JPH08136612A - 電子装置の電気特性測定方法および測定装置 - Google Patents
電子装置の電気特性測定方法および測定装置Info
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- JPH08136612A JPH08136612A JP6271012A JP27101294A JPH08136612A JP H08136612 A JPH08136612 A JP H08136612A JP 6271012 A JP6271012 A JP 6271012A JP 27101294 A JP27101294 A JP 27101294A JP H08136612 A JPH08136612 A JP H08136612A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子装置の自己発熱などによって特性がドリ
フトする電気特性を精度良く、短時間で測定し、電子装
置の歩留及び生産性を向上する。また、電子装置の信頼
性を向上する。 【構成】 電子装置の自己発熱などによって特性がドリ
フトする電気特性を測定する電気特性測定方法であっ
て、初期値を測定した後、一定の予備印加電圧パルスも
しくは電流パルスを加えて、再度測定し、その差から最
終値を予測する。また、前記電気特性を測定する前に、
予備印加電圧パルスもしくは電流パルスの電圧値もしく
は電流値を大きくして、デバイスの発熱を飽和状態にし
て測定する。また、前記電気特性を測定する前に、予備
印加電圧パルスもしくは電流パルスの幅を大きくして、
デバイスの発熱を飽和状態にして測定する。
フトする電気特性を精度良く、短時間で測定し、電子装
置の歩留及び生産性を向上する。また、電子装置の信頼
性を向上する。 【構成】 電子装置の自己発熱などによって特性がドリ
フトする電気特性を測定する電気特性測定方法であっ
て、初期値を測定した後、一定の予備印加電圧パルスも
しくは電流パルスを加えて、再度測定し、その差から最
終値を予測する。また、前記電気特性を測定する前に、
予備印加電圧パルスもしくは電流パルスの電圧値もしく
は電流値を大きくして、デバイスの発熱を飽和状態にし
て測定する。また、前記電気特性を測定する前に、予備
印加電圧パルスもしくは電流パルスの幅を大きくして、
デバイスの発熱を飽和状態にして測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気特性測定方法およ
び電気特性測定装置に関し、特に、半導体デバイス、電
子製品などの電子装置の自己発熱などによって特性がド
リフトする電気特性を精度良く、短時間で測定する電気
特性測定方法および電気特性測定装置に適用して有効な
技術に関するものである。
び電気特性測定装置に関し、特に、半導体デバイス、電
子製品などの電子装置の自己発熱などによって特性がド
リフトする電気特性を精度良く、短時間で測定する電気
特性測定方法および電気特性測定装置に適用して有効な
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、電子製品などの電子装
置の自己発熱などによって特性がドリフトする電気特性
を測定する際、特性値を測定後、一定の補正を加えるこ
とによって標準測定器との差を最小にしていた。
置の自己発熱などによって特性がドリフトする電気特性
を測定する際、特性値を測定後、一定の補正を加えるこ
とによって標準測定器との差を最小にしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００４】（１）ドリフトして安定するまで待ってか
ら測定しなければならないので、時間がかかるという問
題があった。
ら測定しなければならないので、時間がかかるという問
題があった。
【０００５】（２）半導体デバイス、電子製品などの電
子装置によってドリフトのしかたが違うため、測定精度
にばらつきが生じるか、もしくは間違いが生じるという
問題があった。
子装置によってドリフトのしかたが違うため、測定精度
にばらつきが生じるか、もしくは間違いが生じるという
問題があった。
【０００６】本発明の目的は、電子装置の自己発熱など
によって特性がドリフトする特性値を精度良く、短時間
で測定することが可能な技術を提供することにある。
によって特性がドリフトする特性値を精度良く、短時間
で測定することが可能な技術を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、電子装置の歩留及び
生産性を向上することが可能な技術を提供することにあ
る。
生産性を向上することが可能な技術を提供することにあ
る。
【０００８】本発明の他の目的は、電子装置の信頼性を
向上することが可能な技術を提供することにある。
向上することが可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】（１）電子装置の自己発熱などによって特
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、初期値を測定した後、一定の予備印加電圧パ
ルスもしくは電流パルスを加えて、再度測定し、その差
から最終値を予測する電気特性測定方法である。
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、初期値を測定した後、一定の予備印加電圧パ
ルスもしくは電流パルスを加えて、再度測定し、その差
から最終値を予測する電気特性測定方法である。
【００１２】（２）電子装置の自己発熱などによって特
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧
パルスもしくは電流パルスの電圧値もしくは電流値を大
きくして、デバイスの発熱を飽和状態にして測定する電
気特性測定方法である。
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧
パルスもしくは電流パルスの電圧値もしくは電流値を大
きくして、デバイスの発熱を飽和状態にして測定する電
気特性測定方法である。
【００１３】（３）電子装置の自己発熱などによって特
性がドリフトする特性値を測定する電気特性測定方法で
あって、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧パ
ルスもしくは電流パルスの幅を大きくして、デバイスの
発熱を飽和状態にして測定する電気特性測定方法であ
る。
性がドリフトする特性値を測定する電気特性測定方法で
あって、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧パ
ルスもしくは電流パルスの幅を大きくして、デバイスの
発熱を飽和状態にして測定する電気特性測定方法であ
る。
【００１４】（４）電子装置の自己発熱などによって特
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、前記電気特性を測定する前に、予備印加する
ステーション数を多くして、測定の１ステーション当り
の測定時間を短くする電気特性測定方法である。
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法
であって、前記電気特性を測定する前に、予備印加する
ステーション数を多くして、測定の１ステーション当り
の測定時間を短くする電気特性測定方法である。
【００１５】（５）電子装置の自己発熱などによって特
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定装置
であって、電子装置を載置する回転可能な載置台と、複
数のステーションで電子装置にパルスを印加することが
可能なパルス印加手段と、電子装置の電気特性を測定す
る測定器と、該測定器の出力を読み取る出力読み取り手
段と、該出力を処理する処理手段と、前記各手段を制御
する制御手段と、前記処理手段の結果を出力する出力手
段とを備えたものである。
性がドリフトする電気特性を測定する電気特性測定装置
であって、電子装置を載置する回転可能な載置台と、複
数のステーションで電子装置にパルスを印加することが
可能なパルス印加手段と、電子装置の電気特性を測定す
る測定器と、該測定器の出力を読み取る出力読み取り手
段と、該出力を処理する処理手段と、前記各手段を制御
する制御手段と、前記処理手段の結果を出力する出力手
段とを備えたものである。
【００１６】
【作用】前述した（１）の手段によれば、電子装置の自
己発熱などによって特性がドリフトする電気特性を測定
する際、初期の電気特性値を測定した後、一定の予備印
加電圧パルスもしくは電流パルスを加え、再度電気特性
値を測定し、その差から求めた補正値を初期の測定値ま
たは２度目の測定値に加減し、最終値を予測するので、
前記半導体などの電子装置の電気特性を精度良く測定す
ることができる。これによって、電子装置の歩留、生産
性を向上すると共に電子装置の信頼性を向上することが
できる。
己発熱などによって特性がドリフトする電気特性を測定
する際、初期の電気特性値を測定した後、一定の予備印
加電圧パルスもしくは電流パルスを加え、再度電気特性
値を測定し、その差から求めた補正値を初期の測定値ま
たは２度目の測定値に加減し、最終値を予測するので、
前記半導体などの電子装置の電気特性を精度良く測定す
ることができる。これによって、電子装置の歩留、生産
性を向上すると共に電子装置の信頼性を向上することが
できる。
【００１７】前述した（２）の手段によれば、電気特性
を測定する前に、予備印加電圧パルスもしくは電流パル
スの電圧値もしくは電流値を大きくして、デバイスの発
熱を飽和状態にして測定するので、前記半導体などの電
子装置の電気特性を精度良く、短時間で測定することが
できる。
を測定する前に、予備印加電圧パルスもしくは電流パル
スの電圧値もしくは電流値を大きくして、デバイスの発
熱を飽和状態にして測定するので、前記半導体などの電
子装置の電気特性を精度良く、短時間で測定することが
できる。
【００１８】前述した（３）の手段によれば、電気特性
を測定する前に、予備印加電圧パルスもしくは電流パル
スの幅を大きくして、デバイスの発熱を飽和状態にして
測定するので、前記半導体などの電子装置の電気特性を
精度良く、短時間で測定することができる。
を測定する前に、予備印加電圧パルスもしくは電流パル
スの幅を大きくして、デバイスの発熱を飽和状態にして
測定するので、前記半導体などの電子装置の電気特性を
精度良く、短時間で測定することができる。
【００１９】前述した（４）の手段によれば、前記電気
特性を測定する前に、予備印加するステーション数を多
くして、測定の１ステーション当りの測定時間を短くす
ることにより、複数のステーション１〜ｎにおいて、例
えば、ステーション１〜９まで、予備印加パルスを印加
し、ステーション１０で電子装置の電気特性を測定し、
その測定した特性値に基づいて計計して、半導体などの
電子装置の電気特性（電圧特性もしくは電流特性）で、
自己発熱などによって特性がドリフトする特性値を精度
良く、短時間で求め、その求めた結果から前記電気特性
の真値に近い最終値を求めるので、前記半導体などの電
子装置の電気特性を精度良く、さらに、短時間で測定す
ることができる。
特性を測定する前に、予備印加するステーション数を多
くして、測定の１ステーション当りの測定時間を短くす
ることにより、複数のステーション１〜ｎにおいて、例
えば、ステーション１〜９まで、予備印加パルスを印加
し、ステーション１０で電子装置の電気特性を測定し、
その測定した特性値に基づいて計計して、半導体などの
電子装置の電気特性（電圧特性もしくは電流特性）で、
自己発熱などによって特性がドリフトする特性値を精度
良く、短時間で求め、その求めた結果から前記電気特性
の真値に近い最終値を求めるので、前記半導体などの電
子装置の電気特性を精度良く、さらに、短時間で測定す
ることができる。
【００２０】前述した（５）の手段によれば、電子装置
を載置する回転可能な載置台と、複数のステーションで
前記電子装置にパルスを印加することが可能なパルス印
加手段と、前記電子装置の電気特性を測定する測定器
と、該測定器の出力を読み取る出力読み取り手段と、該
出力を処理する情報処理手段と、前記各手段を制御する
制御手段と、前記処理手段の結果を出力する出力手段と
を備えているので、前記（１）〜（４）の電気特性測定
方法を容易に実施することができる。
を載置する回転可能な載置台と、複数のステーションで
前記電子装置にパルスを印加することが可能なパルス印
加手段と、前記電子装置の電気特性を測定する測定器
と、該測定器の出力を読み取る出力読み取り手段と、該
出力を処理する情報処理手段と、前記各手段を制御する
制御手段と、前記処理手段の結果を出力する出力手段と
を備えているので、前記（１）〜（４）の電気特性測定
方法を容易に実施することができる。
【００２１】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
もに説明する。
【００２２】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２３】
（実施例１）図１は、本発明による実施例１の電気特性
測定方法を説明するための図であり、Ｐ１は初期値測定
パルス、Ｐ２は一定の予備印加パルス、Ｐ３は２度目測
定パルスである。
測定方法を説明するための図であり、Ｐ１は初期値測定
パルス、Ｐ２は一定の予備印加パルス、Ｐ３は２度目測
定パルスである。
【００２４】本実施例１の電気特性測定方法は、図１に
示すように、半導体デバイス（電子装置）の電気特性に
おける自己発熱などによって特性がドリフトする特性値
を測定する電気特性測定方法であって、初期の特性値を
初期値測定パルスＰ１で測定した後、一定の予備印加電
圧もしくは電流パルスＰ２を加えて、再度２度目測定パ
ルスＰ３で測定し、その差から最終値を予測するもので
ある。
示すように、半導体デバイス（電子装置）の電気特性に
おける自己発熱などによって特性がドリフトする特性値
を測定する電気特性測定方法であって、初期の特性値を
初期値測定パルスＰ１で測定した後、一定の予備印加電
圧もしくは電流パルスＰ２を加えて、再度２度目測定パ
ルスＰ３で測定し、その差から最終値を予測するもので
ある。
【００２５】すなわち、図２（真値に近い最終値を求め
る実施例）に示すように、初期の測定値と２度目の測定
値の差から、多項式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）で与えられる補正
値を初期の測定値に加減して、真値に近い最終値を求め
る。
る実施例）に示すように、初期の測定値と２度目の測定
値の差から、多項式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）で与えられる補正
値を初期の測定値に加減して、真値に近い最終値を求め
る。
【００２６】このようにすることにより、半導体デバイ
ス（電子装置）の自己発熱などによって特性がドリフト
する電気特性を精度良く、短時間で測定することができ
る。これにより、電子装置の電気特性の真値に近い最終
値を予測する。
ス（電子装置）の自己発熱などによって特性がドリフト
する電気特性を精度良く、短時間で測定することができ
る。これにより、電子装置の電気特性の真値に近い最終
値を予測する。
【００２７】（実施例２）本実施例２の電気特性測定方
法は、図３に示すように、前記実施例１の初期の特性値
を初期値測定パルスＰ１で測定する前に、予備印加電圧
もしくは電流パルスＰ２の電圧値もしくは電流値を大き
くして、半導体デバイス（電子装置）の発熱を飽和状態
にして初期値測定パルスＰ１で特性を測定するものであ
る。
法は、図３に示すように、前記実施例１の初期の特性値
を初期値測定パルスＰ１で測定する前に、予備印加電圧
もしくは電流パルスＰ２の電圧値もしくは電流値を大き
くして、半導体デバイス（電子装置）の発熱を飽和状態
にして初期値測定パルスＰ１で特性を測定するものであ
る。
【００２８】このようにすることにより、実施例１と同
様の半導体デバイス（電子装置）の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性を精度良く、短時間で測
定することができる。
様の半導体デバイス（電子装置）の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性を精度良く、短時間で測
定することができる。
【００２９】（実施例３）本実施例３の電気特性測定方
法は、図４に示すように、前記実施例１の初期の特性値
を初期値測定パルスＰ１で測定する前に、予備印加電圧
パルスもしくは電流パルスＰ２のパルス幅を大きくし
て、半導体デバイスの発熱を飽和状態にして初期値測定
パルスＰ１で特性を測定するものである。
法は、図４に示すように、前記実施例１の初期の特性値
を初期値測定パルスＰ１で測定する前に、予備印加電圧
パルスもしくは電流パルスＰ２のパルス幅を大きくし
て、半導体デバイスの発熱を飽和状態にして初期値測定
パルスＰ１で特性を測定するものである。
【００３０】このようにすることにより、実施例１と同
様の半導体デバイス（電子装置）の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性を精度良く、短時間で測
定することができる。
様の半導体デバイス（電子装置）の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性を精度良く、短時間で測
定することができる。
【００３１】（実施例４）本実施例４の電気特性測定方
法は、図５（ａ）に示すように、電子装置の電気特性を
測定する前に、予備印加するステーション数を多くし
て、測定の１ステーション当りの測定時間を短くする。
つまり、複数のステーション１〜ｎにおいて、例えば、
ステーション１〜９まで、予備印加パルスを印加し、ス
テーション１０で電子装置の電気特性を測定し、その測
定した特性値に基づいて計計して、半導体などの電子装
置の電気特性（電圧特性もしくは電流特性）で、自己発
熱などによって特性がドリフトする特性値を精度良く、
短時間で求め、その求めた結果から前記電気特性の真値
に近い最終値を求めるので、前記電子装置の電気特性を
精度良く、さらに、短時間で測定することができる。
法は、図５（ａ）に示すように、電子装置の電気特性を
測定する前に、予備印加するステーション数を多くし
て、測定の１ステーション当りの測定時間を短くする。
つまり、複数のステーション１〜ｎにおいて、例えば、
ステーション１〜９まで、予備印加パルスを印加し、ス
テーション１０で電子装置の電気特性を測定し、その測
定した特性値に基づいて計計して、半導体などの電子装
置の電気特性（電圧特性もしくは電流特性）で、自己発
熱などによって特性がドリフトする特性値を精度良く、
短時間で求め、その求めた結果から前記電気特性の真値
に近い最終値を求めるので、前記電子装置の電気特性を
精度良く、さらに、短時間で測定することができる。
【００３２】（実施例５）図６は、本発明による実施例
５の電気特性測定装置の概略構成を示すブロック図であ
り、２１は半導体デバイス（電子装置）の電気特性を測
定する測定器（Ｄevice Ｕnder Ｔest)、２２は直流
（ＤＣ）電源、２３は電圧／電流切り替え器、２４はゲ
ート回路、２５はタイミング信号発生器、２６は前記測
定器１の出力（特性値）を読み取る特性値読み取り装置
（特性値読み取り手段）、２７は情報処理装置（情報処
理手段）、２８はディスプレイ（表示装置）、プリンタ
等の結果出力装置（結果出力手段）、２９はコントロー
ルユニット（制御手段）であり、前記電圧／電流切り替
え器２３、タイミング信号発生器２５、特性値読み取り
装置２６、及び情報処理装置２７を制御するものであ
る。３０は装置全体を制御する装置コントロールユニッ
ト（制御手段）、３１は電子装置載置台移動用モータの
駆動部（駆動手段）であり、前記電子装置載置台移動用
モータは、例えば、ステップ状に回転制御するステップ
型モータを用いる。
５の電気特性測定装置の概略構成を示すブロック図であ
り、２１は半導体デバイス（電子装置）の電気特性を測
定する測定器（Ｄevice Ｕnder Ｔest)、２２は直流
（ＤＣ）電源、２３は電圧／電流切り替え器、２４はゲ
ート回路、２５はタイミング信号発生器、２６は前記測
定器１の出力（特性値）を読み取る特性値読み取り装置
（特性値読み取り手段）、２７は情報処理装置（情報処
理手段）、２８はディスプレイ（表示装置）、プリンタ
等の結果出力装置（結果出力手段）、２９はコントロー
ルユニット（制御手段）であり、前記電圧／電流切り替
え器２３、タイミング信号発生器２５、特性値読み取り
装置２６、及び情報処理装置２７を制御するものであ
る。３０は装置全体を制御する装置コントロールユニッ
ト（制御手段）、３１は電子装置載置台移動用モータの
駆動部（駆動手段）であり、前記電子装置載置台移動用
モータは、例えば、ステップ状に回転制御するステップ
型モータを用いる。
【００３３】前記測定器２１によって測定される電子装
置の載置台は、図５に示すように、電気特性測定時に
は、測定時間を１〜ｎの時分割で測定できるように、ス
テップ状に回転移動可能な構成になっている。このステ
ップ状の移動は、回転移動に限定されるものではなく、
直線状であってもよい。
置の載置台は、図５に示すように、電気特性測定時に
は、測定時間を１〜ｎの時分割で測定できるように、ス
テップ状に回転移動可能な構成になっている。このステ
ップ状の移動は、回転移動に限定されるものではなく、
直線状であってもよい。
【００３４】本実施例５の電気特性測定装置は、図６に
示すように、半導体デバイス、電子製品などの電子装置
を電子装置載置台に載置し、図５に示すように、複数の
ステーション１〜ｎにおいて、ステーション１〜９ま
で、ゲート回路２４を制御して加熱用パルスを印加し、
ステーション１０で半導体デバイス（電子装置）の電気
特性を測定器２１で測定する。該測定器２１の出力を特
性値読み取り装置２６で読み取り、この読み取った特性
値を情報処理装置２７に送り、情報処理装置２７におい
て前記読み取った特性値に基づいて計算して、半導体デ
バイス、電子製品などの電子装置の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性（電圧特性もしくは電流
特性）を精度良く、短時間で求め、その求めた結果から
前記電子装置の電気特性の真値に近い最終値を求める。
その最終値を結果出力装置２８に送って表示もしくは記
録する。
示すように、半導体デバイス、電子製品などの電子装置
を電子装置載置台に載置し、図５に示すように、複数の
ステーション１〜ｎにおいて、ステーション１〜９ま
で、ゲート回路２４を制御して加熱用パルスを印加し、
ステーション１０で半導体デバイス（電子装置）の電気
特性を測定器２１で測定する。該測定器２１の出力を特
性値読み取り装置２６で読み取り、この読み取った特性
値を情報処理装置２７に送り、情報処理装置２７におい
て前記読み取った特性値に基づいて計算して、半導体デ
バイス、電子製品などの電子装置の自己発熱などによっ
て特性がドリフトする電気特性（電圧特性もしくは電流
特性）を精度良く、短時間で求め、その求めた結果から
前記電子装置の電気特性の真値に近い最終値を求める。
その最終値を結果出力装置２８に送って表示もしくは記
録する。
【００３５】例えば、前記実施例１の方法では、図５の
ステーションｎで初期の特性値を初期値測定パルスＰ１
で測定した後、ステーション１〜８まで、ゲート回路２
４を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加
えて、再度２度目測定パルスＰ３で測定し、図２に示す
ように、初期の測定値と２度目の測定値の差から、多項
式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）で与えられる補正値を初期の測定値
に加減して、半導体デバイス（電子装置）の電気特性の
真値に近い最終値を求める。
ステーションｎで初期の特性値を初期値測定パルスＰ１
で測定した後、ステーション１〜８まで、ゲート回路２
４を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加
えて、再度２度目測定パルスＰ３で測定し、図２に示す
ように、初期の測定値と２度目の測定値の差から、多項
式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）で与えられる補正値を初期の測定値
に加減して、半導体デバイス（電子装置）の電気特性の
真値に近い最終値を求める。
【００３６】また、前記実施例２の方法では、測定前
に、すなわち、ステーション１〜８まで、ゲート回路２
４を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加
えて、予備印加電圧もしくは電流パルスの電圧値もしく
は電流値を大きくして、半導体デバイス（電子装置）の
発熱を飽和状態にして測定する。
に、すなわち、ステーション１〜８まで、ゲート回路２
４を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加
えて、予備印加電圧もしくは電流パルスの電圧値もしく
は電流値を大きくして、半導体デバイス（電子装置）の
発熱を飽和状態にして測定する。
【００３７】また、前記実施例３の方法では、測定前
に、すなわち、ステーション１〜８まで、ゲート回路４
を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加え
て、予備印加電圧もしくは電流パルスのパルス幅を大き
くして、デバイスの発熱を飽和状態にして測定する。
に、すなわち、ステーション１〜８まで、ゲート回路４
を制御して予備印加電圧もしくは電流パルスＰ２を加え
て、予備印加電圧もしくは電流パルスのパルス幅を大き
くして、デバイスの発熱を飽和状態にして測定する。
【００３８】また、前記実施例４の方法では、測定前
に、予備印加するステーション数を多くして、測定の１
ステーション当りの測定時間を短くする。
に、予備印加するステーション数を多くして、測定の１
ステーション当りの測定時間を短くする。
【００３９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００４０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００４１】（１）半導体デバイスなどの電子装置の自
己発熱などによって特性がドリフトする電気特性を精度
良く、短時間で測定することができる。また、電子装置
の電気特性の真値に近い最終値を予測することができ
る。
己発熱などによって特性がドリフトする電気特性を精度
良く、短時間で測定することができる。また、電子装置
の電気特性の真値に近い最終値を予測することができ
る。
【００４２】（２）前記（１）により、電子装置の歩留
及び生産性を向上することができる。
及び生産性を向上することができる。
【００４３】（３）前記（１）により、電子装置の信頼
性を向上することができる。
性を向上することができる。
【図１】本発明による実施例１の電気特性測定方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】本実施例１の初期と２度目の測定値の差から、
多項式で与えられる補正値を初期または２度目の測定値
に加減して、真値に近い最終値を求める方法を説明する
ための図である。
多項式で与えられる補正値を初期または２度目の測定値
に加減して、真値に近い最終値を求める方法を説明する
ための図である。
【図３】本発明による本実施例２の電気特性測定方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】本発明による実施例３の電気特性測定方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図５】本発明による実施例４の電気特性測定方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】本発明による実施例５の電気特性測定装置の概
略構成を示すブロック図である。
略構成を示すブロック図である。
Ｐ１…初期値測定パルス、Ｐ２…一定の予備印加パル
ス、Ｐ３…２度目測定パ１…測定器、２…直流（ＤＣ）
電源、３…電圧／電流切り替え器、４…ゲート回路、５
…タイミング信号発生器、６…特性値読み取り装置（特
性値読み取り手段）、７…情報処理装置（情報処理手
段）、８…結果出力装置（結果出力手段）、９…コント
ロールユニット（制御手段）、１０…装置コントロール
ユニット、１１…電子装置載置台移動用モータの駆動部
（駆動手段）。
ス、Ｐ３…２度目測定パ１…測定器、２…直流（ＤＣ）
電源、３…電圧／電流切り替え器、４…ゲート回路、５
…タイミング信号発生器、６…特性値読み取り装置（特
性値読み取り手段）、７…情報処理装置（情報処理手
段）、８…結果出力装置（結果出力手段）、９…コント
ロールユニット（制御手段）、１０…装置コントロール
ユニット、１１…電子装置載置台移動用モータの駆動部
（駆動手段）。
Claims (5)
- 【請求項１】 電子装置の自己発熱などによって特性が
ドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法であ
って、初期値を測定した後、一定の予備印加電圧パルス
もしくは電流パルスを加えて、再度測定し、その差から
最終値を予測することを特徴とする電気特性測定方法。 - 【請求項２】 電子装置の自己発熱などによって特性が
ドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法であ
って、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧パル
スもしくは電流パルスの電圧値もしくは電流値を大きく
して、前記電子装置の発熱を飽和状態にして測定するこ
とを特徴とする電気特性測定方法。 - 【請求項３】 電子装置の自己発熱などによって特性が
ドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法であ
って、前記電気特性を測定する前に、予備印加電圧パル
スもしくは電流パルスの幅を大きくして、前記電子装置
の発熱を飽和状態にして測定することを特徴とする電気
特性測定方法。 - 【請求項４】 電子装置の自己発熱などによって特性が
ドリフトする電気特性を測定する電気特性測定方法であ
って、前記電気特性を測定する前に、予備印加するステ
ーション数を多くして、測定の１ステーション当りの測
定時間を短くすることを特徴とする電気特性測定方法。 - 【請求項５】 電子装置の自己発熱などによって特性が
ドリフトする電気特性を測定する電気特性測定装置であ
って、電子装置を載置する回転可能な載置台と、複数の
ステーションで前記電子装置にパルスを印加することが
可能なパルス印加手段と、前記電子装置の電気特性を測
定する測定器と、該測定器の出力を読み取る出力読み取
り手段と、該出力を処理する情報処理手段と、前記各手
段を制御する制御手段と、前記処理手段の結果を出力す
る出力手段とを備えたことを特徴とする電気特性測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6271012A JPH08136612A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 電子装置の電気特性測定方法および測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6271012A JPH08136612A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 電子装置の電気特性測定方法および測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136612A true JPH08136612A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17494187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6271012A Pending JPH08136612A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 電子装置の電気特性測定方法および測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08136612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009114A3 (en) * | 2000-07-12 | 2002-07-18 | Ericsson Telefon Ab L M | Simple chip identification |
| US8633726B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method |
-
1994
- 1994-11-04 JP JP6271012A patent/JPH08136612A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009114A3 (en) * | 2000-07-12 | 2002-07-18 | Ericsson Telefon Ab L M | Simple chip identification |
| US6483335B1 (en) | 2000-07-12 | 2002-11-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Simple chip identification |
| US8633726B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method |
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