JPH08139011A - 半導体の感光膜形成方法 - Google Patents
半導体の感光膜形成方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単層の感光膜を形成するとき発生する切欠加
工現象を防止し、屈曲度の大きい層上にも所望する寸法
の感光膜を正確に形成し得る半導体の感光膜形成方法を
提供する。 【構成】 基板１１上の最上層１２表面に感光膜１３を
コーティングして該感光膜１３上に窪み部を形成し、該
窪み部に無機質層１６を形成して該無機質層１６をマス
クに利用し、感光膜１３を除去して最上層を食刻する。
工現象を防止し、屈曲度の大きい層上にも所望する寸法
の感光膜を正確に形成し得る半導体の感光膜形成方法を
提供する。 【構成】 基板１１上の最上層１２表面に感光膜１３を
コーティングして該感光膜１３上に窪み部を形成し、該
窪み部に無機質層１６を形成して該無機質層１６をマス
クに利用し、感光膜１３を除去して最上層を食刻する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の感光膜（Resi
st）を形成する方法に関するものであり、詳しくは、感
光膜上に無機質層を形成し、該無機質層をマスク層に利
用して感光膜を正確に形成し得るようにした、半導体の
感光膜形成方法に関するものである。
st）を形成する方法に関するものであり、詳しくは、感
光膜上に無機質層を形成し、該無機質層をマスク層に利
用して感光膜を正確に形成し得るようにした、半導体の
感光膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常の半導体装置製造方法においては、
多様な工程を利用して基板上に積層を行なうので、該基
板上に形成される最上層の表面には、相当な屈曲部位が
形成される。寸法の大きい半導体においては、感光膜の
コーティングされる層の屈曲度は該半導体の製造にそれ
ほど影響を及ぼさないが、寸法の小さい半導体において
は、感光膜のコーティングされる層の屈曲度は、半導体
製造に多大な影響を及ぼすようになる。したがって、単
層の感光膜を利用し基板上の最上層を所望のパターンに
形成する場合、該感光膜のコーティングされる層の段差
により露光時に光が散乱し該感光膜が切欠加工されるた
め、該感光膜のコーティングされる層の表面を平坦化さ
せる方法を採用していた。
多様な工程を利用して基板上に積層を行なうので、該基
板上に形成される最上層の表面には、相当な屈曲部位が
形成される。寸法の大きい半導体においては、感光膜の
コーティングされる層の屈曲度は該半導体の製造にそれ
ほど影響を及ぼさないが、寸法の小さい半導体において
は、感光膜のコーティングされる層の屈曲度は、半導体
製造に多大な影響を及ぼすようになる。したがって、単
層の感光膜を利用し基板上の最上層を所望のパターンに
形成する場合、該感光膜のコーティングされる層の段差
により露光時に光が散乱し該感光膜が切欠加工されるた
め、該感光膜のコーティングされる層の表面を平坦化さ
せる方法を採用していた。
【０００３】しかしながら、半導体が漸次高集積化さ
れ、該半導体基板上に形成された層の段差が１μｍより
も大きい場合は、単層の感光膜を利用して半導体を製造
するとき、最上層の屈曲によりかなりの切欠加工（Notc
hing）現象が発生し、臨界寸法ＣＤ（Critical Dimensi
on）を正確に制御することが難しくなって、半導体の信
頼性が低下されるという問題があった。かつ、このよう
な問題を解決するため、二重または三重の多重感光膜を
利用したＭＬＲ（Multi-Layer Resist）工程により前記
臨界寸法ＣＤを制御していたが、この方法は製造工程が
煩雑で原価が上昇するという問題点があった。
れ、該半導体基板上に形成された層の段差が１μｍより
も大きい場合は、単層の感光膜を利用して半導体を製造
するとき、最上層の屈曲によりかなりの切欠加工（Notc
hing）現象が発生し、臨界寸法ＣＤ（Critical Dimensi
on）を正確に制御することが難しくなって、半導体の信
頼性が低下されるという問題があった。かつ、このよう
な問題を解決するため、二重または三重の多重感光膜を
利用したＭＬＲ（Multi-Layer Resist）工程により前記
臨界寸法ＣＤを制御していたが、この方法は製造工程が
煩雑で原価が上昇するという問題点があった。
【０００４】そこで、近来単層の感光膜を利用し、該感
光膜のコーティングされる層の段差による問題点を解決
する方法として、感光膜の表面を物理または化学的に除
去し、Ｏ2 反応性イオン食刻法により残余の感光膜を除
去するシリレーション（Silylation）方式、ＣＥＭ（Co
ntact Enhancement Material）方式、ＡＲＣ（Anti Ref
lective Coating ）方式、アルカリン処理式（Alkaline
Treatment) 等が採用されている。
光膜のコーティングされる層の段差による問題点を解決
する方法として、感光膜の表面を物理または化学的に除
去し、Ｏ2 反応性イオン食刻法により残余の感光膜を除
去するシリレーション（Silylation）方式、ＣＥＭ（Co
ntact Enhancement Material）方式、ＡＲＣ（Anti Ref
lective Coating ）方式、アルカリン処理式（Alkaline
Treatment) 等が採用されている。
【０００５】すなわち、図３（Ａ）にに示したように、
まず通常の工程を利用し、基板１上面に所望の層を順次
積層し、該層上に最上層２を形成するが、この場合、該
最上層２の表面は相当な屈曲を有する。その後、該最上
層２をパターニングするため、該最上層２表面上に単層
の感光膜３をコーティングする。
まず通常の工程を利用し、基板１上面に所望の層を順次
積層し、該層上に最上層２を形成するが、この場合、該
最上層２の表面は相当な屈曲を有する。その後、該最上
層２をパターニングするため、該最上層２表面上に単層
の感光膜３をコーティングする。
【０００６】次いで、図３（Ｂ）に示したように、該感
光膜３と光源間に、クローム層５を有するマスク４を形
成し、該マスク４のクローム層５により露光された光を
遮断する。すなわち、該マスク４のクローム層５下方側
の感光膜３上には露光された光が照射されず、一方、該
マスク４のクローム層５を除いたマスクの他の石英（Qu
artz）領域からは露光を通過させ感光膜３の該当領域に
光が照射されるようにする。しかしながら、この場合、
実質的には、前記マスク４のクローム層５により露光が
遮断されて該マスク４のクローム層５下方側の感光膜３
領域には光が照射されないが、該マスク４のクローム層
５以外の透明な石英を通過した露光は感光膜３の該当領
域以外の他の領域と最上層２とに照射され、該最上層２
表面から反射して感光膜３の他の領域に再び照射され、
潜在的イメージ（Image ）がマスクのクローム層５下方
側の感光膜３領域に形成される。
光膜３と光源間に、クローム層５を有するマスク４を形
成し、該マスク４のクローム層５により露光された光を
遮断する。すなわち、該マスク４のクローム層５下方側
の感光膜３上には露光された光が照射されず、一方、該
マスク４のクローム層５を除いたマスクの他の石英（Qu
artz）領域からは露光を通過させ感光膜３の該当領域に
光が照射されるようにする。しかしながら、この場合、
実質的には、前記マスク４のクローム層５により露光が
遮断されて該マスク４のクローム層５下方側の感光膜３
領域には光が照射されないが、該マスク４のクローム層
５以外の透明な石英を通過した露光は感光膜３の該当領
域以外の他の領域と最上層２とに照射され、該最上層２
表面から反射して感光膜３の他の領域に再び照射され、
潜在的イメージ（Image ）がマスクのクローム層５下方
側の感光膜３領域に形成される。
【０００７】次いで、図３（Ｃ）に示したように、前記
マスク４の石英部に該当する感光膜３領域のみならず、
該マスク４のクローム層５に該当する感光膜３領域も露
光の現像により除去され、感光膜３の上部幅Ｗ２よりも
感光膜３の下部幅Ｗ１が小さく形成される。
マスク４の石英部に該当する感光膜３領域のみならず、
該マスク４のクローム層５に該当する感光膜３領域も露
光の現像により除去され、感光膜３の上部幅Ｗ２よりも
感光膜３の下部幅Ｗ１が小さく形成される。
【０００８】次いで、図３（Ｄ）に示したように、前記
露光により現像された感光膜３を硬化させ、該硬化され
た感光膜３をマスク層に利用し、露出された最上層２を
食刻して該最上層２を形成するが、この場合、形成され
る最上層２は所望の幅よりも実質的に小さく形成され
る。
露光により現像された感光膜３を硬化させ、該硬化され
た感光膜３をマスク層に利用し、露出された最上層２を
食刻して該最上層２を形成するが、この場合、形成され
る最上層２は所望の幅よりも実質的に小さく形成され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体の感光膜の形成方法においては、基板
上に積層される最上層表面の屈曲部位により半導体製造
時の露光が散乱され、感光膜のプロファイル（Profile
）が悪くなって臨界寸法ＣＤを正確に制御することが
難しくなるという不都合な点があった。
うな従来の半導体の感光膜の形成方法においては、基板
上に積層される最上層表面の屈曲部位により半導体製造
時の露光が散乱され、感光膜のプロファイル（Profile
）が悪くなって臨界寸法ＣＤを正確に制御することが
難しくなるという不都合な点があった。
【００１０】かつ、所望の感光膜パターンとは異なる感
光膜パターンを実質的に得るようになるため、高集積化
および高解像度用の半導体製造用には適用することがで
きないという不都合な点があった。
光膜パターンを実質的に得るようになるため、高集積化
および高解像度用の半導体製造用には適用することがで
きないという不都合な点があった。
【００１１】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
単層の感光膜を形成するとき発生する切欠加工現象を防
止し、屈曲度の大きい層上にも所望する寸法の感光膜を
正確に形成し得る、半導体感光膜の形成方法を提供する
ことにある。
単層の感光膜を形成するとき発生する切欠加工現象を防
止し、屈曲度の大きい層上にも所望する寸法の感光膜を
正確に形成し得る、半導体感光膜の形成方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による半
導体の感光膜形成方法は、半導体基板上に感光膜を形成
する方法であって、基板上に形成すべき各層を積層する
段階と、それら各層の最上層表面に感光膜をコーティン
グする段階と、該感光膜上部所定領域に窪み部を形成す
る段階と、該窪み部内に無機質層を形成する段階と、該
無機質層をマスクに利用し感光膜を除去する段階とを備
えることを特徴としている。
導体の感光膜形成方法は、半導体基板上に感光膜を形成
する方法であって、基板上に形成すべき各層を積層する
段階と、それら各層の最上層表面に感光膜をコーティン
グする段階と、該感光膜上部所定領域に窪み部を形成す
る段階と、該窪み部内に無機質層を形成する段階と、該
無機質層をマスクに利用し感光膜を除去する段階とを備
えることを特徴としている。
【００１３】請求項２の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項１の発明において、感光膜は物理的方法
により除去されることを特徴としている。
方法は、請求項１の発明において、感光膜は物理的方法
により除去されることを特徴としている。
【００１４】請求項３の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項２の発明において、感光膜は、酸素Ｏ2
プラズマ方法により除去されることを特徴としている。
方法は、請求項２の発明において、感光膜は、酸素Ｏ2
プラズマ方法により除去されることを特徴としている。
【００１５】請求項４の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項２の発明において、感光膜は、アルゴン
スＡｒスパッタリング方法により除去されることを特徴
としている。
方法は、請求項２の発明において、感光膜は、アルゴン
スＡｒスパッタリング方法により除去されることを特徴
としている。
【００１６】請求項５の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項１の発明において、感光膜の窪み部は、
該感光膜を露光および現像させ、該感光膜の全体厚さの
３０％以内の深さまで除去して形成されることを特徴と
している。
方法は、請求項１の発明において、感光膜の窪み部は、
該感光膜を露光および現像させ、該感光膜の全体厚さの
３０％以内の深さまで除去して形成されることを特徴と
している。
【００１７】請求項６の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
不足露光および最適現像を施して形成されることを特徴
としている。
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
不足露光および最適現像を施して形成されることを特徴
としている。
【００１８】請求項７の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
不足露光および不足現像を施して形成されることを特徴
としている。
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
不足露光および不足現像を施して形成されることを特徴
としている。
【００１９】請求項８の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
最適露光および不足現像を施して形成されることを特徴
としている。
方法は、請求項５の発明において、感光膜の窪み部は、
最適露光および不足現像を施して形成されることを特徴
としている。
【００２０】請求項９の発明による半導体の感光膜形成
方法は、請求項５の発明において、感光膜は、８０ｍＪ
／ｃｍ2 ないし３００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギで露光さ
れることを特徴としている。
方法は、請求項５の発明において、感光膜は、８０ｍＪ
／ｃｍ2 ないし３００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギで露光さ
れることを特徴としている。
【００２１】請求項１０の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項５の発明において、感光膜は、５〜５
０秒の間現像されることを特徴としている。
成方法は、請求項５の発明において、感光膜は、５〜５
０秒の間現像されることを特徴としている。
【００２２】請求項１１の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項１の発明において、無機質層は、感光
膜上に蒸着された後、エッチバックされ平坦化されるこ
とを特徴としている。
成方法は、請求項１の発明において、無機質層は、感光
膜上に蒸着された後、エッチバックされ平坦化されるこ
とを特徴としている。
【００２３】請求項１２の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項１の発明において、感光膜は、該感光
膜表面に無機質層が蒸着される以前に、段階的に熱処理
が施されることを特徴としている。
成方法は、請求項１の発明において、感光膜は、該感光
膜表面に無機質層が蒸着される以前に、段階的に熱処理
が施されることを特徴としている。
【００２４】請求項１３の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項１２の発明において、感光膜の熱処理
は、１１０〜３００℃で段階的に行なわれることを特徴
としている。
成方法は、請求項１２の発明において、感光膜の熱処理
は、１１０〜３００℃で段階的に行なわれることを特徴
としている。
【００２５】請求項１４の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項１３の発明において、感光膜の熱処理
は、１３０℃、１６０℃、１９０℃、２３０℃でそれぞ
れ２分間ずつ段階的に行なわれることを特徴としてい
る。
成方法は、請求項１３の発明において、感光膜の熱処理
は、１３０℃、１６０℃、１９０℃、２３０℃でそれぞ
れ２分間ずつ段階的に行なわれることを特徴としてい
る。
【００２６】請求項１５の発明による半導体の感光膜形
成方法は、請求項１の発明において、感光膜は、ノボラ
ック樹脂（Novolac Resin ）と、ナフトキノン−ジアジ
ド−スルフォネート−エステル化合物（Naphthoquinone
Diazide-sulfonate-ester Compound ）とを含むことを
特徴としている。
成方法は、請求項１の発明において、感光膜は、ノボラ
ック樹脂（Novolac Resin ）と、ナフトキノン−ジアジ
ド−スルフォネート−エステル化合物（Naphthoquinone
Diazide-sulfonate-ester Compound ）とを含むことを
特徴としている。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し、図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２８】本発明に係る半導体の感光膜形成方法の第
１実施例においては、図１（Ａ）に示したように、ま
ず、基板として、たとえば、単結晶シリコン基板１１上
に複数の層が積層され、上部に最上層１２が積層される
が、この場合、該最上層１２表面には相当な屈曲が形成
される。その後、段差が１μｍ程度の最上層１２を形成
するため、該最上層１２表面上に単層のポジティブ（Po
sitive）感光膜１３を１．５μｍ程度の厚さにコーティ
ングする。この場合、該感光膜１３は、ノボラック樹脂
（Novolac Resin ）と、ナフトキノン−ジアジド−スル
フォネート−エステル化合物（Naphthoquinone Diazide
-sulfonate-ester Compound ）とを包含する感光膜であ
る。
１実施例においては、図１（Ａ）に示したように、ま
ず、基板として、たとえば、単結晶シリコン基板１１上
に複数の層が積層され、上部に最上層１２が積層される
が、この場合、該最上層１２表面には相当な屈曲が形成
される。その後、段差が１μｍ程度の最上層１２を形成
するため、該最上層１２表面上に単層のポジティブ（Po
sitive）感光膜１３を１．５μｍ程度の厚さにコーティ
ングする。この場合、該感光膜１３は、ノボラック樹脂
（Novolac Resin ）と、ナフトキノン−ジアジド−スル
フォネート−エステル化合物（Naphthoquinone Diazide
-sulfonate-ester Compound ）とを包含する感光膜であ
る。
【００２９】次いで、図１（Ｂ）に示したように、キャ
ノン（Canon ）社製のステッパー（Stepper ：モデル名
２０００ｉｌ）光源から８０ｍｌ／ｃｍ2 ないし３００
ｍｌ／ｃｍ2 のエネルギの光を放出させ、クローム層１
５を有したマスク１４を利用し、前記感光膜１３を不足
露光（Under Exposure）させる。この場合、露光された
光は、マスク１４の不透明なクローム層１５により遮断
され該マスク１４のクローム層１５下方側の感光膜１３
領域には照射されないが、該マスク１４の透明な石英
（Quartz）を通過して下方側の感光膜１３該当表面部の
感光膜１３全体厚さの３０％以内の深さまで照射され
る。したがって、従来のように、屈曲度が大きく段差の
甚しい最上層１２の表面には露光が照射されないので、
該最上層１２表面から反射光が発散し、感光膜のクロー
ム層１５該当領域に潜在的イメージ（Image ）が形成さ
れなくなる。
ノン（Canon ）社製のステッパー（Stepper ：モデル名
２０００ｉｌ）光源から８０ｍｌ／ｃｍ2 ないし３００
ｍｌ／ｃｍ2 のエネルギの光を放出させ、クローム層１
５を有したマスク１４を利用し、前記感光膜１３を不足
露光（Under Exposure）させる。この場合、露光された
光は、マスク１４の不透明なクローム層１５により遮断
され該マスク１４のクローム層１５下方側の感光膜１３
領域には照射されないが、該マスク１４の透明な石英
（Quartz）を通過して下方側の感光膜１３該当表面部の
感光膜１３全体厚さの３０％以内の深さまで照射され
る。したがって、従来のように、屈曲度が大きく段差の
甚しい最上層１２の表面には露光が照射されないので、
該最上層１２表面から反射光が発散し、感光膜のクロー
ム層１５該当領域に潜在的イメージ（Image ）が形成さ
れなくなる。
【００３０】その後、前記感光膜１３を、５秒〜５０秒
の間、現像または不足現像させて該感光膜１３の不足露
光された部位を除去し、前記マスク１４のクローム層１
５の幅と同様な直径を有する窪み部を感光膜１３表面上
に形成する。
の間、現像または不足現像させて該感光膜１３の不足露
光された部位を除去し、前記マスク１４のクローム層１
５の幅と同様な直径を有する窪み部を感光膜１３表面上
に形成する。
【００３１】次いで、該現像された感光膜１３を１１０
℃〜３００℃で段階的に熱処理するが、好ましくは、１
３０℃、１６０℃、１９０℃、２３０℃でそれぞれ２分
間ベーキング（baking）させる。
℃〜３００℃で段階的に熱処理するが、好ましくは、１
３０℃、１６０℃、１９０℃、２３０℃でそれぞれ２分
間ベーキング（baking）させる。
【００３２】その後、図１（Ｃ）に示したように、プラ
ズマ化学蒸着法を利用し、該感光膜１３表面上に酸化膜
を１９０℃で２０００Åの厚さに蒸着させ、無機質層１
６を形成する。
ズマ化学蒸着法を利用し、該感光膜１３表面上に酸化膜
を１９０℃で２０００Åの厚さに蒸着させ、無機質層１
６を形成する。
【００３３】次いで、図１（Ｄ）に示したように、前記
感光膜１３表面が露出されるまで前記無機質層１６をエ
ッチバック（Etch-back ）またはＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing ）させ、該無機質層１６を感光膜１
３の窪み部のみに残留させる。
感光膜１３表面が露出されるまで前記無機質層１６をエ
ッチバック（Etch-back ）またはＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing ）させ、該無機質層１６を感光膜１
３の窪み部のみに残留させる。
【００３４】その後、図１（Ｅ）に示したように、該無
機質層１６をマスク層に利用し、前記感光膜１３を酸素
Ｏ2 プラズマまたはアルゴンＡｒスパッタリングのよう
な物理的方法により食刻させる。この場合の食刻方法
は、３５Ｏ2 、１０Ａｒ、３０Ｇａｕｓｓ、４５０Ｗａ
ｔｔ、１０ｍＴｏｒｒで、終了点（End of Point）は１
６０秒であり、オーバーエッチ（Over Etch ）は４０秒
である。その後、それら無機質層１６および感光膜１３
をマスクに利用し、前記最上層１２を選択的に食刻して
所望の正確なパターンを得る。
機質層１６をマスク層に利用し、前記感光膜１３を酸素
Ｏ2 プラズマまたはアルゴンＡｒスパッタリングのよう
な物理的方法により食刻させる。この場合の食刻方法
は、３５Ｏ2 、１０Ａｒ、３０Ｇａｕｓｓ、４５０Ｗａ
ｔｔ、１０ｍＴｏｒｒで、終了点（End of Point）は１
６０秒であり、オーバーエッチ（Over Etch ）は４０秒
である。その後、それら無機質層１６および感光膜１３
をマスクに利用し、前記最上層１２を選択的に食刻して
所望の正確なパターンを得る。
【００３５】また、本発明に係る半導体の感光膜形成方
法の第２実施例として、次のように行なうことができ
る。
法の第２実施例として、次のように行なうことができ
る。
【００３６】すなわち、図２（Ａ）に示したように、基
板１１上に複数の層を積層した後最上層１２を積層し、
該最上層１２表面に前記第１実施例と同様な感光膜１３
をコーティングし、該感光膜１３上に光源からの光をク
ローム層１５を有したマスク１４の石英部を通し、最適
に露光（Optimal Exposure）させる。すなわち、光源か
ら露光された光をマスク１４の不透明なクローム層１５
により遮断して該マスクのクローム層下方側の感光膜１
３領域への照射を遮断させ、該マスクの透明な石英（Qu
artz）を通し感光膜１３の該当領域および最上層１２ま
で照射させる。したがって、該マスク１４の透明な石英
を通過し感光膜１３および最上層１２上に照射された光
は屈曲の大きい最上層１２表面から反射され、潜在的イ
メージが感光膜１３のクローム層該当領域に形成され
る。
板１１上に複数の層を積層した後最上層１２を積層し、
該最上層１２表面に前記第１実施例と同様な感光膜１３
をコーティングし、該感光膜１３上に光源からの光をク
ローム層１５を有したマスク１４の石英部を通し、最適
に露光（Optimal Exposure）させる。すなわち、光源か
ら露光された光をマスク１４の不透明なクローム層１５
により遮断して該マスクのクローム層下方側の感光膜１
３領域への照射を遮断させ、該マスクの透明な石英（Qu
artz）を通し感光膜１３の該当領域および最上層１２ま
で照射させる。したがって、該マスク１４の透明な石英
を通過し感光膜１３および最上層１２上に照射された光
は屈曲の大きい最上層１２表面から反射され、潜在的イ
メージが感光膜１３のクローム層該当領域に形成され
る。
【００３７】次いで、感光膜１３を５秒〜５０秒の間不
足現像（Under Development ）させ、該感光膜１３の露
光された部分を該感光膜１３の厚さの３０％以内の深さ
まで除去する。したがって、前記マスクのクローム層１
５下方側の感光膜１３下部はは、既に形成された潜在イ
メージにかかわりなく除去されなくなる。その結果、感
光膜１３上面に形成された窪み部の幅は、マスク１４の
クローム層５間の幅と同様になる。
足現像（Under Development ）させ、該感光膜１３の露
光された部分を該感光膜１３の厚さの３０％以内の深さ
まで除去する。したがって、前記マスクのクローム層１
５下方側の感光膜１３下部はは、既に形成された潜在イ
メージにかかわりなく除去されなくなる。その結果、感
光膜１３上面に形成された窪み部の幅は、マスク１４の
クローム層５間の幅と同様になる。
【００３８】その後、図２（Ｂ）に示したように、現像
された感光膜１３を１１０℃ないし３００℃の範囲でベ
ーキング（baking）し、プラズマ化学蒸着方法により該
感光膜１３表面上に２０００Åの厚さで無機質層１６の
酸化膜を蒸着する。この場合、無機質層１６をエッチバ
ックするときは、前記第１実施例の場合よりも容易に行
なうことができる。
された感光膜１３を１１０℃ないし３００℃の範囲でベ
ーキング（baking）し、プラズマ化学蒸着方法により該
感光膜１３表面上に２０００Åの厚さで無機質層１６の
酸化膜を蒸着する。この場合、無機質層１６をエッチバ
ックするときは、前記第１実施例の場合よりも容易に行
なうことができる。
【００３９】その後、図２（Ｃ）に示したように、該無
機質層１６を感光膜１３表面が露出されるまでエッチバ
ック（Etch-back ）し、該感光膜１３の窪み部にのみ残
留させる。
機質層１６を感光膜１３表面が露出されるまでエッチバ
ック（Etch-back ）し、該感光膜１３の窪み部にのみ残
留させる。
【００４０】次いで、図２（Ｄ）に示したように、該無
機質層１６をマスク層に利用し、前記感光膜１３を酸素
Ｏ2 プラズマまたはアルゴンＡｒスパッタリングのよう
な物理的食刻法により除去し、それら無機質層１６およ
び感光膜１３をマスク層に利用して前記最上層１２を選
択的に食刻し、所望の正確なパターンを得る。
機質層１６をマスク層に利用し、前記感光膜１３を酸素
Ｏ2 プラズマまたはアルゴンＡｒスパッタリングのよう
な物理的食刻法により除去し、それら無機質層１６およ
び感光膜１３をマスク層に利用して前記最上層１２を選
択的に食刻し、所望の正確なパターンを得る。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体の感光膜形成方法によれば、感光膜上部に窪み部を形
成し、該窪み部内に無機質層を形成し、該無機質層をマ
スクに利用して感光膜を除去し、最上層を食刻して所望
のパターンを正確に得るようになっている。そのため、
従来感光膜を形成するとき発生する切欠加工現象を防止
し、屈曲度の大きい層上に感光膜を正確に形成し、高集
積度および高解像度の半導体製造に適用し得るという効
果がある。
体の感光膜形成方法によれば、感光膜上部に窪み部を形
成し、該窪み部内に無機質層を形成し、該無機質層をマ
スクに利用して感光膜を除去し、最上層を食刻して所望
のパターンを正確に得るようになっている。そのため、
従来感光膜を形成するとき発生する切欠加工現象を防止
し、屈曲度の大きい層上に感光膜を正確に形成し、高集
積度および高解像度の半導体製造に適用し得るという効
果がある。
【図１】本発明に係る半導体感光膜形成方法の第１実施
例を示した工程図である。
例を示した工程図である。
【図２】本発明に係る半導体感光膜形成方法の第２実施
例を示した工程図である。
例を示した工程図である。
【図３】従来の感光膜形成方法を示した工程図である。
１ 基板 ２ 最上層 ３ 感光膜 ４ マスク ５ クローム層 １１ 基板 １２ 最上層 １３ 感光膜 １４ マスク １５ クローム層 １６ 無機質層
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体基板上に感光膜を形成する方法で
あって、 基板上に形成すべき各層を積層する段階と、 それら各層の最上層表面に感光膜をコーティングする段
階と、 該感光膜上部所定領域に窪み部を形成する段階と、 該窪み部内に無機質層を形成する段階と、 該無機質層をマスクに利用し前記感光膜を除去する段階
と、 を備えることを特徴とする、半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項２】 前記感光膜は、物理的方法により除去さ
れる、請求項１記載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項３】 前記感光膜は、酸素プラズマ方法により
除去される、請求項２記載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項４】 前記感光膜は、アルゴンスパッタリング
方法により除去される、請求項２記載の半導体の感光膜
形成方法。 - 【請求項５】 前記感光膜の窪み部は、該感光膜を露光
および現像させ、該感光膜の全体厚さの３０％以内の深
さまで除去して形成される、請求項１記載の半導体の感
光膜形成方法。 - 【請求項６】 前記感光膜の窪み部は、不足露光および
最適現像を施して形成される、請求項５記載の半導体の
感光膜形成方法。 - 【請求項７】 前記感光膜の窪み部は、不足露光および
不足現像を施して形成される、請求項５記載の半導体の
感光膜形成方法。 - 【請求項８】 前記感光膜の窪み部は、最適露光および
不足現像を施して形成される、請求項５記載の半導体の
感光膜形成方法。 - 【請求項９】 前記感光膜は、８０ｍＪ／ｃｍ2 ないし
３００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギで露光される、請求項５
記載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項１０】 前記感光膜は、５〜５０秒の間現像さ
れる、請求項５記載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項１１】 前記無機質層は、前記感光膜上に蒸着
された後、エッチバックされ平坦化される、請求項１記
載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項１２】 前記感光膜は、該感光膜表面に前記無
機質層が蒸着される以前に、段階的に熱処理が施され
る、請求項１記載の半導体の感光膜形成方法。 - 【請求項１３】 前記感光膜の熱処理は、１１０〜３０
０℃で段階的に行なわれる、請求項１２記載の半導体の
感光膜形成方法。 - 【請求項１４】 前記感光膜の熱処理は、１３０℃、１
６０℃、１９０℃、２３０℃でそれぞれ２分間ずつ段階
的に行なわれる、請求項１３記載の半導体の感光膜形成
方法。 - 【請求項１５】 前記感光膜は、ノボラック樹脂と、ナ
フトキノン−ジアジド−スルフォネート−エステル化合
物とを含む、請求項１記載の半導体の感光膜形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR94P29650 | 1994-11-11 | ||
| KR1019940029650A KR0141941B1 (ko) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 감광막의 패터닝방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139011A true JPH08139011A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=19397722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002952A Pending JPH08139011A (ja) | 1994-11-11 | 1995-01-12 | 半導体の感光膜形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5609994A (ja) |
| JP (1) | JPH08139011A (ja) |
| KR (1) | KR0141941B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6373533B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2018-08-15 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| WO2019106769A1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP2019102423A (ja) * | 2018-07-17 | 2019-06-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US6020256A (en) * | 1996-12-18 | 2000-02-01 | Lucent Technologies Inc. | Method of integrated circuit fabrication |
| US6348301B1 (en) * | 1999-10-27 | 2002-02-19 | United Microelectronics Corp. | Method of reducing a critical dimension of a patterned photoresist layer |
| US6573177B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-06-03 | Macronix International Co., Ltd. | Protection layer to prevent under-layer damage during deposition |
| US6849372B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-02-01 | Kodak Polychrome Graphics | Method of manufacturing imaging compositions |
| US20040023160A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Kevin Ray | Method of manufacturing imaging compositions |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60214532A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| US4634645A (en) * | 1984-04-13 | 1987-01-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of forming resist micropattern |
| JPS6450425A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Toshiba Corp | Formation of fine pattern |
| EP0524759A1 (en) * | 1991-07-23 | 1993-01-27 | AT&T Corp. | Device fabrication process |
| US5470693A (en) * | 1992-02-18 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned polyimide films |
| US5221592A (en) * | 1992-03-06 | 1993-06-22 | Hoechst Celanese Corporation | Diazo ester of a benzolactone ring compound and positive photoresist composition and element utilizing the diazo ester |
-
1994
- 1994-11-11 KR KR1019940029650A patent/KR0141941B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-21 US US08/360,418 patent/US5609994A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-12 JP JP7002952A patent/JPH08139011A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6373533B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2018-08-15 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| WO2019106771A1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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| US10637003B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-04-28 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| JP2019102423A (ja) * | 2018-07-17 | 2019-06-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5609994A (en) | 1997-03-11 |
| KR0141941B1 (ko) | 1998-07-15 |
| KR960019482A (ko) | 1996-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040203 |