
性の錯体を形成しうる化合物や有機アルミニウム化合物
と水との反応生成物に、遷移金属化合物を作用させて得
られた触媒を用いて、高性能のスチレン系重合体やオレ
フィン系重合体などのポリマーを効率よく製造する方法
が開発され、注目されている。しかしながら、この触媒
系は活性が必ずしも充分ではなく、そのため、生成した
ポリマー中に多量の金属が残留し、ポリマー物性などに
悪影響を与え、その対応には煩雑な後処理工程が必要で
あった。ところで、ラジカル重合法などにより製造され
るスチレン系重合体は、その立体構造がアタクチック構
造を有しており、種々の成形法、例えば射出成形，押出
成形，中空成形，真空成形，注入成形などの方法によっ
て、様々な形状のものに成形され、家庭電気器具，事務
機器，家庭用品，包装容器，玩具，家具，合成紙，その
他産業資材などとして幅広く用いられている。しかしな
がら、このようなアタクチック構造のスチレン系重合体
は耐熱性や耐薬品性に劣るという欠点を有している。こ
れに対し、シンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体は、従来のアタクチックスチレン系重合体よりも
高い融点を有しており、耐熱性樹脂として各方面から期
待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低
減、ポリマーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低
減及びポリマーの物性改良などを可能とする新たな重合
用触媒、及び高度のシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体を、高い活性の触媒を用いて効率よく製
造する方法を提供することを目的とするものである。
状況下で、高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低
減、ポリマーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低
減及びポリマーの物性改良などを可能とする新たな重合
用触媒、及び高度のシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体を、高い活性の触媒を用いて効率よく製
造する方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定の遷移金
属化合物と、この遷移金属化合物と反応してイオン性の
錯体を形成しうる化合物や特定の酸素含有化合物とを含
有する重合用触媒、あるいはこれらの成分と共に、さら
にアルキル基含有金属化合物を含有する重合用触媒が、
高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低減、ポリマ
ーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低減及びポリ
マーの物性改良を可能とすること、そして、この重合用
触媒を用いてスチレン類を単独重合又はスチレン類と他
のスチレン類及び／又は他の重合性不飽和化合物とを共
重合させることにより、高度のシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体が効率よく得られることを見
出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したもの
である。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定の遷移金
属化合物と、この遷移金属化合物と反応してイオン性の
錯体を形成しうる化合物や特定の酸素含有化合物とを含
有する重合用触媒、あるいはこれらの成分と共に、さら
にアルキル基含有金属化合物を含有する重合用触媒が、
高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低減、ポリマ
ーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低減及びポリ
マーの物性改良を可能とすること、そして、この重合用
触媒を用いてスチレン類を単独重合又はスチレン類と他
のスチレン類及び／又は他の重合性不飽和化合物とを共
重合させることにより、高度のシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体が効率よく得られることを見
出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したもの
である。
【０００５】すなわち、本発明は、（Ａ）一分子中に、
一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素を示す。）で表
される結合を少なくとも一つ含む遷移金属化合物、
（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）一般
式（II）
一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素を示す。）で表
される結合を少なくとも一つ含む遷移金属化合物、
（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）一般
式（II）
【０００６】
【化５】
【０００７】（式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ炭素数１〜
８のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも異な
っていてもよく、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族
元素を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、ａ及びｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋
ｂは１以上である。）及び／又は一般式（III)
８のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも異な
っていてもよく、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族
元素を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、ａ及びｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋
ｂは１以上である。）及び／又は一般式（III)
【０００８】
【化６】
【０００９】（式中、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ炭素数１
〜８のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１
３族元素を示し、それらはたがいに同一でも異なってい
てもよく、ｃ及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、
ｃ＋ｄは１以上である。）で表される酸素含有化合物、
及び場合により（Ｃ）アルキル基含有金属化合物を含有
することを特徴とする重合用触媒を提供するものであ
る。また、本発明は、上記重合用触媒を用いることを特
徴とするスチレン系重合体の製造方法をも提供するもの
である。
〜８のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１
３族元素を示し、それらはたがいに同一でも異なってい
てもよく、ｃ及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、
ｃ＋ｄは１以上である。）で表される酸素含有化合物、
及び場合により（Ｃ）アルキル基含有金属化合物を含有
することを特徴とする重合用触媒を提供するものであ
る。また、本発明は、上記重合用触媒を用いることを特
徴とするスチレン系重合体の製造方法をも提供するもの
である。
【００１０】本発明の重合用触媒において、（Ａ）成分
として用いられる遷移金属化合物は、一分子中に、一般
式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） で表される結合を少なくとも一つ有するものである。上
記一般式（Ｉ）において、Ｍ1 は周期律表３〜６族又は
ランタノイド系列の金属元素を示し、好ましいものとし
ては４族の金属元素、具体的にはチタニウム，ジルコニ
ウム，ハフニウムを挙げることができる。これらの中
で、特にチタニウムが好適である。Ｚは周期律表１５族
の元素を示し、具体的にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ及びＢｉ
が挙げられるが、これらの中で、特にＮが好適である。
として用いられる遷移金属化合物は、一分子中に、一般
式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） で表される結合を少なくとも一つ有するものである。上
記一般式（Ｉ）において、Ｍ1 は周期律表３〜６族又は
ランタノイド系列の金属元素を示し、好ましいものとし
ては４族の金属元素、具体的にはチタニウム，ジルコニ
ウム，ハフニウムを挙げることができる。これらの中
で、特にチタニウムが好適である。Ｚは周期律表１５族
の元素を示し、具体的にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ及びＢｉ
が挙げられるが、これらの中で、特にＮが好適である。
【００１１】この遷移金属化合物としては、一分子中に
シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基
及び置換フルオレニル基の中から選ばれた少なくとも一
種を一つ以上有するものが好適である。該遷移金属化合
物の具体例としては、（シクロペンタジエニル）（ジメ
チルアミド）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジ
エニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチル，（シ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチ
ルアミド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペン
タジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルアミ
ド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペンタジエ
ニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミ
ド）チタニウムジメチル，（メチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，（テ
トラメチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミド）
チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド，
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジ
クロリド，（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジ
メチルアミド）チタニウムジメチル，（テトラメチルシ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニ
ウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジフェニルアミド）チタニウムジクロリド，（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）（メチルフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチ
ル，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジメチル
アミド）チタニウムジトメキシド，（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニウム
クロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビ
スジメチルアミド）チタニウムメチル，（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニ
ウムメトキシド，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（１，
２，３−トリメチルインデニル）（ジメチルアミド）チ
タニウムジメチル，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，
（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロ
リド，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウム
ジメチル，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジクロリド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジメチル，（１，２−ジメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（ジメチルアミド）トリクロロチタ
ニウム，（ジエチルアミド）トリクロロチタニウム，
（ジメチルアミド）（ジメチル）クロロチタニウム，
（ビスシクロペンタジエニル）（ビストリメチルホスフ
ァイド）チタニウム，（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（トリメチルホスファイド）チタニウムジクロリ
ドなど、及びこれらの化合物におけるチタニウムをジル
コニウム又はハフニウムに置換したものを挙げることが
できる。もちろん、これらに限定されるものではない。
また、他の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化
合物であってもよい。この（Ａ）成分の遷移金属化合物
は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いても
よい。
シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基
及び置換フルオレニル基の中から選ばれた少なくとも一
種を一つ以上有するものが好適である。該遷移金属化合
物の具体例としては、（シクロペンタジエニル）（ジメ
チルアミド）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジ
エニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチル，（シ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチ
ルアミド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペン
タジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルアミ
ド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペンタジエ
ニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミ
ド）チタニウムジメチル，（メチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，（テ
トラメチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミド）
チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド，
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジ
クロリド，（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジ
メチルアミド）チタニウムジメチル，（テトラメチルシ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニ
ウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジフェニルアミド）チタニウムジクロリド，（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）（メチルフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチ
ル，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジメチル
アミド）チタニウムジトメキシド，（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニウム
クロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビ
スジメチルアミド）チタニウムメチル，（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニ
ウムメトキシド，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（１，
２，３−トリメチルインデニル）（ジメチルアミド）チ
タニウムジメチル，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，
（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロ
リド，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウム
ジメチル，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジクロリド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジメチル，（１，２−ジメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（ジメチルアミド）トリクロロチタ
ニウム，（ジエチルアミド）トリクロロチタニウム，
（ジメチルアミド）（ジメチル）クロロチタニウム，
（ビスシクロペンタジエニル）（ビストリメチルホスフ
ァイド）チタニウム，（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（トリメチルホスファイド）チタニウムジクロリ
ドなど、及びこれらの化合物におけるチタニウムをジル
コニウム又はハフニウムに置換したものを挙げることが
できる。もちろん、これらに限定されるものではない。
また、他の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化
合物であってもよい。この（Ａ）成分の遷移金属化合物
は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いても
よい。
【００１２】本発明の重合用触媒においては、（Ｂ）成
分として、（イ）（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）酸素
含有化合物が用いられる。上記（イ）成分、すなわち
（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体
を形成しうる化合物としては、複数の基が金属に結合し
たアニオンとカチオンとからなる配位錯化合物を挙げる
ことができる。この配位錯化合物としては様々なものが
あるが、例えば下記一般式（IV) 又は（Ｖ）で表される
化合物を好適に使用することができる。 （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（IV） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（Ｖ） 〔式（IV）又は（Ｖ）中、Ｌ2 は後述のＭ4 ，Ｒ8 Ｒ9
Ｍ5 又はＲ10 3 Ｃであり、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ2 及び
Ｍ3 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ4 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれ
る金属、Ｍ5 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金
属、Ｘ1 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ
基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキル
アリール基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有
機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ8 及びＲ9
はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタ
ジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ10は
アルキル基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜７の
整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイオン
価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／
（ｎ−ｍ）である。〕
分として、（イ）（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）酸素
含有化合物が用いられる。上記（イ）成分、すなわち
（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体
を形成しうる化合物としては、複数の基が金属に結合し
たアニオンとカチオンとからなる配位錯化合物を挙げる
ことができる。この配位錯化合物としては様々なものが
あるが、例えば下記一般式（IV) 又は（Ｖ）で表される
化合物を好適に使用することができる。 （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（IV） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（Ｖ） 〔式（IV）又は（Ｖ）中、Ｌ2 は後述のＭ4 ，Ｒ8 Ｒ9
Ｍ5 又はＲ10 3 Ｃであり、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ2 及び
Ｍ3 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ4 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれ
る金属、Ｍ5 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金
属、Ｘ1 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ
基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキル
アリール基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有
機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ8 及びＲ9
はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタ
ジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ10は
アルキル基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜７の
整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイオン
価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／
（ｎ−ｍ）である。〕
【００１３】Ｍ2 及びＭ3 の具体例としてはＢ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ4 の具体例とし
てはＡｇ，Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原子、Ｍ5 の具体
例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原子が挙げられ
る。Ｘ1 〜Ｘn の具体例としては、例えば、ジアルキル
アミノ基としてジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基な
ど、アルコキシ基としてメトキシ基，エトキシ基，ｎ−
ブトキシ基など、アリールオキシ基としてフェノキシ
基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフチルオキシ基
など、炭素数１〜２０のアルキル基としてメチル基，エ
チル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル
基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシル基など、炭素
数６〜２０のアリール基，アルキルアリール基若しくは
アリールアルキル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，
ベンジル基，ペンタフルオロフェニル基，３，５−ジ
（トリフルオロメチル）フェニル基，４−ターシャリ−
ブチルフェニル基，２，６−ジメチルフェニル基，３，
５−ジメチルフェニル基，２，４−ジメチルフェニル
基，１，２−ジメチルフェニル基など、ハロゲンとして
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基として五メチル
アンチモン基，トリメチルシリル基，トリメチルゲルミ
ル基，ジフェニルアルシン基，ジシクロヘキシルアンチ
モン基，ジフェニル硼素基などが挙げられる。Ｒ8 及び
Ｒ9 のそれぞれで表される置換シクロペンタジエニル基
の具体例としては、メチルシクロペンタジエニル基，ブ
チルシクロペンタジエニル基，ペンタメチルシクロペン
タジエニル基などが挙げられる。
Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ4 の具体例とし
てはＡｇ，Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原子、Ｍ5 の具体
例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原子が挙げられ
る。Ｘ1 〜Ｘn の具体例としては、例えば、ジアルキル
アミノ基としてジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基な
ど、アルコキシ基としてメトキシ基，エトキシ基，ｎ−
ブトキシ基など、アリールオキシ基としてフェノキシ
基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフチルオキシ基
など、炭素数１〜２０のアルキル基としてメチル基，エ
チル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル
基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシル基など、炭素
数６〜２０のアリール基，アルキルアリール基若しくは
アリールアルキル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，
ベンジル基，ペンタフルオロフェニル基，３，５−ジ
（トリフルオロメチル）フェニル基，４−ターシャリ−
ブチルフェニル基，２，６−ジメチルフェニル基，３，
５−ジメチルフェニル基，２，４−ジメチルフェニル
基，１，２−ジメチルフェニル基など、ハロゲンとして
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基として五メチル
アンチモン基，トリメチルシリル基，トリメチルゲルミ
ル基，ジフェニルアルシン基，ジシクロヘキシルアンチ
モン基，ジフェニル硼素基などが挙げられる。Ｒ8 及び
Ｒ9 のそれぞれで表される置換シクロペンタジエニル基
の具体例としては、メチルシクロペンタジエニル基，ブ
チルシクロペンタジエニル基，ペンタメチルシクロペン
タジエニル基などが挙げられる。
【００１４】本発明において、複数の基が金属に結合し
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ＢＦ 4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6
Ｆ5)6 - ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。ま
た、金属カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ 4 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ
+ ，Ｌｉ+ などが挙げられ、またその他カチオンとして
は、ピリジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアニリニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロ
アニリニウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ
−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウムなどの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウ
ム，トリ（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ
（４−メトキシフェニル）カルベニウムなどのカルベニ
ウム化合物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3
Ｈ7 ＰＨ3 + ，（ＣＨ3 ）2ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2
ＰＨ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 ＰＨ
+，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ 5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ＢＦ 4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6
Ｆ5)6 - ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。ま
た、金属カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ 4 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ
+ ，Ｌｉ+ などが挙げられ、またその他カチオンとして
は、ピリジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアニリニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロ
アニリニウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ
−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウムなどの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウ
ム，トリ（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ
（４−メトキシフェニル）カルベニウムなどのカルベニ
ウム化合物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3
Ｈ7 ＰＨ3 + ，（ＣＨ3 ）2ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2
ＰＨ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 ＰＨ
+，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ 5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
【００１５】一般式（IV）及び（Ｖ）の化合物の中で、
具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。一般
式（IV）の化合物としては、例えばテトラフェニル硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ
−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチ
ルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウ
ム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムなどが挙
げられる。一方、一般式（Ｖ）の化合物としては、例え
ばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フェロセニ
ウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカ
メチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフェ
ロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリ
チル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリ
チル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチ
モン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げられる。さ
らに、該（イ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン
性の錯体を形成しうる化合物として、例えばＢ（Ｃ6 Ｆ
5)3 ，Ｂ（Ｃ6 ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3) 3,Ｂ（Ｃ6
Ｈ3 Ｆ2)3,Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3, Ｂ（Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)3,Ｂ
Ｆ3,ＰＦ5,Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)3 なども
用いることができる。
具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。一般
式（IV）の化合物としては、例えばテトラフェニル硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ
−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチ
ルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウ
ム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムなどが挙
げられる。一方、一般式（Ｖ）の化合物としては、例え
ばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フェロセニ
ウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカ
メチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフェ
ロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリ
チル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリ
チル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチ
モン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げられる。さ
らに、該（イ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン
性の錯体を形成しうる化合物として、例えばＢ（Ｃ6 Ｆ
5)3 ，Ｂ（Ｃ6 ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3) 3,Ｂ（Ｃ6
Ｈ3 Ｆ2)3,Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3, Ｂ（Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)3,Ｂ
Ｆ3,ＰＦ5,Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)3 なども
用いることができる。
【００１６】本発明においては、上記（イ）成分の遷移
金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合
物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いて
もよい。一方、（ロ）成分の酸素含有化合物としては、
一般式（II)
金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合
物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いて
もよい。一方、（ロ）成分の酸素含有化合物としては、
一般式（II)
【００１７】
【化７】
【００１８】で表される鎖状構造を有するもの、及び／
又は一般式(III)
又は一般式(III)
【００１９】
【化８】
【００２０】で表される環状構造を有するものが用いら
れる。上記一般式（II) 及び(III) において、Ｒ1 〜Ｒ
7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的
にはメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，各種ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル
基，各種ヘプチル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ
1 〜Ｒ5 はたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ6
及びＲ7 はたがいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ1
〜Ｙ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的に
はＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これ
らの中でＢ及びＡｌが好適である。Ｙ1 〜Ｙ3 はたがい
に同一でも異なっていてもよく、Ｙ4 及びＹ5 はたがい
に同一でも異なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞ
れ０〜５０の数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）は
それぞれ１以上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜
２０の範囲が好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。
前記一般式（II) や(III) で表される酸素含有化合物と
して、有機アルミニウム化合物と水との反応生成物を好
ましく用いることができる。この有機アルミニウム化合
物と水との反応生成物は、主として一般式(VI)
れる。上記一般式（II) 及び(III) において、Ｒ1 〜Ｒ
7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的
にはメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，各種ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル
基，各種ヘプチル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ
1 〜Ｒ5 はたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ6
及びＲ7 はたがいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ1
〜Ｙ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的に
はＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これ
らの中でＢ及びＡｌが好適である。Ｙ1 〜Ｙ3 はたがい
に同一でも異なっていてもよく、Ｙ4 及びＹ5 はたがい
に同一でも異なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞ
れ０〜５０の数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）は
それぞれ１以上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜
２０の範囲が好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。
前記一般式（II) や(III) で表される酸素含有化合物と
して、有機アルミニウム化合物と水との反応生成物を好
ましく用いることができる。この有機アルミニウム化合
物と水との反応生成物は、主として一般式(VI)
【００２１】
【化９】
【００２２】で表される鎖状アルキルアルミノキサン、
又は一般式（VII)
又は一般式（VII)
【００２３】
【化１０】
【００２４】で表される環状アルキルアルミノキサンで
ある。上記一般式（VI) 及び(VII) において、Ｒ11は炭
素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチル基，
エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各種ブチ
ル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘプチル
基，各種オクチル基が挙げられる。ｅは１〜５０の数を
示し、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜５の範
囲である。水と反応させる有機アルミニウム化合物とし
ては、通常トリアルキルアルミニウム、具体的にはトリ
メチルアルミニウム，トリエチルアルミニウム，トリ−
ｎ−プロピルアルミニウム，トリイソプロピルアルミニ
ウム，トリ−ｎ−ブチルアルミニウム，トリイソブチル
アルミニウム，トリ−ｔ−ブチルアルミニウム，トリペ
ンチルアルミニウム，トリヘキシルアルミニウム，トリ
ヘプチルアルミニウムなどが好ましく用いられる。これ
らのトリアルキルアルミニウムと水との反応生成物は、
一般に前記鎖状アルキルアルミノキサンや環状アルキル
アルミノキサンを主体とし、未反応のトリアルキルアル
ミニウムや各種の縮合生成物、さらにはこれらが複雑に
会合した分子を含有しており、トリアルキルアルミニウ
ムと水との接触条件によって様々な生成物となる。この
際のトリアルキルアルミニウムと水との反応方法につい
ては特に制限はなく、公知の方法を用いることができ
る。
ある。上記一般式（VI) 及び(VII) において、Ｒ11は炭
素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチル基，
エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各種ブチ
ル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘプチル
基，各種オクチル基が挙げられる。ｅは１〜５０の数を
示し、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜５の範
囲である。水と反応させる有機アルミニウム化合物とし
ては、通常トリアルキルアルミニウム、具体的にはトリ
メチルアルミニウム，トリエチルアルミニウム，トリ−
ｎ−プロピルアルミニウム，トリイソプロピルアルミニ
ウム，トリ−ｎ−ブチルアルミニウム，トリイソブチル
アルミニウム，トリ−ｔ−ブチルアルミニウム，トリペ
ンチルアルミニウム，トリヘキシルアルミニウム，トリ
ヘプチルアルミニウムなどが好ましく用いられる。これ
らのトリアルキルアルミニウムと水との反応生成物は、
一般に前記鎖状アルキルアルミノキサンや環状アルキル
アルミノキサンを主体とし、未反応のトリアルキルアル
ミニウムや各種の縮合生成物、さらにはこれらが複雑に
会合した分子を含有しており、トリアルキルアルミニウ
ムと水との接触条件によって様々な生成物となる。この
際のトリアルキルアルミニウムと水との反応方法につい
ては特に制限はなく、公知の方法を用いることができ
る。
【００２５】上記有機アルミニウム化合物と水との反応
生成物の具体例としては、メチルアルミノキサン，エチ
ルアルミノキサン，ｎ−プロピルアルミノキサン，イソ
プロピルアルミノキサン，ｎ−ブチルアルミノキサン，
イソブチルアルミノキサン，ｔ−ブチルアルミノキサ
ン，ペンチルアルミノキサン，ヘキシルアルミノキサ
ン，ヘプチルアルミノキサンなどが挙げられる。また、
アルミニウム及びホウ素の両方を含む酸素含有化合物と
しては、例えば特開平６−１７２４３８号公報、特開平
６−１７２４３９号公報に記載されているものが知られ
ている。本発明においては、上記（ロ）成分の酸素含有
化合物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。また、（Ｂ）成分として、（イ）成分の化
合物一種以上と（ロ）成分の化合物一種以上とを組み合
わせて用いることができる。
生成物の具体例としては、メチルアルミノキサン，エチ
ルアルミノキサン，ｎ−プロピルアルミノキサン，イソ
プロピルアルミノキサン，ｎ−ブチルアルミノキサン，
イソブチルアルミノキサン，ｔ−ブチルアルミノキサ
ン，ペンチルアルミノキサン，ヘキシルアルミノキサ
ン，ヘプチルアルミノキサンなどが挙げられる。また、
アルミニウム及びホウ素の両方を含む酸素含有化合物と
しては、例えば特開平６−１７２４３８号公報、特開平
６−１７２４３９号公報に記載されているものが知られ
ている。本発明においては、上記（ロ）成分の酸素含有
化合物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。また、（Ｂ）成分として、（イ）成分の化
合物一種以上と（ロ）成分の化合物一種以上とを組み合
わせて用いることができる。
【００２６】本発明の重合用触媒においては、前記の
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と共に、必要に応じ、（Ｃ）
成分としてアルキル基含有金属化合物を用いることがで
きる。ここで、アルキル基含有金属化合物としては、例
えば一般式（VIII) Ｒ12 x Ａｌ( ＯＲ13 ) yＱ3-x-y ・・・ (VIII) （式中、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ炭素数１〜８、好まし
くは１〜４のアルキル基を示し、Ｑは水素原子又はハロ
ゲン原子を示す。また、ｘは０＜ｘ≦３、好ましくは２
又は３、最も好ましくは３であり、ｙは０≦ｙ＜３、好
ましくは０又は１である。）で表されるアルキル基含有
アルミニウム化合物、一般式（IX) Ｒ12 2 Ｍｇ ・・・（IX) （式中、Ｒ12は前記と同じである。）で表されるアルキ
ル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（Ｘ) Ｒ12 2 Ｚｎ ・・・（Ｘ) （式中、Ｒ12は前記と同じである。）で表わされるアル
キル基含有亜鉛化合物などが挙げられる。
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と共に、必要に応じ、（Ｃ）
成分としてアルキル基含有金属化合物を用いることがで
きる。ここで、アルキル基含有金属化合物としては、例
えば一般式（VIII) Ｒ12 x Ａｌ( ＯＲ13 ) yＱ3-x-y ・・・ (VIII) （式中、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ炭素数１〜８、好まし
くは１〜４のアルキル基を示し、Ｑは水素原子又はハロ
ゲン原子を示す。また、ｘは０＜ｘ≦３、好ましくは２
又は３、最も好ましくは３であり、ｙは０≦ｙ＜３、好
ましくは０又は１である。）で表されるアルキル基含有
アルミニウム化合物、一般式（IX) Ｒ12 2 Ｍｇ ・・・（IX) （式中、Ｒ12は前記と同じである。）で表されるアルキ
ル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（Ｘ) Ｒ12 2 Ｚｎ ・・・（Ｘ) （式中、Ｒ12は前記と同じである。）で表わされるアル
キル基含有亜鉛化合物などが挙げられる。
【００２７】これらのアルキル基含有金属化合物のう
ち、アルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリ
アルキルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物
が好ましい。具体的にはトリメチルアルミニウム，トリ
エチルアルミニウム，トリ−ｎ−プロピルアルミニウ
ム，トリイソプロピルアルミニウム，トリ−ｎ−ブチル
アルミニウム，トリイソブチルアルミニウム，トリ−ｔ
−ブチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウ
ム、ジメチルアルミニウムクロリド，ジエチルアルミニ
ウムクロリド，ジ−ｎ−プロピルアルミニウムクロリ
ド，ジイソプロピルアルミニウムクロリド，ジ−ｎ−ブ
チルアルミニウムクロリド，ジイソブチルアルミニウム
クロリド，ジ−ｔ−ブチルアルミニウムクロリドなどの
ジアルキルアルミニウムハライド、ジメチルアルミニウ
ムメトキシド，ジメチルアルミニウムエトキシドなどの
ジアルキルアルミニウムアルコキシド、ジメチルアルミ
ニウムヒドリド，ジエチルアルミニウムヒドリド，ジイ
ソブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルアルミ
ニウムヒドリドなどが挙げられる。さらには、ジメチル
マグネシウム，ジエチルマグネシウム，ジ−ｎ−プロピ
ルマグネシウム，ジイソプロピルマグネシウムなどのジ
アルキルマグネシウムや、ジメチル亜鉛，ジエチル亜
鉛，ジ−ｎ−プロピル亜鉛，ジイソプロピル亜鉛などの
ジアルキル亜鉛を挙げることができる。この（Ｃ）成分
のアルキル基含有金属化合物は一種用いてもよく、二種
以上を組み合わせて用いてもよい。
ち、アルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリ
アルキルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物
が好ましい。具体的にはトリメチルアルミニウム，トリ
エチルアルミニウム，トリ−ｎ−プロピルアルミニウ
ム，トリイソプロピルアルミニウム，トリ−ｎ−ブチル
アルミニウム，トリイソブチルアルミニウム，トリ−ｔ
−ブチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウ
ム、ジメチルアルミニウムクロリド，ジエチルアルミニ
ウムクロリド，ジ−ｎ−プロピルアルミニウムクロリ
ド，ジイソプロピルアルミニウムクロリド，ジ−ｎ−ブ
チルアルミニウムクロリド，ジイソブチルアルミニウム
クロリド，ジ−ｔ−ブチルアルミニウムクロリドなどの
ジアルキルアルミニウムハライド、ジメチルアルミニウ
ムメトキシド，ジメチルアルミニウムエトキシドなどの
ジアルキルアルミニウムアルコキシド、ジメチルアルミ
ニウムヒドリド，ジエチルアルミニウムヒドリド，ジイ
ソブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルアルミ
ニウムヒドリドなどが挙げられる。さらには、ジメチル
マグネシウム，ジエチルマグネシウム，ジ−ｎ−プロピ
ルマグネシウム，ジイソプロピルマグネシウムなどのジ
アルキルマグネシウムや、ジメチル亜鉛，ジエチル亜
鉛，ジ−ｎ−プロピル亜鉛，ジイソプロピル亜鉛などの
ジアルキル亜鉛を挙げることができる。この（Ｃ）成分
のアルキル基含有金属化合物は一種用いてもよく、二種
以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２８】本発明の重合用触媒の調製方法については
特に制限はなく、例えば適当な触媒希釈溶媒（トルエ
ン，エチルベンゼンなど）中において、（Ａ）成分，
（Ｂ）成分及び必要に応じて用いられる（Ｃ）成分を混
合して触媒溶液を調製してもよく、また各触媒成分
〔（Ａ）成分，（Ｂ）成分，必要に応じて用いられる
（Ｃ）成分〕を重合系に逐次添加してもよい。なお、各
触媒成分の混合順序又は添加順序については特に制限は
ない。このようにして得られた本発明の重合用触媒は、
高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低減、ポリマ
ーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低減及びポリ
マーの物性改良などを可能とし、スチレン系重合体やオ
レフィン系重合体などの製造に好適に用いられる。
特に制限はなく、例えば適当な触媒希釈溶媒（トルエ
ン，エチルベンゼンなど）中において、（Ａ）成分，
（Ｂ）成分及び必要に応じて用いられる（Ｃ）成分を混
合して触媒溶液を調製してもよく、また各触媒成分
〔（Ａ）成分，（Ｂ）成分，必要に応じて用いられる
（Ｃ）成分〕を重合系に逐次添加してもよい。なお、各
触媒成分の混合順序又は添加順序については特に制限は
ない。このようにして得られた本発明の重合用触媒は、
高い活性を有し、ポリマー中の残留金属の低減、ポリマ
ーの製造プロセスの簡略化や製造コストの低減及びポリ
マーの物性改良などを可能とし、スチレン系重合体やオ
レフィン系重合体などの製造に好適に用いられる。
【００２９】本発明は、また前記重合用触媒を用いてス
チレン系重合体を製造する方法をも提供するものであ
る。本発明の方法によると、前記重合用触媒の存在下
に、スチレン類を単独重合又はスチレン類と他のスチレ
ン類及び／又は他の重合性不飽和化合物とを共重合させ
ることにより、スチレン系単独重合体又はスチレン系共
重合体が効率よく得られる。ここで、スチレン類として
は、例えばスチレンをはじめ、ｐ−メチルスチレン；ｏ
−メチルスチレン；ｍ−メチルスチレン；２，４−ジメ
チルスチレン；２，５−ジメチルスチレン；３，４−ジ
メチルスチレン；３，５−ジメチルスチレン；ｐ−ｔ−
ブチルスチレンなどのアルキルスチレン、ｐ−クロロス
チレン；ｍ−クロロスチレン；ｏ−クロロスチレン；ｐ
−ブロモスチレン；ｍ−ブロモスチレン；ｏ−ブロモス
チレン；ｐ−フルオロスチレン；ｍ−フルオロスチレ
ン；ｏ−フルオロスチレン；ｏ−メチル−ｐ−フルオロ
スチレンなどのハロゲン化スチレン、さらには有機珪素
スチレン，ビニル安息香酸エステル，ジビニルベンゼン
などが挙げられる。
チレン系重合体を製造する方法をも提供するものであ
る。本発明の方法によると、前記重合用触媒の存在下
に、スチレン類を単独重合又はスチレン類と他のスチレ
ン類及び／又は他の重合性不飽和化合物とを共重合させ
ることにより、スチレン系単独重合体又はスチレン系共
重合体が効率よく得られる。ここで、スチレン類として
は、例えばスチレンをはじめ、ｐ−メチルスチレン；ｏ
−メチルスチレン；ｍ−メチルスチレン；２，４−ジメ
チルスチレン；２，５−ジメチルスチレン；３，４−ジ
メチルスチレン；３，５−ジメチルスチレン；ｐ−ｔ−
ブチルスチレンなどのアルキルスチレン、ｐ−クロロス
チレン；ｍ−クロロスチレン；ｏ−クロロスチレン；ｐ
−ブロモスチレン；ｍ−ブロモスチレン；ｏ−ブロモス
チレン；ｐ−フルオロスチレン；ｍ−フルオロスチレ
ン；ｏ−フルオロスチレン；ｏ−メチル−ｐ−フルオロ
スチレンなどのハロゲン化スチレン、さらには有機珪素
スチレン，ビニル安息香酸エステル，ジビニルベンゼン
などが挙げられる。
【００３０】一方、他の重合性不飽和化合物としては、
例えばエチレン；プロピレン；ブテン−１；ペンテン−
１；ヘキセン−１；ヘプテン−１；オクテン−１；ノネ
ン−１；デセン−１；４−フェニルブテン−１；６−フ
ェニルヘキセン−１；３−メチルブテン−１；４−メチ
ルペンテン−１；３−メチルペンテン−１；３−メチル
ヘキセン−１；４−メチルヘキセン−１；５−メチルヘ
キセン−１；３，３−ジメチルペンテン−１；３，４−
ジメチルペンテン−１；４，４−ジメチルペンテン−
１；ビニルシクロヘキサン；ビニルシクロヘキセンなど
のα−オレフィン、ヘキサフルオロプロペン；テトラフ
ルオロエチレン；２−フルオロプロペン；フルオロエチ
レン；１，１−ジフルオロエチレン；３−フルオロプロ
ペン；トリフルオロエチレン；３，４−ジクロロブテン
−１などのハロゲン置換α−オレフィン、シクロペンテ
ン；シクロヘキセン；ノルボルネン；５−メチルノルボ
ルネン；５−エチルノルボルネン；５−プロピルノルボ
ルネン；５，６−ジメチルノルボルネン；１−メチルノ
ルボルネン；７−メチルノルボルネン；５，５，６−ト
リメチルノルボルネン；５−フェニルノルボルネン；５
−ベンジルノルボルネンなどの環状オレフィン、ブタジ
エン；イソプレン；１，６−ヘキサジエンなどの鎖状ジ
エン化合物、ノルボルナジエン；５−エチリデンノルボ
ルネン；５−ビニルノルボルネン；ジシクロペンタジエ
ンなどの環状ジエン化合物、アセチレン；メチルアセチ
レン；フェニルアセチレン；トリメチルシリルアセチレ
ンなどのアチレン類などが挙げられる。
例えばエチレン；プロピレン；ブテン−１；ペンテン−
１；ヘキセン−１；ヘプテン−１；オクテン−１；ノネ
ン−１；デセン−１；４−フェニルブテン−１；６−フ
ェニルヘキセン−１；３−メチルブテン−１；４−メチ
ルペンテン−１；３−メチルペンテン−１；３−メチル
ヘキセン−１；４−メチルヘキセン−１；５−メチルヘ
キセン−１；３，３−ジメチルペンテン−１；３，４−
ジメチルペンテン−１；４，４−ジメチルペンテン−
１；ビニルシクロヘキサン；ビニルシクロヘキセンなど
のα−オレフィン、ヘキサフルオロプロペン；テトラフ
ルオロエチレン；２−フルオロプロペン；フルオロエチ
レン；１，１−ジフルオロエチレン；３−フルオロプロ
ペン；トリフルオロエチレン；３，４−ジクロロブテン
−１などのハロゲン置換α−オレフィン、シクロペンテ
ン；シクロヘキセン；ノルボルネン；５−メチルノルボ
ルネン；５−エチルノルボルネン；５−プロピルノルボ
ルネン；５，６−ジメチルノルボルネン；１−メチルノ
ルボルネン；７−メチルノルボルネン；５，５，６−ト
リメチルノルボルネン；５−フェニルノルボルネン；５
−ベンジルノルボルネンなどの環状オレフィン、ブタジ
エン；イソプレン；１，６−ヘキサジエンなどの鎖状ジ
エン化合物、ノルボルナジエン；５−エチリデンノルボ
ルネン；５−ビニルノルボルネン；ジシクロペンタジエ
ンなどの環状ジエン化合物、アセチレン；メチルアセチ
レン；フェニルアセチレン；トリメチルシリルアセチレ
ンなどのアチレン類などが挙げられる。
【００３１】本発明においては、上記スチレン類一種を
単独重合させてもよく、二種以上を共重合させてもよ
い。また、該スチレン類の中から選ばれた少なくとも一
種と上記重合性不飽和化合物の中から選ばれた少なくと
も一種とを共重合させてもよい。また、特に高い触媒活
性を所望する場合には、使用するモノマー中のアセチレ
ン系化合物及びインデン系化合物の含有量を、それぞれ
５０ｐｐｍ以下にするのが望ましい（もちろん、これ
は、他の重合性不飽和化合物としてアセチレン類を使用
しない場合に適用される。） 本発明における重合方法については特に制限はなく、塊
状重合でもよく、また、ペンタン，ヘキサン，ヘプタン
などの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭
化水素、あるいはベンゼン，トルエン，キシレン，エチ
ルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒中で行ってもよ
い。重合温度は一般に０〜２００℃、好ましくは２０〜
１００℃であり、また、気体状モノマーを使用する際の
気体状モノマーの分圧は、一般には３００気圧以下、好
ましくは３０気圧以下である。
単独重合させてもよく、二種以上を共重合させてもよ
い。また、該スチレン類の中から選ばれた少なくとも一
種と上記重合性不飽和化合物の中から選ばれた少なくと
も一種とを共重合させてもよい。また、特に高い触媒活
性を所望する場合には、使用するモノマー中のアセチレ
ン系化合物及びインデン系化合物の含有量を、それぞれ
５０ｐｐｍ以下にするのが望ましい（もちろん、これ
は、他の重合性不飽和化合物としてアセチレン類を使用
しない場合に適用される。） 本発明における重合方法については特に制限はなく、塊
状重合でもよく、また、ペンタン，ヘキサン，ヘプタン
などの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭
化水素、あるいはベンゼン，トルエン，キシレン，エチ
ルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒中で行ってもよ
い。重合温度は一般に０〜２００℃、好ましくは２０〜
１００℃であり、また、気体状モノマーを使用する際の
気体状モノマーの分圧は、一般には３００気圧以下、好
ましくは３０気圧以下である。
【００３２】このようにして得られたスチレン系（共）
重合体は、スチレン類重合連鎖部を含む場合、該連鎖部
は通常高度のシンジオタクチック構造を有している。こ
こでスチレン系（共）重合体におけるスチレン類重合連
鎖部が高度なシンジオタクチック構造とは、立体化学構
造が高度なシンジオタクチック構造、すなわち炭素−炭
素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル
基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構
造を有することを意味し、そのタクティシティーは同位
体炭素による核磁気共鳴法（13Ｃ−ＮＭＲ法）により定
量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタクティシ
ティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合、例え
ば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、
５個の場合はペンタッドによって示すことができるが、
本発明にいう「高度なシンジオタクチック構造を有する
スチレン系（共）重合体」とは、通常ラセミダイアッド
で７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミ
ペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシン
ジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（置
換スチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）及びこ
れらの混合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体
を意味する。なお、ここでポリ（置換スチレン）とは、
ポリ（メチルスチレン），ポリ（エチルスチレン），ポ
リ（イソプロピルスチレン），ポリ（フェニルスチレ
ン），ポリ（ビニルスチレン）などのポリ（炭化水素基
置換スチレン）、ポリ（クロロスチレン），ポリ（ブロ
モスチレン），ポリ（フルオロスチレン）などのポリ
（ハロゲン化スチレン）、ポリ（メトキシスチレン），
ポリ（エトキシスチレン）などのポリ（アルコキシスチ
レン）などがある。
重合体は、スチレン類重合連鎖部を含む場合、該連鎖部
は通常高度のシンジオタクチック構造を有している。こ
こでスチレン系（共）重合体におけるスチレン類重合連
鎖部が高度なシンジオタクチック構造とは、立体化学構
造が高度なシンジオタクチック構造、すなわち炭素−炭
素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル
基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構
造を有することを意味し、そのタクティシティーは同位
体炭素による核磁気共鳴法（13Ｃ−ＮＭＲ法）により定
量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタクティシ
ティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合、例え
ば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、
５個の場合はペンタッドによって示すことができるが、
本発明にいう「高度なシンジオタクチック構造を有する
スチレン系（共）重合体」とは、通常ラセミダイアッド
で７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミ
ペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシン
ジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（置
換スチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）及びこ
れらの混合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体
を意味する。なお、ここでポリ（置換スチレン）とは、
ポリ（メチルスチレン），ポリ（エチルスチレン），ポ
リ（イソプロピルスチレン），ポリ（フェニルスチレ
ン），ポリ（ビニルスチレン）などのポリ（炭化水素基
置換スチレン）、ポリ（クロロスチレン），ポリ（ブロ
モスチレン），ポリ（フルオロスチレン）などのポリ
（ハロゲン化スチレン）、ポリ（メトキシスチレン），
ポリ（エトキシスチレン）などのポリ（アルコキシスチ
レン）などがある。
【００３３】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。 製造例１ （ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミ
ド）チタニウムジクロリドの製造 充分に窒素置換した反応器にジエチルエーテル１５０ミ
リリットルを仕込んだのち、ペンタメチルシクロペンタ
ジエン0.３４ミリリットル及びｎ−ブチルリチウム1.６
モル／リットル（Ｍ）のヘキサン溶液1.３８ミリリット
ルを添加した。この反応液とＴｉＣｌ3 〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5)
2 〕溶液を低温下に混合し、室温にて攪拌した。次い
で、沈殿物をろ別し、ろ液より（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド（Ｃｐ* ＴｉＣｌ2 〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ 5)2 〕）0.４５ｇを
得た。このものについて、プロトン核磁気共鳴分光分析
を行ったところ、次の結果が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，Ｃ6 Ｄ6 ）（ｐｐｍ）：
0.８８（ｔ，６Ｈ），1.９（ｓ，１５Ｈ），3.９（ｑ，
４Ｈ）
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。 製造例１ （ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミ
ド）チタニウムジクロリドの製造 充分に窒素置換した反応器にジエチルエーテル１５０ミ
リリットルを仕込んだのち、ペンタメチルシクロペンタ
ジエン0.３４ミリリットル及びｎ−ブチルリチウム1.６
モル／リットル（Ｍ）のヘキサン溶液1.３８ミリリット
ルを添加した。この反応液とＴｉＣｌ3 〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5)
2 〕溶液を低温下に混合し、室温にて攪拌した。次い
で、沈殿物をろ別し、ろ液より（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド（Ｃｐ* ＴｉＣｌ2 〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ 5)2 〕）0.４５ｇを
得た。このものについて、プロトン核磁気共鳴分光分析
を行ったところ、次の結果が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，Ｃ6 Ｄ6 ）（ｐｐｍ）：
0.８８（ｔ，６Ｈ），1.９（ｓ，１５Ｈ），3.９（ｑ，
４Ｈ）
【００３４】製造例２ （ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビストリメチ
ルシリルアミド）チタニウムジクロリドの製造 充分に窒素置換した反応器にジエチルエーテル２００ミ
リリットルを仕込んだのち、（ペンタメチルシクロペン
タジエニル）チタニウムトリクロリド（Ｃｐ*ＴｉＣｌ
3 ）４ｇとリチウムビス（トリメチルシリル）アミド1.
０Ｍのヘキサン溶液１4.５ミリリットルを添加した。終
夜攪拌したのち、反応液をろ過し、ろ液より（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ビストリメチルシリルア
ミド）チタニウムジクロリド〔Ｃｐ* ＴｉＣｌ2 （Ｎ
〔Ｓｉ（ＣＨ3)3 〕2 ）〕3.８３ｇを得た。このものに
ついて、プロトン核磁気共鳴分光分析を行ったところ、
次の結果が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，Ｃ6 Ｄ6 ）（ｐｐｍ）：
0.４３（ｓ，１８Ｈ），2.００（ｓ，１５Ｈ）
ルシリルアミド）チタニウムジクロリドの製造 充分に窒素置換した反応器にジエチルエーテル２００ミ
リリットルを仕込んだのち、（ペンタメチルシクロペン
タジエニル）チタニウムトリクロリド（Ｃｐ*ＴｉＣｌ
3 ）４ｇとリチウムビス（トリメチルシリル）アミド1.
０Ｍのヘキサン溶液１4.５ミリリットルを添加した。終
夜攪拌したのち、反応液をろ過し、ろ液より（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ビストリメチルシリルア
ミド）チタニウムジクロリド〔Ｃｐ* ＴｉＣｌ2 （Ｎ
〔Ｓｉ（ＣＨ3)3 〕2 ）〕3.８３ｇを得た。このものに
ついて、プロトン核磁気共鳴分光分析を行ったところ、
次の結果が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，Ｃ6 Ｄ6 ）（ｐｐｍ）：
0.４３（ｓ，１８Ｈ），2.００（ｓ，１５Ｈ）
【００３５】実施例１ 乾燥し、窒素置換した５０ミリリットルの容器に、ジメ
チルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート６４ｍｇ，トリイソブチルアルミニウム２
Ｍのトルエン溶液0.８ミリリットル，製造例１で得られ
た（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジエチルア
ミド）チタニウムジクロリド0.００９７Ｍのトルエン溶
液8.２ミリリットル及びトルエン３１ミリリットルを仕
込み、混合して予備混合触媒溶液４０ミリリットルを調
製した。次に、乾燥し、窒素置換した容器にスチレン１
０ミリリットル及び上記予備混合触媒溶液0.２５ミリリ
ットルを仕込み、７０℃にて４時間重合を行った。メタ
ノールを加えて反応を終了させたのち、得られた生成物
を乾燥し、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）
3.２９ｇを得た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は
８４4,０００であった。
チルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート６４ｍｇ，トリイソブチルアルミニウム２
Ｍのトルエン溶液0.８ミリリットル，製造例１で得られ
た（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジエチルア
ミド）チタニウムジクロリド0.００９７Ｍのトルエン溶
液8.２ミリリットル及びトルエン３１ミリリットルを仕
込み、混合して予備混合触媒溶液４０ミリリットルを調
製した。次に、乾燥し、窒素置換した容器にスチレン１
０ミリリットル及び上記予備混合触媒溶液0.２５ミリリ
ットルを仕込み、７０℃にて４時間重合を行った。メタ
ノールを加えて反応を終了させたのち、得られた生成物
を乾燥し、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）
3.２９ｇを得た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は
８４4,０００であった。
【００３６】実施例２ 乾燥し、窒素置換した５０ミリリットルの容器にトルエ
ン0.９ミリリットル，トリイソブチルアルミニウム２Ｍ
のトルエン溶液１1.９ミリリットル，メチルアルミノキ
サン1.６Ｍのトルエン溶液１4.９ミリリットル及び製造
例１で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド0.００９７Ｍ
のトルエン溶液１2.３ミリリットルを仕込み、混合して
予備混合触媒溶液４０ミリリットルを調製した。次に、
乾燥し、窒素置換した容器にスチレン１０ミリリットル
及び上記予備混合触媒溶液0.０８３ミリリットルを仕込
み、７０℃にて４時間重合を行った。メタノールを加え
て反応を終了させたのち、得られた生成物を乾燥してシ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）4.４９ｇを得
た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は７８3,０００
であった。
ン0.９ミリリットル，トリイソブチルアルミニウム２Ｍ
のトルエン溶液１1.９ミリリットル，メチルアルミノキ
サン1.６Ｍのトルエン溶液１4.９ミリリットル及び製造
例１で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド0.００９７Ｍ
のトルエン溶液１2.３ミリリットルを仕込み、混合して
予備混合触媒溶液４０ミリリットルを調製した。次に、
乾燥し、窒素置換した容器にスチレン１０ミリリットル
及び上記予備混合触媒溶液0.０８３ミリリットルを仕込
み、７０℃にて４時間重合を行った。メタノールを加え
て反応を終了させたのち、得られた生成物を乾燥してシ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）4.４９ｇを得
た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は７８3,０００
であった。
【００３７】比較例１ 実施例１において、（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリドの代わり
に製造例２で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジク
ロリドを用いた以外は、実施例１と同様に実施して、シ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）1.５１ｇを得
た。このものの重量平均分子量は６０3,０００であっ
た。
ル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリドの代わり
に製造例２で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジク
ロリドを用いた以外は、実施例１と同様に実施して、シ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）1.５１ｇを得
た。このものの重量平均分子量は６０3,０００であっ
た。
【００３８】比較例２ 実施例２において、（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリドの代わり
に製造例２で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジク
ロリドを用いた以外は、実施例２と同様に実施して、シ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）1.７２ｇを得
た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は８９9,０００
であった。
ル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリドの代わり
に製造例２で得られた（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジク
ロリドを用いた以外は、実施例２と同様に実施して、シ
ンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）1.７２ｇを得
た。このものの重量平均分子量（Ｍｗ）は８９9,０００
であった。
【００３９】
【発明の効果】本発明の重合用触媒は高い活性を有し、
ポリマー中の残留金属の低減，ポリマーの製造プロセス
の簡略化や製造コストの低減及びポリマーの物性改良を
可能とし、スチレン系重合体やオレフィン系重合体の製
造において好適に用いられる。また、この重合用触媒を
用いて、スチレン類を単独重合又は共重合させることに
より、高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体が効率よく得られる。
ポリマー中の残留金属の低減，ポリマーの製造プロセス
の簡略化や製造コストの低減及びポリマーの物性改良を
可能とし、スチレン系重合体やオレフィン系重合体の製
造において好適に用いられる。また、この重合用触媒を
用いて、スチレン類を単独重合又は共重合させることに
より、高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体が効率よく得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１２月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III)
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III)
【化２】 （式中、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキ
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物を含有すること
を特徴とする重合用触媒。
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物を含有すること
を特徴とする重合用触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【化３】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III)
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III)
【化４】 （式中、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキ
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物、及び（Ｃ）ア
ルキル基含有金属化合物を含有することを特徴とする重
合用触媒。
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物、及び（Ｃ）ア
ルキル基含有金属化合物を含有することを特徴とする重
合用触媒。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】すなわち、本発明は、（Ａ）一分子中に、
一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素、Ｃは炭素原子
を示す。）で表される結合を少なくとも一つ含む遷移金
属化合物、（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合
物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は
（ロ）一般式（II）
一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素、Ｃは炭素原子
を示す。）で表される結合を少なくとも一つ含む遷移金
属化合物、（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合
物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は
（ロ）一般式（II）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本発明の重合用触媒において、（Ａ）成分
として用いられる遷移金属化合物は、一分子中に、一般
式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） で表される結合を少なくとも一つ有するものである。上
記一般式（Ｉ）において、Ｍ1 は周期律表３〜６族又は
ランタノイド系列の金属元素を示し、好ましいものとし
ては４族の金属元素、具体的にはチタニウム，ジルコニ
ウム，ハフニウムを挙げることができる。これらの中
で、特にチタニウムが好適である。Ｚは周期律表１５族
の元素を示し、具体的にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ及びＢｉ
が挙げられるが、これらの中で、特にＮが好適である。
式（Ｉ）中、Ｃは炭素原子を示す。
として用いられる遷移金属化合物は、一分子中に、一般
式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） で表される結合を少なくとも一つ有するものである。上
記一般式（Ｉ）において、Ｍ1 は周期律表３〜６族又は
ランタノイド系列の金属元素を示し、好ましいものとし
ては４族の金属元素、具体的にはチタニウム，ジルコニ
ウム，ハフニウムを挙げることができる。これらの中
で、特にチタニウムが好適である。Ｚは周期律表１５族
の元素を示し、具体的にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ及びＢｉ
が挙げられるが、これらの中で、特にＮが好適である。
式（Ｉ）中、Ｃは炭素原子を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】この遷移金属化合物としては、一分子中に
シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基
及び置換フルオレニル基の中から選ばれた少なくとも一
種を一つ以上有するものが好適である。該遷移金属化合
物の具体例としては、（シクロペンタジエニル）（ジメ
チルアミド）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジ
エニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチル，（シ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチ
ルアミド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペン
タジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルアミ
ド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペンタジエ
ニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミ
ド）チタニウムジメチル，（メチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，（テ
トラメチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミド）
チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド，
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジ
クロリド，（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジ
メチルアミド）チタニウムジメチル，（テトラメチルシ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニ
ウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジフェニルアミド）チタニウムジクロリド，（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）（メチルフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチ
ル，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジメチル
アミド）チタニウムジトメキシド，（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニウム
クロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビ
スジメチルアミド）チタニウムメチル，（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニ
ウムメトキシド，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（１，
２，３−トリメチルインデニル）（ジメチルアミド）チ
タニウムジメチル，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，
（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロ
リド，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウム
ジメチル，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジクロリド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジメチル，（１，２−ジメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（ジメチルアミド）トリクロロチタ
ニウム，（ジエチルアミド）トリクロロチタニウム，
（ジメチルアミド）（ジメチル）クロロチタニウム，
（ビスシクロペンタジエニル）（ビスジメチルホスフィ
ド）チタニウム，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルホスフィド）チタニウムジクロリドな
ど、及びこれらの化合物におけるチタニウムをジルコニ
ウム又はハフニウムに置換したものを挙げることができ
る。もちろん、これらに限定されるものではない。ま
た、他の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化合
物であってもよい。この（Ａ）成分の遷移金属化合物は
一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基
及び置換フルオレニル基の中から選ばれた少なくとも一
種を一つ以上有するものが好適である。該遷移金属化合
物の具体例としては、（シクロペンタジエニル）（ジメ
チルアミド）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジ
エニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチル，（シ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチ
ルアミド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペン
タジエニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルアミ
ド）チタニウムジクロリド，（メチルシクロペンタジエ
ニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジクロリ
ド，（メチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミ
ド）チタニウムジメチル，（メチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，（テ
トラメチルシクロペンタジエニル）（ジメチルアミド）
チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド，
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル）（メチルフェニルアミド）チタニウムジ
クロリド，（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ジ
メチルアミド）チタニウムジメチル，（テトラメチルシ
クロペンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジ
メトキシド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）（ジエチルアミド）チタニ
ウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジフェニルアミド）チタニウムジクロリド，（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）（メチルフェニルア
ミド）チタニウムジクロリド，（ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）（ジメチルアミド）チタニウムジメチ
ル，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ジメチル
アミド）チタニウムジトメキシド，（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニウム
クロリド，（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビ
スジメチルアミド）チタニウムメチル，（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルアミド）チタニ
ウムメトキシド，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド，（１，
２，３−トリメチルインデニル）（ジメチルアミド）チ
タニウムジメチル，（１，２，３−トリメチルインデニ
ル）（ジメチルアミド）チタニウムジメトキシド，
（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウムジクロ
リド，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニウム
ジメチル，（１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジクロリド，（１，２−ジメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタ
ニウムジメチル，（１，２−ジメチル−４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）（ジメチルアミド）チタニ
ウムジメトキシド，（ジメチルアミド）トリクロロチタ
ニウム，（ジエチルアミド）トリクロロチタニウム，
（ジメチルアミド）（ジメチル）クロロチタニウム，
（ビスシクロペンタジエニル）（ビスジメチルホスフィ
ド）チタニウム，（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（ジメチルホスフィド）チタニウムジクロリドな
ど、及びこれらの化合物におけるチタニウムをジルコニ
ウム又はハフニウムに置換したものを挙げることができ
る。もちろん、これらに限定されるものではない。ま
た、他の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化合
物であってもよい。この（Ａ）成分の遷移金属化合物は
一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】本発明において、複数の基が金属に結合し
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ5)4 - ，ＢＦ4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ
6 Ｆ5)6 - ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。
また、金属カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ
Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ4 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ
+ ，Ｌｉ+ などが挙げられ、またその他カチオンとして
は、ピリジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアニリニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロ
アニリニウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ
−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウムなどの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウ
ム，トリ（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ
（４−メトキシフェニル）カルベニウムなどのカルベニ
ウム化合物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3
Ｈ7 ＰＨ3 + ，（ＣＨ3 ） 2 ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2
ＰＨ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3ＰＨ
+，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6Ｈ5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ5)4 - ，ＢＦ4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ
6 Ｆ5)6 - ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。
また、金属カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ
Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ4 Ｃ
ｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ
+ ，Ｌｉ+ などが挙げられ、またその他カチオンとして
は、ピリジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアニリニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロ
アニリニウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ
−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウムなどの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウ
ム，トリ（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ
（４−メトキシフェニル）カルベニウムなどのカルベニ
ウム化合物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3
Ｈ7 ＰＨ3 + ，（ＣＨ3 ） 2 ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2
ＰＨ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3ＰＨ
+，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6Ｈ5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
Claims (8)
- 【請求項１】 （Ａ）一分子中に、一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素を示す。）で表
される結合を少なくとも一つ含む遷移金属化合物、及び
（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）一般
式（II） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III) 【化２】 （式中、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキ
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物を含有すること
を特徴とする重合用触媒。 - 【請求項２】 （Ａ）一分子中に、一般式（Ｉ） Ｍ1 −Ｚ−Ｃ ・・・（Ｉ） （式中、Ｍ1 は周期律表３〜６族又はランタノイド系列
の金属元素、Ｚは周期律表１５族の元素を示す。）で表
される結合を少なくとも一つ含む遷移金属化合物、
（Ｂ）（イ）上記（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、又は（ロ）一般
式（II） 【化３】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキル
基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｙ1 〜Ｙ3 はそれぞれ周期律表１３族元素を示し、
それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ａ及び
ｂはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ａ＋ｂは１以上で
ある。）及び／又は一般式（III) 【化４】 （式中、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ炭素数１〜８のアルキ
ル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よく、Ｙ4 及びＹ5 はそれぞれ周期律表１３族元素を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、ｃ
及びｄはそれぞれ０〜５０の数を示すが、ｃ＋ｄは１以
上である。）で表される酸素含有化合物、及び（Ｃ）ア
ルキル基含有金属化合物を含有することを特徴とする重
合用触媒。 - 【請求項３】 （Ａ）成分の遷移金属化合物において、
一般式（Ｉ）のＺが窒素原子である請求項１又は２記載
の重合用触媒。 - 【請求項４】 （Ａ）成分の遷移金属化合物が、一分子
中にシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニ
ル基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル
基及び置換フルオレニル基の中から選ばれた少なくとも
一種を一つ以上有するものである請求項１，２又は３記
載の重合用触媒。 - 【請求項５】 （Ｂ）（ロ）成分の酸素含有化合物が有
機アルミニウム化合物と水との反応生成物である請求項
１又は２記載の重合用触媒。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の重
合用触媒を用いることを特徴とするスチレン系重合体の
製造方法。 - 【請求項７】 スチレン系重合体が、スチレン類の単独
重合体又はスチレン類と他のスチレン類及び／又は他の
重合性不飽和化合物との共重合体である請求項６記載の
スチレン系重合体の製造方法。 - 【請求項８】 スチレン系重合体が、そのスチレン類重
合連鎖部が高度のシンジオタクチック構造を有するもの
である請求項６又は７記載のスチレン系重合体の製造方
法。
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