JPH08145884A - 半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置Info
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- JPH08145884A JPH08145884A JP31244094A JP31244094A JPH08145884A JP H08145884 A JPH08145884 A JP H08145884A JP 31244094 A JP31244094 A JP 31244094A JP 31244094 A JP31244094 A JP 31244094A JP H08145884 A JPH08145884 A JP H08145884A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置のガス配管系にインラインと
して組み込むことが可能で、ガス配管内を流れている或
いはガス配管系内に充満しているガスの成分及び濃度を
計測することができ誤接続のない半導体用特殊材料ガス
成分濃度測定方法及び半導体製造装置を提供する。 【構成】 半導体用特殊材料ガスを収納したガスボンベ
２と半導体製造部との間のガス管路５途中にガス検出器
３を配置してインラインによりガス成分や濃度を測定す
る半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製
造装置。複数本のガスボンベに連結される管路の合流管
路にガス検出器３を配置することもある。
して組み込むことが可能で、ガス配管内を流れている或
いはガス配管系内に充満しているガスの成分及び濃度を
計測することができ誤接続のない半導体用特殊材料ガス
成分濃度測定方法及び半導体製造装置を提供する。 【構成】 半導体用特殊材料ガスを収納したガスボンベ
２と半導体製造部との間のガス管路５途中にガス検出器
３を配置してインラインによりガス成分や濃度を測定す
る半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製
造装置。複数本のガスボンベに連結される管路の合流管
路にガス検出器３を配置することもある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造に際して
使用されるモノシラン（NiH4）、ホスフィン（PH3 ）等
の半導体用特殊材料ガスのガス成分及びその濃度を実際
の製造プロセスライン（インライン）で計測する半導体
用特殊材料ガス成分濃度測定方法及びこの測定方法で使
用するガス成分濃度計を組み込んだ半導体製造装置に関
する。
使用されるモノシラン（NiH4）、ホスフィン（PH3 ）等
の半導体用特殊材料ガスのガス成分及びその濃度を実際
の製造プロセスライン（インライン）で計測する半導体
用特殊材料ガス成分濃度測定方法及びこの測定方法で使
用するガス成分濃度計を組み込んだ半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ガスボンベから漏洩した微量の半導体用
特殊材料ガスを検知するガス漏洩検知器は、従来より市
販されており広く使用されている。しかしガスボンベに
充填されている半導体用特殊材料ガスのガス成分及び濃
度を実際の製造プロセスライン（インライン）で測定出
来る計測器は市販されていない。従って、現在使用して
いる或いはこれから使用しようとするガスの成分及び濃
度は、ガスボンベに表示されている組成及び濃度をその
まま信用して使用しているのが現状である。
特殊材料ガスを検知するガス漏洩検知器は、従来より市
販されており広く使用されている。しかしガスボンベに
充填されている半導体用特殊材料ガスのガス成分及び濃
度を実際の製造プロセスライン（インライン）で測定出
来る計測器は市販されていない。従って、現在使用して
いる或いはこれから使用しようとするガスの成分及び濃
度は、ガスボンベに表示されている組成及び濃度をその
まま信用して使用しているのが現状である。
【０００３】ガスボンベの特殊材料ガスの濃度を測定す
る手段としては半導体製造装置やガスボンベ収納庫のガ
ス配管系の一部にサンプリング用の配管を設け、ガスク
ロマトグラフで分析する方法がある。また、ガス濃度を
計測する他の手段としては超音波式濃度計、光の屈折率
計等で計測する方法がある。しかしガスクロマトグラフ
を用いる方法はガス配管系に『溜まり部分』ができるの
でパ−ジ操作が煩わしい上にサンプリングしたガスの廃
棄のための無害化処理が必要となる。また、超音波式濃
度計や光の屈折率計はガスの種類を検出するための選択
性がなく、例えば測定中数値が変化した場合、ガスの濃
度が変わったのか或いはガスの種類が異なるのかを判別
することが出来ない。
る手段としては半導体製造装置やガスボンベ収納庫のガ
ス配管系の一部にサンプリング用の配管を設け、ガスク
ロマトグラフで分析する方法がある。また、ガス濃度を
計測する他の手段としては超音波式濃度計、光の屈折率
計等で計測する方法がある。しかしガスクロマトグラフ
を用いる方法はガス配管系に『溜まり部分』ができるの
でパ−ジ操作が煩わしい上にサンプリングしたガスの廃
棄のための無害化処理が必要となる。また、超音波式濃
度計や光の屈折率計はガスの種類を検出するための選択
性がなく、例えば測定中数値が変化した場合、ガスの濃
度が変わったのか或いはガスの種類が異なるのかを判別
することが出来ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体用特殊材料ガス
の成分や濃度は、ガスメ−カ−により分析計測されガス
ボンベに貼って表示されたり、分析表が添付されたりし
て使用者（半導体製造メ−カ−等）に知らされる。この
場合、表示や分析表に誤りがなかったかどうかの確認は
特別に試料を取り出しガスクロマトグラフ等で分析し計
測する以外に方法はない。また、ガスメ−カ−サイドに
誤りがなくても使用者の側で誤ってガスボンベを接続し
たり、間違って別のボンベを使用したりするといった誤
接続、誤配管、誤交換等が生じやすくこのような誤使用
を完全に防止する方法はないのが現状である。しかもこ
のような誤接続や誤配管の発生を防ぎきれず管理室でも
集中点検できないので安全管理上常に問題となってい
る。
の成分や濃度は、ガスメ−カ−により分析計測されガス
ボンベに貼って表示されたり、分析表が添付されたりし
て使用者（半導体製造メ−カ−等）に知らされる。この
場合、表示や分析表に誤りがなかったかどうかの確認は
特別に試料を取り出しガスクロマトグラフ等で分析し計
測する以外に方法はない。また、ガスメ−カ−サイドに
誤りがなくても使用者の側で誤ってガスボンベを接続し
たり、間違って別のボンベを使用したりするといった誤
接続、誤配管、誤交換等が生じやすくこのような誤使用
を完全に防止する方法はないのが現状である。しかもこ
のような誤接続や誤配管の発生を防ぎきれず管理室でも
集中点検できないので安全管理上常に問題となってい
る。
【０００５】この発明は上記する課題に着目してなされ
たものであり、ガスボンベ収納庫や半導体製造装置のガ
ス配管系にインラインとして組み込むことが可能で、ガ
ス配管内を流れている或いはガス配管系内に充満してい
るガスの成分及び濃度を計測することが出来、誤接続や
誤配管或いは誤交換といった事故のない半導体用特殊材
料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置を提供する
ことを目的とする。
たものであり、ガスボンベ収納庫や半導体製造装置のガ
ス配管系にインラインとして組み込むことが可能で、ガ
ス配管内を流れている或いはガス配管系内に充満してい
るガスの成分及び濃度を計測することが出来、誤接続や
誤配管或いは誤交換といった事故のない半導体用特殊材
料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、この発明は上記す
る課題を解決するために、半導体用特殊材料ガス成分濃
度測定方法が、半導体用特殊材料ガスを収納したガス
ボンベと半導体製造部との間のガス管路途中にガス検出
器を配置してインラインによりガス成分又は／及びガス
濃度を測定することを特徴とする。そして前記ガス検
出器が赤外線検出器若しくは紫外線検出器であることを
特徴とする。また、半導体用特殊材料ガス成分濃度測
定方法が、半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガ
スボンベに連結された各管路の合流管路と半導体製造部
との間の管路途中にガス検出器を配置したことを特徴と
する。更に、半導体製造装置が、半導体用特殊材料ガ
スを収納したガスボンベと半導体製造部との間のガス管
路途中にインラインによりガス成分又は／及びガス濃度
を測定するガス検出器を配置したことを特徴とする。そ
して前記ガス検出器が赤外線検出器若しくは紫外線検
出器であることを特徴とする。
る課題を解決するために、半導体用特殊材料ガス成分濃
度測定方法が、半導体用特殊材料ガスを収納したガス
ボンベと半導体製造部との間のガス管路途中にガス検出
器を配置してインラインによりガス成分又は／及びガス
濃度を測定することを特徴とする。そして前記ガス検
出器が赤外線検出器若しくは紫外線検出器であることを
特徴とする。また、半導体用特殊材料ガス成分濃度測
定方法が、半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガ
スボンベに連結された各管路の合流管路と半導体製造部
との間の管路途中にガス検出器を配置したことを特徴と
する。更に、半導体製造装置が、半導体用特殊材料ガ
スを収納したガスボンベと半導体製造部との間のガス管
路途中にインラインによりガス成分又は／及びガス濃度
を測定するガス検出器を配置したことを特徴とする。そ
して前記ガス検出器が赤外線検出器若しくは紫外線検
出器であることを特徴とする。
【０００７】
【作用】半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半
導体製造装置を上記手段とした場合の作用について添付
図とその符号を用いて説明する。とと及びの手
段では、ガス検出器３には赤外線光源３２を設置しパイ
ロセンサ３７で半導体用特殊材料ガスの種類と濃度を検
出することができる。即ち、半導体用特殊材料ガスはそ
のガス特有の赤外線吸収スペクトルを有しているので、
ガス検出器３内のガス流路３１ａを流通するガスに赤外
線を投射して吸収させることによりそのガスの種類及び
濃度を計測しモニタすることが可能である。この場合、
測定に際してはガス検出器３はインラインに組み込まれ
るので非接触且つ非破壊による測定が可能となり、汚れ
やパ−ティクルの発生も生じない。そして、管路５に配
置した電磁弁５ｃ及びガス検出器３は図示しない制御装
置に接続され異常が生じた場合直ちに該電磁弁５ｃを閉
鎖することが可能である。ガス検出器３としてし紫外線
検出器を用いた場合、赤外線光源３２の代わりに紫外線
光源を用いるが作用としては同様である。またと及
びの手段では、混合ガス中の各ガスは成分ごとに独自
の赤外線吸収スペクトルを有しているのでガス検出器３
によれば各成分とその濃度を同時に計測することが可能
である。そして予め設定してある混合濃度をこのガス検
出器３で監視し、若し成分に変化が生じた場合は直ちに
異常を感知し、電磁弁等を作動させてガスの供給を停止
することが出来る。ガス検出器３としてし紫外線検出器
を用いた場合、赤外線光源３２の代わりに紫外線光源を
用いるが作用としては同様である。
導体製造装置を上記手段とした場合の作用について添付
図とその符号を用いて説明する。とと及びの手
段では、ガス検出器３には赤外線光源３２を設置しパイ
ロセンサ３７で半導体用特殊材料ガスの種類と濃度を検
出することができる。即ち、半導体用特殊材料ガスはそ
のガス特有の赤外線吸収スペクトルを有しているので、
ガス検出器３内のガス流路３１ａを流通するガスに赤外
線を投射して吸収させることによりそのガスの種類及び
濃度を計測しモニタすることが可能である。この場合、
測定に際してはガス検出器３はインラインに組み込まれ
るので非接触且つ非破壊による測定が可能となり、汚れ
やパ−ティクルの発生も生じない。そして、管路５に配
置した電磁弁５ｃ及びガス検出器３は図示しない制御装
置に接続され異常が生じた場合直ちに該電磁弁５ｃを閉
鎖することが可能である。ガス検出器３としてし紫外線
検出器を用いた場合、赤外線光源３２の代わりに紫外線
光源を用いるが作用としては同様である。またと及
びの手段では、混合ガス中の各ガスは成分ごとに独自
の赤外線吸収スペクトルを有しているのでガス検出器３
によれば各成分とその濃度を同時に計測することが可能
である。そして予め設定してある混合濃度をこのガス検
出器３で監視し、若し成分に変化が生じた場合は直ちに
異常を感知し、電磁弁等を作動させてガスの供給を停止
することが出来る。ガス検出器３としてし紫外線検出器
を用いた場合、赤外線光源３２の代わりに紫外線光源を
用いるが作用としては同様である。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の具体的実施例について図面
を参照しながら説明することとする。図１はこの発明の
半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法を実施するため
の配管図である。１はシリンダボックスであって有毒ガ
ス成分の漏洩や爆発を防止するため密閉空間となるよう
にしてあり、内部には半導体製造装置で使用される例え
ばモノシラン、アルシン、ホスフィン等の半導体用特殊
材料ガスを収容したガスボンベ２、４が収納されてい
る。このシリンダボックス１内には半導体製造部門へ材
料ガスを流すプロセス用の管路５と、排出用管路６と、
パ−ジ用ガス管路７と、が配管されている。プロセス用
の管路５には、パ−ジガスでパ−ジした後、切替弁８を
切り換えてボンベ２から材料ガスが供給される。
を参照しながら説明することとする。図１はこの発明の
半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法を実施するため
の配管図である。１はシリンダボックスであって有毒ガ
ス成分の漏洩や爆発を防止するため密閉空間となるよう
にしてあり、内部には半導体製造装置で使用される例え
ばモノシラン、アルシン、ホスフィン等の半導体用特殊
材料ガスを収容したガスボンベ２、４が収納されてい
る。このシリンダボックス１内には半導体製造部門へ材
料ガスを流すプロセス用の管路５と、排出用管路６と、
パ−ジ用ガス管路７と、が配管されている。プロセス用
の管路５には、パ−ジガスでパ−ジした後、切替弁８を
切り換えてボンベ２から材料ガスが供給される。
【０００９】前記プロセス用の管路５には切換弁８を介
して開閉弁５ａと減圧弁５ｂと電磁弁５ｃと更に二つの
開閉弁５ｄと５ｅとの間にガス検出器３及びフィルタ５
ｆが配置されている。ガスボンベ２から供給されるガス
は通常２〜５ｋｇｆ／ｃｍ2（ゲ−ジ圧）程度に減圧さ
れて供給される。また、排出用管路６には開閉弁６ａと
減圧弁６ｂと逆止弁６ｃとが配置されているが、この管
路６はパ−ジガスでプロセス用の管路５をパ−ジすると
きのパ−ジガス排出用として用いるための管路である。
パ−ジガス管路７には、逆止弁７ａと開閉弁７ｂとが配
置され、ガスボンベ２を別の新しい材料ガスの収納され
たボンベと交換した場合、管路５をパ−ジガス（（N2、
Ar等）等を流してパ−ジする。前記ガス検出器３と電磁
弁５ｃは外部に設置した図示しない制御装置（ＣＰＵ）
からの信号９で制御する。
して開閉弁５ａと減圧弁５ｂと電磁弁５ｃと更に二つの
開閉弁５ｄと５ｅとの間にガス検出器３及びフィルタ５
ｆが配置されている。ガスボンベ２から供給されるガス
は通常２〜５ｋｇｆ／ｃｍ2（ゲ−ジ圧）程度に減圧さ
れて供給される。また、排出用管路６には開閉弁６ａと
減圧弁６ｂと逆止弁６ｃとが配置されているが、この管
路６はパ−ジガスでプロセス用の管路５をパ−ジすると
きのパ−ジガス排出用として用いるための管路である。
パ−ジガス管路７には、逆止弁７ａと開閉弁７ｂとが配
置され、ガスボンベ２を別の新しい材料ガスの収納され
たボンベと交換した場合、管路５をパ−ジガス（（N2、
Ar等）等を流してパ−ジする。前記ガス検出器３と電磁
弁５ｃは外部に設置した図示しない制御装置（ＣＰＵ）
からの信号９で制御する。
【００１０】図２はプロセス管路５に配置された前記ガ
ス検出器３の構成の詳細を示す断面図である。即ち、こ
のガス検出器３は実際に半導体製造装置へガスを供給す
るプロセス管路５の途中にインライン配置される。セル
ブロック３１にはガス流路３１ａが設けられ両側には配
管継手を連結できるよう雌ねじ部３１ｂ、３１ｃが設け
られている。そして該セルブロック３１の中央部には流
路３１ａに向けて（面して）上下に窓３１ｄ及び３１ｅ
が設けられ、上側の窓３１ｄには赤外線光源３２を取り
付けた光源ブロック３３に固定された金属製リング３４
が嵌め込まれ、下側の窓３１ｅにはセンサブロック３６
に固定された金属リング３５が嵌め込まれている。ま
た、該センサブロック３６には測定ガスの吸収特性に合
致した波長を持つ干渉フィルタ（バンドパスフィルタ）
３７とセンサ（例えばパイロセンサ）３８が取り付けら
れている。これらの金属リング３４及び３５は鑞付けし
て該セルブロック３１に固定してある。このようにセル
ブロック３１内は有毒ガス或いは爆発の危険性のあるガ
スが外部へ漏洩しないようタイトな構造としてある。ま
た、前記パイロセンサ３８は増幅器４０に接続されコネ
クタ４１を介して図示しない制御装置（ＣＰＵ）へ接続
される。
ス検出器３の構成の詳細を示す断面図である。即ち、こ
のガス検出器３は実際に半導体製造装置へガスを供給す
るプロセス管路５の途中にインライン配置される。セル
ブロック３１にはガス流路３１ａが設けられ両側には配
管継手を連結できるよう雌ねじ部３１ｂ、３１ｃが設け
られている。そして該セルブロック３１の中央部には流
路３１ａに向けて（面して）上下に窓３１ｄ及び３１ｅ
が設けられ、上側の窓３１ｄには赤外線光源３２を取り
付けた光源ブロック３３に固定された金属製リング３４
が嵌め込まれ、下側の窓３１ｅにはセンサブロック３６
に固定された金属リング３５が嵌め込まれている。ま
た、該センサブロック３６には測定ガスの吸収特性に合
致した波長を持つ干渉フィルタ（バンドパスフィルタ）
３７とセンサ（例えばパイロセンサ）３８が取り付けら
れている。これらの金属リング３４及び３５は鑞付けし
て該セルブロック３１に固定してある。このようにセル
ブロック３１内は有毒ガス或いは爆発の危険性のあるガ
スが外部へ漏洩しないようタイトな構造としてある。ま
た、前記パイロセンサ３８は増幅器４０に接続されコネ
クタ４１を介して図示しない制御装置（ＣＰＵ）へ接続
される。
【００１１】前記セルブロック３１の流路３１ａの途中
には圧力センサ３０が配置され流通ガスの濃度測定と同
時にガス圧を計測するようにしてある。即ち、ガス圧力
と赤外線センサの濃度信号（赤外線吸収率）とは１対１
の関係にあるので、ガス検出器３に圧力センサ３０を配
置して正確な濃度計測を保証するようにしてある。
には圧力センサ３０が配置され流通ガスの濃度測定と同
時にガス圧を計測するようにしてある。即ち、ガス圧力
と赤外線センサの濃度信号（赤外線吸収率）とは１対１
の関係にあるので、ガス検出器３に圧力センサ３０を配
置して正確な濃度計測を保証するようにしてある。
【００１２】上記するように、前記ガス検出器３には赤
外線光源３２を設置しパイロセンサ３８で半導体用特殊
材料ガスの種類と濃度を検出することができる。即ち、
半導体用特殊材料ガスはそのガス特有の赤外線吸収スペ
クトルを有しているので、ガス検出器３内のガス流路３
１ａを流通するガスに赤外線を投射して吸収させること
によりそのガスの種類及び濃度を計測しモニタすること
が可能となる。この場合、測定に際してはガス検出器３
はインラインに組み込まれるので非接触且つ非破壊によ
る測定が可能となり、汚れやパ−ティクルの発生も生じ
ない。そして、管路５に配置した電磁弁５ｃ及びガス検
出器３は図示しない制御装置に接続され異常が生じた場
合直ちに該電磁弁５ｃを閉鎖してガスの供給を停止させ
ることが可能である。
外線光源３２を設置しパイロセンサ３８で半導体用特殊
材料ガスの種類と濃度を検出することができる。即ち、
半導体用特殊材料ガスはそのガス特有の赤外線吸収スペ
クトルを有しているので、ガス検出器３内のガス流路３
１ａを流通するガスに赤外線を投射して吸収させること
によりそのガスの種類及び濃度を計測しモニタすること
が可能となる。この場合、測定に際してはガス検出器３
はインラインに組み込まれるので非接触且つ非破壊によ
る測定が可能となり、汚れやパ−ティクルの発生も生じ
ない。そして、管路５に配置した電磁弁５ｃ及びガス検
出器３は図示しない制御装置に接続され異常が生じた場
合直ちに該電磁弁５ｃを閉鎖してガスの供給を停止させ
ることが可能である。
【００１３】次に、図３は例えば半導体製造装置におい
て、混合系のガス供給装置で同時に複数の材料ガスを使
用する場合の混合ガス配管図である。この実施例では３
種類のガスを同時に使用する場合で、ガスボンベ１１の
管路２１にはマスフロ−コントロ−ラ２１ａが配置さ
れ、ガスボンベ１２の管路２２にはマスフロ−コントロ
−ラ２２ａが配置され、ガスボンベ１３の管路２３には
マスフロ−コントロ−ラ２３ａが配置される。これらの
管路の合流管路２４には前記ガス検出器３が配置されて
いる。そして混合ガスはガス検出器３を通過して例えば
半導体製造装置２５へ供給されるようにしてある。尚、
この図には省略してあるが、各管路２１、２２、２３及
び合流管路２４には開閉弁や減圧弁及び電磁弁等が配置
される。
て、混合系のガス供給装置で同時に複数の材料ガスを使
用する場合の混合ガス配管図である。この実施例では３
種類のガスを同時に使用する場合で、ガスボンベ１１の
管路２１にはマスフロ−コントロ−ラ２１ａが配置さ
れ、ガスボンベ１２の管路２２にはマスフロ−コントロ
−ラ２２ａが配置され、ガスボンベ１３の管路２３には
マスフロ−コントロ−ラ２３ａが配置される。これらの
管路の合流管路２４には前記ガス検出器３が配置されて
いる。そして混合ガスはガス検出器３を通過して例えば
半導体製造装置２５へ供給されるようにしてある。尚、
この図には省略してあるが、各管路２１、２２、２３及
び合流管路２４には開閉弁や減圧弁及び電磁弁等が配置
される。
【００１４】前記各マスフロ−コントロ−ラ２１ａ、２
２ａ、２３ａ及びガス検出器３は半導体用ガス供給装置
制御部２６に接続されている。また、半導体製造装置２
５におけるガス供給もこの半導体用ガス供給装置制御部
２６によりコントロ−ルされるようになっている。
２ａ、２３ａ及びガス検出器３は半導体用ガス供給装置
制御部２６に接続されている。また、半導体製造装置２
５におけるガス供給もこの半導体用ガス供給装置制御部
２６によりコントロ−ルされるようになっている。
【００１５】上記する混合ガス配管路の途中にガス検出
器３を配置すると、混合ガス中の各ガスは組成ごとに独
自の赤外線吸収スペクトルを有しているので該ガス検出
器３によれば各成分とその濃度を同時に計測することが
可能である。そして予め設定してある混合濃度をこのガ
ス検出器３で監視し、若し成分に設定誤差以上の変化が
生じた場合は直ちに異常を感知し、電磁弁等を作動させ
てガスの供給を停止することが出来る。
器３を配置すると、混合ガス中の各ガスは組成ごとに独
自の赤外線吸収スペクトルを有しているので該ガス検出
器３によれば各成分とその濃度を同時に計測することが
可能である。そして予め設定してある混合濃度をこのガ
ス検出器３で監視し、若し成分に設定誤差以上の変化が
生じた場合は直ちに異常を感知し、電磁弁等を作動させ
てガスの供給を停止することが出来る。
【００１６】この発明の上記実施例においては、ガス検
出器３として非分散形の赤外線検出器を用いて説明した
が、このガス検出器３の代わりに紫外線吸収スペクトル
を持つガスを紫外検出器を用いてモニタするようにして
も良い。
出器３として非分散形の赤外線検出器を用いて説明した
が、このガス検出器３の代わりに紫外線吸収スペクトル
を持つガスを紫外検出器を用いてモニタするようにして
も良い。
【００１７】
【発明の効果】この発明の半導体用特殊材料ガス成分濃
度測定方法及び半導体製造装置によれば、ボンベから供
給されるガスの種類の成分と濃度をプロセスライン（イ
ンライン）下において同時に安全且つ容易に計測するこ
とが出来る。また、ガス検出器はインライン形式により
配置してあるため応答が早く、ガスの種類や濃度に異常
があると判断すると直ちに制御装置によりガス供給を停
止するができる。更に、この発明ではインラインにおい
てガスの種類と濃度とを同時に計測可能であるため生産
管理、安全管理を行う上で極めて便利である。更にま
た、ガス検出器には赤外線や紫外線を吸収するガス特性
を利用してあるため汚れやパ−ティクルの発生を防止す
ることが出来る。そして混合ガスを使用する場合の混合
ガス供給装置でもマスフロ−コントロ−ラを用いること
によりガス検出器を混合ガスの各成分と濃度とを同時に
計測可能な多成分の測定モニタとすることが出来る。
度測定方法及び半導体製造装置によれば、ボンベから供
給されるガスの種類の成分と濃度をプロセスライン（イ
ンライン）下において同時に安全且つ容易に計測するこ
とが出来る。また、ガス検出器はインライン形式により
配置してあるため応答が早く、ガスの種類や濃度に異常
があると判断すると直ちに制御装置によりガス供給を停
止するができる。更に、この発明ではインラインにおい
てガスの種類と濃度とを同時に計測可能であるため生産
管理、安全管理を行う上で極めて便利である。更にま
た、ガス検出器には赤外線や紫外線を吸収するガス特性
を利用してあるため汚れやパ−ティクルの発生を防止す
ることが出来る。そして混合ガスを使用する場合の混合
ガス供給装置でもマスフロ−コントロ−ラを用いること
によりガス検出器を混合ガスの各成分と濃度とを同時に
計測可能な多成分の測定モニタとすることが出来る。
【図１】この発明の半導体用特殊材料ガス成分濃度測定
方法を実施するための配管図である。
方法を実施するための配管図である。
【図２】プロセス管路に配置されたガス検出器の詳細を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】半導体製造装置において、混合系のガス供給装
置で同時に複数の材料ガスを使用する場合の混合ガス配
管図である。
置で同時に複数の材料ガスを使用する場合の混合ガス配
管図である。
１ シリンダボックス ２、４ ガスボンベ ３ ガス検出器 ５ プロセス用の
管路 ３１ セルブロック ３２ 赤外線光源 ３６ フィルタ ３７ センサ（パイ
ロセンサ）
管路 ３１ セルブロック ３２ 赤外線光源 ３６ フィルタ ３７ センサ（パイ
ロセンサ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇野 敏彦 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 秋山 重之 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 清水 哲夫 京都府京都市南区久世築山町378番31号 株式会社エステック内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体用特殊材料ガスを収納したガスボ
ンベと半導体製造部との間のガス管路途中にガス検出器
を配置してインラインによりガス成分又は／及びガス濃
度を測定する半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法。 - 【請求項２】 ガス検出器が赤外線検出器若しくは紫外
線検出器である請求項第１項記載の半導体用特殊材料ガ
ス成分濃度測定方法。 - 【請求項３】 半導体用特殊材料ガスを収納した複数本
のガスボンベに連結された各管路の合流管路と半導体製
造部との間の管路途中にガス検出器を配置した請求項第
１項若しくは第２項記載の半導体用特殊材料ガス成分濃
度測定方法。 - 【請求項４】 半導体用特殊材料ガスを収納したガスボ
ンベと半導体製造部との間のガス管路途中にインライン
によりガス成分又は／及びガス濃度を測定するガス検出
器を配置したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 ガス検出器が赤外線検出器若しくは紫外
線検出器である請求項第４項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31244094A JP3957333B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体用特殊材料ガス成分濃度測定装置 |
| US08/558,506 US5810928A (en) | 1994-11-21 | 1995-11-16 | Method of measuring gas component concentrations of special material gases for semiconductor, a semiconductor equipment, and an apparatus for supplying special material gases for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31244094A JP3957333B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体用特殊材料ガス成分濃度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08145884A true JPH08145884A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3957333B2 JP3957333B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=18029233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31244094A Expired - Fee Related JP3957333B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体用特殊材料ガス成分濃度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3957333B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1049788A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-02-20 | Samsung Electron Co Ltd | ガス圧力及びガス漏出感知システム |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP31244094A patent/JP3957333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1049788A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-02-20 | Samsung Electron Co Ltd | ガス圧力及びガス漏出感知システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3957333B2 (ja) | 2007-08-15 |
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