JPH08136482A - 不純物分布導出装置 - Google Patents
不純物分布導出装置Info
- Publication number
- JPH08136482A JPH08136482A JP30293794A JP30293794A JPH08136482A JP H08136482 A JPH08136482 A JP H08136482A JP 30293794 A JP30293794 A JP 30293794A JP 30293794 A JP30293794 A JP 30293794A JP H08136482 A JPH08136482 A JP H08136482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- impurity
- condition
- impurity distribution
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い精度で、かつ短時間に半導体に含まれる
不純物分布を得ることができる不純物分布導出装置を提
供すること。 【構成】 不純物分布導出装置１は、情報入力装置３、
記憶装置７、データ抽出手段５１、スムージング手段５
２、データ補完手段５３、情報出力手段５４、出力装置
９からなる。データ抽出手段５１には情報入力装置３か
らプロセス条件が与えられる。データ抽出手段５１は入
力条件を基に記憶装置７内のデータベースを検索して不
純物データを抽出する。データ抽出手段５１の出力信号
はスムージング手段５２に与えられる。スムージング手
段５２は不純物データにスムージングをかける。スムー
ジングされたデータはデータ補完手段５３に与えられ
る。データ補完手段５３は各データ間のデータ補完を
し、所望のプロセス条件における不純物分布を得てい
る。これを情報出力手段５４により出力装置９に与え
る。
不純物分布を得ることができる不純物分布導出装置を提
供すること。 【構成】 不純物分布導出装置１は、情報入力装置３、
記憶装置７、データ抽出手段５１、スムージング手段５
２、データ補完手段５３、情報出力手段５４、出力装置
９からなる。データ抽出手段５１には情報入力装置３か
らプロセス条件が与えられる。データ抽出手段５１は入
力条件を基に記憶装置７内のデータベースを検索して不
純物データを抽出する。データ抽出手段５１の出力信号
はスムージング手段５２に与えられる。スムージング手
段５２は不純物データにスムージングをかける。スムー
ジングされたデータはデータ補完手段５３に与えられ
る。データ補完手段５３は各データ間のデータ補完を
し、所望のプロセス条件における不純物分布を得てい
る。これを情報出力手段５４により出力装置９に与え
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体中に含まれてい
る不純物分布を導出する不純物分布導出装置に関する。
る不純物分布を導出する不純物分布導出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の不純物分布導出装置は、
半導体中に含まれている不純物分布を導出する装置とし
て知られており、例えばプロセスシミュレーションが提
供されている。このプロセスシミュレーション（例えば
SUPREM−３等）は、注入、酸化、及び拡散等の現象を物
理モデル化し、半導体製造時のプロセス条件を与えて、
前記物理モデルで数値的に計算することにより、半導体
に含まれている不純物分布を得るようにしたものであ
る。このようなプロセスシミュレーションであるので、
プロセス条件を種々変更しても、そのプロセス条件に応
じて、当該半導体に含まれている不純物分布を導出する
ことができる。
半導体中に含まれている不純物分布を導出する装置とし
て知られており、例えばプロセスシミュレーションが提
供されている。このプロセスシミュレーション（例えば
SUPREM−３等）は、注入、酸化、及び拡散等の現象を物
理モデル化し、半導体製造時のプロセス条件を与えて、
前記物理モデルで数値的に計算することにより、半導体
に含まれている不純物分布を得るようにしたものであ
る。このようなプロセスシミュレーションであるので、
プロセス条件を種々変更しても、そのプロセス条件に応
じて、当該半導体に含まれている不純物分布を導出する
ことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たプロセスシミュレーションにあっては、前記物理モデ
ルを使用し半導体に含まれる不純物分布を数値的に計算
しているが、物理モデルが解明されていないものも含め
て各種条件等や計算式が複雑に絡み合っており、二次イ
オン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectro
scopy ）等により実測した不純物分布と合わない場合が
多いという欠点があった。本発明は、上述した従来技術
の欠点を解消し、高い精度で、かつ短時間に半導体に含
まれる不純物分布を得ることができる不純物分布導出装
置を提供することを目的としている。
たプロセスシミュレーションにあっては、前記物理モデ
ルを使用し半導体に含まれる不純物分布を数値的に計算
しているが、物理モデルが解明されていないものも含め
て各種条件等や計算式が複雑に絡み合っており、二次イ
オン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectro
scopy ）等により実測した不純物分布と合わない場合が
多いという欠点があった。本発明は、上述した従来技術
の欠点を解消し、高い精度で、かつ短時間に半導体に含
まれる不純物分布を得ることができる不純物分布導出装
置を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る不純物分布導出装置は、半導体を製造するときのプロ
セス条件から半導体中に含まれる不純物の分布を求める
不純物分布導出装置において、プロセス条件を入力する
情報入力手段と、各種プロセス条件に応じて半導体中に
含まれる不純物の実測データをデータベース化して記憶
する記憶手段と、前記情報入力手段から与えられたプロ
セス条件を基に前記記憶手段のデータベースを検索し、
その条件に基づく不純物分布のデータを抽出するデータ
抽出手段と、を備えて前記目的を達成する。
る不純物分布導出装置は、半導体を製造するときのプロ
セス条件から半導体中に含まれる不純物の分布を求める
不純物分布導出装置において、プロセス条件を入力する
情報入力手段と、各種プロセス条件に応じて半導体中に
含まれる不純物の実測データをデータベース化して記憶
する記憶手段と、前記情報入力手段から与えられたプロ
セス条件を基に前記記憶手段のデータベースを検索し、
その条件に基づく不純物分布のデータを抽出するデータ
抽出手段と、を備えて前記目的を達成する。
【０００５】請求項２記載の発明に係る不純物分布導出
装置は、半導体を製造するときのプロセス条件から半導
体中に含まれる不純物の分布を求める不純物分布導出装
置において、プロセス条件を入力する情報入力手段と、
各種プロセス条件に応じて半導体中に含まれる不純物の
実測データをデータベース化して記憶する記憶手段と、
前記情報入力手段から与えられたプロセス条件を基に前
記記憶手段のデータベースを検索し、その条件に基づく
不純物分布のデータを抽出するデータ抽出手段と、前記
抽出したデータにスムージングをかけるスムージング手
段と、前記スムージングしたデータから所望のプロセス
条件に合う不純物分布を導出するデータ補完手段と、前
記データ補完手段からの不純物分布を出力する情報出力
手段と、を備えて前記目的を達成する。
装置は、半導体を製造するときのプロセス条件から半導
体中に含まれる不純物の分布を求める不純物分布導出装
置において、プロセス条件を入力する情報入力手段と、
各種プロセス条件に応じて半導体中に含まれる不純物の
実測データをデータベース化して記憶する記憶手段と、
前記情報入力手段から与えられたプロセス条件を基に前
記記憶手段のデータベースを検索し、その条件に基づく
不純物分布のデータを抽出するデータ抽出手段と、前記
抽出したデータにスムージングをかけるスムージング手
段と、前記スムージングしたデータから所望のプロセス
条件に合う不純物分布を導出するデータ補完手段と、前
記データ補完手段からの不純物分布を出力する情報出力
手段と、を備えて前記目的を達成する。
【０００６】請求項３記載のデータ補完手段は、プロセ
ス条件に近いデータがデータベースにない場合、プロセ
スシミュレーションして当該データを導出するようにし
て前記目的を達成する。請求項４記載のデータ抽出手段
は、情報入力手段から与えられたプロセス条件がないと
きに、その条件の近くの条件における不純物データを得
るようにして前記目的を達成する。請求項５記載のデー
タ補完手段は、複数のプロセス条件で得た不純物データ
に対して、各不純物分布への依存性を関係式にして補完
するようにして前記目的を達成する。
ス条件に近いデータがデータベースにない場合、プロセ
スシミュレーションして当該データを導出するようにし
て前記目的を達成する。請求項４記載のデータ抽出手段
は、情報入力手段から与えられたプロセス条件がないと
きに、その条件の近くの条件における不純物データを得
るようにして前記目的を達成する。請求項５記載のデー
タ補完手段は、複数のプロセス条件で得た不純物データ
に対して、各不純物分布への依存性を関係式にして補完
するようにして前記目的を達成する。
【０００７】
【作用】したがって、請求項１記載の発明では、各種プ
ロセス条件に応じて製造した半導体中について、その半
導体に含まれる不純物について例えばＳＩＳＭ分析法に
て実測し、その実測データをデータベース化して記憶手
段に記憶させておく。また、情報入力手段から所定のプ
ロセス条件が入力されたときには、データ抽出手段は当
該入力プロセス条件を基に前記データベースを検索し、
その条件に基づく不純物データを抽出している。
ロセス条件に応じて製造した半導体中について、その半
導体に含まれる不純物について例えばＳＩＳＭ分析法に
て実測し、その実測データをデータベース化して記憶手
段に記憶させておく。また、情報入力手段から所定のプ
ロセス条件が入力されたときには、データ抽出手段は当
該入力プロセス条件を基に前記データベースを検索し、
その条件に基づく不純物データを抽出している。
【０００８】また、請求項２記載の発明では、請求項１
記載の発明と同様に、各種プロセス条件に応じて製造し
た半導体中について、その半導体に含まれる不純物につ
いて例えばＳＩＳＭ分析法にて実測し、その実測データ
をデータベース化して記憶手段に記憶させておく。ま
た、情報入力手段から所定のプロセス条件が入力された
ときには、データ抽出手段は当該入力プロセス条件を基
に前記データベースを検索し、その条件に基づく不純物
データを抽出している。そして、その抽出したデータを
スムージング手段でスムージングし、そのスムージング
したデータをデータ補完手段でデータ補完している。こ
のようにデータ補完手段で、データ補完しているので、
所望のプロセス条件での不純物データを求めることがで
きる。この補完結果を情報出力手段で出力しているの
で、正確に不純物データを見ることができる。
記載の発明と同様に、各種プロセス条件に応じて製造し
た半導体中について、その半導体に含まれる不純物につ
いて例えばＳＩＳＭ分析法にて実測し、その実測データ
をデータベース化して記憶手段に記憶させておく。ま
た、情報入力手段から所定のプロセス条件が入力された
ときには、データ抽出手段は当該入力プロセス条件を基
に前記データベースを検索し、その条件に基づく不純物
データを抽出している。そして、その抽出したデータを
スムージング手段でスムージングし、そのスムージング
したデータをデータ補完手段でデータ補完している。こ
のようにデータ補完手段で、データ補完しているので、
所望のプロセス条件での不純物データを求めることがで
きる。この補完結果を情報出力手段で出力しているの
で、正確に不純物データを見ることができる。
【０００９】請求項３記載のデータ補完手段では、プロ
セス条件に近い不純物データがデータベースになかった
場合、所定のプロセス条件における不純物の実測データ
を基にプロセスシミュレーションして当該不純物分布を
導出するようにしたことを特徴とする。請求項４記載の
データ抽出手段では、情報入力手段から与えられたプロ
セス条件がないときに、その条件の前後の近くの条件に
おける不純物データを得ている。請求項５記載のデータ
補完手段では、複数のプロセス条件で得た不純物データ
に対し、各不純物分布への依存性を関係式を求めて、デ
ータ補完するようにしている。
セス条件に近い不純物データがデータベースになかった
場合、所定のプロセス条件における不純物の実測データ
を基にプロセスシミュレーションして当該不純物分布を
導出するようにしたことを特徴とする。請求項４記載の
データ抽出手段では、情報入力手段から与えられたプロ
セス条件がないときに、その条件の前後の近くの条件に
おける不純物データを得ている。請求項５記載のデータ
補完手段では、複数のプロセス条件で得た不純物データ
に対し、各不純物分布への依存性を関係式を求めて、デ
ータ補完するようにしている。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１〜図７を
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る不純
物分布導出装置の基本構成を示す説明図である。図１に
おいて、不純物分布導出装置１は、プロセス条件等の情
報を入力する情報入力装置３と、後述する各種処理手段
を実現する処理装置５と、各種プロセス条件に関連させ
て半導体内の不純物濃度の実測データをデータベースと
して記憶する記憶装置７と、処理装置５で処理されて得
た半導体内の濃度分布を出力する出力装置９とを具備し
たものである。
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る不純
物分布導出装置の基本構成を示す説明図である。図１に
おいて、不純物分布導出装置１は、プロセス条件等の情
報を入力する情報入力装置３と、後述する各種処理手段
を実現する処理装置５と、各種プロセス条件に関連させ
て半導体内の不純物濃度の実測データをデータベースと
して記憶する記憶装置７と、処理装置５で処理されて得
た半導体内の濃度分布を出力する出力装置９とを具備し
たものである。
【００１１】情報入力装置３は、処理装置５に接続され
ており、プロセス条件等の情報を処理装置５に与えるよ
うになっている。また、処理装置５には、記憶装置７
と、出力装置９とが接続されている。この処理装置５
は、図示しないロム（ＲＯＭ、リード・オンリー・メモ
リ）に記憶されたプログラムに従って動作して必要な処
理手段（後述）を実現し、記憶装置７のデータベースを
検索したり、必要なデータを図示しないラム（ＲＡＭ、
ランダム・アクセス・メモリ）に記憶できるようになっ
ている。
ており、プロセス条件等の情報を処理装置５に与えるよ
うになっている。また、処理装置５には、記憶装置７
と、出力装置９とが接続されている。この処理装置５
は、図示しないロム（ＲＯＭ、リード・オンリー・メモ
リ）に記憶されたプログラムに従って動作して必要な処
理手段（後述）を実現し、記憶装置７のデータベースを
検索したり、必要なデータを図示しないラム（ＲＡＭ、
ランダム・アクセス・メモリ）に記憶できるようになっ
ている。
【００１２】記憶装置７は、データベースを記憶してい
る装置である。この記憶装置７内のデータベースは、プ
ロセス条件のうち、温度条件のみ、時間条件のみ、ある
いは分圧条件のみが異なり、他の条件は同一とした場合
の不純物データの集合体で構成されており、このように
したことにより最大６通りの条件における不純物データ
の選択ですむことになる。なお、不純物データというと
きには、不純物の種類、不純物の濃度、半導体の深さ方
向の不純物のプロファイルを含むものとする。また、出
力装置９は、処理装置５で処理されて得られた半導体内
の不純物濃度分布を受け取って出力する装置であり、図
では、ディスプレイ９１と、プリンタ９２とからなる。
ディスプレイ９１は、半導体内の不純物濃度分布を表示
する装置である。プリンタ９２は、半導体内の不純物濃
度分布のハードコピーを得る装置である。
る装置である。この記憶装置７内のデータベースは、プ
ロセス条件のうち、温度条件のみ、時間条件のみ、ある
いは分圧条件のみが異なり、他の条件は同一とした場合
の不純物データの集合体で構成されており、このように
したことにより最大６通りの条件における不純物データ
の選択ですむことになる。なお、不純物データというと
きには、不純物の種類、不純物の濃度、半導体の深さ方
向の不純物のプロファイルを含むものとする。また、出
力装置９は、処理装置５で処理されて得られた半導体内
の不純物濃度分布を受け取って出力する装置であり、図
では、ディスプレイ９１と、プリンタ９２とからなる。
ディスプレイ９１は、半導体内の不純物濃度分布を表示
する装置である。プリンタ９２は、半導体内の不純物濃
度分布のハードコピーを得る装置である。
【００１３】図２は、同実施例を示す機能ブロック図で
ある。図２に示す不純物分布導出装置１において、処理
装置５が所定のプログラムを実行することにより、デー
タ抽出手段５１と、スムージング手段５２と、データ補
完手段５３と、情報出力手段５４とを実現している。な
お、上記以外の構成は、図１に示すものと同一であるの
で、説明を省略する。
ある。図２に示す不純物分布導出装置１において、処理
装置５が所定のプログラムを実行することにより、デー
タ抽出手段５１と、スムージング手段５２と、データ補
完手段５３と、情報出力手段５４とを実現している。な
お、上記以外の構成は、図１に示すものと同一であるの
で、説明を省略する。
【００１４】データ抽出手段５１には、情報入力装置３
からプロセス条件等の情報が与えられるようになってい
る。また、データ抽出手段５１は、与えられた入力情報
を基に記憶装置７内のデータベースを検索し、所定のデ
ータを抽出するようになっている。このデータ抽出手段
５１の出力はスムージング手段５２の入力に接続されて
おり、データ抽出手段５１の出力信号をスムージング手
段５２に与えるようになっている。スムージング手段５
２は、与えられた抽出データにスムージングをかけて滑
らかな値を示すデータに変換する装置である。このスム
ージング手段５２の出力は、データ補完手段５３に接続
されており、スムージングしたデータをデータ補完手段
５３に与えるようになっている。
からプロセス条件等の情報が与えられるようになってい
る。また、データ抽出手段５１は、与えられた入力情報
を基に記憶装置７内のデータベースを検索し、所定のデ
ータを抽出するようになっている。このデータ抽出手段
５１の出力はスムージング手段５２の入力に接続されて
おり、データ抽出手段５１の出力信号をスムージング手
段５２に与えるようになっている。スムージング手段５
２は、与えられた抽出データにスムージングをかけて滑
らかな値を示すデータに変換する装置である。このスム
ージング手段５２の出力は、データ補完手段５３に接続
されており、スムージングしたデータをデータ補完手段
５３に与えるようになっている。
【００１５】データ補完手段５３は、前記スムージング
されたデータが複数存在するときに、所望のプロセス条
件における不純物データが得られるように、前記各デー
タ間のデータ補完を行なう装置である。このデータ補完
手段５３の出力は、情報出力手段５４に接続されてお
り、その補完後のデータを情報出力手段５４に与えられ
るようになっている。情報出力手段５４は、入力された
不純物分布を出力装置９のディスプレイ９１に出力し、
あるいは出力装置９のプリンタ９２に出力できるように
なっている。
されたデータが複数存在するときに、所望のプロセス条
件における不純物データが得られるように、前記各デー
タ間のデータ補完を行なう装置である。このデータ補完
手段５３の出力は、情報出力手段５４に接続されてお
り、その補完後のデータを情報出力手段５４に与えられ
るようになっている。情報出力手段５４は、入力された
不純物分布を出力装置９のディスプレイ９１に出力し、
あるいは出力装置９のプリンタ９２に出力できるように
なっている。
【００１６】このように構成された実施例の動作を、図
１及び図２を基に、図３乃至図７を参照して説明する。
また、この実施例では、プロセス条件を入力するため
に、例えばディスプレイ上にガイダンス画面を表示し、
そのガイダンス画面内に必要な条件を入力してゆく方式
を採用しているものとして説明する。まず、図面の説明
をすると、図３は、同実施例の動作を説明するためのフ
ローチャートである。図４は、プロセス条件を入力する
ためのガイダンス画面を示す説明図であり、図４（ａ）
は入力前のガイダンス画面を、図４（ｂ）は入力後のガ
イダンス画面を、それぞれ示すものである。図５は、デ
ータ抽出手段により得られた半導体中の不純物分布のデ
ータを示す特性図である。図６は、図５に示す半導体中
の不純物分布のデータにスムージングをかけたときのデ
ータを示す特性図である。図７は、データ補完を説明す
るための説明図である。
１及び図２を基に、図３乃至図７を参照して説明する。
また、この実施例では、プロセス条件を入力するため
に、例えばディスプレイ上にガイダンス画面を表示し、
そのガイダンス画面内に必要な条件を入力してゆく方式
を採用しているものとして説明する。まず、図面の説明
をすると、図３は、同実施例の動作を説明するためのフ
ローチャートである。図４は、プロセス条件を入力する
ためのガイダンス画面を示す説明図であり、図４（ａ）
は入力前のガイダンス画面を、図４（ｂ）は入力後のガ
イダンス画面を、それぞれ示すものである。図５は、デ
ータ抽出手段により得られた半導体中の不純物分布のデ
ータを示す特性図である。図６は、図５に示す半導体中
の不純物分布のデータにスムージングをかけたときのデ
ータを示す特性図である。図７は、データ補完を説明す
るための説明図である。
【００１７】次に、不純物分布導出装置の動作の説明に
移行する。これらの図において、不純物分布導出装置１
が動作を開始すると、まず、処理装置５は、出力装置９
のディスプレイ９１の表示面１００上に、図４（ａ）に
示すようなプロセス条件を入力するためのガイダンス画
面２００を表示する（図３のステップ３０１）。このガ
イダンス画面２００は、注入条件を入力する注入条件入
力画面２１０と、拡散条件を入力する拡散条件入力画面
２２０とから構成されている。この注入条件入力画面２
１０には、不純物入力枠２１１、注入エネルギー入力枠
２１２、及び注入量入力枠２１３がそれぞれ設けてあ
る。また、前記拡散条件入力画面２２０には、温度入力
枠２２１、時間入力枠２２２、雰囲気入力枠２２３、及
び分圧入力枠２２４がそれぞれ設けてある。
移行する。これらの図において、不純物分布導出装置１
が動作を開始すると、まず、処理装置５は、出力装置９
のディスプレイ９１の表示面１００上に、図４（ａ）に
示すようなプロセス条件を入力するためのガイダンス画
面２００を表示する（図３のステップ３０１）。このガ
イダンス画面２００は、注入条件を入力する注入条件入
力画面２１０と、拡散条件を入力する拡散条件入力画面
２２０とから構成されている。この注入条件入力画面２
１０には、不純物入力枠２１１、注入エネルギー入力枠
２１２、及び注入量入力枠２１３がそれぞれ設けてあ
る。また、前記拡散条件入力画面２２０には、温度入力
枠２２１、時間入力枠２２２、雰囲気入力枠２２３、及
び分圧入力枠２２４がそれぞれ設けてある。
【００１８】このガイダンス画面２００を見ながら、情
報入力装置３を操作し、注入条件として、例えば不純物
を「ボロン」、注入エネルギーを「３０〔ＫｅＶ〕」、
及び注入量を「３×１０12〔atoms/cm2 〕と入力し、ま
た、拡散条件として、例えば温度を「９００〔度摂氏
（度Ｃ）〕」、時間を「１０〔分〕」、雰囲気を「ウエ
ット」、及び分圧を「０．５〔気圧〕と入力する（ステ
ップ３０２）。この入力された条件が異なっていたり、
予定したものとなっていないときには（ステップ３０
３；Ｎ）、該当する箇所の入力枠２１１〜２１３、及び
入力枠２２１〜２２４の値を所望の値に変更する（ステ
ップ３０２）。
報入力装置３を操作し、注入条件として、例えば不純物
を「ボロン」、注入エネルギーを「３０〔ＫｅＶ〕」、
及び注入量を「３×１０12〔atoms/cm2 〕と入力し、ま
た、拡散条件として、例えば温度を「９００〔度摂氏
（度Ｃ）〕」、時間を「１０〔分〕」、雰囲気を「ウエ
ット」、及び分圧を「０．５〔気圧〕と入力する（ステ
ップ３０２）。この入力された条件が異なっていたり、
予定したものとなっていないときには（ステップ３０
３；Ｎ）、該当する箇所の入力枠２１１〜２１３、及び
入力枠２２１〜２２４の値を所望の値に変更する（ステ
ップ３０２）。
【００１９】また、入力されたプロセス条件が全てよい
ときには（ステップ３０３；Ｙ）、処理装置５は、図４
（ｂ）に示すように、注入条件入力画面２１０ａの各入
力枠２１１〜２１３と、拡散条件入力画面２２０ａの各
入力枠２２１〜２２４に前記入力した所定の値が埋めら
れ、しかも拡散条件入力画面２２０ａの下に「データベ
ース検索中」と表示したガイダンス画面２００ａをディ
スプレイ９１の表示面１００上に表示するとともに（ス
テップ３０４）、データ抽出手段５１は記憶装置７のデ
ータベースを検索する（ステップ３０５）。データ抽出
手段５１は、記憶装置７のデータベースを検索した結
果、入力され設定されているプロセス条件がある場合に
は（ステップ３０６；Ｙ）、全く同一の条件が存在する
か否かを判定する（ステップ３０７）。データ抽出手段
５１は、全く同一の条件があったときには（ステップ３
０７；Ｙ）、当該条件の不純物データを抽出する（ステ
ップ３０８）。
ときには（ステップ３０３；Ｙ）、処理装置５は、図４
（ｂ）に示すように、注入条件入力画面２１０ａの各入
力枠２１１〜２１３と、拡散条件入力画面２２０ａの各
入力枠２２１〜２２４に前記入力した所定の値が埋めら
れ、しかも拡散条件入力画面２２０ａの下に「データベ
ース検索中」と表示したガイダンス画面２００ａをディ
スプレイ９１の表示面１００上に表示するとともに（ス
テップ３０４）、データ抽出手段５１は記憶装置７のデ
ータベースを検索する（ステップ３０５）。データ抽出
手段５１は、記憶装置７のデータベースを検索した結
果、入力され設定されているプロセス条件がある場合に
は（ステップ３０６；Ｙ）、全く同一の条件が存在する
か否かを判定する（ステップ３０７）。データ抽出手段
５１は、全く同一の条件があったときには（ステップ３
０７；Ｙ）、当該条件の不純物データを抽出する（ステ
ップ３０８）。
【００２０】しかし、設定されているプロセス条件と全
く同一条件がない場合には（ステップ３０７；Ｎ）、デ
ータ抽出手段５１は、拡散条件が異なるのか判断する
（ステップ３０９）。データ抽出手段５１は、拡散条件
が異なると判断したときには（ステップ３０９；Ｙ）、
温度条件が異なっているか判定する（ステップ３１
０）。データ抽出手段５１は、温度条件が異なっている
と判定したときには（ステップ３１０；Ｙ）、データベ
ースを検索し当該温度条件に近い２点の温度条件におけ
る不純物データを抽出する（ステップ３１３）。つま
り、データ抽出手段５１は、同じ温度条件のものがなけ
れば、例えば８８０度Ｃと、９００度Ｃというように選
択し、それらの不純物データを抽出する。
く同一条件がない場合には（ステップ３０７；Ｎ）、デ
ータ抽出手段５１は、拡散条件が異なるのか判断する
（ステップ３０９）。データ抽出手段５１は、拡散条件
が異なると判断したときには（ステップ３０９；Ｙ）、
温度条件が異なっているか判定する（ステップ３１
０）。データ抽出手段５１は、温度条件が異なっている
と判定したときには（ステップ３１０；Ｙ）、データベ
ースを検索し当該温度条件に近い２点の温度条件におけ
る不純物データを抽出する（ステップ３１３）。つま
り、データ抽出手段５１は、同じ温度条件のものがなけ
れば、例えば８８０度Ｃと、９００度Ｃというように選
択し、それらの不純物データを抽出する。
【００２１】データ抽出手段５１は、温度条件が異なっ
ていないと判定したとき（ステップ３１０；Ｎ）、ある
いはステップ３１１を通過したときには、時間条件が異
なっているのか判定する（ステップ３１２）。ここで、
時間条件が異なっているとデータ抽出手段５１が判断し
たときには（ステップ３１２；Ｙ）、データベースを検
索し当該時間条件に近い２点の時間条件における不純物
データを抽出する（ステップ３１１）。つまり、データ
抽出手段５１は、例えば９００〔度Ｃ〕・５〔分〕と、
９００〔度Ｃ〕・２０〔分〕というように選択し、それ
らの不純物データを抽出する。
ていないと判定したとき（ステップ３１０；Ｎ）、ある
いはステップ３１１を通過したときには、時間条件が異
なっているのか判定する（ステップ３１２）。ここで、
時間条件が異なっているとデータ抽出手段５１が判断し
たときには（ステップ３１２；Ｙ）、データベースを検
索し当該時間条件に近い２点の時間条件における不純物
データを抽出する（ステップ３１１）。つまり、データ
抽出手段５１は、例えば９００〔度Ｃ〕・５〔分〕と、
９００〔度Ｃ〕・２０〔分〕というように選択し、それ
らの不純物データを抽出する。
【００２２】データ抽出手段５１は、時間条件が異なっ
ていないと判定したとき（ステップ３１２；Ｎ）、ある
いはステップ３１３を通過したときには、分圧条件が異
なっているのか判定する（ステップ３１４）。ここで、
分圧条件が異なっているとデータ抽出手段５１が判断し
たときには（ステップ３１４；Ｙ）、データベースを検
索し当該分圧条件に近い２点の分圧条件における不純物
データを抽出する（ステップ３１５）。したがって、こ
のルーチン（ステップ３１０〜ステップ３１５）に入る
と、データ抽出手段５１は、最大で、温度条件が２通
り、時間条件が２通り、分圧条件が２通りの、合計６通
りの不純物データを抽出することになる。
ていないと判定したとき（ステップ３１２；Ｎ）、ある
いはステップ３１３を通過したときには、分圧条件が異
なっているのか判定する（ステップ３１４）。ここで、
分圧条件が異なっているとデータ抽出手段５１が判断し
たときには（ステップ３１４；Ｙ）、データベースを検
索し当該分圧条件に近い２点の分圧条件における不純物
データを抽出する（ステップ３１５）。したがって、こ
のルーチン（ステップ３１０〜ステップ３１５）に入る
と、データ抽出手段５１は、最大で、温度条件が２通
り、時間条件が２通り、分圧条件が２通りの、合計６通
りの不純物データを抽出することになる。
【００２３】一方、拡散条件が異ならない場合は（ステ
ップ３０９；Ｎ）、データ抽出手段５１は、注入条件が
異なるものとして処理を実行し、注入エネルギーと注入
量の最も近い値を記憶装置７のデータベースから検索す
る（ステップ３２０）。ここで、注入条件の異なること
が注入エネルギーが異なることであるときには（ステッ
プ３２１；Ｙ）、データ抽出手段５１は、当該代用注入
エネルギーをもって抽出した不純物データに対し、プロ
セスシミュレーションで使用されている投影飛程（Ｒ
ｐ）で補正する（ステップ３２２）。この補正は、不純
物濃度分布のピーク位置をずらすことで対応させてい
る。
ップ３０９；Ｎ）、データ抽出手段５１は、注入条件が
異なるものとして処理を実行し、注入エネルギーと注入
量の最も近い値を記憶装置７のデータベースから検索す
る（ステップ３２０）。ここで、注入条件の異なること
が注入エネルギーが異なることであるときには（ステッ
プ３２１；Ｙ）、データ抽出手段５１は、当該代用注入
エネルギーをもって抽出した不純物データに対し、プロ
セスシミュレーションで使用されている投影飛程（Ｒ
ｐ）で補正する（ステップ３２２）。この補正は、不純
物濃度分布のピーク位置をずらすことで対応させてい
る。
【００２４】このようにして補正して不純物データを得
ている（ステップ３２３）。そして、注入量が異なって
いるかデータ抽出手段５１が判定し（ステップ３２
４）、異なっていなければ（ステップ３２４；Ｎ）、次
の処理に移行する。しかしながら、データ抽出手段５１
が注入量も異なっていると判定したときには（ステップ
３２４；Ｙ）、ステップ３２５に移行する。また、注入
条件が異なることが、注入エネルギーは異ならないが注
入量が異なるものであるときには（ステップ３２１；
Ｎ）、データ抽出手段５１は、当該代用注入量をもって
抽出した不純物データを使用し、全体的な濃度を濃度量
の比によって増減する（ステップ３２５）。このように
して求めた不純物データを得て（ステップ３２６）、次
のステップに移行する。
ている（ステップ３２３）。そして、注入量が異なって
いるかデータ抽出手段５１が判定し（ステップ３２
４）、異なっていなければ（ステップ３２４；Ｎ）、次
の処理に移行する。しかしながら、データ抽出手段５１
が注入量も異なっていると判定したときには（ステップ
３２４；Ｙ）、ステップ３２５に移行する。また、注入
条件が異なることが、注入エネルギーは異ならないが注
入量が異なるものであるときには（ステップ３２１；
Ｎ）、データ抽出手段５１は、当該代用注入量をもって
抽出した不純物データを使用し、全体的な濃度を濃度量
の比によって増減する（ステップ３２５）。このように
して求めた不純物データを得て（ステップ３２６）、次
のステップに移行する。
【００２５】なお、注入直後（時間ほぼ０〔分〕）の不
純物データとしては、プロセスシミュレーションで主に
使われるガウス分布やピアソン分布を使ってもよい。こ
のようにして抽出した不純物データから、図５に示すよ
うな、半導体の深さ方向（単位〔μｍ〕）に対する、不
純物（ボロン）の濃度分布（単位〔／ cm3〕）の特性Ｊ
が得られることになる。このようにして得られた一つあ
るいは複数の不純物濃度分布の特性データは、スムージ
ング手段５２によってスムージングがかけられる（ステ
ップ３３０）。このスムージングは、例えば、ある深さ
の値に対して、前後何点かのデータを平均して、その値
を特性上にプロットするという方法で行えばよい。これ
により、例えば図５の不純物分布の特性データから、図
６に示すように半導体の深さ方向（単位〔μｍ〕）に対
し、滑らかな不純物（ボロン）濃度分布（単位〔／ c
m3〕）をした特性Ｌが得られることになる。
純物データとしては、プロセスシミュレーションで主に
使われるガウス分布やピアソン分布を使ってもよい。こ
のようにして抽出した不純物データから、図５に示すよ
うな、半導体の深さ方向（単位〔μｍ〕）に対する、不
純物（ボロン）の濃度分布（単位〔／ cm3〕）の特性Ｊ
が得られることになる。このようにして得られた一つあ
るいは複数の不純物濃度分布の特性データは、スムージ
ング手段５２によってスムージングがかけられる（ステ
ップ３３０）。このスムージングは、例えば、ある深さ
の値に対して、前後何点かのデータを平均して、その値
を特性上にプロットするという方法で行えばよい。これ
により、例えば図５の不純物分布の特性データから、図
６に示すように半導体の深さ方向（単位〔μｍ〕）に対
し、滑らかな不純物（ボロン）濃度分布（単位〔／ c
m3〕）をした特性Ｌが得られることになる。
【００２６】次に、上述したようにして得られた一つあ
るいは複数の不純物分布データがあるときに、データ補
完手段５３は、これらの値の補完を行なう（ステップ３
３１）。このデータ補完手段５３におけるデータ補完に
ついて、図７を参照して説明する。すなわち、既に説明
したが、入力設定プロセス条件Ｐｏと同一の条件がない
ときに、図７に示すように、その設定条件Ｐｏの近くの
前後の条件Ｐｆ、Ｐｂにおける不純物データＤｆ、Ｄｂ
を得ている（ステップ３１０〜ステップ３１５参照）。
それらのデータＤｆ，Ｄｂの間をデータ補完し、その設
定条件Ｐｏにおける不純物データを得られるようにする
ことにより、設定プロセス条件Ｐｏにおける不純物デー
タＤｏを算出している。このデータ補完は、例えば温度
条件、時間条件、分圧条件についてそれぞれ行ってい
る。
るいは複数の不純物分布データがあるときに、データ補
完手段５３は、これらの値の補完を行なう（ステップ３
３１）。このデータ補完手段５３におけるデータ補完に
ついて、図７を参照して説明する。すなわち、既に説明
したが、入力設定プロセス条件Ｐｏと同一の条件がない
ときに、図７に示すように、その設定条件Ｐｏの近くの
前後の条件Ｐｆ、Ｐｂにおける不純物データＤｆ、Ｄｂ
を得ている（ステップ３１０〜ステップ３１５参照）。
それらのデータＤｆ，Ｄｂの間をデータ補完し、その設
定条件Ｐｏにおける不純物データを得られるようにする
ことにより、設定プロセス条件Ｐｏにおける不純物デー
タＤｏを算出している。このデータ補完は、例えば温度
条件、時間条件、分圧条件についてそれぞれ行ってい
る。
【００２７】そして、このデータ補完は、それぞれの不
純物濃度分布の依存性を関係式にして補完させている。
このとき、記憶装置７のデータベースのデータ量が多け
れば、２点間の直線的な補完でも十分精度がでることに
なる。このようにしてデータ補完して正確に得られた不
純物濃度分布データを、情報出力手段５４は、出力装置
９のディスプレイ９１に表示する（ステップ３３２）。
また、必要ならプリンタ９２によりハードコピーを得
る。
純物濃度分布の依存性を関係式にして補完させている。
このとき、記憶装置７のデータベースのデータ量が多け
れば、２点間の直線的な補完でも十分精度がでることに
なる。このようにしてデータ補完して正確に得られた不
純物濃度分布データを、情報出力手段５４は、出力装置
９のディスプレイ９１に表示する（ステップ３３２）。
また、必要ならプリンタ９２によりハードコピーを得
る。
【００２８】なお、プロセス条件がないと判断された
（ステップ３０６；Ｎ）ときにおける処理について以下
説明する。例えば、９００〔度Ｃ〕、２００〔分〕のプ
ロセス条件を入力したときに（ステップ３０１〜ステッ
プ３０４）、データ抽出手段５１が記憶装置７内のデー
タベースを検索すると（ステップ３０５）、当該条件の
データがないと判定される（ステップ３０６）。このよ
うな判断がされたときには（ステップ３０６；Ｎ）、次
に当該条件よりも範囲が狭い条件があるか判定する（ス
テップ３４０）。ここで、当該条件よりも範囲が狭い条
件があったときには（ステップ３４０；Ｙ）、その狭い
範囲を越えた部分のみプロセスシミュレーションをさせ
る指示をデータ補完手段５３に与えるとともに、プロセ
スシミュレーションを行なう範囲を指示する（ステップ
３４１）。ついで、その狭い範囲部分について、ステッ
プ３０７以降の処理を行わせる。
（ステップ３０６；Ｎ）ときにおける処理について以下
説明する。例えば、９００〔度Ｃ〕、２００〔分〕のプ
ロセス条件を入力したときに（ステップ３０１〜ステッ
プ３０４）、データ抽出手段５１が記憶装置７内のデー
タベースを検索すると（ステップ３０５）、当該条件の
データがないと判定される（ステップ３０６）。このよ
うな判断がされたときには（ステップ３０６；Ｎ）、次
に当該条件よりも範囲が狭い条件があるか判定する（ス
テップ３４０）。ここで、当該条件よりも範囲が狭い条
件があったときには（ステップ３４０；Ｙ）、その狭い
範囲を越えた部分のみプロセスシミュレーションをさせ
る指示をデータ補完手段５３に与えるとともに、プロセ
スシミュレーションを行なう範囲を指示する（ステップ
３４１）。ついで、その狭い範囲部分について、ステッ
プ３０７以降の処理を行わせる。
【００２９】例えば、９００〔度Ｃ〕、２００〔分〕の
プロセス条件が入力設定されているときに、９００〔度
Ｃ〕、１５０〔分〕の条件であれば不純物データが存在
するとデータ抽出手段５１が判断したとする。このと
き、データ抽出手段５１は、プロセスシミュレーション
を実行する旨の指示とその範囲を、データ補完手段５３
に通知し（ステップ３４１）、かつ前記９００〔度
Ｃ〕、１５０〔分〕の条件における不純物データを抽出
し（ステップ３０７〜ステップ３２６）、それをスムー
ジング手段５２を介してデータ補完手段５３に与える
（ステップ３３０）。データ補完手段５３は、前記９０
０〔度Ｃ〕、１５０〔分〕の条件における不純物データ
を基に、残りの５０分の条件についてプロセスシミュレ
ーションを実行する（ステップ３３１）。
プロセス条件が入力設定されているときに、９００〔度
Ｃ〕、１５０〔分〕の条件であれば不純物データが存在
するとデータ抽出手段５１が判断したとする。このと
き、データ抽出手段５１は、プロセスシミュレーション
を実行する旨の指示とその範囲を、データ補完手段５３
に通知し（ステップ３４１）、かつ前記９００〔度
Ｃ〕、１５０〔分〕の条件における不純物データを抽出
し（ステップ３０７〜ステップ３２６）、それをスムー
ジング手段５２を介してデータ補完手段５３に与える
（ステップ３３０）。データ補完手段５３は、前記９０
０〔度Ｃ〕、１５０〔分〕の条件における不純物データ
を基に、残りの５０分の条件についてプロセスシミュレ
ーションを実行する（ステップ３３１）。
【００３０】一方、当該条件のデータがなく（ステップ
３０６；Ｎ）、かつ当該条件よりも範囲が狭い条件のも
のがないときには（ステップ３４０；Ｎ）、当該条件の
不純物データが全くない旨の指示を出す（ステップ３４
２）。これにより、情報出力手段５４は、その旨を出力
装置９に与える（ステップ３３２）。このように記憶装
置７のデータベースに条件がないときには、プロセスシ
ミュレーションの使用もやむを得ないものとして実行で
きるようになっている。このようにしてデータ補完手段
５３で不純物分布が得られると、情報出力手段５４は、
出力装置９のディスプレイ９１に表示する（ステップ３
３２）。また、必要ならプリンタ９２によりハードコピ
ーを得る。
３０６；Ｎ）、かつ当該条件よりも範囲が狭い条件のも
のがないときには（ステップ３４０；Ｎ）、当該条件の
不純物データが全くない旨の指示を出す（ステップ３４
２）。これにより、情報出力手段５４は、その旨を出力
装置９に与える（ステップ３３２）。このように記憶装
置７のデータベースに条件がないときには、プロセスシ
ミュレーションの使用もやむを得ないものとして実行で
きるようになっている。このようにしてデータ補完手段
５３で不純物分布が得られると、情報出力手段５４は、
出力装置９のディスプレイ９１に表示する（ステップ３
３２）。また、必要ならプリンタ９２によりハードコピ
ーを得る。
【００３１】このように本実施例は動作し、実測の不純
物濃度（ＳＩＳＭ分析結果等）を用いて、所望のプロセ
ス条件での不純物濃度分布を導出しているので、モデル
を用いて算出する方法の不合理を排除でき、短時間によ
り正確な不純物濃度分布が得られることになる。
物濃度（ＳＩＳＭ分析結果等）を用いて、所望のプロセ
ス条件での不純物濃度分布を導出しているので、モデル
を用いて算出する方法の不合理を排除でき、短時間によ
り正確な不純物濃度分布が得られることになる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、各種プロセス条件に応じて半導体中に含ま
れる不純物の実測データをデータベース化して記憶して
おき、所定のプロセス条件を入力したときに、当該入力
プロセス条件を基に前記データベースを検索し、その条
件に基づく不純物データを抽出するようにしたので、モ
デルを用いて算出する方法の不合理を排除でき、短時間
により正確な不純物濃度分布が得られることになる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、各種プロセス条件に
応じて半導体中に含まれる不純物の実測データをデータ
ベース化して記憶しておき、所定のプロセス条件を入力
したときに、当該入力プロセス条件を基に前記データベ
ースを検索し、その条件に基づく不純物データを抽出
し、かつ抽出したデータをスムージングし、そのスムー
ジングしたデータをデータ補完し、その補完結果を出力
するようにしたので、モデルを用いて算出する方法の不
合理を排除できことはもちろん、短時間により正確な不
純物濃度分布が得られ、しかも所望のプロセス条件に合
致した正確な不純物濃度分布が得られる。請求項３記載
のデータ補完手段は、プロセス条件に近い不純物データ
がデータベースにない場合、所定のプロセス条件の不純
物データを基にプロセスシミュレーションして当該不純
物データを導出するようにしたので、実測データがデー
タベースになくとも、確実に不純物データを得ることが
でき、柔軟な対応ができる。請求項４記載のデータ抽出
手段は、情報入力手段から与えられたプロセス条件がな
いときに、その条件の近くの条件における不純物データ
を得るようにしたので、正確な不純物データとすること
ができる。請求項５記載のデータ補完手段は、複数のプ
ロセス条件で得た不純物データに対して、各不純物分布
への依存性を関係式にして補完しているので、所望のプ
ロセス条件における不純物データを得ることができる。
明によれば、各種プロセス条件に応じて半導体中に含ま
れる不純物の実測データをデータベース化して記憶して
おき、所定のプロセス条件を入力したときに、当該入力
プロセス条件を基に前記データベースを検索し、その条
件に基づく不純物データを抽出するようにしたので、モ
デルを用いて算出する方法の不合理を排除でき、短時間
により正確な不純物濃度分布が得られることになる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、各種プロセス条件に
応じて半導体中に含まれる不純物の実測データをデータ
ベース化して記憶しておき、所定のプロセス条件を入力
したときに、当該入力プロセス条件を基に前記データベ
ースを検索し、その条件に基づく不純物データを抽出
し、かつ抽出したデータをスムージングし、そのスムー
ジングしたデータをデータ補完し、その補完結果を出力
するようにしたので、モデルを用いて算出する方法の不
合理を排除できことはもちろん、短時間により正確な不
純物濃度分布が得られ、しかも所望のプロセス条件に合
致した正確な不純物濃度分布が得られる。請求項３記載
のデータ補完手段は、プロセス条件に近い不純物データ
がデータベースにない場合、所定のプロセス条件の不純
物データを基にプロセスシミュレーションして当該不純
物データを導出するようにしたので、実測データがデー
タベースになくとも、確実に不純物データを得ることが
でき、柔軟な対応ができる。請求項４記載のデータ抽出
手段は、情報入力手段から与えられたプロセス条件がな
いときに、その条件の近くの条件における不純物データ
を得るようにしたので、正確な不純物データとすること
ができる。請求項５記載のデータ補完手段は、複数のプ
ロセス条件で得た不純物データに対して、各不純物分布
への依存性を関係式にして補完しているので、所望のプ
ロセス条件における不純物データを得ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る不純物分布導出装置の基
本構成を示すブロック図である。
本構成を示すブロック図である。
【図２】同実施例の機能ブロック図である。
【図３】同実施例の動作を説明するためのフローチャー
トである。
トである。
【図４】同実施例で使用するガイダンス画面の例を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】同実施例で得られた不純物濃度分布の特性図で
ある。
ある。
【図６】同実施例でスムージング処理を行った不純物濃
度分布の特性図である。
度分布の特性図である。
【図７】同実施例でデータ補完処理を行なう動作の説明
図である。
図である。
１ 不純物分布導出装置 ３ 情報入力手段 ５ 処理装置 ７ 記憶装置 ９ 出力装置 ５１ データ抽出手段 ５２ スムージング手段 ５３ データ補完手段 ５４ 情報出力手段 ９１ ディスプレイ ９２ プリンタ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体を製造するときのプロセス条件か
ら半導体中に含まれる不純物の分布を求める不純物分布
導出装置において、 プロセス条件を入力する情報入力手段と、 各種プロセス条件に応じて半導体中に含まれる不純物の
実測データをデータベース化して記憶する記憶手段と、 前記情報入力手段から与えられたプロセス条件を基に前
記記憶手段のデータベースを検索し、その条件に基づく
不純物データを抽出するデータ抽出手段と、 を備えたことを特徴とする不純物分布導出装置。 - 【請求項２】 半導体を製造するときのプロセス条件か
ら半導体中に含まれる不純物の分布を求める不純物分布
導出装置において、 プロセス条件を入力する情報入力手段と、 各種プロセス条件に応じて半導体中に含まれる不純物の
実測データをデータベース化して記憶する記憶手段と、 前記情報入力手段から与えられたプロセス条件を基に前
記記憶手段のデータベースを検索し、その条件に基づく
不純物データを抽出するデータ抽出手段と、 前記抽出した不純物データにスムージングをかけるスム
ージング手段と、 前記スムージングしたデータから所定のプロセス条件に
合う不純物分布を導出するデータ補完手段と、 前記データ補完手段からの不純物分布を出力する情報出
力手段と、 を備えたことを特徴とする不純物分布導出装置。 - 【請求項３】 前記データ補完手段は、プロセス条件に
近い不純物データがデータベースになかった場合、所定
のプロセス条件における不純物の実測データを基にプロ
セスシミュレーションして当該不純物分布を導出するよ
うにしたことを特徴とする請求項１または２記載の不純
物分布導出装置。 - 【請求項４】 前記データ抽出手段は、情報入力手段か
ら与えられたプロセス条件がないときに、その条件の近
くの条件における不純物データを得るようにしたことを
特徴とする請求項１または２記載の不純物分布導出装
置。 - 【請求項５】 前記データ補完手段は、複数のプロセス
条件で得た不純物データに対して、各不純物分布への依
存性を関係式にして補完するようにしたことを特徴とす
る請求項１または２記載の不純物分布導出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30293794A JPH08136482A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 不純物分布導出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30293794A JPH08136482A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 不純物分布導出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136482A true JPH08136482A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17914936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30293794A Pending JPH08136482A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 不純物分布導出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08136482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274050A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | データ構造及びデータベースシステム並びに半導体装置の設計方法及びその製造方法 |
| US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
| US8674357B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same |
-
1994
- 1994-11-10 JP JP30293794A patent/JPH08136482A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274050A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | データ構造及びデータベースシステム並びに半導体装置の設計方法及びその製造方法 |
| US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
| US8674357B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bauer | Corrections to moments of the photon spectrum in the inclusive decay B→ X s γ | |
| CN110334406B (zh) | 一种考虑风速特大值的极值风速重现期确定方法和装置 | |
| CN110555231A (zh) | 一种动力学仿真模型修正方法 | |
| US20070233436A1 (en) | Structural analysis apparatus, structural analysis method, and structural analysis program | |
| Kim et al. | Vector meson mass in the chiral symmetry restored vacuum | |
| JPH08136482A (ja) | 不純物分布導出装置 | |
| CN112802141A (zh) | 一种应用于图像目标检测的模型压缩方法及终端 | |
| JP3102556B2 (ja) | イオン注入シミュレーション方法 | |
| CN103221808B (zh) | 用于量热数据中的自动峰值查找的方法 | |
| KR100316314B1 (ko) | 비정질화영역 결정방법 및 장치 | |
| JPH09101947A (ja) | 時系列予測方法 | |
| JP4918345B2 (ja) | 未臨界度測定方法及び未臨界度測定用プログラム、並びに未臨界度測定装置 | |
| US6532438B2 (en) | Method and system for improving a transistor model | |
| JP3707807B2 (ja) | 不純物シミュレーション方法 | |
| CN117348564A (zh) | 基于综合误差判定的工艺集推荐方法及其相关设备 | |
| US6577993B1 (en) | Method of extracting parameters of diffusion model capable of extracting the parameters quickly | |
| JP2000155011A (ja) | 位置計測方法および装置 | |
| US20250093284A1 (en) | Correction apparatus, correction method, and correction program | |
| Bandler et al. | Combined discrete/normal statistical modeling of microwave devices | |
| JPH10340861A (ja) | 不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置 | |
| JPH08123832A (ja) | パラメータ抽出装置 | |
| Sennett III et al. | Analog computer analysis of static beams | |
| JPH06242157A (ja) | 測定装置 | |
| JP2002062802A (ja) | 地形データの修正方法 | |
| US6889170B1 (en) | Data log smooth patching |