JPH08146064A - 電流プローブ - Google Patents
電流プローブInfo
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- JPH08146064A JPH08146064A JP29135194A JP29135194A JPH08146064A JP H08146064 A JPH08146064 A JP H08146064A JP 29135194 A JP29135194 A JP 29135194A JP 29135194 A JP29135194 A JP 29135194A JP H08146064 A JPH08146064 A JP H08146064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子機器の金属筐体表面に当該筐体内部から
電流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけることができ
る電流プローブを提供すること。 【構成】 ドーナツ形に形成された導電性の底板11及
び天板12の各対応する円周部を導電性の内円筒14及
び外円筒13により短絡して成るプローブ本体1と、こ
のプローブ本体1の前記底板11又は当該底板11近傍
に円周状に設けられたスリット2と、このスリット2の
両側に接続された出力端子3と、前記底板11の外部表
面を全面的に被覆する絶縁部材4とを備えている。
電流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけることができ
る電流プローブを提供すること。 【構成】 ドーナツ形に形成された導電性の底板11及
び天板12の各対応する円周部を導電性の内円筒14及
び外円筒13により短絡して成るプローブ本体1と、こ
のプローブ本体1の前記底板11又は当該底板11近傍
に円周状に設けられたスリット2と、このスリット2の
両側に接続された出力端子3と、前記底板11の外部表
面を全面的に被覆する絶縁部材4とを備えている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電流プローブに係り、
特に、金属筐体表面における高周波電流を検出する電流
プローブに関する。
特に、金属筐体表面における高周波電流を検出する電流
プローブに関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の金属筐体には、当該筐体内部
の電気回路で発生した高周波電流が漏れ出し、この漏れ
電流が筐体から放射する電磁波の波源となる。このよう
な放射電磁波は他の機器に障害を与える原因となるので
抑制することが望ましい。そのため、筐体表面への電流
の湧き出し口を先ず同定することが必要となっている。
の電気回路で発生した高周波電流が漏れ出し、この漏れ
電流が筐体から放射する電磁波の波源となる。このよう
な放射電磁波は他の機器に障害を与える原因となるので
抑制することが望ましい。そのため、筐体表面への電流
の湧き出し口を先ず同定することが必要となっている。
【0003】金属面上の電流密度Jと磁界Hは、 H=−n×J ・・・・・ (1) で表される。ここで、J及びHはベクトルであり、nは
金属面に外向きの単位法線ベクトルである。また、×は
外積を表す。一般に金属面上を流れる電流の計測はこの
式を利用して行われており、図8に示すように金属面5
1に極く近いところで磁界Hをループセンサ52で測定
し、当該ループの向きからHの方向を定め、その出力か
らHの振幅を求める。そして、(1)式により電流密度
ベクトルJを求める。この方法は、例えば、電子機器の
金属筐体における電流分布を求めることができる。
金属面に外向きの単位法線ベクトルである。また、×は
外積を表す。一般に金属面上を流れる電流の計測はこの
式を利用して行われており、図8に示すように金属面5
1に極く近いところで磁界Hをループセンサ52で測定
し、当該ループの向きからHの方向を定め、その出力か
らHの振幅を求める。そして、(1)式により電流密度
ベクトルJを求める。この方法は、例えば、電子機器の
金属筐体における電流分布を求めることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例にあっては、筐体表面への高周波電流の湧き出し口
を見つけるにはかなり広い範囲で測定した電流分布から
電流湧き出し口を探らなければならない不都合があり、
もっと簡便に電流湧き出し口を見つける方法が望まれて
いた。
来例にあっては、筐体表面への高周波電流の湧き出し口
を見つけるにはかなり広い範囲で測定した電流分布から
電流湧き出し口を探らなければならない不都合があり、
もっと簡便に電流湧き出し口を見つける方法が望まれて
いた。
【0005】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、特に、電子機器の金属筐体表面に内部から電
流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけることができる
電流プローブを提供することを、その目的とする。
を改善し、特に、電子機器の金属筐体表面に内部から電
流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけることができる
電流プローブを提供することを、その目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、ドーナツ形に形成された導電性の底板及び天板の各
対応する円周部を導電性の内円筒及び外円筒により短絡
して成るプローブ本体と、このプローブ本体の底板又は
当該底板近傍に円周状に設けられたスリットと、このス
リットの両側に接続された出力端子と、底板の外部表面
を全面的に被覆する絶縁部材とを備える、という構成を
採っている。
は、ドーナツ形に形成された導電性の底板及び天板の各
対応する円周部を導電性の内円筒及び外円筒により短絡
して成るプローブ本体と、このプローブ本体の底板又は
当該底板近傍に円周状に設けられたスリットと、このス
リットの両側に接続された出力端子と、底板の外部表面
を全面的に被覆する絶縁部材とを備える、という構成を
採っている。
【0007】請求項2記載の発明では、内円筒の内側に
導電性の円柱部材を設け、この円柱部材の一端と天板と
の間を金属部材で密閉すると共に、当該円柱部材の底板
側を絶縁部材により被覆した、という構成を採ってい
る。
導電性の円柱部材を設け、この円柱部材の一端と天板と
の間を金属部材で密閉すると共に、当該円柱部材の底板
側を絶縁部材により被覆した、という構成を採ってい
る。
【0008】請求項3記載の発明は、スリットを、外円
筒に設ける、という構成を採っている。
筒に設ける、という構成を採っている。
【0009】請求項4記載の発明は、請求項2記載の発
明において、スリットを内円筒に設ける、という構成を
採っている。
明において、スリットを内円筒に設ける、という構成を
採っている。
【0010】請求項5記載の発明は、内円筒と外円筒と
の間の一部又は全体に磁性体を充填した、という構成を
採っている。
の間の一部又は全体に磁性体を充填した、という構成を
採っている。
【0011】請求項6記載の発明は、磁性体は、NiZ
n系フェライト若しくはMnZn系フェライト燒結体又
はこれらの粉末を混合した混合材である、という構成を
採っている。
n系フェライト若しくはMnZn系フェライト燒結体又
はこれらの粉末を混合した混合材である、という構成を
採っている。
【0012】これらにより、前述した目的を達成しよう
とするものである。
とするものである。
【0013】
【作用】請求項1又は2記載の電流プローブは、底板を
被測定筐体の表面に当接させて使用し、出力端子にはス
ペクトルアナライザ等の視認装置を接続する。ここで、
被測定筐体面上でプローブ本体を移動させると、当該筐
体に流れている高周波電流により誘導される磁界(電磁
波)がスリットを介してプローブ本体内部に導かれる。
そして、出力端子には、プローブ本体内部(内円筒と外
円筒との間)に発生する磁界の円周方向成分に比例した
出力電圧が誘起される。
被測定筐体の表面に当接させて使用し、出力端子にはス
ペクトルアナライザ等の視認装置を接続する。ここで、
被測定筐体面上でプローブ本体を移動させると、当該筐
体に流れている高周波電流により誘導される磁界(電磁
波)がスリットを介してプローブ本体内部に導かれる。
そして、出力端子には、プローブ本体内部(内円筒と外
円筒との間)に発生する磁界の円周方向成分に比例した
出力電圧が誘起される。
【0014】以下詳述すると、図1においてスリット上
の位置c,dで示す2箇所より磁界がプローブ本体内部
に導かれるとすれば、この2箇所の磁界が同方向かつ同
振幅ならば、プローブ本体内の磁界は互いに打ち消しあ
い、この結果、出力電圧は0となる。一方、2箇所の磁
界が異方向又は異振幅ならば、これらの磁界の強さに比
例した出力電圧が誘起される。ここで、位置c,dは、
スリット上の任意の位置であっても同一である。
の位置c,dで示す2箇所より磁界がプローブ本体内部
に導かれるとすれば、この2箇所の磁界が同方向かつ同
振幅ならば、プローブ本体内の磁界は互いに打ち消しあ
い、この結果、出力電圧は0となる。一方、2箇所の磁
界が異方向又は異振幅ならば、これらの磁界の強さに比
例した出力電圧が誘起される。ここで、位置c,dは、
スリット上の任意の位置であっても同一である。
【0015】一般には、出力端子に誘起される電圧は、
図3において、スリットからプローブ本体内部に流入す
る磁界HIと、逆にスリットから外部に流出する磁界HO
との差に基づいて定められる。スリットは被測定筐体の
表面にほぼ密着されることから、被測定筐体の表面にお
ける電流密度Jと磁界Hとの間には、前述の(1)式の
関係がある。このため、筐体表面においてスリットに対
応する円周の部分に流入する電流密度と、この円周部分
から流出する電流密度との差がプローブの出力電圧とし
て表れる。即ち、プローブの出力電圧Eは、 E=−j2πfμHsum ・・・・・ (2) と表される。ここで、fは電流の周波数、μはプローブ
本体内の透磁率、Hsumはプローブ本体内部に存在する
磁界の総量(円周方向成分)である。磁界の総量Hsum
は、プローブ本体内部に生じる磁界の互いに逆向きの成
分H+とH-との和であり、例えば、成分H+は図1に示
す断面の符号A部分から図の手前側に向かう成分であ
り、成分H-は同符号A部分から図の奥側に向かう成分
である。このため、以下のように表すことができる。 Hsum=H+−H- ・・・・・ (3)
図3において、スリットからプローブ本体内部に流入す
る磁界HIと、逆にスリットから外部に流出する磁界HO
との差に基づいて定められる。スリットは被測定筐体の
表面にほぼ密着されることから、被測定筐体の表面にお
ける電流密度Jと磁界Hとの間には、前述の(1)式の
関係がある。このため、筐体表面においてスリットに対
応する円周の部分に流入する電流密度と、この円周部分
から流出する電流密度との差がプローブの出力電圧とし
て表れる。即ち、プローブの出力電圧Eは、 E=−j2πfμHsum ・・・・・ (2) と表される。ここで、fは電流の周波数、μはプローブ
本体内の透磁率、Hsumはプローブ本体内部に存在する
磁界の総量(円周方向成分)である。磁界の総量Hsum
は、プローブ本体内部に生じる磁界の互いに逆向きの成
分H+とH-との和であり、例えば、成分H+は図1に示
す断面の符号A部分から図の手前側に向かう成分であ
り、成分H-は同符号A部分から図の奥側に向かう成分
である。このため、以下のように表すことができる。 Hsum=H+−H- ・・・・・ (3)
【0016】各成分H+,H-は、それぞれスリットから
プローブ本体内に導かれるものである。ここに、H-が
磁界HIによって導かれ、H-が磁界HOによって導かれ
たとすれば、磁界HI,HOを生ぜしめる電流密度をそれ
ぞれJ-,J+として、当該磁界HI,HOと電流密度
J-,J+との間には前述の(1)式に示す関係がある。
これより、J-,J+もスリットが作る円の内部に流入す
る成分、および、この円から流出する成分であるという
ことになる。このため、電流プローブの出力電圧Eは、 E=K(J-−J+) ・・・・・ (4) と表せる。ここで、Kは比例定数である。仮に、スリッ
トが作る円の半径が無限に小さいならば、 E=K▽t・J ・・・・・ (5) と表せる。ここに、▽t・Jは、筐体表面上の電流密度
Jの表面発散をとることを表している。
プローブ本体内に導かれるものである。ここに、H-が
磁界HIによって導かれ、H-が磁界HOによって導かれ
たとすれば、磁界HI,HOを生ぜしめる電流密度をそれ
ぞれJ-,J+として、当該磁界HI,HOと電流密度
J-,J+との間には前述の(1)式に示す関係がある。
これより、J-,J+もスリットが作る円の内部に流入す
る成分、および、この円から流出する成分であるという
ことになる。このため、電流プローブの出力電圧Eは、 E=K(J-−J+) ・・・・・ (4) と表せる。ここで、Kは比例定数である。仮に、スリッ
トが作る円の半径が無限に小さいならば、 E=K▽t・J ・・・・・ (5) と表せる。ここに、▽t・Jは、筐体表面上の電流密度
Jの表面発散をとることを表している。
【0017】筐体表面に穴や開口部がない滑らかな面で
あれば、筐体表面上のどの微小部分をとっても、この部
分に流入する電流と等量の電流が流出し、▽t・J=0
となり、出力電圧E=0となる。即ち、筐体表面に電流
密度の不連続部が存在しなければ、電流密度の振幅が如
何に大きくても出力電圧Eは常に0である。一方、筐体
表面に何らかの原因で穴,開口部又は接触の不完全な溶
接部があり、かかる箇所から電流の湧き出しが生じてい
る場合には、この部分の電流密度が不連続となり、出力
電圧Eは0以外の値を持つようになる。
あれば、筐体表面上のどの微小部分をとっても、この部
分に流入する電流と等量の電流が流出し、▽t・J=0
となり、出力電圧E=0となる。即ち、筐体表面に電流
密度の不連続部が存在しなければ、電流密度の振幅が如
何に大きくても出力電圧Eは常に0である。一方、筐体
表面に何らかの原因で穴,開口部又は接触の不完全な溶
接部があり、かかる箇所から電流の湧き出しが生じてい
る場合には、この部分の電流密度が不連続となり、出力
電圧Eは0以外の値を持つようになる。
【0018】このため、例えば図4に示すように、内部
に電磁波発生源を含む筐体の表面上をプローブ本体を移
動させると、出力電圧Eは、筐体表面に存する穴の部分
でのみ大きくなり、他の部分ではE=0となる。
に電磁波発生源を含む筐体の表面上をプローブ本体を移
動させると、出力電圧Eは、筐体表面に存する穴の部分
でのみ大きくなり、他の部分ではE=0となる。
【0019】請求項3記載の発明では、スリットの位置
に対応して外円筒に設けられた出力端子に出力信号線を
接続する。
に対応して外円筒に設けられた出力端子に出力信号線を
接続する。
【0020】請求項4記載の発明では、内円筒に設けた
スリットへの外部磁界の進入が有効に防止される。
スリットへの外部磁界の進入が有効に防止される。
【0021】請求項5記載の発明では、磁性体の透磁率
に対応して出力電圧が増幅される。
に対応して出力電圧が増幅される。
【0022】請求項6記載の発明では、磁性体として透
磁率のNiZn系フェライト若しくはMnZn系フェラ
イトによる材料を用いることで、特に効率的に出力電圧
が増幅される。
磁率のNiZn系フェライト若しくはMnZn系フェラ
イトによる材料を用いることで、特に効率的に出力電圧
が増幅される。
【0023】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図4に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【0024】図1において、プローブ本体1は、ドーナ
ツ形に形成された導電性の底板11及び天板12とを外
円筒13及び内円筒14により連結(接続)して形成さ
れている。具体的には、外円筒13は、底板11及び天
板12の成すドーナツ形の各対応する外周を一体的に連
結している。一方、内円筒14は、同ドーナツ形の各対
応する内周を一体的に連結している。これにより、プロ
ーブ本体内部には、一定の体積を有するドーナツ形の領
域が形成されている。
ツ形に形成された導電性の底板11及び天板12とを外
円筒13及び内円筒14により連結(接続)して形成さ
れている。具体的には、外円筒13は、底板11及び天
板12の成すドーナツ形の各対応する外周を一体的に連
結している。一方、内円筒14は、同ドーナツ形の各対
応する内周を一体的に連結している。これにより、プロ
ーブ本体内部には、一定の体積を有するドーナツ形の領
域が形成されている。
【0025】内円筒14の中心軸位置には、各円筒1
3,14と長さがおよそ等しい導電性の円柱部材15が
配設されている。この円柱部材15の天板12側は、金
属部材としての金属板により、当該天板12と短絡され
ている。本実施例において、ドーナツ形の天板12の開
口部は、前述の円柱部材15との短絡により当該円柱部
材15に接続された金属板16で密封されている。実際
には、プローブ本体1と円柱部材15及び金属板16と
を含む全体が一金属部材から構成されている。
3,14と長さがおよそ等しい導電性の円柱部材15が
配設されている。この円柱部材15の天板12側は、金
属部材としての金属板により、当該天板12と短絡され
ている。本実施例において、ドーナツ形の天板12の開
口部は、前述の円柱部材15との短絡により当該円柱部
材15に接続された金属板16で密封されている。実際
には、プローブ本体1と円柱部材15及び金属板16と
を含む全体が一金属部材から構成されている。
【0026】底板11には、この底板11のドーナツ形
状に沿って円周状のスリット2が設けられている。この
スリット2は、本実施例において、底板11のやや外よ
りに配設されている。このスリット2の両側には、出力
端子3が設けられている。図1では、出力端子3に出力
信号線が接続された状態を示している。また、底板11
の外表面と円柱部材15の当該底板11側には、円形且
つシート(膜)状の絶縁部材4が施され、これにより、
全面的に被覆されている。被測定筐体100と電流プロ
ーブ10との間を絶縁するためである。
状に沿って円周状のスリット2が設けられている。この
スリット2は、本実施例において、底板11のやや外よ
りに配設されている。このスリット2の両側には、出力
端子3が設けられている。図1では、出力端子3に出力
信号線が接続された状態を示している。また、底板11
の外表面と円柱部材15の当該底板11側には、円形且
つシート(膜)状の絶縁部材4が施され、これにより、
全面的に被覆されている。被測定筐体100と電流プロ
ーブ10との間を絶縁するためである。
【0027】本実施例において、スリット2の幅は1.
0mm、絶縁部材4のシート厚は0.5mmに設定され
ている。これらの数値は実験的に定めたものであり、実
験の結果では、スリット幅は0.1mm〜2.0mm、
シート厚は2mm以下が望ましいことが明かとなった。
ここでは、シート状の絶縁部材4としてビニールシート
を用いたが、絶縁体であれば他の材料であっても良い。
0mm、絶縁部材4のシート厚は0.5mmに設定され
ている。これらの数値は実験的に定めたものであり、実
験の結果では、スリット幅は0.1mm〜2.0mm、
シート厚は2mm以下が望ましいことが明かとなった。
ここでは、シート状の絶縁部材4としてビニールシート
を用いたが、絶縁体であれば他の材料であっても良い。
【0028】次に上記構成から成る電流プローブ10の
使用状態及びその作用を図1乃至図4に基づいて説明す
る。
使用状態及びその作用を図1乃至図4に基づいて説明す
る。
【0029】本実施例の電流プローブ10は、底板11
を被測定筐体100の表面に当接させて使用し、出力端
子3にはスペクトルアナライザ等の視認装置を接続する
(図示略)。ここで、被測定筐体面100上でプローブ
本体1を移動させると、当該筐体100に流れている高
周波電流により誘導される磁界(電磁波)がスリット2
を介してプローブ本体1内部に導かれる。そして、出力
端子3には、プローブ本体1内部(内円筒14と外円筒
13との間)に発生する磁界の円周方向成分に比例した
出力電圧Eが誘起される。
を被測定筐体100の表面に当接させて使用し、出力端
子3にはスペクトルアナライザ等の視認装置を接続する
(図示略)。ここで、被測定筐体面100上でプローブ
本体1を移動させると、当該筐体100に流れている高
周波電流により誘導される磁界(電磁波)がスリット2
を介してプローブ本体1内部に導かれる。そして、出力
端子3には、プローブ本体1内部(内円筒14と外円筒
13との間)に発生する磁界の円周方向成分に比例した
出力電圧Eが誘起される。
【0030】以下詳述すると、図1においてスリット2
上の位置c,dで示す2箇所より磁界がプローブ本体1
内部に導かれるとすれば、この2箇所の磁界が同方向か
つ同振幅ならば、プローブ本体1内の磁界は互いに打ち
消しあい、この結果、出力電圧Eは0となる。一方、2
箇所の磁界が異方向又は異振幅ならば、これらの磁界の
強さに比例した出力電圧Eが誘起される。ここで、位置
c,dは、スリット上の任意の位置であっても同一であ
る。
上の位置c,dで示す2箇所より磁界がプローブ本体1
内部に導かれるとすれば、この2箇所の磁界が同方向か
つ同振幅ならば、プローブ本体1内の磁界は互いに打ち
消しあい、この結果、出力電圧Eは0となる。一方、2
箇所の磁界が異方向又は異振幅ならば、これらの磁界の
強さに比例した出力電圧Eが誘起される。ここで、位置
c,dは、スリット上の任意の位置であっても同一であ
る。
【0031】一般には、出力端子3に誘起される電圧E
は、図3において、スリット2からプローブ本体1内部
に流入する磁界HIと、逆にスリットから外部に流出す
る磁界HOとの差に基づいて定められる。スリット2は
被測定筐体100の表面にほぼ密着されることから、被
測定筐体100の表面における電流密度Jと磁界Hとの
間には、前述の(1)式の関係がある(従来例参照)。
このため、筐体100表面においてスリット2に対応す
る円周の部分に流入する電流密度と、この円周部分から
流出する電流密度との差がプローブの出力電圧Eとして
表れる。即ち、プローブの出力電圧Eは、 E=−j2πfμHsum ・・・・・ (12) と表される。ここで、fは電流の周波数、μはプローブ
本体1内の透磁率、Hsu mはプローブ本体1内部に存在
する磁界の総量(円周方向成分)である。磁界の総量H
sumは、プローブ本体1内部に生じる磁界の互いに逆向
きの成分H+とH-との和であり、例えば、成分H+は図
1に示す断面の符号A部分から同図の手前側に向かう成
分であり、成分H-は同符号A部分から同図の奥側に向
かう成分である。このため、以下のように表すことがで
きる。 Hsum=H+−H- ・・・・・ (13)
は、図3において、スリット2からプローブ本体1内部
に流入する磁界HIと、逆にスリットから外部に流出す
る磁界HOとの差に基づいて定められる。スリット2は
被測定筐体100の表面にほぼ密着されることから、被
測定筐体100の表面における電流密度Jと磁界Hとの
間には、前述の(1)式の関係がある(従来例参照)。
このため、筐体100表面においてスリット2に対応す
る円周の部分に流入する電流密度と、この円周部分から
流出する電流密度との差がプローブの出力電圧Eとして
表れる。即ち、プローブの出力電圧Eは、 E=−j2πfμHsum ・・・・・ (12) と表される。ここで、fは電流の周波数、μはプローブ
本体1内の透磁率、Hsu mはプローブ本体1内部に存在
する磁界の総量(円周方向成分)である。磁界の総量H
sumは、プローブ本体1内部に生じる磁界の互いに逆向
きの成分H+とH-との和であり、例えば、成分H+は図
1に示す断面の符号A部分から同図の手前側に向かう成
分であり、成分H-は同符号A部分から同図の奥側に向
かう成分である。このため、以下のように表すことがで
きる。 Hsum=H+−H- ・・・・・ (13)
【0032】各成分H+,H-は、それぞれスリット2か
らプローブ本体1内に導かれるものである。ここに、H
+が磁界HIによって導かれ、H-が磁界HOによって導か
れたとすれば、磁界HI,HOを生ぜしめる電流密度をそ
れぞれJ-,J+として、当該磁界HI,HOと電流密度J
-,J+との間には前述の(1)式に示す関係がある。こ
れより、J-,J+もスリット2が作る円の内部に流入す
る成分、および、この円から流出する成分であるという
ことになる。このため、電流プローブ10の出力電圧E
は、 E=K(J-−J+) ・・・・・ (14) と表せる。ここで、Kは比例定数である。仮に、スリッ
ト2が作る円の半径が無限に小さいならば、 E=K▽t・J ・・・・・ (15) と表せる。ここに、▽t・Jは、筐体100表面上の電
流密度Jの表面発散をとることを表している。
らプローブ本体1内に導かれるものである。ここに、H
+が磁界HIによって導かれ、H-が磁界HOによって導か
れたとすれば、磁界HI,HOを生ぜしめる電流密度をそ
れぞれJ-,J+として、当該磁界HI,HOと電流密度J
-,J+との間には前述の(1)式に示す関係がある。こ
れより、J-,J+もスリット2が作る円の内部に流入す
る成分、および、この円から流出する成分であるという
ことになる。このため、電流プローブ10の出力電圧E
は、 E=K(J-−J+) ・・・・・ (14) と表せる。ここで、Kは比例定数である。仮に、スリッ
ト2が作る円の半径が無限に小さいならば、 E=K▽t・J ・・・・・ (15) と表せる。ここに、▽t・Jは、筐体100表面上の電
流密度Jの表面発散をとることを表している。
【0033】筐体100表面に穴や開口部(図4中符号
Q)がない滑らかな面であれば、筐体表面100上のど
の微小部分をとっても、この部分に流入する電流と等量
の電流が流出し、▽t・J=0となり、出力電圧E=0
となる。即ち、筐体100表面に電流密度Jの不連続部
が存在しなければ、電流密度Jの振幅が如何に大きくて
も出力電圧Eは常に0である。一方、筐体100表面に
何らかの原因で穴,開口部又は接触の不完全な溶接部
(図4中符号Q)があり、かかる箇所から電流の湧き出
しが生じている場合には、この部分の電流密度Jが不連
続となり、出力電圧Eは0以外の値を持つようになる。
Q)がない滑らかな面であれば、筐体表面100上のど
の微小部分をとっても、この部分に流入する電流と等量
の電流が流出し、▽t・J=0となり、出力電圧E=0
となる。即ち、筐体100表面に電流密度Jの不連続部
が存在しなければ、電流密度Jの振幅が如何に大きくて
も出力電圧Eは常に0である。一方、筐体100表面に
何らかの原因で穴,開口部又は接触の不完全な溶接部
(図4中符号Q)があり、かかる箇所から電流の湧き出
しが生じている場合には、この部分の電流密度Jが不連
続となり、出力電圧Eは0以外の値を持つようになる。
【0034】このため、例えば図4に示すように、内部
に電磁波発生源Sを含む筐体100の表面上をプローブ
本体1を移動させると、出力電圧Eは、筐体100表面
に存する穴Qの部分でのみ大きくなり、他の部分では出
力電圧E=0となるので、電流湧き出し口Qを極めて簡
便に見つけることができる。
に電磁波発生源Sを含む筐体100の表面上をプローブ
本体1を移動させると、出力電圧Eは、筐体100表面
に存する穴Qの部分でのみ大きくなり、他の部分では出
力電圧E=0となるので、電流湧き出し口Qを極めて簡
便に見つけることができる。
【0035】このように、本実施例によれば、被測定筐
体100の表面からスリット2を介してプローブ本体1
内に流入する磁界と当該スリット2を介してプローブ本
体外に流出する磁界との差に対応してプローブ本体のス
リット間に誘起される電圧を出力端子から取り出すこと
により、この出力電圧の変動から、被測定筐体の電流湧
き出し口を極めて簡便に見つけることができる。また、
スリットを底板に設けたことから、外部磁界の影響によ
る測定誤差を防止することができる。
体100の表面からスリット2を介してプローブ本体1
内に流入する磁界と当該スリット2を介してプローブ本
体外に流出する磁界との差に対応してプローブ本体のス
リット間に誘起される電圧を出力端子から取り出すこと
により、この出力電圧の変動から、被測定筐体の電流湧
き出し口を極めて簡便に見つけることができる。また、
スリットを底板に設けたことから、外部磁界の影響によ
る測定誤差を防止することができる。
【0036】次に、本発明の他の実施例を図5乃至図7
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0037】図5に示す実施例は、プローブ本体1内の
全体に磁性体5を充填したもので、その他の構成は前述
の第1実施例と同一に構成されている。本実施例では、
磁性体5としてドーナツ状のNiZn系フェライト燒結
体を用いた。出力電圧Eはプローブ本体1内の磁束密度
μHに比例するので、プローブ本体1内に磁性体を充填
することにより、その透磁率μ倍に増幅された出力電圧
Eを得ることができ、前述の第1実施例の効果に加え、
電流プローブの感度向上を図ることができる。ここで、
本実施例の電流プローブを周波数約1MHz以下の比較
的低周波数帯で用いる場合は、低周波で透磁率の大きい
MnZn系フェライトを磁性体5として使用しても良
い。また、約100MHz以上の高周波数帯でのみ使用
する場合は、燒結体では高周波で損失が大きくなるの
で、透磁率を小さくして高周波での損失を抑制したフェ
ライト粉末と樹脂との混合材を磁性体4として用いても
良い。
全体に磁性体5を充填したもので、その他の構成は前述
の第1実施例と同一に構成されている。本実施例では、
磁性体5としてドーナツ状のNiZn系フェライト燒結
体を用いた。出力電圧Eはプローブ本体1内の磁束密度
μHに比例するので、プローブ本体1内に磁性体を充填
することにより、その透磁率μ倍に増幅された出力電圧
Eを得ることができ、前述の第1実施例の効果に加え、
電流プローブの感度向上を図ることができる。ここで、
本実施例の電流プローブを周波数約1MHz以下の比較
的低周波数帯で用いる場合は、低周波で透磁率の大きい
MnZn系フェライトを磁性体5として使用しても良
い。また、約100MHz以上の高周波数帯でのみ使用
する場合は、燒結体では高周波で損失が大きくなるの
で、透磁率を小さくして高周波での損失を抑制したフェ
ライト粉末と樹脂との混合材を磁性体4として用いても
良い。
【0038】図6に示す実施例は、スリット22が外円
筒13の底板11近傍に設けられており、その他の構成
は図5に示す実施例と同一となっている。本実施例の構
成を用いて試験を行った結果、図5に示す実施例と同等
の出力を得ることができた。このようにしても図1又は
図5に示す実施例と同一の作用効果を奏する他、出力端
子3への出力信号線の接続を容易にすることができる、
という利点がある。
筒13の底板11近傍に設けられており、その他の構成
は図5に示す実施例と同一となっている。本実施例の構
成を用いて試験を行った結果、図5に示す実施例と同等
の出力を得ることができた。このようにしても図1又は
図5に示す実施例と同一の作用効果を奏する他、出力端
子3への出力信号線の接続を容易にすることができる、
という利点がある。
【0039】図7に示す実施例は、スリット32が内円
筒14の底板11近傍に設けられており、その他の構成
は図5に示す実施例と同一となっている。本実施例の構
成を用いて試験を行った結果、図5に示す実施例と同等
の出力を得ることができた。このようにしても図1又は
図5と同様の作用効果を奏する他、測定誤差となる外部
磁界がスリット32から進入するのを防止することがで
きる、という利点がある。
筒14の底板11近傍に設けられており、その他の構成
は図5に示す実施例と同一となっている。本実施例の構
成を用いて試験を行った結果、図5に示す実施例と同等
の出力を得ることができた。このようにしても図1又は
図5と同様の作用効果を奏する他、測定誤差となる外部
磁界がスリット32から進入するのを防止することがで
きる、という利点がある。
【0040】ここで、上記各実施例では、円柱部材15
及び金属板16を含む構成を示したが、これらを含まな
い構成としても良い。
及び金属板16を含む構成を示したが、これらを含まな
い構成としても良い。
【0041】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成され機能す
るので、これによると、被測定筐体の表面からスリット
を介してプローブ本体内に流入する磁界と当該スリット
を介してプローブ本体外に流出する磁界との差に対応し
てプローブ本体のスリット間に誘起される電圧を出力端
子から取り出すことにより、この出力電圧の変動から、
被測定筐体の電流湧き出し口を極めて簡便に見つけるこ
とができる。また、スリットを底板に設けたことから、
外部磁界の影響による測定誤差を防止することができ
る。
るので、これによると、被測定筐体の表面からスリット
を介してプローブ本体内に流入する磁界と当該スリット
を介してプローブ本体外に流出する磁界との差に対応し
てプローブ本体のスリット間に誘起される電圧を出力端
子から取り出すことにより、この出力電圧の変動から、
被測定筐体の電流湧き出し口を極めて簡便に見つけるこ
とができる。また、スリットを底板に設けたことから、
外部磁界の影響による測定誤差を防止することができ
る。
【0042】請求項3記載の発明では、スリットを外円
筒に設けたことから、出力端子への出力信号線の接続を
容易に行うことができ、使用上又は製造上の利益があ
る。
筒に設けたことから、出力端子への出力信号線の接続を
容易に行うことができ、使用上又は製造上の利益があ
る。
【0043】請求項4記載の発明では、スリットを金属
部材により密封された内円筒の側に設けたことから、外
部磁界がスリットからプローブ本体内に進入することが
ほとんどなく、外部磁界が測定に誤差を生ぜしめる事態
を有効に防止することができ、これにより、安定した出
力を得ることができる。
部材により密封された内円筒の側に設けたことから、外
部磁界がスリットからプローブ本体内に進入することが
ほとんどなく、外部磁界が測定に誤差を生ぜしめる事態
を有効に防止することができ、これにより、安定した出
力を得ることができる。
【0044】請求項5記載の発明では、プローブ本体内
の全体に磁性体を充填したことから、出力電圧を磁性体
の透磁率μ倍に増幅されるため、プローブの感度を向上
することができ、電流の湧き出し口の同定を確実に行う
ことができる。
の全体に磁性体を充填したことから、出力電圧を磁性体
の透磁率μ倍に増幅されるため、プローブの感度を向上
することができ、電流の湧き出し口の同定を確実に行う
ことができる。
【0045】請求項6記載の発明では、磁性体をNiZ
n系フェライト若しくはMnZn系フェライト燒結体に
よる材料としたことから、特に出力電圧を効率的に増幅
することができ、プローブの感度の飛躍的な向上を図る
ことができる。
n系フェライト若しくはMnZn系フェライト燒結体に
よる材料としたことから、特に出力電圧を効率的に増幅
することができ、プローブの感度の飛躍的な向上を図る
ことができる。
【0046】このように、電子機器の金属筐体表面に内
部から電流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけること
ができるという従来にない優れた電流プローブを提供す
ることができる。
部から電流が漏れ出してくる箇所を簡便に見つけること
ができるという従来にない優れた電流プローブを提供す
ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す一部切り欠いた構成図
である。
である。
【図2】図1に示す実施例のうち、特に底板の部分を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図3】図1に示す実施例の電流測定原理を説明する説
明図である。
明図である。
【図4】図1に示す実施例の使用状態とその結果得られ
る出力電圧を示す説明図である。
る出力電圧を示す説明図である。
【図5】本発明の第2の実施例を示す構成図である。
【図6】本発明の第3の実施例を示す構成図である。
【図7】本発明の第4の実施例を示す構成図である。
【図8】従来例を示す構成図である。
1,21,31 プローブ本体 2,22,32 スリット 3 出力端子 4 絶縁部材 5 磁性体 10 電流プローブ 11 底板 12 天板 13 外円筒 14 内円筒 15 円柱部材 16 金属部材(金属板) 51 金属面 52 ループセンサ 100 被測定筐体(筐体) Q 電流湧き出し口(穴) S 電磁波発生源
Claims (6)
- 【請求項1】 ドーナツ形に形成された導電性の底板及
び天板の各対応する円周部を導電性の内円筒及び外円筒
により短絡して成るプローブ本体と、このプローブ本体
の前記底板又は当該底板近傍に円周状に設けられたスリ
ットと、このスリットの両側に接続された出力端子と、
前記底板の外部表面を全面的に被覆する絶縁部材とを備
えていることを特徴とする電流プローブ。 - 【請求項2】 前記内円筒の内側に導電性の円柱部材を
設け、この円柱部材の一端と前記天板との間を金属部材
で密閉すると共に、当該円柱部材の前記底板側を絶縁部
材により被覆したことを特徴とする請求項1記載の電流
プローブ。 - 【請求項3】 前記スリットを、前記外円筒に設けたこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の電流プローブ。 - 【請求項4】 前記スリットを、前記内円筒に設けたこ
とを特徴とする請求項2記載の電流プローブ。 - 【請求項5】 前記内円筒と外円筒との間の一部又は全
体に磁性体を充填したことを特徴とする請求項1又は2
記載の電流プローブ。 - 【請求項6】 前記磁性体は、NiZn系フェライト若
しくはMnZn系フェライト燒結体又はこれらの粉末を
混合した混合材であることを特徴とする請求項5記載の
電流プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29135194A JP2629622B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 電流プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29135194A JP2629622B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 電流プローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146064A true JPH08146064A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2629622B2 JP2629622B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17767809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29135194A Expired - Fee Related JP2629622B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 電流プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629622B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007085741A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Hitachi Ltd | 電磁波発生源探査方法及びそれに用いる電流プローブ |
| WO2010047149A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社日立製作所 | ノイズ評価装置 |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP29135194A patent/JP2629622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007085741A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Hitachi Ltd | 電磁波発生源探査方法及びそれに用いる電流プローブ |
| WO2010047149A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社日立製作所 | ノイズ評価装置 |
| JP2010101760A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Hitachi Ltd | ノイズ評価装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2629622B2 (ja) | 1997-07-09 |
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