JPH081458B2 - 光磁界分布測定装置 - Google Patents
光磁界分布測定装置Info
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- JPH081458B2 JPH081458B2 JP3264034A JP26403491A JPH081458B2 JP H081458 B2 JPH081458 B2 JP H081458B2 JP 3264034 A JP3264034 A JP 3264034A JP 26403491 A JP26403491 A JP 26403491A JP H081458 B2 JPH081458 B2 JP H081458B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性体の表面欠陥及
び表層内部欠陥を検出する装置に関する。
び表層内部欠陥を検出する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】強磁性体を磁化し、欠陥より漏洩する漏
洩磁束をホ−ル素子や検出コイルにて検出する装置は、
磁粉探傷に較べて検査速度が速いことと、深さに対する
検出出力の相関性が高いうえ、渦流探傷装置等その他の
装置に比較して強磁性体材料の表面粗度、及びスケ−ル
や透磁率のばらつきの影響が少ないため、鋼管の自動探
傷装置等で多数使用されている。また特開平２−２２７
６８３号公報に見られるごとく光磁界測定法を漏洩磁束
の検出に適用する為の発明もなされている。
洩磁束をホ−ル素子や検出コイルにて検出する装置は、
磁粉探傷に較べて検査速度が速いことと、深さに対する
検出出力の相関性が高いうえ、渦流探傷装置等その他の
装置に比較して強磁性体材料の表面粗度、及びスケ−ル
や透磁率のばらつきの影響が少ないため、鋼管の自動探
傷装置等で多数使用されている。また特開平２−２２７
６８３号公報に見られるごとく光磁界測定法を漏洩磁束
の検出に適用する為の発明もなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置は
漏洩磁束を磁界の変化分として検出しているため、欠陥
の大きさが小さくなると磁界が漏れている範囲が急速に
小さくなり、これを検出するためには小さな磁界検出素
子を多数、被検査材の表面に近接して配置し、相手に追
従させる必要がある。しかし、数千本の信号配線を有す
るセンサ−ヘッドを高速に移動する鋼帯や厚板に高速追
従する機構を製作する事は非常に困難であり、またコス
ト的にも非常に困難があった。
漏洩磁束を磁界の変化分として検出しているため、欠陥
の大きさが小さくなると磁界が漏れている範囲が急速に
小さくなり、これを検出するためには小さな磁界検出素
子を多数、被検査材の表面に近接して配置し、相手に追
従させる必要がある。しかし、数千本の信号配線を有す
るセンサ−ヘッドを高速に移動する鋼帯や厚板に高速追
従する機構を製作する事は非常に困難であり、またコス
ト的にも非常に困難があった。
【０００４】さらに前述した特開平２−２２７６８３号
公報はあくまでも徴小欠陥の検出の為の点計測に関する
ものであり、広い表面積を有する鋼帯や厚板の探傷の場
合の様な、設備コストと検査速度及び検査精度の相互矛
盾を解決する手段に関する従来技術は皆無である。
公報はあくまでも徴小欠陥の検出の為の点計測に関する
ものであり、広い表面積を有する鋼帯や厚板の探傷の場
合の様な、設備コストと検査速度及び検査精度の相互矛
盾を解決する手段に関する従来技術は皆無である。
【０００５】さらに近年顧客の製品に対する品質要求は
厳しくなる一方であり、従来の磁気探傷装置と同じ磁化
レベルでは検出できない様な、小さい欠陥の保証を要求
される様になり、磁化レベルを従来は飽和磁束密度の
０．８倍程度の磁化レベルが最適と言われていたもの
が、例えば薄板の微小介在物検出においては、その４０
倍近い磁界強度が必要になっている。一般には感度の高
いセンサ−は弱い磁界中でしか使えないが、小さい欠陥
の検出を可能にするには強い背景磁界の中で微弱な磁界
変化分布を検出する必要がある。
厳しくなる一方であり、従来の磁気探傷装置と同じ磁化
レベルでは検出できない様な、小さい欠陥の保証を要求
される様になり、磁化レベルを従来は飽和磁束密度の
０．８倍程度の磁化レベルが最適と言われていたもの
が、例えば薄板の微小介在物検出においては、その４０
倍近い磁界強度が必要になっている。一般には感度の高
いセンサ−は弱い磁界中でしか使えないが、小さい欠陥
の検出を可能にするには強い背景磁界の中で微弱な磁界
変化分布を検出する必要がある。
【０００６】本発明はこのような課題に鑑み、これを抜
本的に解決し、一つの検出部で広い範囲の漏洩磁気を検
査可能とし、高速でかつ高精度な表面欠陥の検出を可能
ならしむる画期的な光磁界分布測定装置を提供すること
を目的とする。
本的に解決し、一つの検出部で広い範囲の漏洩磁気を検
査可能とし、高速でかつ高精度な表面欠陥の検出を可能
ならしむる画期的な光磁界分布測定装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基本的には光
磁気効果を使った磁界測定装置において、膜面に垂直方
向に磁化容易軸を有する光磁気効果素子と、これに直線
偏光した扇状光線を上方より投射する装置と、光磁気効
果素子膜の底面より正反射した光の偏波面の回転量を光
量変化に変換する検光子と、透過光量を測定するリニア
イメ−ジセンサ−とから構成される。
磁気効果を使った磁界測定装置において、膜面に垂直方
向に磁化容易軸を有する光磁気効果素子と、これに直線
偏光した扇状光線を上方より投射する装置と、光磁気効
果素子膜の底面より正反射した光の偏波面の回転量を光
量変化に変換する検光子と、透過光量を測定するリニア
イメ−ジセンサ−とから構成される。
【０００８】更に、好ましい態様においては、前記扇状
光線を上方から投射する装置を、扇状光線の広がり方向
に対し直交方向には、扇状光線をイメ−ジセンサ−の光
電面上に集束するように構成し、扇状光の広がり方向と
イメ−ジセンサ−の走査方向を一致させる。
光線を上方から投射する装置を、扇状光線の広がり方向
に対し直交方向には、扇状光線をイメ−ジセンサ−の光
電面上に集束するように構成し、扇状光の広がり方向と
イメ−ジセンサ−の走査方向を一致させる。
【０００９】
【作用】まず本発明に至った経緯を説明する。
【００１０】本発明者は、光磁気効果を使って広い範囲
を高速にかつ微小な欠陥まで検出する装置を研究した。
その結果、光アイソレ−タや光スイッチに使われている
希土類・鉄・ガ−ネット（ＲＩＧ）垂直磁化膜の中には
高感度な材料があり、該材料は垂直以外の面内方向につ
いては磁化困難特性を有し、欠陥よりの漏洩磁束を発生
するための水平磁界に依っては磁気飽和せず、かつ垂直
方向のファラデ−回転は変化しないという漏洩磁束セン
サ−としての優れた特徴を有することが判明した。
を高速にかつ微小な欠陥まで検出する装置を研究した。
その結果、光アイソレ−タや光スイッチに使われている
希土類・鉄・ガ−ネット（ＲＩＧ）垂直磁化膜の中には
高感度な材料があり、該材料は垂直以外の面内方向につ
いては磁化困難特性を有し、欠陥よりの漏洩磁束を発生
するための水平磁界に依っては磁気飽和せず、かつ垂直
方向のファラデ−回転は変化しないという漏洩磁束セン
サ−としての優れた特徴を有することが判明した。
【００１１】しかしＲＩＧ垂直磁化膜は、偏光顕微鏡で
見たときに白黒に見える迷路状につらなった帯状の磁区
構造を有し、一般の磁界検出センサ−として使用する場
合は、大きなスポットで、その平均値としてファラデ−
回転を検出するため問題ないものの、高感度の材料ほど
帯の幅が広いため、小さい欠陥を検出するため検査用の
光スポットを小さくすると大きなノイズ源になり精度の
良い検出が困難になるということが解った。
見たときに白黒に見える迷路状につらなった帯状の磁区
構造を有し、一般の磁界検出センサ−として使用する場
合は、大きなスポットで、その平均値としてファラデ−
回転を検出するため問題ないものの、高感度の材料ほど
帯の幅が広いため、小さい欠陥を検出するため検査用の
光スポットを小さくすると大きなノイズ源になり精度の
良い検出が困難になるということが解った。
【００１２】更に膜に垂直磁界がかかった時に磁区の成
長が起きるが、通常は大きい面内磁界がかかっても動か
ない磁区構造が、垂直磁界の存在下では、磁化困難方向
の磁界に影響され、そのときの水平磁界方向に整列しや
すいことが判明した。これらのことは光学的走査により
微小な磁界分布を検出する上で場合に依っては大きな測
定誤差を発生させることになる。
長が起きるが、通常は大きい面内磁界がかかっても動か
ない磁区構造が、垂直磁界の存在下では、磁化困難方向
の磁界に影響され、そのときの水平磁界方向に整列しや
すいことが判明した。これらのことは光学的走査により
微小な磁界分布を検出する上で場合に依っては大きな測
定誤差を発生させることになる。
【００１３】次に本発明者が実験によって得た新しい知
見である光磁気光学効果素子の強い面内磁界下の挙動に
ついて、図３，図４および図５を参照しながら説明す
る。
見である光磁気光学効果素子の強い面内磁界下の挙動に
ついて、図３，図４および図５を参照しながら説明す
る。
【００１４】図３は、偏光顕微鏡で観察した水平磁界を
かけない状態での磁気効果素子を示すものであるが、ラ
ンダムな方向に延びた白黒ストライプが観察できる。こ
れは垂直磁化膜の磁区模様であり、その面積比は１：１
である。これを光電変換すると、白い部分は正電圧に、
黒い部分は負電圧になる。従来は全体の平均値として磁
界を測定していたため問題はなかった。ストライプの幅
は約４０μｍであり、割れ系欠陥の幅が１００μｍ程度
であるから無視できない大きさであり、磁区のノイズを
低滅するために、計測用画素を大きくすると、欠陥検出
感度が低くなるという第１の問題がでてきた。
かけない状態での磁気効果素子を示すものであるが、ラ
ンダムな方向に延びた白黒ストライプが観察できる。こ
れは垂直磁化膜の磁区模様であり、その面積比は１：１
である。これを光電変換すると、白い部分は正電圧に、
黒い部分は負電圧になる。従来は全体の平均値として磁
界を測定していたため問題はなかった。ストライプの幅
は約４０μｍであり、割れ系欠陥の幅が１００μｍ程度
であるから無視できない大きさであり、磁区のノイズを
低滅するために、計測用画素を大きくすると、欠陥検出
感度が低くなるという第１の問題がでてきた。
【００１５】図４は、向って左右方向に約５００エルス
テッドの水平磁界をかけて、同じように磁区模様を観察
したものであるが、白黒の面積比は変わらないものの、
図３に比較してストライプが左右方向に整列しているも
のが多いことがわかる。この素子は垂直方向にはわずか
Ｈｓ＝４０エルステッドで磁気飽和を起こす高感度な材
料であるにもかかわらず、この様な面内方向の強磁界下
においても、面に垂直な方向の平均値としての特性は変
化しないという特徴を持つということが解る。しかし、
整列が部分的に起こるためランダム性は残存しており、
微小なスポットで幅方向にスキャンすると、周波数的に
低い成分が発生するようになるため、ロ−パスフィルタ
−のみではＳＮ比の改善が出来なくなるという第２の問
題点がある。
テッドの水平磁界をかけて、同じように磁区模様を観察
したものであるが、白黒の面積比は変わらないものの、
図３に比較してストライプが左右方向に整列しているも
のが多いことがわかる。この素子は垂直方向にはわずか
Ｈｓ＝４０エルステッドで磁気飽和を起こす高感度な材
料であるにもかかわらず、この様な面内方向の強磁界下
においても、面に垂直な方向の平均値としての特性は変
化しないという特徴を持つということが解る。しかし、
整列が部分的に起こるためランダム性は残存しており、
微小なスポットで幅方向にスキャンすると、周波数的に
低い成分が発生するようになるため、ロ−パスフィルタ
−のみではＳＮ比の改善が出来なくなるという第２の問
題点がある。
【００１６】図５は、縦方向に筋状の欠陥の有る強磁性
体に強い水平磁界をかけて漏洩磁束を発生させた状態
で、その表面に磁気効果素子を近接させて、偏光顕微鏡
で観察したものであるが、縦方向に延びた欠陥の左側
は、黒い部分８が肥大化し、右側は白い部分９が肥大化
しており、この部分に垂直上下方向の磁界があることが
わかる。また、ストライプの幅が変化している部分にお
いては、ストライプの磁界方向への整列が起きているこ
とが観察できる。一方、垂直磁界の存在しない部分で
は、磁区模様の方向はランダムであり、水平方向の整列
すら起きていない。この測定に使用した材料は、垂直方
向には２００エルステッドで磁気飽和を起こす材料であ
る。この様に、材料を選ぶ事により欠陥の存在しない領
域での第２の問題点への対処が可能であり、欠陥の顕在
化特性を向上できる。
体に強い水平磁界をかけて漏洩磁束を発生させた状態
で、その表面に磁気効果素子を近接させて、偏光顕微鏡
で観察したものであるが、縦方向に延びた欠陥の左側
は、黒い部分８が肥大化し、右側は白い部分９が肥大化
しており、この部分に垂直上下方向の磁界があることが
わかる。また、ストライプの幅が変化している部分にお
いては、ストライプの磁界方向への整列が起きているこ
とが観察できる。一方、垂直磁界の存在しない部分で
は、磁区模様の方向はランダムであり、水平方向の整列
すら起きていない。この測定に使用した材料は、垂直方
向には２００エルステッドで磁気飽和を起こす材料であ
る。この様に、材料を選ぶ事により欠陥の存在しない領
域での第２の問題点への対処が可能であり、欠陥の顕在
化特性を向上できる。
【００１７】しかるに欠陥部においては、磁界方向への
磁区の整列が発生する事と、このストライプの幅は、５
〜５０μｍ程度であり、割れの幅や、微小介在物の幅と
あまり変わらない。またイメ−ジセンサ−の画素も同程
度であるため、これらの重なり具合によっては検出電圧
に大きなばらつきがでる。
磁区の整列が発生する事と、このストライプの幅は、５
〜５０μｍ程度であり、割れの幅や、微小介在物の幅と
あまり変わらない。またイメ−ジセンサ−の画素も同程
度であるため、これらの重なり具合によっては検出電圧
に大きなばらつきがでる。
【００１８】本発明は以上の知見に基づいてなされたも
のである。
のである。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２０】図１は、本発明に用いる装置の全体構成を
示している。１は扇状光の光源であり、２はそれより射
出する扇状光を示している。３は偏光子であり、４は半
透過鏡、５は光磁気効果素子、６は検光子、７はリニア
アレイイメ−ジセンサ−である。偏光子３は、扇状光２
を扇状光の造る平面に垂直な方向の振動成分のみを直線
偏光させる。４は半透過鏡は扇状光の半分を真直ぐ透過
させ、残りを垂直におりまげて、５の光磁気効果素子に
投射する。光磁気効果素子５は、希土類鉄ガ−ネットの
垂直磁化膜であり、面に垂直な方向以外は難磁化特性を
有し、５００〜１０００エルステッド程度の水平磁界に
ては磁区の移動や磁気飽和がおきないものを使用する。
また膜の上面には無反射コ−ティング、底面には全反射
コ−ティングが施されており、膜内に入射した光は底面
で反射されて垂直方向にでていく。光はファラデ−効果
により、この膜内を往復透過する距離と膜のヴェルデ常
数と膜の存在する位置の垂直方向の磁界強度の積に比例
して、偏光面が回転する。反射光は、４の半透過鏡を通
過して検光子６に至る。検光子６は、その偏光軸が偏光
子３に対し４５°傾いている。７はリニアアレイイメ−
ジセンサ−であり入射した扇状光を光電変換し、電圧時
系列信号として出力するものである。
示している。１は扇状光の光源であり、２はそれより射
出する扇状光を示している。３は偏光子であり、４は半
透過鏡、５は光磁気効果素子、６は検光子、７はリニア
アレイイメ−ジセンサ−である。偏光子３は、扇状光２
を扇状光の造る平面に垂直な方向の振動成分のみを直線
偏光させる。４は半透過鏡は扇状光の半分を真直ぐ透過
させ、残りを垂直におりまげて、５の光磁気効果素子に
投射する。光磁気効果素子５は、希土類鉄ガ−ネットの
垂直磁化膜であり、面に垂直な方向以外は難磁化特性を
有し、５００〜１０００エルステッド程度の水平磁界に
ては磁区の移動や磁気飽和がおきないものを使用する。
また膜の上面には無反射コ−ティング、底面には全反射
コ−ティングが施されており、膜内に入射した光は底面
で反射されて垂直方向にでていく。光はファラデ−効果
により、この膜内を往復透過する距離と膜のヴェルデ常
数と膜の存在する位置の垂直方向の磁界強度の積に比例
して、偏光面が回転する。反射光は、４の半透過鏡を通
過して検光子６に至る。検光子６は、その偏光軸が偏光
子３に対し４５°傾いている。７はリニアアレイイメ−
ジセンサ−であり入射した扇状光を光電変換し、電圧時
系列信号として出力するものである。
【００２１】さて、扇状光２は扇状平面に垂直な方向に
は集束光としており、その焦点はイメ−ジセンサ−の光
電変換面となっている。一方、図２は、図１の光学系に
おいて扇状光が広がって行く様子を説明するための模式
図であり、図１の対応する同一の要素には同一の符号を
付して示してある。
は集束光としており、その焦点はイメ−ジセンサ−の光
電変換面となっている。一方、図２は、図１の光学系に
おいて扇状光が広がって行く様子を説明するための模式
図であり、図１の対応する同一の要素には同一の符号を
付して示してある。
【００２２】さて、図２においてＬ1 〔ｍｍ〕は扇状光
源１の内部にある扇状光２の焦点位置より磁気光学効果
素子５までの距離であり、Ｌ2 〔ｍｍ〕は磁気光学効果
素子よりリニアイメ−ジセンサ−７までの距離である。
いま Ｋ1 ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｌ1 ・・・・・・（１） とすると磁気光学効果素子５の上で幅 Ｗ1〔ｍｍ〕の
像はリニアイメ−ジセンサ−７の位置ではＫ 1 倍されて Ｗ 2 ＝Ｋ 1 ・Ｗ 1 ・・・・・・・（２） となる。一方、図１において扇状光源１の出口の縦方向
の径がＤ0 〔ｍｍ〕の磁気光学効果素子５の上での同方
向の径をＤ 1 〔ｍｍ〕とする時、先のＬ1〔ｍｍ〕を、扇
状光源１の出口より磁気光学効果素子５までの距離にお
きかえると、 Ｋ2 ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｌ1 ・・・・・・・（３） Ｄ1 ＝１／Ｋ2 ・Ｄ0 ・・・・・・・（４） とあらわされる。リニアイメ−ジセンサ−７の位置での
径Ｄ2 〔ｍｍ〕は、レ−ザ−の回折限界により定まり Ｄ2 ＝１．２２・λ・（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｄ0 ・・・・（５） で表わされる。ここでλ〔ｍｍ〕はレ−ザ−波長であ
る。しかし実際には、これにレンズの収差が加わったも
のとなる。
源１の内部にある扇状光２の焦点位置より磁気光学効果
素子５までの距離であり、Ｌ2 〔ｍｍ〕は磁気光学効果
素子よりリニアイメ−ジセンサ−７までの距離である。
いま Ｋ1 ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｌ1 ・・・・・・（１） とすると磁気光学効果素子５の上で幅 Ｗ1〔ｍｍ〕の
像はリニアイメ−ジセンサ−７の位置ではＫ 1 倍されて Ｗ 2 ＝Ｋ 1 ・Ｗ 1 ・・・・・・・（２） となる。一方、図１において扇状光源１の出口の縦方向
の径がＤ0 〔ｍｍ〕の磁気光学効果素子５の上での同方
向の径をＤ 1 〔ｍｍ〕とする時、先のＬ1〔ｍｍ〕を、扇
状光源１の出口より磁気光学効果素子５までの距離にお
きかえると、 Ｋ2 ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｌ1 ・・・・・・・（３） Ｄ1 ＝１／Ｋ2 ・Ｄ0 ・・・・・・・（４） とあらわされる。リニアイメ−ジセンサ−７の位置での
径Ｄ2 〔ｍｍ〕は、レ−ザ−の回折限界により定まり Ｄ2 ＝１．２２・λ・（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｄ0 ・・・・（５） で表わされる。ここでλ〔ｍｍ〕はレ−ザ−波長であ
る。しかし実際には、これにレンズの収差が加わったも
のとなる。
【００２３】このＤ2 はリニアイメ−ジセンサ−７の画
素より小さく選ぶ事が可能である。従って、リニアイメ
−ジセンサ−の画素の大きさが一辺をａ〔ｍｍ〕とする
正方形であるとした時、実際に磁界を検出する磁気効果
素子の表面においては、幅方向はＫ 1 分の１、縦方向に
は逆にＤ1／ａ倍となり、細長い長方形の視野を持つこ
とができる。
素より小さく選ぶ事が可能である。従って、リニアイメ
−ジセンサ−の画素の大きさが一辺をａ〔ｍｍ〕とする
正方形であるとした時、実際に磁界を検出する磁気効果
素子の表面においては、幅方向はＫ 1 分の１、縦方向に
は逆にＤ1／ａ倍となり、細長い長方形の視野を持つこ
とができる。
【００２４】従って、本発明に用いている光学系を図５
に示す対象に適用し、扇状光の広がり方向と水平磁界を
かける方向を一致させると、イメ−ジセンサ−の視野は
疵の方向に細長くなり、かつストライプの整列方向と直
交しているために、確実に多数の白黒ストライプの平均
化を行うことができる。
に示す対象に適用し、扇状光の広がり方向と水平磁界を
かける方向を一致させると、イメ−ジセンサ−の視野は
疵の方向に細長くなり、かつストライプの整列方向と直
交しているために、確実に多数の白黒ストライプの平均
化を行うことができる。
【００２５】圧延された金属の欠陥は、一般に圧延方向
にのびているから、圧延方向と直交方向に水平磁界をか
けることにより、１ｍｍ程度は取ることが出来、充分な
数の磁区の平均化ができ、ばらつきの低減がなされる。
またイメ−ジセンサ−の走査方向については、１０μｍ
以下の分解能が確保でき、合わせて高精度高分解能の理
想的な欠陥検出装置が実現できる。
にのびているから、圧延方向と直交方向に水平磁界をか
けることにより、１ｍｍ程度は取ることが出来、充分な
数の磁区の平均化ができ、ばらつきの低減がなされる。
またイメ−ジセンサ−の走査方向については、１０μｍ
以下の分解能が確保でき、合わせて高精度高分解能の理
想的な欠陥検出装置が実現できる。
【００２６】なお本発明を用いて広い面積を検査する場
合には、垂直磁界を抑えたままで強力な、かつ一定な水
平磁界を長距離に渡って発生させることが必要である
が、例えば特開昭５９−１６０７５０号公報に示される
様な均一水平磁界を発生させる全く同一の棒状電磁石
を、実開昭６２−１１１５３９号公報に示される様に、
２本平行に配置し、その軸対称の線に沿って被検査材を
配置すれば、垂直磁界については打ち消しあい、水平磁
界については強め合うため、強力かつ均一な水平磁界を
得ることが出来る。このようにすれば帯状の被検査材を
幅方向に垂直磁界を抑えながら強力な水平磁界を発生す
る事も可能である。
合には、垂直磁界を抑えたままで強力な、かつ一定な水
平磁界を長距離に渡って発生させることが必要である
が、例えば特開昭５９−１６０７５０号公報に示される
様な均一水平磁界を発生させる全く同一の棒状電磁石
を、実開昭６２−１１１５３９号公報に示される様に、
２本平行に配置し、その軸対称の線に沿って被検査材を
配置すれば、垂直磁界については打ち消しあい、水平磁
界については強め合うため、強力かつ均一な水平磁界を
得ることが出来る。このようにすれば帯状の被検査材を
幅方向に垂直磁界を抑えながら強力な水平磁界を発生す
る事も可能である。
【００２７】また本発明においては、電子的に走査する
ため、走査速度は対象部材を振動させる場合と比較する
と充分に速くする事が可能で、後処理において通常の画
像信号と同じ信号処理が適用可能であり、例えば、特開
平２−２２７６８３号公報において課題としているリフ
トオフ変化による磁界変化の影響は、単純な空間微分処
理のみで除去可能であり、更に疵のパタ−ン認識や疵種
判別が可能になる。
ため、走査速度は対象部材を振動させる場合と比較する
と充分に速くする事が可能で、後処理において通常の画
像信号と同じ信号処理が適用可能であり、例えば、特開
平２−２２７６８３号公報において課題としているリフ
トオフ変化による磁界変化の影響は、単純な空間微分処
理のみで除去可能であり、更に疵のパタ−ン認識や疵種
判別が可能になる。
【００２８】
【発明の効果】近年オプトエレクトロニクス分野の進歩
はめざましく、光出力半導体レ−ザ−やアイソレ−タ用
の高感度ファラデ−回転材料、大型ファクシミリ用の大
型密着センサ−等が従来に比較して安価に入手できる様
になったため、広幅の扇状光源，高感度垂直磁化膜，広
幅のイメ−ジスキャナ−のいずれもが安価に実現可能で
あり、本発明の装置は従来の小型センサ−を多数並列化
したものと比べて回路数にして数百分の１になり、画期
的に経済性を向上できる。
はめざましく、光出力半導体レ−ザ−やアイソレ−タ用
の高感度ファラデ−回転材料、大型ファクシミリ用の大
型密着センサ−等が従来に比較して安価に入手できる様
になったため、広幅の扇状光源，高感度垂直磁化膜，広
幅のイメ−ジスキャナ−のいずれもが安価に実現可能で
あり、本発明の装置は従来の小型センサ−を多数並列化
したものと比べて回路数にして数百分の１になり、画期
的に経済性を向上できる。
【００２９】また光学系の倍率を変えることにより従来
より小さな欠陥も検出できるようになり、検出精度も向
上した。
より小さな欠陥も検出できるようになり、検出精度も向
上した。
【００３０】また構成部品数が少なくなった為故障が減
り、保守性が画期的に向上した。
り、保守性が画期的に向上した。
【００３１】本発明の装置は、経済的困難性から精度の
良い漏洩磁気探傷法を適用できていなかったあらゆる領
域に適用可能であり、省力化や自動化を通しての生産性
向上効果は大きい。
良い漏洩磁気探傷法を適用できていなかったあらゆる領
域に適用可能であり、省力化や自動化を通しての生産性
向上効果は大きい。
【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】図１の装置を示す模式図である。
【図３】磁界をかけない場合の磁気効果素子の偏光顕微
鏡写真をスケッチした平面図である。
鏡写真をスケッチした平面図である。
【図４】向って左右方向に磁界をかけた場合の磁気効果
素子の偏光顕微鏡写真をスケッチした平面図である。
素子の偏光顕微鏡写真をスケッチした平面図である。
【図５】筋状の欠陥の有る強磁性体に強い水平磁界をか
けて、その表面に磁気効果素子を近接させた時の、磁気
効果素子の偏光顕微鏡写真をスケッチした平面図であ
る。
けて、その表面に磁気効果素子を近接させた時の、磁気
効果素子の偏光顕微鏡写真をスケッチした平面図であ
る。
１：扇状光光源 ２：扇状光 ３：偏光子 ４：半透過鏡 ５：光磁気効果素子 ６：検光子 ７：リニアアレイイメ−ジスキャナ− ８：黒色ストライプ肥大化部 ９：白色ストライプ
肥大化部
肥大化部
Claims (2)
- 【請求項１】光磁気効果を使った磁界測定装置におい
て、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気効果素
子と、これに直線偏光した扇状光線を上方より光磁気効
果素子全幅に亘って同時に投射する装置と、光磁気効果
素子膜の底面より正反射した光の偏波面の回転量を光量
変化に変換する検光子と、光磁気効果素子全幅に対応す
る透過光量を測定するリニアイメ−ジセンサ−とから構
成されることを特徴とする光磁界分布測定装置。 - 【請求項２】 扇状光線を上方から投射する装置は、扇
状光線の広がり方向に対し直交方向には、扇状光線をイ
メ−ジセンサ−の光電面上に集束するように構成され、
扇状光の広がり方向とイメ−ジセンサ−の走査方向とが
一致するように構成されたことを特徴とする、前記請求
項１記載の光磁界分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264034A JPH081458B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光磁界分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264034A JPH081458B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光磁界分布測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100001A JPH05100001A (ja) | 1993-04-23 |
| JPH081458B2 true JPH081458B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17397631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3264034A Expired - Fee Related JPH081458B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光磁界分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081458B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4916919B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2012-04-18 | 新日本製鐵株式会社 | 磁性帯の表面性状観察方法及び観察装置 |
| KR101733843B1 (ko) | 2014-07-18 | 2017-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 충격보강제 조성물 및 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2860336B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1999-02-24 | 住友金属工業株式会社 | 鋼板の磁気探傷装置 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3264034A patent/JPH081458B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05100001A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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