JPH0813828B2 - 新規β−ラクタム化合物及びその製造法 - Google Patents

新規β−ラクタム化合物及びその製造法

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JPH0813828B2
JPH0813828B2 JP62328686A JP32868687A JPH0813828B2 JP H0813828 B2 JPH0813828 B2 JP H0813828B2 JP 62328686 A JP62328686 A JP 62328686A JP 32868687 A JP32868687 A JP 32868687A JP H0813828 B2 JPH0813828 B2 JP H0813828B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は3−位に水酸基が保護されたヒドロキシエチ
ル基を有し、4−位にシリルエーテル基を有する新規な
β−ラクタム化合物及びその製造法に関する。
本発明による新規なβ−ラクタム化合物は、4−位に
反応性に富むシリルエーテル基を有し、種々の誘導体に
変換できる有用な中間体である。たとえば、本化合物の
4−位のシリルエーテル基に置換反応をおこなうことに
よつて、第4世代のβ−ラクタム抗生物質として知られ
ているチエナマイシン等に代表されるカルバペネム系β
−ラクタム抗生物質やペネム系β−ラクタム抗生物質の
合成中間体として有用な3−(1−ヒドロキシエチル)
−4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導体が取得で
きる〔たとえば、レイダー等、テトラヘドロンレター
ズ、23巻、2293頁(1982)、およびヨシダ等、ケミカル
・アンド・フアーマシユテイカル・ブチレン(Chem.Pha
rm.Bull.)、29巻、2899頁(1981)〕。
(従来の技術と問題点) 4−位にシリルエーテル基を有するβ−ラクタム化合
物とその製造法は、本発明者らが既に特許出願(特開昭
61−18791)した。本発明者らは、さらに検討を行な
い、4−位にシリルエーテル基を有する新規なβ−ラク
タム化合物とその合成法を見出し、本発明を完成した。
以下に詳細を説明する。
(問題点を解決するための手段及び作用効果) 本発明は、一般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6の低
級アルキル基またはアラルキル基、R5は置換フエニル
基、フエニル基、アラルキル基、低級アルキル基を示
す)で表わされる新規β−ラクタム化合物とその製造法
に関する。前記一般式(I)中の3−位のヒドロキシエ
チル基のO−保護基であるR1としては、R1が一般式(I
I) (式中、R6,R7,R8はC1〜C6の低級アルキル基を示す)
で表わされるトリアルキルシリル基、たとえばtert−ブ
チルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イ
ソプロピルジメチルシリル基、イソブチルジメチルシリ
ル基、ジメチル−(1,2−ジメチルプロピル)シリル
基、ジメチル−(1,1,2−トリメチルプロピル)シリル
基、tert−ブチル基、ベンジル基、トリクロロエトキシ
カルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基あるいはp
−ニトロベンジルオキシカルボニル基等が挙げられる
が、好ましくは反応中安定であり、さらに酸処理により
選択的に脱保護されうるtert−ブチルジメチルシリル
基、イソプロピルジメチルシリル基、ジメチル−(1,1,
2−トリメチルプロピル)シリル基あるいはジメチル−
(1,2−ジメチルプロピル)シリル基がよい。
またβラクタム化合物(I)のR2,R3,R4は、メチ
ル、エチル、イソブチル、1,1,2トリメチルプロピル等
のC1〜C6の低級アルキル基、またはベンジル基、p−ニ
トロベンジル基等のアラルキル基から同一または異なつ
た基を選択できるが、好ましくはR2=R3=R4=メチルが
最適である。
これらの置換基を使用すると、目的とするβ−ラクタ
ム化合物の3−位と4−位の立体配置が望ましいトラン
ス体になり、さらにβ−ラクタム環の3−位における立
体配置が望ましい(R)体になりやすい。一般式(I)
で表わされるβ−ラクタムの立体構造については、3個
の不斉炭素が存在し、8種の立体異性体の生成が可能で
あるが、好適には3−(R)、4−(R)の立体配置と
O−保護ヒドロキシエチル基における不斉炭素の配置が
(R)の化合物が望ましい。
次に製造法を説明する。
3−位にO−保護ヒドロキシエチル基を有し、4−位
にシリル基を有するβ−ラクタム化合物の合成について
は、本発明者らはエノールシリルエーテルとクロロスル
ホニルイソシアナートとの反応で一挙に目的とするβ−
ラクタム環が形成できることを見い出し既に出願(特開
昭61−18791)したが、本発明者らは、さらに詳細な検
討を行ない、クロロスルホニルイソシアナートのかわり
にp−トルエンスルホニルイソシアナート、ベンゼンス
ルホニルイソシアナート、p−クロロベンゼンスルホニ
ルイソシアナート等の置換フエニル、フエニル、アラル
キル、低級アルキルのスルホニルイソシアナートを使用
することにより、クロロスルホニルイソシアナートを使
用した時のような不安定なものではなく安定なβ−ラク
タム化合物が得られる。また反応も温和であり、しかも
高収率で目的とするβ−ラクタム化合物が得られること
を見い出し、本発明を完成するに到つた。
即ち、一般式(III) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6の低
級アルキル基、フエニル基またはアラルキル基を示す)
で表わされるエノールシリルエーテル類を、一般式(I
V) R5−SO2−NCO (IV) (式中、R5は置換フエニル基、フエニル基、アラルキル
基、低級アルキル基を示す)で表わされる化合物と反応
させることを特徴とする、一般式(I) (式中、R1,R2,R3,R4,R5は前記と同じ)で表わされ
るβ−ラクタム化合物の製造法を内容とする。
本発明方法を反応式で示すと以下の通りである。
反応式1 本発明で使用するR5−SO2NCOは、R5が置換フエニル、
フエニル、アラルキル、低級アルキルに該当する市販品
を使用することができる。
本反応における原料のエノールシリルエーテル類とし
ては、例示すると3−tert−ブチルジメチルシリロキシ
ブテ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−tert−
ブチルジメチルシリロキシブテ−1−ニルジメチルイソ
ブチルシリルエーテル、3−tert−ブチルジメチルシリ
ロキシブテ−1−ニル−tert−ブチルジメチルシリルエ
ーテル、3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−1
−ニル−tert−ブチルメチルフエニルシリルエーテル、
3−tert−ブチルジメチルシリロキシ−ブテ−1−ニル
−tert−ブチルジフエニルシリルエーテル、3−ジメチ
ル−(1,1,2−トリメチルプロピル)シリロキシブテ−
1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−ジメチル−
(1,2−ジメチルプロピル)シリロキシブテ−1−ニル
トリメチルシリルエーテル、3−ジメチルイソプロピル
シリロキシブテ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、
3−ジメチルイソプロピルシリロキシブテ−1−ニル−
tert−ブチルジメチルシリルエーテル、3−アセトキシ
ブテ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−アセト
キシブテ−1−ニル−tert−ブチルジメチルシリルエー
テル、3−アセトキシブテ−1−ニル−tert−ブチルジ
フエニルシリルエーテル、3−tert−ブトキシ−ブテ−
1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−tert−ブトキ
シブテ−1−ニル−tert−ブチルジメチルシリルエーテ
ル、3−tert−ブトキシブテ−1−ニル−tert−ブチル
ジフエニルシリルエーテル、3−ベンジルオキシカルボ
ニルオキシブテ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、
3−ベンジルオキシカルボニルオキシブテ−1−ニル−
tert−ブチルジメチルシリルエーテル、3−ベンジルオ
キシカルボニルオキシブテ−1−ニル−tert−ブチルジ
フエニルエーテル、3−p−ニトロベンジルオキシカル
ボニルオキシブテ−1−ニルトリメチルシリルエーテ
ル、3−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシブ
テ−1−ニル−tert−ブチルジメチルシリルエーテル、
3−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシブテ−
1−ニル−tert−ブチルジフエニルシリルエーテル、3
−o−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシブテ−1
−ニルトリメチルシリルエーテル、3−o−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシブテ−1−ニル−tert−ブ
チルジメチルシリルエーテル、3−o−ニトロベンジル
オキシカルボニルオキシブテ−1−ニル−tert−ブチル
ジフエニルシリルエーテル等が採用できるが、好ましく
は、3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−1−ニ
ルトリメチルシリルエーテル、3−ジメチル−(1,1,2
−トリメチルプロピル)シリロキシブテ−1−ニルトリ
メチルシリルエーテル、3−ジメチル−(1,2−ジメチ
ルプロピル)シリロキシブテ−1−ニルトリメチルシリ
ルエーテル、3−ジメチルイソプロピルシリロキシブテ
−1−ニルトリメチルシリルエーテルが挙げられる。こ
れらの原料は3−ヒドロキシ酪酸エステルから以下の反
応式2に従つて合成できる。
反応式2 本発明化合物のβ−ラクタム化合物(I)において、
3−位側鎖のO−保護ヒドロキシエチル基の立体配置は
(R)−配置が好ましく、そのためには光学活性の3
(R)−ヒドロキシ−酪酸エステルを用いて取得される
光学活性のエノールシリルエーテル化合物を用いて、反
応式1で示されるβ−ラクタム形成反応をおこなえばよ
い。
エノールシリルエーテル類とイソシアナートの反応に
よるβ−ラクタム環形成反応では、シリルエーテル基の
種類によつて、生成するβ−ラクタムの立体配置が異な
り、チエナマイシンに代表されるカルバペネム系β−ラ
クタム抗生物質の合成における望ましい3(R)、4
(R)配置のβ−ラクタム化合物(I)を得るには、シ
リルエーテル基がトリメチルシリル基、tert−ブチルジ
メチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ジメ
チル−(1,1,2−トリメチルプロピル)シリル基等が適
している。また、エノールシリルエーテル類の水酸基の
保護基であるR1については、上記の立体化学を考慮した
点とイソシアネートとの反応性の良さからtert−ブチル
ジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ジ
メチル−(1,1,2−トリメチルプロピル)シリル基、ジ
メチル−(1,2−ジメチルプロピル)シリル基が好適で
ある。
エノールシリルエーテルとイソシアナートの反応は、
無溶媒下または塩化メチレン、クロロホルム、トルエ
ン、クメンn−ヘキサン、エチルエーテル等のイソシア
ナートおよびエノールシリルエーテルに対して不活性で
ある有機溶媒を使用して実施することができる。この際
の反応温度は−40℃から使用溶媒の沸点付近の範囲で選
択することができるが、好ましくは−20℃〜+50℃の温
度範囲でエノールシリルエーテル液にイソシアナートを
滴下することにより達成できる。エノールシリルエーテ
ルとイソシアナートのモル比は1:1の当モル付近で行な
えばよい。反応終了後、反応液を減圧下濃縮し、そのま
ま再結晶化を行なうか、あるいは反応液に水を加え、酢
酸エチル、n−ヘキサン等の有機溶媒で目的のβ−ラク
タム化合物を抽出し、硫酸マグネシウム等の脱水剤で乾
燥後、減圧下溶媒を留去して、3−位にO−保護ヒドロ
キシエチル基を有し、4−位にシリルエーテル基を有す
るβ−ラクタム化合物を取得することができる。
(実施例) 次に実施例をあげて本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例のみで限定されるものではな
く。
実施例1 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチ
ルシリロキシエチル〕−1−p−トルエンスルホニル−
4−トリメチルシリロキシアゼチジン−2−オンの合成 (3R)−3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−
1−ニル−トリメチルシリルエーテル3.06gに、N2気流
下、室温でトシルイソシアナート1.60mlを加えた。室温
で10時間撹拌すると、反応液は淡黄色の固体となつた。
約3mlのヘキサンを加えて大部分の固体を溶解した後、
約10℃で結晶化を行う。結晶析出後、溶液を除くことに
より、(3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−1−p−トルエンスルホニ
ル−4−トリメチルシロキシアゼチジン−2−オン 2.
0gを無色結晶として得た。物性値は以下の通りであつ
た。
▲〔α〕20 D▼=−6.6°(c=0.16、トルエン)1 H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(ppm):0.01(3H,s)、
0.08(3H,s)、0.27(9H,s)、0.87(9H,s)、1.24(3
H,d)、2.46(3H,s)、2.95(1H,m)、4.20(1H,m)、
5.88(1H,d)、7.36(2H,d)、7.91(2H,d) 実施例2 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチ
ルシリロキシエチル〕−1−p−トルエンスルホニル−
4−トリメチルシリロキシアゼチジン−2−オンの合成 (3R)−3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−
1−ニル−トリメチルシリルエーテル3.64gにN2気流
下、室温でトシルイソシアナート1.97mlを加えた。0℃
で10時間撹拌すると、反応液は淡黄色の固体となつた。
n−ヘキサン50mlを加えて溶解し、水50mlで2回洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。過後、減圧濃
縮により淡黄色の油状物5.5gを得た。このものをNMRで
分析すると、(3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕−1−p−トルエンス
ルホニル−4−トリメチルシロキシアゼチジン−2−オ
ンが主生成物であつた。
実施例3 (3R,4R)−3−〔(R)−1−ジメチル−(1,1,2−
トリメチルプロピル)シリロキシエチル〕−1−p−ト
ルエンスルホニル−4−トリメチルシリロキシアゼチジ
ン−2−オンの合成 (3R)−3−ジメチル−(1,1,2−トリメチルプロピ
ル)シリロキシブテ−1−ニル−トリメチルシリルエー
テル1.0g(トランス体とシス体の比が12:1の混合物)を
クロロホルム5mlに加え、N2気流下室温でトシルイソシ
アナート0.65gを10分かけて添加した。室温で8時間反
応後、水10mlとヘキサン20mlで抽出後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。減圧濃縮により溶媒を留去して、目的の
β−ラクタムを主として含有する粗生成物1.3gを得た。
(3R,4R,5R)体の1H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(pp
m)は以下の通りであつた。
0.02(6H,s)、0.08(9H,s)、0.72(6H,s)、0.75(6
H,d)、1.12(3H,d)、1.48(1H,m)、2.46(3H,s)、
2.85(1H,dd)、4.09(1H,m)、5.30(1H,d)、7.36(2
H,d)、7.91(2H,d) 実施例4 (3R,4R)−3−〔(R)−ジメチル−(1,2ジメチル
プロピル)シリロキシエチル〕−1−p−トルエンスル
ホニル−4−トリメチルシリロキシアゼチジン−2−オ
ンの合成 (3R)−3−ジメチル−(1,2ジメチルプロピル)シ
リロキシブテ−1−ニル−トリメチルシリルエーテル1.
0g(トランス体とシス体の比が12:1の混合物)をクロロ
ホルム5mlに加え、N2気流下室温でトシルイソシアナー
ト0.68gを10分かけて添加した。30℃で10時間反応後、
水10mlとヘキサン20mlで抽出後、硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮により溶媒を留去して、目的のβ−ラ
クタムを主として含有する粗生成物1.4gを得た。
(3R,4R,5R)体の1H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(pp
m)は以下の通りであつた。
0.01(6H,s)、0.30(9H,s)、0.85(10H,m)、1.24(3
H,d)、1.80(1H,m)、2.45(3H,s)、2.95(1H,m)、
4.20(1H,m)、5.87(1H,d)、7.37(2H,d)、7.92(2
H,d) 実施例5 (3R,4R)−3−〔(R)−ジメチル−(イソプロピ
ル)シリロキシエチル〕−1−p−トルエンスルホニル
−4−トリメチルシリロキシアゼチジン−2−オンの合
成 (3R)−3−ジメチル−(イソプロピル)シリロキシ
ブテ−1−ニル−トリメチルシリルエーテル1.0g(トラ
ンス体とシス体の比が12:1の混合物)をクロロホルム5m
lに加え、N2気流下室温でトシルイソシアナート0.76gを
10分かけて添加した。室温で10時間反応後、水10mlとヘ
キサン20mlで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥した。減
圧濃縮により溶媒を留去して、目的のβ−ラクタムを主
として含有する粗生成物1.4gを得た。
(3R,4R,5R)体の1H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(pp
m)は以下の通りであつた。
0.07(6H,s)、0.92(7H)、1.22(3H,d)、2.46(3H,
s)、2.84(1H,dd)、4.06(1H,m)、5.21(1H,d)、7.
35(2H,d)、7.92(2H,d) 実施例6 1−ベンゼンスルホニル−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシ
リロキシアゼチジン−2−オンの合成 (3R)−3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−
1−ニル−トリメチルシリルエーテル1.06gをクロロホ
ルム4mlに溶解し、N2雰囲気下で、氷冷下、ベンゼンス
ルホニルイソシアナート0.57mlを滴下した。室温で24時
間撹拌後、溶媒を留去すると、(3R,4R)−1−ベンゼ
ンスルホニル−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチ
ルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシアゼ
チジン−2−オンと(3S,4S)−1−ベンゼンスルホニ
ル−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロキ
シエチル〕−4−トリメチルシリロキシアゼチジン−2
−オンを5.5:1で含む混合物1.92gを得た。1 H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(ppm):(3R,4R)体:0.
01(3H,s)、0.08(3H,s)、0.27(9H,s)、0.86(9H,
s)、1.21(3H,d)、2.9(1H,m)、4.2(1H,m)、5.90
(1H,d)、7.5〜8.1(5H,m) (3S,4S)体:0.01(3H,s)、0.08(3H,s)、0.27(9
H,s)、0.86(9H,s)、1.21(3H,d)、2.9(1H,m)、4.
2(1H,m)、5.69(1H,d)、7.5〜8.1(5H,m) 実施例7 3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロキシ
エチル〕−1−(4−クロロベンゼンスルホニル)−4
−トリメチルシリロキシアゼチジン−2−オンの合成 (3R)−3−tert−ブチルジメチルシリロキシブテ−
1−ニル−トリメチルシリルエーテル0.93gをクロロホ
ルム4mlに溶解し、N2雰囲気下で、4−クロロベンゼン
スルホニルイソシアナート0.5mlを加えた。室温で24時
間反応させ、溶媒を減圧下で留去すると、3−〔(R)
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−1−(4
−クロロベンゼンスルホニル)−4−トリメチルシリロ
キシアゼチジン−2−オンを主として含有する粗生成物
1.72gが得られ、(3R,4R):(3S,4S)=5:1であつた。1 H−NMR(90MHz、CDCl3) δ(ppm):(3R,4R)体:0.
01(3H,s)、0.08(3H,s)、0.27(9H,s)、0.87(9H,
s)、1.23(3H,d)、2.9(1H,m)、4.2(1H,m)、5.94
(1H,d)、7.52(2H,d)、7.95(2H,d) (3S,4S)体:
0.01(3H,s)、0.08(3H,s)、0.27(9H,s)、0.87(9
H,s)、1.23(3H,d)、2.9(1H,m)、4.2(1H,m)、5.7
0(1H,d)、7.52(2H,d)、7.92(2H,d)

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6の低
    級アルキル基、フエニル基またはアラルキル基、R5は置
    換フエニル基、低級アルキル基、アラルキル基、フエニ
    ル基を示す) で表わされるβ−ラクタム化合物。
  2. 【請求項2】R1が一般式(II) (式中、R6,R7,R8はC1〜C6の低級アルキル基を示す)
    で表わされる特許請求の範囲第1項記載の化合物。
  3. 【請求項3】R1がt−ブチルジメチルシリル基である特
    許請求の範囲第2項記載の化合物。
  4. 【請求項4】R1がイソプロピルジメチルシリル基である
    特許請求の範囲第1項記載の化合物。
  5. 【請求項5】R1がジメチル−(1,1,2−トリメチルプロ
    ピル)シリル基である特許請求の範囲第1項記載の化合
    物。
  6. 【請求項6】R1がジメチル−(1,2−ジメチルプロピ
    ル)シリル基である特許請求の範囲第1項記載の化合
    物。
  7. 【請求項7】R2,R3,R4がメチル基である特許請求の範
    囲第1項記載の化合物。
  8. 【請求項8】R5がトリル基である特許請求の範囲第1項
    記載の化合物。
  9. 【請求項9】R5がフエニル基である特許請求の範囲第1
    項記載の化合物。
  10. 【請求項10】R5がクロロフエニル基である特許請求の
    範囲第1項記載の化合物。
  11. 【請求項11】一般式(III) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6の低
    級アルキル基、フエニル基またはアラルキル基を示す) で表わされるエノールシリルエーテル類を一般式(IV) R5−SO2−NCO (IV) (R5は置換フエニル基、フエニル基、アラルキル基、低
    級アルキル基を示す) で表わされる化合物と反応させることを特徴とする、一
    般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6の低
    級アルキル基、フエニル基またはアラルキル基、R5は置
    換フエニル基、フエニル基、アラルキル基、低級アルキ
    ル基を示す) で表わされるβ−ラクタム化合物の製造法。
  12. 【請求項12】R1が一般式(II) (式中、R6,R7,R8はC1〜C6の低級アルキル基を示す)
    で表わされる特許請求の範囲第11項記載の製造法。
  13. 【請求項13】R1がイソプロピルジメチルシリル基であ
    る特許請求の範囲第11項記載の製造法。
  14. 【請求項14】R1がジメチル−(1,1,2−トリメチルプ
    ロピル)シリル基である特許請求の範囲第11項記載の製
    造法。
  15. 【請求項15】R1がジメチル−(1,2−ジメチルプロピ
    ル)シリル基である特許請求の範囲第11項記載の製造
    法。
  16. 【請求項16】R2,R3,R4がメチル基である特許請求の
    範囲第11項記載の製造法。
  17. 【請求項17】R5がトリル基である特許請求の範囲第11
    項記載の製造法。
  18. 【請求項18】R5がフエニル基である特許請求の範囲第
    11項記載の製造法。
  19. 【請求項19】R5がクロロフエニル基である特許請求の
    範囲第11項記載の製造法。
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